JPS5842473A - サ−マルヘツド作製方法 - Google Patents
サ−マルヘツド作製方法Info
- Publication number
- JPS5842473A JPS5842473A JP56140654A JP14065481A JPS5842473A JP S5842473 A JPS5842473 A JP S5842473A JP 56140654 A JP56140654 A JP 56140654A JP 14065481 A JP14065481 A JP 14065481A JP S5842473 A JPS5842473 A JP S5842473A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- layer
- wear
- phase method
- heating element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は感熱記−禄用サーマルヘッドに１如するもので
、特に耐摩耗層を熱伝導率が固体中で厳犬であり最も１
嗣摩耗性を有する炭素または炭素を主成分とする材料に
よ＃）設けることを目的としている。
、特に耐摩耗層を熱伝導率が固体中で厳犬であり最も１
嗣摩耗性を有する炭素または炭素を主成分とする材料に
よ＃）設けることを目的としている。
本発明は発熱体層を非晶質（アモルファス以下ＡＳとい
う〕捷たは４５〜２００Ａの大きさの微結晶性を有する
半非晶質（セミアモルファス以下ＳＡＳという）の如き
プラズマ気相法による１００〜４５０゛Ｃ好ましくは２
ｏＯ〜３５σ０１７）低温で形成する珪素または炭素を
主成分とする材料により設けることを目的としている。
う〕捷たは４５〜２００Ａの大きさの微結晶性を有する
半非晶質（セミアモルファス以下ＳＡＳという）の如き
プラズマ気相法による１００〜４５０゛Ｃ好ましくは２
ｏＯ〜３５σ０１７）低温で形成する珪素または炭素を
主成分とする材料により設けることを目的としている。
本発明はかかる耐摩耗ｊ−または発熱、１−がプラズマ
気相法すなわち０．０１〜１０ｔＯｒｒの威圧下にて直
流、高周波（５００ＫＭＺ 〜５０ＭＨｚ）またはマイ
クロ波（例えば２．４５ＧＨｚ）の周波数の電磁エネル
ギを加えてグローまたはアーク放電を発生させてプラズ
マ化し、かかる電磁エネルギにより気化した反応性気体
例えばエチレン、プロパン等の炭化水素ガスを活性化、
分解せしめることによりＡｓまたはＳＡＳの絶縁性の炭
素または炭素中に水素、珪素が３０モル多以下に含有し
た炭素を主成分とする被膜を形成せんとするものである
。
気相法すなわち０．０１〜１０ｔＯｒｒの威圧下にて直
流、高周波（５００ＫＭＺ 〜５０ＭＨｚ）またはマイ
クロ波（例えば２．４５ＧＨｚ）の周波数の電磁エネル
ギを加えてグローまたはアーク放電を発生させてプラズ
マ化し、かかる電磁エネルギにより気化した反応性気体
例えばエチレン、プロパン等の炭化水素ガスを活性化、
分解せしめることによりＡｓまたはＳＡＳの絶縁性の炭
素または炭素中に水素、珪素が３０モル多以下に含有し
た炭素を主成分とする被膜を形成せんとするものである
。
本発明はかかるプラズマ気相法により形成した炭素はそ
のエネルギバンド巾が２．３θ■以上代表的には３θ■
を有する′Ｐ、 ｈｉ体でありかつその熱伝導率は２．
５．１−ｔ）：代表的には５．０（Ｗ／Ｃｍｄθｇ〕と
ダイヤモンド の６．６０ （Ｗ／ｃｍ ｄ、ｅｇ）に
近いきわめてすぐれた高い値を有する。
のエネルギバンド巾が２．３θ■以上代表的には３θ■
を有する′Ｐ、 ｈｉ体でありかつその熱伝導率は２．
５．１−ｔ）：代表的には５．０（Ｗ／Ｃｍｄθｇ〕と
ダイヤモンド の６．６０ （Ｗ／ｃｍ ｄ、ｅｇ）に
近いきわめてすぐれた高い値を有する。
さらにンツカース硬度４５００Ｋｇ／Ｊ≦以上代−２４
的には６５００Ｋｇ／ｎｍ’というダイヤモンド類似の
硬さを有するきわめてすぐれた特性を見出しかかる特性
をサーマルヘッドＫ ｉ４用してすぐれた耐摩耗性、感
熱高速応５Ｇ性を有せしめたものである。
的には６５００Ｋｇ／ｎｍ’というダイヤモンド類似の
硬さを有するきわめてすぐれた特性を見出しかかる特性
