JPS58174416A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS58174416A JPS58174416A JP5671982A JP5671982A JPS58174416A JP S58174416 A JPS58174416 A JP S58174416A JP 5671982 A JP5671982 A JP 5671982A JP 5671982 A JP5671982 A JP 5671982A JP S58174416 A JPS58174416 A JP S58174416A
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- Japan
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- epoxy resin
- resin
- polybutadiene
- phenol
- resin composition
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- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野〕
本発明はフェノール硬化エポキシ樹脂のガラス転移点を
上昇または維持しつつ低弾性率、低膨張率の硬化物を提
供する半導体封止用エポキシ樹脂薊成物６二関する。
上昇または維持しつつ低弾性率、低膨張率の硬化物を提
供する半導体封止用エポキシ樹脂薊成物６二関する。
一般（：、樹脂による封止の場合半導体素子を直接封止
することが行なわれ、そのためインサート物と樹脂との
線膨張率の差や、熱応力Ｃ；より素子ベレット６二割れ
を生じたり、ボンディング線が切Ｗ１されるなどの問題
があり素子への応力を小さくすることが望まれ、近年半
導体素子の大型化に供なって増々その要求が強くなって
いる。応力を小さくするには低弾性率で低膨張率、低ガ
ラス転移点をもたせることであるが、耐湿性、耐熱衝撃
性の面からガラス転移点が高いことが必要である。
することが行なわれ、そのためインサート物と樹脂との
線膨張率の差や、熱応力Ｃ；より素子ベレット６二割れ
を生じたり、ボンディング線が切Ｗ１されるなどの問題
があり素子への応力を小さくすることが望まれ、近年半
導体素子の大型化に供なって増々その要求が強くなって
いる。応力を小さくするには低弾性率で低膨張率、低ガ
ラス転移点をもたせることであるが、耐湿性、耐熱衝撃
性の面からガラス転移点が高いことが必要である。
低応力化の一方法として可撓化剤Ｃ二よる変成が考えら
れるが、従来の可撓化剤では低弾性率化効果は靴められ
ても、ガラス転移点が急激６二降下し、高温電気特性が
低下し、耐湿性への影響が大きい。
れるが、従来の可撓化剤では低弾性率化効果は靴められ
ても、ガラス転移点が急激６二降下し、高温電気特性が
低下し、耐湿性への影響が大きい。
一方、低弾性率でかつ高ガラス転移点を有する樹脂とし
てシリコーン系樹脂があるが金属との接着性感二劣り透
湿性が大きいなどの問題があり耐湿性の面で信頼性に欠
ける。またフェノール硬化型エポキシ樹脂を末端に官能
基を有するポリブタジェン系樹脂やアクＩＪａニトリル
系樹脂で変成シ２次場合、ガラス転移点の低下は小さい
のＣ二対して線膨張率が大きくなりその添加量はかぎら
れ低弾性率、低膨張率、高ガラス転移点′を有する４１
１Ｎは得ご二くい。 、、・
・１い 〔発明の目的〕 本発明は、高ガラス転移点（１５０℃以上）、低弾性率
（１ａ６０’ｔ／−以下）、低膨張率（２，３ｘｌＯ−
’ｄａｐ−”以下）の樹脂を得ることを目的とするとす
るものである。
てシリコーン系樹脂があるが金属との接着性感二劣り透
湿性が大きいなどの問題があり耐湿性の面で信頼性に欠
ける。またフェノール硬化型エポキシ樹脂を末端に官能
基を有するポリブタジェン系樹脂やアクＩＪａニトリル
系樹脂で変成シ２次場合、ガラス転移点の低下は小さい
のＣ二対して線膨張率が大きくなりその添加量はかぎら
れ低弾性率、低膨張率、高ガラス転移点′を有する４１
１Ｎは得ご二くい。 、、・
・１い 〔発明の目的〕 本発明は、高ガラス転移点（１５０℃以上）、低弾性率
（１ａ６０’ｔ／−以下）、低膨張率（２，３ｘｌＯ−
’ｄａｐ−”以下）の樹脂を得ることを目的とするとす
るものである。
すなわち本発明は、
ａ） ノボラック派エポキシ樹脂
善） フェノールノボラック樹脂硬化剤Ｃ）硬化促進剤
ａ） 無機質フィラー
を必須成分とする樹脂系１：
・） ポリブタジェン変成エポキシ樹脂を添加してカる
ことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物であ
る０ 本発明Ｃ二おいてノボラック城エポキシ棚脂としては、
クレゾールノボラック型エポキシ樹に、フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック門
