JPS58163949A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光照射する電磁波のス
ペクトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有
すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有するこ
と、使用時において人体に対して無公害であること、更
には固体撮像装置においては、残像を所定時間内にに容
易に処理することができること等の特性が要求される。

殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記
の使用時における無公害性は重要な点である。

（２） この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以ｆｆｌ＆−８１真用偉形成部
材として、独国公開第２９３３４１１号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。

両年ら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の点、更に
は軽詩的安定性及び耐久性の点において、各々、個々に
は特性の向上が計られているが総合的な特性向上を計る
上で更に改良される余地が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において残留電位が残る場合が度々観測
され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続ける
と、繰返し使用による疲労の蓄積が起つて、残像が生ず
（３） る所謂ゴースト現象を発する様になる等の不都合な点が
少なくなかった。

又、ａ−８１材料で光導電層を構成する場合には、その
電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子或
いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気伝
導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはその他
の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として光
導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕
方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性や耐圧性に問題が生ずる場合があった。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの核層中での寿命が充分でないこ
とや暗部において、支持体側よシの電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或ｉは、転写紙に転写された画像に俗
に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象による
　　　　）と思われる画像欠陥や、例えば、クリーニン
グに、ブレードを用いるとその摺擦によると思われ、（
４） る、俗に「白スジ」と云われて−る所謂画像欠陥が生じ
たシしていた。又、多湿雰囲気中で使用したシ、或いは
多湿雰囲気中に長時間放置しくて だ直後に使用すると俗蟻云う画像のボケが生ずる場合が
少なくなかった。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室よシ取シ出した後、空気中での放引起し勝ちになる。

この現象は、殊に支持体が通常、電子写真分野において
使用されているドラム状支持体の場合に多く起る等、軽
時的安定性の点において解決される可き点がある。

従ってａ−８１材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材として（５） の適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意研究
検討を続けた結果、シリコン原子を母体とし、水素原子
（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なく
とも含有するアモルファス材料、所謂水素化アモルファ
スシリコン、ハロゲン化アモルファスシリコン、　或１
ｎｔｆハロゲン含有水素化アモルファスシリコン〔以後
これ等の総称的表記として［ＩＬ−Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）　
Ｊを使用する〕から構成される光導電層を有する光導電
部材の層構成を以後に説明される様な特定化の下に設定
されて作成された光導電部材は実用上著しく優れた特性
を示すばかヤでなく、従来の光導電部材と較べてみても
あらゆる点において凌駕していること、殊に電子写真用
の光導電部材として著しく優れた特性を有していること
をづ 見出した点に基すいている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用環境に殆
んど依存なく実質的に常時安定しておシ、耐光疲労に著
しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず耐久
性、耐湿性に優れ、（６） 残留電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提
供することを主たる目的とする。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間における密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であ）、層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適用
させた場合、静電像形成のだめの帯電処理の際の電荷保
持能力が充分あシ、通常の電子写真法が極めて有効に適
用され得る優れた電子写真特性を有する光導電部材を提
供することである。

本発明の更に他の目的は、長期の使用において画像欠陥
や画像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることが
容易にできる電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の更くもう１つの目的は、高光感度性、高８Ｎ比
特性及び高耐圧性を有する光導電部材（７） を提供することでもある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子を母体とし、好ましくは構成原子として水素原
子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少な
くとも含有する非晶質材料で構成され、光導電性を有す
る非晶質層とを有し、該非晶質層が、構成原子として、
層厚方向に不均一で連続的な分布状態で酸素原子が含有
されているオーの層領域（０）と、構成原子として、層
厚方向に連続的な分布状態で周期律表オＶ族に属する原
子が含有され、前記非晶質層の支持体側に内在している
オニの層領域（Ｖ）とを有することを特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、耐圧性及び使
用環境特性を示す。

殊Ｋ、電子写真用像形成部材として適用させ　　　　　
）だ場合には、画像形成への残留電位の影響が全くなく
、その電気的特性が安定しており、高感（８） 度で、高ＢＮ比を有するものであって、耐光疲労、繰返
し使用特性に長け、濃度が高＜　、７％−７トーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安定して
繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が、層自体強靭であって、且つ支持体との密着性に著
しく優れておシ、高速で長時間連続的に繰返し使用する
ことが出来る。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就いて詳細
に説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的例示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用としテ
ノ支持体１０１ノ上、ａ　−８１（Ｈ，りから成シ、光
導電性を示す非晶質層１０２を有する。

非晶質層１０２は、該層の全層域を占め、構成原子とし
て酸素原子を含有するオーの層領域（０）１０３、周期
律表オＶ族に属する原子（オＶ族原子）を含有するオニ
の層領域（Ｖ）　１０４　、及びオ（９） 二の層領域（Ｖ）　１０４上に、酸素原子は含有してい
るがオＶ族原子は含有されてない表面層領域１０５とか
ら成る層構造を有する。