をサーマルヘッドＫ ｉ４用してすぐれた耐摩耗性、感
熱高速応５Ｇ性を有せしめたものである。
さらに本発明はかかるＡＳまたはＳＡＳの４５０°Ｃ以
下で作られた炭素中に１１１価またはＶ価の不純物であ
るホウ素またはリンを０．１〜３モル条の痕１皮に添加
すると、１０”−１０６気伝導度を有せしめることがで
きる。そのためこの場合は発熱累子として用い、さらに
その仮械的！Ｉ！ｆ質より「し１摩耗層を必ずしも形成
させる必要がないなどの特性を有せしめることができる
という他の特徴を有する。
下で作られた炭素中に１１１価またはＶ価の不純物であ
るホウ素またはリンを０．１〜３モル条の痕１皮に添加
すると、１０”−１０６気伝導度を有せしめることがで
きる。そのためこの場合は発熱累子として用い、さらに
その仮械的！Ｉ！ｆ質より「し１摩耗層を必ずしも形成
させる必要がないなどの特性を有せしめることができる
という他の特徴を有する。
本発明はさらに耐摩耗層を減圧状ＬＩｑのプラズマ気相
法に用いるため、発熱層の側部に対しても上面と同順の
厚さで保蚊することができる。
法に用いるため、発熱層の側部に対しても上面と同順の
厚さで保蚊することができる。
そのためとれまでスパッタ法、常圧気相法等で作られた
場合、この側面をおおうためＫ 結果として耐摩耗層を
上面の厚さ２μ以上（１１ｉ１１面の厚さ０．２μ以上
）を必要とした。しかじ本発明においては上面も側面も
０．１〜０．３μわれは十分であシ、結果として厚さが
約１／１０になったため、さらに感熱の応答速度を向上
させることができるようになった。
場合、この側面をおおうためＫ 結果として耐摩耗層を
上面の厚さ２μ以上（１１ｉ１１面の厚さ０．２μ以上
）を必要とした。しかじ本発明においては上面も側面も
０．１〜０．３μわれは十分であシ、結果として厚さが
約１／１０になったため、さらに感熱の応答速度を向上
させることができるようになった。
本発明において反応性気体は炭化水素例えばエチレン（
０，Ｈ，）メタン系炭化水素（０，Ｈ２，、ｌ）等の気
体または鮭累を一部に含んだ場合はテトラメチルシラン
（（ｃ、Ｑ ｓ ｉ） 、テトラエチルシラン（（ａ、
Ｑ、 Ｓ １） ′Ｓ＝を用いてもよい。前者にあって
は炭素に水素が３０モル襲以下特に５Ａ６１とすると０
．０１〜５１〜５モル条存在しつつも炭素同志の共有結
合が強くダイヤモンドとｔＪ似の物性を有していた。ま
た後者にあっては水素が０．０１〜２０モルチを含み、
さらに珪素を炭素の１／３〜↓ 以下に図面に従って芙力也例を示す。
０，Ｈ，）メタン系炭化水素（０，Ｈ２，、ｌ）等の気
体または鮭累を一部に含んだ場合はテトラメチルシラン
（（ｃ、Ｑ ｓ ｉ） 、テトラエチルシラン（（ａ、
Ｑ、 Ｓ １） ′Ｓ＝を用いてもよい。前者にあって
は炭素に水素が３０モル襲以下特に５Ａ６１とすると０
．０１〜５１〜５モル条存在しつつも炭素同志の共有結
合が強くダイヤモンドとｔＪ似の物性を有していた。ま
た後者にあっては水素が０．０１〜２０モルチを含み、
さらに珪素を炭素の１／３〜↓ 以下に図面に従って芙力也例を示す。
第１図は本発明に用いられたサーマルプリンタのたて断
面図を示す。第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のＡ−Ａ’の
前面を示す。（Ｃ）はＢ −Ｂ’の断面を示す。
面図を示す。第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のＡ−Ａ’の
前面を示す。（Ｃ）はＢ −Ｂ’の断面を示す。
図面において基板特にセラミック基板上にグレイズドさ
れたガラス層（２）、発熱体層（４）、電極（４）、耐
琴耗層（５）が積１．．ｉ して設けられている。また
第１図（０）に示す如＜、Ｒ＆熱紙がこすられる部分１
ｌ−Ｌ発熱体層（３）上に接して耐Ｊ承耗層（５）が設
けられている。
れたガラス層（２）、発熱体層（４）、電極（４）、耐
琴耗層（５）が積１．．ｉ して設けられている。また
第１図（０）に示す如＜、Ｒ＆熱紙がこすられる部分１
ｌ−Ｌ発熱体層（３）上に接して耐Ｊ承耗層（５）が設
けられている。
本発明はこの耐摩耗層（５）を炭素または炭素を主成分
とした材料とし、この材料をプラズマ気相法によシ形成
