JPS58174375A - 2,3−ジハイドロ−2,2−ジメチル−7−ハイドロオキシベンゾフランの製法 - Google Patents
2,3−ジハイドロ−2,2−ジメチル−7−ハイドロオキシベンゾフランの製法Info
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- JPS58174375A JPS58174375A JP57058745A JP5874582A JPS58174375A JP S58174375 A JPS58174375 A JP S58174375A JP 57058745 A JP57058745 A JP 57058745A JP 5874582 A JP5874582 A JP 5874582A JP S58174375 A JPS58174375 A JP S58174375A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Furan Compounds (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、オルト−メタリルオキシフェノールを原料と
する2、3−シバイドロー2,2−ジメチル−7−ハイ
ドロオキシベンゾフランの製法に関するものである。
する2、3−シバイドロー2,2−ジメチル−7−ハイ
ドロオキシベンゾフランの製法に関するものである。
2.3−シバイドロー2,2−ジメチル−7−ハイドロ
オキシベンゾフランはカーボッラン系殺虫剤の原料とし
て公知の化合物であり、このもののメチルカーバメート
化によりカーボッランが生成することは公知である。
オキシベンゾフランはカーボッラン系殺虫剤の原料とし
て公知の化合物であり、このもののメチルカーバメート
化によりカーボッランが生成することは公知である。
従来より、オルト−メタリルオキシフェノール(以下、
これをモノエーテルともいう)を原料とする2、3−シ
バイドロー2,2−ジメチル−7−ハイドロオキシベン
ゾフラン(以下、こレヲペンゾフラノールともいう)の
製造法が種々開発されている。
これをモノエーテルともいう)を原料とする2、3−シ
バイドロー2,2−ジメチル−7−ハイドロオキシベン
ゾフラン(以下、こレヲペンゾフラノールともいう)の
製造法が種々開発されている。
一般に、ベンゾフラノールは例えば特公昭41−722
8および特公昭42−12268に見られるように、モ
ノエーテルを約200℃に加熱することにより合成され
ていたが、この場合の収率は低く50%に達しなかった
。その後、これらの改良法が検討され、特開昭55−7
6870ではモノエーテルを水および必要に府じ有機溶
媒の存在下に、170〜230℃に加熱する方法、特開
昭56−16484では、インブテニルピロカテコール
をスルホン酸の存在下に60〜200℃に加熱する方法
、特開昭56−29584ではピロカテコールのエーテ
ル化、転位、環化反応を特定のポリヒywaキシアルキ
ルエーテルの存在下に行なう方法が開発されている。
8および特公昭42−12268に見られるように、モ
ノエーテルを約200℃に加熱することにより合成され
ていたが、この場合の収率は低く50%に達しなかった
。その後、これらの改良法が検討され、特開昭55−7
6870ではモノエーテルを水および必要に府じ有機溶
媒の存在下に、170〜230℃に加熱する方法、特開
昭56−16484では、インブテニルピロカテコール
をスルホン酸の存在下に60〜200℃に加熱する方法
、特開昭56−29584ではピロカテコールのエーテ
ル化、転位、環化反応を特定のポリヒywaキシアルキ
ルエーテルの存在下に行なう方法が開発されている。
本発明者らは上記の従来法を十分検討した上で、更に、
モノエーテルからベンゾフラノール家での総括収率の一
層の向上を目積して鋭意検討を重ねた結果、触媒として
■つ化TA+tニウムもしくは塩化アルミニウムとN−
置換アニリン誘導体あるいは乙の固化合物の錯体を用い
ることにより、高収率で且つ経済的にベンゾフラノール
を製造する方法を確立した。
モノエーテルからベンゾフラノール家での総括収率の一
層の向上を目積して鋭意検討を重ねた結果、触媒として
■つ化TA+tニウムもしくは塩化アルミニウムとN−
置換アニリン誘導体あるいは乙の固化合物の錯体を用い
ることにより、高収率で且つ経済的にベンゾフラノール
を製造する方法を確立した。
即ち本発明はオルトーメタリルオキシフェ/ −ルの転
位詔よび環化反応により2.8−ジへイドロー111.
