JPS58207699A - 配線回路基板の製造方法 - Google Patents
配線回路基板の製造方法Info
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- JPS58207699A JPS58207699A JP57089861A JP8986182A JPS58207699A JP S58207699 A JPS58207699 A JP S58207699A JP 57089861 A JP57089861 A JP 57089861A JP 8986182 A JP8986182 A JP 8986182A JP S58207699 A JPS58207699 A JP S58207699A
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- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板上に微細な薄膜配線パターンを有する配
線回路基板の製造方法に関する。
線回路基板の製造方法に関する。
薄膜技術を利用して基板上に配線パターンを形成し、十
導体素子などの電子部品を塔載して電子回路を構成させ
る配線回路基板は、高密度に配線パターン馨形成するこ
とができることから所望の機能の電子回路を１チツ＾・
型に構成することができ、しかも、量産化が容易である
ことから低コストであり、さらに、配線が実質的に短縮
されることから信号の遅延を減少させることができる等
ワイヤを用いて回路配線を行なう場合に比べて非常に大
きな利点を有していることから、広く利用されるように
なってきた。
導体素子などの電子部品を塔載して電子回路を構成させ
る配線回路基板は、高密度に配線パターン馨形成するこ
とができることから所望の機能の電子回路を１チツ＾・
型に構成することができ、しかも、量産化が容易である
ことから低コストであり、さらに、配線が実質的に短縮
されることから信号の遅延を減少させることができる等
ワイヤを用いて回路配線を行なう場合に比べて非常に大
きな利点を有していることから、広く利用されるように
なってきた。
しかしながら、配線バタ、−ンの高密度化が可能になる
と、さらに、より多く′電子部品を接続することができ
て、より大きな電子回路を１チ、ノブで構成したり、こ
れまで複数のチップで構成された複数の電子回路を１チ
ツプで構成して多機能な電子回路とするための要求が高
まり、配線回路基板としてもより高密度な配線パターン
の形成が必要となってきている。その１方法として、配
線ノくターンな多ｊ−に形成するようにした薄膜多層配
線構造がある。
と、さらに、より多く′電子部品を接続することができ
て、より大きな電子回路を１チ、ノブで構成したり、こ
れまで複数のチップで構成された複数の電子回路を１チ
ツプで構成して多機能な電子回路とするための要求が高
まり、配線回路基板としてもより高密度な配線パターン
の形成が必要となってきている。その１方法として、配
線ノくターンな多ｊ−に形成するようにした薄膜多層配
線構造がある。
第１図（Ａ）ないしくＧ）はかかる従来の薄膜多層配線
構造による配線回路基板の製造方法の一例を示す工程図
であって、１は基板、２は金属層、３は絶縁層、４はビ
ヤホール、５は金属層である。
構造による配線回路基板の製造方法の一例を示す工程図
であって、１は基板、２は金属層、３は絶縁層、４はビ
ヤホール、５は金属層である。
まず、表面が平坦な基板１が装置（図示せず）に設けら
れ（第１図（Ａ））、その表向に真空蒸着法、スパッタ
リング法などにより金属層２を形成しく同図（Ｂ））、
化学的エツチング法により所望の配線パターンとなるよ
うに金属層２の不要部分を除去しく同図（Ｃ））、金属
酸化物や金属窒化物などによる絶縁層３をス′ノくツタ
リング法。
れ（第１図（Ａ））、その表向に真空蒸着法、スパッタ
リング法などにより金属層２を形成しく同図（Ｂ））、
化学的エツチング法により所望の配線パターンとなるよ
うに金属層２の不要部分を除去しく同図（Ｃ））、金属
酸化物や金属窒化物などによる絶縁層３をス′ノくツタ
リング法。
ＣＶＤ法などにより形成する（同図（Ｄ））。ついで、
絶縁層３０所定部分を化学的エツチング法により除去し
てビヤホール４を形成しく同図（Ｅ））、その上に金属
