JPS584180A - アクテイブマトリクス基板 - Google Patents
アクテイブマトリクス基板Info
- Publication number
- JPS584180A JPS584180A JP56102984A JP10298481A JPS584180A JP S584180 A JPS584180 A JP S584180A JP 56102984 A JP56102984 A JP 56102984A JP 10298481 A JP10298481 A JP 10298481A JP S584180 A JPS584180 A JP S584180A
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- JP
- Japan
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- substrate
- peripheral drive
- active matrix
- polycrystalline silicon
- matrix substrate
- Prior art date
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本−明ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、ある論は石英
等の透明基板上に少なくとも多結晶シリクｙある＾はア
モルファスシリコンを主構底部材としてなるアタテイプ
マト讐Ｉ翼１ｉ＠Ｋｍｆ為ものであ為。
等の透明基板上に少なくとも多結晶シリクｙある＾はア
モルファスシリコンを主構底部材としてなるアタテイプ
マト讐Ｉ翼１ｉ＠Ｋｍｆ為ものであ為。
近年平板ｗｉｇ晶ディスプレーは腕時計、電卓・玩具を
始めとして自動車、計測器、情報機器熾末へと応用分野
が拡太さｎつつあｏｌ特に最近においては半導体集積胞
路技術によりてａ（基板上へスイッチング用シランジス
Ｉ−路をマトリクス状に浴底しこの−（基板と透明ガラ
ス板間に液晶を封入しにテレビｉｉｉ＊表示用の液晶デ
ィスプレーパネルが開発されてい為。
始めとして自動車、計測器、情報機器熾末へと応用分野
が拡太さｎつつあｏｌ特に最近においては半導体集積胞
路技術によりてａ（基板上へスイッチング用シランジス
Ｉ−路をマトリクス状に浴底しこの−（基板と透明ガラ
ス板間に液晶を封入しにテレビｉｉｉ＊表示用の液晶デ
ィスプレーパネルが開発されてい為。
アタティプマトリクス１式で液晶パネルを構成した例で
は前記単結晶ｇ（基板を用ＩＡたものやガラス基板上に
薄１ｌｌ）ランジスＪｌ形属したもの及びバリスタ基［
を用いたものなどが既に程合されて＾るが中ても大息パ
ネル化ならびＫＷスジ画から前記ガラス基板上に薄部ト
ランジスＩを浴底してな為アタテイプマトリタス基板は
将来有望准方式と考えられてＷｓ Ｊｌ 。
は前記単結晶ｇ（基板を用ＩＡたものやガラス基板上に
薄１ｌｌ）ランジスＪｌ形属したもの及びバリスタ基［
を用いたものなどが既に程合されて＾るが中ても大息パ
ネル化ならびＫＷスジ画から前記ガラス基板上に薄部ト
ランジスＩを浴底してな為アタテイプマトリタス基板は
将来有望准方式と考えられてＷｓ Ｊｌ 。
従来ガラス基板上に多結晶シｗコｙ等を堆積して浴底さ
れ為薄膜トランジスタは基板に贈すｈｌＩ＆１１１約か