エポキシ樹脂等でありこれら昌 化合物の１種又は色、４以上使用できる０本発明８二お
いて用いる硬化剤としてのフェノールノボラック樹脂と
しては、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾ
ルシノール、クロルフェノール、フェニルフェノール、
ビスフェノールＡなどの１種または２種以上の混合物と
ホルムアルデヒド又は、パラホルムアルデヒドを、酸を
触媒として反応して得たものなどであり、かつ樹脂組成
物の架橋音直を＾め、半導体素子へのモノマーの悪影響
を除くため、未反応モノ！−Ｆｉ該フェノール樹脂中０
．５−以下Ｃ；押えることが望ましい。
ことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物であ
る０ 本発明Ｃ二おいてノボラック城エポキシ棚脂としては、
クレゾールノボラック型エポキシ樹に、フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック門
エポキシ樹脂等でありこれら昌 化合物の１種又は色、４以上使用できる０本発明８二お
いて用いる硬化剤としてのフェノールノボラック樹脂と
しては、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾ
ルシノール、クロルフェノール、フェニルフェノール、
ビスフェノールＡなどの１種または２種以上の混合物と
ホルムアルデヒド又は、パラホルムアルデヒドを、酸を
触媒として反応して得たものなどであり、かつ樹脂組成
物の架橋音直を＾め、半導体素子へのモノマーの悪影響
を除くため、未反応モノ！−Ｆｉ該フェノール樹脂中０
．５−以下Ｃ；押えることが望ましい。
なおその軟化点は７０℃〜１１Ｇ’Ｃが望ましい。しか
してこれらエポキシ樹脂と７エノール樹脂の組会せでは
、エポキシ樹脂中６二含まれるエポキシ基ｌ＠尚たりフ
ェノール性水酸基が０．５〜２．０個となるような割合
いで用いるのが好ましい。
してこれらエポキシ樹脂と７エノール樹脂の組会せでは
、エポキシ樹脂中６二含まれるエポキシ基ｌ＠尚たりフ
ェノール性水酸基が０．５〜２．０個となるような割合
いで用いるのが好ましい。
本発明において硬化促進剤としては公知の触媒が使用で
き１例えｔｆ２−（ジメチルアミンメチル）フェノール
、２．４．６−）リス（ジメチルアミノメチル）フェノ
ール、ベンジルジメチルアミン。
き１例えｔｆ２−（ジメチルアミンメチル）フェノール
、２．４．６−）リス（ジメチルアミノメチル）フェノ
ール、ベンジルジメチルアミン。
α−メチルベンジルジメチルアミンのような第三アミ７
．２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール
、２−ヘプタデシルイミダゾール。
．２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール
、２−ヘプタデシルイミダゾール。
２−エチル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール
類ヤトリフェニルホスフインなどホスフィン類がありそ
の添加′Ｉｋは成形材料中Ｃ二０．１〜１．０重量−で
充分である。
類ヤトリフェニルホスフインなどホスフィン類がありそ
の添加′Ｉｋは成形材料中Ｃ二０．１〜１．０重量−で
充分である。
本発明の必須成分をなす無機質フイ２−としては例えは
結晶性シリカ粉、石英ガラス粉、タルクケイ酸カルシウ
ム粉、ケイ酸ジルコニウム粉、アル建す粉、！ＩＬ酸カ
ルシウム粉、クレー、硫酸バリクム粉、ガラス繊維など
があけられる０これら無機質フィラーの添加量としてｕ
ｓ ｓｏ〜８５［Ｊｉチがｍましく、８５重量％以上で
は組成物の流動性が低く、５０重量−以下では線膨張率
が大きくなるなどの問題が生じる、したがって５０〜８
ｓ１量−の範囲舊二おいて無機質フィラーの種類により
所望の弾性率、線膨張率、ガラス転移点を付与するに十
分な量配合される。
結晶性シリカ粉、石英ガラス粉、タルクケイ酸カルシウ
ム粉、ケイ酸ジルコニウム粉、アル建す粉、！ＩＬ酸カ
ルシウム粉、クレー、硫酸バリクム粉、ガラス繊維など
があけられる０これら無機質フィラーの添加量としてｕ
ｓ ｓｏ〜８５［Ｊｉチがｍましく、８５重量％以上で
は組成物の流動性が低く、５０重量−以下では線膨張率
が大きくなるなどの問題が生じる、したがって５０〜８
ｓ１量−の範囲舊二おいて無機質フィラーの種類により
所望の弾性率、線膨張率、ガラス転移点を付与するに十
分な量配合される。
さらＩｍ、本発明Ｉ：おいてポリブタジェン変成エポキ
シ樹脂としては、例えば日本１違社製１１ｉＰＢ −１
４、ＩＲＦＢ−１３、ＫＰＢ−１２Ｂ 、 ＦｉＰＢ
−１７，大日本インキ社製テ５Ｒ−９６０などがあり、
また、末端カルボキシル基を有するポリブタジェン系樹
脂とビスフェノールム屋エポキシ樹脂を１３０〜１５０
℃窒素雰囲気下２〜ｌＯ時間程度の反応ｌ二よって得ら
