JPS5836230Y2 - 直流↓−直流変換器のサ−ジ電圧抑制回路 - Google Patents
直流↓−直流変換器のサ−ジ電圧抑制回路Info
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- JPS5836230Y2 JPS5836230Y2 JP1978048140U JP4814078U JPS5836230Y2 JP S5836230 Y2 JPS5836230 Y2 JP S5836230Y2 JP 1978048140 U JP1978048140 U JP 1978048140U JP 4814078 U JP4814078 U JP 4814078U JP S5836230 Y2 JPS5836230 Y2 JP S5836230Y2
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- Power Conversion In General (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は直流−直流変換器の変換用スイッチ素子又は整
流用又は転流用ダイオードのサージ抑制回路に関するも
ので、サージ電圧抑制回路の低損失地小形化及び直流−
直流変換器の高効率化に関するものである。
流用又は転流用ダイオードのサージ抑制回路に関するも
ので、サージ電圧抑制回路の低損失地小形化及び直流−
直流変換器の高効率化に関するものである。
従来スイッチ素子のサージ抑制回路としては、コンテ゛
ンサと抵抗器を直列に接続した回路をスイッチ素子に並
列に接続し、サージ電圧を抑制する方法があるがその一
例を第1図に示す。
ンサと抵抗器を直列に接続した回路をスイッチ素子に並
列に接続し、サージ電圧を抑制する方法があるがその一
例を第1図に示す。
図に於いて1は負荷に電力を供給するための直流電源、
2,2′は直流出力端子、T1は変換用トランス、3,
4は前記変換用変圧器の1次巻線及び2次巻線、Qは変
換用半導体スイッチ素子でトランジスタの例を示す。
2,2′は直流出力端子、T1は変換用トランス、3,
4は前記変換用変圧器の1次巻線及び2次巻線、Qは変
換用半導体スイッチ素子でトランジスタの例を示す。
Dl、D2は整流用ダイオード及び転流用ダイオード、
Ll及びC工は出力平滑用チョークコイル及びコンデン
サ、Aは変換用トランジスタのベース駆動及び制御回路
、C2及びR1は前記変換用トランジスタのサージ電圧
抑制用コンテ゛ンサ及び抵抗器である。
Ll及びC工は出力平滑用チョークコイル及びコンデン
サ、Aは変換用トランジスタのベース駆動及び制御回路
、C2及びR1は前記変換用トランジスタのサージ電圧
抑制用コンテ゛ンサ及び抵抗器である。
第8図aは従来回路第1図の変換用トランジスタQ工の
コレクタ・エミッタ間電圧(以下voEという)VoE
の波形図例、bは従来回路第1図のコンテ゛ンサC2の
端子間電圧波形図例である。
コレクタ・エミッタ間電圧(以下voEという)VoE
の波形図例、bは従来回路第1図のコンテ゛ンサC2の
端子間電圧波形図例である。
次にこの回路の動作を説明する。
先ず第1図中負荷用直流電源1の■より変換用変圧器の
1次巻線3を介して変換用トランジスタQ1のコレクタ
・エミッタ→負荷用直流電源1のeルートで直流電圧が
印加されベース駆動制御回路によりトランジスタQ1の
ベースにスイッチ信号が与えられると変換用トランジス
タQ1はオン・オフされコレクタ・エミッタ間は第8図
aのようなりoE波形となる(■サージ電圧抑制回路な
しの場合、■はサージ電圧抑制回路性の場合である)ま
たコンデンサC2には第8図すの電圧が印加される。
1次巻線3を介して変換用トランジスタQ1のコレクタ
・エミッタ→負荷用直流電源1のeルートで直流電圧が
印加されベース駆動制御回路によりトランジスタQ1の
ベースにスイッチ信号が与えられると変換用トランジス
タQ1はオン・オフされコレクタ・エミッタ間は第8図
aのようなりoE波形となる(■サージ電圧抑制回路な
しの場合、■はサージ電圧抑制回路性の場合である)ま
たコンデンサC2には第8図すの電圧が印加される。
このとき変換用トランジスタQ1のコレクタ・エミッタ
間導通時に変換用トランスT□の1次コイルに電流が流
れ、前記T1の鉄心に励磁エネルギーが蓄積される。
間導通時に変換用トランスT□の1次コイルに電流が流
れ、前記T1の鉄心に励磁エネルギーが蓄積される。
また、トランジスタQ1がオフすると変換用変圧器T1
の1次コイル巻線3には前記蓄積エネルギーが電圧とし
てe= Ld7tとして発生しこの電圧(以下フライ
バックの電圧という)がそのままトランジスタQ1のV
cEとして印加される。
の1次コイル巻線3には前記蓄積エネルギーが電圧とし
てe= Ld7tとして発生しこの電圧(以下フライ
バックの電圧という)がそのままトランジスタQ1のV
cEとして印加される。
このサージ電圧が大きいとトランジスタのVcEの耐圧
を超えてトランジスタが破壊することがある。
を超えてトランジスタが破壊することがある。
このサージ電圧を抑制するために従来コンデンサC2及
び抵抗器R1の回路を設け、変換用トランジスタがオフ
時に発生する急俊な立上り電圧をコンデンサの充電電圧
