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JPS58209146A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS58209146A
JPS58209146A JP57092738A JP9273882A JPS58209146A JP S58209146 A JPS58209146 A JP S58209146A JP 57092738 A JP57092738 A JP 57092738A JP 9273882 A JP9273882 A JP 9273882A JP S58209146 A JPS58209146 A JP S58209146A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gnd
package
island
inductance
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP57092738A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6250059B2 (ja
Inventor
Toru Tsujiide
辻出　徹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP57092738A priority Critical patent/JPS58209146A/ja
Publication of JPS58209146A publication Critical patent/JPS58209146A/ja
Publication of JPS6250059B2 publication Critical patent/JPS6250059B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置に係り、特にそのパッケージの構造
に関する。
最近、半導体集積回路素子の高速比が進行し。
この為にきわめて短時間のうちに多数の回路が動作し大
きな電流が流れる事態が起こっている。このような状態
においては、パッケージの各リード線のインダクタンス
が小さくても、短時間の電流質１ヒの定め大きなノイズ
が発生し、半導体集積回路素子の誤動作や速度の遅れが
生じる。とくに接地（グランド）端子の場合この影響は
大きい、グランド端子のインダクタンスはチップ内の配
線。
ポンディングパッドからパッケージの内部リードのボン
ディング線および内部リードから外部ピンまでのケース
のリード配線の各インダクタンス成分の和となるっテユ
アルーインーラインパッケージではグランドビンは一般
に一番外側に位置するためにチヴプをマウントするアイ
ランド部がケースの中央部にある従来型のパッケージの
場合、パッケージの外部リードから外部ピンまでの距離
が他ピンに比し大キく、グランドに寄生するインダ１ｆ
ｉ７スが大きくなってしまう。
本発明は、該アイランド部をグランドビンに近い方にず
ら丁ことによりグランドに寄生するインダクタンスを小
さくシ之パッケージ全提供することを目的とする。
次に図面を用いて本発明の一実施例の詳細を説明する。
第１図ＡおよびＢは、各々従来のデユアルーイン−ライ
ンパッケージの平面図および側面図である。アイランド
部１１にチップ１２がマウイトされておジ、チップ内の
ＧＮＤバッドと内部リード端子はボンディング線１３に
よジ接続されパ・ツケージのリード配線１４からＧＮＤ
外部ピン１５へと導ひかれる。一般にはＧＮＤピンは図
の位置にあるためにリード配線１４は長くなる。ＧＮＤ
につく寄生インダクタンスｔＬ、Δｔの短かい時間に流
れる電流ΔｌとするとＧＮＤ電位はパΔ　ｔ のノイズが生じる。Ｌは１８ピンケースを用いｔ場合Ｕ
２０ｎＨとなる。又一般に用いられるパワーダウンモー
ドつきの４にスタテックＲＡＭでΔｉ は活性比され之ときに一斉に電源電流が流れ石は２０　
ｍＡ／　ｓ　ｅ　ｃとなりΔＶは４００ｍＶにもなる。
丁なわちＧＮＤ電位が０．４Ｖになるために入力レベル
が厳しくなり誤動作や速度遅れの原因となる。このよう
な現象は多数の出力回路を有する食上充放電する電流が
瞬時に流れる為にΔｉ／Δｔはきわめて大きくなる７寄
生インダクタンスのうち第１図のＧＮＤビンの場合大部
分はリード線１４によるもので、ノイズΔｖ＝２小さく
する之めにはこのリード線１４を短かくする必要がある
。
第２図は本発明の実施例を示し友もので第１図Ａの場合
よりアイランドの位置金中心部よりＧＮＤピンをシに１
０％以上下げることにより、　ＧＮＤのリード配線２４
の長さを短かくしている７本実施例では第１図Ａの場合
よジリード配Ｗｉ２４ｔ−太くシ、すらにリード４？左
によせている。このようにすることによジインダクタン
ス金１／３にすることかできる５本発明に基づいて試作
し冥測したところによるとＧＮＤの寄生インダクタンス
は２０ｎＨから８　ｎＨに低下しノイズ量は０．１６Ｖ
におさえることかで＠ｆｃ。
本発明から明らかなようにリードフレーム形状とアイラ
ンドの位ｆｉ−変更するだけで容易にＧＮＤノイズの小
さなパッケージを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図Ａ、　Ｂｌｄ各々従来の半導体装置の平面図およ
び側面図、第２図は本発明の実施例の半導体装置を示す
平面図、である。 なお図において、１１・・・・・・アイランド部、１２
・・・・・・搭載チップ、１３・・・・・・チップのＧ
ＮＤバッドとリード配線端？結ぶボンディング線、１４
．２４・・・・・・パッケージのリード起重　１５−・
・・・ＧＮＤ外部ビン、である。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋 「 ５ ５ｒ−７１図　８

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子がアイランド部に搭載され之パッケージ構造
    會有する半導体装置において、該アイランド部の中心が
    該パッケージの中心部より外部接地端子側に配置されｔ
    ことを特徴とする半導体装置。
JP57092738A 1982-05-31 1982-05-31 半導体装置 Granted JPS58209146A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57092738A JPS58209146A (ja) 1982-05-31 1982-05-31 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57092738A JPS58209146A (ja) 1982-05-31 1982-05-31 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58209146A true JPS58209146A (ja) 1983-12-06
JPS6250059B2 JPS6250059B2 (ja) 1987-10-22

Family

ID=14062755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57092738A Granted JPS58209146A (ja) 1982-05-31 1982-05-31 半導体装置

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JP (1) JPS58209146A (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50118684A (ja) * 1974-03-01 1975-09-17
JPS53115176A (en) * 1977-03-17 1978-10-07 Sanyo Electric Co Ltd Production of resn mold type semiconductor device
JPS54161270A (en) * 1978-06-09 1979-12-20 Nec Corp Lead frame for integrated-circuit device
JPS5593243A (en) * 1979-01-04 1980-07-15 Nec Corp Semiconductor device

Patent Citations (4)

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JPS5593243A (en) * 1979-01-04 1980-07-15 Nec Corp Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6250059B2 (ja) 1987-10-22

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