JPS5829782B2 - 新規なδ−置換ネガマイシン誘導体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なネガマイシン誘導体、すなわちδ−置換
ネガマイシン誘導体に関するものであり、さらに詳しく
言えば、ダラム陽性菌および陰性菌の発育を阻止する活
性をもち且つ溶液中でも高い安定性を示す新規な半合成
抗生物質であるネガマイシンのδ位水酸基を置換したネ
ガマイシン誘導体、すなわち次式 〔式中、Ｄは水素原子又はメトキシ基を示す〕で表わさ
れるデオキシネガマイシン（Ｄ＝Ｈ）又はＯ−メチルネ
ガマイシン（Ｄ二ＣＨ３０−）である新規なδ−置換ネ
ガマイシン誘導体ｌこ関する。

ネガマイシンは本発明者らによって発見された抗生物質
であり（％願昭４４−３４８２７号、特公昭４６−２８
８３５号公報参照）、ネガマイシンは次式 で表わされる化学構造式を有することから判るように、
次式 の１−メチルヒドラジノ酢酸とがヒドラジド結合した特
異な構造を有する（米国化学会誌、９３巻、６３０５頁
、１９７１年）。

なお、上記の式についＴ（Ｒ）なる符号は立体配位の表
示法で用いる記号である（野添鉄男著「有機化学」上巻
２４５頁参照）。

本発明者はネガマイシン誘導体の合成研究を行い、その
結果、水溶液中における安定性がネガマイシンに比べて
増強されており且つ抗菌性を有するδ−置換ネガマイシ
ン誘導体を合成することに底切した。

すなわち、ネガマイシン分子の構成成分である前記式（
ＩＩＩ）の（Ｒ，Ｒ）−δ−ヒドロキシ−β−リジンの
δ位水酸基を脱除（デオキシ化）した誘導体ｌこ相当す
るＤ−β−リジン、若しくはδ位水酸基をメトキシ基（
−０ＣＨ３）で置換した誘導体に相当する（Ｒ，Ｒ）−
δ−メトキシ−β−リジンを、その２個のアミン基を公
知のアミノ保護基で保護した後に、１−メチルヒドラジ
ノ酢酸と縮合し、その縮合生成物から次いでアミン保護
基を脱離すると、所期のδ−置換ネガマイシン誘導体と
して、前記の一般式（１）で表わされるデオキシネガマ
イシン又はＯ−メチルネガマイシンが得られることを見
出し、さらにこの新規化合物はその水溶液中で高い安定
性を示し且つダラム陽性菌、陰性菌の発育を阻止するこ
とを見出した。

本発明に係る新規化合物であるデオキシネガマイシンお
よびＯ−メチルネガマイシンの性状は次に示す通りであ
る。

デオキシネガマイシンは白色粉末で分解点１２０−１２
５℃、〔α〕２３＝−５°（ｃｌ、５．水）を示し、元
素分析値はＣ０Ｈ２ｏＮ４０３・Ｈ２０の理論値（Ｃ４
３，１８％、Ｈ８，８６％、Ｎ２２．３９％）に一致す
る。

シリカゲルの薄層クロマトグラフィー（ドイツ、メルク
社製Ａｒｔ、５７２１）でブタノール・エタノール・ク
ロロホルム・１７％アンモニア（４：５：２：５容）の
溶媒系で展開すると、Ｒｆｏ、１４に単一スポットにン
ヒドリン）を示す。

Ｏ−メチルネガマイシンは白色粉末で分解点１３７−１
４０℃、Ｃα〕２２＝−３°（ｃ １．５．水）を示し
、元素分析値はＣｌ０Ｈ２□Ｎ４０４・Ｈ２０の理論値
（Ｃ４２，８４％、Ｈ８，６３％、Ｎ１９．９９％）に
一致する。

上記のシリカゲルの薄層クロマトグラフィーでＲｆｏ、
３３に単一スポットを示す。

これらの新規ネガマイシン誘導体は次表に示す如く、何
れもダラム陽性菌および陰性菌の発育を阻止した。

また、これらの誘導体は倒れも水溶液中または０．０２
Ｎ塩酸水中で全く安定であった（３７Ｃ。

１箇月間）。

一方対照として実験したネガマイシンの抗菌活性は水溶
液中で６３％に、０．０２Ｎ塩酸水中で５０％に減少し
た。

これらの誘導体は何れも毒性低く（マウスｌこ対するＬ
Ｄａｏは静脈注射で２００■／ｋｙ以上）、諸種のダラ
ム陽性菌、陰性菌の感染症の治療に用いられる。

本発明に係る新規δ−置換ネガマイシン誘導体としての
デオキシネガマイシン又はＯ−メチルネガマイシンの製
造法としては、下記の如き３種の方法がある（特願昭５
０−１３４７１０号参照）。

