JPS58151345A - 低誘電率ガラス組成物 - Google Patents
低誘電率ガラス組成物Info
- Publication number
- JPS58151345A JPS58151345A JP2895282A JP2895282A JPS58151345A JP S58151345 A JPS58151345 A JP S58151345A JP 2895282 A JP2895282 A JP 2895282A JP 2895282 A JP2895282 A JP 2895282A JP S58151345 A JPS58151345 A JP S58151345A
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- JP
- Japan
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- glass
- dielectric constant
- low dielectric
- powder
- composition
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
高周波領域で使用する厚膜回路用部品、特に基板材料及
び基板上に設けられる多層配線用絶縁層(クロスオーバ
ー)は、電気容量を小さくし消費電力軽減のため低誘電
率であることが請求される。誘電率(ε)の値としては
、ε−4〜6の材料が要望されている。
び基板上に設けられる多層配線用絶縁層(クロスオーバ
ー)は、電気容量を小さくし消費電力軽減のため低誘電
率であることが請求される。誘電率(ε)の値としては
、ε−4〜6の材料が要望されている。
本発明は、上記の用途に好適に使用される粉末組成物を
提供するもので、該組成物は低誘電率のガラス粉末と低
誘電率の耐火物フィラー粉末とからなり、厚膜回路の基
板自体の形成に、あるいは基板上の設けられた多層配線
の絶縁層の形成のため、1000℃以下の焼成によシ、
ガラス部分が軟化・流動し、全体としては低誘電率、低
膨張、かつ耐久性のある焼結体を形成する。特に、耐火
物フィラーを混合することによシ、基板上あるいは多層
配線の絶縁層上に形成される程々の回路の焼成過程にお
けるパターン変形の抑制、回路材料と絶縁層との反応に
伴なう特性変化の低減、更には焼成体の機械的強度向上
の効果が認められる。
提供するもので、該組成物は低誘電率のガラス粉末と低
誘電率の耐火物フィラー粉末とからなり、厚膜回路の基
板自体の形成に、あるいは基板上の設けられた多層配線
の絶縁層の形成のため、1000℃以下の焼成によシ、
ガラス部分が軟化・流動し、全体としては低誘電率、低
膨張、かつ耐久性のある焼結体を形成する。特に、耐火
物フィラーを混合することによシ、基板上あるいは多層
配線の絶縁層上に形成される程々の回路の焼成過程にお
けるパターン変形の抑制、回路材料と絶縁層との反応に
伴なう特性変化の低減、更には焼成体の機械的強度向上
の効果が認められる。
本発明の組成物は、低誘電率のガラスの粉末と低誘電率
、耐熱性のフイ→−粉末とからなシ、前記ガラス粉末は
重量チ表示で、 5iO240−+70% A120m 4〜15 B!01 15〜35 BaOO,5〜15 の組成を有すること、前記フィラー粉末は石英ガラス、
高珪酸ガラス、アルカリ硼珪酸ガラス、コージェライト
、ステアタイト、ベリリア又はアルミナのうち少くとも
1種よシなること及び重量%比でガラス粉末97〜40
%、フィラー粉末3〜60%の割合で混合されているこ
とを1特徴とする。
、耐熱性のフイ→−粉末とからなシ、前記ガラス粉末は
重量チ表示で、 5iO240−+70% A120m 4〜15 B!01 15〜35 BaOO,5〜15 の組成を有すること、前記フィラー粉末は石英ガラス、
高珪酸ガラス、アルカリ硼珪酸ガラス、コージェライト
、ステアタイト、ベリリア又はアルミナのうち少くとも
1種よシなること及び重量%比でガラス粉末97〜40
%、フィラー粉末3〜60%の割合で混合されているこ
とを1特徴とする。
ガラス組成の限定理由は次の通多。
5iot s 40 %より少ないと誘電率が大きくな
υ過ぎ、70%よシ多いと、ガラス軟 化点が高くなシ過ぎ所望の熱処理 (1000℃以下)における流動性、固着性が低下する
。望ましくは45〜65チである。
υ過ぎ、70%よシ多いと、ガラス軟 化点が高くなシ過ぎ所望の熱処理 (1000℃以下)における流動性、固着性が低下する
。望ましくは45〜65チである。
