JPS5826324A - 磁気記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は罎性金属を記憶媒体とする連続薄膜形磁気記憶
体を用いた磁気記憶装置に関するものである。

内気記・は装置の太拝量以、尚性能化の要請は近年益々
高まっており、これを実現させる為に高密Ｊａｔ記録に
適する連続薄１換形低気ｉ己憶坏を用いた磁気記憶装置
が開発されつつある。連秋薄膜形ｔａ気記憶体は、磁気
・＼ットとのＡｄｄ合せにおいて一気ヘッドをできる限
り接近させて記録，再生を行える様に、ぞの表面は極め
て平滑（こ仕上げられている。

このような一気す己１は体を用いて、操作開始時に峰気
″ンドと磁気記憶体表１ｎ１とを徽）５す）状態に４：
７トシておき、その１１湾気り己憶体に所要の回転を与
えることにより一気・＼ノドと（至）り（記１息体表面
間に空気噛分の空間を作り、この状態で記録，杓生を行
ｆぶつ、所謂コンタクト・スタート・ストンプ方式の操
１乍を行なっていると、磁気り己１急１＋と０ム気・＼
ラド向の一気的接続が不十分の場合に次のようｙ６問題
か起こることかりｊらかとなった。

罎気ｍｌ博ｆトか１苧止しているときは低気・＼ラドは
一気配憶体表面に暫着状ｊ魚で接）す（しているが、こ
の様な状態が長時１’ｄ＋昧たζしたのち磁気１己憶体
を回転させた時に鐵気−＼ツド及び両気記憶体衣ａＩＪ
が撰市９−る事故か発失することかある。

このような現象（Ｊ％ｉＬ系を會む薄膜が板憶された置
注金属を記憶媒体とする連続薄験形低気配単体において
顕著に現わ？’Ｌ、　ｌｉ（性粉禾をバインダー中に分
散させて塗布した形の所謂コーチイツト・ディスクでは
あまり問題にならない。

また、このような現象は、湿度の直い雰囲気はど起こり
やすく、５０％以上の湿度になると韻者に尻イつれてく
る。

本発明は、珪素を含む薄膜が被覆さ？１．た６穆性金属
を記憶媒体とする遅伏薄江・Ａ形−気古曲りｉ体を用い
る山気ｉ已″１゛す装置１′ｔｊこよ］けるこのような
問題を牌決することを目的とするものであって、その基
本的な１１１５成の−しＵは図にボす如く、モータｌに
より駆動さイする回転シャフト２に収り付けら不ｔた罎
Ａティスク３とその１眠気ディスク３に対向してｆ！Ｐ
揚しその一気ディスク３に１Ｒ報の記録、門生を行っ一
気・＼ラド４との間に′電圧が印〃ｌ’ｌされたもので
ある。

不発明でｈＪいられる蛍属＃泡薄映を記憶殊庫とＴ６連
軟薄睨形画気記１怠捧は、基板の上ζこノ１さ数十μ口
１のＦ地１４Ｍ＋曽が設けられ、その上に厚さ０．０３
〜０．１μｍの金属隆注媒犀感・が被包さイ１７、さら
にそ０）上ζこ厚さ０．０１〜０３μｎ１の保祿膜が被
見さｒｎた構造、又はその構造の金属磁性媒体層と保護
膜の間にさらに厚さ０．０２μｍ程度の非両性合金層が
設けらイアたイ＾ン造をもっている。

基板としてはチタン合金や軽くて加工１牛のよいアルミ
合金板をうねりが円周方向で５０μｍ、Ｊ下、午径万［
［すで１００μｍ以下になるように旋盤７ＪＩＩ工と熱
矯正により（仮イ放加工して用いられる。下地体層は平
？ｔな表面を得る為に設けら？−１，るものであって、
Ｎ１−Ｐ合金などがめつきにより被覆され、その表１［
＋１粗さが最大で０．０３μｍぐらいになるよう（こ恢
械的に（ｉｊｒ摩さイ′シる。合金両性媒１本層はＣｉ
Ｊ、Ｎｉ又はＦｅそ含む合金で、代表的なものとしては
Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ。

Ｃｏ−Ｍｎ　−Ｐ　、　Ｃｏ−Ｖ←Ｐ、Ｃｏ−Ｃｒ　ｆ
、ｆどかあり、こｌらはめっき法、蒸着法、スパッタ法
又はイオンプレーテング法で形成される。保護膜として
は珪ｆ９ポリマー（ポリ珪取）、カラス、その他の辻累
酸化物若しくは珪素屋化物などの珪素化合物が用いられ
る。

また、非両性合金層は、金属磁性媒体層とその上の保膿
膜との密府性を同上させるために設けらイ１．たもので
あって、Ｎ１−Ｐが好ましい。

本発明ｌこ用いらイ１．る一気・＼ラドは浮揚型・＼ラ
ドでありで、代表的なものは浮揚面がｆ、ａｔＰ＋千面
形状面形円筒面形状に形成さｒしたスライダを有してい
る・＼ラドコアが薄い板はねて前後左右に揺動可能にシ
ンバル支持され、更に薄い板ばねで・＼ラドアームに取
りつけられ、コアは板ばねにより磁気ｄ６憶体面に向っ
て押圧されている。