として吸収抑制するが、その反面コンテ゛ンサと抵抗器
が直列接続されているため抵抗器の損失Wは抵抗値に無
関係に となり、該抵抗器の損失は大きく、直流−直流変換器の
全体の効率を低くする原因の一つでありまた、抵抗器の
発熱も大きく外形寸法も大きくなる。
び抵抗器R1の回路を設け、変換用トランジスタがオフ
時に発生する急俊な立上り電圧をコンデンサの充電電圧
として吸収抑制するが、その反面コンテ゛ンサと抵抗器
が直列接続されているため抵抗器の損失Wは抵抗値に無
関係に となり、該抵抗器の損失は大きく、直流−直流変換器の
全体の効率を低くする原因の一つでありまた、抵抗器の
発熱も大きく外形寸法も大きくなる。
更に立上りの早いサージ電圧の抑制に対しては直列抵抗
があるためコンデンサの時定数が長くサージ電圧を抑制
しにくい等の欠点がある。
があるためコンデンサの時定数が長くサージ電圧を抑制
しにくい等の欠点がある。
本考案はこれらの欠点を除去したものであって、その目
的はサージ抑制回路の部品の小形化と発熱量を少なくす
ることによ、す、小形、高効率の直流−直流変換器を提
供するものである。
的はサージ抑制回路の部品の小形化と発熱量を少なくす
ることによ、す、小形、高効率の直流−直流変換器を提
供するものである。
以下図面を用いて本考案を詳細に説明する。
第2図は本考案の一実施例図で、第2図において1は負
荷に電力を供給するための直流電源、2゜2′は直流出
力端子、T1は変換用変圧器、3,4は変換用変圧器の
1次巻線及び2次巻線、Qlは変換用スイッチ素子(ス
イッチ素子はサイリスタトランジスタ等いずれのもので
もよいが、本例ではトランジスタの例とした)、DI、
D2は整流用ダイオード及び転流用ダイオード、Lo及
びclは出力平滑用チョークコイル及びコンテ゛ンサ、
Aは変換用トランジスタの駆動及び制御回路、D3.
R工及びC2はサージ電圧抑制回路を構成するダイオー
ド、抵抗器及びコンデンサである。
荷に電力を供給するための直流電源、2゜2′は直流出
力端子、T1は変換用変圧器、3,4は変換用変圧器の
1次巻線及び2次巻線、Qlは変換用スイッチ素子(ス
イッチ素子はサイリスタトランジスタ等いずれのもので
もよいが、本例ではトランジスタの例とした)、DI、
D2は整流用ダイオード及び転流用ダイオード、Lo及
びclは出力平滑用チョークコイル及びコンテ゛ンサ、
Aは変換用トランジスタの駆動及び制御回路、D3.
R工及びC2はサージ電圧抑制回路を構成するダイオー
ド、抵抗器及びコンデンサである。
第2図に於いて主回路の動作は第1図の従来例と同じで
あるが、トランジスタQ1のコレクタ・エミッタ間がオ
ン動作よりオフ動作に移行すると前記変換用変圧器T1
のフライバック電圧はダイオードD3を介してコンデン
サC2に急速に充電される。
あるが、トランジスタQ1のコレクタ・エミッタ間がオ
ン動作よりオフ動作に移行すると前記変換用変圧器T1
のフライバック電圧はダイオードD3を介してコンデン
サC2に急速に充電される。
このため立上りの早いサージ電圧に対しては直列抵抗の
ある場合と比較して回路インピーダンスを低くすること
が出来、効率よくサージ電圧を抑制出来る。
ある場合と比較して回路インピーダンスを低くすること
が出来、効率よくサージ電圧を抑制出来る。
また、トランジスタ01オン時には抵抗器R1を介して
コンテ゛ンサC2の充電エネルギーは放電され以下同じ
動作となる。
コンテ゛ンサC2の充電エネルギーは放電され以下同じ
動作となる。
またこのとき、抵抗器R1に流れる電流はトランジスタ
01オン時のみとなるので、抵抗器R1の電力損失Wは
、 となり、従来の回路と比べて 分だけ少なくすることが出来る。
01オン時のみとなるので、抵抗器R1の電力損失Wは
、 となり、従来の回路と比べて 分だけ少なくすることが出来る。
試作例によるとV1=300 V、 V2=150 V
、 V3=150V時で抵抗器R1の損失は従来回路例
の場合の士となり、抵抗器の体積も約士にすることが出
来た。
、 V3=150V時で抵抗器R1の損失は従来回路例
の場合の士となり、抵抗器の体積も約士にすることが出
来た。
第3図乃至第7図は本考案の他の実施例図で、第3図は
変換用トランジスタのON、OFF制御駆動を電流変成
器CT1によって行うようにした直流直流変換器に適用
した例を示したものでありこの場合変換用トランジスタ
Q1を該変成器CT1の一次巻線n1(コレクタ巻線)
を介して変換用変圧器の一次巻線3に直列に接続し、又
、ダイオードD3を該変成器CT1の一次巻線n1を介
して抵抗器R1に並列接続することにより変換用変圧器
T1及び電流変成器CT1のサージ電圧を同時に吸収で
きる利点がある。
変換用トランジスタのON、OFF制御駆動を電流変成
器CT1によって行うようにした直流直流変換器に適用
した例を示したものでありこの場合変換用トランジスタ
Q1を該変成器CT1の一次巻線n1(コレクタ巻線)
を介して変換用変圧器の一次巻線3に直列に接続し、又
、ダイオードD3を該変成器CT1の一次巻線n1を介
して抵抗器R1に並列接続することにより変換用変圧器
T1及び電流変成器CT1のサージ電圧を同時に吸収で
きる利点がある。
(尚、図中n2は二次(ベース)巻線、n3は三次(制
御)巻線である。
