JPS5837488B2 - ソツコウソウチ - Google Patents
ソツコウソウチInfo
- Publication number
- JPS5837488B2 JPS5837488B2 JP9452275A JP9452275A JPS5837488B2 JP S5837488 B2 JPS5837488 B2 JP S5837488B2 JP 9452275 A JP9452275 A JP 9452275A JP 9452275 A JP9452275 A JP 9452275A JP S5837488 B2 JPS5837488 B2 JP S5837488B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photocurrent
- current limiting
- current
- common
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は被写界の最大輝度、最低輝度を測定する測光装
置に関する。
置に関する。
カメラ撮影においては被写界の最大輝度或は最低輝度の
部分に合せて露出量を設定し撮影をした（・場合があり
、従来は中央重点測光方式の露出計を用も・、その視点
を最大輝度或は最低輝度の部分に向けて測光を行い、そ
れに基いて露出量を設定し、その後カメラを本来の被写
体に向けると云う繁雑な操作を行わねばならなかった。
部分に合せて露出量を設定し撮影をした（・場合があり
、従来は中央重点測光方式の露出計を用も・、その視点
を最大輝度或は最低輝度の部分に向けて測光を行い、そ
れに基いて露出量を設定し、その後カメラを本来の被写
体に向けると云う繁雑な操作を行わねばならなかった。
本発明は測光装置をその方に向けなくても、被写界の不
特定の位置にある最大或は最低の輝度の部分を検知し測
光できる測光装置を提供し、撮影をする者が測光操作に
わずらわされることなく自分の作画意図の実現にのみ専
念できるようにしようとするものである。
特定の位置にある最大或は最低の輝度の部分を検知し測
光できる測光装置を提供し、撮影をする者が測光操作に
わずらわされることなく自分の作画意図の実現にのみ専
念できるようにしようとするものである。
本発明は画面に複数個の光電流素子を配夕１ル、各光電
流素子に電流制限素子を直列接続し、これらの電流制限
素子の電流を共通の制御信号で制御するようにして、そ
の制御信号として、上記光電流素子と電流制限素子との
各接続点の電位から最低或は最高のものを検出するゲー
ト回路を最低輝度の検知或は最高輝度の検知に応じて切
換えて用いこれを通して得られる信号を用い、かつこの
ゲート回路の出力電圧を以って測光値とした測光装置で
ある。
流素子に電流制限素子を直列接続し、これらの電流制限
素子の電流を共通の制御信号で制御するようにして、そ
の制御信号として、上記光電流素子と電流制限素子との
各接続点の電位から最低或は最高のものを検出するゲー
ト回路を最低輝度の検知或は最高輝度の検知に応じて切
換えて用いこれを通して得られる信号を用い、かつこの
ゲート回路の出力電圧を以って測光値とした測光装置で
ある。
こ工で光電流素子と云うのは入射光によって電流が変化
する素子で、ホトダイオード、ホトトランジスタ等が適
している。
する素子で、ホトダイオード、ホトトランジスタ等が適
している。
また電流制限素子は抵抗であるが、電流制御が可能なも
のであり、トランジスタが実用的である。
のであり、トランジスタが実用的である。
また最大値、最小値を取出すゲート回路としては、ダイ
オードを用いたオア回路があるが、本発明においては光
電流素子と電流制限素子との接続点の電圧のうち最高、
最低を検出するので、ゲートの方に多量の電流が流れる
とそのことによって最高、最低の電位の部分の電位が他
の部分と平均化され感度が低下するので、格別な工夫が
なされている。
