JPS5821439B2 - Ceramic splint body warmer Oyobi Sonoseizouhouhou - Google Patents
Ceramic splint body warmer Oyobi SonoseizouhouhouInfo
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- JPS5821439B2 JPS5821439B2 JP50022768A JP2276875A JPS5821439B2 JP S5821439 B2 JPS5821439 B2 JP S5821439B2 JP 50022768 A JP50022768 A JP 50022768A JP 2276875 A JP2276875 A JP 2276875A JP S5821439 B2 JPS5821439 B2 JP S5821439B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミックス基板上に、強い密着強度をもった
電気伝導性金属薄膜を形成させたプリント回路板の製造
方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a printed circuit board in which an electrically conductive metal thin film with strong adhesive strength is formed on a ceramic substrate.
その主たる目的とするところは、新しい手法によりセラ
ミックス基板上に、結晶性および密着性のすぐれた金属
薄膜の形成を可能にすることにより、回路の高密度化を
可能にすると共に、高い信頼性をもったプリント回路板
の工程の短縮された簡便な製造方法を提供しようとする
ものである。The main objective is to use a new method to form a metal thin film with excellent crystallinity and adhesion on a ceramic substrate, thereby making it possible to increase circuit density and improve reliability. It is an object of the present invention to provide a simple method for manufacturing a printed circuit board with a shortened process.
従来セラミックスプリント回路板は、セラミックス基板
上に真空蒸着やスパッタリングなどの物理的手法により
薄膜を形成するか、又は導電性ぺiインドにて基板上に
回路を印刷する方法がとられている。Conventionally, ceramic splint circuit boards have been produced by forming a thin film on a ceramic substrate using a physical method such as vacuum deposition or sputtering, or by printing a circuit on the substrate using conductive paint.
しかしながら、従来の物理的な方法では十分な密着強度
が得られず、従って高い信頼性のあるプリント回路板が
得られなかったこと、又結晶性の良い優れだ膜質が得ら
れなかったこと、貴金属を用いた場合収率が低く、製品
のコストが高いことなどの欠点があった。However, with conventional physical methods, sufficient adhesion strength could not be obtained, and therefore highly reliable printed circuit boards could not be obtained, excellent film quality with good crystallinity could not be obtained, and precious metals could not be obtained. However, when using this method, there were disadvantages such as low yield and high product cost.
又導電性ペイントを用いる場合は、焼付けなどの後工程
を必要としコストが高くなること、高密度回路の作成が
困難なことなどの欠点があった。Further, when using conductive paint, there are drawbacks such as high cost due to the need for post-processes such as baking, and difficulty in creating high-density circuits.
本発明者らは従来のセラミックスプリント回路板のこれ
らの欠点を解決するため、鋭意研究を進めた結果、セラ
ミックス基板に特殊な物理的手段を適用することにより
、セラミックス基板上に強い密着強度をもった電気伝導
性金属薄膜の回路を直接形成させたセラミックスプリン
ト回路板の製造方法を見い出し、更に種々研究を進めて
本発明を完成するに至ったものである。In order to resolve these drawbacks of conventional ceramic printed circuit boards, the inventors of the present invention have carried out intensive research and have developed a method that provides strong adhesion strength to ceramic substrates by applying special physical means to the ceramic substrate. The inventors discovered a method of manufacturing a ceramic splint circuit board in which a circuit of an electrically conductive metal thin film was directly formed, and after conducting various researches, the present invention was completed.
次に本発明の詳細な説明 一例に従い説明する。Next, a detailed description of the invention An example will be explained.
本発明に使用する装置の一例を第1図及び第2図に示し
た。An example of the apparatus used in the present invention is shown in FIGS. 1 and 2.