層５を金属層２と同様な方法で形成する（同図（Ｆ））
。その後、化学的エツチング法より金属層５は不要部分
が除かれて所要の配線パターンが形成される（同図（ｑ
））。
絶縁層３０所定部分を化学的エツチング法により除去し
てビヤホール４を形成しく同図（Ｅ））、その上に金属
層５を金属層２と同様な方法で形成する（同図（Ｆ））
。その後、化学的エツチング法より金属層５は不要部分
が除かれて所要の配線パターンが形成される（同図（ｑ
））。
金属層２，５は所定の配線パターンをなし、夫々の配線
パターン間は、金属層５の形成のときに・１ 。
パターン間は、金属層５の形成のときに・１ 。
ビヤホールに充填された金属物質によって接続される。
以上のようにして多ｊ−配腓構造の配線回路基板がっく
り出されるが、形成される各金属層、絶縁層は、配線パ
ターンやビヤホールの形成のためにエツチングされるも
のであるから、作成された配線回路基板の表面は平坦で
はな（、凹凸状となって積層される層数が多（なる程凹
凸がひどくなる。
り出されるが、形成される各金属層、絶縁層は、配線パ
ターンやビヤホールの形成のためにエツチングされるも
のであるから、作成された配線回路基板の表面は平坦で
はな（、凹凸状となって積層される層数が多（なる程凹
凸がひどくなる。
このように表面が凹凸である場合、かかる表面に金属Ｊ
脅や絶縁鳩ケスパッタリング法や蒸着法など′で形成し
ようとすると、凹凸をなす壁面での金属物質や絶縁物質
の付着量が少なく、層厚が均一とならずに断線や絶縁不
良が生ずることになる。
脅や絶縁鳩ケスパッタリング法や蒸着法など′で形成し
ようとすると、凹凸をなす壁面での金属物質や絶縁物質
の付着量が少なく、層厚が均一とならずに断線や絶縁不
良が生ずることになる。
また、ビヤホール中への金属層の形成が不充分となり、
各層の配線パターンの接続が不完全となって断線の原因
となる。
各層の配線パターンの接続が不完全となって断線の原因
となる。
以上、従来の製造方法によると、配線回路基板は表面が
必然的に凹凸状になってしまうことから、断線や絶縁不
良が多発し、信頼性を低下させるとともＶこ、製造歩留
りも著しく低くなり、また、歩留りを上げようとすると
層数を少なくせざるを得す、現在では基板上せいぜい２
〕−程度が限度であって、配線回路基板の高密度化が制
限されるという欠点があった。
必然的に凹凸状になってしまうことから、断線や絶縁不
良が多発し、信頼性を低下させるとともＶこ、製造歩留
りも著しく低くなり、また、歩留りを上げようとすると
層数を少なくせざるを得す、現在では基板上せいぜい２
〕−程度が限度であって、配線回路基板の高密度化が制
限されるという欠点があった。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、表面が平
坦で層数が任意の薄膜多ｊ−配線構造とすることができ
、高密度で製造歩留りが向上した高信頼性の配線回路基
板の製造方法を提供するにある。
坦で層数が任意の薄膜多ｊ−配線構造とすることができ
、高密度で製造歩留りが向上した高信頼性の配線回路基
板の製造方法を提供するにある。
この目的を達成するために、本発明は、基板上に金属化
のための解離エネルギーが異なる複数の７絶縁物質から
なる物質層を設け、かかる物質層にエネルギーを与える
ことによって前記複数の絶縁物質の少なくとも１つを除
いて金属化し、金属化された部分が配線パターンを形成
するようにした点を特徴とする。
のための解離エネルギーが異なる複数の７絶縁物質から
なる物質層を設け、かかる物質層にエネルギーを与える
ことによって前記複数の絶縁物質の少なくとも１つを除
いて金属化し、金属化された部分が配線パターンを形成
するようにした点を特徴とする。
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
第２図（Ａ）ないしくＤ）は本発明による配線回路基板
の製造方法の一実施例を示す工程図であって、６は基板
、７は金属層、８は物質層、９は金属ノーである。
の製造方法の一実施例を示す工程図であって、６は基板
、７は金属層、８は物質層、９は金属ノーである。
まず、表面が平坦な基板６（同図（Ａ））の光面に複数
の異なる金属からなる層７を形成する（同図（Ｂ））。
の異なる金属からなる層７を形成する（同図（Ｂ））。
