JPS58152249A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。 固体撮像装置、或いは拳形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、８Ｎ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のスペクト
ル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有するこ
と、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使
用時において人体に対して無公害であること、爽には固
体撮像装置においては、残置を所定時間内に容易に処理
することができること等の特性が要求される。殊に、事
務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組込
まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時
における無公害性は重要な点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公栂、同１％　
２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として
、独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装
置への応用が記載されている。 面乍ら、従来のａ　−Ｓｉで構成された光導電層を有す
る光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特
性の点、爽には経時的安定性の点において、総合的な特
性向上を計る必要があるという、更に改良される可き点
が存するのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に過用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において桟留電位が残る場合が度々観測
され、この棟の光導電部材ｊま長時間繰返し使用し続け
ると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生
ずる所謂ゴースト現象を発する様になる等の不都合な点
が少なくなかった。 又は例えば、本発明者等の多くの実験によれば、電子写
真用像形成部材の光導電層を構成する材料とシテ（Ｊ）
ａ−８ｉハ、従来ノ８ｅ、ＣｄＪＺｎＯ等の無機光導電
材料或いは、ＰＶＣｚやＴＮＦ等の有−光導電材料に較
べて、数多くの利点を有するが、従来の太ｉｉｘ池用と
して使用するための特性が付与されたａ−８ｉから成る
単層構成の光導電層な有する電子写真用像形成部材の上
記光導電層に静電像形成のための帯電処理を施しても暗
減衰（ｄ訂ｋ　ｄｅｃａｙ）が著しく速く、通常の電子
写真法が仲々適用され難いこと、及び多湿雰囲気中にお
いては、上記傾向が著しく、場合によっては現像時間ま
で帯電々荷を殆んど保持し得ないことがある等、解決さ
れ得る可き点が存在していることが判明している。 更１′％ａ−８ｉ　材料で光導電層を構成する場合には
、その電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素
龜子或いは弗素原子や塩素原子等のへロゲン原子、及び
電気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いは
その他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子と
して光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含
有の仕方如何によっては、形成した層の電気的、光学的
或いは光導電的特性に問題が生ずる場合がある。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光辣射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。 従って、ａ−８４材料そのものの特性改良が計られる一
方で光導電部材を設針する際に、上記した様な所望の電
気的、光学的及び光導電的特性が得られる様に工夫され
る必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はへロゲン　原
子（Ｘ）のいずれか一方を少なくても含有するアモルフ
ァス材料、所謂水素化アモルファスシリコン、ハロゲン
化アモルファスシリコン、或いはハロゲン含有水素化ア
モルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記として一
一８１（）ｉ、Ｘ）Ｊを使用する〕から構成される光導
電層を有する光導電部材の層構成を特定化する橡に設計
されて作成された光導電部材は実用上著しく優れた特性
を示すばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみても
あらゆる点において波駕していること、殊に電子写真用
の光導電部材として着しく優れた特性を有していること
を見出した点に基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が殆んど使用環
境に制御を受けず常時安定している全環境型であり、耐
光疲労（：著しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象
を起さず耐久性に優れ、残留電位が全く又は殆んど観測
されない光導電部材を提供することを主たる目的とする
７本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適
用させた場合、静電俸形成のための帯電処理の際の電荷
保持能が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に適
用され得る優れた電子写真特性を有する光導電部材を提
供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が＾＜、八−フトーンが
鮮明に出て且つ解像度の萬い、為品質画像を得ることが
容易にできる電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。 高８Ｎ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することでもある。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持と、レリコ
ン原子と水素原子と、含有量が３０として層厚方向（二
連続的な分布状態で周期律第ｍ族に属する原子が含有さ
れている第二の属領上記した様な層構成を取る様シニし
て設計された本発明の光導電部材は、前記した諸問題の
総てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的。 光導電的特性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用命形成部材として適用させた場合には
帯電処理の際の電荷保持能に長け、−像形成への残留電
位の影響が全くなく、その電気的特性が安定しており高
感度で、高８Ｎ比を有するものであって耐光疲労、繰返
し使用特性、殊に多湿雰囲気中での繰返し使用特性に長
け、濃度が高く、八−フトーンが鮮明に出て、且つ解傷
度の高い、高品質の可視画像を得ることができる。 以下、図向也二従って、本発明の光導電部材に就て詳細
に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。 ｓ１図に示す光導電部材１００は、光導電部材及び第二
の非晶質層（１）１０７用としての支持体１０１の上に
、ａ−８４（Ｈ，Ｘ）から成る光導電原子を含有する第
一の層領域（０）１０３、周期律第ｍ族に属する原子（
第纏族原子）を含有する第二の層領域（１）１０４、及
び第二０層領域（厘）１０４上に、酸素原子及びＩＩ族
原子が含有されてない層領域１０６とから成る層構造を
有する。 第一の層領域（０）１０３と層領域１０６との間に設け
られている層領域１０５　には第量族原子は含有されて
いるが酸素原子には含有へされてない。 第一の層領域（０）１０３４二含有される酸素原向には
連続的に且つ実質的に均一に分布されるのが好ましいも
のである。 本発明の光導電部材に於いては、第１図に示す様に、非
晶質層（１）１０２の表面側部分には、な ＃１１案原子が含有されｔい層領域（第１図に示すｍ領
