JPS58182239A - 半導体素子の特性測定装置 - Google Patents
半導体素子の特性測定装置Info
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- JPS58182239A JPS58182239A JP6490882A JP6490882A JPS58182239A JP S58182239 A JPS58182239 A JP S58182239A JP 6490882 A JP6490882 A JP 6490882A JP 6490882 A JP6490882 A JP 6490882A JP S58182239 A JPS58182239 A JP S58182239A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Power Engineering (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子の特性！１ｌｌＪ定装置に係り、特
に半導体ウェハーに形成された半導体素子の電気的時性
を測定するウェハープローパの改良に関するものである
。
に半導体ウェハーに形成された半導体素子の電気的時性
を測定するウェハープローパの改良に関するものである
。
半導体素子の製造において、半導体ウェハ〜に形成され
た俵数の半導体素子の電気的特性を順次測定する工程が
ある。この工程での測定にはウェ・・−グローバと呼ば
れるものが用いられる。ウェ・・−グロ〜・この構造は
合成樹脂からなる電気絶縁板にほぼ半導体素子の大きさ
の開孔が設けられ、この開孔内に半導体素子の電惨群に
接触するように突設された探針と、半導体素子の周縁に
接触し７て所在を検知するウェノ・−センサとが設けら
れている。このウェハーセンサの作用はウェハーに行な
らびに列に形成された半導体素子について順次ウエハー
グローパを移して測定を進めて行くときクエへ−周縁の
半導体素子のない部分に至ったときに測定を中止させる
ものである。すなわち、測定すべき正常な半導体素子に
対してはウニ・・−センサと探針群とが所望に接触する
ので、測定が進められる。ところで、ウエハーセ／す２
はＭ１図に示したように金属の２本のアーム２ａ、２ｂ
を交差しその両者を弾接させた電気接点から構成されて
おり、２本のアーム２ａ、２ｂのうち下部のアーム２ｂ
ｆＪ″−同定され、上部のアーム２ａが弾接しており、
例えばウェハーと非接触状態では第２図にポすように両
アーム２ａ、２ｂは接触しているので、第４図に示すよ
うに回路の出力はディジタル信号°°０” である。そ
して、第２図に＠線矢印で示すようにウェハーが上昇し
半導体索子１に可動アーム２ａの先端２ａ′が接触する
と、第３図に示すように両アーム２ａ、２ｂが離隔し、
第５図に示すように１宿路の出力としてディジタル信号
°°１＃が発生し、探針による測定が開始される。
た俵数の半導体素子の電気的特性を順次測定する工程が
ある。この工程での測定にはウェ・・−グローバと呼ば
れるものが用いられる。ウェ・・−グロ〜・この構造は
合成樹脂からなる電気絶縁板にほぼ半導体素子の大きさ
の開孔が設けられ、この開孔内に半導体素子の電惨群に
接触するように突設された探針と、半導体素子の周縁に
接触し７て所在を検知するウェノ・−センサとが設けら
れている。このウェハーセンサの作用はウェハーに行な
らびに列に形成された半導体素子について順次ウエハー
グローパを移して測定を進めて行くときクエへ−周縁の
半導体素子のない部分に至ったときに測定を中止させる
ものである。すなわち、測定すべき正常な半導体素子に
対してはウニ・・−センサと探針群とが所望に接触する
ので、測定が進められる。ところで、ウエハーセ／す２
はＭ１図に示したように金属の２本のアーム２ａ、２ｂ
を交差しその両者を弾接させた電気接点から構成されて
おり、２本のアーム２ａ、２ｂのうち下部のアーム２ｂ
ｆＪ″−同定され、上部のアーム２ａが弾接しており、
例えばウェハーと非接触状態では第２図にポすように両
アーム２ａ、２ｂは接触しているので、第４図に示すよ
うに回路の出力はディジタル信号°°０” である。そ
して、第２図に＠線矢印で示すようにウェハーが上昇し
半導体索子１に可動アーム２ａの先端２ａ′が接触する
と、第３図に示すように両アーム２ａ、２ｂが離隔し、
第５図に示すように１宿路の出力としてディジタル信号
°°１＃が発生し、探針による測定が開始される。
従来のウェハーグローバは上述したウェハーセンサ１個
で半導体素子１の所在を検知していたので、第６図に示
