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JPS58178575A - 光半導体表示装置 - Google Patents

光半導体表示装置

Info

Publication number
JPS58178575A
JPS58178575A JP57061958A JP6195882A JPS58178575A JP S58178575 A JPS58178575 A JP S58178575A JP 57061958 A JP57061958 A JP 57061958A JP 6195882 A JP6195882 A JP 6195882A JP S58178575 A JPS58178575 A JP S58178575A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
display device
emitting element
optical semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57061958A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Uei
上井　宏司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP57061958A priority Critical patent/JPS58178575A/ja
Publication of JPS58178575A publication Critical patent/JPS58178575A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、発光ダイオード（Ｉ、Ｅｌ）　）　ｔ−使
用した表示装置に係り、特に複数列のパーグラフ表示を
行なう場合に有効な光半導体表示装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来、ＬＥＤを発光素子として使用した光半導体表示装
置は、縞１図に示すように構成されている。すなわち、
ＬＥＤチツｆｌ　７１．７１ｍ　、・・φｌｒ定Ｏ定置
位置設され九基板１２上に％ＬＥＤチップ１１．．１１
．．・・・に対応した透孔が設けられ反射板として働く
白色樹脂製の反射部材ＩＪが熱カシメによって固着され
、この反射部材１３と反射部材ｌＪの透孔部に対応した
位置にレンチキユラーレンズが形成された導光板１４（
例えばアクリル板）とが熱カシメによって固着されてい
る。
しかし、上記のような構成では、反射部材１３上に導光
板１４を熱カシメによって固着するため、導光板１４の
板厚が薄いとレンズ部にそり中ねじれが発生する。ｔた
、表示装置を薄くした場合、反射板を用いているためＬ
ＥＤの点灯時にハレーションが多（なるとともに、第２
図に示すように、ＬＥＤの光が導光板１４を介して隣豪
するＬＥＤの表示部にもれて、表示が見に（くなる等多
くの欠点を有している。
また、反射板を便用ぜず、基板上に直接レン、ｅ（１−
着したものもあるが、このような表示装置においては、
他の装置に組み込んで表示用に用いる場合、例えば組み
込まれ九装置の内部照明等の周辺からの入射光によって
−・レーションを生じ易く、表示が見にくくなる欠点が
ある。
〔発明の目的〕
この発明は上記のような事情に麺みてなされたもので、
その目的とするところは、複数の発光素子列が設けられ
た表示装置において、隣接する発光素子列への光のもれ
′ｋｓ断でき、表示の見やすい光半導体表示装置を提供
することである。
〔発明の概要〕
すなわち、この発明においては、基板上に発光素子列を
配設するとともに、この基板上に上記発光素子列に対応
した透孔を設けた遮光板を固着し、上記遮光板に設は九
透孔に対応した形状の導光部材を嵌め込んで固着して発
光素子の光を導ひき、Ｗ４接する発光素子列間の光を運
へいするように構成し友ものである。
〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する０ｗＩＪ３図（＆）　、　ｉｂｌ　ｔＬｔその構成
を示す４ので、（ａ）図は上方から見た図、ｉｂｌ図は
（ａ）図のムーム′−に沿った断面構成図である。基板
１２上に発光素子（ＩＪＤ）列１１ｍ、１１ｂｔ−配設
し、この基１ｉ　１　ｊ　Ｋは上１１５　ＬＥＤ列１１
凰、１１．ｂに対応した透孔を設は友黒色樹脂製の遮光
板１５を熱カシメ等によって固着する。上記遮光板１５
の透孔には、この透孔に対応した形状で遮光板ＩＪと一
一棟類のｌＩｔ麿から成る導光部材１６１゜１ｉｂ（レ
ンチキュラーレンズ）を予め賦め込み、超音波溶着によ
ってｌｊｉ１１Ｍシておく、上記遮光板１５とレンチキ
ュラーレンズ１６＊、１６ｂとは同時に形成で禽るので
、基板１２と遮光板１５とを熱カシメするだけで組立て
ることかで龜組立て作ａｔ簡素化で璽る。
このような構成によれば、し／チャエラーレンズ１ｉ＆
、１１−とが分１１Ａされており、その間に１光部１　
ｊ’が存在する丸め表示値ｔを薄型形成して一１１１接
するＩＤ列へ光がもれることはなく、表示が蒐やすい、
また、遮光板１ｊとレンチキュラーレンズ１１ｉ＆、１
６ｂとｔ超音波溶着する九め、レンズにはそ９やねじれ
が発生することはな（、ｆｆりがなｉのでＬＥＤの配１
ｉｌＩＫレンズが触れて接続不要となることもない、さ
らには反射板を用いていない丸めＬＥＤの点灯によって
）・レージ目ンが発生することもない。
なお、上記実施例では、発光素子列が複数の場合につい
てａ明したが、−列の場合に４適用でき、薄型形成が可
能、ノ・レーションを防止できる等の効果がある。
〔発明の効果〕
以上１１１したようＫこの発明によれば、複数の発光素
子列が設けられ喪表示装置において、１ｉＩｌ接する発
光素子列への光のもれｔ−通断でき、表示の見やすい光
半導体表示装置が得られる６
【図面の簡単な説明】
第１ｇ１Ｆｉ従来の光半導体表示Ｉｌ＆直を示す断面構
成図、第２図は上記纂１図の光半導体表示装置を薄型形
成し九場合における発ｆＴ：、Ｗ、子の発する光の光路
を説明する丸めの図、蹴３図（ａｔ　、　ｔｂｌは七わ
ぞれこの発明の一実施例に係る元半導体表示饅置會示す
図でおる。 ＪＪ＆、ＪＪｂ・・・発光素子、夕ｕ、１２・・・基板
、１ト・・層党叡、Ｊ＃ａ、ＪＪｂ・・・導光部材（レ
ンチｄＰ：Ｌラーレンズ）。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上に配設された発光素子列と、上記発光素子列に対
    応した透孔が設けられ上記基板に固着される遮光板と、
    上記遮光板Ｋｅけられた透孔に対応し丸形状でとの透孔
    に祇め込まれて固着され発光素子の光を導く導光部材と
    ｔ−具備することを特徴とする光半導体表示装置。
JP57061958A 1982-04-14 1982-04-14 光半導体表示装置 Pending JPS58178575A (ja)

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JP57061958A JPS58178575A (ja) 1982-04-14 1982-04-14 光半導体表示装置

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JP57061958A JPS58178575A (ja) 1982-04-14 1982-04-14 光半導体表示装置

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JPS58178575A true JPS58178575A (ja) 1983-10-19

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JP57061958A Pending JPS58178575A (ja) 1982-04-14 1982-04-14 光半導体表示装置

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