すなわち、その第１の製造法においては、次式〔式中、
Ａは水素原子でＢは一価のアミノ保護基を示すか、若し
くはＡ及びＢが一緒になって一つの二価のアミノ保護基
を示し、Ｄは水素原子又はメトキシ基を示す〕で表わさ
れるＤ−β−リジン〔式（Ｖ）でＤが水素原子である場
合〕又は（Ｒ。

Ｒ）−δ−メトキシ−β−リジン〔式（７）でＤがメト
キシ基である場合〕のアミノ基保護誘導体を１−メチル
ヒドラジノ酢酸と縮合し、その縮合生成物から次いでア
ミノ保護基を脱離することによって、次式 〔式中、Ｄは上記の意味を有する〕で示されるデオキシ
ネガマイシン〔式（Ｉ）でＤが水素原子である場合〕又
はＯ−メチルネガマイシン〔式（Ｉ）でＤがメトキシ基
である場合〕を製造することから戒る。

この第一の製造方法を実施するに当って、出発物質であ
る次式 に示すＤ−β−リジン（Ｄ＝Ｈ）および（Ｒ，Ｒ）−δ
−メトキシ−β−リジン（Ｄ＝＝ＯＣＨ３）は、あらか
じめ、それらの２個のアミノ基を公知のアミノ保護基Ａ
、Ｂで保護しなければならない。

公知のアミノ保護基Ａ、Ｂとしては、従来ペプチド合成
で常用されるアミン保護基を用い得るけれども、使用さ
れるアミノ保護基は第一の製造方法で生成した（■式の
β−リジン誘導体と１−メチルヒドラジノ酢酸との縮合
生成物から離脱させる反応を行うに当って、そのヒドラ
ジド結合を実質的に破断させない反応条件または操作で
、容易に該縮合生成物から離脱できるものでなければな
らない。

第一の製造方法に用いるβ−リジン誘導体のアミノ基を
閉塞するに適当な一価のアミノ保護基としては、アルキ
ルオキシカルボニル基、例えば第三ブチルオキシカルボ
ニル基および第三アミルオキシカルボニル基ニジクロア
ルキルオキシカルボニル基例えばシクロへキシルオキシ
カルボニル基；アラルキルオキシカルボニル基例えばベ
ンジルオキシカルボニル基およびｐ−メトキシベンジル
オキシカルボニル基；アシル基特に低級アルカノイル基
例えばトリフロロアセチル基およびＯ−ニトロフエノキ
シアセチル基がある。

また二価のアミノ保護基としてはシップ塩基例えばサリ
シリデン基などを用い得る。

これらのアミノ保護基を導入する方法は一般に公知の方
法、例えば酸ハライド、酸アジド、活性エステルなどに
よる方法で容易に行い得る。

第一の製造方法においてデオキシネガマイシンを製造す
る時には、その出発物質としてＤ−β−リジンを用いる
が、このＤ−β−リジンは、例えばネガマイシンより得
られるかまたはＤ−ガラクトウロン酸より合成される（
米国化学会誌９４巻４３５３頁、１９７２年）（Ｒ，Ｒ
）−δ−ヒドロキシ−β−リジンを、赤燐の存在下に沃
化水素酸と封管中１５０℃、２０時間加熱反応すること
ｌこよって得られ、さらｌこ上述の常法ｌこよってアミ
ノ保護基が導入される。

例えば水−ジオキサン混液中トリエチルアミンの存在下
にベンジルＳ−４゜６−シメチルビリミジンー２−イル
チオルカルボネートと作用せしめると、高収率にジ−Ｎ
−ベンジルオキシカルボニル−Ｄ−β−リジンが得られ
る。

第一の製造方法番こおいてＯ−メチルネガマイシンを製
造する時には、その出発物質として（Ｒ。

Ｒ）−δ−メトキシ−β−リジンを用いるが、この化合
物も（Ｒ，Ｒ）−δ−ヒドロキシ−β−リジンから合成
することができ、これから直接に（Ｒ，Ｒ）−δ−メト
キシ−β−リジンのジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル
体ｌこ導くことができる。

例えば、（Ｒ，Ｒ）−δ−ヒドロキシ−β−リジンを重
曹の存在下に水溶液中で塩化ベンジルオキシカルボニル
と作用せしめるとジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−
（Ｒ，Ｒ）−δ−ヒドロキシ−β−リジンのラクトンが
結晶として得られる。