オードを用いたオア回路があるが、本発明においては光
電流素子と電流制限素子との接続点の電圧のうち最高、
最低を検出するので、ゲートの方に多量の電流が流れる
とそのことによって最高、最低の電位の部分の電位が他
の部分と平均化され感度が低下するので、格別な工夫が
なされている。
以下実施例によって本発明を説明する。
第１図でＰ１〜Ｐ４は光電流素子としてのホトダイオー
ドで第３図に示すように画面■３に配列されている。
ドで第３図に示すように画面■３に配列されている。
第１図では４個しか示してないが実際はもつと多数であ
る。
る。
画面■３は第２図に示すようにカメラのファインダーに
おいて、撮影レンズＬ１を通し、ミラーＭによって反射
されてペンタプリズムＰＰＯ下の結像面■２に形成され
た像をレンズＬ２で更に縮少して結像させたものである
。
おいて、撮影レンズＬ１を通し、ミラーＭによって反射
されてペンタプリズムＰＰＯ下の結像面■２に形成され
た像をレンズＬ２で更に縮少して結像させたものである
。
ホトダイオードＰ１〜Ｐ４には夫々電流制限素子とし’
Ｃ（７）｝ランジスタＴＯ１〜ＴＯ４が直列に接続して
ある。
Ｃ（７）｝ランジスタＴＯ１〜ＴＯ４が直列に接続して
ある。
ＴＯＩ〜ＴＯ４はエミソタが共通にスイッチＳ３を通し
て電源Ｅの負極に接続してあり、ベースが共通に接続さ
れて本発明の切換スイッチとしてのスイッチＳ２により
接点ａ側或はｂ側に接続されるようになっている。
て電源Ｅの負極に接続してあり、ベースが共通に接続さ
れて本発明の切換スイッチとしてのスイッチＳ２により
接点ａ側或はｂ側に接続されるようになっている。
これらのベースの共通ラインに測光出力端子ＯＵＴが設
けてある。
けてある。
スイッチｓｉ，ｓ２，ｓ３は最大輝度、最低輝度、平均
輝度の三種測光をするための切換スイッチである。
輝度の三種測光をするための切換スイッチである。
まず最大輝度測定の場合について回路の説明をする。
この場合スイッチ８１オン、スイッチＳ２，Ｓ３は接点
ａ側に倒す。
ａ側に倒す。
即ち第１図の状態にする。今ホトダイオードＰ２の位置
が最大輝度の位置とする。
が最大輝度の位置とする。
Ｐ２の光電流が最大で、その電流はそのままトランジス
タＴＯ２を流れようとする。
タＴＯ２を流れようとする。
そのためホトダイオードＰ１〜Ｐ４とトランジスタＴＯ
Ｉ〜ＴＯ４との接続点にベースが接続されているトラン
ジスタＴ１１〜Ｔ１４のうちＴ１２０ベース電位が最も
高くなり、Ｔ１１〜Ｔ１４の共通エミツタはＴ１２のペ
ースエミツタ間電圧分だけＴ１２０ベースより低い電圧
になるが、他のＴ１１，Ｔ１３，Ｔ１４のベース電位は
これより低いから、結局Ｔ１１〜Ｔ１４の共通エミツタ
の電圧は最大輝度の部分にあるホトダイオードの光電流
に支配されて定まる。
Ｉ〜ＴＯ４との接続点にベースが接続されているトラン
ジスタＴ１１〜Ｔ１４のうちＴ１２０ベース電位が最も
高くなり、Ｔ１１〜Ｔ１４の共通エミツタはＴ１２のペ
ースエミツタ間電圧分だけＴ１２０ベースより低い電圧
になるが、他のＴ１１，Ｔ１３，Ｔ１４のベース電位は
これより低いから、結局Ｔ１１〜Ｔ１４の共通エミツタ
の電圧は最大輝度の部分にあるホトダイオードの光電流
に支配されて定まる。
この電圧はスイッチＳ２の接点３を介してトランジスタ
ＴＯ１〜ＴＯ４の共通ベースに印加されＴＯＩ〜ＴＯ４
の電流を制御し、ＴＯ２の電流がホトダイオードＰ２の
光電流と等しくなる。
ＴＯ１〜ＴＯ４の共通ベースに印加されＴＯＩ〜ＴＯ４
の電流を制御し、ＴＯ２の電流がホトダイオードＰ２の
光電流と等しくなる。
このような結果に到達するので、ＴＯ１〜ＴＯ４の共通
ヘースと共通エミツタ間の電圧はトランジスタＴＯ２に
Ｐ２の光電流を流したときのＴＯ２のペースエミツタ間
電圧でこれはＰ２の光電的出力をトランジスタのペース
エミツタ間特性によって対数変換したものであり、これ
が出力端子ＯＵＴに出力される。
ヘースと共通エミツタ間の電圧はトランジスタＴＯ２に