一気・＼ノドと一気記憶体間に電圧を印力１１するには
、沫す両者を電気的に絶縁しておき、しかる後離諒５の
一端を図の如く・＼ラドアーム６を固定しているヘッド
支持具７に接続し、他端をｌＰｌ私シャフト２に接続す
れば良い。回転シャフト２からの端子の取り出しは例え
ばカーボン８を介して電気的接続を保ちつつ行うことが
出来る。

面、図において気抗９は、磁気記憶体の絶縁か破壊され
た場合に電源５を保餓するために仲人されたものであっ
て数百〜数千０か過当である。また回路の一部（正負い
ずれの側でもよい）を接地してもよい。゛電圧の印加は
、磁気・＼ッドーＩＩ１１を正、磁気記憶体側を負にし
なけわ、ばならない。この印加を逆にした場合には磁気
ｉ６憶体表面で化学変化が起こり保護膜の剥離及び・＼
ラド表面への保護膜の付着現象が発生する。また、印加
電圧は数十Ｖ以下に押えなければならない。印加出来る
電圧の上限は磁気記憶体の保浪膜の耐圧強度に１ぺ存し
、そイ１は保護膜の４１１ｉ類、厚さに依存する。−例
として、保ｉ膜に０゜０８μｍの厚さのポリ珪酸を用い
た場合、約２０　Ｖで絶縁破壊が６られた。し力）しな
がら、一般に実際の装置では磁気記憶体と一気・＼ラド
間に数十７以上の電圧がかかる場合は非富に該れである
。

次に実施し０ζこより本発明をさらに詳細に説明するＯ −気・＼ラドと磁気記憶体間で一気ヘッド側に正の電圧
を印カロした場合（実施例）と磁気記憶体側に正の電圧
を印加した場合（比較例）の湿度５０％。

偏屈２５℃に石ける磁気・＼ノド及び磁気記ｗ１１４−
の表面の変化を観察した結果を表に示す。実施例及ひ比
較レリの磁気ｉ６憶１＋は、うイつりか円周方向で５０
μｍ以下、牛径力同で５０μｒｒｌ以下に）Ｊｌ’ｌ工
さ？’したアルミ合金から１．１″るティスフ状基板上
に、下地体ｌ曽としてｌＮ１−Ｐ合金が約３０μｍの厚
さにめっきさイ］、こｎを茨面粗さが最大０．０２μｍ
になるように厚さ１５μｍまで鏡面（υ丁摩仕上し、さ
らにその上に金属両性媒体層としてＣ０−Ｎ１−Ｐ台金
が００８μｉｎの厚さにめっきさｎ、た後、その上にテ
トラヒドロキシランを２重菫裂含むイソプロピルアルコ
ール浴欣をスヒ／塗布法により惰イ■して乾燥し５て気
中で２００　ｔ：で５１＋子曲焼成し１こポリ紅敵保嫂
膜か被覆さイｔたものである。

（以　下　余　白ジ 表から、肯気ｉ由、は体１μｍ」に正の電圧がかかり、
磁気記憶体と磁気・＼ラド間に′Ｉａ流が流わた場合、
保畝膜の化学変化が起こり保Ｍ膜剥離が発生することか
分る。これをさけるには、富に磁気・＼ラド側に正の電
圧がかかる様にすれはよい。

ン、こ除の１１社気ｄ己１息装置では、磁気記憶体と一
気・＼ラドは同一のベース・プレートと完全に接続さ３
％ているので両者間に電圧がかかることは才れと考えら
ｎるが、本発明によれば、−気・＼ラドと磁気記憶体が
接触状態（こある時に何らかの原因で磁気ｍｌ憶体側に
正の電圧がかかった場合ζこ生ずる事故を未然に防止す
ることが出来、磁気記憶装置実現の上で本発明の来たす
意杖は極めて大きいものである。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施しｌｌを示ず概略図である。 １・・・・・・モータ、　　　　２・・・・・・回転シ
ャフト。 ３・・・・・・−気記憶体、　４・・・・・・磁気・＼
ラド。 ５・・・・・・東源、　　　　　６・・・・・・ヘッド
アーム。 ７・・・・・・・＼ラド支持台。 ８・・・・・・端子取出しカーボン。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 回転シャフトζこ取りつけられｆ珪素を含む薄膜が被覆
   されたｔｉｉ気記気息１意 気記憶体衣面に接近して浮揚しその一気記憶体への情報
   の記録，再生を行ηＣう固気−＼ッドとを有する磁気配
   億装Ｗにおいて、ｆ１１■記磁気記憶体と一気・＼ラド
   との間で　′　　　　　　　　磁気・＼ツＦ′側が正，
   磁気記憶体側が負になるように延圧が印７ＪＩ＋されて
   いることを特徴とする磁気記憶装置。