するため、第１図（Ｂ）、（Ｃ）に示す如く、発熱体層
の側部の厚さが発熱体層上面の厚さを概略一致させるこ
とができるという特徴を有する。
とした材料とし、この材料をプラズマ気相法によシ形成
するため、第１図（Ｂ）、（Ｃ）に示す如く、発熱体層
の側部の厚さが発熱体層上面の厚さを概略一致させるこ
とができるという特徴を有する。
これは減圧下（０，０１〜１０ｔｏｒｒ）であり、反応
性気体の平均自由行程が長くなシ気相法を行うに際して
も側辺への捷わりこみが大きいためである。加えてプラ
ズマ化し ・−′ か番台４、反応性気体同志に大きな運動エネルギを与え
て互いに衝突させ、四方人吉への飛しようを促している
ことにある。
性気体の平均自由行程が長くなシ気相法を行うに際して
も側辺への捷わりこみが大きいためである。加えてプラ
ズマ化し ・−′ か番台４、反応性気体同志に大きな運動エネルギを与え
て互いに衝突させ、四方人吉への飛しようを促している
ことにある。
耐摩耗層に１２．Ｉ してば、以下の如くにして作製し
た。すなわち被形成面を有する基板を反応容器内に封入
し、この反応容ｇ３を１０ｔＯｒｒまで真空引きをする
とともに、この基板を加熱炉によリ１００〜４５０″Ｃ
Ｉｆ寸しくは２００〜３５０’Ｏ例えば３００°Ｃに加
熱した。とのＩＡこの為？囲気中に水素を加えた。例え
ば１３．５６ＭＨ２，５０〜５００ Ｗとし、その実ｊ
Ｒｒ的な電極間１本は１５〜１５０ｃｍと長くした。そ
れはプラズマ化した時の反応性気体である炭素はきわめ
て安定な材料であるため各原索丑たは炭素が會合した会
合分子に対し高いエネルギを与え、炭末同志互いにＪ（
有結合をさせるためである。形成された被膜に関して出
力が５０〜１５０ＷＫテはＡｓが２５０〜５０ｏｗでは
ＳＡＳ八その中間ではそれらが混合した：［４造が′電
子線回折では１１況察された。
た。すなわち被形成面を有する基板を反応容器内に封入
し、この反応容ｇ３を１０ｔＯｒｒまで真空引きをする
とともに、この基板を加熱炉によリ１００〜４５０″Ｃ
Ｉｆ寸しくは２００〜３５０’Ｏ例えば３００°Ｃに加
熱した。とのＩＡこの為？囲気中に水素を加えた。例え
ば１３．５６ＭＨ２，５０〜５００ Ｗとし、その実ｊ
Ｒｒ的な電極間１本は１５〜１５０ｃｍと長くした。そ
れはプラズマ化した時の反応性気体である炭素はきわめ
て安定な材料であるため各原索丑たは炭素が會合した会
合分子に対し高いエネルギを与え、炭末同志互いにＪ（
有結合をさせるためである。形成された被膜に関して出
力が５０〜１５０ＷＫテはＡｓが２５０〜５０ｏｗでは
ＳＡＳ八その中間ではそれらが混合した：［４造が′電
子線回折では１１況察された。
さらにこのプラズマ化した雰囲気に対し、灰化物気体例
えばメチレンまたはプロパンを２．１ｈ人した。すると
この反応性気体が脱水素化し、炭素の結合が互いに共有
結合し合って、被形成面に炭素破膜を形成させることが
できた。
えばメチレンまたはプロパンを２．１ｈ人した。すると
この反応性気体が脱水素化し、炭素の結合が互いに共有
結合し合って、被形成面に炭素破膜を形成させることが
できた。
基板の温度が１００〜２００°Ｃにては、硬度か弱干低
く、また基板への）−１７ご性が必ずしも好ましいもの
ではなかったが、２００°Ｃ以上＋ｆに２５０〜３５０
°Ｃにおいては、きわめて安定な強い被形成面への密肩
１９ミを有していた。
く、また基板への）−１７ご性が必ずしも好ましいもの
ではなかったが、２００°Ｃ以上＋ｆに２５０〜３５０
°Ｃにおいては、きわめて安定な強い被形成面への密肩
１９ミを有していた。
加熱温度は４５０’Ｏ以上にすると、基板との熱膨張係
数の差によりストレスが内在してし甘い問題があり、２
５０−４５０’Ｏで形成された被膜が理η ３０Ｙ子係含まれる主成分が炭素の被ｊ模であった。こ
れでも炭素のみと同４）Ｒの硬度があった。
数の差によりストレスが内在してし甘い問題があり、２
５０−４５０’Ｏで形成された被膜が理η ３０Ｙ子係含まれる主成分が炭素の被ｊ模であった。こ
れでも炭素のみと同４）Ｒの硬度があった。
熱伝博度は炭素のみが５Ｗ／ｃｍ ｄｅｇであったが２
〜３Ｗ／ａｍ ｄｅｇと少なかった。
〜３Ｗ／ａｍ ｄｅｇと少なかった。