Al2O5;化学的耐久性向上の目的で導入するが、4
チよシ少ないと、効果が小さく、15チより多いと溶融
中失透する恐れがあ る。望ましく、は5〜13チである。
チよシ少ないと、効果が小さく、15チより多いと溶融
中失透する恐れがあ る。望ましく、は5〜13チである。
B2O3;フラックス成分として用いる。15チよシ少
ないとガラス軟化温度が高くな り過ぎ、35%より多いとガラスの化 学的安定性が著しく低下する。望まし くは18〜32%である。
ないとガラス軟化温度が高くな り過ぎ、35%より多いとガラスの化 学的安定性が著しく低下する。望まし くは18〜32%である。
BaO;誘〜、率を上昇させずにフラックス効果を有す
る成分である。05%より少な いとフラックス効果は期待できない。
る成分である。05%より少な いとフラックス効果は期待できない。
15%より多いと誘電率が大きくなり
過ぎる。望ましくは1〜13チである。
NazO,K2O,LizO;フラックス成分として用
いる。但し、含量で5%を越えると電気 的特性(抵抗値)が低下する。望まし くは0〜ゆチである。
いる。但し、含量で5%を越えると電気 的特性(抵抗値)が低下する。望まし くは0〜ゆチである。
pbo ;フラックス成分である。但し、10%を越
えると誘電率が高くなり過ぎ、ま た、還元雰囲気で使用不可となる。望 ましくは8チ以下である。
えると誘電率が高くなり過ぎ、ま た、還元雰囲気で使用不可となる。望 ましくは8チ以下である。
CaO9Mgo、SrO;化学的安定性を向上きせ得る
成分である。但し、含量で10%を越え ると誘電率が大きくなり過きる。望ま し、l+8%以下である。
成分である。但し、含量で10%を越え ると誘電率が大きくなり過きる。望ま し、l+8%以下である。
ガラス粉末に混合されるフィラーは、低誘電率で、かつ
耐熱性が被れたものである必袈があり、このようなフィ
ラーを導入することにより焼成品の、低誘電率の保持、
機械的強度の向上ならびに回路形成用の導体材料の特性
の変化の抑制を計ることができる。
耐熱性が被れたものである必袈があり、このようなフィ
ラーを導入することにより焼成品の、低誘電率の保持、
機械的強度の向上ならびに回路形成用の導体材料の特性
の変化の抑制を計ることができる。
フィラーとしては、石英ガラス、高珪酸ガラス(アルカ
リ硼珪酸ガラスを熱処理し分相させ、ワ\) 東婆で酸処理によシ硼酸分に富む相を溶出させた後、焼
結することによって得られる約96−の珪酸外を含むガ
ラス。96チシリカガラスとも呼ばれる。)、アルカリ
硼珪酸ガラス(例えばコーニングコード7740のガラ
スであり、B1Ox 81%、Al2O32%、Btu
s 13%、NazO4チの組成を有する。)から選
ばれる耐熱性の高いガラス粉末が用いられる。フィラー
としては、アルミナ、コージェライト、ステアタイトあ
るいはべりリアから選ばれる・耐熱性セラミック粉末も
又好適に用いられる。
リ硼珪酸ガラスを熱処理し分相させ、ワ\) 東婆で酸処理によシ硼酸分に富む相を溶出させた後、焼
結することによって得られる約96−の珪酸外を含むガ
ラス。96チシリカガラスとも呼ばれる。)、アルカリ
硼珪酸ガラス(例えばコーニングコード7740のガラ
スであり、B1Ox 81%、Al2O32%、Btu
s 13%、NazO4チの組成を有する。)から選
ばれる耐熱性の高いガラス粉末が用いられる。フィラー
としては、アルミナ、コージェライト、ステアタイトあ
るいはべりリアから選ばれる・耐熱性セラミック粉末も
又好適に用いられる。
これらフィラーの全組成物に占める割合は、フィラーの
比重によって異なるが、少くとも3チ必要である。しか
し、60チを越えると、組成物中の低融点のカラス質が
低下し、それによって焼成品の機械的強度の低下をもた
らす。これら低誘電率のフィラーの混合知は、好ましく
は、5〜50%である。
比重によって異なるが、少くとも3チ必要である。しか
し、60チを越えると、組成物中の低融点のカラス質が
低下し、それによって焼成品の機械的強度の低下をもた
らす。これら低誘電率のフィラーの混合知は、好ましく
は、5〜50%である。
本発明の誘電体ガラス組成物の製造に肖って、常法によ
り所定組成に配合したガラスバッチを1400〜150
0℃で1〜2時間加熱し、熔融ガラス化し、熔融ガラス
を水砕またはフレーク状に成形してガラスを得る。得ら
れた粒子状又はフレーク状カラスと低誘電率フィラー粉
末をポットミルに入れ粉砕混合する。粉砕は、スクリー
ン印刷可能な粒度とするため、16〜24時間行ない、