ら低温プ■セスを用すざるを得な−ことは周知の過−て
あゐ、しかし前記薄膜トランジスタを用いてのアクティ
ブマ謝りクス基板の場合アタテイプマトリタスー路はと
もかくとして周辺駆動回ＩＩは高周波動作を要求される
ため少なくともＡ励ｆは単結晶シリコンに近いものでな
くてはならない、その究め周辺駆動−路は単結晶シリコ
ン基板上に形層しアクティブマトリクス基板にいわゆる
外すけすることが一般的である。
れ為薄膜トランジスタは基板に贈すｈｌＩ＆１１１約か
ら低温プ■セスを用すざるを得な−ことは周知の過−て
あゐ、しかし前記薄膜トランジスタを用いてのアクティ
ブマ謝りクス基板の場合アタテイプマトリタスー路はと
もかくとして周辺駆動回ＩＩは高周波動作を要求される
ため少なくともＡ励ｆは単結晶シリコンに近いものでな
くてはならない、その究め周辺駆動−路は単結晶シリコ
ン基板上に形層しアクティブマトリクス基板にいわゆる
外すけすることが一般的である。
しかし従来の１組方式では周辺駆動回路基板の製造費は
勿論のことアタテイプマ知りクス基板への外ずけ費用を
富め為と轟然の事ながら大巾なコストアップに結がゐこ
とは云うまでもない。
勿論のことアタテイプマ知りクス基板への外ずけ費用を
富め為と轟然の事ながら大巾なコストアップに結がゐこ
とは云うまでもない。
又基板材として石英基板の工うに耐熱性を有する材料を
用＾てアクティブマトリクス基板を形底した場合は１０
０ＯＣ以上の高温７ｗセスも可能と１ｋｈ究め周辺駆動
回路を内蔵したアクティブマトリクス基板の製造は可能
となる。
用＾てアクティブマトリクス基板を形底した場合は１０
０ＯＣ以上の高温７ｗセスも可能と１ｋｈ究め周辺駆動
回路を内蔵したアクティブマトリクス基板の製造は可能
となる。
しかしこ＼で一つ間−となるのは元リークについてであ
る。
る。
本来平板液晶ディスプレーは携帯用かつ野外用としての
利用価値が大きく轟然の事ながら太陽光の下での使用ｓ
ｆが多くなる。
利用価値が大きく轟然の事ながら太陽光の下での使用ｓ
ｆが多くなる。
アタテイプマ）リタスｘＣ基ＩＩｉは直接太陽光が表示
画を隔射す為ためＸＣ７ｇｇ内にも党が入射する。
画を隔射す為ためＸＣ７ｇｇ内にも党が入射する。
ＸＣ基板内への入射光は電子と正孔を発生させ基板内に
拡散しＰ−Ｎ接合ＩＳＫ到達す為とｙ−１１１１合部に
電流が流れてしまう、すなわちとの光起電力効果はトラ
ンジスタのソー翼ドレインの！−夏接接合部リータ現象
を引自起ζし正し％ＡＷｉｆｌ１ｍ示が得られなく１０
画像がちらつ論究１消えたすする。このため繭記覚り−
タ現象を押さえるための一手段としては基板の晶ＩＩＫ
を小さくしり−タ電流の低減を計為ことであ＊、 ＊述
の如くアタテイプマトリタス寵路にお−ではそれかあ！
Ｉｉ［可能であるからである・ しかしながら劇紀扉温プロセスは石英基板上の多結晶シ
リ：１ｙ全体を結晶化させ為ことＫｔｊ轟然移導匿が高
（′＆り覚す−タが増加し好ましい構造 ゛とはい
えなｉ。
拡散しＰ−Ｎ接合ＩＳＫ到達す為とｙ−１１１１合部に
電流が流れてしまう、すなわちとの光起電力効果はトラ
ンジスタのソー翼ドレインの！−夏接接合部リータ現象
を引自起ζし正し％ＡＷｉｆｌ１ｍ示が得られなく１０
画像がちらつ論究１消えたすする。このため繭記覚り−
タ現象を押さえるための一手段としては基板の晶ＩＩＫ
を小さくしり−タ電流の低減を計為ことであ＊、 ＊述
の如くアタテイプマトリタス寵路にお−ではそれかあ！