捷ず蒸着室3内をI X 1 0 −’TorrからI
XIO−7Torrの真空に保ち、赤熱したルツボヒー
ター8と蒸着しようとする金属を入れたルツボ12の間
に0.IKV〜IOKVの直流電圧をルツボ側をプラス
として印加し、0,1〜10Aの電流を流し、200〜
2500℃に加熱する。The inside of the deposition chamber 3 is changed from I
A vacuum of XIO-7 Torr is maintained, and a vacuum of 0.0 Torr is maintained between the red-hot crucible heater 8 and the crucible 12 containing the metal to be deposited. A DC voltage of IKV to IOKV was applied with the crucible side set as positive, a current of 0.1 to 10A was applied, and a current of 200 to 10A was applied.
Heat to 2500°C.
この場合、ルツボの加熱方法としては、電子衝撃による
方法以外に、抵抗加熱や誘導加熱による方法でもよく又
これらを組合せた加熱方法でもかまわない。In this case, the method of heating the crucible may be, in addition to the electron impact method, resistance heating or induction heating, or a heating method that is a combination of these methods.
ルツボは蒸着しようとする金属か十分に蒸発する温度に
壕で加熱されればよく、蒸発しようとする金属の種類に
よっては1500℃以下でもよく、ルツボとルツボヒー
ター間に消費される電力はこの温度を昧つのに十分でな
くてはならない。The crucible needs to be heated in a trench to a temperature that sufficiently evaporates the metal to be evaporated, and depending on the type of metal to be evaporated, the temperature may be below 1500℃, and the electric power consumed between the crucible and the crucible heater must be kept at this temperature. It must be sufficient to understand.
ルツボ温度が高くなり、ルツボ内の金属蒸気圧が高捷る
と、゛金属蒸気はルツボ上部の小孔から」一方に噴射さ
れる。When the crucible temperature rises and the metal vapor pressure inside the crucible increases, the metal vapor is injected in one direction from the small hole at the top of the crucible.
噴射された金属蒸気はルツボ内外の圧力差により急冷さ
れ、噴射方向以外の方向への運動エネルギーを失い、フ
ァンデルワールスの力によりクシスター(塊状の原子集
団)となる。The injected metal vapor is rapidly cooled by the pressure difference between the inside and outside of the crucible, loses kinetic energy in directions other than the direction of injection, and becomes kusisters (clumps of atoms) due to van der Waals forces.
ルツボの形状は円筒、パイプ状、箱型等いずれの形状で
もよいか、例えば円筒形の場合にはルツボ小孔の直径は
ルツボ内径の1%から30%であるが、より好ましくは
5〜20%である。The shape of the crucible may be cylindrical, pipe-shaped, box-shaped, etc. For example, in the case of a cylindrical shape, the diameter of the crucible small hole is 1% to 30% of the crucible inner diameter, but more preferably 5 to 20%. %.
これは小孔の直径がルツボ内径に比して犬なる場合は、
ルツボ内外の圧力差が小さくなりクラスターの発生率が
小さくなり、小孔の直径がルツボ内径に比して小なる場
合は、蒸着速度か小さくなるためである。This means that if the diameter of the small hole is smaller than the inner diameter of the crucible,
This is because the pressure difference between the inside and outside of the crucible becomes smaller, the rate of cluster generation becomes smaller, and when the diameter of the small hole becomes smaller than the inner diameter of the crucible, the deposition rate becomes smaller.
次に生成されたクラスターは赤熱したイオン化ヒーター
10とイオン化陽極9との間にイオン化陽極をプラスに
して直流電圧を印加することにより発生する電子との衝
突によりイオン化され、基板電極5、及び引出し電極1
1とイオン化陽極の間に印加された電圧により加速され
基板のセラミックスTに堆積する。Next, the generated clusters are ionized by collision with electrons generated by applying a DC voltage between the red-hot ionization heater 10 and the ionization anode 9 with the ionization anode being positive, and the clusters are ionized by collision with electrons generated by applying a DC voltage between the red-hot ionization heater 10 and the ionization anode 9. 1
It is accelerated by the voltage applied between the ionizing anode and the ionizing anode, and is deposited on the ceramic T of the substrate.