Ｐ２の光電流を流したときのＴＯ２のペースエミツタ間
電圧でこれはＰ２の光電的出力をトランジスタのペース
エミツタ間特性によって対数変換したものであり、これ
が出力端子ＯＵＴに出力される。
この場合トランジスタＴＯＩ〜ＴＯ４はベースが共通な
ので全て同じコレクタ電流が流れねばならぬが、Ｐ２以
外はそれだけの電流を流すことができず、不足分はダイ
オードＤ１１等を介し、トランジスタＴ １ ｔＴ２を
経て電源Ｅから供給される。
ので全て同じコレクタ電流が流れねばならぬが、Ｐ２以
外はそれだけの電流を流すことができず、不足分はダイ
オードＤ１１等を介し、トランジスタＴ １ ｔＴ２を
経て電源Ｅから供給される。
次に最低輝度を測定する場合について説明する。
このときはスイッチＳ２を接点ｂ側に切換える。
他のスイッチは図のまムである。
Ｓ２を接点ｂ側にするとトランジスタＴ１１〜Ｔ１４の
エミッタが回路から浮くので、これらは回路から除外さ
れたことになる。
エミッタが回路から浮くので、これらは回路から除外さ
れたことになる。
今度はＰ２が最低輝度の位置にあるとする。
Ｐ２の光電流が一番少いのでＰ１〜Ｐ４のアノードのう
ちＰ２のアノードが一番低電位となり、Ｐ１〜Ｐ４とＴ
ＯＩ〜ＴＯ４の各接続点に接続されたダイオードＤＩｌ
〜Ｄ１４のうちＤ１２のみが導通し他は逆方向にバイア
スされる。
ちＰ２のアノードが一番低電位となり、Ｐ１〜Ｐ４とＴ
ＯＩ〜ＴＯ４の各接続点に接続されたダイオードＤＩｌ
〜Ｄ１４のうちＤ１２のみが導通し他は逆方向にバイア
スされる。
そのためＤ１１〜Ｄ１４の共通アノードに接続されたト
ランジスタＴ２のエミツタ電位はＴＯ２のコレクタと略
同電位になり、トランジスタＴＩ，Ｔ２、ダイオードＤ
１２、トランジスタＴＯ２と電流が流れ、Ｔ２のコレク
タ電位が低下し、Ｔ２のコレクタはＦＥＴ｝ランジスタ
Ｆのゲートに接続されているので、Ｆのソース電位が下
り、この電位がスイッチＳ２の接点ｂを通してトランジ
スタＴＯＩ〜ＴＯ４の共通ベースに与えられる。
ランジスタＴ２のエミツタ電位はＴＯ２のコレクタと略
同電位になり、トランジスタＴＩ，Ｔ２、ダイオードＤ
１２、トランジスタＴＯ２と電流が流れ、Ｔ２のコレク
タ電位が低下し、Ｔ２のコレクタはＦＥＴ｝ランジスタ
Ｆのゲートに接続されているので、Ｆのソース電位が下
り、この電位がスイッチＳ２の接点ｂを通してトランジ
スタＴＯＩ〜ＴＯ４の共通ベースに与えられる。
代にＴＯＩ〜ＴＯ４の共通ベースの電位によってＴＯ２
に流れるコレクタ電流がＰ２の光電流より少い場合、Ｐ
２のアノード電位は上昇しようとするからその上昇はＴ
２，Ｆを通してＴＯＩ〜ＴＯ４の共通ベースに伝わり、
ＴＯ２のコレクタ電流を増すように作用する。
に流れるコレクタ電流がＰ２の光電流より少い場合、Ｐ
２のアノード電位は上昇しようとするからその上昇はＴ
２，Ｆを通してＴＯＩ〜ＴＯ４の共通ベースに伝わり、
ＴＯ２のコレクタ電流を増すように作用する。
逆にＴＯＩ〜ＴＯ４の共通ベース電位が高くてＴＯ２の
コレクタ電流がＰ２の光電流より多いときはＤ１２を通
してより多くの電流がＴ２より流れて来てＴ２のコレク
タ電位が下り、この電位低下がＴＯ１〜ＴＯ４のベース
に伝わってＴＯ２のコレクタ電流を減少させるように作
用する。
コレクタ電流がＰ２の光電流より多いときはＤ１２を通
してより多くの電流がＴ２より流れて来てＴ２のコレク
タ電位が下り、この電位低下がＴＯ１〜ＴＯ４のベース
に伝わってＴＯ２のコレクタ電流を減少させるように作
用する。
従ってトランジスタＴＯ２のコレクタ電流はＰ２の光電
流と等しくなり、ＴＯＩ〜ＴＯ４の共通ベースとエミツ
タとの間の電圧は最低輝度の位置にあるＰ２の光電流を
対数変換したものとなっていて、これが出力端子ＯＵＴ
を通して出力される。
流と等しくなり、ＴＯＩ〜ＴＯ４の共通ベースとエミツ
タとの間の電圧は最低輝度の位置にあるＰ２の光電流を
対数変換したものとなっていて、これが出力端子ＯＵＴ