Ｉｉ［可能であるからである・ しかしながら劇紀扉温プロセスは石英基板上の多結晶シ
リ：１ｙ全体を結晶化させ為ことＫｔｊ轟然移導匿が高
（′＆り覚す−タが増加し好ましい構造 ゛とはい
えなｉ。
又、近来ｉｊ周知の如くレーザー光あゐｖｈは１１（エ
レクトロンビーム）を用りて無足形ある論は多結晶のシ
リコン面に照射することに工す結晶化をはかう＊０％あ
るいはイオン照射時のダメージを消去すゐ技術が開発さ
れてきてｂる。
レクトロンビーム）を用りて無足形ある論は多結晶のシ
リコン面に照射することに工す結晶化をはかう＊０％あ
るいはイオン照射時のダメージを消去すゐ技術が開発さ
れてきてｂる。
中でもレーザー加熱に１ｒｃｖ了ルゴ−ｌレーず−。
ＣＶクリ１トンレーザー、パルスＹＡＧレーザ−、ＣＷ
励起ＹＡＧレーザーなど種々の方式があり出力、エネル
ギーあゐいはスポット径をはじめとして生産性安定性に
いたるまで構造上、動作上。
励起ＹＡＧレーザーなど種々の方式があり出力、エネル
ギーあゐいはスポット径をはじめとして生産性安定性に
いたるまで構造上、動作上。
の本質的な違＾を有しており目的による選択も重畳な１
！累と１に為。
！累と１に為。
このレーザ党を利用してのレーザーアニール技術を用ｉ
れば１例えばガラス基板上に周辺層ｌＥ１［ｇ回路を内
蔵したアタティプｉトリクス基ＷＬにレーザー７二−ル
し全体に移導度を高めることは可能となる。シかしレー
ザーアニール効果はスポット径と照射時間ＫＩＤスルー
プットが決足されるため基職全体にレーザ了ニール加工
を行なうと例えば１−闘轟９の生産性は基板数枚程寂と
少量でＴｏプ効率のきわめて悪い工程とｔｉりてしまう
。
れば１例えばガラス基板上に周辺層ｌＥ１［ｇ回路を内
蔵したアタティプｉトリクス基ＷＬにレーザー７二−ル
し全体に移導度を高めることは可能となる。シかしレー
ザーアニール効果はスポット径と照射時間ＫＩＤスルー
プットが決足されるため基職全体にレーザ了ニール加工
を行なうと例えば１−闘轟９の生産性は基板数枚程寂と
少量でＴｏプ効率のきわめて悪い工程とｔｉりてしまう
。
以上述べた如く党す−タに強くしかも低価格アクティブ
マトリクス基板を製造すＡＫ！ｉりては従来方式におけ
る種々の欠点を改善する必要がある。
マトリクス基板を製造すＡＫ！ｉりては従来方式におけ
る種々の欠点を改善する必要がある。
本発明は従来の欠点を除去せしめ為ものであ争すなわち
ガラス等の透明基板上に多結晶シリコンあるいはア毫ル
７アスシ讐コｙを主構蹴部材とするアタティプｉトリタ
スｌＩ絡を形成し、しかも−一基板上に諌記アタテイプ
マト讐ｌｘ＠路ｔｍみ込む形で周辺駆動回路を配置し、
該周辺駆鋤−−儀城のみをレーダーアニール加工等を行
な論トランジスターの１−［を高めるというものでＴｏ
為。
ガラス等の透明基板上に多結晶シリコンあるいはア毫ル
７アスシ讐コｙを主構蹴部材とするアタティプｉトリタ
スｌＩ絡を形成し、しかも−一基板上に諌記アタテイプ
マト讐ｌｘ＠路ｔｍみ込む形で周辺駆動回路を配置し、
該周辺駆鋤−−儀城のみをレーダーアニール加工等を行
な論トランジスターの１−［を高めるというものでＴｏ
為。
すなわち前述の如く周辺駆動ａｓｉの内蔵化をはじめと
し、ＪＩ動装を高める１！ＩＩとしてレーず一アニール
を基板屑辺部の駆動ａ路の与Ｋ１１ｌｌ射す為究めスル
ープットを同上し、しか亀内部６７７テイプマトｖタス