この場合イオン化のだめイオン化ヒーターとイオン化陽
極に印加される直流電圧は10〜100OVであり、イ
オン化のだめの電子電流は例えばI XI O−’ T
orrの金属蒸気圧に対して10〜1000mAでよい
が、セラミックス基板に対しては10〜300mAが好
ましく、さらに金属蒸気圧が高くなった場合はこの電流
を増す必要がある。In this case, the DC voltage applied to the ionization heater and the ionization anode is 10 to 100 OV, and the electron current in the ionization tank is, for example, I
The current may be 10 to 1000 mA with respect to the metal vapor pressure of orr, but 10 to 300 mA is preferable for ceramic substrates, and if the metal vapor pressure becomes higher, this current needs to be increased.
又基板電極及び引出し電極の間に印加される電圧は、1
0〜100OOVであるか、セラミックス基板に対して
は100〜5000Vが好ましい。Also, the voltage applied between the substrate electrode and the extraction electrode is 1
0 to 100 OOV, preferably 100 to 5000 V for ceramic substrates.
この様にしてセラミックス基板上に金属薄膜を蒸着させ
る際、基板の表面にマスキングすることにより部分的な
蒸着を行い、所要のパターンを賦与させたプリント回路
板を直接得ることが出来る。When a metal thin film is deposited on a ceramic substrate in this way, partial deposition is performed by masking the surface of the substrate, and a printed circuit board with a desired pattern can be directly obtained.
ここで用いられるマスキングの方法の一例としては、必
要な回路部分をエツチングにより除去して得た、所要の
回路と逆パターンの金属薄板を基板の蒸着面に密着させ
る方法、基板にあらかじめ所要の回路の逆パターンをイ
ンク又は写真にて印刷しておき、蒸着終了後インク又は
写真印刷上に賦与された蒸着金属を機械的又は化学的な
方法により除去する方法などがある。Examples of masking methods used here include a method in which a thin metal plate with a pattern opposite to that of the desired circuit, obtained by removing the necessary circuit portion by etching, is closely attached to the vapor-deposited surface of the substrate; There is a method in which a reverse pattern of the pattern is printed in ink or a photograph, and after the deposition is completed, the deposited metal applied on the ink or photographic print is removed by a mechanical or chemical method.
基板のセラミックスは供給部1から回収部2へとガイド
チェーン上を移動するか、蒸着時は蒸着室上部に取りつ
げであるマスク14上で静止し、おさえ5によりおさえ
られマスクとの密着性を保つ様にする。The ceramic substrate moves on a guide chain from the supply section 1 to the recovery section 2, or during vapor deposition, it rests on a mask 14, which is a fixture at the top of the vapor deposition chamber, and is held down by a presser 5 to ensure close contact with the mask. Try to keep it.
この場合基板とマスクを同速度で移動させながら回路を
蒸着させる事も勿論可能である。In this case, it is of course possible to deposit the circuit while moving the substrate and mask at the same speed.
; 上記手法において蒸着室内の真空度を1×10’T
orrからI X 10−7Torrと高くする理由は
、結晶性かよく膜質の良い金属膜を得るためである。; In the above method, the degree of vacuum in the deposition chamber is set to 1×10'T.
The reason for increasing I x 10-7 Torr from orr is to obtain a metal film with good crystallinity and good film quality.
又ルツボ上部の小孔から金属蒸気を噴出させることによ
り金属クラスターを生成すると同時に蒸発蒸気及びクラ
スターの空間分布をせばめ金属の基板へ到達する割合を
犬にする効果がある。In addition, by ejecting metal vapor from the small holes in the upper part of the crucible, metal clusters are generated, and at the same time, the spatial distribution of the vaporized vapor and clusters is narrowed to reduce the rate at which they reach the metal substrate.
なお噴射された金属蒸気及び金属クラスターをイオン化
し加速する理由は、金属蒸気及び金属クラスターに数1
0eVから数1000eVのエネルギーを与え、基板表
面に金属原子及びり2スターを埋めこませ強い密着強度
を得るためである。The reason why the injected metal vapor and metal clusters are ionized and accelerated is as follows:
This is to provide strong adhesion strength by applying energy from 0 eV to several thousand eV to embed metal atoms and two stars in the substrate surface.