牙−の層領域（０）　１０３に含有される酸素原子は該
層領域（０）　１０Ｂにおいて層厚方向には連続的に分
布し、その分布状態は不均一とされるが、支持体１０１
０表面に実質的に平行な面内では連続的に且つ実質的に
均一に分布されるのが好ましいものである。

第１図に示す光導電部材１００は非晶質層１０２の表面
部分にはオＶ族原子が含有されない層領域１０５が設け
である。

オニの層領域１０４中に含有されるオＶ族原子は、該層
領域１０４において層厚方向には連続的に分布し、その
分布状態は均一であシ、且つ支持体１０１０表面に実質
的に平行な面内では連続的に且つ実質的に均一に分布さ
れるのが好ましいものである。

本発明の光導電部材においては、オーの層領域（０）に
は酸素原子の含有によって高暗抵抗化（１０） と、非晶質層が直接設けられる支持体との間の密着性の
向上が重点的に計られている。殊に、第１図に示す光導
電部材１００の様に非晶質層１０２が酸素原子を含有す
るオーの層領域（Ｏ）　１ＯＳ、牙Ｖ族原子を含有する
オニの層領域（Ｖ）　１０４、オＶ族原子の含有されて
いない表面層領域１０５とを有し、オーの層領域（０）
　１ｏｘとオニの層領域（Ｖ）　１０４とが共有する層
領域を有する層構造の場合によシ良好な結果が得られる
。

又、本発明の光導電部材においては、オーの層領域（０
）　１０３に含有される酸素原子の該層領域（０）　１
０Ｍにおける層厚方向の分布状態は第１には該オーの層
領域（０）　１０Ｍの設けられる支持体１０１又は他の
層との密着性及び接触性を良くするために支持体１０１
又は他の層との接合面側の方に分布濃度が高くなる様に
される。第２には、上記オーの層領域（０）　１０５中
に含有される酸素原子は、非晶質層１０２の自由表面１
０６側からの光照射に対して、表面層領域１０５の高感
度化を計るために自由表面１０６側にお−で分布濃θ１
） 度が次オに減少され、自由表面１０６においては分布濃
度が実質的に零となる様にオーの層領域（０）　１０３
中に含有されるのが好ましいものである。オニの層領域
（Ｖ）　１０４中に含有されるオＶ族原子の分布状態は
、層領域（Ｖ）　１０４　において、その層厚方向にお
いては、連続的で均一であって、且つ支持体１０１０表
面に平行な面内においても連続的で均一である。

本発明において、非晶質層を構成する層領域（Ｖ）中に
含有されるオＶ族原子として使用されるのは、Ｐ（燐）
、Ａｓ　（砒素）、日ｂ（アンチモン）、Ｂｉ　（ビス
マス）等であり、殊に好適に用いられるのはＰ、ムロで
ある。

本発明において、オニの層領域（Ｖ）中に含有されるオ
Ｖ族原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達
成される様に所望に従って適宜法められるが、通常は５
０〜５　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　ｓ好ましくは
５０〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｘｎ　、　
　　　　：。

最適には１００〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　Ｉｌ
ｌ）ｍ　トサレルのが望ましいものである。オーの層領
域（０）中（１２） に含有される酸素原子の量に就でも形成される光導電部
材に要求される特性に応じて所望に従って適宜法められ
るが、通常の場合、ｏ、ｏｏ１〜３　Ｑ　ａｔｏｍｉｅ
％　、好ましくは０．００２〜２０　ａｔｏｍｉｃチ、
最適には０．００５〜１０　ａｔｏｍｉｃ　％とされる
のが望ましいものである。

本発明の光導電部材においては、オーの層領域（０）に
は、酸素原子の含有によって、高暗抵抗化と、非晶質層
が直接設けられる支持体との間の密着性の向上が重点的
に計られる。

殊に、第１図に示す光導電部材１００の様Ｋ、非晶質層
１０２が、酸素原子を含有するオーの層領域（０）　１
ｏ３　、オＶ族原子を含有するオニの層領域（Ｖ）　１
０４　、オＶ原子の含有されていない層領域１０５とを
有し、オーの層領域（０）　１０３とオニの層領域（Ｖ
）　１０４とが共有する層領域を有する層構造の場合に
よ如良好な結果が得られる。

本発明の光導電部材においては非晶質層の全層領域を構
成し、酸素原子の含有されるオーの層領域（０）は、１
つには非晶質層の支持体との（１の 密着性の向上を計る目的のために、又、非晶質層の一部
を構成しオＶ族原子の含有されるオニの層領域（Ｖ）は
、１つには、非晶質層の自由表面側より帯電処理を施さ
れた際、支持体側より非晶質層の内部に電荷が注入され
るのを阻止する目的のために夫々、支持体と非晶質層と
が接合する層領域として少なくとも互いの一部を共有す
る構造で設けられる。