これを０．５％塩酸−メタノールに溶解し室温に放置し
たのち、反応液を濃縮するとジ−Ｎ−ベンジルオキシカ
ルボニル−（Ｒ，Ｒ）−δ−ヒドロキシ−β−リジンの
メチルエステルの結晶が得られる。

これをジクロルメタン中三弗化ポロンエーテラートの存
在下でジアゾメタンと反応させ、続いてエタノール中苛
性ソーダでけん化し、ジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニ
ル（Ｒ，Ｒ）−δ−メトキシ−δ−リジンが得られる。

第一の製造方法の縮合工程において、上述の式（Ｖ）の
β−リジン誘導体のジ−Ｎ−保護体と１−メチルヒドラ
ジノ酢酸を縮合するに当っては、ジシクロへキシルカル
ボジイミド法、混合酸無水物法アジド法、酸ハライド法
、活性エステル法などあらゆる既知のアミド合成法を用
いてヒドラジド結合を生成せしめるように縮合反応を行
うことができる。

例えば、ジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−δ−置換
−（Ｒ，Ｒ）−δ−ヒドロキシ−β−リジンを通常の方
法で無水溶媒中でＮ−ヒドロキシコハク酸イミドとジシ
クロへキシルカルボジイミドを作用させることによって
活性エステルとし、それを含水溶媒中で、１〜２．５モ
ルの重曹の存在下に１〜１，５モルの１−メチルヒドラ
ジノ酢酸と反応せしめて縮合する。

こうして得られた縮合生成物は２５％臭化水素−酢酸で
処理するか、白金パラジウムなどを触媒として水素で接
触還元することにより容易にＮ−ベンジルオキシカルボ
ニル基を離脱して目的とする（Ｉ）式のδ−置換ネガマ
イシン誘導体を合成することができる。

第一の製造方法で縮合生成物からアミノ保護基を離脱さ
せることは上記の如く常法によって行われる。

すなわち保護基がアルキルオキシカルボニル基、シクロ
アルキルオキシカルボニル基、シッフ塩基である場合に
は該縮合生成物を弱酸により加水分解することによって
アミノ保護基を離脱する。

アミノ保護基がアラルキルオキシカルボニル基である場
合には、２５％臭化水素−酢酸で処理することにより、
またアミノ保護基がＯ−ニトロフェノキシアセチル基ま
たはアラルキルオキシカルボニル基である場合は、白金
、パラジウムなどを触媒として水素で接触還元すること
によって容易に離脱される。

上記の如くアミノ保護基を離脱した該縮合生成物はカル
ボキシル基を活性基とする陽イオン交換体、例えばアン
バーライ）ＣＧ−５０（米国ローム・アンド・ハース社
製）又はＣＭ−セファデックスＣ−２５（スエーデン、
ファルマシア社製）などを使用するイオン交換クロマト
グラフィーによって、効率良く精製することができる。

本発明によって提供されるＯ−メチルネガマイシン又は
デオキシネガマイシンは次式 〔式中、Ａは水素原子でＢは一価のアミノ保護基である
か、もしくはＡおよびＢが一緒になって一つの２価のア
ミン保護基を示す〕で表わされるネガマイシン自体のア
ミノ保護誘導体からも直接に誘導することができる。

ネガマイシンのアミノ保護基としては、前述の第一の製
造方法でＤ−β−リジンまたは（Ｒ，Ｒ）−δ−メトキ
シβ−リジンのアミノ保護基として使用した公知のアミ
ノ保護基を全く同様に使用することができる。

例えば、ネガマイシンを水−ジオキサン混液中でトリエ
チルアミンの存在下にベンジルＳ −４，５−ジメチル
ピリミジン−２−イルチオルカルボネートと作用せしめ
ると、高収率にジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニルネガ
マイシン〔短■中でＡは水素原子で、ＢはＣ００ＣＨ２
Ｃ６Ｈ５基を示す〕が得られる。

該誘導体におけるベンジルオキシカルボニル基は、特に
後述するデオキシネガマイシンの合成に当って接触還元
による脱ハロゲン化反応を行う際に、脱ハロゲンと同時
に除去することができるので、きわめて有用なアミノ保
護基である。

式（ＶＤのネガマイシンのアミン保護誘導体からＯ−メ
チルネガマイシンを合成するに当っては、上述の（ロ）
式のネガマイシンのアミン保護体を（Ｒ。

Ｒ）−δ−オキシ−β−リジンのアミノ保護体のＯ−メ
チル化反応と同様に、不活性の有機溶斉１拾１えばジク
ロルメタン中で三弗化ボロンエーテラートの存在下にジ
アゾメタンと反応させると、次式〔式中Ａ及びＢは前記
と同じ意味を有する〕で表わされるＯ−メチルネガマイ
シンメチルエステルのアミノ保護体が得られる。