325メツシユーアンダーにふるい分は後、平均粒径2
μm前後のものを製品とする。得られた粉末組成物を厚
膜回路の多層配線用絶縁層に用いる場合には、適当なビ
ヒクル(例えばα−テルピネオール95チと増粘剤とじ
てエチルセルロース5%とを混合させたもの)を用いて
ペースト化し、スクリーン印刷に供す。
り所定組成に配合したガラスバッチを1400〜150
0℃で1〜2時間加熱し、熔融ガラス化し、熔融ガラス
を水砕またはフレーク状に成形してガラスを得る。得ら
れた粒子状又はフレーク状カラスと低誘電率フィラー粉
末をポットミルに入れ粉砕混合する。粉砕は、スクリー
ン印刷可能な粒度とするため、16〜24時間行ない、
325メツシユーアンダーにふるい分は後、平均粒径2
μm前後のものを製品とする。得られた粉末組成物を厚
膜回路の多層配線用絶縁層に用いる場合には、適当なビ
ヒクル(例えばα−テルピネオール95チと増粘剤とじ
てエチルセルロース5%とを混合させたもの)を用いて
ペースト化し、スクリーン印刷に供す。
一方、基板自体を表作する場合には、ガラス粉末とフィ
ラー粉末の混合物を適当なビヒクル(例えば、酢酸ビニ
ルあるいはエチレン・酢酸ビニル共重合体)で混練し、
シート状に成形してグリーンシートをつ<シ、その上に
上部導体を印刷した後、焼成してシートを焼結させる。
ラー粉末の混合物を適当なビヒクル(例えば、酢酸ビニ
ルあるいはエチレン・酢酸ビニル共重合体)で混練し、
シート状に成形してグリーンシートをつ<シ、その上に
上部導体を印刷した後、焼成してシートを焼結させる。
表−1は以上の如くして調製された低誘電率ガラス組成
物の組成を示し、(1)の欄はガラスの組成、(2)の
欄は混合されたフィラーの種類と混合比を示す。(8)
の欄は、ガラスのDTAによって測定された軟化点を示
す。(4)の欄には、組成物を920℃で20分間焼成
して得られた焼成品の誘電率(I KHz、 I M
HSs)、30〜350℃の平均熱膨張係数及びアルミ
ナ基板への固着力の評価結果を示す。固着力の評価に描
っては、アルミナ基板上に組成物のペーストを塗布し、
乾燥後、920℃で20’分間焼成したものを安全カミ
ソリによって引き剥すことができるか否かテストし、剥
離しなかったものを「良とした。
物の組成を示し、(1)の欄はガラスの組成、(2)の
欄は混合されたフィラーの種類と混合比を示す。(8)
の欄は、ガラスのDTAによって測定された軟化点を示
す。(4)の欄には、組成物を920℃で20分間焼成
して得られた焼成品の誘電率(I KHz、 I M
HSs)、30〜350℃の平均熱膨張係数及びアルミ
ナ基板への固着力の評価結果を示す。固着力の評価に描
っては、アルミナ基板上に組成物のペーストを塗布し、
乾燥後、920℃で20’分間焼成したものを安全カミ
ソリによって引き剥すことができるか否かテストし、剥
離しなかったものを「良とした。
表 −1
ガラス組成物ム 12345
(1)ガラス粉末の組成(wt%)
SiOz 65 50 47 45
53AIQa 8 10 10 1
3 5BzO31828303025 BaO21010,101O Na20 1 1 1.5 2
2KzO2−−−− LizO−−、−0,5− Pt)0 2 −
− − −ZnO−−−4 CaO−1−−− MgO2−−−− 8rO1−− (2)フィラー 石英ガラス 10% −一50−−96チシリカ
ガラス −20qb−−40%コージェライト
−−15−−− (1) : 421の重量比 90:1080:20
85:1550:5060:40(81カラスの1化点
(’C) 760 790 800 830
810(4)焼成品の物性(920℃、20分間)誘
電率 lKH25,54,34,84,55,llKH25,
44,24,74,45,0固 着 力 良
良 良 良 良手続補正書 昭和57年4月7に日 特許庁長官島田春樹殿 1、事件の表示 %願昭57−28952号 2 発明の名称 低誘電率ガラス組成物 ユ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目1番2号名称
(004)旭硝子株式会社 自発補正 収 補正により増加する発明の数 な し7、
補正の対象 明細書発明の詳細な説明の欄 手続袖非書(方式) %式% 1、事件の表示 昭和57年特許願第28952号 2・8″″名称 低誘電率7,8組成物3、補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 11 所 東京都千代田区丸の内二丁目1番2号i