本発明の光導電部材においては、オＶ族原子の含有され
る層領Ｍ　（Ｖ）は、その設けられる目的が非晶質層と
支持体間における、支持体側から非晶質層中への電荷の
注入防止を主たるものとする場合には、非晶質層の支持
体側の方に極力偏在させる必要がある。

この様な場合においては、オＶ族原子の含有されている
層領域（Ｖ）の層厚ｔＢと（第１図では層領域１０４の
層厚）、層領域（Ｖ）の上に設けられた、層領域（Ｖ）
を除ｉた部分の層領域（第１図では層領域１０６）の層
厚Ｔとの間には、ｔＢ／　（”＋　ｔＢ）≦０．４ （１４） の関係が成立する様に非晶質層を形成するのが望ましく
、よシ好ましくは、上記した関係式の値が０．３５以下
、最適には０．３以下とされるのが望ましい。

又、オＶ族原子の含有される層領域（Ｖ）の層厚１Ｂと
しては、通常は３０Ｘ〜５μ、好適には４ｏＸ〜４μ、
最適にはＳＯＵ〜３μとされるのが望ましいものである
。

他方前記層厚Ｔと層厚ｔＢとの和（Ｔ＋ｔＢ）　　とし
ては、通常は１〜１００μ、好適には１〜８０μ、最適
には２〜５０μとされるのが望ましいものである。

本発明の光導電部材においては、非晶質層は支持体側の
方に偏在させて設けられるオＶ族原子の含有される層領
域（Ｖ）と、該層領域（Ｖ）を除いた残）の部分であっ
て、オＶ族原子の含有されてない層領域とで構成される
が、該牙Ｖ族原子の含有されない層領域の層厚テは、形
成される光導電部材に要求される特性に従って、層設針
の際に適宜決定される。本発明において、（１５） 層厚Ｔとしては、通常は０．１〜９０μ、好ましくけ０
．５〜８０μ、最適には１〜７０μとされるのが望まし
いものである。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
非晶質層を構成する層領域（０）中に含有される酸素原
子の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸は酸素原子の含有量
Ｃを、縦軸は、酸素原子の含有されている層領域（０）
の層厚を示し、１Ｂは支持体の界面の位置を、１Ｔは支
持体側とは反対側の界面の位置を示す。即ち、酸素原子
の含有されている層領域（０）はｔＢ側よりｔＴ側に向
って層形成がなされる。

本発明においては、酸素原子の含有される層領域（０）
は、主Ｋ　ａ　−８１（Ｈ，Ｘ）から成シ、光導電性を
示す非晶質層の全層領域を占めている。

第２図には、層領域（０）中に含有される酸素　　　　
　）原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

（１６） 第２図に示される例では、酸素原子の含有される層領域
（０）が形成される表面と核層領域（０）の表面とが接
する界面位置ｔＢよシｔ１の位置までは、酸素原子の含
有濃度Ｃが０１なる一定の値を虫す乍ら酸素原子が形成
される層領域（０）に含有され、位置ｔ１よシ濃度Ｃ２
より界面位置１丁に到るまで徐々に連続的に減少されて
いる。界面位置ｔＴにおいては酸素原子の含有濃度Ｃは
Ｃ３とされる。

第３図に示される例においては、含有される酸素原子の
含有濃度Ｃは位置ｔＢよシ位置ｔＴＫ到るまで濃度Ｃ４
から徐々に連続的に減少して位置１丁に訃いて濃度Ｃ５
となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢよ）位置ｔ１ｔでは酸素原
子の含有濃度ＣはＣ６と一定値とされ、位置ｔ２と位置
１Ｔとの間において、徐々に連続的に減少され、位置ｔ
Ｔにおいて、含有濃度Ｃは実質的に零とされている。

第５図の場合には、酸素原子は位置ｔＢより位（１７） 置ｔＴＶｃ至るまで、含有濃度Ｃ−よ多連続的に徐々に
減少され、位置１Ｔにおいて実質的に零とされている。

牙６図に示す例においては、酸素原子の含有濃度Ｃは、
位置ｔＢと位置１ｓ間においては、濃度Ｃ９と一定値で
あ）、位置ｔＴｒｃおいては濃度ＣＩＯとされる。位置
１．と位置１．との間では、含有濃度Ｃは一次関数的に
位置ｔ５よ多位置ｔＴに至るまで減少されている。

オフ図に示される例においては、位置１Ｂ　　より位置
ｔ４までは濃度０１１の一定値を取シ、位置ｔ４よ）位
ｔｔｓまでは濃度Ｃ１２よシ濃度Ｃ１３まで一次関数的
に減少する分布状態とされている。