続いてそのアミン保護基およびメチルエステル基を例え
ば、加水分解により除去し、次いでカルボキシル基を活
性基とする陽イオン交換体による塔クロマトグラフィー
また必要あればシリカゲルの塔クロマトグラフィーで
精製して目的とするＯ−メチルネガマイシンを得ること
ができる。

従って、要約すると、第二の製造方法においては、次式 〔式中Ａは水素原子でＢは一価のアミノ保護基であるか
、若しくはＡ及びＢが一緒になって一つの二価のアミノ
保護基を示す〕で表わされるネガマイシンのアミノ保護
誘導体を三弗化ボロンエーテラートの存在下にジアゾメ
タンと反応させて次式 〔式中Ａ及びＢは前記と同じ意味を有する〕で表わされ
るＯ−メチルネガマイシンメチルエステルのアミノ保護
誘導体を生成し、続いて該生成物からアミノ保護基及び
メチルエステル基を脱離することによって、Ｏ−メチル
ネガマイシンを製造することから成る。

この第二の製造方法においては、ジアゾメタンを作用さ
せる反応は不活性の有機溶剤例えばジクロルメタンの如
き塩素化炭化水素中で行われる。

アミノ保護基の脱離並びにメチルエステル基の脱離は常
法で、例えばアルカリ性条件下で加水分解することによ
り行われる。

さらに、前記の師式のネガマイシンのアミノ保護誘導体
からデオキシネガマイシンを合成するに当っては、上述
のネガマイシンのアミノ保護体の遊離のカルボキシル基
のみを通常用いられるメチルエステル、エチルエステル
、ベンジルエステルなどのエステルの形で先づ保護し、
こうしてネガマイシンのアミン保護体のエステル（カル
ボキシレート）を得る。

次いで該エステル誘導体のδ位の水酸基を、無水ピリジ
ン中塩化メタンスルホニルの如きアルキルスルホニル化
剤または塩化ｐ −トルエンスルホニルの如きアリール
スルホニル化剤または塩化ベンジルスルホニルの如きア
リールメチルスルホニル化剤で処理して次式 〔式中Ａ、Ｂは前記の意味をもち、Ｅはアルキルオキシ
基特に炭素数１〜４のアルキルオキシ基又はベンジルオ
キシ基の如き加水分解により脱離して一〇Ｈ基になり得
るエステル形成基であり、Ｇはアルキル基、特に低級ア
ルキル基、フェニル基、アルキル置換フェニル基又はベ
ンジル基を示す〕で表わされる硫酸エステル誘導体を生
成する。

続いてアセトンなどの無水溶媒中で沃化ソーダ又は臭化
ソーダの如きアルカリ金属沃化物又は臭化物と反応せし
めてδ位の硫酸エステル基をヨード又はブロモ基と置換
させると、δ位のヨード又はブロモ誘導体〔但しδ位の
立体化学はＲ，Ｓの混合物〕が得られる。

このヨード又はブロモ誘導体を水、メタノールなどの溶
媒、またはそれらの混合溶媒にとかし、パラジウム白金
などを触媒とする水素接触還元を行えば、脱ハロゲン化
反応が起り水素化するので、デオキシネガマイシン誘導
体が生成される。

アミノ保護基が前述のベンジルオキシカルボニル基であ
る場合には、前記の水素接触還元と同時にアミノ保護基
の脱離がおこる。

なお、残留するアミノ保護基があるときにはこれを常法
で脱離させる。

さらに該生成物のエステル基を弱塩基性下で加水分解に
より除去し、精製のためカルボキシル基を活性基とする
陽イオン交換体による塔クロマトグラフィーを行うこと
により目的とするデオキシネガマイシンを得ることがで
きる。

従って、第三の製造方法においては、次式〔式中Ａは水
素原子でＢは一価のアミノ保護基であるか、若しくはＡ
及びＢが一緒になって一つの二価のアミン保護基を示し
、Ｅは加水分解によりＯＨ基に転化できるエステル形成
基であり、Ｘは沃素又は臭素原子である〕で表わされる
ネガマイシン・エステルのδ−ハロゲン化されたアミノ
保護体を水素で接触還元し、次いで残留したアミン保護
基があるときは、これを常法で脱離し、またエステル形
成基（′８を加水分解により一〇Ｈ基に転化することに
よって、デオキシネガマイシンを製造することから成る
ものである。