i′% 東京都港区虎ノ門−下目24番11号昭和s
7年6月11日(発送日:昭和57年6月29日)4
補正によシ増加する発明の数 なし1補正の対象 明細書の第1頁・第5頁および第2頁の発明の詳細な説
明の項 a補正の内容 (1)明細書の第1頁と第S真を別紙の通多訂正する。
53AIQa 8 10 10 1
3 5BzO31828303025 BaO21010,101O Na20 1 1 1.5 2
2KzO2−−−− LizO−−、−0,5− Pt)0 2 −
− − −ZnO−−−4 CaO−1−−− MgO2−−−− 8rO1−− (2)フィラー 石英ガラス 10% −一50−−96チシリカ
ガラス −20qb−−40%コージェライト
−−15−−− (1) : 421の重量比 90:1080:20
85:1550:5060:40(81カラスの1化点
(’C) 760 790 800 830
810(4)焼成品の物性(920℃、20分間)誘
電率 lKH25,54,34,84,55,llKH25,
44,24,74,45,0固 着 力 良
良 良 良 良手続補正書 昭和57年4月7に日 特許庁長官島田春樹殿 1、事件の表示 %願昭57−28952号 2 発明の名称 低誘電率ガラス組成物 ユ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目1番2号名称
(004)旭硝子株式会社 自発補正 収 補正により増加する発明の数 な し7、
補正の対象 明細書発明の詳細な説明の欄 手続袖非書(方式) %式% 1、事件の表示 昭和57年特許願第28952号 2・8″″名称 低誘電率7,8組成物3、補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 11 所 東京都千代田区丸の内二丁目1番2号i
i′% 東京都港区虎ノ門−下目24番11号昭和s
7年6月11日(発送日:昭和57年6月29日)4
補正によシ増加する発明の数 なし1補正の対象 明細書の第1頁・第5頁および第2頁の発明の詳細な説
明の項 a補正の内容 (1)明細書の第1頁と第S真を別紙の通多訂正する。
(2)同第2頁8行目の「特許請求の範囲」を「発明の
詳細な説明」と訂正する。
詳細な説明」と訂正する。
明 細 書
を発−の名称
低誘電率ガラス組成物
2特許請求の範囲
(1) 低誘電率のガラスの粉末と低誘電率、耐熱性
のフィラー粉末とからなシ、前記ガラス粉末は重量−表
示で、 810鵞 40〜70チム1
寓Os 4〜15B@ O@
15〜55BaOα5〜15 の組成管有すること、前記フィラー粉末は石英ガラス、
高珪酸ガラス、アルカリ硼珪酸ガラス、コージェライト
、ステアタイト、ベリリア又はアルミナのうち少くとも
1種よシなること及び重量%比でガラス粉末97〜4〇
−フィラー粉末3〜40チの割合で混合されていること
を特徴とする高周波厚膜回路用低誘電率ガラス組成物。
のフィラー粉末とからなシ、前記ガラス粉末は重量−表
示で、 810鵞 40〜70チム1
寓Os 4〜15B@ O@
15〜55BaOα5〜15 の組成管有すること、前記フィラー粉末は石英ガラス、
高珪酸ガラス、アルカリ硼珪酸ガラス、コージェライト
、ステアタイト、ベリリア又はアルミナのうち少くとも
1種よシなること及び重量%比でガラス粉末97〜4〇
−フィラー粉末3〜40チの割合で混合されていること
を特徴とする高周波厚膜回路用低誘電率ガラス組成物。
3発明の詳細な説明
高周波領域で使用する厚膜回路用部品、特(基板材料及
び基板上に設けられる多層配線用絶縁層(クロスオーバ
ー)は、電気容量を小さくし消費電力軽減のため低誘電
率であることが要求される。誘電率(−’)の値として
は、ε=4〜6の材料が要望されている。
び基板上に設けられる多層配線用絶縁層(クロスオーバ
ー)は、電気容量を小さくし消費電力軽減のため低誘電
率であることが要求される。誘電率(−’)の値として
は、ε=4〜6の材料が要望されている。
本発明は、上記の用途に好適に使用される粉末組成物を
提供するもので、皺組成物は低誘電率のガラス粉末と低
誘電率の耐火物フィラー粉末とからなシ、厚膜回路の基
板自体の形成(、あるいは基板上の設けられた多層配線
の絶縁層の形成のため、10001:以下の焼成によシ
、ガラス部分が軟化・流動し、全体としては低誘電率、
低膨張、かつ耐久性のある焼結体を形成する。特に、耐
火物フィラーを混合することにより、基板上あるいは多
層配線の絶縁層上に形成される種々の回路の焼成過8!
