JPS58164030A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気記録媒体に係り、強磁性層」−に窒化ホ
ウ素ＢＮＭを主成分とする保護膜を形成することにより
、ヘッドクラッシュ防止効果が極めて大きく、耐久性の
優れた磁気記録媒体を（〃供することを目的とするもの
である。

近年、従来の塗布型磁気記録媒体とは異なり、スパッタ
、蒸着等のように、非磁性基体トに直接強磁性層を形成
する方法により、磁気記録媒体を　　　゛製造する方法
が検討されている。このようにして得られた磁気記録媒
体１例えば磁気ディスクは、従来の塗布型の磁気ディス
クとは比較にならない程の高記録密度（−５０ＫＢＰＩ
以」二）を達成することが可能である。しかし、この種
の磁気ディスクにおいては、磁気記録媒体と磁気ヘッド
との接触により磁性膜が破壊される、所謂ヘッドクラッ
シュの問題が塗布型の磁気ディスクに比べて生じ易く、
商品化上の一つの問題になっている。

ｉた、記録密度が高くなる程、磁気記録媒体と磁気ヘッ
ドとの間のスペーシングを小さくする必要があるが、一
方では、スペーシングか小さくなるにつれてヘッドクラ
ッシュの問題が生じ易ぐなる。従って、ヘッドクランシ
ュの問題を解決することは、今後、磁気記録媒体の記録
密度を高める上で非常に重要なことである。

を記のヘッドクラッシュの問題を解決するため、測子１
ｆｓｉ０２、ＴｌＯ２、Ｓｉ３Ｎ４　、　ＷＣ，ＴｉＣ
，ＳｉＣ，Ｂ＋Ｃ笠の硬度の高い物質で成る保護膜を磁
性層の上に形成する方法（特公昭５４−３４６０２号、
特公昭５５−３９０４７号、特開昭５３−２１９０１号
、特開昭５３’−２１９０２号等）が提案されている。

しかし、本発明者等が検討した結果では、前記物質は硬
度は高いが潤滑性が良くないため、保護膜」二に僅かで
も突起があると、この突起により磁気記録媒体と磁気へ
・ンドとの間で引掛りを生じ、そこから保ｉｉ＃　ＩＩ
Ｉが剥離し、延いてはそこから磁性層までも破壊されて
しまうことが多かった。

そこで、本発明者等はヒ述する従来の問題点を解決　す
べく鋭意検討を重ねた結果、保護膜を形成する物質の硬
度か高いと言うことよりも、潤滑性に慣れていることが
、ヘッドクラッシュを防ｌｌ＝する−１−でより重要で
あることを見出し、本発明をなすに至った。

即ち、本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性基体上に強
磁性層を設け、この強磁性層」−に窒化ホウ素ＢＮｘを
主成分とする保護膜を形成したことを特徴とするもので
ある。

窒化ホウ素ＢＮＭを主成分とする保護膜は、硬度が高い
ことは勿論であるが、潤滑性が特に優れている。このた
め、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの接触が非常に滑らか
に行なわれ、ヘッドクラッシュによる保護膜及び磁性層
の剥離、破壊等が非常に効果的に防止されることとなる
。しかも、窒化ホウ素ＢＮＲによる保護膜は、プラズマ
ＣＶＤ法という乾式プロセスで簡単に形成できるから、
王業的邦産性にも優れたものとなる。

前記窒化ホウ素ＢＮｘにおけるＸは、プラズマＣＶ　Ｄ
　ｉｆ、４、＋：　オ＋ｔ　６　Ｉｆｆ　料カ、７　（
７）ｉｔ＄　１．ｆ　；ｔ　４ｆ　Ｂ２Ｈｂ　ｋ　ＮＨ
３’とを使用する場合にはＢ、Ｈ６どＮＨ５との比率に
より調整される。このＸの範囲が０．５〜１．５の範囲
で良好な潤滑性を示し、保護膜として使用することがで
きる。ｘ　＝　０．８〜１．２の範囲では特に良好な潤
滑性を示し、ヘッドクラッシュ防止効果が極めて大きい
ため、この範囲に調整することが望ましい。

また、保護膜の硬度を調節するために、Ｓｉ、Ｃ、ＡＩ
、Ｐ等を、保護膜の潤滑性か損なわれない程度に加えて
も、本発明の効果は失われない。

前記保護膜の形成方法としては、蒸着法、スパッタ法ま
たはＣＶＤ法等も考えられる。しかし、蒸着法やスパッ
タ法の場合は、一旦、窒化ホウ素ＢＮＩＩの母体を作成
しなければならず、生産コストが割高になる欠点がある
。また、ＣＶＤ法の場合は、被形成面を約１０００℃程
度まで加熱しなければならず、その過程で磁気記録媒体
の磁性層の結晶粒が変形したりするため、不適当である
。これに対し、プラズマＣＶＤ法は、室温〜３００℃３
００℃程比較的低温の温度範囲で保護膜を形成すること
が可能であるから、生産性及び生産コストの両面から大
きなメリットが得られる。