次に、層７を酸化、窒化して金属酸化物、金属窒化物な
どの絶縁物質からなる物質層８にする（同図（Ｃ））。
どの絶縁物質からなる物質層８にする（同図（Ｃ））。
これら絶縁物質の金属化のための解離エネルギーは異な
り、物質層８にエネルギーを与えることにより解離エネ
ルギーが小さい金属酸化物を環元して金属層９を形成さ
せる（同図（Ｄ））。物質層８に与えるエネルギーは金
属層９が所定のパターンとなるようにし、金属層９によ
って配線パターンが形成される。
り、物質層８にエネルギーを与えることにより解離エネ
ルギーが小さい金属酸化物を環元して金属層９を形成さ
せる（同図（Ｄ））。物質層８に与えるエネルギーは金
属層９が所定のパターンとなるようにし、金属層９によ
って配線パターンが形成される。
基板６としてはサファイヤあるいは９９５％のＡｔ２０
ｍを素材とする。金属層７としてはＳｉとＣｕとを用い
、これらを０□と反応させることにより絶縁物質Ｓ４０
．とＣｕ、 Ｏの金属酸化物からなる物質層８が形成さ
れる。Ｃｕ、０は８ｉ０．に比べて酸系の解離エネルギ
ーが小さく、Ｃｕ、０が解離してＣｕが析出される程度
にエネルギーを物質層８に与える。
ｍを素材とする。金属層７としてはＳｉとＣｕとを用い
、これらを０□と反応させることにより絶縁物質Ｓ４０
．とＣｕ、 Ｏの金属酸化物からなる物質層８が形成さ
れる。Ｃｕ、０は８ｉ０．に比べて酸系の解離エネルギ
ーが小さく、Ｃｕ、０が解離してＣｕが析出される程度
にエネルギーを物質層８に与える。
物質層８にエネルギーを与える手段としてはレーザビー
ムを利用することができる。かかるレーザビームにより
物質層８を局部的に照射してその照射位置を順次づらし
、金属層９による配線バターンが得られる。なお、エネ
ルギーを与える手段としてはレーザビームに限らず、局
部的に物質層８にエネルギーを与える手段であればよい
。
ムを利用することができる。かかるレーザビームにより
物質層８を局部的に照射してその照射位置を順次づらし
、金属層９による配線バターンが得られる。なお、エネ
ルギーを与える手段としてはレーザビームに限らず、局
部的に物質層８にエネルギーを与える手段であればよい
。
ＳｉとＣｕの金属層７を所定混合比のＮ２／ Ｏ！混合
ガスで反応させてもよく、絶縁物質８ｉ −Ｎ −Ｏと
Ｃｕ−０が生ずる。Ｃｕ−０は５ｉ−Ｎ−０よりも酸素
の解離エネルギーが小さく、エネルギーを与えることに
よってＣｕが析出し、Ｃｕによる配線パターンを得るこ
とができる。
ガスで反応させてもよく、絶縁物質８ｉ −Ｎ −Ｏと
Ｃｕ−０が生ずる。Ｃｕ−０は５ｉ−Ｎ−０よりも酸素
の解離エネルギーが小さく、エネルギーを与えることに
よってＣｕが析出し、Ｃｕによる配線パターンを得るこ
とができる。
さらに、基板６上に直接、絶縁物質Ｓ ｉ ０２． Ｃ
ｕ２Ｏからなる物質Ｊ−８，あるいは、絶縁物質５ｉ−
Ｎ−Ｏ，Ｃｕ−０からなる物質層８を形成しても、同様
に、Ｃｕを析出することができて所望の配線パターンが
得られる。
ｕ２Ｏからなる物質Ｊ−８，あるいは、絶縁物質５ｉ−
Ｎ−Ｏ，Ｃｕ−０からなる物質層８を形成しても、同様
に、Ｃｕを析出することができて所望の配線パターンが
得られる。
次に、実施例化さらに詳細に説明する。
実施例１
複数個の＃着源セルを有する真空蒸着装置内にサファイ
ヤ基板６を設け、サファイヤ基板６を４００℃〜６００
℃に加熱する。一方、Ｓｒを電子ビーム加熱して気化し
、また、Ｃｕをヒータ加熱して気化することにより、サ
ファイヤ基板６上にＳ ｕ。
ヤ基板６を設け、サファイヤ基板６を４００℃〜６００
℃に加熱する。一方、Ｓｒを電子ビーム加熱して気化し
、また、Ｃｕをヒータ加熱して気化することにより、サ
ファイヤ基板６上にＳ ｕ。
Ｃｕを蒸着して層厚１０μｍのＳｉ、 Ｃｕからなる金
属層７を形成した。その後、サファイヤ基板６を０２の
雰囲気中で１０００℃に加熱し、金属層７を酸化させて
絶縁物質５ｉ０２．Ｃｕ、Ｏに変化させ、物質層８を形
成した。次に、このように物質層８が形成されたサファ
イヤ基板６ ’ｌ Ｈｔ ’ｌ充填した容器内に入れ、
０． Ｉ Ｊ ／ ｃｍ” 〜１，５ Ｊ ／ Ｃｍ２
のエネルギー密度のＹＡＧレーザビームにより、物質１
１５８の表面を１〜２０ ｃｍ ／ ｓｅｅの速度で所
望のパターンに沿いながら走査して照射した。その結果