域１０６に相当）を有することを必要とするが、ｌｌ１
ｉ族原子は含有されているが、酸素原子は含有されない
層領域（第１図に示す層領域１０５）は必ずしも設けら
れることを要しない。 岬ち、例えば第一の層領域（０）と第二の層領域（１）
とが同じ層領域であっても良いし、又、第一の層領域（
０）の中に第二の層領域（１ｍ）が設けられても良いも
のである。 第二の層領域（Ｉｉ）の中に含有される第１ＩＭ原子は
、該層領域（ＩＩ）に於いて層厚方向には連続的に分布
し、その分布状態は不均一であっても実質的に均一であ
っても良いものであるが、支持体の表面に実質的に平行
な方向には連続的に且つ実質的に均一に分布されるのが
好ましいものである。 第１図に示す光導電部材１００に於いては、層領域（１
０６）には第厘族原子が含有されてないが、本発明に於
いては該層領域１０６にも第−族踪子を含有しても良い
ものである。 本発明の光導電部材に於いては、第一の層領Ｊｉｉｉ　
（Ｏ）には、酸素原子の含有によって、高暗抵抗化と、
非晶質層（Ｉ）が直接設けられる支持体との間の密着性
の向上が重点的に計られている。 殊に、第１図に示す光導電部材１００の様に、非晶質層
（Ｉ）１０２が、酸素原子を含有する第一の層領域（０
）１０３．第厘族原子を含有する第二の層領域（厘）１
０４．酸素原子の含有されていない層領域１０５．及び
酸素原子及び第一族原子の含有されていない層領域１０
６とを有し、第一の層領域（０）１０３と第二の層領域
（厘）１０４とが共有する層領域を有する層構造の場合
により良好な結果が得られる。 又、本発明の光導電部材に於いては、第一の層領域（０
）に含有される酸素原子の該層領域（０）に於ける層厚
方向の分布状態は、Ｉｇｌには該第−の層領域（０）の
設けられる支持体又は他の層との密着性及び接触性を良
くする為に支持体又は他の層との接合面側の方に分布濃
度が高くなる様にされる。第２には、上記第一の層領域
（０）中に含有される酸素原子は、第−上 の層像（０）に設けられる、酸素原子の含有さ八 れない層領域との接合界面での電気的接触性を滑らかに
する為に酸Ｓ原子の含有されていない層領域側に於いて
分布濃度が次第に減少され、接合ｉｌｌ二於いては、分
布濃度が実質的に零となる様に第一の層領域（０）中に
含有されるのが好ましいものである。 この点は、第二の層領域（騙）中に含有される第一・族
原子に就ても同様であって、非晶質層（１）の表面側の
層領域に該Ｉｌ！纏族原子が含有されない例の場合には
骸表面側の層領域側に於いて、第二の層領域（鳳）中の
第■族原子の分布濃度は表面側の層領域との接合面方向
に次第に減少され、該接合面に於いて実質的に零となる
様に第層族原子の分布状態が形成されるのが好ましいも
のである。 本発明において、非晶質層（１）を構成する第二の層領
域（Ｉｍ）中に含有される周期律表第厘族に属する原子
として使用されるのは　、Ｂ（硼素）、Ａｎ（アルミニ
ウム）　、　Ｇａ　（力゛リウム）Ｉｎ　（インジウム
）、Ｔｊ（タリウム）等であり、殊に好適に用いられる
のはＢ　、　Ｇａである。 本発明において、第二の層領域（厘）中に含有される第
臘族原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達
成される様に所望に従って遥宣決められるが、非晶質層
を構成するシリコン原子の量に対して、通常は０．０１
〜１０００１０００ａｔｏ　ｐｍ、好ましくは０．５〜
８００　ａｔａｎ　ｉｃ　ｐｐｍ、最適ニハ１〜５　Ｑ
　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　　とされるのが望ましい
ものである。 第一の層領域（０）中に含有される酸素原子の量に就工
も形成される光導電部材に要求される特性礪ユ応じて所
望に従って適宜法められるが、通常の場合、０．００１
〜２０　　ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは、０．００２〜
１Ｑａｔ（至）ｉｃ％最適には０．００３〜５１ｔ（２
）ｉｃ％とされるのが望ましいものである。 第２図乃至第１θ図の夫々には、本発明における光導電
部材の非晶質層（１）中に含有される１ＩＮｋ線子及び
第膳族原子の層重方向の分布状態の典幇的例が示される
。′ 第２図乃至第１Ｏ図において、横軸は酸素原子又は第服
族庫子の含有濃度Ｃを、縦軸は、光導電性を示す非晶質
層（１）の層厚方向を示し、−は支持体側の非晶質層（
１）の表面の位置を、１．は支持体側とは反対側の非晶
質層（１）の表面の位置な示す。詰り、酸素原子及び第
通族原子の含有される非晶質層（１）はｔ−傭よりｔ−
個に向って層の成長がなされる。 Ｂ、〜Ｂ１．は第運族原子の分布濃度線を夫々表わす。 第２図には、非晶質層（１）中に含有される酸素原子及
び第一族原子〇層厚方向の分布状態の第１の典型例が示
される。 第２図に示す例では、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）から成り光
導電性を示す非晶質層（Ｉ）　　（Ｉｓ　’ｍ）　（’
ｓからｔ、までの全層領域）は、支持体側より、酸素原
子が分布濃度Ｃ←）、で、第厘族原子が分布濃度Ｃ−１
で、層厚方向に実質的に均一に分布している層領域（’
ｍｔｌ）（’＊と−との間の層領域）と、酸素原子の分
布濃度が分布濃度Ｃ（ｏ）。 から実質的に零になるまで線型的に次第に減少し且つ第
厘族原子の分布濃度が分布濃度Ｃ（１１から実質的に零
になるまで線型的に次第に減少している層領域（ｔｔｔ
ｍ）と、酸素原子及び第履族原子のいずれも実質的に含
有されてない層領域（ｔｓ”＊）とを有している。 第２図に示゛す例の様に非晶質層（Ｉ　ｌ　（’ａ−）
力を支持体又は他の層との接触面（１，に相当）を有し
、酸素原子及び第厘族原子の分布が均一である層領域（
Ｒ”ｙ）を有する場合には、分布濃度Ｃに）１及びＣ４
ｏ）　ｚは、支持体或いは他の層との関係に於いて所望
に従って適宜法められるものであるが、Ｃ（２）、の場
合シリコン原子１＝対して、通常の場合０１〜１０００
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、好適には１〜４０００　
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適には２〜２０Ｑ　Ｑ　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｃｎとされ、Ｃ−）１の場合、シリコ
ン原子に対して通常はα０１〜３０　ａｔｏｍｉｃ％好
適には０．０２〜２０１を幡ｉｃ％、最適には０，０３
〜ｌＯａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものである
。 層領域口１ｔいは、主に層領域（’ｓ”ｓ）と層領域（
１ｍ　”ｍ　）との間の電気的接触を滑らかにする為に
設けられるものであるので、該層領域（１，１−の層厚
は、酸素原子の分布濃度Ｃ幹ｉｔ及び第厘族原子の分布
濃度Ｃ（ｍ）　ｔ　、殊に分布濃度Ｃ−）、との関係に
於いて適宜所望に従って決められる必要がある。 必要に応じて第厘族原子を含有しても良いが酸素原子は
含有されない層領域（ｔ＠ｔｌ）の層厚としては繰返し
使用に対する耐久性も含めて酸素原子の含有される層領
域（’ｒ’ｌ）力を大気からの保護を充分受けられる様
に、父、該層領域（ｔ＠ｔｘ）　　に於いて光蕉射によ
るフォトキャリアを発生させるのであれば、照射する光
が該層領域（ｔ、ｔｔｌ於いて充分吸収されるように、
所望に従って適宜法められる。 本発明に於いて、非晶質層（Ｉ）の表面側の層領域に設
けられる酸素原子の含有されない層領域の層厚としては
１通常１０Ｇ五〜１０μ、好適に＃１２０Ｇ五〜５μ、
最適には５００五〜３μとされるのが望ましいものであ
る。 第２図に示される様な酸素分子及び第■族原子の分布状
ｌ［

【有する光導電部材に於いては＾光感度化及び高暗
抵抗化を計り乍ら支持体又は他の層との間の密着性と支
持体側よりの非晶質層（Ｉ）中への電荷の注入阻止性を
より向上させるにはＳＭＺ図に於いて一点鎖縁１で示す
様に非晶質層の支持体側表面（ｔ、０位置に相当）部分
に於いて、酸素原子の分布＃置を分布濃度０（０）。 より【に＾くした層領域（ｔ、ｔｍ）を設けるのがＪｌ
ｌＬ勢ものである。 酸ＩＡ厘子が高濃度で分布している層領域（１゜ｔ、）
　Ｋ於ける酸素原子の分布濃度０（。）、としては、シ
リコン原子に対して通常は、　３０ａｔｏｍｉｃ％以上
、好適には４　ｇ　ａｔｏｍｉｃ％以上、最適には５０
ａｔｏｍｉｃ％以上とされるのが輩ましいものである。 酸素原子の高濃度で分布される層領域に於ける酸素原子
の分布状態は、ｓ２図に一点鎖線１で示す様に層厚方向