ー路の異装置を小さくシ１１Ｌ究め覚り−タ防止の向上
も計れると−う特徴を備えたものである。
し、ＪＩ動装を高める１！ＩＩとしてレーず一アニール
を基板屑辺部の駆動ａ路の与Ｋ１１ｌｌ射す為究めスル
ープットを同上し、しか亀内部６７７テイプマトｖタス
ー路の異装置を小さくシ１１Ｌ究め覚り−タ防止の向上
も計れると−う特徴を備えたものである。
次に本発明をＴ１にし為す実霧例にもとすいて靜ａＫ説
明す為。
明す為。
実施例（１）
１１１１図は本尭明によるアクティブマトリクス基板で
ありホウケイ酸ガラス基板ｌ上にアクティブｖ ） Ｑ
クスー路２を中心部に周辺駆動回路３を外周Ｓに配置し
たものである。
ありホウケイ酸ガラス基板ｌ上にアクティブｖ ） Ｑ
クスー路２を中心部に周辺駆動回路３を外周Ｓに配置し
たものである。
１１１１１１ｇ１〜＋６１ ｉｊ本発明のアクティブマ
トリクス基板の製造過程をｅｌ頃するための基板断面図
てあ轟、先ず５１１図ｍｌの如（ホウケイ酸ガラス基板
ｌ上に６２５℃の減圧写囲気中にて５ｏｏｏＺｅ厘ｌの
多結晶シリコン１１４を形放後該多結晶シリコンＩＥ４
をホトエツチングし部分的に開孔せしめる。
トリクス基板の製造過程をｅｌ頃するための基板断面図
てあ轟、先ず５１１図ｍｌの如（ホウケイ酸ガラス基板
ｌ上に６２５℃の減圧写囲気中にて５ｏｏｏＺｅ厘ｌの
多結晶シリコン１１４を形放後該多結晶シリコンＩＥ４
をホトエツチングし部分的に開孔せしめる。
次に基板上の周辺部すなわちＩＩＩ図の周辺駆動回路１
の領域内のみＩＮ！ＩＩｃＩ（ａ）の如（ＣＶ励起！ム
Ｇレーザーを光源としたビーム径２００ｓＢ、線速ｆ
５０ ｔｓ ／ ８ ａ ａでビームを左右の方向にス
キアンさせ１ｋから、しかも１〜４の順序にてレーずア
ニール加工を行なった１次＃Ｃ厘２図１４１の如くに全
面にＣＶＤ−ＩＩ ｉ Ｏｓ ＷｉＢｔ２０００ Ｘｊ
ｌｋ槓Ｌりｅち前記ａｌｌの多結晶シリコｙ＃１１と同
−浴底方法で纂２の多結晶シリコンＨ６を形鷹したのち
、多結晶シリコンｌ［＠のソースビレ４１部の開孔ヲホ
トエッチングにて行なう。
の領域内のみＩＮ！ＩＩｃＩ（ａ）の如（ＣＶ励起！ム
Ｇレーザーを光源としたビーム径２００ｓＢ、線速ｆ
５０ ｔｓ ／ ８ ａ ａでビームを左右の方向にス
キアンさせ１ｋから、しかも１〜４の順序にてレーずア
ニール加工を行なった１次＃Ｃ厘２図１４１の如くに全
面にＣＶＤ−ＩＩ ｉ Ｏｓ ＷｉＢｔ２０００ Ｘｊ
ｌｋ槓Ｌりｅち前記ａｌｌの多結晶シリコｙ＃１１と同
−浴底方法で纂２の多結晶シリコンＨ６を形鷹したのち
、多結晶シリコンｌ［＠のソースビレ４１部の開孔ヲホ
トエッチングにて行なう。
次に基板主面上Ｋ Ｉ Ｘ １０”ｌａｍ■のリンイオ
ンを照射１、ｓｓｏ℃１ｍのフォー＄ｙダガス中にてア
ニールを行なり拡散層を形成す為１次に箇８図（ｅｌの
如（ｃｖｎ−ｓ（０＝ｌ［７を形ＩＩ Ｌ ｔ ｌｌ：
Ｉ ｙタタトホールを開孔し引つづき電ｌＩ８の形成を
行なｉアクティブマトリクス基板の影厘を終了する１本
笑細例にもチｖｈたアタティプマシＶ＃ス６１１のｒ−
ト及びデータ線のライ／Ｊｌは谷に８００本であ０本基
板を用−てデーター纏は約Ｉ ＭＨｚ ｅスゲ−か線も
２５ Ｋｌｇでの動作がｉｉｓ＊され筺晶褒示ディスプ
レーとして充分な性能を有すふことが＊＊されて＾ｂ、
又レーザーアニール加工の効果としてアニールのスルー
１ツトは従来に較べて数倍以上の向上をみせてお９さら