、レーザビームの照射部分９は、深さ０．５〜２μｍに
わたり１０−４〜１０−ＳΩ・Ｃｍの良好な電気伝導性
を示し、非照射部分は１０１０〜１０′３０・ｃｍと良
好な電気絶縁性ケ示して配線回路が形成された。
属層７を形成した。その後、サファイヤ基板６を０２の
雰囲気中で１０００℃に加熱し、金属層７を酸化させて
絶縁物質５ｉ０２．Ｃｕ、Ｏに変化させ、物質層８を形
成した。次に、このように物質層８が形成されたサファ
イヤ基板６ ’ｌ Ｈｔ ’ｌ充填した容器内に入れ、
０． Ｉ Ｊ ／ ｃｍ” 〜１，５ Ｊ ／ Ｃｍ２
のエネルギー密度のＹＡＧレーザビームにより、物質１
１５８の表面を１〜２０ ｃｍ ／ ｓｅｅの速度で所
望のパターンに沿いながら走査して照射した。その結果
、レーザビームの照射部分９は、深さ０．５〜２μｍに
わたり１０−４〜１０−ＳΩ・Ｃｍの良好な電気伝導性
を示し、非照射部分は１０１０〜１０′３０・ｃｍと良
好な電気絶縁性ケ示して配線回路が形成された。
これは、酸素の解離エネルギーが小さいＣｕ、０が選択
的に環元されて、？Ｕが析出したことによるものである
。金属層９を含む物質層８の表面の凹凸は０．１μｍ以
下であって表面の平坦度は非常に良好であった。
的に環元されて、？Ｕが析出したことによるものである
。金属層９を含む物質層８の表面の凹凸は０．１μｍ以
下であって表面の平坦度は非常に良好であった。
実施例２
上記実施例１と同様にしてサファイヤ基板上にガス中で
金属層７の熱処理を１０００℃で行ない、絶縁物質Ｓ
ｉ −Ｎ−０，Ｃｕ−０の物質層８に変化させた。そし
て、実施例−１と同様に、物質層８０局部的走査による
レーザビーム照射を行ない、Ｃｕ−０ｙ２Ｃｕに変化さ
せて金属化し、所望の配線パターンの金属層９を得た。
金属層７の熱処理を１０００℃で行ない、絶縁物質Ｓ
ｉ −Ｎ−０，Ｃｕ−０の物質層８に変化させた。そし
て、実施例−１と同様に、物質層８０局部的走査による
レーザビーム照射を行ない、Ｃｕ−０ｙ２Ｃｕに変化さ
せて金属化し、所望の配線パターンの金属層９を得た。
この金属層９は深さ０．５〜２μｍにわたり１０−４〜
１Ｏ−１ｌΩ・Ｃｍノ良好な電気伝導性を示し、レーザ
ビーム非照射部分は１０１１〜１０１４Ω・ｃｍの良好
な電気絶縁性を示した。このようにして作成した配線回
路基板の表向の凹凸は０．１μｍ以下であって、表面平
坦度か非常に良好であった。
１Ｏ−１ｌΩ・Ｃｍノ良好な電気伝導性を示し、レーザ
ビーム非照射部分は１０１１〜１０１４Ω・ｃｍの良好
な電気絶縁性を示した。このようにして作成した配線回
路基板の表向の凹凸は０．１μｍ以下であって、表面平
坦度か非常に良好であった。
実施例３
サファイヤ沖または９９．５％Ａｔ２０．の基板６を５
００℃〜８００℃に加熱保持した。−万、５ｉ０１を電
子ビームにより加熱して８ ｉ ０．蒸気とし、Ｃｕ、
０を反応性蒸着により基板６の表面に同時に蒸着し、絶
縁物質５ｉｎ２とＣｕ、Ｏとによる物質層８を直接形成
した。Ｃｕ、Ｏの反応性蒸着は、Ｃｕをヒータ加熱によ
り気化しなから０ イオ／を基板６０表面に照射し、基
板６上にＣｕ、Ｏを形成するものである。次に、実施例
１と同様のレーザビーム照射を行ない、実施例１と同様
の良好な結果が得られた。
００℃〜８００℃に加熱保持した。−万、５ｉ０１を電
子ビームにより加熱して８ ｉ ０．蒸気とし、Ｃｕ、
０を反応性蒸着により基板６の表面に同時に蒸着し、絶
縁物質５ｉｎ２とＣｕ、Ｏとによる物質層８を直接形成
した。Ｃｕ、Ｏの反応性蒸着は、Ｃｕをヒータ加熱によ
り気化しなから０ イオ／を基板６０表面に照射し、基
板６上にＣｕ、Ｏを形成するものである。次に、実施例
１と同様のレーザビーム照射を行ない、実施例１と同様
の良好な結果が得られた。
実施例４
イオンブレーティング法により基板６上に直接絶縁物質
による物質層８を形成した。基板６としてサファイヤま
たは９９．５％ＡＺ、Ｏ，を用い、４００℃〜７００℃
に加熱保持した。一方、ＳｌとＣｕをヒータ加熱して気
化し、０□をノズルから基板６に向けて供給し、Ｓｉ、
Ｃｕ、０２に′Ｃニ子のシャワーヲ描てることによりそ
の一部乞イオン化して基板６の表向に絶縁物質５ｉ０２
．Ｃｕ２Ｏの物質層８を形成した。また、０２の代りに
０．とＮ２の混合ガスを用いることができ、この場合に
は物質層８は絶縁物質５ｉ−Ｎ−０，Ｃｕ−０からなる