以下実施例に基づき、本発明を更に具体的に説明する。

実施例１ 第１図において、非磁性基体上にスパッタ法によりＣｏ
−Ｃｒ垂直磁化膜を０．５１Ｌｍの厚さで形成した磁気
ディスク１を、真空容器２内の電極３−Ｌに配置する。

電極３はヒータ４により１００℃程度に加熱しておく。

真空容器２内にはポンベ５がらＨｚガスを、またボンベ
６及び７からはミキサ８を介してＢ２）１．ガス及びＮ
Ｈ，ガスをそれぞれ導入しである。Ｂ２　Ｈ６ガスとＮ
Ｈ，ガスの混合ガスは電極９に設けられた穴ｌＯより真
空容器２内に吹出される。

吹いで、ＲＦ電源１１により電極３及び電極９の間に１
３．５８ＭＨｚの高周波を印加してプラズマ放電を生じ
させ、磁気ディスク１上に窒化ホウ素ＢＮＭの保護膜を
形成する。この保護膜の厚さは５００大になるように調
整する。

上記の手順に従って、窒化ホウ素ＢＮｘのＸがＸ＝０．
５〜１．５の範囲となるように、８２　Ｈ，ガスとＮＨ
Ｅガスの混合比率を変えながら、強磁性層の上に窒窒化
ホウ素ＢＮｘの保護ロタを有する磁気ディスクｌを作成
した。そしてこの磁気ディスクｌについて８インチフロ
ッピーディスク用ドロップアウト試験機により１０００
万回パスまでの耐久性テストを行なった。その結果を第
２図に示す。第２図において、横軸は１０００万回まで
のパス回数、縦軸はドロ・ンプアウトの無いセクターの
数を示す。なお、最初の状態は２７セクターである。

ｘ　＝　０．８〜１．２の範囲にある窒化ホウ素ＢＮＭ
の保護膜を堝する磁気ディスクについては、第２図の線
Ｌｌで示すように、１０００万回パスまでドロップアウ
トは見られなかった。また、０．５＜ｘ＜０゜８の範囲
及び１．２＜ｘ≦１．５の範囲にある窒化ホウ素ＢＮ１
１の保護膜を有する磁気ディスクについては、第２図の
線Ｌ２で示すように、１００万回パス以上でドロップア
ウトのあるセクターが１個または２個生じた。

比較例１ Ｂ２．Ｈ６ガスをＳＩＨ＋ガスに変えた以外は実施例１
と同じようにして、磁気ディスク１に５ｉｑＮ４の保護
膜を形成し、実施例１と同様の耐久性テストを行なった
。その結果を第２図の腺Ｌ３で示す。この結果から明ら
かなように、比較例１の場合は１０００回パス以上でド
ロップアウトのあるセクターが生じ始め、保護膜の耐久
性が実施例１より劣ることかわかる。

比較例２ 保護膜を持たない磁気ディスクについてｔ記と同様の耐
久性テストを行なった。結果は第２図の線Ｌ４で示すよ
うに、１０回程度のパス回数で、ドロ・ンプアウトの無
いセクターの数は初期数２７個の半分以下に）威少し、
１万回パスに達する以前に全てのセクターでドロップア
ウトが見られるようになった。

υ上述べたように、本発明に係る磁気記録媒体は、非磁
性基体上に強磁性層を設け、この強磁性層上に窒化ホウ
素を主成分とする保護膜を形成したことを特徴とするか
ら、強磁性層のにに、硬度が高く、かつ潤滑性の非常に
優れた保護膜を形成し、ヘッドクラッシュ防止効果が極
めて大きく、−久性の優れた磁気記録媒体を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る磁気記録媒体を製造するプラズマ
ＣＶＤ装置を示す図、第２は磁気記録媒体の耐久性テス
トの結果を示す図である。 第１図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）　非磁性基体上に強磁性層を設け、この強磁性層
   上に窒化ホウ素を主成分とする保護膜を形成したことを
   特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）　前記窒化ホウ素は、その化学式をＢＮｘとした
   とき、ｘ＝０．５〜１，５の範囲であることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
3. （３）　前記窒化ホウ素は、その化学式をＢＮｇとした
   とき、ｘ＝ｏ、、８〜１．２の範囲であることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
4. （４）　前記保護膜は、プラズマＣＶＤ法によって形成
   したことを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項ま
   たは第３項に記載の磁気記録媒体。