又強い密着強度と良い膜質を得るために、セラミックス
基板は100〜700℃に加熱することが好ましい。Further, in order to obtain strong adhesion strength and good film quality, it is preferable to heat the ceramic substrate to 100 to 700°C.
ここで金属蒸気を発生させるために用いられる金属物質
は、電気伝導性をもち、lXl0−”Torrの蒸気圧
になる温度が、2500℃以下の金属であればよい。The metal substance used to generate the metal vapor here may be any metal as long as it has electrical conductivity and a temperature at which the vapor pressure of 1X10-'' Torr is 2500° C. or less.
例えばkl、Cu、Pb、Cr、Ni、Fe、Auなど
があるが特にこれに限ることは無い。Examples include kl, Cu, Pb, Cr, Ni, Fe, Au, etc., but are not particularly limited to these.
あまり蒸発温度の高い金属はルツボの破損が著しくなる
ので好ましくな□ハ。Metals with too high evaporation temperature are not preferred because they will seriously damage the crucible.
基板として用いられるセラミックスは、?RRのセラミ
ックスならどんなものでもよい。What kind of ceramics is used as a substrate? Any RR ceramics will suffice.
例えばステアタイト、フォルステライト、アルミナ、長
石、ベリリア、結晶化ガラス、通常のガラスなどが挙げ
られる。Examples include steatite, forsterite, alumina, feldspar, beryllia, crystallized glass, and ordinary glass.
これらの基板の厚さには、特に制限はないか、本発明に
は0.1 mmから10mm厚程度のセラミックス基板
か好ましい。There is no particular limit to the thickness of these substrates, and for the present invention, ceramic substrates having a thickness of approximately 0.1 mm to 10 mm are preferred.
金属膜の厚みも用途に応じあらゆる厚さが成膜可能であ
り、その厚みは用途により定められるか、本発明の目的
のためには一般には数A〜数10μまでの厚みか適して
いる。The thickness of the metal film can be formed to any thickness depending on the application, and the thickness may be determined depending on the application, or a thickness of several amps to several tens of microns is generally suitable for the purpose of the present invention.
この様にして作成されたプリント回路板は従来のプリン
ト回路板に適用される加工方法即ち、湿式メッキ法など
を用いることかでき、電気機器、電子機器など広い用途
に用いることか出来る。The printed circuit board produced in this manner can be processed by conventional processing methods applied to printed circuit boards, such as wet plating, and can be used in a wide range of applications such as electrical equipment and electronic equipment.
本発明により作成したセラミックスプリント回路板は従
来のセラミックスプリント回路板に比し多くの優れた特
徴をもっている。The ceramic printed circuit board made according to the present invention has many advantages over conventional ceramic printed circuit boards.
即ち、(1) セラミックス基板上にピンホールの無
い均質な電気伝導性薄膜が強い密着強度をもって賦与さ
れている。That is, (1) a pinhole-free, homogeneous electrically conductive thin film with strong adhesion strength is provided on the ceramic substrate.
密着強度は、60kg/CrIL2以上と良好である。The adhesion strength is good at 60 kg/CrIL2 or more.
(2) 従来のセラミックスプリント回路板に比し、
金属膜の密度が高く、密着力が強いため、微細回路の作
成に適しており、回路の高密度化が可能である。(2) Compared to conventional ceramic printed circuit boards,
Because the metal film has a high density and strong adhesion, it is suitable for creating fine circuits, and it is possible to increase the density of circuits.
(3)高真空中にて蒸着物質に高い運動エネルギーを与
える事により膜を形成するため、膜の結晶性が良く、従
って電気伝導性が良好である。(3) Since the film is formed by applying high kinetic energy to the deposited substance in a high vacuum, the film has good crystallinity and therefore good electrical conductivity.
これは回路の設計において有利となる。This is advantageous in circuit design.