１８図に示す例においては、位置ｔＢよ多位置１Ｔに至
るまで、酸素原子の含有濃度Ｃは濃度Ｃ１４よ〕零に至
る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置ｔＢよ）位置ｔ５に至るまでは
酸素原子の含有濃度Ｃは、濃度Ｃ１５よシ濃度Ｃ１４ま
で一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置を丁　　との
間においては、濃度Ｃ１４の一定値（１８） とされた例が示されて−る。

牙１０図に示される例においては、酸素原子の含有濃度
Ｃは位置１Ｂにお−て濃度Ｃ１７であ）、位置ｔ６に至
るまではこの濃度Ｃ１７によシ初めはゆりくシと減少さ
れｓｔ４の位置付近においては、急激に減少されて位置
ｔ６では濃度Ｃ１ａとされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに減少されて位置ｔ７で濃度
ＣＩ？となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、極めて
ゆつくシと徐々に減少されて位置ｔ８において、濃度Ｃ
２０に至る。位置上８　と位置ｔＴＯ間においては、濃
度Ｃ２０よシ実質的に零になる様に図に示す如き形状の
曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図により、層領域（０）中に含
有される酸素原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾つ
かを説明した様に、本発明においては、支持体側におい
て、酸素原子の含有濃度Ｃの高い部分を有し、外函ｔア
儒にお−ては、前記含有濃度Ｃは支持体側に較べて可成
夛低くさく１９） れた部分を有する酸素原子の分布状態が形成された層領
域（０）が非晶質層に設けられるのが好ましい。

本発明において、非晶質層を構成する酸素原子の含有さ
れる層領域（０）は、上記した様に支持体側の方に酸素
原子が比較的高濃度で含有されている局在領域（ム）を
有する。

局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１０図に示す記号を用
いて説明すれば、界面位置１Ｂよ多５μ以内に設けられ
るのが望ましいものである。

本発明においては、上記局在領域（ム）は、界面位置１
．よシ５μ厚までの全層領域ＬＴとされる場合もあるし
、又、層領域り丁の一部とされる場合もある。

局在領域（ム）を層領域ＬＴの一部とするか又は全部と
するかは、形成される非晶質層に要求される特性に従っ
て適宜法められる。

局在領域（ム）はその中に含有される酸素原子　　　　
１（２０） Ｉ　Ｑ　ａｔｏｍｉｏ４以上、好適には２０　ａｔｏｍ
ｉｃ％以上、最適には３０　ｌＬｔｏｍｉｃチ以上とさ
れる様な分布状態となシ得る様に層形成されるのが望ま
しい。

即ち、本発明の好ましい実施態様例においては、酸素原
子の含有される層領域（０）は、支持体側からの層厚で
５μ以内（ｔＢから５μ厚の層領域）に分布濃度の最大
値Ｃｍａｘが存在する様に形成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ　、ステンレス。

ＡＡ！、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　
Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金
が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズ。

アセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくと本その（２１） 一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、　ＮｉＣｒ。

ムＪ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、工ｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ
、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐ（１，工ｎ２０．。

８ｎ０２．工ＴＯ（工ｎ２０Ｋ　＋５ｎ０２　）等から
成る薄膜を設けることによって導電性が付与され、或ｉ
はポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば
、　ＮｉＣｒ、　ムノ、ムｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、　　
ムｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、　　工ｒ。

Ｗｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ等の金属の薄膜を
真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表
面に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処理し
て、その表面に導電性が付与される。支持体の形状とし
ては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所
望によって、その形状は決定されるが、例えば、第１図
の光導電部材１００を電子写真用像形成部材として使用
するのであれば連続高速複写の場合には、無端ベルト状
又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望
通シの光導電部材が形成される様に適宜決定されるが、
光導電部材として可撓性が（２２） 要求される場合には、支持体としての機能が充分発揮さ
れる範囲内であれば可能な限シ薄くされる。丙午ら、こ
の様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等
の点から、通常は、１０μ以上とされる。

本発明において、ａ−１３１（Ｈ，りで構成される非晶
質層を形成するには例えばグロー放電法、スパッタリン
グ法、或いはイオンブレーティング法婢の放電現象を利
用する真空堆積法によって成される。例えば、グロー放
電法によって、＆　−８１（Ｈ，りで構成される非晶質
層を形成するには、基本的にはシリコン原子（８１）を
供給し得るＢ１供給用の原料ガスと共に、水素原子（Ｈ
）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料
ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆
積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置さ
れである所定の支持体表面上にａ　−Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）
から成る層を形成させれば良い。又、スパッタリング法
で形成する場合には、例えばムｒ、Ｈｅ等の不活性ガス
又はこれ岬のガス（２３） をペースとした混合ガスの雰囲気中で８１で構成された
ターゲットをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ）又
は／及び−ロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリ
ング用の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において、必要に応じて非晶質層中に含有される
ハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩素
、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適な
ものとして挙げることが出来る。

