JPS581522B2 - サ−ミスタ組成物 - Google Patents
サ−ミスタ組成物Info
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- JPS581522B2 JPS581522B2 JP53022075A JP2207578A JPS581522B2 JP S581522 B2 JPS581522 B2 JP S581522B2 JP 53022075 A JP53022075 A JP 53022075A JP 2207578 A JP2207578 A JP 2207578A JP S581522 B2 JPS581522 B2 JP S581522B2
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 9
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 26
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
- H01C7/043—Oxides or oxidic compounds
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、安定でかつ低抵抗の、特に厚膜用サーミスタ
組成物に関するものである。
組成物に関するものである。
従来、厚膜サーミスタはサーミスタ特性を示す粉末と、
ガラス粉末と、有機ビヒクルよりなるサーミスタペース
トを絶縁基板上にスクリーン印刷・焼成等の工程をもつ
一般の厚膜技術によって形成していた。
ガラス粉末と、有機ビヒクルよりなるサーミスタペース
トを絶縁基板上にスクリーン印刷・焼成等の工程をもつ
一般の厚膜技術によって形成していた。
そしで、その製造は厚膜抵抗形構造(以下シート形と云
う)と厚膜コンデンサ形構造(以下サンドインチ形と云
う)に大別できる。
う)と厚膜コンデンサ形構造(以下サンドインチ形と云
う)に大別できる。
現在、ビード形サーミスタあるいはディスク形サーミス
タ等に用いられている安定性の高いサーミスタ材料は比
抵抗が500Ω一儂以上と大きく、また、ガラス自体も
比抵抗が非常に大きい。
タ等に用いられている安定性の高いサーミスタ材料は比
抵抗が500Ω一儂以上と大きく、また、ガラス自体も
比抵抗が非常に大きい。
したがって、これら材料を用いて厚膜サーミスタを作成
する場合は、構造は必然的に低抵抗となるサンドイツチ
形となり、これが一般の電気回路に適用されている。
する場合は、構造は必然的に低抵抗となるサンドイツチ
形となり、これが一般の電気回路に適用されている。
しかし、厚膜サーミスタの製造工程および構造上、シー
ト形サーミスタはサンドインチ形に比べて工数が少ない
こと、および電極間隔が広い等の点からこのシート形サ
ーミスタには、低価格化・高信頼度化等の利点が大きい
。
ト形サーミスタはサンドインチ形に比べて工数が少ない
こと、および電極間隔が広い等の点からこのシート形サ
ーミスタには、低価格化・高信頼度化等の利点が大きい
。
従って、シート形サーミスタ膜自体を低抵抗化する必要
がある。
がある。
これには、(1)第3成分として導電性材料を加える、
(2)サーミスタ粉末自体に比抵抗の小さい材料を用い
る、という2万法は容易に考え得る。
(2)サーミスタ粉末自体に比抵抗の小さい材料を用い
る、という2万法は容易に考え得る。
そして、上記(1)の方法で抵抗を10KΩ程度以下と
するまで導電性材料を加えるとサーミスタ定数が急激に
減少し、サーミスタ材料自体のサーミスタ定数の半分以
下に低下する。
するまで導電性材料を加えるとサーミスタ定数が急激に
減少し、サーミスタ材料自体のサーミスタ定数の半分以
下に低下する。
このため、常用の抵抗値を有しながら、サーミスタ定数
が2000K以上の特性をもつ厚膜サーミスタの作成は
非常に難しい。
が2000K以上の特性をもつ厚膜サーミスタの作成は
非常に難しい。
また、(2)の方法では、比抵抗が100Ω一ぼ以下の
Cuを含むサーミスタ材料を用い、さらに(1)の方法
を採用することにより、目的とする特性を有するシート
形サーミスタを作成しうる。
Cuを含むサーミスタ材料を用い、さらに(1)の方法
を採用することにより、目的とする特性を有するシート
形サーミスタを作成しうる。
しかし、Cuを含むサーミスタ材料は、安定性に問題が
あり、抵抗値の変化が大きいため、精度の高い感温素子
として使用できない。
あり、抵抗値の変化が大きいため、精度の高い感温素子
として使用できない。
以上述べたように、目的とする抵抗値、サーミスタ定数
、安定性のいずれをも満足するシート形サーミスタの出
現が望まれている。
、安定性のいずれをも満足するシート形サーミスタの出
現が望まれている。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、低
抵抗、高サーミスタ定数、安定性大なるサーミスタ組成