以上の如くにして形成された炭系被膜は０．０５〜０．
２μの厚さすなわち従来の１１５〜１／１０の薄さであ
っても１０１時間以上の使用に「ｉ［える１１ｉｔ ／
、・ｙ粍件を有していた。
２μの厚さすなわち従来の１１５〜１／１０の薄さであ
っても１０１時間以上の使用に「ｉ［える１１ｉｔ ／
、・ｙ粍件を有していた。
実すへ四２
この実％ｉ ｆｌＪは実、Ｉ＃例１と同様の硬度のサー
マルプリンタを実施例１と同体のプラズマ気相法を用い
て発熱体層を形成させた場合である。
マルプリンタを実施例１と同体のプラズマ気相法を用い
て発熱体層を形成させた場合である。
その小“！造は実施例１と同様の条件のプラズマ気相法
とした。しかし形成される被膜が導電性（抵抗・！ｆ：
） ｔた（ｄ坐導体性であることを心安とするため、形
成された被膜は市価またはＶ価の不純物例えばホウ素、
またはリンを添加しないを形成せしめた。
とした。しかし形成される被膜が導電性（抵抗・！ｆ：
） ｔた（ｄ坐導体性であることを心安とするため、形
成された被膜は市価またはＶ価の不純物例えばホウ素、
またはリンを添加しないを形成せしめた。
すなわちｆｌ香の」圭素被）換に１叫しては、出発物質
をシラン（ＳｉｎＨｌ、、 ｎ’？１） 、四フッ化珪
素を用い、１司様の１００〜４５０００１列えば２００
〜３５０”Ｃにて形成させた。高量１皮エネルギは１３
．５６ＭＨｚヲ１０〜５０ＷとしてＡｓ、’または５０
〜２００Ｗとして（９） ＳＡＳを形成させた。■画の不縄物は例えばホウ素ヲＢ
ＬＨＩ、ヲ用イテ、マタｖ１１Ｉｌｉノ不、１ＩＩＩｌ
吻ｔま例えばリンをＰＨ，を用いて前記した比の如く微
少なドープ丑たはノンドープをして用いた。形成された
披ｊ１〆中に水素が２０モル多以下に含不したが発熱さ
せることによシそれらは外部に放出されてしまった。
をシラン（ＳｉｎＨｌ、、 ｎ’？１） 、四フッ化珪
素を用い、１司様の１００〜４５０００１列えば２００
〜３５０”Ｃにて形成させた。高量１皮エネルギは１３
．５６ＭＨｚヲ１０〜５０ＷとしてＡｓ、’または５０
〜２００Ｗとして（９） ＳＡＳを形成させた。■画の不縄物は例えばホウ素ヲＢ
ＬＨＩ、ヲ用イテ、マタｖ１１Ｉｌｉノ不、１ＩＩＩｌ
吻ｔま例えばリンをＰＨ，を用いて前記した比の如く微
少なドープ丑たはノンドープをして用いた。形成された
披ｊ１〆中に水素が２０モル多以下に含不したが発熱さ
せることによシそれらは外部に放出されてしまった。
また炭素においては、実施例１と同様のメチレンを用い
た。ここにＢ、Ｖ′Ｏ，Ｈ，＝Ｏ，ｔｌ 〜３％、ＰＨ
ｙ’０、ＨＬ、０．０１〜３％として形成させた。その
結果電気伝導度は１０〜１０（−ｎｃｍ）かｆｌられた
０以上の説明よシ明らかな如く、本発明はその基責名奴
としてプラズマ気相法を用いるため、基板温度が１００
〜４５０’Ｏ代衣的には２５０〜４００’０特Ｋ ３０
０°Ｃという従来のｍ ＪＩＬｉｌ形成方法で考えるな
らば低い温度で可ｊ化である。特に５００’Ｏ以下であ
ることは基板材料としてガラスを用いるＩｌｌその熱膨
張の歪に対しきわめてこｎを少くし、従来の高扁処理に
よる幕板のそり等の大きな欠（１０） ンタの発熱部が１ｍｍあたシロ本しか作れなかったが、
これを２４本に１で漏めることかできるようになった。
た。ここにＢ、Ｖ′Ｏ，Ｈ，＝Ｏ，ｔｌ 〜３％、ＰＨ
ｙ’０、ＨＬ、０．０１〜３％として形成させた。その
結果電気伝導度は１０〜１０（−ｎｃｍ）かｆｌられた
０以上の説明よシ明らかな如く、本発明はその基責名奴
としてプラズマ気相法を用いるため、基板温度が１００
〜４５０’Ｏ代衣的には２５０〜４００’０特Ｋ ３０
０°Ｃという従来のｍ ＪＩＬｉｌ形成方法で考えるな
らば低い温度で可ｊ化である。特に５００’Ｏ以下であ
ることは基板材料としてガラスを用いるＩｌｌその熱膨
張の歪に対しきわめてこｎを少くし、従来の高扁処理に
よる幕板のそり等の大きな欠（１０） ンタの発熱部が１ｍｍあたシロ本しか作れなかったが、
これを２４本に１で漏めることかできるようになった。
以上の戚明より明らかな如く、本発明はそのエネルギバ
ンド巾２． ＯｅＶ以上代表的には２．５〜３ｅＶを有
する絶縁性のみ光性炭素を耐曜耗性材料として用いンｔ
こと、さらに炭素または炭素を主成分とする抵抗体また