本発明において使用される８１供給用の原料ガストしテ
ｔｉ、ＳｉＨ４，８１２Ｈ６，５ｔ５ａ８．１１１１４
Ｈ１０等ノカス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シ
ラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に
、層作成作業の扱い易さ、Ｓ１供給効率の良さ等の点で
８ｉＨ４，５１２ｆｉ４が好ましいものとして挙げられ
る。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロケン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハ（２４）　　　　　・ ロゲン化物、ハロゲン間化合物、−ロゲ／で置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハロゲン
化合物が好ましく挙げられる。

又、更には、シリコン原子と・・ロゲン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む硅素化合物も有効なものとして本発明にお−ては挙
げることが出来る。

本発明におμて好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ　Ｉ　ＣＪＰ　、　ＣＩＦ　ｓ。

ＢｒＦ５　、　Ｂｒｌ’Ｈ、■Ｆ３．工Ｆア、ＩＣ７，
よりｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４　、８１２Ｆ４　、８ｉＣ４、＃１Ｂｒ４等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来る
。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、８１を供給し得（２５） る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８１から成る
非晶質層を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む非晶質層を
形成する場合、基本的には、Ｅｌｉ供給用の原料ガスで
ある・・ロゲン化硅素ガスとムｒ。

Ｈ２，Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる
様にして非晶質層を形成する堆積室に導入し、グロー放
電を生起してこれ等のガスのプラズマ尊囲気を形成する
ことによって、所定の支持体上の非晶質層を形成し得る
ものであるが、水素原子の導入を計る為にこれ等のガス
に更に水素原子を含む硅素化合物のガスも所定量混合し
て層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング決或いはイオンブレーティング法に
依ってａ　−８１（Ｈ，りから成る非晶質層を形成する
には、例えばスパッタリング法の（２６） 場合にはＳｌから成るターゲットを使用して、これを所
定のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリングし、イオン
ブレーティング法の場合には、多結晶シリコン又は単結
晶シリコンを蒸発源として蒸着ポートに収容し、このシ
リコン蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム
法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定
のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出来
る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類等のガ
スをスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

（２７） 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記され友ハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＰ、Ｈｅ７゜ＨＢｒ、　Ｈ工等のハＥｌｌゲ
ン化水素、８１Ｈ２Ｆ２．８１Ｈ２工、。

１３１Ｈ２ＣＩ！２．５ｉＨＣノ５　、５ｉＨ２Ｂｒ２
　、８１ＨＢｒ　５等のハロゲン置換水素化硅素、等々
のガス状態の或いはガス化し得る、水素原子を構成要素
の１つとするハロゲン化物も有効な非晶質層形成用の出
発物質として挙げる事が出来る。

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、非晶質層形成
の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的或いは
光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入される
ので、本発明においては好適なヘロゲン原子導入用の原
料として使用される。

水素原子を非晶質層中に構造的に導入するには、上記の
他にＨ２、或いは８１Ｈ４，８１□ａ６．　ｓｔ！ａ、
、　　　　１８１４　Ｈｌｏ等の水素化硅素のガスを８
１を供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させ
て放電（２８） を生起させる事でも行う事が出来る。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓ１ターゲ
ツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じてＨｅ、ムｒ等の不活性ガスも含めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓ１ター
ゲツトをスパッタリングする事によって、基板上にａ　
−８１（Ｈ，ｌ：）から成る非晶質層が形成される。

更には、不純物のドーピングも兼ねてＰＨ３等のガスを
導入してやることも出来る。

本発明において、形成される光導電部材の非晶質層中に
含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）
の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ−）Ｘ　
）は通常の場合１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、好適には５
〜Ａ　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

非晶質層中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体温度
又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）
を含有させる為に使用され（２９） る出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放電々力等を
制御してやれば良い。

非晶質層に、第Ｖ族原子を含有する層領域（Ｖ）及び酸
素原子を含有する層領域（０）を設けるには、グロー放
電法や反応スパッタリング法等による非晶質層の形成の
際に、第Ｖ族原子導入用の出発物質及び酸素原子導入用
の出発物質を夫々前記した非晶質層形成用の出発物質と
共に使用して、形成される層中にその量を制御し乍ら含
有してやる事によって成される。

非晶質層を構成する、酸素原子の含有される層領域（０
）及び第Ｖ族原子の含有される層領域（Ｖ）を夫々形成
するのにグロー放電法を用いる場合、各層領域形成用の
原料ガスとなる出発物質としては、前記した非晶質層形
成用の出発物質の中から所望に従って選択されたものに
、酸素原子導入用の出発物質又は／及び第Ｖ族原子導入
用の出発物質が加えられる。そのような酸素原子導入用
の出発物質又は第Ｖ族原子導入用の出発物質としては、
少なくとも酸素原子或いは第Ｖ族原子を構成原子とする
ガ（３０） ス状の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中
の大概のものが使用され得る。

