JPS5834930B2 - カクサンヨウフジユンブツガンユウサンカブツマク ノ ジヨキヨホウホウ - Google Patents
カクサンヨウフジユンブツガンユウサンカブツマク ノ ジヨキヨホウホウInfo
- Publication number
- JPS5834930B2 JPS5834930B2 JP5582573A JP5582573A JPS5834930B2 JP S5834930 B2 JPS5834930 B2 JP S5834930B2 JP 5582573 A JP5582573 A JP 5582573A JP 5582573 A JP5582573 A JP 5582573A JP S5834930 B2 JPS5834930 B2 JP S5834930B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- silicon oxide
- diffusion
- impurity
- mixed oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体への不純物拡散に利用した不純物含有酸
化物膜の除去方法に関する。
化物膜の除去方法に関する。
シリコンやゲルマニウムのような半導体への不純物元素
導入法のひとつにドープドオキサイド法と呼ばれる拡散
処理技術がある。
導入法のひとつにドープドオキサイド法と呼ばれる拡散
処理技術がある。
このオーブトオキサイド法は、たとえばシリコンやゲル
マニウムでの多数キャリア源となる砒素、燐もしくはほ
う素等の不純物を含む酸化シリコン（Ｓ ｉ０２ ）を
半導体結晶の表面に付設し、この不純物含有酸化シリコ
ン膜を拡散源として、不純物を結晶内に拡散導入させる
処理技術である。
マニウムでの多数キャリア源となる砒素、燐もしくはほ
う素等の不純物を含む酸化シリコン（Ｓ ｉ０２ ）を
半導体結晶の表面に付設し、この不純物含有酸化シリコ
ン膜を拡散源として、不純物を結晶内に拡散導入させる
処理技術である。
この処理技術を半導体装置を製作するための選択拡散に
適用する場合には、予め半導体結晶上に拡散防止用のマ
スク材たとえば不純物を含まないＳｉＯ２膜を所定の形
状に付設したのち、この半導体結晶基板の全面に上記不
純物含有酸化シ′リコン膜を付設し、ついで拡散処理を
おこなう方法がとられる。
適用する場合には、予め半導体結晶上に拡散防止用のマ
スク材たとえば不純物を含まないＳｉＯ２膜を所定の形
状に付設したのち、この半導体結晶基板の全面に上記不
純物含有酸化シ′リコン膜を付設し、ついで拡散処理を
おこなう方法がとられる。
この場合、拡散処理後において不純物含有酸化シリコン
膜を除去する際にマスク材の５ｉ０２膜が同時に除去さ
れてしまうという不都合を生じる。
膜を除去する際にマスク材の５ｉ０２膜が同時に除去さ
れてしまうという不都合を生じる。
これは不純物含有様化シリコン膜とマスク材とが同質で
あって、蝕刻液に対する溶解速度が同程度であることか
ら避は得ないことである。
あって、蝕刻液に対する溶解速度が同程度であることか
ら避は得ないことである。
本発明は半導体基板上に酸化シリコン膜を所定の形状に
形成する工程と、前記半導体基板および前記酸化シリコ
ン膜の上に、砒素、燐もしくはほう素等の拡散用不純物
を含有する酸化シリコン・酸化ゲルマニウムの混合酸化
物膜を生成する工程と、前記混合酸化物膜を熱塩酸に浸
漬する工程と弗酸を含む蝕刻液で前記混合酸化物膜を溶
解除去する工程とをそなえたことを特徴とする拡散用不
純物含有酸化物膜の除去方法である。
形成する工程と、前記半導体基板および前記酸化シリコ
ン膜の上に、砒素、燐もしくはほう素等の拡散用不純物
を含有する酸化シリコン・酸化ゲルマニウムの混合酸化
物膜を生成する工程と、前記混合酸化物膜を熱塩酸に浸
漬する工程と弗酸を含む蝕刻液で前記混合酸化物膜を溶
解除去する工程とをそなえたことを特徴とする拡散用不
純物含有酸化物膜の除去方法である。
酸化シリコン・酸化ゲルマニウムを主成分とする混合酸
化物膜は熱塩酸で処理することにより、同膜中の酸化ゲ
ルマニウム（Ｇｅ０２）が溶解され不溶の酸化シリコン
が多孔質の状態で残る。
化物膜は熱塩酸で処理することにより、同膜中の酸化ゲ
ルマニウム（Ｇｅ０２）が溶解され不溶の酸化シリコン
が多孔質の状態で残る。
そこでこの多孔質酸化ウリコン膜はマスク材の緻密な酸
化シリコンより蝕刻液に刻する溶解速度が高いものにな
る。
化シリコンより蝕刻液に刻する溶解速度が高いものにな
る。
図面は本発明の実施例を示し、不純物含有の混合酸化物
膜として、ＳｉＯ□−Ｇ ｅ ０２Ｂ２０３ Ａｓ２
Ｏ３系の酸化膜を塩酸で煮沸処理したときのＮＨ４Ｆ：
ＨＰ系蝕刻液に対する溶解速度である。