第三の製造方法を実施するに当って、式（ＩＸ）のネガ
マイシン・エステルのδ−ハロゲン化すれたアミノ保護
体の調製は、第二の製造方法と同様に先づ式（Ｖｌ）の
ネガマイシン自体のアミン保護誘導体を作り、これにジ
アゾメタン又はジアゾエタンの如きエステル化剤を作用
させてネガマイシン・エステル（カルボキシレート）誘
導体に変える。

次いでσ−位の水酸基をスルホニル化（−８Ｏ３Ｇ）シ
、さらにハロゲン化閃するのであるが、このスルホニル
化は例えば特公昭５０−７５９５号公報に記載される３
′、４′−デオキシカナマイシンＢの製造法に際し中間
原料を調製するのに行ったスルホニル化反応と同じ要領
で行い得る。

さらに第三の製造方法でスルホニル基（−８ｏ３Ｇ）を
アルカリ金属沃化物又は臭化物の作用でハロ基Ｎに転化
する反応並びにδ−ハロ基を脱除して水素原子に転化す
る水素接触還元も、公知の要領で行い得る。

次に本発明を実施例について説明する。

実施例 １（第一の製造法） （ａ）シーＮ−ベンジルオキシカルボニル−Ｄβ−リジ
ンの合皮： Ｄ−β−リジン（〔α） ２５−−２２．５°（ｃｏ、
８゜ＩＮ塩酸））１００■（０，６９ミリモル）を水１
７７１１にとかし、トリエチルアミン１０４■（１，０
ミＩＪモル）を加え、さらにベンジルＳ −４，６−シ
メチルピリミジンー２−イルチオルカルボネート（国産
化学社製） ４１０１ｎ？（１，５ミリモル）をジオキ
サンＩＴｆＬｌにとかした溶液を加えて、３０℃１７時
間攪拌した。

反応液に水３ｍ／を加え、エーテル６ｍｌで洗浄後、水
層に６Ｎ塩酸を加えてｐＨ２とし、酢酸エチル１３ｍ１
で食塩飽和下に抽出した。

この酢酸エチル層を、食塩飽和の５％塩酸水４ｍｌ続い
て食塩飽和水４ｍｌで洗浄し、無水芒硝で脱水後、減圧
下濃縮乾固してジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニルＤ−
β−リジンの無色結晶２１０Ｉｎ９を得た。

分解点１４９−１５１℃、〔α） ２６ ＝＋６°（ｃ
ｌ、３゜メタノール）、収率７３％。

（ｂ） デオキシネガマイシンの合成：実施例１（ａ
）で得られたジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−Ｄ−
β−リジン７９■（０，１９ミリモル）をジメトキシエ
タン３ｒＩＬｌにとかし、Ｎ−ヒドロキシコハク酸イミ
ド２２■（０，１９ミリモル）およびジシクロへキシ
ルカルボジイミド３９■（０，１９ミｌＪモル）を水冷
下に加えた。

反応液を５℃１７時間放置後、生じるジシクロへキシル
ウレアの結晶をｐ去しｐ液を濃縮乾固してジ−Ｎ−ベン
ジルオキシカルボニル−Ｄ−β−リジンのＮ−ヒドロキ
シコハク酸イミドエステルの無色結晶９７ｍ９を得た。

これをジメトキシエタン２ｍｌにとかした溶液を、１−
メチルヒドラジノ酢酸１９．８１ｎ９（０，１９ミリモ
ル）および重曹３２１１１９（０，３８ミリモル）を水
０．５ ｍｌにとかした溶液に室温攪拌下、徐々に加え
た。

さらに１８時間攪拌した後、反応液を減圧下濃縮乾固し
、水０．５ ｍｌ、を加え、水冷下、ＩＮ塩酸０．４２
ｍ１を加えると白色沈澱を生じた。

この沈澱をＰ取し、水洗後乾燥してジ−Ｎ−ベンジルオ
キシカルボニルデオキシネガマイシンの白色粉末１０８
Ｔｎ９を得た。

これを酢酸１ｍｌ、メタノール０．８ｍｉ、水０．２ｍ
ｌ！の混液に溶解し、３％パラジウム−炭素５０■を加
え、水素気流中３時間攪拌した。

触媒をｐ去後、溶液を濃縮乾固した。

これを水２ｍｌにｃ！：かし、５Ｎアンモニア水でｐＨ
８，４とし、アンバーライトｃ Ｇ−５０、（Ｎｎ４＋
） ８．５ ｙｙｔの塔に通過吸着せしめ、水洗（２０
１１Ｌｌ）後、０．１％アンモニア水９０ＴＬｌで溶出
し、溶出液を１ ｒｒｔｌずつ分画した。

