JPS58214149A - 微細パタ−ン形成方法 - Google Patents
微細パタ−ン形成方法Info
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- JPS58214149A JPS58214149A JP9614282A JP9614282A JPS58214149A JP S58214149 A JPS58214149 A JP S58214149A JP 9614282 A JP9614282 A JP 9614282A JP 9614282 A JP9614282 A JP 9614282A JP S58214149 A JPS58214149 A JP S58214149A
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- photoresist
- fluorocarbon
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- forming
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は微細パターン形成方法に関し、詳しくは、現像
に液体を使用しないドライ現像に関する。
に液体を使用しないドライ現像に関する。
各種半導体装置の馬連化と高密度化に伴ない、１μｍ以
下の線幅の微細パターンを高い精度で形成し得る技術の
必要性が増大している。
下の線幅の微細パターンを高い精度で形成し得る技術の
必要性が増大している。
従来、微細パターンの形成は、感光性（感輻射線性）組
成物（レジスト）を感光さ亡た後、有機溶媒あるいはア
ルカリ水溶液等で現像する工程を経て行なわれてきた。
成物（レジスト）を感光さ亡た後、有機溶媒あるいはア
ルカリ水溶液等で現像する工程を経て行なわれてきた。
しかし、１μｍ以下の微細なレジスト像を大口径（直径
４インチ以上）のウェハ上で均一に寸法精度良く形成す
るという課題を考えると、液体による現像は広い領域で
の均一性に問題があるので、気体を利用した現像技術の
開発が望まれる。また、作業の安全性および廃液処理の
観点からも、液体より気体−が好ましい。
４インチ以上）のウェハ上で均一に寸法精度良く形成す
るという課題を考えると、液体による現像は広い領域で
の均一性に問題があるので、気体を利用した現像技術の
開発が望まれる。また、作業の安全性および廃液処理の
観点からも、液体より気体−が好ましい。
本発明の目的は、上記の課題を解決するドライ現像の方
法を提供することにある。
法を提供することにある。
以下本発明を実施例によシ説明する。
実施例１
ｍ−クレゾールとホルムアルデヒドとの付加線金物（い
わゆるノボラック樹脂）、およびポリ（１）−ヒニルフ
ェノール）を、それぞれ別に０．５μｍの厚さにンリコ
／基板上に塗布し、これに、線幅１μＩｎのパターンを
描いたクロムマスクを介して波長２５４ｎｍにおける強
度が５．５ ｍ Ｗ々がである遠紫外光を２００秒間照
射して試料を作成した。この試料を、Ｃ４Ｆ３（オクタ
フルオロシクロフリン） ：）ｉｅ＝１ ：１ （体積
比）なる混合ガスを用いた反応性スパッタエッチ（電流
２．２５Ａ。
わゆるノボラック樹脂）、およびポリ（１）−ヒニルフ
ェノール）を、それぞれ別に０．５μｍの厚さにンリコ
／基板上に塗布し、これに、線幅１μＩｎのパターンを
描いたクロムマスクを介して波長２５４ｎｍにおける強
度が５．５ ｍ Ｗ々がである遠紫外光を２００秒間照
射して試料を作成した。この試料を、Ｃ４Ｆ３（オクタ
フルオロシクロフリン） ：）ｉｅ＝１ ：１ （体積
比）なる混合ガスを用いた反応性スパッタエッチ（電流
２．２５Ａ。
圧力２０Ｐａ）により１５分間処理した。この結果、い
ずれの試料も、光の照射されていない部分の樹脂は除去
され、照射された部分が残って、線幅１μｍのパターン
が形成された。この時、残ったパターンの厚さは０．４
５μｍで、初期膜厚の０．５μｍに対して、１０チが現
像に際して失なわれたが、これは許容し得る量である。
ずれの試料も、光の照射されていない部分の樹脂は除去
され、照射された部分が残って、線幅１μｍのパターン
が形成された。この時、残ったパターンの厚さは０．４
５μｍで、初期膜厚の０．５μｍに対して、１０チが現
像に際して失なわれたが、これは許容し得る量である。
反応性スノシツタを利用しているため、形成されたパタ
ーンの側壁は垂直にきり立っていた。これは液体による
現像では得られない効果である。また、４インチウェハ
全面における寸法のバラツキは、１．０μｍ±０．０１
μｍ（５０点測定）であり、従来法の１．０μｍ±０．
０２μｍより向上している。
ーンの側壁は垂直にきり立っていた。これは液体による
現像では得られない効果である。また、４インチウェハ
全面における寸法のバラツキは、１．０μｍ±０．０１
μｍ（５０点測定）であり、従来法の１．０μｍ±０．
０２μｍより向上している。
遠紫外光の照射が、樹脂のプラズマ処理に対して選択性
を与える理由は、高分子間の架橋による耐ドライエツチ
性の向上であると考えられる。すなわち、遠紫外線の照
射により、ノボラック樹脂の分子間あるいはフェノール
樹脂の分子間に架橋が起り分子が長大化して共役二重結
合系が伸びて、この部分が熱あるいは輻射線に対して著
しく安定化するものであろう。本来、ベンゼン環を含む
化合物は熱的に安定であるが、その二重結合系が共役し
て長くなるほど安定性は増大する。これは、各種のポリ
イミド化合物の耐熱性が高いことにも示されている。し
かも一般に、耐熱性と耐ドライエツチ性との間には正の
相関がある。
を与える理由は、高分子間の架橋による耐ドライエツチ
性の向上であると考えられる。すなわち、遠紫外線の照
射により、ノボラック樹脂の分子間あるいはフェノール
樹脂の分子間に架橋が起り分子が長大化して共役二重結
合系が伸びて、この部分が熱あるいは輻射線に対して著
しく安定化するものであろう。本来、ベンゼン環を含む
化合物は熱的に安定であるが、その二重結合系が共役し
て長くなるほど安定性は増大する。これは、各種のポリ
イミド化合物の耐熱性が高いことにも示されている。し
かも一般に、耐熱性と耐ドライエツチ性との間には正の
相関がある。
上記の樹脂に遠紫外光を照射すると、有機溶媒に対して
不溶となることから、架橋が起ることが知られている。
不溶となることから、架橋が起ることが知られている。
これらの事実により、本発明に係わる現像を説明するこ
とは妥当であろう。
とは妥当であろう。
実施例２