例えば層領域（０）を形成するのであれば、シリコン原
子ψ１）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）
を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて水素原子（
Ｈ）又は／及び・・ロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする
原料ガスとを所望の混合比で混合して使用するか、又は
、シリコン原子（８１）を構成原子とする原料ガスと、
酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、或い
は、シリコン原子（８１）を構成原子とする原料ガスと
、シリコン原子（８１）、酸素原子（０）及び水素原子
（Ｈ）の３つを構成原子とする原料ガスとを混合して使
用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

酸素原子導入用の出発物質となるものとしく３１） て具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０５）　
、−酸化窒素（Ｎｏ）　、二酸化窒素（Ｎｏ２）　、−
二酸化窒素（Ｎ２０）　、　Ｅ　二酸化窒素（Ｎ２０ｇ
）　、　四二酸化窒素（Ｎ２０４　）ｈミニ酸化窒素（
Ｎ２°５）、三酸化窒素（ＮＯｘ）　、シリコン原子（
８１）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子
とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ，８１０８１Ｈ，）
。

トリシロキサン（Ｈ，５ｉＯ８ｉＨ２０８１Ｈ，）等の
低級シロキサン等を挙げることが出来る。

層領域（Ｖ）をグロー放電法を用いて形成する場合にオ
Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ，、Ｐ
２Ｈ４等の水素比隣、　ＰＨ４工。

ＰＦ’５　、　ＰＩ’５　、　ＰＣ７ｊ５　、　ＰＣＩ
　５　、　ＰＢｒ　５　、　ＰＢｒ３　、　Ｐ工３等の
へ〇ゲン化燐が挙げられる。この他、ムｓＨ５、ＡＩＩ
Ｐ！ｌ　。

ムａｃ１５．　ｋａＢｒ！ｌ、ムａＦ５．５ｂａ５．　
ＳｂＦ、、　ＳｂＦ５．　ＳｂＣノ３゜８　ｂＣ７１５
、ＢｉＨ３、Ｂ１Ｃｌ！５　、　Ｂ１Ｂｒ　！等もオＶ
族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げること
が出来る。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　）オＶ族原子を含有する層領域（Ｖ）に導入さ
れるオＶ族原子の含有量は、堆積室中に流入され（３２
） るオＶ族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流量比
、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力等を制御す
ることによって任意に制御され得る。

スパッターリング法によって、酸素原子を含有する層領
域（０）を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハー又は８１０２ウエーハー、又は８１と８１０２が
混合されて含有されているウェーハーをターゲットとし
て、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッターリングす
ることによって行えば良い。

例えば、Ｓ１ウエーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及び−・ロゲ
ン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガ
スで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記８１ウエーノ・
−をスパッターリングすれば良い。

又、別には、Ｓｌと８１０２とは別々のタニゲットとし
て、又は８１と８１０２の混合し九一枚のり（３３） 一ゲットを使用することによって、スパッター用のガス
としての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として
含有するガス雰囲気中でスパッターリングすることによ
って成される。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッターリングの場合にも有効なガスとして使
用され得る。

本発明において、非晶質層をグロー放電法で形成する際
に使用される稀釈ガス、或いはスパッターリング法で形
成される際に使用されるスパッターリング用のガスとし
ては、所絹稀ガス、例えばＨｅ、Ｎｏ、ムｒ等が好適な
ものとして挙げることが出来る。

本発明の光導電部材に於いては、オＶ族原子の含有され
る層領域（Ｖ）の上に設けられ、オＶ族原子の含有され
ない層領域（Ｂ）（第１図では層領域１０４に相当する
）には、伝導特性を制御する物質を含有させることにょ
シ、該層領域（１３）（６４） の伝導特性を所望に従って任意に制御すること云われる
不純物を挙げることが出来、本発明に於ｉては、形成さ
れる非晶質層を構成するａ−８１（Ｈ，りに対して、Ｐ
型伝導特性を与えるＰ型不純物、具体的には、周期律表
オ■族に属する原子（オ■族原子）、例えばＢ（硼素）
、ム！（アルミニウム）、Ｇ−（ガリウム）、Ｉｎ（イ
ンジウム）、ＴＩ（タリウム）等があシ、殊に好適に用
いられるのは、Ｂ　、　Ｇａである。

本発明に於いて、層領域（Ｂ）　Ｋ含有される伝導特性
を制御する物質の含有量は、該層領域（Ｂ）に要求され
る伝導特性、或いは該層領域（Ｂ）に直に接触して設け
られる他の層領域の特性や、該他の層領域との接触界面
に於ける特性との関係等有機的関連性に於いて、適宜選
択することが出来る。