。いづれにしても物質層８は１０１０〜１０′４Ω・ｃ
ｍの良好な電気絶縁性を示した。実施例１と同様のレー
ザビーム照射を行なった結果、照射部は１ｏ−４〜１０
−５０・ｃｍの良好な電気伝導性を示し、作成された配
線回路基板の表面の凹凸も０．１μｍ以下であって表１
ｍ平坦度は非常に良好であった。
による物質層８を形成した。基板６としてサファイヤま
たは９９．５％ＡＺ、Ｏ，を用い、４００℃〜７００℃
に加熱保持した。一方、ＳｌとＣｕをヒータ加熱して気
化し、０□をノズルから基板６に向けて供給し、Ｓｉ、
Ｃｕ、０２に′Ｃニ子のシャワーヲ描てることによりそ
の一部乞イオン化して基板６の表向に絶縁物質５ｉ０２
．Ｃｕ２Ｏの物質層８を形成した。また、０２の代りに
０．とＮ２の混合ガスを用いることができ、この場合に
は物質層８は絶縁物質５ｉ−Ｎ−０，Ｃｕ−０からなる
。いづれにしても物質層８は１０１０〜１０′４Ω・ｃ
ｍの良好な電気絶縁性を示した。実施例１と同様のレー
ザビーム照射を行なった結果、照射部は１ｏ−４〜１０
−５０・ｃｍの良好な電気伝導性を示し、作成された配
線回路基板の表面の凹凸も０．１μｍ以下であって表１
ｍ平坦度は非常に良好であった。
第３図（Ａ）ないしくｑ）は本発明による配線回路基板
の製造方法の他の実施例を示す工程図であって、ｇ／、
８１１は物質層、 ９’、 １０は金属層であり
、第２図に対応する部分には同一符号をつけている。
の製造方法の他の実施例を示す工程図であって、ｇ／、
８１１は物質層、 ９’、 １０は金属層であり
、第２図に対応する部分には同一符号をつけている。
この実施例は、多層配線構造の配線回路基板における各
Ｉｖｉの配線パターンを接続するビヤホールに相当する
位置の配線パターンの形式方法に特徴がある。
Ｉｖｉの配線パターンを接続するビヤホールに相当する
位置の配線パターンの形式方法に特徴がある。
まず、表面が平坦な基板６（第３図（Ａ））の表面に絶
縁物質からなる物質層８′を形成しく同図（Ｂ））、レ
ーザビームを照射して金属層９による配線パターンを形
成する（同図（Ｃ））。次に、物質層８′の上に物質層
８″を形成しく同図（１）））。
縁物質からなる物質層８′を形成しく同図（Ｂ））、レ
ーザビームを照射して金属層９による配線パターンを形
成する（同図（Ｃ））。次に、物質層８′の上に物質層
８″を形成しく同図（１）））。
して物質層８″を貫通して金属層１０を形成する（同図
（Ｅ））。さらに、物質層の形成とレーザビーム照射に
よる金属層１０の形成とからなる工程を所定回数繰返し
、ビヤホールに相当する位置での金属層１０が所定の厚
さとなるようにして配線パターンを形成する（同図（Ｆ
））。したがって、所定の厚さの物質層８が形成される
。次に、物質層−８の表面をレーザビームで照射して走
査し、所定の配線パターンの金属層９′を形成する（同
図（Ｇ））。
（Ｅ））。さらに、物質層の形成とレーザビーム照射に
よる金属層１０の形成とからなる工程を所定回数繰返し
、ビヤホールに相当する位置での金属層１０が所定の厚
さとなるようにして配線パターンを形成する（同図（Ｆ
））。したがって、所定の厚さの物質層８が形成される
。次に、物質層−８の表面をレーザビームで照射して走
査し、所定の配線パターンの金属層９′を形成する（同
図（Ｇ））。
そこで、金属層９による下層の配線パターンと金属層９
′による上層の配線パターンができ、両配線パターンが
金属層１０の配線パターンにより接続されて、２層配線
構造の配線回路基板が得られる。
′による上層の配線パターンができ、両配線パターンが
金属層１０の配線パターンにより接続されて、２層配線
構造の配線回路基板が得られる。
層を増やすためには第３図（Ｄ）から同図（Ｇ）までの
工程を繰り返えて。この場合、常に最上部の層は平坦で
あっそ配線パターンの厚さは均一に保たれる。また、任
意の２層の配線パター／間の絶縁物質による物質層の厚
さは均一に形成することができ、また、第３図（Ｄ）、
（Ｅ）からなる工程を所定回数繰り返すことにより電気
絶縁性が充分な厚さに設定することができる。なお、第
３物質層８″を貫通する金属層１ｏの形成に長時間ケが
困難となるからである。したがって、薄い物質）ｍ８”
を順次形成しながら、一層づつビヤポールに相当する位
置に金Ｍ層１０（ｉｊ影形成て精度よ（配線パターンを