膜として、ＳｉＯ□−Ｇ ｅ ０２Ｂ２０３ Ａｓ２
Ｏ３系の酸化膜を塩酸で煮沸処理したときのＮＨ４Ｆ：
ＨＰ系蝕刻液に対する溶解速度である。
この実施例では混合酸化物として、ＧｅＨ４：ＳｉＨ４
： Ｂ２Ｈ６：ＡｓＩ（３＝１０ ： ８０ ： ５
： ２０なる組成の反応気体の熱分解で得た被膜を用い
、これによって、１．０５０℃での拡散処理を行なった
のち、これをＨＣｌ：Ｈ２０＝１ ： ５の組成の塩酸
で煮沸したのち、ＮＨＦ ： ＨＦ＝１０ ： １．５
なる組成成分を含む蝕刻液で処理したものの溶解速度の
変化を実線で現わしている。
： Ｂ２Ｈ６：ＡｓＩ（３＝１０ ： ８０ ： ５
： ２０なる組成の反応気体の熱分解で得た被膜を用い
、これによって、１．０５０℃での拡散処理を行なった
のち、これをＨＣｌ：Ｈ２０＝１ ： ５の組成の塩酸
で煮沸したのち、ＮＨＦ ： ＨＦ＝１０ ： １．５
なる組成成分を含む蝕刻液で処理したものの溶解速度の
変化を実線で現わしている。
また、同図中の点線で示す特性は−Ｌ述の本実施例王程
での塩酸煮沸を水（Ｈ２０）のみの煮沸に置き換えた場
合の例である。
での塩酸煮沸を水（Ｈ２０）のみの煮沸に置き換えた場
合の例である。
発明者の経験によれば、混合酸化物中の酸化ゲルマニウ
ムの比率は３〜９０％の範囲であれば、塩酸の濃度は１
０％〜２５係程度が好都合であり、本発明の処理を行な
うと純酸化シリコンの溶解速度の２〜１０倍という顕著
な溶解性を示した。
ムの比率は３〜９０％の範囲であれば、塩酸の濃度は１
０％〜２５係程度が好都合であり、本発明の処理を行な
うと純酸化シリコンの溶解速度の２〜１０倍という顕著
な溶解性を示した。
したがって、本発明によれば、選択拡散側マスク材の酸
化シリコン膜を溶解することなく、不純物源の混合酸化
物膜のみを有効に除去することができる。
化シリコン膜を溶解することなく、不純物源の混合酸化
物膜のみを有効に除去することができる。
なお、上述の混合酸化物膜を熱塩酸に浸漬する際、上記
酸化物膜を１．０００℃〜１．１００℃の範囲に熱処理
しておくと、酸化物膜がきわめて良好に溶解除去しうる
。
酸化物膜を１．０００℃〜１．１００℃の範囲に熱処理
しておくと、酸化物膜がきわめて良好に溶解除去しうる
。
図面は本発明の実施例で得られた特性図である。
Claims (1)
- １ 半導体基板上に酸化シリコン膜を所定の形状に形成
する工程と、前記半導体基板および前記酸化シリコン膜
の上に、砒素、燐もしくはほう素等の拡散用不純物を含
有する酸化シリコン・酸化ゲルマニウムの混合酸化物膜
を生成する工程と、前記混合酸化物膜を熱塩酸に浸漬す
る工程と、ついで弗酸を含む蝕刻液で前記混合酸化物膜
を溶解除去する工程とをそなえたことを特徴とする拡散
用不純物含有酸化物膜の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5582573A JPS5834930B2 (ja) | 1973-05-18 | 1973-05-18 | カクサンヨウフジユンブツガンユウサンカブツマク ノ ジヨキヨホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5582573A JPS5834930B2 (ja) | 1973-05-18 | 1973-05-18 | カクサンヨウフジユンブツガンユウサンカブツマク ノ ジヨキヨホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS507478A JPS507478A (ja) | 1975-01-25 |
| JPS5834930B2 true JPS5834930B2 (ja) | 1983-07-29 |
Family
ID=13009723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5582573A Expired JPS5834930B2 (ja) | 1973-05-18 | 1973-05-18 | カクサンヨウフジユンブツガンユウサンカブツマク ノ ジヨキヨホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834930B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2624047C3 (de) * | 1976-05-28 | 1980-07-03 | Dr. Rentschler Arzneimittel Gmbh & Co, 7958 Laupheim | Massenzüchtung von Zellen und Kammer-System zu ihrer Durchführung |