(4)ルツボ上部の小孔から金属蒸気を噴出させること
により金属蒸気の空間分布かせばめられるため、蒸着金
属の収率が非常に高い。(4) The spatial distribution of metal vapor is narrowed by ejecting the metal vapor from the small holes in the upper part of the crucible, so the yield of vapor-deposited metal is extremely high.
これは蒸着物質に貴金属を用いる場合きわめて有利とな
る。This is extremely advantageous when noble metals are used as the vapor deposition material.
以上述べた様に、本発明により作成したセラミックスプ
リント回路板は多くの優れた特徴を有しており、又その
製造方法も簡便にしてしかも精度の高い無公害、省資源
の工業的にきわめて有効な方法である。As described above, the ceramic splint circuit board produced according to the present invention has many excellent features, and the manufacturing method thereof is simple, highly accurate, pollution-free, and resource-saving, making it extremely effective industrially. This is a great method.
実施例 1
基板材料として1.0龍厚のアルミナ板を用い、第1図
及び第2図の装置を用い金を蒸着した。Example 1 An alumina plate having a thickness of 1.0 mm was used as a substrate material, and gold was deposited using the apparatus shown in FIGS. 1 and 2.
ルツボは内径30mm、高さ30mmで中央に3mmp
の孔1個を有し、カーボン製である。The crucible has an inner diameter of 30mm, a height of 30mm, and a 3mm point in the center.
It has one hole and is made of carbon.
蒸着の条件は第1表の通りで、ステンレス製のマスクを
通して1μの膜厚の金を蒸着し、所要のパターンの回路
を有した回路板を得た。The deposition conditions were as shown in Table 1, and gold was deposited to a thickness of 1 μm through a stainless steel mask to obtain a circuit board with a circuit in the desired pattern.
この様にして作成したプリント回路板はピンホールのな
い均質な金膜の回路を有しており、密着強度も60kg
/cr/L2以上を示した。The printed circuit board created in this way has a homogeneous gold film circuit with no pinholes, and has an adhesion strength of 60 kg.
/cr/L2 or more.
さらにこの回路板の最小回路幅は20μであった。Furthermore, the minimum circuit width of this circuit board was 20 microns.
又ハンダ耐熱性、耐楽品性などもすぐれており、十分に
実用可能なプリント回路板であった。It also had excellent solder heat resistance and wear resistance, making it a fully usable printed circuit board.
実施例 2
1 実施例1と同じ条件により20mm厚のステアタイ
ト磁器基板に、2μの銅膜を形成した。Example 2 1 A 2μ thick copper film was formed on a 20mm thick steatite porcelain substrate under the same conditions as in Example 1.
この場合もピンホールのない均質な銅膜が得られ、密着
強度は60kg/CIrL2以上であった。In this case as well, a homogeneous copper film without pinholes was obtained, and the adhesion strength was 60 kg/CIrL2 or more.
最小目幅は20μであったが、回路間の直流及び交流の
低圧及び)高圧の絶縁性、ハンダ耐熱性なども良好であ
り、十分に実用に耐えるプリント回路板であった。Although the minimum mesh width was 20μ, the printed circuit board had good DC and AC low voltage and high voltage insulation properties, soldering heat resistance, etc. between the circuits, and was sufficiently durable for practical use.
実施例 3
実施例1と同じ条件により、1.0龍厚のべIJ IJ
ア磁器基板に銅を2μ蒸着し、プリント回路を形成し、
その上に湿式法により金を1μメツキした。Example 3 Under the same conditions as Example 1, 1.0 dragon thickness IJ IJ
2 μm of copper is deposited on a ceramic substrate to form a printed circuit.
1 μm of gold was plated thereon by a wet method.
金メツキ後の密着強度は50kg/CIIL2以上であ
り、ハンダ耐熱性も良好であり、高密度小形回路板とし
て十分使用出来るものであった。The adhesion strength after gold plating was 50 kg/CIIL2 or more, the solder heat resistance was also good, and it could be used as a high-density small circuit board.