は半Ｊｊ体を発熱体層として用いたことを特徴としてい
る。そのために本発明はプラズマ気相法によりその一方
または双方を形成せしめ、従来の気相法で形成された温
度よシも３００〜５００’Ｏも低い５００’Ｏ以下の温
度で作ることができ、基板材料の遠矩に大きな自由度を
イリ、低１＋ｌｉ格化にきわめてすぐれた特徴ケ有して
いた。
ンド巾２． ＯｅＶ以上代表的には２．５〜３ｅＶを有
する絶縁性のみ光性炭素を耐曜耗性材料として用いンｔ
こと、さらに炭素または炭素を主成分とする抵抗体また
は半Ｊｊ体を発熱体層として用いたことを特徴としてい
る。そのために本発明はプラズマ気相法によりその一方
または双方を形成せしめ、従来の気相法で形成された温
度よシも３００〜５００’Ｏも低い５００’Ｏ以下の温
度で作ることができ、基板材料の遠矩に大きな自由度を
イリ、低１＋ｌｉ格化にきわめてすぐれた特徴ケ有して
いた。
本発明はプラズマ気相法を主として記した。
しかしかかる耐）４粍性が得られるＩＪｑシにおいてイ
オンブレーティングその他のプラズマまたはレーザ等の
電磁エネルギ、光エネルギヲ用いてもよい。
オンブレーティングその他のプラズマまたはレーザ等の
電磁エネルギ、光エネルギヲ用いてもよい。
本発明の実施例においての第１図の構造はその一例を示
したもので、発熱体層を単ＡＩ＋Ｎ晶としてトランジス
タ構造であってもよく、ソの他シリコンメサ構造、プレ
ナー栴造等に用いることができる。
したもので、発熱体層を単ＡＩ＋Ｎ晶としてトランジス
タ構造であってもよく、ソの他シリコンメサ構造、プレ
ナー栴造等に用いることができる。
第１図は本発明のサーマルプリンタのたて断面図を示す
。
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に選択的に発熱体層が形成された被形成面上
に炭素を含有する反応性気体を１００〜４５０’Ｃの温
度にてプラズマ気相法によシ分解、反応した炭素または
炭素を主成分とした耐摩耗層を形成することを特徴とし
たサーマルヘッド作製方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、珪素捷たは炭素を
含有する反応性気体を１００−４５０°Ｃの温度にてプ
ラズマ気相法によシ分解、反応せしめるとをにより、基
板上に選択的に非晶質′８１．たは微結晶性を有する半
非晶質の珪素丑たは炭素を主成分とする発熱体層を形成
することを特徴とするサーマルヘッド作製方法。 ＼１／
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56140654A JPS5842473A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | サ−マルヘツド作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56140654A JPS5842473A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | サ−マルヘツド作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842473A true JPS5842473A (ja) | 1983-03-11 |
| JPS6241476B2 JPS6241476B2 (ja) | 1987-09-03 |
Family
ID=15273666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56140654A Granted JPS5842473A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | サ−マルヘツド作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842473A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5959472A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-05 | Pentel Kk | サ−マルヘツド |