物を得るにある。
抵抗、高サーミスタ定数、安定性大なるサーミスタ組成
物を得るにある。
そして、本発明では、第1に比抵抗の小さなサーミスタ
粉末材料として、Mn,.Co、Ni,Fe,AIの酸
化物のうちから選ばれた少なくとも2種類の金属および
Ruの酸化物とを焼成してなる複合酸化物の粉末を用い
、第2に導電性粉末としてRu02を用いることを特徴
とする。
粉末材料として、Mn,.Co、Ni,Fe,AIの酸
化物のうちから選ばれた少なくとも2種類の金属および
Ruの酸化物とを焼成してなる複合酸化物の粉末を用い
、第2に導電性粉末としてRu02を用いることを特徴
とする。
そして、Ruを含む上記の複合金属酸化物は、比抵抗が
小さく、複合酸化物を構成する金属原子総量の50%原
子までRuを含有すれば、比抵抗は数Ωαとなる。
小さく、複合酸化物を構成する金属原子総量の50%原
子までRuを含有すれば、比抵抗は数Ωαとなる。
この時、Ruの含有量とともにサーミスタ定数も小さく
なるが、50%原子までではサーミスタとして十分使用
できる。
なるが、50%原子までではサーミスタとして十分使用
できる。
また、RuO2導電性粉末を、上記複合金属酸化物のサ
ーミスタ粉末、ガラス粉末、Rub2導電性粉末よりな
るサーミスタ組成物総重量12wt%まで含有すれば、
サーミスタとしての特性を示す。
ーミスタ粉末、ガラス粉末、Rub2導電性粉末よりな
るサーミスタ組成物総重量12wt%まで含有すれば、
サーミスタとしての特性を示す。
上記複合酸化物粉末においてRu含量が複合酸化物を構
成する金属原子総量の50%原子を越える複合酸化物を
用いたサーミスタ組成物、または上記サーミスタ組成物
においてRub2導電性粉末量が総重量の12wt%よ
り多いものはいずれも低抵抗となるが、サーミスタ定数
がほとんどなくなり、サーミスタ特性を示さなくなるの
で好ましくない。
成する金属原子総量の50%原子を越える複合酸化物を
用いたサーミスタ組成物、または上記サーミスタ組成物
においてRub2導電性粉末量が総重量の12wt%よ
り多いものはいずれも低抵抗となるが、サーミスタ定数
がほとんどなくなり、サーミスタ特性を示さなくなるの
で好ましくない。
以下、本発明を実施例により詳述する。
実施例 I
MnO、Co304、RuO2を1:2:1のモル比で
固相反応させサーミスタ特性を有する複合酸化物を得た
。
固相反応させサーミスタ特性を有する複合酸化物を得た
。
これをボールミルで粉砕して粉末とする。
この複合酸化物粉末と、表1に示すガラス粉末と、Ru
02導電性粉末を表2の腐2〜7に示す割合で総重量が
10gとなるよう秤取する。
02導電性粉末を表2の腐2〜7に示す割合で総重量が
10gとなるよう秤取する。
次に、これらの粉末の混合物を攪拌らいかい機で1時間
混合し、次いで、これにエチルセルロースヲ10%含む
α−テルピネオール溶液を有機バインダとして4cc加
え、さらに1時間混練してサーミスタペーストを得る。
混合し、次いで、これにエチルセルロースヲ10%含む
α−テルピネオール溶液を有機バインダとして4cc加
え、さらに1時間混練してサーミスタペーストを得る。
図に示すごとくアルミナ基板1上に、銀・パラジウム導
電ペーストをスクリーン印刷し、850℃で10分間焼
成して、電極間隔0.5酊、電極巾3.5mmの電極2
を形成する。
電ペーストをスクリーン印刷し、850℃で10分間焼
成して、電極間隔0.5酊、電極巾3.5mmの電極2
を形成する。
これにサーミスタペーストを印刷し、800℃で焼成し
、サーミスタ巾3.0mmサーミスタ厚さ40μmのサ
ーミスタ層を形成しシート形サーミスタを得た。
、サーミスタ巾3.0mmサーミスタ厚さ40μmのサ
ーミスタ層を形成しシート形サーミスタを得た。
ここで、サーミスタ材料の比抵抗は5Ω−α、サーミス
タ定数は2 4 5 0Kであった。
タ定数は2 4 5 0Kであった。
形成したシート形サーミスタの抵抗値、サーミスタ定数
、150℃の2000時間放置における抵抗値の変化率
を表2の/l6.2〜8に示した。
、150℃の2000時間放置における抵抗値の変化率
を表2の/l6.2〜8に示した。
表2のNo.2〜7からわかるように、これらはいずれ
も表1の/l6.1のRuO2を含まぬものに対して低
抵抗となり、かつサーミスタ定数はRuO2を含まぬも
のとほとんど変わらず、低抵抗、高サーミスタ定数のシ
ート形サーミスタ素子を得ることができた。
も表1の/l6.1のRuO2を含まぬものに対して低
抵抗となり、かつサーミスタ定数はRuO2を含まぬも
のとほとんど変わらず、低抵抗、高サーミスタ定数のシ
ート形サーミスタ素子を得ることができた。
また、安定性も良好であった。それに比し、表2の/l
6.1のRuO2を含まぬものは、Rub2を含むもの
より高抵抗であり、表2の/l6.8のRub2を14
wt%含むものは、サーミスタ定数が小さく実用上問題
がある。
6.1のRuO2を含まぬものは、Rub2を含むもの