に１鋤［はアＩテイプマ）Ｖタス回路中では約１０ ａ
ｔ ／マー１− てあ夛周辺駆動−路部では約１１００
ａ／マー１＃＃が得られて＾る。
ンを照射１、ｓｓｏ℃１ｍのフォー＄ｙダガス中にてア
ニールを行なり拡散層を形成す為１次に箇８図（ｅｌの
如（ｃｖｎ−ｓ（０＝ｌ［７を形ＩＩ Ｌ ｔ ｌｌ：
Ｉ ｙタタトホールを開孔し引つづき電ｌＩ８の形成を
行なｉアクティブマトリクス基板の影厘を終了する１本
笑細例にもチｖｈたアタティプマシＶ＃ス６１１のｒ−
ト及びデータ線のライ／Ｊｌは谷に８００本であ０本基
板を用−てデーター纏は約Ｉ ＭＨｚ ｅスゲ−か線も
２５ Ｋｌｇでの動作がｉｉｓ＊され筺晶褒示ディスプ
レーとして充分な性能を有すふことが＊＊されて＾ｂ、
又レーザーアニール加工の効果としてアニールのスルー
１ツトは従来に較べて数倍以上の向上をみせてお９さら
に１鋤［はアＩテイプマ）Ｖタス回路中では約１０ ａ
ｔ ／マー１− てあ夛周辺駆動−路部では約１１００
ａ／マー１＃＃が得られて＾る。
実施例（り
実施例（１１と同機＃Ｃ謳ｌの多結晶シリコン属を形成
後ホトエツチングにで部分的な開孔を行なつた後篇ｌＩ
Ｑ１６ｍの如く実施例（１１と同一条件にて周辺駆動回
路の（１）と（３１の領域をレーザーアニール加工した
のち周辺部１１Ｉ回路の（２）と１４）を１１）及び１
３）に較べて低出力の約ＩＪ１５＋１”のエネルギーＷ
ｉｆ”ｅ照射した。すなわち周辺駆動（２）路のＣりと
（４）の領域はゲート線駆動用であり（１１及び（釦の
デ÷ター綴用に較べて低周波動作が可能なため周辺駆動
回路全体を同一エネルギーＷＩ［で照射する必要性は１
ｋ＜本実施例の結果でもゲート線を動作させるために充
分な島装置を得為ことが確認されしかも基板外周部の８
辺は低エネルギーｖｔｉｗｖｓ射のためスループットは
実施例１１）に較べてさらに同上している。
後ホトエツチングにで部分的な開孔を行なつた後篇ｌＩ
Ｑ１６ｍの如く実施例（１１と同一条件にて周辺駆動回
路の（１）と（３１の領域をレーザーアニール加工した
のち周辺部１１Ｉ回路の（２）と１４）を１１）及び１
３）に較べて低出力の約ＩＪ１５＋１”のエネルギーＷ
ｉｆ”ｅ照射した。すなわち周辺駆動（２）路のＣりと
（４）の領域はゲート線駆動用であり（１１及び（釦の
デ÷ター綴用に較べて低周波動作が可能なため周辺駆動
回路全体を同一エネルギーＷＩ［で照射する必要性は１
ｋ＜本実施例の結果でもゲート線を動作させるために充
分な島装置を得為ことが確認されしかも基板外周部の８
辺は低エネルギーｖｔｉｗｖｓ射のためスループットは
実施例１１）に較べてさらに同上している。
実施９１１１３１
ＦＵＬｆＩＬＬＳと同様に第１の多結晶シリコン属を形
成後ホトエツチングにて部分的な開孔を行ｉｔつた後１
１８ ＷＪｉａｌの如〈実施例（１）と同一条件にて周
辺駆動回路の（１１と＋ｍ領域すなわちデーター綴駆動
−路領域のみをレーザーアニールすす。
成後ホトエツチングにて部分的な開孔を行ｉｔつた後１
１８ ＷＪｉａｌの如〈実施例（１）と同一条件にて周
辺駆動回路の（１１と＋ｍ領域すなわちデーター綴駆動
−路領域のみをレーザーアニールすす。
すなわち実施例１１＃Ｃて説明の如（特にゲーＦ−のラ
イン数の少ないアタティプマト讐Ｉス基板については本
方式でも充分対応が叡れスルー１ツ）の大巾な向上がの
ぞめる。
イン数の少ないアタティプマト讐Ｉス基板については本