御)巻線である。
)第4図、第5図は二石式又、第6図は四方式直流−直
流変換器に夫々適用した例を示したものである。
流変換器に夫々適用した例を示したものである。
以上の説明においてはサージ電圧抑制回路を変換用半導
体スイッチ素子の保護用として用いた例について説明し
たが、その化第7図に示す如く変換用変圧器T1の二次
巻線4に接続された整流用ダイオードD1又は転流用ダ
イオードD2の保護用として適用で゛きる。
体スイッチ素子の保護用として用いた例について説明し
たが、その化第7図に示す如く変換用変圧器T1の二次
巻線4に接続された整流用ダイオードD1又は転流用ダ
イオードD2の保護用として適用で゛きる。
以上の説明から明らかなように本考案によればサージ電
圧抑制回路は低損失、小形、経済的であり変換装置の高
効率化に極めて有効である等実用上の効果は大きい。
圧抑制回路は低損失、小形、経済的であり変換装置の高
効率化に極めて有効である等実用上の効果は大きい。
第1図は従来の直流−直流変換器の一実施例同第2図は
本考案の一実施例図、第3図、第4図、第5図、第6図
及び第7図は本考案の他の実施例図、第8図a、l)は
スイッチ素子に印加される電圧波形側図及びコンデンサ
端子波形図例である。 図において1は直流電源、2,2′は直流出力端子、T
□は変換用変圧器、3及び4はその一次及び二次巻線、
Ql、Q2.Q3及びQ4は変換用半導体スイッチ素子
、Dl、R2は整流用ダイオード及び転流用ダイオード
、R3はダイオードCLC2はコンデンサ、Llはチョ
ークコイル、Aは駆動及び制御回路、CT工は電流変成
器、nl、R2,R3はその一次、二次及び三次巻線、
R1は抵抗器である。
本考案の一実施例図、第3図、第4図、第5図、第6図
及び第7図は本考案の他の実施例図、第8図a、l)は
スイッチ素子に印加される電圧波形側図及びコンデンサ
端子波形図例である。 図において1は直流電源、2,2′は直流出力端子、T
□は変換用変圧器、3及び4はその一次及び二次巻線、
Ql、Q2.Q3及びQ4は変換用半導体スイッチ素子
、Dl、R2は整流用ダイオード及び転流用ダイオード
、R3はダイオードCLC2はコンデンサ、Llはチョ
ークコイル、Aは駆動及び制御回路、CT工は電流変成
器、nl、R2,R3はその一次、二次及び三次巻線、
R1は抵抗器である。
Claims (1)
- 変換用変圧器の一次巻線に直列接続された半導体スイッ
チ素子をオン・オフ制御することにより該変換用変圧器
の二次巻線に接続された整流用ダイオード、転流用ダイ
オード等を介して直流出力を給電するようにした直流−
直流変換器において前記変換用変圧器の一次巻線に電流
変成器の一次巻線を介して半導体スイッチ素子を直列接
続すると共に該半導体スイッチ素子と並列に抵抗器とコ
ンテ゛ンサの直列回路を接続し、且つ該抵抗器と並列に
該電流変成器の一次巻線を介してダイオードを接続した
ことを特徴とする直流−直流変換器のサージ電圧抑制回
路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1978048140U JPS5836230Y2 (ja) | 1978-04-12 | 1978-04-12 | 直流↓−直流変換器のサ−ジ電圧抑制回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1978048140U JPS5836230Y2 (ja) | 1978-04-12 | 1978-04-12 | 直流↓−直流変換器のサ−ジ電圧抑制回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS54150847U JPS54150847U (ja) | 1979-10-20 |
JPS5836230Y2 true JPS5836230Y2 (ja) | 1983-08-15 |
Family
ID=28931293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1978048140U Expired JPS5836230Y2 (ja) | 1978-04-12 | 1978-04-12 | 直流↓−直流変換器のサ−ジ電圧抑制回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5836230Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0681501B2 (ja) * | 1988-12-05 | 1994-10-12 | 富士通電装株式会社 | スイッチング回路 |
JP2002027753A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スイッチング電源回路 |
-
1978
- 1978-04-12 JP JP1978048140U patent/JPS5836230Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS54150847U (ja) | 1979-10-20 |
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