本実施例は、実施例１で使用した樹脂の、遠紫外線に対
する感度を向上した例である。
する感度を向上した例である。
ポリ（ｐ−ビニルフェノール）２０ｇおよび３゜３′−
ジアジドジフェニルスルフォン４ｇをメチルセロンルブ
アセテート８０ｇに溶解してホトレジストを作成した。
ジアジドジフェニルスルフォン４ｇをメチルセロンルブ
アセテート８０ｇに溶解してホトレジストを作成した。
このホトレジストを用い、実施例１と同様にしてパター
ンを形成した。ただし、照射時間は２．５秒と、実施例
１の場合に比べて大幅に短縮された。
ンを形成した。ただし、照射時間は２．５秒と、実施例
１の場合に比べて大幅に短縮された。
この場合、遠紫外線の照射により、樹脂の架橋および樹
脂とアジド化合物との架橋との２種類の反応が起り、ま
た、アジド化合物は、樹脂間の架橋を促進する増感剤と
しても機能しているものと考えられる。本アジド化合物
もベンゼン環を含んでおり、架橋によシ耐ドライエッチ
性すなわち、ドライ現像の選択性の向上に寄与している
ものと考えられる。
脂とアジド化合物との架橋との２種類の反応が起り、ま
た、アジド化合物は、樹脂間の架橋を促進する増感剤と
しても機能しているものと考えられる。本アジド化合物
もベンゼン環を含んでおり、架橋によシ耐ドライエッチ
性すなわち、ドライ現像の選択性の向上に寄与している
ものと考えられる。
Claims (1)
- １、微細パターンを形成すべき物質上に、フェノール性
水酸基を持ったアルカリ可溶性高分子化合物を含むホト
レジスト膜を形成する工程、前記ホトレジスト膜の所望
部分に遠紫外光を照射する工程、および、フッ化炭化水
素あるいはフッ化炭化水素と不活性ガスの混合物を用い
た高周波プラズマ処理により前記ホトレジストの非照射
部分を除去してホトレジストパターンを形成する工程を
含むことを特徴とする微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9614282A JPS58214149A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 微細パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9614282A JPS58214149A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 微細パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58214149A true JPS58214149A (ja) | 1983-12-13 |
Family
ID=14157131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9614282A Pending JPS58214149A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 微細パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58214149A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5811357A (en) * | 1997-03-26 | 1998-09-22 | International Business Machines Corporation | Process of etching an oxide layer |
| US5824604A (en) * | 1996-01-23 | 1998-10-20 | Mattson Technology, Inc. | Hydrocarbon-enhanced dry stripping of photoresist |
| US6379576B2 (en) | 1997-11-17 | 2002-04-30 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for variable mode plasma enhanced processing of semiconductor wafers |
| US6815568B2 (en) | 2001-01-15 | 2004-11-09 | Showa Denko K.K. | Process for purifying octafluorocyclobutane, process for preparing the same, and use thereof |
-
1982
- 1982-06-07 JP JP9614282A patent/JPS58214149A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5824604A (en) * | 1996-01-23 | 1998-10-20 | Mattson Technology, Inc. | Hydrocarbon-enhanced dry stripping of photoresist |
| US5811357A (en) * | 1997-03-26 | 1998-09-22 | International Business Machines Corporation | Process of etching an oxide layer |
| US6379576B2 (en) | 1997-11-17 | 2002-04-30 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for variable mode plasma enhanced processing of semiconductor wafers |
| US6536449B1 (en) | 1997-11-17 | 2003-03-25 | Mattson Technology Inc. | Downstream surface cleaning process |
| US6815568B2 (en) | 2001-01-15 | 2004-11-09 | Showa Denko K.K. | Process for purifying octafluorocyclobutane, process for preparing the same, and use thereof |
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