方式でも充分対応が叡れスルー１ツ）の大巾な向上がの
ぞめる。
実施例（４ｍ
実施例（１１と同様Ｋ１１ｌの多結晶シｌｓｙ膜を浴底
後ホ奈エツチングにて部分的１ｋｌｌ孔を行なった後第
３＠Ｃ−の如く基板の周辺駆動−語領域へのレーザーア
ニール照射を先ず（１１の領域にビームを矢印の如（左
右に真中ヤｙ１せて行１にい、つづいて基板を中心に対
して９０°ｍ１転しく自）の領域を（１）と同一方式に
て照射しりづ＾て岡じ方式にて基１［會■転させて（ｍ
（４）の領域を課射す為、この：＊＊では実施例１１）
Ｋ較ペビームのス命ヤｙ数が大巾に減少出来ゐため実施
例（ＩＩ Ｋ較べてＸループツシが向上出来る利点を有
す石。
後ホ奈エツチングにて部分的１ｋｌｌ孔を行なった後第
３＠Ｃ−の如く基板の周辺駆動−語領域へのレーザーア
ニール照射を先ず（１１の領域にビームを矢印の如（左
右に真中ヤｙ１せて行１にい、つづいて基板を中心に対
して９０°ｍ１転しく自）の領域を（１）と同一方式に
て照射しりづ＾て岡じ方式にて基１［會■転させて（ｍ
（４）の領域を課射す為、この：＊＊では実施例１１）
Ｋ較ペビームのス命ヤｙ数が大巾に減少出来ゐため実施
例（ＩＩ Ｋ較べてＸループツシが向上出来る利点を有
す石。
以上実施例（１１〜（４） Ｋて説明し究如く１本俺−
は平１［＃［晶ディスプレイ等に周動もれるアタティプ
ｉトリタス基ＩｉＫおｉで、ガラス基板上（アタティプ
マト曹タス回路と周辺駆動回路をワｙチツ１化す為と同
時にレーザアニール技術を利用し駆動−路のみにレーザ
ーアニール照射を行ないアタティプマトリクスー路に耐
覚り−ク対策をはどこしたものであり、低コストでしか
も光り−タに強いアタテイプマシリｔス基板の提供を可
能和したものである。
は平１［＃［晶ディスプレイ等に周動もれるアタティプ
ｉトリタス基ＩｉＫおｉで、ガラス基板上（アタティプ
マト曹タス回路と周辺駆動回路をワｙチツ１化す為と同
時にレーザアニール技術を利用し駆動−路のみにレーザ
ーアニール照射を行ないアタティプマトリクスー路に耐
覚り−ク対策をはどこしたものであり、低コストでしか
も光り−タに強いアタテイプマシリｔス基板の提供を可
能和したものである。
なお実施例において透明基板としてホロケン酸ガラスを
用＾ているが伽にソーダガラスあるいは石英＊＊の透明
基板でも良（、さらにトランジスターＡ１１ｌｌｒを基
的９１段としてレーザーアニールの他［３１１等につい
ても効果は確認されてお９．これらの照射条件Ｋ”：）
Ｖｈても目的に応じて自由に選択可能でありなんら本発
明の目的から逸脱するものではない。
用＾ているが伽にソーダガラスあるいは石英＊＊の透明
基板でも良（、さらにトランジスターＡ１１ｌｌｒを基
的９１段としてレーザーアニールの他［３１１等につい
ても効果は確認されてお９．これらの照射条件Ｋ”：）
Ｖｈても目的に応じて自由に選択可能でありなんら本発
明の目的から逸脱するものではない。
１１１１図は本発明に１ゐアクティブマトリクス基ＩＦ
Ｋお打ゐ回路配置図 １１３１１ｍ１〜（６）は本発明和おけるアクティブマ
ド層タス基歇の製造過糧を示す基橡断面図第３−一１〜
−１は本−明にお行為アタテイプマトリＩス基板上の周
辺駆動−酪領械へのレーザーアニール照射方法を示す平
面図 １、・・ガラス基板 Ｑ ＠ ６１１アクテイブマトリタスｌｌｌ路３・・・
周辺駆動胞酪 ４・・・多結晶シリコン展 ５ ＠ ＠ ＠ ＣＶ トＩ（’ｓ ｌｌ６ＩＩ・・多