!−ジメチル−7−ハイドロオキシベンゾフランを得る
に際1シ、触媒として曹つ化アルミニウムもしくは塩化
アル電ニウム及び一般式(式中IRI、R1は炭素数1
〜6のアルキル基、フェニル基もしくはR1とR8は結
合して炭素数S〜7のアルキレン基を、R1は水素又は
炭素数ト4のアルキル基を示す)で表わされるF−置換
Tニリン誘導体あるいはこの固化合物の錯体を用いるこ
とを特徴とするg、3−ジへイドロー1.!−ジメチル
−7−ハイドロオキシベンゾフランの製法に係る。
位詔よび環化反応により2.8−ジへイドロー111.
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に際1シ、触媒として曹つ化アルミニウムもしくは塩化
アル電ニウム及び一般式(式中IRI、R1は炭素数1
〜6のアルキル基、フェニル基もしくはR1とR8は結
合して炭素数S〜7のアルキレン基を、R1は水素又は
炭素数ト4のアルキル基を示す)で表わされるF−置換
Tニリン誘導体あるいはこの固化合物の錯体を用いるこ
とを特徴とするg、3−ジへイドロー1.!−ジメチル
−7−ハイドロオキシベンゾフランの製法に係る。
本発明の上記転位および環化反応は下記反応式%式%
本発明においては触媒としてヨウ化アルミニウムもしく
は塩化アルミニウム及び一般式(1)で表わされるN−
置換アニリン誘導体又はこの固化合物の錯体が用いられ
る。上記錯体としてはヨウ化アルミニウムもしくは塩化
アルミニウムとN−置換アニリン誘導体を別々に加えて
系内で錯体を形成させて、これを用いても良く、あるい
は予め合成した固化合物の錯体を使用しても良い。ヨウ
化アルミニウムもしくは塩化アルミニウムとN−置換ア
ニリン誘導体の錯体は、通常前者の1モルに対して後者
を約1モル以上の割合で用いることにより形成される。
は塩化アルミニウム及び一般式(1)で表わされるN−
置換アニリン誘導体又はこの固化合物の錯体が用いられ
る。上記錯体としてはヨウ化アルミニウムもしくは塩化
アルミニウムとN−置換アニリン誘導体を別々に加えて
系内で錯体を形成させて、これを用いても良く、あるい
は予め合成した固化合物の錯体を使用しても良い。ヨウ
化アルミニウムもしくは塩化アルミニウムとN−置換ア
ニリン誘導体の錯体は、通常前者の1モルに対して後者
を約1モル以上の割合で用いることにより形成される。
ヨウ化アルミニウムはモノエーテル1重量部に対して好
ましくは約0.001〜0.8重量部の割合、特に好ま
しくは約o、 o o s〜0.08重量部の割合で用
いられる。塩化アルミニウムはモノエーテル1重量部に
対して好ましくは約0.001〜0.5重量部の割合、
特に好ましくは約0.005〜0.05重量部の割合で
用いられる。、ヨウ化アルミニラム及び塩化アルミニウ
ムは結晶水かあっても使用できるが無水物の方が好まし
い。一般式(1)で表わされるN−置換アニリン誘導体
の好適な例としてはN、N−ジメチルアニリン、N、N
−ジエチルアニリン、N−メチル−ジフェニルアミン、
N、N−ジメチル−p−)シイジン1.N−フエニルピ
ペリジン等を挙げることができる。
ましくは約0.001〜0.8重量部の割合、特に好ま
しくは約o、 o o s〜0.08重量部の割合で用
いられる。塩化アルミニウムはモノエーテル1重量部に
対して好ましくは約0.001〜0.5重量部の割合、
特に好ましくは約0.005〜0.05重量部の割合で
用いられる。、ヨウ化アルミニラム及び塩化アルミニウ
ムは結晶水かあっても使用できるが無水物の方が好まし
い。一般式(1)で表わされるN−置換アニリン誘導体
の好適な例としてはN、N−ジメチルアニリン、N、N
−ジエチルアニリン、N−メチル−ジフェニルアミン、
N、N−ジメチル−p−)シイジン1.N−フエニルピ
ペリジン等を挙げることができる。
本発明においては好ましくは溶媒を用いて反応を行うこ
とができる。好適な溶媒としては上記一般式(1)で表
わされるN−置換アニリン誘導体、芳香族炭化水素、脂
肪族炭化水素、芳香族エーテル、脂肪族エーテルを挙げ
ることができる。上記芳香族炭化水素の具体例としては
べ、・・ンゼン、トルエン、キシレン、ジエチルベンゼ
ン、−□トリエチルベンゼンンゼン、ナフタリン、テト
ラリン、ジフェニルエタン等を、脂肪族炭化水素の具体
例としてはヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、デカ
リン等を、芳香族又は脂肪族エーテルの具体例としては
ジフェニルエーテル、アニ’/−)Lt、−jf
”ルフェニルエーテル等を挙げることができる。所
かる溶媒は1種又は2種以上併用することができ、通常
モノエーテル1重量部に対して約1〜50重量部、好ま
しくは約5〜25重量部の割合で使用される。
とができる。好適な溶媒としては上記一般式(1)で表
わされるN−置換アニリン誘導体、芳香族炭化水素、脂
肪族炭化水素、芳香族エーテル、脂肪族エーテルを挙げ
ることができる。上記芳香族炭化水素の具体例としては