に一定（均一）とされても良いし、直接接合される隣接
層領域との間の電気的接触を良好にする為に一点鎖線す
で示す様に、支持体側より、ある厚さまで一定値Ｃ←）
、で、その後は、Ｃ（０）　ｔになるまで連続的に次第
に減少する様にされてもよい。 第二の１ｌｌｌｌｌｆｉ域（鳳）に含有される第翼族原
子の該層領域（厘）に於ける分布状態は、支持体側に於
いて、分布濃度Ｃ−２で一定値を維持した層領域〔層領
域（ｔｍ　ｔｌ）に相当〕を有する様にされるのが通常
であるが、支持体側より非晶質層への電荷の注入をより
効率良く阻止する為には支持体側に、第２図に一点鎖線
Ｃで示す様に第一族原子が高濃度で分布する層領域（’
ａ１、）を設けるのが望ましいものである。 本発明に於いては、層領域（ｔ４ｔ、）は位［１ｉｔよ
り５μ以内に設けられるのが好ましい。層領域（”４’
ｌ）は、位置−より５μ厚までの全層領域Ｌ！とされて
も良いし、又、Ｍｉｌ領域ＬＴの一部として設けられて
も良い。 層領域（’４ｔｌ）を層領域〜の一部とするか又は全部
とするかは、形成される非晶質層（看）に要求される特
性に従って適宜法められる。 層領域←１ｔ、）はその中に含有される第１族原子の層
厚方向の分布状態として部属Ｗｃ原子の含有量分布値（
分布濃度値）の最大Ｑｎａｘ　がシリコン原子に対して
通常は５０　ａｔｏｍｔｃ　ｐｐｍ以り好適には８Ｑ　
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１００１００ａｔ
ｏ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、部属族原子の含有される第二
の層領域（厘）は、支持体側からの層厚で５声以内（１
，から５μ厚の層領域）に含有量分布の最大値Ｃｍａｘ
が存在する様に形成されるのが好ましいものである。 本発明に於いて酸素原子が高濃度に分布している１層領
域（ｔｓ　ｔＢ　）　０層厚及び嬉瓢族原子が高−１ｌ
！に分布している層領域（ｔ４ｔｍ）Ｏ層厚は。 これ等の層領域に含有される酸素原子或いは第一族原子
の含有量及び含有分布状態に応じて所望Ｋｌ！つて適宜
決定され、通常の場合、３・ム〜５μ、好適には４０五
〜４μ、最適には５０五〜３声とされてるのが望ましい
ものである０第３図に示される例は、基本的ＩＬ第２図
に示した例と同様であるが、異なる点は％ｇｚＥ０９４
０場會には、を鵞の位置よシ、酸素原子の分布濃度もｉ
１１族原子の分布濃度も共に減少が始まシ、位置１１に
到って実質的に零になっているのに対して、第３図Ｏ例
Ｏ場會には、実　線ム３で示す様に酸ｌＡ原原子０布布
ｌｋ　ｌ　ａ　ｔｓ　Ｏ位置よに、夷１１Ｂ３で示す様
に第１ＪＩＥ鳳子Ｏ分布濃度は１．０位置よ）、夫々減
少が始まりＴｈ１．０位置に於いて、両者共に実質的に
零になっていることである。 即ち、酸ｌｃ原子の含有されている第一０層領域（０）
（ｔ＋　ｔｍ）は分布濃ｆｃ＠１で実質的に均一に分布
されている層領域（ｔｍ　ｔｍ）　　と１位置ｔ１より
分布濃［Ｃｔｏ）ｓから実質的に零に到るまで線層的に
次ｊｌＩＫ減少している層領域（ｔｓｌｓ）とで−威さ
れている。 纂■族鳳子の含有される第二０層領域（１）　（ｔｌｌ
、、）は、分布濃度Ｃ（１）１で実質的に均一に分布さ
れていゐ層領域（ｔｔｔｍ）と１位置ｔ３よｐ分布濃度
Ｃ１１ｌかも実質的に零に１ｍ１ｔで線源的に次第に減
少している層領域（ｔｓｔｉ）とで構成されている。 層領域（ｔｓ　ｔｒ　）　Ｋ　ａ　＊　ｍ　２閤に示す
層領域０１１１　）と同様に酸素原子も第■族原子も含
有されていない。 第４図に示す例は４１１１３図に示す儒Ｏ変形例であっ
て、酸素原子が分布ｌｌｌ１１度Ｃ１１１１で均一分布
で含有されている層領域（ｋｂ）中に％篇菖族原子が分
布濃度ｃ４−１で均一分布で含有されている層領域（１
，１りが歇けである点を除けば％第３１１に示す場合と
同機である。 ｌＩ５図に示す例は＊　７８　菖族原子が一定Ｏ分布濃
度で均一分布で含有されている層領域を２つ有する場合
である。 第５１１１に示す例Ｏ非晶質層（１）は、支持体側よ〉
、酸素原子と纂■族原子との両方が含有されている層領
域（’ｉｎ　ｔｓ）と、該層領域（ｔｓｔｍ）上に第璽
族原子は含有されているが酸素原子は含有されてない層
領域（ｔ＋ｂ）と、ＩＩｍ族原子も酸素原子もいずれ４
含有１れていない層領域（ｔｓｔｌ）とで構成されてい
る。 そして、＊素原子の含有されている層領域（＊、　ｔｍ
）は、分布濃度Ｃ１ｏｔ　ｌで層厚方向に実質的に均一
に分布されている層領域（ｔｓ　ｔｍ）と１分布１１１
度Ｃｍ）ｘよ〉次第に線部的に減少されて実質的に零Ｋ
１１つている層領域（ｔｓｔｉ）とで構成されている。 層領域（１１ｂ）は、支持体側から、菖厘族原子が、分
布濃度Ｑａｔで実質的に均一分布してい１層領域（ｋ　
ｔｍ）％分布濃ｆｃ（ｉ）１かも分布濃度Ｃ（荀３まで
線部的に連続減少して分布している層領域（’ａ１４）
ｓ分布濃ｆｃ（Ｉｓで実質的に均一分布している層領域
（ｔｔ　ｂ）　ｈ及び分布１１１！Ｑ幻３から線型的に
連続減少して分布している層領域（ｔｔｔｍ）とが積層
され九層構成を有している。 ＠Ｓ図には、纂５図に示す例の変形例が示される。 第６図に示す例Ｏ場合には、酸素原子と第璽族原子とが
夫々、分布濃度Ｃ（０１１ｅ　Ｃ１唱で均一分布してい
る層領域（ｔ４ｔｓ）と、酸素原子が分布濃度Ｃ＠１か
も線型的に次第に減少畜れて実質的に零Ｋ１１っている
層領域（ｔｓｔｓ）中に、線部的に減少する分布状態で
ＩＩｍ族原子が含有１れている層領域（ｔａｔ＠）と分
布濃［ｃ４ｍｓで実質的に均一分布状態で第■族鳳子が
含有１れていみ層領域（１ｓｔ４）とが置けられている
０層領域（ｔ、　ｔｍ）　ＯＪ：に社、酸素原子が実質
的に含有されてない層領域（ｔｇｂ）が歇けられ。 層領域（１，１−は、謳璽族鳳子が含有されている層領
域（１）（ｔｌｔ−と、酸素原子、第■族鳳子のいずれ
も含有畜れて傘い層領域（ｔｓｔｌ）とで構成されてい
る。 第７図には、非晶質層（り〔層領域（ｔｓｔｌ）〕の食
層層像ＫＩＩＩＪＩＩｊｌ子が含有され、ｌＩ画儒の層
領域（ｉｓ　ｔｘ）　Ｋは、１２嵩鳳子が含有されてい
ない例が示される。 酸嵩鳳子Ｏ書有畜れ為層領域（ｔｓ　ｔｍ）　ａｂ実纏
ムフで示す様に、分布一度Ｑ唱で均一分布状態で酸素原
子が含有されている層領域（１，１■）と１分布＃［ｃ
ｋ４ｓかｂ次第に減少畜れて零に鋼る分布状態で酸素原
子が含有されている層領域（））（ｔｔ　ｔａ）とを有
する。 非晶質層（り中に於ける第璽族原子の分布線。 夷−Ｂ７で示される。即ち纒冨族原子の含有される層領
域（ｔｌｔ勤）＃ｉ、分布濃ｇｉ　ｃ（蜀１で均一に第
■族鳳子が分布されている層領域（１，１■）と、分布
−［Ｃ（蜀冨で均一に第１族原子が分布されている層領
域（ｔ＠　ｂ）との関に分布濃度Ｃ（醗１と分布濃ｆ　
ＣｇＨとの閣の第■族原子の分布変化を連続させる為に
、これ等Ｏ分布一度関でａｍ的に連続的に変化している
分布状態で第璽族鳳子が含有されている層領域（１１１
ｍ）とを有する。 第８図には、ｗ４７図に示す例の変形例が示される。 非晶質層（１）ｔ）全鳩領域には、実線Ｂ８で示す様に
、第■族原子が含有されておに、層領域（（１（１）に
は、酸素原子が含有されている０層領域（１，１■）Ｋ
於いては、酸素原子が分布濃膳〜）１で、第■族鳳子が
分布濃度Ｑｍｔで夫々、均一な分布状態で含有されてお
シ、層領域（ｔａ　ｂ）　Ｋ於いては、ＷｋＩ族原子が
１分布濃度Ｃ（ＩＯ均一な分布状態で含有されている。 酸ｌＬｊ子は夷纏ム＄で示される様に、層領域（ｔ＋　
　ｉｍ）に於いて、支持体側よ）分布＃１１ｊｌＣ（ｏ
ｆｔから線層的に次第に減少されて位置１１に於いて実
質的に零になるＩｌＫ含有されている。 層領域（ｔｍ　　ｔｓ）では、第璽族原子が、分布濃１
　ｃ（にｌから分布鎖１［Ｃ１呻２に到るまで徐々に減
少する分布状態で含有されている。 第９図には、酸素原子は、層厚方向に不拘−表分布状態
で含有され為が、第■族鳳子は、連続的に含有される層
領域に於いて、層厚方向に実質的に均一な分１ｉ状態で
含有されている例が示される。 第９図に示される例に於いては、酸素原子Ｑ含有される
第一０層領域０とｆＭＩＪ！ｉ鳳子Ｏ會有される含有〇
ＩＩＩ＆領域（１）とは、実質的に同一層領域でわって
、酸素原子及び第■族原子のいずれも含有されていない
表面側の層領域を有している。 酸素原子は、層領域（ｔｕｔｓ）Ｋ於いては、分布濃度
９（１１で実質的に均−傘布布状態で含有されてお勤、
層領域（ｔｍ　　ｔｔ）Ｋ於いて、分布濃度Ｃ（唱よ〉
分布濃度ｑｃｌｔＫ到るまで連続して減少的に変化する
分布状態で含有されている。 第１０１１に示す例に於いては、酸素原子、第璽族原子
のいずれもが、連続的に分布する層領域に於いて不均一
な分布状態で含有され、酸素原子Ｏ含有されている層領