大腸菌に一１２株に抗菌活性を有する分画４５７６２を
集めて減圧下濃縮乾固し、デオキシネガマイシンの白色
粉末２０．５ｍ９を得た。

収率４７％。実施例 ２（第一の製造方法） （ａ） ジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−（Ｒ２
Ｈ）−δ−ヒドロキシ−β−リジン・メチルエステルの
合成： （Ｒ，Ｒ）−δ−ヒト加キシーβ−リジン２６ｇおよび
重曹６３ｇを水４５０ｍ１にとかし、室温で攪拌しなが
ら塩化ベンジルオキシカルボニル７７．９を滴下した。

続いて２時間攪拌後、５℃１８時間放置した。

生じた結晶をＰ取し、水２００ｍＡとエーテル３５０１
１１１で洗浄後乾燥してジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボ
ニル（Ｒ，Ｒ） −δ−ヒドロキシ−β−リジンラクト
ンの無色結晶４４．３ｇを得た（、 ｒｎｐ、１２８−
１３００Ｃ。

〔α〕２２＝−１３°（ｃ ３．４ 、クロロホルム）
収率７０％。

この３４．２．＠を０．５％塩酸−メタノール３６０ｍ
１にとかし、室温１６時間放置した。

反応液を濃縮し、生じた結晶をメタノールとエーテルの
混液から再結晶して、ジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニ
ル−（Ｒ，Ｒ）−δ−ヒドロキシ−β−リジンメチルエ
ステルの無色結晶２８．３ｇを得た。

ｍｐ、１１１−１１２°Ｃ１〔α、ｌ”８＝＋１１°（
ｃｌ、２．クロロホルム）、収率７７％。

（ｂ） シーＮ−ベンジルオキシカルボニル−（Ｒ２
Ｈ）−δ−メトキシ−β−リジンの合成：実施例２（ａ
）で得られたジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−（Ｒ
，Ｒ）−δ−ヒドロキシ−β−リジン・メチルエステル
２６６ｍ９（０，６ミリモル）をジクロルメタン４ｍｌ
にとかし、水冷攪拌下、三弗化ボロンエーテラート１７
ｍ９（０，１２：：リモル）を加え、これに１．５％ジ
アゾメタン−エーテルを反応液の黄色が残るまで加えた
（４時間）。

さらに室温で１６時間攪拌後、反応液を１０％重曹水１
０ｍ１と水２０ｍ１．で順次洗浄し、溶媒層を無水芒硝
で脱水した後、減圧下濃縮乾固して淡黄色油状物質２９
５■を得た。

これをベンゼン−メチルエチルケトン（１０：１容）を
展開溶媒とするシリカゲル（３１）の塔クロマトグラフ
ィーを行い９ｍｌずつ分画した。

分画３１−５９を集め減圧下濃縮乾固して、無色油状の
ジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−（Ｒ，Ｒ）−δ−
メトキシ−β−リジンメチルエステル８７ｍＩ？を得た
。

収率３２％。

この８５ｍ９（０，１９ミリモル）をエタノール０．５
ｍｌにとかしＩＮ苛性ソーダ０．２２ｍ１を加え、室温
４時間放置後、ＩＮ塩酸０．２８ｍ１を加えて酸性とし
、酢酸エチル３７７２１で抽出した。

酢酸エチル層を水１ｍｌで洗浄後、無水芒硝で脱水して
濃縮乾固し、無色油状のジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボ
ニル−（Ｒ，Ｒ）−δ−メトキシ−β−リジン８０７ｎ
９を得た。

収率９８％。（ｃ） Ｏ−メチルネガマイシンの合成
：実施例２（ｂ）で得られたジーＮ−ペンジルオキジカ
ルボニル−（Ｒ，Ｒ）−δ−メトキシ−β−リジン８０
ｍ９（０，１８ミリモル）をジメトキシエタン１．６ｍ
ｌにとかし、Ｎ−ヒドロキシコハク酸イミド２１■（０
，１８ミリモル）およびジシクロへキシルカルボジイミ
ド３７■（０，１８ミリモル）を水冷下に加えた。

反応液を５℃１７時間放置後、生じるジシクロへキシル
ウレアを戸去し、ｐ液を濃縮乾固して、無色油状のジＮ
−ベンジルオキシカルボニル（Ｒ，、Ｒ）−δ−メトキ
シ−β−リジンのＮ−ヒドロキシコハク酸イミドエステ
ル９８■を得た。