れるポリブタジェン変成エポキシ樹脂などである。前記
末端カルボキシル基を有するポリブタジェンとしては例
えば日本１達社製ＦＢ−Ｃ−１０００、ＦＢ−（！ −
２０００、グツドリッチ社製Ｈｙｃａｒ −ｃ’ｒｎ
、 ０ＴＢＩ。
シ樹脂としては、例えば日本１違社製１１ｉＰＢ −１
４、ＩＲＦＢ−１３、ＫＰＢ−１２Ｂ 、 ＦｉＰＢ
−１７，大日本インキ社製テ５Ｒ−９６０などがあり、
また、末端カルボキシル基を有するポリブタジェン系樹
脂とビスフェノールム屋エポキシ樹脂を１３０〜１５０
℃窒素雰囲気下２〜ｌＯ時間程度の反応ｌ二よって得ら
れるポリブタジェン変成エポキシ樹脂などである。前記
末端カルボキシル基を有するポリブタジェンとしては例
えば日本１達社製ＦＢ−Ｃ−１０００、ＦＢ−（！ −
２０００、グツドリッチ社製Ｈｙｃａｒ −ｃ’ｒｎ
、 ０ＴＢＩ。
０ＴＢ１１＠、どがある。またビスフェノールＡ型エポ
キシ樹脂として絋例えばシェル化学社製エビコー）
８２７． ８２８． ８３４． ８３６． １０Ｇ１．
１００４． １００？ 、 チバガイギー社製ア
ラルダイト０Ｙ−２５２，２５０，２６０２８０及び６
０７１．６０８番、 ６０９７．ダウケミカル社製ＤＩ
Ｒ−３３０，３３１，３３７，６６Ｌ ６６４．大日本
インキ化学工業社製エビクロン８００．１０１０．１０
００．３０１０旭電化工業社製７デカレジ／ ＩＦ−４
０８０，Ｆ！Ｐ−４０００などがある。
キシ樹脂として絋例えばシェル化学社製エビコー）
８２７． ８２８． ８３４． ８３６． １０Ｇ１．
１００４． １００？ 、 チバガイギー社製ア
ラルダイト０Ｙ−２５２，２５０，２６０２８０及び６
０７１．６０８番、 ６０９７．ダウケミカル社製ＤＩ
Ｒ−３３０，３３１，３３７，６６Ｌ ６６４．大日本
インキ化学工業社製エビクロン８００．１０１０．１０
００．３０１０旭電化工業社製７デカレジ／ ＩＦ−４
０８０，Ｆ！Ｐ−４０００などがある。
これらポリブタジェン変成エポキシ樹脂の添加諷は、ノ
ボラック型エポキシ樹−（−）に対してポ丁、：。
ボラック型エポキシ樹−（−）に対してポ丁、：。
リプタジエン変成エポキシ樹脂□１．〔・〕を〔・〕４
゜〕＋〔。〕で、５５〜６０重量の範囲であり、好まし
くは１０〜５０重量−である。それ＃ｉ、５重量−以下
では弾性率の低下が少なく％ ６０重量−以上ではＴｔ
の低下がみられ、また機械的強度の低下、高温電気特性
の低下が大きい。１０〜５ｏ３１量チの範囲では変成前
のガラス転移点よりも高いガラス転移点が得られ、ｔ
九２０ ％〜３０％あたりにピークがみられる。この範
囲内では低弾性率、低膨張率でバランスのとれた樹脂が
得られる。
゜〕＋〔。〕で、５５〜６０重量の範囲であり、好まし
くは１０〜５０重量−である。それ＃ｉ、５重量−以下
では弾性率の低下が少なく％ ６０重量−以上ではＴｔ
の低下がみられ、また機械的強度の低下、高温電気特性
の低下が大きい。１０〜５ｏ３１量チの範囲では変成前
のガラス転移点よりも高いガラス転移点が得られ、ｔ
九２０ ％〜３０％あたりにピークがみられる。この範
囲内では低弾性率、低膨張率でバランスのとれた樹脂が
得られる。
本発明の組成物でｔｉｂ）成分である硬化用フェノール
ノボラック樹脂中の未反応フェノールが０．５重量−以
下であることが望ましい。ま九、エポキ／Ａと７−１−
／−ル性水酸基の尚量比（エポキシ基／フェノール性水
酸基）は、０．５〜２．０の範囲が、本発明の目的にと
っては好ましい。いずれもむの範囲を越えると本発明の
所期の効果紘得られない。
ノボラック樹脂中の未反応フェノールが０．５重量−以
下であることが望ましい。ま九、エポキ／Ａと７−１−
／−ル性水酸基の尚量比（エポキシ基／フェノール性水
酸基）は、０．５〜２．０の範囲が、本発明の目的にと
っては好ましい。いずれもむの範囲を越えると本発明の
所期の効果紘得られない。
本発明においては、その他、必要に応じて天然ワックス
、合成ワックス、高級脂肪酸お“よびその金属塩類、も
しくはパラフィンなどの離型剤あるいはカーボンのよう
ｌｌ：な着色剤、さらにカップリング剤などを加えても
よい。また三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、リン
酸塩およびリン化合物等の難燃剤を添加してもよい。
、合成ワックス、高級脂肪酸お“よびその金属塩類、も
しくはパラフィンなどの離型剤あるいはカーボンのよう
ｌｌ：な着色剤、さらにカップリング剤などを加えても
よい。また三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、リン
酸塩およびリン化合物等の難燃剤を添加してもよい。
〔発明の効果〕
本発明によれば、エポキシ樹脂のガラス転移点を低下さ
せることなく、容易に低弾性率、低膨張率化することが
できる。
せることなく、容易に低弾性率、低膨張率化することが
できる。
実施例、比較例
下記の材料を用いて表−１に示すごとき組成のエポキシ