を通して出力される。
この間Ｐ２より明るい光を受けている他のホトダイオー
ドｐＬｐ３ｔｐ４等は光電流がトランジスタＴＯ１ ，
ＴＯ３ ，ＴＯ４等により制限されているので光起電力
を発生しており、トランジスタＴＯ１等のコレクタ電位
を電源Ｅの陽極以上に高めるように作用しており、グイ
オードＤ１１等の逆方向バイアスを深くしているだけで
、Ｐ２，ＴＯ２を流れている最低輝度に対応する電流に
は全く干渉しない。
ドｐＬｐ３ｔｐ４等は光電流がトランジスタＴＯ１ ，
ＴＯ３ ，ＴＯ４等により制限されているので光起電力
を発生しており、トランジスタＴＯ１等のコレクタ電位
を電源Ｅの陽極以上に高めるように作用しており、グイ
オードＤ１１等の逆方向バイアスを深くしているだけで
、Ｐ２，ＴＯ２を流れている最低輝度に対応する電流に
は全く干渉しない。
最後に全面平均測光の場合について説明する。
この場合はスイッチＳ１を開き、Ｓ２を接点ａ側にし、
Ｓ３を接点ｂ側にする。
Ｓ３を接点ｂ側にする。
このようにすると、トランジスタＴＯ１〜ＴＯ４はエミ
ツタが浮いてしまうので回路から外されたことになり、
トランジスタＴ１１〜Ｔ１４はコレクタが電源Ｅかも切
離されるのでベースとエミツタとでダイオードとして働
くことになり、Ｐ１〜Ｐ４の光電流はＴ１１〜Ｔ１４を
通して全てトランジスタＴＯＯに流れる。
ツタが浮いてしまうので回路から外されたことになり、
トランジスタＴ１１〜Ｔ１４はコレクタが電源Ｅかも切
離されるのでベースとエミツタとでダイオードとして働
くことになり、Ｐ１〜Ｐ４の光電流はＴ１１〜Ｔ１４を
通して全てトランジスタＴＯＯに流れる。
ＴＯＯはＰ１〜Ｐ４の光電流の総和が流れるから、その
ペースエミツタ間電圧はＰ１〜Ｐ４の全光電流の和の対
数変換となっていて、これが対数変換された平均測光出
力として出力端子ＯＵＴに出力される。
ペースエミツタ間電圧はＰ１〜Ｐ４の全光電流の和の対
数変換となっていて、これが対数変換された平均測光出
力として出力端子ＯＵＴに出力される。
ホトダイオードは第３図に示すように画電に配列される
が、各ダイオードが夫々余りに画面の微小な範囲のみの
光を受けていると却って画面構成上重要でない徴小点の
ハイライトとか微小な陰影に応答するので、これらの素
子の配列面を第２図における画像面■３より少しずらせ
て各素子が画面の或る広さの部分を受光するようにする
とよい。
が、各ダイオードが夫々余りに画面の微小な範囲のみの
光を受けていると却って画面構成上重要でない徴小点の
ハイライトとか微小な陰影に応答するので、これらの素
子の配列面を第２図における画像面■３より少しずらせ
て各素子が画面の或る広さの部分を受光するようにする
とよい。
また平均輝度の測定のために上述実施例では回路の切換
え方式を用いたが、ホトダイオードの配列面を第２図の
レンズＬ２の結像面■３から任意量だけずらせるように
してもよく、或はレンズＬ２の他に更に他のレンズを挿
入するようにしてもよい。
え方式を用いたが、ホトダイオードの配列面を第２図の
レンズＬ２の結像面■３から任意量だけずらせるように
してもよく、或はレンズＬ２の他に更に他のレンズを挿
入するようにしてもよい。
本発明は上述したような構或で、画面に配列された複数
個の光電流素子ごとに電流制限素子とトランジスタとダ
イオードからなる回路を形成七て、上記トランジスタの
共通エミツタ電圧或は上記ダイオードの共通アノード電
圧を上記電流制限素子への電流制御信号として与えるよ
うに構或することにより最低輝度或は最高輝度を検出す
るようにしたので、カメラを被写界の中心に向げたま〜
で被写界中の最大輝度或は最少輝度の部分の明るさによ
って露出を設定することができ、カメラの使用者は特殊
な測光操作にわずらわされることなく自分の作画意図に
専念できる。
個の光電流素子ごとに電流制限素子とトランジスタとダ
イオードからなる回路を形成七て、上記トランジスタの
共通エミツタ電圧或は上記ダイオードの共通アノード電