域０中に第璽族原子が含有されている層領域（１）が設
けられている。 そして、層領域（ｔｓ　　ｔｍ）ＫＪＩ’いては、酸素
原子が分布濃度Ｃ＠１で、第璽族原子が分布濃度Ｃ（１
）１で、夫々一定の分布濃度で実質的に均一に含有され
てお）、層領域（１，１−では、酸素原子及び第璽族原
子が夫々層の成長に併せて次第に分布濃度を減少する様
に含有され、第璽族原子Ｏ場合にはｓ　ｔｍＫｔｌ＆い
て分布濃度が実質上塔とされている。 酸素原子は、第鳳族原子の含有されてない層領域（を雪
ｔｔ）Ｋ於いてもａｍ的な減少分布状態を形成する様に
食有堪れ、魁ＫＩＩｋいてそＯ”分布状態が実質的に零
とされている・ 層領域（ｔｓｌｉ）には、酸素原子も謳璽康鳳子も含有
されてい傘い〇 以上％　ａｌｌ　２　ａｌｌ乃ｆｉｌｌｌｏＩｉＫり、
ｓ晶ｗｓ中に含有される酸素原子及び部属族鳳子Ｏ層厚
方崗の分有状態Ｏ典腫儒Ｏ幾つかをＩ！明シ九が、＄１
１１３ＩｌＩ乃至Ｊ＋１１０１１０場合に＊イ”ｔ”も
、１１２１１の場合Ｅｌｉ明し九〇と同様に支持体側に
、酸素原子又は第■族願子Ｏ含有濃［ＣＯ高い部分を。 表面ｔｓ儒には、含有−直Ｃが支持体１１に較べて町威
ヤ低くされ九−分を有する分布状態が形成され九層領域
な歇けても嵐いものである０又、酸素原子ｔ　ＩＩ　ｗ
族原子の分布−ｔｏ夫々は線層的にけではなく１纏的に
滅夕させても嵐いＯ 本発ｗＡにおいて、必Ｉ！に応じて非晶質層（１）中に
含有されるハロゲン原子国としては、具体的にはフッ素
、塩素、臭嵩、曹つ素が挙けられ。 殊にフッ素、塩素を好適をもＯとして挙けることが出来
る。 本発明において、　ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される非
晶質層（０を形成するには例えばグロー放電法。 スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって威され石。例え
ば、グロー放電法によって。 ａ−８４（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質層を形成するに
は、基本的にはシリコン原子（８ｉ　）を供給し得る別
供給用の原料ガスと共に、水素原子Ｏ導入用Ｏ又は／及
びハロゲン原子（３）導入用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る堆積室内に導入して。 該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置されである、所定の支持体表面上Ｋ１−８４（Ｈ，Ｘ
）からなる層を形成させれば嵐い０又。 スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ　、
Ｈｅ　＠　（）不活性ガス又はこれ等のガスをペースと
し先混合ガスのＪｌｌｉ気中で８ｉで構成されたターゲ
ットをスパッタリングするＳ％水素原子ｎ又は／及びハ
ロゲン原子Ｎ４入用のガスをス中 バッタリング用の堆積す導入してやれば真い。 本発明において使用される８ｉ供給用Ｏ原料ガスとして
は、８ｉＨａ　、　８ｉＪＩ＠、　８ｉｓＨａ　ｅ　８
ＬＪ１ｗ’ｌ１０１１ス状態の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン蜀が有効に使用されるもＯとして挙げられ
、殊に。 層作成作業Ｏ扱い易さ、　８４供給効率の良さ等の点で
８４Ｈ４，８輸Ｈ４が好ましいものとして挙けられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くＯ／Ｓログン化合物が挙げら
れ、例えば）・ログンガス、ハロゲン化物、ハ四ゲン間
化食物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体勢のブス状
態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げら
れる〇又、更には、シリコン原子とノ・ｐグン原子とを
構成ＪＩＩ素とするｙｘ状態の又はガス化し得る、ハロ
ゲン原子を含む硅素化合物も有効＆もＯとして本発明に
おいては挙けることが出来る０本発明において好適に使
用し得るハロゲン化合物としては、具体的に社、フッ素
、塩素、臭素、ヨウ素の／”１　ロゲンガｘ　、　Ｂｒ
Ｆ　、　ＣｊＦ　、　ＣｊＰａ　。 ＢｒＦ、　、　Ｅｒｒ、　、　ＩＦ、、　ＩＰ、　、　
ＩＣ１，ＩＢｒ等のハｌｅｇグン間化会物を挙けること
が出来る。 ハロゲン原子を含む磯嵩化合物、所■、ハロゲン原子で
置換され九７２ン鱒導体としては。 具体的には例えば８ｉＰ４　、８１１Ｆ、　、　８ｉＣ
ｊ、　、　８ｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好オしいも
Ｏとして挙げることが出来る◇ ζＯａｔハ關ゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の４Ｉ黴的な光導電部材を形成
する場合には、組を供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくと４、所定の支持体上にａ−８ｉ
：Ｘから威る非晶質層を形成する事が出来る。 グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む非晶質層を
製造する場合、基本的ＩＬ出供給用Ｏ鳳料ガスであるハ
ロゲン化硅素ｊスとムｒ。 Ｈ，、Ｈｅ　＠　（）ガス等を所定Ｏ′ｆ＆合比とガス
流量に倉る様にして非晶質層（１）を形成する堆積室に
導入し、グ讐−放電を生起してこれ轡ＯガスＯプツズマ
雰囲気を彫威するととによって、所定Ｏ支持体上に非晶
質層（１）を形成し得るものであるが、水嵩原子の導入
を針る為にこれ等のガスに更に水嵩原子を會む＊嵩化食
−〇ガスも所定量温合して層形成しても嵐い〇 又、各ガスは単Ｉｌｋ＠Ｏ拳でなく所定Ｏ温合比で複数
１１温會して使用しても差支えないものである〇 反応スパッタリング鉄酸い紘イオンプレーテインダ法に
＠”２でト組（Ｈ，りから成る非晶質層（１）を形成す
るには、ｆＩえばスバツメリング法の場合には８１から
威↓Ｉ−ダクトを使用して、これを所定Ｏｓスプ２ズマ
雰■気中でスパッタリングし、イオンプレーテインダ法
の場合Ｋｔｉ、多結晶シリコン又紘単鍍蟲タシコンをＭ
ａｔ源として蒸着＆−）ＫＩＥ害し、こＯシリコン蒸発
源を抵抗加熱法、或いはエレクトーンビーム流（］！Ｂ
法）等によりて一鴎ＩＩ発畜せ飛翔蒸発物を所定Ｏｆス
プラズマ廖−気中を通過させる事で行う事が出来為。 こｏ　１１ｓスパッタリング繊、イオンブレーティング
法Ｏ何れＯ場合にも形成される層中にハロゲン原子を導
入するに妹、前記Ｏハロゲン化食物又は前記０ＡＥｌダ
ン鳳子を含む値嵩化合物Ｏｓスを堆積室中に導入して該
ガスのグツズ１ｊｌｓ気を形成してやれば良いも０であ
る〇又、水嵩原子を導入する場合には、水嵩原子導入用
ＯＩＩ科ガス、例えば、Ｈ２，或いは１起し九シツン類
等Ｏガヌをスパッタリング用０＠積皇中に導入して鋏ガ
スＯプツズｆｆｊｌｌｌ気を形成して中れば良い。 重置１ｊｉＫＴｈいては、八−グン鳳子導入用のｊｌ料
ズスとして上記され丸ハ繋ゲン化合物或いはハロゲンを
會む硅素化合物が有効１にものとして使用される４０ｆ
ある＄％　ソｔ）他に％　ＨＦ、ＨｃＩｔＨＢｒ　、　
ＨＩ　＠　０　ハｏダン化水素、　８１Ｈ，？、、８ｉ
Ｈ，Ｉ、。 ８ｉＨ，Ｃｊｔ　、　８ｉＨＣｊｍ　、　８ｉＨ，Ｂｒ
、　、　８ｉＨＢｒ１４１０　／’　ａゲン置換水嵩化
硅素１等々Ｏガス状態Ｏ或Ｉ／％鉱ガス化し得る、水嵩
原子を構成要素０１つとするハロゲン化物亀有効な非晶
質層０）形成用０出発物質として挙げる事が出来る。 これ勢の水嵩原子を含むハロゲン化物＃ｉ、非晶質層（
１）形成のＩＩＫ層中にハロゲン原子Ｏ導入と同時に電
気的或いは光電的４１１性の制御に＠めて有効な水素原
子も導入されるｔ）　”ｅ　ｓ装置ＷＡにおいては好適
なハａゲン導入用の原料として使用される。 水素原子を非晶質層（１）中に構造的に導入するには、
上記Ｏ他Ｋ　Ｈａ　＊或いｄ　８　ｉＬ　ｔ　８１ｓｌ
Ｌ　ｔ８五ｓＨ，。 ８ｉ４Ｈ，等の水素化砿嵩ｏｉスを、８１を供給する為
Ｏシリコン化合物と堆積室中に共存させて放電を生起さ
せる事でも行う事が出来る０ 例えば１反応スパッタリング法の場合には、８１ターゲ
ツトを使用し、ハーゲン原子導入用Ｏガス及びＨ２ｌス
を必１１に応じてＨｅ、ムｒ峰Ｏ不活性ガスも含めて堆
積室内に導入してグツズ−を雰囲気を形成し、前記創タ
ーゲットをスパッタリングする事によって、基板上ｔ１
ｃｍ−８ム（ｌ（、Ｘ）から成る非晶質層（！）が形成
される０ 更には、不純物Ｏドーピングも兼ねてＢ、Ｈ。 等のガスを導入して中ることも出来る。 本発明において、形成される光導電部材の非晶質層（Ｉ