樹脂組成物（実施例１〜１２ 、比較例１〜５）を電キ
サ−６二より混合、加熱ｐ−ルＩ：よる混練冷却後粉砕
して成形用エポキシ樹脂組成物を―製した。次いてこれ
ら組成物を１７０℃×３分の条件で硬化試験片を作製し
１８０℃×８時間後硬化を行なった俵諸特性を評価した
０その結果を夛−２に示した。
樹脂組成物（実施例１〜１２ 、比較例１〜５）を電キ
サ−６二より混合、加熱ｐ−ルＩ：よる混練冷却後粉砕
して成形用エポキシ樹脂組成物を―製した。次いてこれ
ら組成物を１７０℃×３分の条件で硬化試験片を作製し
１８０℃×８時間後硬化を行なった俵諸特性を評価した
０その結果を夛−２に示した。
エポキシ樹脂
ム：クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ商
量２２０） Ｂ：臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂
（エポキシ轟量２７０）フェノールｌｌＩ４脂 フェノールノボラック温樹脂 （水駿基幽量１０４） 硬化促進剤 ヘプタデシルイミダゾール 変成剤 Ａ ： ］！１ＰＢ−１４日本曹達社製（エポキシ当量
的４７５） Ｂ＝テ８Ｒ−９６０大日本インキ社製 （エポキシ商量約２４０） Ｃ：ＩＦＢ−１３日本１達社製 （エポキシ当量的８５０） Ｄ ： ＰＢ−０−２０００日本１違社製（分子量約２
０００ 、１１価３７．１ ）Ｅ：ＣτＢ）ｉ−１３０
０Ｘ１５グツドリッチ社製（ブタジェン・アクリロニト
リル分子量３４００．ＡＭ％１０）Ｆ ： ＰＢ−Ｃ−
２０００１００部とビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
シェル化学社＃１ｐ−１００１２００部とを窒素を吹き
込みながら１４０℃ｉ二て４時間反応させたポリブタジ
ェン変成エポキシ樹脂。
量２２０） Ｂ：臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂
（エポキシ轟量２７０）フェノールｌｌＩ４脂 フェノールノボラック温樹脂 （水駿基幽量１０４） 硬化促進剤 ヘプタデシルイミダゾール 変成剤 Ａ ： ］！１ＰＢ−１４日本曹達社製（エポキシ当量
的４７５） Ｂ＝テ８Ｒ−９６０大日本インキ社製 （エポキシ商量約２４０） Ｃ：ＩＦＢ−１３日本１達社製 （エポキシ当量的８５０） Ｄ ： ＰＢ−０−２０００日本１違社製（分子量約２
０００ 、１１価３７．１ ）Ｅ：ＣτＢ）ｉ−１３０
０Ｘ１５グツドリッチ社製（ブタジェン・アクリロニト
リル分子量３４００．ＡＭ％１０）Ｆ ： ＰＢ−Ｃ−
２０００１００部とビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
シェル化学社＃１ｐ−１００１２００部とを窒素を吹き
込みながら１４０℃ｉ二て４時間反応させたポリブタジ
ェン変成エポキシ樹脂。
その他 無機質フィラーとして溶融シリカ（充てん剤Ａ
）、結晶性シリカ（充てん剤Ｂ）を使用し、難燃剤とし
て三酸化アンチモン。
）、結晶性シリカ（充てん剤Ｂ）を使用し、難燃剤とし
て三酸化アンチモン。
カップリング剤としてＡ−１８７（日本ユニカー）、顔
料としてカーボンブラック、離型剤としてヘキストｍ（
ヘキストジャパン社１ｉりを用いた。
料としてカーボンブラック、離型剤としてヘキストｍ（
ヘキストジャパン社１ｉりを用いた。
以上衣−１および表−２から７エノール硬化型エポキシ
樹脂暑二、ポリブタジェン変成エポキシ樹脂の添加量が
５〜６０重量嘔の範囲内であれは、変成前の樹脂のガラ
ス転移点を低下させる仁となく低膨張率、低弾性率化が
可能であり、特に１０〜５０重量−の範８においては変
成前よりもガラス転移点の高い樹脂が得られることがわ
かる。
樹脂暑二、ポリブタジェン変成エポキシ樹脂の添加量が
５〜６０重量嘔の範囲内であれは、変成前の樹脂のガラ
ス転移点を低下させる仁となく低膨張率、低弾性率化が
可能であり、特に１０〜５０重量−の範８においては変
成前よりもガラス転移点の高い樹脂が得られることがわ
かる。
以下余白
□
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） ６）ノボラック型エポキシ樹脂尋）フェノール
ノボラック樹脂硬化剤 ｃ）（ｉｌ！化促進剤 ｄ）無機質フィラー 。）ポリブタジェン変成エポキシ樹脂 からなることを特徴とする手導体對止用エポキシ樹脂組
成物 （２）前記成分ｅ）のポリブタジェン変成エポキシ樹脂
が、カルボキシル基含有ポリブタジェン系樹脂とビスフ
ェノールＡＷエポキシ樹脂との反応物項記載の半導体刺
止用エポキシ樹脂組成物（３）前記成分法）の硬化用フ
ェノールノボラック樹脂中の未反応フェノールが０．５
賞ｔＳ以下であ卆 る特許請求範囲第１項記載の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物。 （４）前記成分中のエポキシ基とフェノール水酸記載の
半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5671982A JPS58174416A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5671982A JPS58174416A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58174416A true JPS58174416A (ja) | 1983-10-13 |
Family
ID=13035290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5671982A Pending JPS58174416A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58174416A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6162511A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-03-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6162514A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-03-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPS61283615A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
| JPS6281446A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPS62149743A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
| JPH0193155A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| US5114994A (en) * | 1990-03-23 | 1992-05-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Epoxy resin composition for sealing semiconductor |
| JP2006282961A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Sekisui Chem Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物、電子材料用基板、及び電子材料用基板の製造方法 |
-
1982
- 1982-04-07 JP JP5671982A patent/JPS58174416A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6162511A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-03-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
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| JPS6281446A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPS62149743A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
| JPH0551610B2 (ja) * | 1985-12-25 | 1993-08-03 | Sumitomo Bakelite Co | |
| JPH0193155A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| US5114994A (en) * | 1990-03-23 | 1992-05-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Epoxy resin composition for sealing semiconductor |
| JP2006282961A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Sekisui Chem Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物、電子材料用基板、及び電子材料用基板の製造方法 |
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