これをジメトキシエタン１．５ｍＡにとかした溶液を、
■−メチルヒドラジノ酢酸１８．７ｍ９（０，１８ミリ
モル）および重曹３０■（０，３６ミリモル）を水０．
５ｍにとかしたＭＱに室温攪拌下、徐々に加えた。

さらに２０時間攪拌した後、反応液を濃縮乾固し、水０
．５ ｍｌを加え、水冷下、ＩＮ塩酸０．４ｍｌを加え
ると白色沈澱を生じた。

この沈澱を酢酸エチル３ｍ１ｌにとかし、水０、５ ｒ
ｄで洗浄後、酢酸エチル層を無水芒硝で脱水して、濃縮
乾固し、ジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−〇−メチ
ルネガマイシンの白色粉末９４ＴＩ９を得た。

これを酢酸１ ｍｌ 、メタノール０．８ｍｌ、水０．
２ｍｌの混液にとかし、５％パラジウム−炭素２４■を
加え、水素気流中４時間攪拌した。

触媒をρ去後、ｐ液を濃縮乾固した。

これを水２７７２１にとかし、５Ｎアンモニア水でｐＨ
８，８とし、アンバーライトＣＧ−５０（ＮＨ，、’）
１０ｍ１の塔に通過吸着せしめ、水洗（２０ミリ後、
０．１％アンモニア水１００ｍ１で溶出し、溶出液を１
７７１１ずつ分画した。

抗菌活性を有する分画４５−５７を集めて減圧濃縮乾固
し、０−メチルネガマイシンの白色粉末２０．８■を得
た。

収率４４％。害施例 ３（第二の製造方法） （ａ） ジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニルネガマイ
シンの合成： ネガマイシン４，９（１６，１ミリモル）を水２０ｍ１
にとかし、トリエチルアミン２．４４．９（２４，２ミ
’、１モル）を加え、さらにベンジルＳ −４，６−シ
メチルピリミジンー２−イルチオルカルボネート９．７
：ｌ’（３５，５ミリモル）をジオキサン２０ｒｎｌ
にとかした溶液を加えて、室温で１７時間攪拌した。

反応液に水３０ｍ１を加え、酢酸エチル６０ｍ１！で２
回洗滌後、水層に６Ｎ塩酸を加え、ｐＨ２とし、酢酸エ
チル６０ｍ１．で２回、食塩飽和下に抽出した。

この酢酸エチル層を食塩飽和水８０ｍ１で洗滌し、無水
芒硝で脱水後、減圧下濃縮乾燥してジ−Ｎ−ベンジルオ
キシカルボニルネガマイシンの白色粉末７．６ｇを得た
。

分解点１１０〜１１３℃、〔α〕２６＝＋４．２゜（ｃ
６．３．メタノール）、収率９２％。

（ｂ） ｏ−メチルネガマイシンの合成：実施例３（
ａ）で得られたジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニルネガ
マイシン４４９ｒｖ（０，８７：：リモル）をジクロル
メタン４．５ ｍｌにとかし、水冷攪拌下、三弗化ポロ
ンエチルエーテラート６２１１１９（０，４４ミリモル
）を加え、これに１．５％ジアゾメタンのエチルエーテ
ル溶液を反応液の黄色が残るまで加えた（２時間）。

反応液を濃縮乾固して、ジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボ
ニル−〇−メチルネカマイシンメチルエステルの粗粉末
を得た。

これに２５％臭化水素−酢酸５ｍｌを加えて溶解し、室
温にて２０分攪拌してアミノ保護基を除去した。

これｌこエチルエーテル５０ｍ１を加えて生ずる沈澱を
沢取しエーテル２０ｍ１で洗滌後、乾燥して淡黄色粉末
を得た。

この粉末を水２０ｍ１！に溶解し、５Ｎアンモニア水に
て、ｐＨ８，８〜９．０に調整した後、アンバーライト
ＣＧ−５０（ＮＨ４＋）４０ｍｌの塔に通過、吸着せし
め、水洗（８０ｍの後、０．９％アンモニア水２００ｍ
１で溶出し溶出液を４ＴＬｌずつ分画した。

ニンヒドリン反応陽性の分画３２〜３４を減圧濃縮乾固
して１４１■のＯ−メチルネガマイシンの粗粉末を得た
。

これをさらにブタノール−エタノール−クロロホルム−
１７％アンモニア水（４：５：２：３容）を展開溶媒と
するシリカゲル（１４，？）の塔クロマトグラフィーに
かけ、４１ｎｌづつ分画した。