より高抵抗であり、表2の/l6.8のRub2を14
wt%含むものは、サーミスタ定数が小さく実用上問題
がある。
実施例 2
Mn02、Nip1Fe203、Ru02を3:2:0
.5のモル比で固相反応しサーミスタ特性を有する複合
酸化物を得た。
.5のモル比で固相反応しサーミスタ特性を有する複合
酸化物を得た。
これを実施例1と同様にして粉末とする。
この複合酸化物と、表1のガラス粉末と、RuO導電性
粉末を表3のNo.2〜8に示す割合で総重量が10g
となるよう秤取し、実施例1と同様にして、サーミスタ
ペーストを調製し、シート形サーミスタを形成した。
粉末を表3のNo.2〜8に示す割合で総重量が10g
となるよう秤取し、実施例1と同様にして、サーミスタ
ペーストを調製し、シート形サーミスタを形成した。
このサーミスタの抵抗値、サーミスタ定数、高温放置に
おける抵抗値の変化率を表3のNo.2〜8に示した。
おける抵抗値の変化率を表3のNo.2〜8に示した。
ここでサーミスタ材料の比抵抗は、42Ω一cm、サー
ミスタ定数は3000Kであった。
ミスタ定数は3000Kであった。
表3の腐2〜7からわかるように、これらはいずれも表
3のNo.lのRuO2を含まぬものに対して低抵抗と
なり、かつサーミスタ定数はRuO2を含まぬものとほ
とんど変わらず、低抵抗、高サーミスタ定数のシート形
サーミスタ素子を得ることができた。
3のNo.lのRuO2を含まぬものに対して低抵抗と
なり、かつサーミスタ定数はRuO2を含まぬものとほ
とんど変わらず、低抵抗、高サーミスタ定数のシート形
サーミスタ素子を得ることができた。
また、安定性も良好であった。これに反し、表3の/l
61のRu02を含まぬものは、RuO2を含むものよ
り高抵抗であり、表3のNo.8のRub2を14wt
%含むものは、サーミスタ定数が小さく実用上問題があ
った。
61のRu02を含まぬものは、RuO2を含むものよ
り高抵抗であり、表3のNo.8のRub2を14wt
%含むものは、サーミスタ定数が小さく実用上問題があ
った。
実施例 3
Mn02、Nip, Fe203、Al203、RuO
2を3:3:0.3:0.4:1のモル比で固相反応し
サーミスタ特性を有する複合酸化物粉末を得た。
2を3:3:0.3:0.4:1のモル比で固相反応し
サーミスタ特性を有する複合酸化物粉末を得た。
これを実施例1と同様にして粉末とする。
この複合酸化物と、表1のガラス粉末と、Rub,導電
性粉末を表4のNo.2〜8に示す割合で総重量が10
gとなるよう秤取し、実施例1と同様にしてシート形サ
ーミスタを形成した。
性粉末を表4のNo.2〜8に示す割合で総重量が10
gとなるよう秤取し、実施例1と同様にしてシート形サ
ーミスタを形成した。
ここでサーミスタ材料の比抵抗は10Ω一の1サーミス
タ定数は2640Kであった。
タ定数は2640Kであった。
このサーミスタの抵抗値、サーミスタ定数、高温放置に
おける抵抗値の変化率を表4の/I6.2〜8に示した
。
おける抵抗値の変化率を表4の/I6.2〜8に示した
。
表4の洗2〜7からわかるように、これらはいずれも表
4のNo.1のRu02を含まぬものに対して低抵抗と
なり、かつRub2を含まぬものとほとんど変わらず、
抵抵抗、高サーミスタ定数のシート形サーミスタ素子を
得ることができた。
4のNo.1のRu02を含まぬものに対して低抵抗と
なり、かつRub2を含まぬものとほとんど変わらず、
抵抵抗、高サーミスタ定数のシート形サーミスタ素子を
得ることができた。
また安定性も良好であった。
これに反し、表4のNo.1のRuOを含まぬものは、
RuO2を含むものより高抵抗であり、表4のNo.8
のRuO2を14wt%含むものは、サーミスタ定数が
小さく実用上問題であった。
RuO2を含むものより高抵抗であり、表4のNo.8
のRuO2を14wt%含むものは、サーミスタ定数が
小さく実用上問題であった。
以上述べたごとく本発明によるサーミスタ組成物を用い
れば、10KΩ以下の抵抗値を有し、高サーミスタ定数
安定性の優れたシート形厚膜サーミスタを得ることがで
きる。
れば、10KΩ以下の抵抗値を有し、高サーミスタ定数
安定性の優れたシート形厚膜サーミスタを得ることがで
きる。
図はシート形厚膜サーミスタの断面図である。
1・・・・・・アルミナ基板、2・−・・・・電極、3
・・・・・・サーミスタ層。
・・・・・・サーミスタ層。
Claims (1)
- I Mn,Co,Ni,Fe,AIの酸化物のうちか
ら選ばれた少なくとも2種類の酸化物およびRuの酸化
物を焼成してなるサーミスタ特性を有する複合酸化物の
粉末と、ガラス粉末と、RuO2導電性粉末とからなる
ことを特徴とするサーミスタ組成物。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53022075A JPS581522B2 (ja) | 1978-03-01 | 1978-03-01 | サ−ミスタ組成物 |