）中Ｋｔ有される水素原子ｎの量又はハロゲン原子内の
量又は水素原子とハロゲン原子の量の和は通常の場合１
〜４０　ａｔｏｍｉｃチ、好適には５〜３Ｑ　ａｔｏｍ
ｉｃ９６とされるのが望ましい。 非晶質層（Ｉ）中に含有される水嵩原子０又は／及びハ
ロゲン原子内の量を制御するには、例えば支持体温度又
は／及び水素原子０、或いはハロゲン原子内を含有さぜ
る為に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する量
、Ｊｌｋ電々力等を制御してやれば夷い。 本発明に於いて、非晶質層（Ｉｌをグロー放電法又はス
パッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂稀ガス、例えばＨｅ。 Ｎｅ、Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。 非晶質層（１）中に酸素原子及び周期律表第■族原子を
導入して、第一０層領域０及び第二の層領域（１）を形
成するには、グロー放電流中反応スパッタリング法等に
よる層形成の際に、部属族原子導入用の出発物質又は酸
素原子導入用の出発物質、−いは両出発物質を前記し九
非晶質層形成用の出発物質と共Ｋｌ！用して、形成され
る層中にその量を制御し乍ら含有してやる事によって成
される。 非晶質層（りを構成する第一の層領域０を形成するのに
グロー放電法を用いる場合には、第一の層領域０形成用
の原料ガスとなる出発物質としては、前記した非晶質層
（Ｉ）形成用の出発物質の中から所望に従って選択され
たものに酸素原子導入用の出発物質が加えられる。その
様な酸素原子導入用の出発物質としては、少なくとも酸
素原子を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る
物質をガス化し虎ものの中の大概のものが使用され得み
。 例えばシリコン原子（ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子０を構成原子とする原料ガスと、必要に応
じて水嵩原子ｎ又は及びハロゲン原子内を構成原子とす
る原料ガスとを所望の混合比で混合して使用するか、又
祉シリコン原子（８ｉ）を構成原子とする原料ガスと、
酸素原子０及び水素原子（ハ）を構成原子とするＪＩ原
料ガスを、これも又所望の混合比で混合すゐか、或いは
、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガスと、
シリコン原子（８ｉ）、酸素原子０及び水素原子鵠の３
つを構成原子とする原料ガスとを混合して使用すること
が出来る。 又、別には、シリコン原子（８ｉ）と水素原子Ｉとを構
成原子とする原料ガスに酸素原子０を構成原子とする原
料ガスを混合して使用しても良い。 具体的には、例えば酸素（Ｏｔ）、オゾン（Ｏｓ）−一
酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯｔ　）−−二酸化
窒素（ＮｔＯ）　、三二酸化窒素（ＮｔＱｓ）、ｓ二酸
化窒素（Ｎ１０４　）　、三二酸化窒素（Ｎ、Ｏ，）、
三酸化窒素（Ｎ０１χシリコン原子（Ｓｌ）と酸素原子
０と水素原子０とを構成原子とする、例えば、ジクロ中
サン（八８ｉ０８　ｉＨ，）　、　　トリシロキすン（
Ｈ，８ｉ０ＳｉＨ，α３ｉＨ，）等の低級シロキサン等
を挙けることが出来る。 スパッターリング法によって、酸素原子を含は多結晶の
ｓｉウェーハー又はｓｉｏ、ウェーハー、又は別と８１
０１が拠金されて含有されているウェーハーをターゲッ
トとして、これ等を種々のガス′＃圃気中でスパッター
リングするととＫよって行えば良い。 例えば、別ウェーハーをターゲットとして使用すれば、
酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて宿駅ガスで
稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ轡の
ガスのガスプラズマを形成して前記８五ウエーハーをス
パッターリングすれば曳い。 又、別には、８ムと８ム０！とは別々のターゲットとし
て、又は８１とＳｉへの混合し九一枚のターゲットを使
用することによって、スパッター用のガスとしての稀釈
ガスの雰囲気中で又は少なくとも水嵩原子鵠叉は／及び
ハロゲン原子囚を酸成原子として含有するガス！囲気中
でスパッターリングすることによって成される。 酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示しえ原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッターリングの場合にも有効なガスとして使
用され得る。 非晶質層（Ｉ）を構成する第二〇層像域積）を形成する
には、前述した非晶質層（１１の形成の−に前記しえ非
晶質層（り形成層となる原料ガスと共に。 第１Ｊｉｌ［子導入用となりガス状態の又はガス化し得
る出発物質をガス状態で非晶質層（り形成の為の真空堆
積室中に導入してやれば良いものである。 第二の層領域（１）Ｋ導入される第菖族原子の含有量は
、堆積室中Ｋｍ人される嬉■族原子導入用の出発物質の
ガス流量、ガス流量比、放電ノ（ワー等を制御すること
によって任意Ｋ１ｍ１御され得る。 第■族原子導入用の出発物質として、本発明に於いて有
効に使用されるのは、硼素原子導入用としては、Ｂ！鳥
、　Ｂ４Ｈ，、、Ｂ、Ｈ，、Ｂ、Ｈ□、　Ｂ、Ｈｌ、　
。 Ｂ＠Ｈ１ｌ−Ｂ＠Ｈ１１等の水素化硼素、ＢＰ、、　Ｂ
ＣＩＨ，ＢＢｒＢ等のハロゲン化硼素等が挙げられる。 この他、ＡｌＣｌ、　、　ＱａＣ１＠　、　Ｇａ（ｃＨ
，）、　、　ＩｎＣ１＠　、　ＴｌＣｌ＠等も挙げるこ
とが出来る。 本発明に於いて遷移層領域（酸素原子又は部属族原子の
いずれかの分布濃度が層厚方向に変化している層領域）
の形成は分布濃度を変化させるべき成分を含有するガス
の流量を適宜変化させることにより達成される０例えば
手動あるいは外部層−毫−夕等の通常用いられている何
らかの方法により、ｊス流路系の適中に設けられた所定
のニードルパルプの開口を漸次変化させる操作を行えば
良い、このとき、流量の変化率はＩｊｓＷである必要は
なく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計され
た変化率−線に従って流量を制御し、所望の含有率−線
を得ることもできる。 非晶質層作成の際遷移層領域と他の層領域との境界にお
いて、グッズマ状態は維持されても、中断されても膜の
特性上には何ら影響を及ぼさないが連続的に行うのが管
理上も好ましい。 本発明に於いて、非晶質層（Ｉｌの層厚としては。 作成される光導電部材に豐求される特性に応じて適宜法
められるものであるが通常は、１〜１００ｇ好ましくは
１〜８０μ、最適にＦ１２〜５０μとされるのが望まし
いものである。 本発明の光導電部材に於いては、第一の非晶質層（１）
上に設けられる第二の非晶質層（Ｉ）Ｆｉ、、シリコン
原子と脚素鳳子と水素原子とで構成される非晶質材料（
Ｈ−（ＳｔｘＣｔ−１）ｙ　Ｈ＋−７１但し０〈へｙ〈
】〕で形成されるので非晶質層＋１１を構成する第一の
非晶質層（Ｉｌと第二の非晶質層（１）とを形成する非
晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成＊＊を
有しているので、積層界面に於いて化学的な安定性の確
保が充分成されている。 ａ　　Ｃ８’ｘＣＩ−ｘ）、）Ｉ、−ｙで構成される第
二ノ非晶質層（璽）の形成はグロー放電法、スパッター
リング法、イオンインプランテーシ璽ン法、イオンブレ
ーティング法、エレクトロンビーム法等によって成され
る。これ等の製造法は、製造条件、設儂資本投下の負荷
程度、製造規模、作製される光導電部材に所望される特
性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望
する特性を有する光導電部材を製造する為の作製条件の
制御が比較的害鳥であみ、シリコン原子と共にグロー放
電法或いはスパッターリング法が好適に採用される。 更に、本発明に１にいては、グロー放電法とスパッター
リング法とを同一装置系内で併用して第二の非晶質層（
厘）を形成しても良い。 グロー放電法によって第二の非晶質層（厘）を形成する
には、ａ　　（８ｉｘＣ＋−ｘ）ｙＨ＋−ｙ形成用の原
料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、支持体の設置してあ為真空堆積用の堆積室に導
入し、導入されえガスをグロー放電を生起させることで
ガスプラズマ化して前記支持体上に既に形成されである
第一の非晶質層１１）上に麿−（８ｊｘＣｔ　−ｘ）ｙ