べ、・・ンゼン、トルエン、キシレン、ジエチルベンゼ
ン、−□トリエチルベンゼンンゼン、ナフタリン、テト
ラリン、ジフェニルエタン等を、脂肪族炭化水素の具体
例としてはヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、デカ
リン等を、芳香族又は脂肪族エーテルの具体例としては
ジフェニルエーテル、アニ’/−)Lt、−jf
”ルフェニルエーテル等を挙げることができる。所
かる溶媒は1種又は2種以上併用することができ、通常
モノエーテル1重量部に対して約1〜50重量部、好ま
しくは約5〜25重量部の割合で使用される。
本発明は、通常約60〜250℃、好ましくは約100
〜210℃の温度範囲で実施される。また、バッチ式、
連続式のいずれの方法でも実施することかできる。
〜210℃の温度範囲で実施される。また、バッチ式、
連続式のいずれの方法でも実施することかできる。
本発明はモノエーテルから中間体である転位生□・・1
酸物、即ち3−・メタリル−1,2−ジハイドロオキシ
ベンゼンや3−インブテニル−1,2−ジハイドロオキ
シベンゼンを経てベンゾフラノールが生成されるもので
あるが、これらの中間体の精製工程は設けず、モノエー
テルから直接、二段法でg tBにHつ高収率でベンゾ
フラノールを製造する方法を提供するものである。
ベンゼンや3−インブテニル−1,2−ジハイドロオキ
シベンゼンを経てベンゾフラノールが生成されるもので
あるが、これらの中間体の精製工程は設けず、モノエー
テルから直接、二段法でg tBにHつ高収率でベンゾ
フラノールを製造する方法を提供するものである。
更に本発明の大きな特徴として、本廃明では常圧又は加
圧のいずれの方法をも採用することができるか、特に常
圧で反応を行なうことにより装置を簡略化することがで
き、経済的に巨つ高収率でベンゾフラノールを製造する
ことができる。
圧のいずれの方法をも採用することができるか、特に常
圧で反応を行なうことにより装置を簡略化することがで
き、経済的に巨つ高収率でベンゾフラノールを製造する
ことができる。
次に本発明の実施態様について具体的に説明する。モノ
エーテル、触媒、溶媒は任意の順序に添加した後、加熱
しても良いし、あるいはヨウ化アルミニウムもしくは塩
化アルミニウムと一般式(1)で表わされるN−置換ア
ニリン誘導体を混合して錯体を形成せしめた後に、溶媒
およびモノエーテルを添加し、加熱しても良い。
エーテル、触媒、溶媒は任意の順序に添加した後、加熱
しても良いし、あるいはヨウ化アルミニウムもしくは塩
化アルミニウムと一般式(1)で表わされるN−置換ア
ニリン誘導体を混合して錯体を形成せしめた後に、溶媒
およびモノエーテルを添加し、加熱しても良い。
本発明の反応速度は早く、通常、数十分〜数時間で反応
は完結する。反応後、得られたベンゾフラノールは蒸留
等により単離することが可能であり、またベンゾフラノ
ールを原料とふで更に他の化合物を合成する場合には単
離せず、そのまま反耐に供することができる。
は完結する。反応後、得られたベンゾフラノールは蒸留
等により単離することが可能であり、またベンゾフラノ
ールを原料とふで更に他の化合物を合成する場合には単
離せず、そのまま反耐に供することができる。
以下に実施例を挙げて本発明を説明する。
実施例1
温度計、撹拌装置及び還流冷却器を備えた容量3 0
0 m1gのガラス製反応器に、N,N−ジメチルアニ
リン2002を入れ、系内の空気を窒素ガスにより置換
した状態にする。次にヨウ化アルミニウム0.67を加
え撹拌する。これにモノエーテル16.4g(100ミ
リモル)を加え、撹拌下、還流温度で1時間加熱した。
0 m1gのガラス製反応器に、N,N−ジメチルアニ
リン2002を入れ、系内の空気を窒素ガスにより置換
した状態にする。次にヨウ化アルミニウム0.67を加
え撹拌する。これにモノエーテル16.4g(100ミ
リモル)を加え、撹拌下、還流温度で1時間加熱した。
この反応液の高速液体クロマトグラフ分析の結果、ベン
ゾフラノール18.8F(84ミリモル)が得られた。
ゾフラノール18.8F(84ミリモル)が得られた。
更に、この反応液を減圧蒸留して得られた留分の核磁気
共鳴スペクトルおよびマススペクトルの測定の結果、別
途合成したベンゾフラノールの標品のスペクトルと完全
に一致し、同定確認した。
共鳴スペクトルおよびマススペクトルの測定の結果、別
途合成したベンゾフラノールの標品のスペクトルと完全
に一致し、同定確認した。
実施例2〜6
実施例1と同様の反応器を使用し、系内を窒素ガス雰囲
気下とし、モノエーテル16.49 (100ミリモル
)、N−置換アニリン誘導体およびヨウ化アルミニウム
あるいは塩化アルミニウムを順次加え撹拌する。この混
合物を加熱し、表1の結果を得た。
気下とし、モノエーテル16.49 (100ミリモル
)、N−置換アニリン誘導体およびヨウ化アルミニウム
あるいは塩化アルミニウムを順次加え撹拌する。この混