US06/016,166 US4587040A (en) | 1978-03-01 | 1979-02-28 | Thick film thermistor composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53022075A JPS581522B2 (ja) | 1978-03-01 | 1978-03-01 | サ−ミスタ組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS54115799A JPS54115799A (en) | 1979-09-08 |
JPS581522B2 true JPS581522B2 (ja) | 1983-01-11 |
Family
ID=12072762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53022075A Expired JPS581522B2 (ja) | 1978-03-01 | 1978-03-01 | サ−ミスタ組成物 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4587040A (ja) |
JP (1) | JPS581522B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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US5096619A (en) * | 1989-03-23 | 1992-03-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film low-end resistor composition |
JPH03184301A (ja) * | 1989-12-13 | 1991-08-12 | Koa Corp | 厚膜サーミスタ組成物 |
JPH03185701A (ja) * | 1989-12-14 | 1991-08-13 | Koa Corp | 厚膜サーミスタ組成物 |
US5980785A (en) * | 1997-10-02 | 1999-11-09 | Ormet Corporation | Metal-containing compositions and uses thereof, including preparation of resistor and thermistor elements |
KR102639865B1 (ko) * | 2017-12-15 | 2024-02-22 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 후막 도체 형성용 분말 조성물 및 후막 도체 형성용 페이스트 |
CN112811891B (zh) * | 2020-12-26 | 2022-08-02 | 重庆材料研究院有限公司 | 一种尖晶石相高熵热敏电阻材料及其制备方法 |
CN113643840B (zh) * | 2021-10-13 | 2022-03-11 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 同时适用于氧化铝陶瓷基板和隔离介质层的厚膜电阻浆料 |
TWI858856B (zh) * | 2023-08-09 | 2024-10-11 | 國巨股份有限公司 | 熱敏電阻膏體及其製作方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS54111700A (en) * | 1978-02-22 | 1979-09-01 | Hitachi Ltd | Thermistor composition |
US4362656A (en) * | 1981-07-24 | 1982-12-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film resistor compositions |
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-
1978
- 1978-03-01 JP JP53022075A patent/JPS581522B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-02-28 US US06/016,166 patent/US4587040A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4587040A (en) | 1986-05-06 |
JPS54115799A (en) | 1979-09-08 |
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