Ｈ，−ｙを堆積させれば良い。 本発明に於いて１−（８盈ＸＣｌ−１）７Ｈ１−ｙ形成
用の原料ガスとしては、８ｉ、Ｃ，）ｉの中の少なくと
４１つを構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る
物質をガス化したものの中の大概のものが使用され得る
。 Ｓｉ、Ｃ，ＨＯ中の１つとして８ｉｔ−構成原子とする
原料ガスを使用する場合は例えばＳｉを構成原子とする
原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、Ｈを構成
原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用す
るか、又は、Ｂｉｔ構成原子とする原料ガスと、Ｃ及び
Ｈを構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合
比で混合するか、或いは、１９ｉｔ−構成原子とする原
料ガスと、　８ｉ、　Ｃ及びＨの３つを構成原子とする
原料ガスとを混合して使用することが出来る。 又、別には、　８ＬとＨとを構成原子とする原料ガスに
Ｃを構成原子とする原料ガスｔ−混合して使用しても良
い。 本発明に於いて、第二の非晶質層（璽）形成用の原料ガ
スとして有効に使用されるのは、８１とＨとを構ａＨ子
トｔ　ｈ　８ｉ１Ｈ１，、ｌｌｉ、Ｈ，、８ｉＨ，、８
ｉ、ｆｉ。 等のシラン（８ｉ１ａｎｅ）類等の水素化硅素ガス、Ｃ
とＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の飽和炭
化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２
〜３のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ｃ）ｉ４
）、エタン（Ｃｔ残）、プロパン（口い、ｎ−ブタン（
ｎ−Ｃ，Ｈｌ、　）　、ペンタンＣＣｗＨ１ｍ　）　＊
　エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃｔ）Ｌ）
　、プロピレン（ＣｓＨｓ）。 ブテン−１（Ｃ４Ｈ畠）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）　、
イソブチレン＜ｃ４Ｈｍ　＞　、ペンテン（ＣｓＨｔ。 ）、アセチレン系炭化水素としては、アセチレンＣＣｔ
Ｈ＊　）−メチルアセチレン（ｅｓＨ４）、ブテン（Ｃ
ｓＨｓ）等が挙げられる。 ８１とＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、８
ｉ　（ＣＨｓ）、、　８１　（Ｃ２Ｈ４）４等のケイ化
アルキルを挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他
、Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論鵬も有効なものとし
て使用される。 スパッターリング法によって第二の非晶質層（１）を形
成するには、単結晶又は多結晶の８ｉつニーバー又はＣ
ウエーノ・−又Ｆｉ８１とＣが混合されて含有されてい
るウェー７１−をターゲットとして、これ等を種々のガ
ス雰囲気中でスノ（ツタ−リングすることによって行え
ば良い。 例えば、８１ウエーノ・−をターゲットとして使用すれ
ば、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、スＩ（ツタ−用の堆積室中に導入し
、これ等のガスのガスプラズマを形成して前記８ｉウエ
ーノ・−をスノ（ツタ−リングすれば良い。 又、別には、８ＩとＣとは別々のターゲットとして、又
は８ｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、少なくとも水素原子を含有するガス雰囲気中
でスノくツタ−１ノングすることによって成される。 Ｃ又はＨ導入層の原料ガスとしては、先述しえグロー旅
篭Ｏ儒で示し九原料オスが、スバッターツンダの場合に
％有効なガスとして使用され得る。 本実＠に於ｉて、嬉二〇非晶質層値）をグルー旅篭繊又
はスバ！ターリンダ株で形成するｌｌ［Ｋ使用される稀
釈ｌスとしては、所■・肴ガス。 例えｉｊＨ・、Ｎ・、ムｒ等が好適表もＯとして挙げる
ことかで龜ゐ。 本実＠ＫＪＩＨ２！嬉二の非晶質層（１）鉱、その要求
される特性が所望過多に４見られる橡に注意深く形成さ
れる・ 即ち、８ｉ、Ｃ，及びＨを構成原子とする物質はその作
成条件によって構造的には結晶からアモルファス箇での
形態を取り、電気物性的ＫＵ導電性から半導体性、絶縁
性までの間の性質を、又光導電的性質から非党尋電的性
質ｔでの間の性質を、各々示すので、本！ｉｌｊｌｊＫ
ｍいては、―的に応じ−に所望０４Ｉ性を有する１に−
８１，Ｃ，−、が形成されるＩＩＫ、所ＭｉＫ従ってそ
の作成条件の選択が厳１ｔＫ成される。 例えば、第二の非晶質層〔）を耐圧性の＾上を主１に一
的として設けるＫは、ａ−（８１ｚＣ１−２）ｙＨｌ−
ｙは使用条件下に於いて電気絶縁性的挙動Ｏ顕著な非晶
質材料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を生える
目的として第二の非晶質層（１）が設けられる場合には
、上記の電気絶縁性の度合はめゐＳｔ緩和され、照射さ
れるｊ！ｔＫ対しである１度の感度を有する非晶質材料
としてａ（８１ｚｃ、−ｘ）７Ｈｋ−７が作成される。 第一〇非晶質層（りの表面Ｋ　ａ−（８１１０１−ｘ）
ｙＨａ−７から成る第二の非晶質層（１）を形成する際
、層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び４
Ｉ性を左右する重畳な因子であって、本尭ＩＮＫ於いて
唸、目的とする特性を有するａ−（ＳＩＸＣＩ−Ｘ）Ｆ
地−ｙが所望過多に作成され得る様に層作成時Ｏ支持体
温度が厳書に制御されるのが望ましい。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の第二の非
晶質層ｌ）を形成する際の支持体ｌ１１ｉＬとしては第
二〇非晶質層００形成法に併せて遍宣最逼範ｌｆｉが選
択されて、第二の非晶質層（蔚の形成が実行されるが、
遥當Ｏ楊合／、１１００″’０−３００υ。 好運には１５０υ〜２ｓＯυとされるのが望ましいもの
である。第二〇＃＃晶質層（１）の形成には、層を構成
する原子の親戚比の微妙な制御中層厚の制御が−の方法
に較べて比験的容易である事等の為に、グロー旅篭法中
スパッターリンダ＊ｏ＋ｉ用が有利であるが、これ等０
＠形成法で第二の非晶質層値）を形威す為場合には、前
記の支持体温度と同機に層形成０＠０放電パワー、ガス
圧が作成される轟−（８１ｚＣ＊−ｘ）ｙＨａ−ｙ　Ｏ
特性を左右する重要な因子（０１つでＴｏ４゜ 本発明に於ける目的が達成される為０４１性會有するａ
−（ＳｉｚＣｓ−１）ｙＨｓ−７が生産性良く効果的に
作成される為の旅篭パワー条件としては、過賞、１Ｇ−
１００Ｗ、好遍ＫＵ２０−１００Ｗとされるのが望まし
い。堆積車内のガス圧は、通常Ｑ、０１〜Ｉ　Ｔ＊ｒｒ
　、　ｊｉＦ遣に＃ｉ６４〜０．５Ｔｏｒｒ一度とされ
るのが望ましい。 本発明に於ｉては、第二の非晶質層値）を作成する為の
支持体温度、款電パワーの望ましｉ数値範囲として前記
した範囲の値が挙げられるが、これ等Ｏ層作成ファクタ
ーは、独立的に別々に決められるものではなく、所ｉｉ
＊！１０ｍ　−（８１ｚ成フアクターの最適値が決めら
れるのが望ましい０ 本Ｊｉ嘴Ｏ光導電部材に騎ける第二の非晶質層（幻に含
有される炭素原子及び水素原子の量は、第二非晶質層（
１）の外側条件と同様、本発明の目的を遍威す４Ｗｒｌ
ｌｔ）＊性が得られる第二〇非晶質層（１）が形成され
る重ｌ！な因子である。 本実＠に於ける第二の非晶質層（１）に含有される炭素
原子の量は、ｍ１Ｆｉｔｘ１０’畠ｔｏｍ１ｃ−以上で
３０　ａｔｏｍｉ＠−未満とされ、好ましく祉１　ａｔ
ｏｍｉ噛−以上で３０　ａｔｏｍｉｃ　ＩＧ未満、′最
適には１０ａｔｏｍｓ−以上で３０　ａｔｏｍｉｃ−未
満とされるのがｍましいものである。水素原子の含有量
としては、過常の場合１〜４０　ａｔ拳ｍｌ＠−１好ま
しくは２〜３５ａｔｏｍｉｃ　１１　を最適にはｉ〜ａ
　Ｏａｔｅｍｌｓ慢とされるのが望ましく、これ等の１
１１１８に＊素置有量がある場合に形成される光導電Ｓ
＃は、＊５ｉｉｉに於いて優れたもＯとして充分適用さ
姥得るもＯである。 即ち、先のａ−（ｊｉｉｚｃｓ−りＦＨＩ−ｙ　ＯＩｔ
示で行えば夏としては、通電は（Ｌ　６　＜　ｘ≦ＬＳ
Ｉ＠９１１１１　、好適には０．５＜ｘ≦＆９’）、最
適には０．５＜ｘ≦８．１１．７としては通電叡６≦１
≦ＬＩＬ好適には１１≦ｙ≦ｏ、ＳＳ、最適に＃ｉ＠Ｌ