すようにウニ・・−周縁の４分円状に欠損した半導体索
子１においても、ウエハセンサ２のみがウェハーに接周
虫していると、ＩＩＩ ２が開始される。すなわち、測
定を必要としない半導体索子１に対しても測定が施され
、工程の能率が低下するのみならず、ｙ＋ｊ足装置が過
電圧状態を多数回起こすことによ！ｌｌ破損することも
あった。
で半導体素子１の所在を検知していたので、第６図に示
すようにウニ・・−周縁の４分円状に欠損した半導体索
子１においても、ウエハセンサ２のみがウェハーに接周
虫していると、ＩＩＩ ２が開始される。すなわち、測
定を必要としない半導体索子１に対しても測定が施され
、工程の能率が低下するのみならず、ｙ＋ｊ足装置が過
電圧状態を多数回起こすことによ！ｌｌ破損することも
あった。
本発明は前記問題点を解消するもので、ウェハーセンサ
の２以上を組として、これらを並列接続させたことを特
徴とするものである。
の２以上を組として、これらを並列接続させたことを特
徴とするものである。
以下、′本発明の実施例を図面によって説明する。
第７図は本発明のウェハーグローパを示すもので、第７
図において、眠気絶縁基板１５の開孔１２内の四ノｊに
突出させて４個のウェハーセンサ２，３．４・５を組と
して、各ウェノ・−センサ２．５．４．５間を、ｉｇａ
図、第９図に示すように並列接続させたものである。こ
れらウェノ・−センサ２．３．４．５はそれぞれ固定ア
ーム２ｂ、 ５ｂ、 ４ｂ、 ５ｂ と、これに胛接
しウニ・・−に接触して離れる可動アーム２ａ、 ３ａ
。
図において、眠気絶縁基板１５の開孔１２内の四ノｊに
突出させて４個のウェハーセンサ２，３．４・５を組と
して、各ウェノ・−センサ２．５．４．５間を、ｉｇａ
図、第９図に示すように並列接続させたものである。こ
れらウェノ・−センサ２．３．４．５はそれぞれ固定ア
ーム２ｂ、 ５ｂ、 ４ｂ、 ５ｂ と、これに胛接
しウニ・・−に接触して離れる可動アーム２ａ、 ３ａ
。
４ａ、５ａとからなり、個々の講造と動作は第２図。
５ｇ３図、第４図、第５図に示した通りである。なお、
５ｇ７図において、端子６ ａ、 ６ ｂ、 ７ ａ、
７ ｂ、 ８ ａ。
５ｇ７図において、端子６ ａ、 ６ ｂ、 ７ ａ、
７ ｂ、 ８ ａ。
８ｂ、９ａ、９ｂは各７−ム２ａ、 ２ｂ、 ３ａ、
３ｂ、 ４ａ。
３ｂ、 ４ａ。
４ｂ、５ａ、５ｂに対応して電気的に信号を導出するも
のであり、端子１ｊ、１１’ は探針１０，１０’の信
号を電気的にそれぞれ導出するものである。
のであり、端子１ｊ、１１’ は探針１０，１０’の信
号を電気的にそれぞれ導出するものである。
本実施例において、第１０図に示すように、４分円状に
欠損した半導体索子１の場合、６個のウェハーセンサ３
，４．５はウェハーに接触した状態にあるから、ウェハ
ーの存在を検出するが、残りのウェハー七ンサ２はウェ
ハーから離れており、両アーム２ ａ、２ｂが接触して
いるから、ウェハーの不存在を検出する。
欠損した半導体索子１の場合、６個のウェハーセンサ３
，４．５はウェハーに接触した状態にあるから、ウェハ
ーの存在を検出するが、残りのウェハー七ンサ２はウェ
ハーから離れており、両アーム２ ａ、２ｂが接触して
いるから、ウェハーの不存在を検出する。
上述した状態では第８図の回路の出力信号はディジタル
信号“０″となり、半導体素子の・側足はされない。本
発明の装置では第９図に示されるように並列接続された
全てのウェハーセンサ２．５．４゜５のアーム２ａ、
５ａ、 ４ａ、 ５ａ が離隔された状四において、
半導体素子の測定が開始される。
信号“０″となり、半導体素子の・側足はされない。本
発明の装置では第９図に示されるように並列接続された
全てのウェハーセンサ２．５．４゜５のアーム２ａ、
５ａ、 ４ａ、 ５ａ が離隔された状四において、
半導体素子の測定が開始される。
本発明によれば、形状不良で測定を要しない半導体素子
を複数のウェハーセンサにより検出して測定をしないよ
うにしたので、異常データ、時間の損失等をソフトを用
いて補正する手間が省略でき、測定速度を向上できると
ともに、測定装置の破損を防止できる効果を有するもの
である。
を複数のウェハーセンサにより検出して測定をしないよ
うにしたので、異常データ、時間の損失等をソフトを用
いて補正する手間が省略でき、測定速度を向上できると
ともに、測定装置の破損を防止できる効果を有するもの
である。
第１図は従来のウェハ〜プローバによる６１１１定にお
けるウェハーセンサの説明図、第２図、第３図はウェハ
ーセンサの側面図、Ｍ４図および第５図はウエハーセ／