本発明に於いて、層領域（Ｂ）中に含有される伝導特性
を制御する物質の含有量としては、通（ｋ５） 常の場合、ｏ、ｏｏ１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ　、好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ、最適にはｏ、１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍと
されるのが望ましいものである。

層領域（Ｂ）中に伝導特性を制御する物質、例えばオ厘
族原子を構造的に導入するには、層形成の際にオ厘族原
子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中に、非晶質層
を形成する為の他の出発物質と共に導入してやれば良い
。この様なオＩ族原子導入用の出発物質と成）得るもの
としては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成
条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ま
しめ。その様なオ厘族原子導入用の出発物質として具体
的には硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ４ｍ　Ｂ４Ｈ１
０ａ　Ｂ５”９　＃　”５”１１　＊　Ｂ４”１（ｋ　
Ｂ４Ｈ１２ｅＢｄＨ１４等の水素化硼素、ｎｐ’Ｍ、　
Ｂｃｌｍｓ　ＢＢｒｓ尋のハロゲン化硼素等が挙げられ
る。この他、ムＪＣ１！。

ＧａＣＪ５．　Ｇａ　（ＣＨ３）、、工ｎＣｌ５．　Ｔ
ｌＣｌ３等も挙げること　　　　　１が出来る。

次に、第１１図に本発明の光導電部材を作成（５６） する場合の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６の夫々のガスボンベには、本
発明の光導電部材における夫々の層領域を形成するだめ
の原料ガスが密封されており、その−例として例えば１
１０２は、Ｈｅで稀釈された８１Ｈ４ガス（純度９９．
９９９％、以下８１Ｈａ／Ｈｅと略す。）ボ／ぺ、１１
０３はＨａで稀釈されたＢ２Ｈ６カス（純度？９．９９
９９４、以下Ｂ　２　Ｈ４／Ｈｅと略す。）ホンへ、１
１０４はＨｅで稀釈されたＰＨ３ガス（純度９９．９９
　％、以下ＰＨｓ／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０５は
Ｎｏガス（純度９９，９９９％）ホ／へ、１１０６はＨ
ｅテ稀釈された日ｉＦ４ガス（純度９９．９９９％、以
下日ｉ　Ｆ　４／Ｈ＠１と略す。）ボ／べである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６の夫々のパルプ１１２２〜１１
２６、リークパルプ１１３５が閉じられていることを確
認し、又、流入パルプ１１１２〜１１１６、流出パルプ
１１１７〜１ｊ２１　、補助パルプ１１５２．１１３３
が開かれていることを確認して、先づメインパルプ１１
３４を開いて反応室１１０１　、ガス配管内を排気する
。

（３７） 次に真空計１１３６の読みが約５　Ｘ　１０＝　ｔｏｒ
ｒになった時点で補助パルプ１１３２．１１３３　、　
流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じる。

シリンダー状の基体１１３７上に非晶質層を構成する層
領域（Ｖ）を形成する場合の１例をあげると、ガスボン
ベ１１０２より８ｉＨ４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０
４よすＰＨ３／Ｈｅガスをパルプ１１２２，１１２４を
開いて出口圧ケージ１１２７，１１２９の圧を１　ｋｇ
７ｃｍ２に調整し、流入パルプ１１１２．１１１４を徐
々に開けて、マスフロコントローラ１１０７．１１０９
　内に流入させる。引き続いて流出バルブ１１１７．１
１１９　、補助パルプ１１６２を徐々に開いて夫々のガ
スを反応室１１０１に流入させる。このときのＳｉＨ４
／ｌｉ＠ガス流量とＰＲ、／Ｈｅガス流量との比が所望
の値になるように流出パルプ１１１７．１１１９を調整
し、又、反応室１１０１内の圧力が所望の値になるよう
に真空計１１３６の読みを見ながらメインパルプ１１３
４の開口を調整する。そして基体１１３７の温度が加熱
ヒーター１１３８によシ５０〜４００℃の範囲内の温度
に設定されていることを確認した後、電源（３日） １１４０を所望の電力に設定して反応室１１ｏ１内にグ
ロー放電を生起させて層領域（Ｖ）を支持体上に形成す
る。

層領域（Ｖ）の形成の際には、ボ／べ１１０５よ）ＮＯ
ガスを予め選定された流量変化率曲線に従って、流量を
制御し乍ら反応室１１０１内に導入する原子の含有され
た層領域（Ｖ、Ｏ）とすることが出来る。