形成していく。
工程を繰り返えて。この場合、常に最上部の層は平坦で
あっそ配線パターンの厚さは均一に保たれる。また、任
意の２層の配線パター／間の絶縁物質による物質層の厚
さは均一に形成することができ、また、第３図（Ｄ）、
（Ｅ）からなる工程を所定回数繰り返すことにより電気
絶縁性が充分な厚さに設定することができる。なお、第
３物質層８″を貫通する金属層１ｏの形成に長時間ケが
困難となるからである。したがって、薄い物質）ｍ８”
を順次形成しながら、一層づつビヤポールに相当する位
置に金Ｍ層１０（ｉｊ影形成て精度よ（配線パターンを
形成していく。
次に、この実施例〉さらに詳細に説明する。
実施例５
まず、１０２６の０２を含むＡｒ雰囲気内に９９．５％
Ａｚ２０．基板６を設け、Ａｔ２０３．５ｉ０２ オヨ
ヒＣｕ２Ｏの（昆合物をターゲツト材とし、スパッタリ
ング法によりＡｔ２０．基板６の表面に絶縁物質Ａｔ。
Ａｚ２０．基板６を設け、Ａｔ２０３．５ｉ０２ オヨ
ヒＣｕ２Ｏの（昆合物をターゲツト材とし、スパッタリ
ング法によりＡｔ２０．基板６の表面に絶縁物質Ａｔ。
ｏ、、 Ｓ ｉ０２． ＣＬＩ２０カラナルＷ厚２ ／
’ ｍ］’ｌｈ買ｆｍ８′を形成した。次に、前記実施
例１と同様に、し以下であった。
’ ｍ］’ｌｈ買ｆｍ８′を形成した。次に、前記実施
例１と同様に、し以下であった。
実施例６
以上の実施例１ないし５では、物質層に金属イヒのため
のエネルギーを与える手段としてレーザビームを用いた
が、電子ビームを用いても同様の良好な結果が得られた
。また、Ｃｕ、 Ａｕ、 Ａｇ、 Ａｔなとの低抵抗率
の金属イオンビームな１〜４００Ｋｅ■のエネルギーで
照射した場合にお〜・ても１會１様σ）良好な結果が得
られた。
のエネルギーを与える手段としてレーザビームを用いた
が、電子ビームを用いても同様の良好な結果が得られた
。また、Ｃｕ、 Ａｕ、 Ａｇ、 Ａｔなとの低抵抗率
の金属イオンビームな１〜４００Ｋｅ■のエネルギーで
照射した場合にお〜・ても１會１様σ）良好な結果が得
られた。
以上いくつかの実施例？示したが、ビームを使用して絶
縁物質を金属化してし・るものである力・ら、配線のパ
ターニングにはホトマスクを必要とせず、また、２以上
の絶縁物質からなる物質ｊ−を使用してビームの照射に
よっても一部の絶縁物質を金属化させないようにするも
のであるから、ビームσ）照射部分から金属化されろ部
分が不当に拡カーることがなく、微細な配線ノ（クーン
馨形成することカーできて層当りの密度が向上する。ま
た、各１−の自己線パターンや該配線ツクターン間σ〕
絶縁物質１ｍの厚さが均一に保たれ、１ｍ数な従来σ）
技（灯しζ〕ヒ較して充分に多くすることができる。な
お、上記各実施例に示した基板や形成される層などの物
質、物質層を形成する物質数などは一例として示したも
のであって、これらに限定されるものではな（・。
縁物質を金属化してし・るものである力・ら、配線のパ
ターニングにはホトマスクを必要とせず、また、２以上
の絶縁物質からなる物質ｊ−を使用してビームの照射に
よっても一部の絶縁物質を金属化させないようにするも
のであるから、ビームσ）照射部分から金属化されろ部
分が不当に拡カーることがなく、微細な配線ノ（クーン
馨形成することカーできて層当りの密度が向上する。ま
た、各１−の自己線パターンや該配線ツクターン間σ〕
絶縁物質１ｍの厚さが均一に保たれ、１ｍ数な従来σ）
技（灯しζ〕ヒ較して充分に多くすることができる。な
お、上記各実施例に示した基板や形成される層などの物
質、物質層を形成する物質数などは一例として示したも
のであって、これらに限定されるものではな（・。
以上説明したように、本発明によれば、基板上に形成す
る層の表面を平坦に保ち、微細な配線パターンを形成す
ることができるから、配線パターンや絶縁物質層の厚さ
を均一にすることができて断線や絶縁不良が生ずること
なく、しかも、配線パターンの層数が充分に大きい多層
間ｆＩ１．構造とすることができて高歩留りで高密度の
配線回路基板馨製造することができ、前記従来技術にな
い優れた機能の配線回路基板の製造方法を提供すること
ができる。
る層の表面を平坦に保ち、微細な配線パターンを形成す
ることができるから、配線パターンや絶縁物質層の厚さ
を均一にすることができて断線や絶縁不良が生ずること