| DE3525913A1 (de) * | 1984-07-20 | 1986-01-30 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Aufzeichnungskopf |
| JPS61189957A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サ−マルヘツド |
| DE3609493A1 (de) * | 1985-03-23 | 1986-10-02 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Thermischer schreibkopf |
| DE3609975A1 (de) * | 1985-03-25 | 1986-10-02 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Thermoaufzeichnungskopf |
| JPS6237902A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-18 | 松下電器産業株式会社 | サ−マルヘツド |
| JPS634068A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-09 | Nec Corp | ダイヤモンド状カ−ボン膜 |
| US4783369A (en) * | 1985-03-23 | 1988-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Heat-generating resistor and heat-generating resistance element using same |
| US4804974A (en) * | 1985-03-23 | 1989-02-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Thermal recording head |
| US4847639A (en) * | 1985-06-10 | 1989-07-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid jet recording head and recording system incorporating the same |
| US4870388A (en) * | 1985-03-22 | 1989-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Heat-generating resistor and heat-generating resistance element using same |
| US6046758A (en) * | 1998-03-10 | 2000-04-04 | Diamonex, Incorporated | Highly wear-resistant thermal print heads with silicon-doped diamond-like carbon protective coatings |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112218896B (zh) | 2018-06-06 | 2023-02-17 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 活性能量射线固化性树脂组合物、阻气性薄膜及层叠体 |
-
1981
- 1981-09-07 JP JP56140654A patent/JPS5842473A/ja active Granted
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6241476B2 (ja) | 1987-09-03 |
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