すの回路図、第６図はウェハーセンサによる測定例の説
明図、第７図は本発明の実施例を示す正面図、第８図、
第９図は本発明装置ａの回路図、第１０図は本発明のウ
ェハ〜プローベによる測定例を示す説明図である。 １・・・半導体素子 ２、３．４．５・・・ウェハー七ンナ ２ａ、 ３ａ、 ４ａ、 ５ａ・・・ウエハーセ／すの
可動アーム２ｂ、 ５ｂ、 ４ｂ、 ５ｂ・・・ウェハ
ーセンサの固定アームｔｏ、ｉ０・・・半導体素子を測
定する探針特許出願人 日本電気株式会社
けるウェハーセンサの説明図、第２図、第３図はウェハ
ーセンサの側面図、Ｍ４図および第５図はウエハーセ／
すの回路図、第６図はウェハーセンサによる測定例の説
明図、第７図は本発明の実施例を示す正面図、第８図、
第９図は本発明装置ａの回路図、第１０図は本発明のウ
ェハ〜プローベによる測定例を示す説明図である。 １・・・半導体素子 ２、３．４．５・・・ウェハー七ンナ ２ａ、 ３ａ、 ４ａ、 ５ａ・・・ウエハーセ／すの
可動アーム２ｂ、 ５ｂ、 ４ｂ、 ５ｂ・・・ウェハ
ーセンサの固定アームｔｏ、ｉ０・・・半導体素子を測
定する探針特許出願人 日本電気株式会社
Claims (1)
- （１〕 電気絶縁基板に半導体素子の電憧端子に接解
させる探針と、ウェハーの所在を検出するウェー・−セ
ンサとを取付けた半導体素子の特性測定装置において、
前記電気絶縁基板に前記ウニハルセンサの二以上を組と
してこれらを並列接続させたことを特徴とする半導体素
子の特性測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6490882A JPS58182239A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 半導体素子の特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6490882A JPS58182239A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 半導体素子の特性測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58182239A true JPS58182239A (ja) | 1983-10-25 |
Family
ID=13271618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6490882A Pending JPS58182239A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 半導体素子の特性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58182239A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02108983A (ja) * | 1988-10-18 | 1990-04-20 | Nippon Maikuronikusu:Kk | プローブボード |
| US5315237A (en) * | 1990-08-06 | 1994-05-24 | Tokyo Electron Limited | Touch sensor unit of prober for testing electric circuit and electric circuit testing apparatus using the touch sensor unit |
-
1982
- 1982-04-19 JP JP6490882A patent/JPS58182239A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02108983A (ja) * | 1988-10-18 | 1990-04-20 | Nippon Maikuronikusu:Kk | プローブボード |
| US5315237A (en) * | 1990-08-06 | 1994-05-24 | Tokyo Electron Limited | Touch sensor unit of prober for testing electric circuit and electric circuit testing apparatus using the touch sensor unit |
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