なく、しかも、配線パターンの層数が充分に大きい多層
間ｆＩ１．構造とすることができて高歩留りで高密度の
配線回路基板馨製造することができ、前記従来技術にな
い優れた機能の配線回路基板の製造方法を提供すること
ができる。
第１図は従来の配線回路基板の製造方法の一例を示す工
程図、第２図は本発明による配線回路基板の製造方法の
一実□施例を示す工程図、第３図は本発明による配線回
路基板の製ユ香方法の他の実施タリン示す工程図である
。 ６・・・・・・基板 ｇ 、 Ｂ２ Ｂｒｔ・・・・・
・物質層＋ ９ ｔ ９’１１０・・・・・・配線パタ
ーン。 第１図 第３図
程図、第２図は本発明による配線回路基板の製造方法の
一実□施例を示す工程図、第３図は本発明による配線回
路基板の製ユ香方法の他の実施タリン示す工程図である
。 ６・・・・・・基板 ｇ 、 Ｂ２ Ｂｒｔ・・・・・
・物質層＋ ９ ｔ ９’１１０・・・・・・配線パタ
ーン。 第１図 第３図
Claims (1)
- 基板上に所定の配線パターンを有する配線回路基板の製
造方法、において、該基板上に金属化のための解離エネ
ルギーが異なるｖｉ数の絶縁体物質からなる物質層を形
成する第１工程と、該物質層にエネルギーを与え前記複
数の絶縁体物質の少なくとも１つを除いて金属化する第
２工程とを含み、該物質層に前記絶縁体物質の金属化に
ともなう配線パターンを形成することができるようにし
たこと７ａ′特徴とする配線回路基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57089861A JPS58207699A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 配線回路基板の製造方法 |
| US06/497,578 US4457950A (en) | 1982-05-28 | 1983-05-24 | Process for producing wiring circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57089861A JPS58207699A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 配線回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207699A true JPS58207699A (ja) | 1983-12-03 |
| JPH047116B2 JPH047116B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=13982560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57089861A Granted JPS58207699A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 配線回路基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4457950A (ja) |
| JP (1) | JPS58207699A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61123194A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | 株式会社井上ジャパックス研究所 | プリント基板の製作方法 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3437072A1 (de) * | 1984-10-09 | 1986-04-10 | Dieter Prof. Dr. Linz Bäuerle | Verfahren zur herstellung von leiterbahnen und/oder elektroden auf dielektrischem material |
| US4645552A (en) * | 1984-11-19 | 1987-02-24 | Hughes Aircraft Company | Process for fabricating dimensionally stable interconnect boards |