７≦ｙ≦ＱＪ＆　テＴｏ　ｂＯｆｉＷｉｔしい。 重置＠Ｋｌｌ？けｈ第二の非晶質層（至）Ｏ層厚Ｏ数値
ｌ１１１は、本Ｊ１ｍ＠０１的を効果的に達成する為の
重畳な因子の１つである。 重置＃４に於ける嬉二の非晶質層（１）の層厚の数値範
囲は、重置９１１０膳的を効果的に達成する橡Ｋｆｆｒ
期のｌ的に応じて適宜所望に従って決められる。 又、第二の非晶質層（鳳）の鳩厚燻、鉄層（厘）中に含
有される炭素原子や水嵩原子の量、第一の非晶質層（１
）の層厚等との関係に於いても、各々の層領域Ｋｌｌ！
求される特性に応じた有機的な関連性の下に所望に従っ
て適宜決定される必要がある０更に加え得るに、生童性
中量童性をＩＩａ味した経済性ＯＡＫｍいても考慮され
るのが望ましい・ 本＊＠に於けｊｍ嬉第二非晶質層（１）の層厚としては
、通常８．００３〜３０ｓ、好逼には９．００４〜２０
ｆｉ　を最適にａｏ、ｏｏｓ〜１＠ＪＩとされるのが望
ましい４のである◎ 本発明に於いて使用される支持体として社、導電性でも
電気絶縁性であっても良い０導電性支持体としては、例
え１１、ＮｉＣｒ、ステンレス。 ム１．Ｃｒ、Ｍｅ、ムｕ　、　Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ
　、　Ｔ１　、　Ｐｉ　、　Ｐｄ等の金属又はこれ勢の
合金が挙けられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。 ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズ。 アセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。 ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ボリア建ド勢の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。 セライック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体唸、好適に唸少なくともその一方の表面を導電
錫層され、腋導電処理され九表向側に他の層が設けられ
るのが■ましい０例えば、ガラスで番れば、その表面に
、ＮｌＣｒ。 ＡＩ　、Ｃｒ　、Ｎｏ　、Ａｍ　、　Ｉｒ　、）Ｊｂ　
、Ｔａ　、Ｖ、ＴＩ　、Ｐｔ　、Ｐｄ。 Ｉ４０ｇ　、　Ｓｍへ、ＩＴＯ（１−へ＋Ｓ鳳へ）勢か
ら成る薄膜を設けることによって導電性が付与され、或
いはポリエステルフィルム勢の合成樹脂フィルムでめれ
ば、ＮｉＣｒ　、ムｌ　、Ａｇ　、Ｐｂ　、Ｚ＊　、Ｎ
ｉ　、Ａｕ　。 （：ｒ、ｈｈ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｉ勢の
金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリン
グ勢でその表ｍＫ設け、又は前記金属でその表面を′ｙ
建ネートＩＩ６！ｉｉＩシて、その１１両に導電性が付
与される。支持体の形状として社、円筒状。 ベルト状、板状勢任意の形状とし得、所望によって、そ
の形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１
００を電子零真用像形成郁材として使用するのであれば
連続＾適複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とす
るのが望ましい０支持体の厚さ杜、所望通りの光導電部
材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材とし
て可撓性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮される範囲内であれば可能な限ヤ薄くされる。 画乍ら、仁の様な鳩舎支持体の製造上及び取扱い上、機
械的強ｆ勢の点から、通常は、１０μ以上とされる。 次に本＊＠の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示すＯ 図中の１１０２．１１０３．１１０４のガスボンベには
、本発明の夫々の層を形成する丸めの原料ガスがＩＩ對
されており、その１例として九とえば１１０２は、Ｈ・
で稀釈されたＳ戊＃ス（純［９９９９９Ｌ以下ＳｉＨ，
／＆と略す。）ボンベ、１１０３はＨ・で純度１１９．
９９５Ｇ）ボンベ、１１０５はＮＯ４ス（純度９９．９
９９Ｉｓ）　ｄｌノンへ１１０＠はｋｈテ樽釈され九Ｓ
ｉＦ４ガス（Ｎ度９龜９９９慢、以下８ｉＦ４．〆Ｈ・
と略す。）ボンベでＴｏゐ〇 これらのガスを反応１１１１０１　Ｋ流入させるＫはガ
スボンベ１１０２〜１１０ＩＯパルプ１１２２〜１１１
！６．ＩＪ−タバルプ１１１６が夫々閉じられているこ
とを確認し、又、流入パルプ１１１２〜１１１６、流出
パルプ１１１７〜１１２１１補助パルプ１１３ｍ　。 ｔｉｎｓが開かれていることを確認して、先づメイン／
（ルプ１１３４を１Ｉ４Ｖｈて反応室１１０１　、及び
ガス配管内を排気する。次に真空針１１３６０読みが約
５ｘｌｏｔ＠ｒｒＫなっ九時点で補助バルブ１１３２、
１１３３、流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じる。 その後、反応室１１０１内に導入すべきガスのｌンべＫ
１１ｌｌされているガス配管のパルプｔ＆定道多操作し
て、所望するガスを反応ｍｌ　１１０１内に４人する。 次に、第２−に示す構成と同様の層構成の非晶質層（１
）と、鋏層（１）上に非晶質層（１）を有する光導電部
材を作成する場合の一例の概要を述べる。 ガスボンベ１１０２よ！ｌ　ＳｉＨ，／Ｈ・ガスを、力
スダンべ１１０３よ”）　ＢａＨ，／Ｈｅガスを、ガス
ボンベ１１０５よりＨｅガスを、夫々パルプ１１２２，
１１２３゜１１２５を開いて出口圧ゲージ１１２７　、
１１２８　。 １１３００圧をＩＪ？／（ＩＩＩＫＩＩ整し、流入パル
プ１１１２、１１１３．１１１５　ｔ−徐ＡＫｉｌｔｌ
Ｃ１’ｖ　ｘ　７０−コントローラ１１０７．１１０８
．１１１０内に＃１）、させる。引き続いて流出パルプ
１１１７．１１１８゜１１２０、補助パルプ１１３２を
徐々に−いて夫々＜１）１１スを反応ｍｍ　１１０１　
Ｋｍ人させる。このときＯＳ　ｉＨ４／’Ｈｅガス流量
と４為４・ガス流量とＨｅガス流量との比が所望の値に
なるように流出パルプ１１１７．１１１８．１１２０を
胸整し、又、反応ｍｌ　１１０１内の圧力が所望の値に
なるように＾９計１１３６の読みを見ながらメインパル
プ１１３４の開口をＩＩＩＩＥする０そしてシリンダー
状の基体１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８　Ｋよ
５６０〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを
確認され九後、電源１１４０を所望の電力に設定して反
応１ｉ［１１０１Ｐｉにグロー旅篭を生起させ、同時に
あらかじめ設計され九賓化率−纏に従って鳥＆」・ｊス
Ｏ滝量及びぬガスの減量を夫々手動あるいは外部駆ｗＩ
％−夕等の方法にようてパルプ１１１８及びパルプ１１
２Ｇを漸次変化させる操作を行なって形成される層中に
含有されるＢ郷ＯＩＭ履族鳳子及び酸素原子の含有員度
を制御し、層領域（１１１ｍ）を形成する。 層領域（ｔｔｂ）が形成され丸時点ＫＩＩｋいては、パ
ルプ１１１８及びパルプ１１２０は完全ＫＩＩ４じられ
良状態にあるので、その後の層形成嬬、Ｓ１鴇」・ガス
の使用のみで行われ、その結果、層領域（ｔ＋ｔｍ）上
に層領域（１，１，）が所望Ｏ層厚で形成されて嬉−の
非晶質層（１）の形成が終了されるＯ 上記の様にして、非晶質層（１）が含有される嬉厘族原
子と酸素原子の所望の分布ｆｌｉｌｌ　（ｄ＠ｐｔｈｐ
ｒｏｆｉｌ・）を以って、所望層厚に形成され丸後、流
出パルプ８１７が一旦５！＊に閉じられ、旅篭も中断さ
れる。 非晶質層（１）の形成の際に使用される原料ｊス種とし
てａ、８四ガス０ＩｋＫ殊に８１＊Ｈａガスが層形成適
度の向上を計る為に有効であるＯ第一の非晶質層（１）
中にハロゲン原子を含有させる場合には上記のガスに、
例えば８１Ｆ４／’Ｈ＠を、更に付加して反応室１１ｏ
ｘＰ３に送シ込む。非晶質層（１）上に非晶質層（１）
を形成するには非晶質層（１）の形成の１ｉＫＩ！用し
九鳥焉、どＨｅガス及びＨｅガスのかわ）にＣＨ，ガス
を用いて層形成を行なう。 夫々の層を形成する際に必要なガス以外Ｏ＃ｌ出パルプ
は全て閉じることは言うまでもなく、又、夫々の層を形
成する際、前層の形成に使用し九ガスが反応室１１０１
内、流出パルプ１１１７〜１１２１かも反応ｌ１ｌｌ（
ＩＩ内に至る配管内に残留することを避は歇めに、流出
パルプ１１１７〜１１２１を閉じ補助パルプ１１３２．