におけるパターン変形の抑制、回路材料と絶縁層との反
応に伴なう特性変化の低減、更には焼成体の機械的強度
向上の効果が認められる。
提供するもので、皺組成物は低誘電率のガラス粉末と低
誘電率の耐火物フィラー粉末とからなシ、厚膜回路の基
板自体の形成(、あるいは基板上の設けられた多層配線
の絶縁層の形成のため、10001:以下の焼成によシ
、ガラス部分が軟化・流動し、全体としては低誘電率、
低膨張、かつ耐久性のある焼結体を形成する。特に、耐
火物フィラーを混合することにより、基板上あるいは多
層配線の絶縁層上に形成される種々の回路の焼成過8!
におけるパターン変形の抑制、回路材料と絶縁層との反
応に伴なう特性変化の低減、更には焼成体の機械的強度
向上の効果が認められる。
本発明の組成物は、低誘電率のガラスの粉末と低誘電率
、耐熱性のフィラー粉末とからなシ、前記ガラス粉末は
重量−表示で、 810鵞 40〜70チ ム1冨 03
4 〜 15k Ox 15〜35
、耐熱性のフィラー粉末とからなシ、前記ガラス粉末は
重量−表示で、 810鵞 40〜70チ ム1冨 03
4 〜 15k Ox 15〜35
Claims (1)
- (1) 低誘電率のガラスの粉末と低誘電率、耐熱性
のフィラー粉末とからなり、前記ガラス粉末は重量%表
示で、 6102 40〜70% A1zOa 4〜15 B20g 15〜35 BaOO,5〜15 の組成を有すること、前記フィラー粉末は石英ガラス、
高珪酸ガラス、アルカリ硼珪酸ガラス、コージェライト
、ステアタイト、ベリリア又はアルミナのうち少くとも
1種よりなること及び重44%比でガラス粉末97〜4
0チフイラー粉末3〜40チの割合で混合されているこ
とを特徴とする高周波厚膜回路用低誘電率ガラス組成物
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2895282A JPS58151345A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 低誘電率ガラス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2895282A JPS58151345A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 低誘電率ガラス組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58151345A true JPS58151345A (ja) | 1983-09-08 |
JPS6218494B2 JPS6218494B2 (ja) | 1987-04-23 |
Family
ID=12262742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2895282A Granted JPS58151345A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 低誘電率ガラス組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58151345A (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61186260A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-19 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミツクス焼結体 |
JPS61219741A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Toshiba Corp | 酸化物誘電体材料 |
JPS6247196A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク多層基板 |
JPS62117394A (ja) * | 1985-11-16 | 1987-05-28 | 株式会社住友金属セラミックス | 低温焼成セラミツクス多層配線基板 |
JPS62292654A (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-19 | Asahi Glass Co Ltd | ガラスセラミツクス基板用組成物 |
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EP0355284A2 (en) * | 1988-07-08 | 1990-02-28 | Corning Incorporated | Glasses exhibiting low thermal coefficients of elasticity |
JP2001180974A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-03 | Ngk Insulators Ltd | コンポジットガラス及びその製造方法 |
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