第1図は本発明に使用する装置の概要を、第2図は蒸着
室の概要を示した。
図中1は基板供給部、2は基板回収部、3は蒸着室、4
はクラスターイオンビーム発生部、5は基板電極及び基
板加熱装置をかねた押え、6はガイドチェーン、7は基
板のセラミックス、8はルツボヒーター、9はイオン化
陽極、10はイオンヒーター、11は引出じ電極、12
はルツボ、13は蒸着に用いる金属、14はマスクを示
す。
尚、第2図のAl−Al、’、A2−A2’、B1−B
1’、B2−B2’は接続されていることを示している
。FIG. 1 shows an overview of the apparatus used in the present invention, and FIG. 2 shows an overview of the vapor deposition chamber. In the figure, 1 is a substrate supply section, 2 is a substrate recovery section, 3 is a deposition chamber, and 4
1 is a cluster ion beam generation unit, 5 is a presser that also serves as a substrate electrode and a substrate heating device, 6 is a guide chain, 7 is a ceramic substrate, 8 is a crucible heater, 9 is an ionization anode, 10 is an ion heater, and 11 is a drawer. electrode, 12
13 indicates a crucible, 13 a metal used for vapor deposition, and 14 a mask. In addition, Al-Al, ', A2-A2', B1-B in Fig. 2
1' and B2-B2' indicate that they are connected.
Claims (1)
金属蒸気発生炉を加熱し、小孔から金属クラスター(塊
状の原子集団)を発生させ、この金属り2スターを室内
に設けた電子発生装置から発生する電子にて衝撃するこ
とによりイオン化し、発生した金属クラスターイオンを
非イオン化金属クラスターの混在する雰囲気中で加速し
、連続的に移動する金属膜の付着を行うべきセラミック
ス基板にプリント回路を作成するだめのマスクを通し照
射することによりセラミックスプリント回路板を製造す
る方法。1 In an evacuated room, heat a metal steam generation furnace with one or several sets of small holes, generate metal clusters (clump-like atomic groups) from the small holes, and bring this metal 2 star into the room. Ceramics that are ionized by being bombarded with electrons generated from a provided electron generator, and the generated metal cluster ions are accelerated in an atmosphere containing non-ionized metal clusters to attach a continuously moving metal film. A method of manufacturing ceramic printed circuit boards by irradiating the board through a mask to create printed circuits on the board.
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---|---|---|---|
JP50022768A JPS5821439B2 (en) | 1975-02-26 | 1975-02-26 | Ceramic splint body warmer Oyobi Sonoseizouhouhou |
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NL7601405A NL7601405A (en) | 1975-02-12 | 1976-02-11 | FILM, SHEET OR PLATE OF INSULATING MATERIAL, WITH A COATING OF METAL, AND A METHOD OF MANUFACTURING SUCH A FILM, SHEET OR PLATE. |
FR7603707A FR2300822A1 (en) | 1975-02-12 | 1976-02-11 | INSULATING MATERIALS UNDER F |
AU11082/76A AU486357B2 (en) | 1975-02-12 | 1976-02-13 | Insulating material |
HK31382A HK31382A (en) | 1975-02-12 | 1982-07-08 | Insulating substrate with metallic coating and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP50022768A JPS5821439B2 (en) | 1975-02-26 | 1975-02-26 | Ceramic splint body warmer Oyobi Sonoseizouhouhou |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPS51109471A JPS51109471A (en) | 1976-09-28 |
JPS5821439B2 true JPS5821439B2 (en) | 1983-04-30 |
Family
ID=12091840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP50022768A Expired JPS5821439B2 (en) | 1975-02-12 | 1975-02-26 | Ceramic splint body warmer Oyobi Sonoseizouhouhou |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPS5821439B2 (en) |
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JPH0714636B2 (en) * | 1984-02-21 | 1995-02-22 | ロックウッド・テクニカル・インコ−ポレ−テッド | Rotary screen printer |
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JPS5195274A (en) * | 1975-01-23 | 1976-08-20 |
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1975
- 1975-02-26 JP JP50022768A patent/JPS5821439B2/en not_active Expired
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JPS51109471A (en) | 1976-09-28 |
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