　１１３８を開いてメインパルプ１１３４を全開して系
内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行うＯ又
、層形成を行なっている間は層形成の均一化をはかるた
め基体１１３７はモータ１１３１１　Ｋよシ一定速度で
回転させる。 実施例１ 第１１図に示した製造装置を用い、Ａｊクシリンダ上第
３図に示す層構成の非晶質層（ｊ）を有する電子写真月
俸形成部材を形成した。この際の非晶質層（１）を構成
する各層領域及び非晶質層（１）の作成条件を、下記嬉
１表に示し友。 酸素の分布濃ｔ　Ｃ（０）ｌ−−−３，５ａｔｏｍｉ　
ｅ　％ａ素Ｏ分布一度Ｃ＠、−・・８０　ａｔｏｍｉ　
ｅ　ｗａ作製し九電子写真用像岸成部材は帯電−倫露光
一現像一転写までの一連の電子写真プロセスを蔽て転写
紙上に＠像化され九画倫の〔濃度〕〔解偉力〕〔階調再
現性〕勢の優劣をもって線流量比を変えて、非晶質層（
１）に於けるシリコン原子とカーメン、ｍ子の含有量比
を変化させる以外は、実施例１′と食〈同様な方法によ
って像形成部材を作成した。その結果第２表の如き結果
を得た。 第　　２　　表 Ｏ；　非常に良好 Δ；　画像欠陥を生じ易い 実施例３ 非晶質層（ＩＩ）の膜厚を変える以外は、実施例１と全
く同様な方法によって儂形成部材を作成した０実施例Ｉ
Ｋ違べ九如き、作儂、現儂、クリー二／グの工種を繰り
返し下記の結果を得た。 ／ ７／ ／ ／′ ／ ／ ／ ／′ ／ ／′ 第３表 実施例４ 第１１図に示した製造装置を用い、Ａｊクシリンダ上第
４図に示す層構成の非晶質層（１）を有する電子写真用
像形成部材を形成した。この際の非晶質層（１）を構成
する各層領域及び非晶質層（Ｈ）の作成条件を、下記第
４表に示した。 酸素の分布濃ｆ　Ｃ（０）、−−−−−−７ａｔｏｍｌ
ｃ　ｆｋ硼素の分布濃度Ｃ（Ｉｌｌ・・・・＝３０ａｔ
ｏｍｉ＠ｆ得られ良電子写真用ＩＩ形成部材を用いて、
実施例１と同様に電子４真プロセスを適用して転写紙上
にトナー１１１ｇ／ｌを繰シ返し形成したところ、安定
して鳥品質のトナー転写画倫を得ることが／・′ ／ 実施例５ 第１１図に示した製造装置を用い、ＡＩクシリンダ上第
５図に示す層構成の非晶質層（１）を有する電子写真用
像形成部材を形成した。この際の非晶質層（１）を構成
する各層領域及び非晶質層（１）の作成条件を下記第５
表に示した。 酸素の分布濃度Ｃ（０）、−・−７ａｔｏｍｉ　ｅ　Ｓ
硼素の分布濃度Ｃｌ１）１−・・・・１０　ａｔｏｍｉ
ｃ卿Ｃ＠、　−５ａ　ｔｏｍｉ　ｅ　％ 得られ良電子写真用像形成部材を用いて実施例１と同様
に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナーｉｉ倫
を繰）返し形成したところ、安定して高品質のトナー転
写画像を得ることが出来た。 、７−′ ７／ 実施例６ 第１１図に示した製造装置を用い、ＡＩクシリング上第
６図に示す層構成の非晶質層（Ｉ）を有する電子写真用
像形成部材を形成した。この際の非晶質層（１）を構成
する各層領域及び非晶質層（１）の作成条件を下記第６
表に示した。 酸素の分布濃度Ｃ（０）ｔ・・・・・・ｌａｔｏｍｉｃ
チ硼素の分布濃度Ｃ（１）、　−＝−１００ａｔｏｍｉ
　ｅ　ｐｐｌＣＩＤ、−＝４０　ａｔｏｍｉｃ　％ 得られた電子写真用像形成部材を用いて実施例１と同様
に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナー画儂を
繰り返し形成したところ、安定して高品質のトナーｉｊ
ｇＩＩを得ることが出来た。 ／ ／、２′ 実施例７ 第１１図に示した製造装置を用い、ＡＪクシリンダ上第
７図に示す層構成の非晶質層（１）を有する電子写真用
像形成部材を形成した。この際の非晶質層（１）を構成
する各層領域及び非晶質層（１）の作成条件を下記第７
表に示した。 酸素の分布一度Ｃ（ｏ）ｉ・・・・・・２ａｔｏｍｉｅ
　−硼素の分布濃度Ｃ＠、・・・・・・３０　ａｔｏｍ
ｉｃ　＄Ｃ＠、・＝−５ａｔｏｍｉ　ｃ　＊ 得られた電子写真用像形成部材を用いて、実施例１と同
様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナー画像
を繰り返し形成し九ところ、安定して高品質なトナー画
像を得ることが出来／／ ７″ ／／ ／ ／ 実施例８ 第１１図に示した製造装置を用い、Ａ１シリンダ上に第
８図に示す層構成の非晶質層（１）を有する電子写真用
像形成部材を形成した。こＯ際の非晶質層（１）を構成
する各層領域及び非晶質層（１）の作成条件を下記嬉８
表に示した。 酸素の分布１１ｔ　Ｃ（１））１・・・・−２ａｔｏｍ
ｉｃ　％硼素の分布濃度Ｃ＠、−−２００ａｔｏｒｎｌ
ｅ　ｊｆｉＣ＠、　・・・・・・５　ａ　ｔｏｍｉ　ｅ
　ｓ得られた電子写真用像形成部材を用いて、実施例１
と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナー
画像を繰シ返し形成したところ、安定して高品質なトナ
ー画曹を得ることが出来／／ ／″ 実施例９ 第１１図に示した製造装置を用い、屑シリンダ上に第９
図に示す層構成の非晶質層（１）を有する電子η真用＊
＊威部材を形成した。この際の非晶質層（１）を構成す
為各層領域及び非晶質層（釦の作成条件を、下記第９表
に示した。 酸素の分布濃”　（０）ｔ・・・・・・５ａｔｏｍｉｅ
％Ｃ（０）、−−・＝−２ａｔｏｍｉｅ　ＩＧ硼素の分
布一度ｃ＠ｔ・・・・−５０ａｔｏｍｉｅＰ得られた電
子写真用ＩＩ形成部材を用いて、実施例１と同様に電子
写真プロセスを適用して転写紙上にトナー画像を繰シ返
し形成したところ、安定して高品質なトナー画像を得る
ことが出来７、″ ／ 実施例１０ 第１１図に示した製造装置を用い、Ａｎシリンダ上に第
２図に示す層構成の非晶質層（Ｉ）を有する電子写真用
像形成部材を形成した。この際の非晶質層（１）を構成
する各層領域及び非晶質層（釦の作成条件を、下記第１
０表に示した０酸索の分布濃度Ｃ（０）、　＝＝　３ｈ
　５　ａ　ｔｏｍｉ　ｃ　ｆｋ硼素の分布濃度Ｃ＠１・
・・・・・８０ａｔｏｍｉｃＰＣ動＝・−５００ａｔｏ
ｍｉ　ｃ　ｅ 得られた電子写真用像形成部材を用いて、実施例１と同
様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナーｉｉ
ｉ儂會繰夛返し形成したところ、安定して高品質のトナ
ー転写画像を得ることが、−／″ ／ 実施例１１ 第１１図に示し友勇造装置を用い、ＡＩクシリンダ上第
３図に示す層構成の非晶質層（Ｉ）を有する電子写真用
像形成部材を形成した。この際の非晶質層（１）を構成
する各層領域及び非晶質層（Ｉ）の作成条件を、下記第
１１表に示した。 酸素の分布濃［Ｃ（６）、　−−−−−−＆　５　ａｔ
ｏｍｉ　ａ　１１硼素の分布濃度Ｃ（至）１・・・・・
・８０　ａｔｏｍｉｃ　ｅ得られた電子写真用像形成部
材を用いて、実施例１と同様に電子写真プロセスを適用
して転写紙上にトナーｉｉｉ儂を繰９返し形成したとこ
ろ、安定して高品質のトナー転写画像を得ることが出来
た。

【図面の簡単な説明】

嬉１図は、本発明の光導電部材の構成の好適な例の１つ
を説明する為の模式的説明図、第２図乃至ＩＩＩｌｌｏ
ｗＪは夫々、本発明の光導電部材を構成する非晶質層（
１）０層構成を説明する模式的説明図、第１１図は、本
発明の光導電部材を作製する為に使用され九装置の模式
的説明図である０ １０Ｇ−・・光導電部材 １０１　・・・支持体 １０２　　・・・　第一〇非晶質層（１）１０３−・・
　第一０層領域（０） １０４　　・・・　第二０層領域（至）１０５　　・・
・　層領域 １０６　・・・　層領域 １Ｇ？　　・・・　第二〇非晶質層（１）１０８　　・
・・　自由表面 第１頁の続き ０発　明　者　三角輝男 東京都大田区下丸子３丁目３０番 ２号キャノン株式会社内

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）光導電部材用の支持体とシリコン原子を骨素原子
   と、含有量が３０　ａｔｏｒｙｓｉｃ−未満の炭第−の
   非晶質Ｉ−が、構成原子として、４１厚方して％４４方
   向に連続的な分布状趨で周期律非晶質−の１ｌｉｌｉＴ
   Ｋ内在している事を特徴とする光導電部材。 ｃ釦　喝賭欅ＩＩ！ｌｉＩ■廉に編する原子の分布状噸
   が均一であるＩＩ杵−求の範囲第１項に記載の光導電部
   材。 （３）　　周期律表第腸族に属する原子の分布状態が不
   拘−である特許請求の範囲第１項迄＝紀載のともその一
   部を共有している特許請求の範囲同一層領域である特許
   請求の範囲第１項に記している特許請求の範囲１１１項
   に記載の光導している特許請求の範囲ＩＩ１項龜二記載
   の光導電部材。