合物を加熱し、表1の結果を得た。
比較例1
実施例1においてヨウ化アルミニウムを使用しない以外
は同様に行ったところ、ベンゾフラノールの収率は5%
と極めて低かった。
は同様に行ったところ、ベンゾフラノールの収率は5%
と極めて低かった。
実施例7〜10
実施例1と同様の反応器を使用し、窒素ガス雰囲気下に
おいて、モノエーテル16.49 (10帆ミリモル)
、N、N−ジメチルアニリン、溶媒およびヨウ化アルミ
ニウムあるいは塩化アルミニウムを順次加えて撹拌する
。この混合物を加熱し、表2の結果を得た。
おいて、モノエーテル16.49 (10帆ミリモル)
、N、N−ジメチルアニリン、溶媒およびヨウ化アルミ
ニウムあるいは塩化アルミニウムを順次加えて撹拌する
。この混合物を加熱し、表2の結果を得た。
実施例11
温度計、撹拌装置を備えた容置a o o meのり゛
ラスライニングしたオートクレーブの系内を窒素ガス雰
囲気下とし、モノエーテル16.49 (100ミリモ
ル)、N、N−ジメチルアニIノン1.07、メシチレ
ン1007およびヨウ化アルミニウム0.5gを順次加
えて撹拌する。この混合物を200℃で2時間加熱した
ところ、ベンゾフラノールの収率は78%であった。
ラスライニングしたオートクレーブの系内を窒素ガス雰
囲気下とし、モノエーテル16.49 (100ミリモ
ル)、N、N−ジメチルアニIノン1.07、メシチレ
ン1007およびヨウ化アルミニウム0.5gを順次加
えて撹拌する。この混合物を200℃で2時間加熱した
ところ、ベンゾフラノールの収率は78%であった。
実施例12
実施例11においてメシチレンの代り番こトルエン10
0gを用いF以外、他は同litこして行つtこところ
、ベンゾフラノールの収率は78%であつ1 特許出願人 大塚化学薬品株式会社 代 理 人 弁理士 1)村 巌 手続補正書(自発) 昭和57年 5月18日 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 1、事件の表示 昭和57年特 許願第58745号 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 大塚化学薬品株式会社 4、代理人 6、 補正により増加する衰明の数 8、補正の内容 手続補正書(0幻 昭和57年6月29日 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 ■、事件の表示 昭和57年特 許 願第58745号 2° 発明の名称2 、3−シ・・イトロー2,2−ジ
メチ・レーア−ハイドロオキシベンゾフランの製法3、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 大塚化学薬品株式会社 4、代理人 6、 補正により増加する発明の数 補 正 の 内 容 1 明細書第7頁第9行「好適な」とあるを「用いられ
る溶媒としては特に限定されないが、好適な」と訂正す
る。
0gを用いF以外、他は同litこして行つtこところ
、ベンゾフラノールの収率は78%であつ1 特許出願人 大塚化学薬品株式会社 代 理 人 弁理士 1)村 巌 手続補正書(自発) 昭和57年 5月18日 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 1、事件の表示 昭和57年特 許願第58745号 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 大塚化学薬品株式会社 4、代理人 6、 補正により増加する衰明の数 8、補正の内容 手続補正書(0幻 昭和57年6月29日 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 ■、事件の表示 昭和57年特 許 願第58745号 2° 発明の名称2 、3−シ・・イトロー2,2−ジ
メチ・レーア−ハイドロオキシベンゾフランの製法3、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 大塚化学薬品株式会社 4、代理人 6、 補正により増加する発明の数 補 正 の 内 容 1 明細書第7頁第9行「好適な」とあるを「用いられ
る溶媒としては特に限定されないが、好適な」と訂正す
る。
2 明細書第7頁第12行「脂肪族エーテル」とあるを
「脂肪族エーテル、芳香族ケトン、脂肪族ケトン」と訂
正する。
「脂肪族エーテル、芳香族ケトン、脂肪族ケトン」と訂
正する。
3 明細書第8頁第5行「エーテル等を」とあるを「エ
ーテル等を、芳香族又は脂肪族ケトンの具体例トシてハ
ペンゾフエノン、アセトフェノン、p−ハイドロオキシ
アセトフェノン、アセトン、メチルインブチルケトン、
シクロヘキサノン等を」と訂正する。
ーテル等を、芳香族又は脂肪族ケトンの具体例トシてハ
ペンゾフエノン、アセトフェノン、p−ハイドロオキシ
アセトフェノン、アセトン、メチルインブチルケトン、
シクロヘキサノン等を」と訂正する。