結晶シリコｙｌＩ ７ ＠ ａ ｅ （７Ｄ −８ｊＯ１膜８ｅ
・・電極 以 上 出願人 株式会社Ｉｌｌ＃精工舎 代１人 弁■出量 上 海 第１図 第２図 （Ａ） 第３図
Ｋお打ゐ回路配置図 １１３１１ｍ１〜（６）は本発明和おけるアクティブマ
ド層タス基歇の製造過糧を示す基橡断面図第３−一１〜
−１は本−明にお行為アタテイプマトリＩス基板上の周
辺駆動−酪領械へのレーザーアニール照射方法を示す平
面図 １、・・ガラス基板 Ｑ ＠ ６１１アクテイブマトリタスｌｌｌ路３・・・
周辺駆動胞酪 ４・・・多結晶シリコン展 ５ ＠ ＠ ＠ ＣＶ トＩ（’ｓ ｌｌ６ＩＩ・・多
結晶シリコｙｌＩ ７ ＠ ａ ｅ （７Ｄ −８ｊＯ１膜８ｅ
・・電極 以 上 出願人 株式会社Ｉｌｌ＃精工舎 代１人 弁■出量 上 海 第１図 第２図 （Ａ） 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 データ線とゲート線のマトリ久スからなり、ｌｌｒ記デ
ータ線とダート線を駆動するために各々シフトレジスタ
ー＾と含む周辺駆動−路が内蔵さｔＬ。 しかも前記周辺駆動ｌ１ｌｌＩはマトリクス回路を囲う
基板周辺ＩＩＫ配置されたアクティブマシリタスＩＣａ
ｉ［Ｋお＾て１紀周辺駆動回路と構放す為すべてのトラ
ンジスタ、ある＾はその中の１部が、マトリクス−路に
較べて、異動ｌの高いトランジスターて溝底されている
ことを特徴とするアクティブｉトリクス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102984A JPS584180A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | アクテイブマトリクス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102984A JPS584180A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | アクテイブマトリクス基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584180A true JPS584180A (ja) | 1983-01-11 |
| JPH0261032B2 JPH0261032B2 (ja) | 1990-12-18 |
Family
ID=14341976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56102984A Granted JPS584180A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | アクテイブマトリクス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584180A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS609286A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-18 | Seiko Epson Corp | 液晶表示によるビデオモニタ |
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