所望の層厚に層領域（Ｖ、　Ｏ）が形成された段階にお
いて、反応室１１０１内へのボンベ１１０３よ）のＰＨ
５／Ｈθガスの導入を速断し、引き続き所望時間グロー
放電を維持することで層領域（Ｖ、Ｏ）上には、オＶ族
原子（この場合にはＰ）の含有されないが、酸素原子は
含有されている層領域が所望層厚に形成される。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出パルプは
、全て閉じるととは言うまでもなく、又、夫々の層を形
成する際、前層の形成に使用θ９） したガスが反応室１１０１内、流出バルブ１１１７〜１
１２１から反応室１１０１内に至る配管内に残留するこ
とを避けるために、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉
じ補助パルプ１１３２，１１５３を開いてメインパルプ
１１３４を全開して系内を一亘高真空に排気する操作を
必要に応じて行う。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体シリンダー１１３７はモータ１１３９によシ一定速
度で回転させる。

実施例１ 第１１図に示した製造装置を用い、第１表に示す条件の
もとにシリンダー状ム！基体上に、第１２図に示すよう
な酸素分布濃度を有する非晶質層を形成した。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し０５．ＯｋＶで０．２　ｓｅｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光
源を用い、１，５　／ｕＸ、８６０の光　　　　　ｊ量
を透過型のテストチャートを通して照射させだ。

（４の その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を部材表面をカスケードすることによって、部
材表面上に良好なトナー画像を得た。部材上のトナー画
像を、ｏｓ、ｏｋｖのコロナ帯電で転写紙上に転写した
所、解偉力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。

実施例２ 第１１図に示した製造装置を用い、牙２表に示す条件の
もとに、第１３図に示すような酸素分布濃度を有する非
晶質層を形成した。その他の条件は実施例１と同様にし
て行った。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例３ 第１１図に示した製造装置を用い、第３表に示す条件の
もとに、牙１４図に示すような酸素分布濃度を有する非
晶質層を形成した。

その他の条件は実施例１と同様にして行った。

（４１） こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例４ 第１層領域の形成時、ｐｇ、と８１Ｈ４の流量比を変え
て、第１層領域における燐寡原子の含有比を変える以外
は、実施例１と全く同様な方法によって層形成を行った
。その結果、第４表の如き結果を得た。

実施例５ 第１層領域の層厚を第５表に示す如く変える以外は、実
施例２と全く同様な方法によって層形成を行った。その
結果、第５表の如き結果を得た。

実施例６ 第１及び第２層領域の形成方法を第６表の如く変える以
外は、実施例１と同様な方法で層形成を行い、実施例１
と同様な画質評価を行ったところ、良好な結果が得られ
た。

実施例７ （４２） 第１１図に示した製造装置を用い、オフ表に示す条件の
本とに、第１５図に示すような酸素分布濃度を有する非
晶質層を五！基体上に形成した。

その他の条件は実施例１と同様にして行った。

成したところ極めて鮮明な画質が得られた。

を下記の第８表に示す条件にした以外は、実施例６に示
した各条件と手順に従って、電子写真用像形成部材の夫
々を作製し、実施例１と同様の方法で評価したところ、
夫々に就いて特に画質、耐久性の点に於いて良好な結果
が得られた〇オ　　４　　表 （４７） 第５表 Ｏ：極めて良好 Ｏ：良好 （４８）

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の構成の好適な例の１つ
を説明するだめの模式的説明図、第２図乃至第１０図は
、夫々、本発明の光導電部材の非晶質層を構成する層領
域（０）における酸素原子の分布濃度を説明する模式的
説明図、第１１図は、本発明の光導電部材を作成するた
めに使用された装置の模式的説明図、第１２図乃至第１
５図は夫々、本発明の実施例における層領域（０）中の
酸素原子の分布濃度を示す説明図である。 １ｏｏ・・・光導電部材 １０１　・・・支持体 １０２・・・非晶質層 １０６・・・オーの層領域（０） １０４・・・オニの層領域（Ｖ） １０５−・・層領域 １０６・・・自由表面 □Ｃ □Ｃ 楚１２図 ４／！ｔＬ＜メＡン 躬１４図 眉Ｉｇ−ｄ（μ） 第１頁の続き ０発　明　者　白井茂 東京都大田区下丸子３丁目３０番 ２号キャノン株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母体と
   する非晶質材料で構成され、光導電性を示す非晶質層と
   を有し、骸非晶質層が、構成原子として、層厚方向に不
   均一で連続的な分布状態で酸素原子が含有されている牙
   −の層領域と、構成原子として、層厚方向に連続的な分
   布状態で周期律表オＶ族に属する原子が含有され、前記
   非晶質層の支持体側に内在しているオニの層領域とを有
   することを特徴とする光導電部材。
2. （２）オーの層領域が非晶質層の全層領域を占めている
   特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
3. （３）周期律表、ｔｖ族に属する原子の分布状態が層厚
   方向に均一である特許請求の範囲第１項に記載の光導電
   部材。
4. （４）酸素原子が支持体側の方に多く分布してい（１） る特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。