| DK160382C (da) * | 1987-09-22 | 1991-08-12 | Ib Johannsen | Fremgangsmaade til tilvejebringelse af et elektrisk kredsloeb indeholdende josephson dioder |
| US5041695A (en) * | 1989-06-01 | 1991-08-20 | Westinghouse Electric Corp. | Co-fired ceramic package for a power circuit |
| US5281772A (en) * | 1991-10-28 | 1994-01-25 | Delco Electronics Corporation | Electrical connector having energy-formed solder stops and methods of making and using the same |
| FR2748603B3 (fr) * | 1996-05-07 | 1998-04-30 | Sgs Thomson Microelectronics | Interconnexions non-metalliques dans un circuit integre |
| FR2748601B1 (fr) * | 1996-05-07 | 1998-07-24 | Sgs Thomson Microelectronics | Procede de formation d'interconnexions dans un circuit integre |
| US6645572B2 (en) | 1998-05-14 | 2003-11-11 | Wacker-Chemie Gmbh | Process for producing a ceramic evaporation boat having an improved initial wetting performance |
| US6255217B1 (en) * | 1999-01-04 | 2001-07-03 | International Business Machines Corporation | Plasma treatment to enhance inorganic dielectric adhesion to copper |
| US6361837B2 (en) | 1999-01-15 | 2002-03-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for modifying and densifying a porous film |
| US6642158B1 (en) * | 2002-09-23 | 2003-11-04 | Intel Corporation | Photo-thermal induced diffusion |
| JP3964822B2 (ja) * | 2003-05-07 | 2007-08-22 | 日東電工株式会社 | 回路付サスペンション基板の製造方法 |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP57089861A patent/JPS58207699A/ja active Granted
-
1983
- 1983-05-24 US US06/497,578 patent/US4457950A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61123194A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | 株式会社井上ジャパックス研究所 | プリント基板の製作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4457950A (en) | 1984-07-03 |
| JPH047116B2 (ja) | 1992-02-07 |
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