ニンヒドリン反応陽性、大腸菌に一１２株に抗菌活性を
有する分画２４〜２８を集め、減圧下濃縮乾燥して０−
メチルネガマイシンの白色粉末３０■を得た。

収率１３％。実施例 ４（第三の製造方法） （ａ） ジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニルネガマイ
シンメチルエステルの合成： 実施例３（ａ）で得られたジ−Ｎ−ベンジルオキシカル
ボニルネガマイシン”’ （１１，６ミＩＪモル）をメ
タノール１２０ｍ１に溶解し、−１０’Ｃ（こ冷却攪拌
下、１．５％ジアゾメタンエタノール−エーテル溶液を
、反応液の黄色が残るまで加え４５分間攪拌した後、減
圧下濃縮乾燥してジ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニルネ
ガマイシンメチルエステル５．９８ｇを得た。

分解点１０７−１１２℃、〔α〕２６＝＋４．０°（ｃ
−＝５．０．メタノール）。

収率９７％。（ｂ） デオキシネガマイシンの合成：
実施例４（ａ）で得られたジ−Ｎ−ベンジルオキシカル
ボニルネガマイシンメチルエステル５．９８５＋ （１
１，３ミリモル）をピリジン１５０７１１１にとかし、
塩化メタンスルホニル６．４．１（５６，４ミリモル）
をピリジン１５０ｍ１にとかした溶液を水冷下ｌこ加え
た（１５分間）後、室温で５時間攪拌した。

この反応液に氷水１５０ｍ１を加えクロロホルム２４０
ｍＡで抽出し、クロロホルム層を各６０ｍ１の０．５
Ｍ重亜硫酸ソーダ、水、１Ｍ重炭酸ソーダおよび水で順
次洗浄し、無水芒硝で脱水後、減圧下濃縮乾燥してジ−
Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−〇−メタンスルホニル
ネガマイシンメチルエステルの淡黄色粉末６．１７．？
（１０，１ミリモル）を得た。

この粉末４．１（８，１ミリモル）をアセトン２２５Ｔ
Ｌｌにとかし、−昼夜充分乾燥したヨウ化ソーダ７、２
ｇ（４８ミＩＪモル）を加えた後（５０−６００Ｃ）
、６５℃で１５時間加熱還流した。

この反応液に１１２０ｒｒｌｌの氷水を加え、酢酸エチ
ル１３５０ｍｌで抽出し、酢酸エチル層を水４５０ｍ１
で洗浄し、無水芒硝で脱水後、減圧下濃縮乾燥して淡黄
色粉末３．９８ｇを得た。

これをベンゼン−メチルエチルケトン（１：１容）を展
開溶媒とするシリカゲル（４００，９）の塔クロマトグ
ラフィーを行い、１８７７１１ずつ分画した。

分画７７−１７０を集め、減圧下濃縮乾燥してδ位のヨ
ード置換体（２種の立体異性体の混合物）１．：ｌ（２
ミＩＪモル）を得た。

収率２２％。

このδ−ヨード置換体９３７■（１，４６ミリモル）を
メタノール２０ＴＬ１１水８ｒｎｌにとかし、５％パラ
ジウム−炭酸バリウム１０ｇを加え、室温攪拌下２．５
時間水素ガスを通じて、脱ハロゲン化反応とベンジルオ
キシカルボニル基の脱離を同時に行った。

触媒を炉去し、ろ液を減圧下濃縮乾燥した後、水１６ｍ
１に溶解し、５Ｎアンモニア水でｐＨ９，２−９，４と
し、これをアンバーライトＣＧ−５０（ＮＨ４＋） ９
７扉ｌの塔に通過吸着せしめ、水洗（６００１１１１）
後、０．２％アンモニア水６５０ｍ１で溶出し、５ｍｌ
ずつ分画した。

大腸菌に一１２株に抗菌力を有し、ニンヒドリン反応陽
性の分画２０−５０を集め、減圧下濃縮乾燥してデオキ
シネガマイシンの白色粉末９５１ｎ９を得た。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 次式 〔式中、Ｄは水素原子又はメトキシ基を示す〕で示され
   るデオキシネガマイシン〔式中、Ｄが水素原子である場
   合〕又はＯ−メチルネガマイシン〔式中、Ｄがメトキシ
   基である場合〕であるδ−置換ネガマイシン誘導体。 ２ 次式 で表わされるデオキシネガマイシンである特許請求の範
   囲第１項に記載のδ−ネガマイシン誘導体。 ３ 次式 で表わされるＯ−メチルネガマイシンである特許請求の
   範囲第１項に記載のδ−置換ネガマイシン誘導体。