圧を上記電流制限素子への電流制御信号として与えるよ
うに構或することにより最低輝度或は最高輝度を検出す
るようにしたので、カメラを被写界の中心に向げたま〜
で被写界中の最大輝度或は最少輝度の部分の明るさによ
って露出を設定することができ、カメラの使用者は特殊
な測光操作にわずらわされることなく自分の作画意図に
専念できる。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図は同じく測
光素子のカメラ内での配置位置を示す図、第３図は画面
内での測光素子の配列の一例を示す図である。 Ｐ１〜Ｐ４：光電益素子、Ｔｏ１〜Ｔｏ４：電流制限素
子、Ｔ１１〜Ｔ１４二｝ランジスタ、ＤＩ１〜Ｄ１４：
ダイオード、Ｓ２：切換スイッチ、ＯＵＴ ：測光出力
端子。
光素子のカメラ内での配置位置を示す図、第３図は画面
内での測光素子の配列の一例を示す図である。 Ｐ１〜Ｐ４：光電益素子、Ｔｏ１〜Ｔｏ４：電流制限素
子、Ｔ１１〜Ｔ１４二｝ランジスタ、ＤＩ１〜Ｄ１４：
ダイオード、Ｓ２：切換スイッチ、ＯＵＴ ：測光出力
端子。
Claims (1)
- １ 画面に配列された複数個の光電流素子と、この各光
電流素子にそれぞれ直列接続された複数個の電流制限素
子と、上記各光電流素子と電流制限素子との接続点にそ
れぞれベースを接続されエミツタを共通に結線された複
数個のトランジスタと、同じく上記各光電流素子と電流
制限素子との接続点にそれぞれカソードを接続されアノ
ードを共通にした複数個のダイオードと、上記トランジ
スタの共通エミツタ或はダイオードの共通アノードの電
圧を上記電流制限素子へ電流制御信号として伝える切換
スイッチとよりなり、上記電流制限素子は上記電流制限
信号により最大輝度或は最低輝度に対応した光電流が流
れるように制御され、上記電流制御信号を測光出力とし
て出力するようにしたことを特徴とする測光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9452275A JPS5837488B2 (ja) | 1975-08-02 | 1975-08-02 | ソツコウソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9452275A JPS5837488B2 (ja) | 1975-08-02 | 1975-08-02 | ソツコウソウチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5218384A JPS5218384A (en) | 1977-02-10 |
| JPS5837488B2 true JPS5837488B2 (ja) | 1983-08-16 |
Family
ID=14112652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9452275A Expired JPS5837488B2 (ja) | 1975-08-02 | 1975-08-02 | ソツコウソウチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837488B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2597959B2 (ja) * | 1986-11-19 | 1997-04-09 | キヤノン株式会社 | カメラシステム，カメラ本体及び交換レンズ |
-
1975
- 1975-08-02 JP JP9452275A patent/JPS5837488B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5218384A (en) | 1977-02-10 |
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