| US4539744A (en) * | 1984-02-03 | 1985-09-10 | Fairchild Camera & Instrument Corporation | Semiconductor planarization process and structures made thereby |
| US6333245B1 (en) * | 1999-12-21 | 2001-12-25 | International Business Machines Corporation | Method for introducing dopants into semiconductor devices using a germanium oxide sacrificial layer |
-
1973
- 1973-05-18 JP JP5582573A patent/JPS5834930B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS507478A (ja) | 1975-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004520713A5 (ja) | ||
| GB1601765A (en) | Process for cleaning silicon semiconductor materials | |
| JPS6133252B2 (ja) | ||
| US3574010A (en) | Fabrication of metal insulator semiconductor field effect transistors | |
| GB1177759A (en) | Method of Fabricating Semiconductor Devices | |
| US3751314A (en) | Silicon semiconductor device processing | |
| JPS5834930B2 (ja) | カクサンヨウフジユンブツガンユウサンカブツマク ノ ジヨキヨホウホウ | |
| JPH06112146A (ja) | 拡散型シリコン素子基板の製造方法 | |
| JP3077760B2 (ja) | 固相拡散方法 | |
| US3669775A (en) | Removal of boron and phosphorous-containing glasses from silicon surfaces | |
| JPS63129633A (ja) | 半導体表面処理方法 | |
| CN112151369B (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| US2698780A (en) | Method of treating germanium for translating devices | |
| JPS58204540A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPS5927529A (ja) | 半導体装置用ウエフアの製造方法 | |
| JPS60175417A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US3846194A (en) | Process for producing lightly doped p and n-type regions of silicon on an insulating substrate | |
| JP2730156B2 (ja) | 多結晶シリコン膜の形成方法 | |
| JP2508426B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| SU924776A1 (ru) | Способ изготовлени полупроводниковых приборов,преимущественно на основе монокристаллического кремни | |
| JPH03173131A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08111388A (ja) | Ｐドープトオキサイドによるリン（ｐ）の固相拡散法 | |
| JPS61154134A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5828732B2 (ja) | ハンドウタイソウチ ノ セイゾウホウホウ | |
| JPS6155928A (ja) | シリコン単結晶基板 |