(以上)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ オルト−メタ讐ルオキシフェノールの転位自よび環
化反F5により鵞、8−ジへイドロー意。 意−ジメチル−丁−ハイド冒オキシベンゾフランを得る
に際し、触媒として冒つ化アル電1ウムもしくは塩化ア
ル電ニウム及び一般式(式中R1、R1は炭素数1〜6
のアルキル基、フェニル基もしくはR1とR3は結合し
て炭素数b〜70アルキレン基を Haは水素又は炭素
数1〜8のアルキル基を示す)で表わされるN−置換ア
ニリン誘導体あるいはこの両化舎物の錯体を用いるξと
を特徴とする2、3−シバイドロー2,2−ジメチル−
7−ハイドロオキシベンゾフランの製法。 ■ 溶媒として上記一般式(1)で表わされるアニリン
誘導体、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素、芳香族エー
テル、脂肪族エーテルから選ばれた1種以上を使用する
特許請求の範囲第1項に記載の製法。 ■ 反応を約60〜250℃の温度範囲で実施する特許
請求の範囲第1項に記載の製法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57058745A JPS58174375A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | 2,3−ジハイドロ−2,2−ジメチル−7−ハイドロオキシベンゾフランの製法 |
US06/387,604 US4451662A (en) | 1981-09-01 | 1982-06-11 | Process for preparing 2,3-dihydro-2,2-dimethyl-7-hydroxybenzofuran |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57058745A JPS58174375A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | 2,3−ジハイドロ−2,2−ジメチル−7−ハイドロオキシベンゾフランの製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58174375A true JPS58174375A (ja) | 1983-10-13 |
JPS6160835B2 JPS6160835B2 (ja) | 1986-12-23 |
Family
ID=13093067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57058745A Granted JPS58174375A (ja) | 1981-09-01 | 1982-04-07 | 2,3−ジハイドロ−2,2−ジメチル−7−ハイドロオキシベンゾフランの製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58174375A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0740631A (ja) * | 1993-07-26 | 1995-02-10 | Erekomu Hanbai Kk | 原稿保持具 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5821676A (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-08 | Otsuka Chem Co Ltd | 2,3−ジハイドロ−2,2−ジメチル−7−ハイドロオキシベンゾフランの製造方法 |
JPS5953269A (ja) * | 1982-06-10 | 1984-03-27 | テイ−ア−ルダブリユ−・インコ−ポレ−テツド | 車輪旋回装置 |
-
1982
- 1982-04-07 JP JP57058745A patent/JPS58174375A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5821676A (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-08 | Otsuka Chem Co Ltd | 2,3−ジハイドロ−2,2−ジメチル−7−ハイドロオキシベンゾフランの製造方法 |
JPS5953269A (ja) * | 1982-06-10 | 1984-03-27 | テイ−ア−ルダブリユ−・インコ−ポレ−テツド | 車輪旋回装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6160835B2 (ja) | 1986-12-23 |
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