JPS58151081A - レ−ザ−電源回路 - Google Patents
レ−ザ−電源回路Info
- Publication number
- JPS58151081A JPS58151081A JP3311682A JP3311682A JPS58151081A JP S58151081 A JPS58151081 A JP S58151081A JP 3311682 A JP3311682 A JP 3311682A JP 3311682 A JP3311682 A JP 3311682A JP S58151081 A JPS58151081 A JP S58151081A
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- JP
- Japan
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- laser
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- laser element
- output
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
力が一定と力るように自動制御するとともに、温度上昇
によるレーザー素子の破壊を防止するようにしたレーザ
ー電源回路に関する。
によるレーザー素子の破壊を防止するようにしたレーザ
ー電源回路に関する。
一般に半導体レーザーの出力は温度依存性が高く、安定
な出力を得るためにはレーザー出力の一部を検出して自
動制御を行う必要がある。ところが、半導体レーザーの
温度特性は負特性、すなわち温度が上昇すると出力が減
少する性質を有しており、そのため、従来の自動制御回
路においては温度上昇に比例してレーザー電流が増加し
つづけ、その度にレーザーの熱損失が上昇し、ついには
半導体レーザーの許容熱損失量を上まわり、半導体レー
ザーが破壊してしまうという問題があった。
な出力を得るためにはレーザー出力の一部を検出して自
動制御を行う必要がある。ところが、半導体レーザーの
温度特性は負特性、すなわち温度が上昇すると出力が減
少する性質を有しており、そのため、従来の自動制御回
路においては温度上昇に比例してレーザー電流が増加し
つづけ、その度にレーザーの熱損失が上昇し、ついには
半導体レーザーの許容熱損失量を上まわり、半導体レー
ザーが破壊してしまうという問題があった。
本発明はこのような問題を解決しぐ故障の少ない半導体
レーザーの実現を可能にするレーザー電源回路を提供す
ることを目的としたものである。
レーザーの実現を可能にするレーザー電源回路を提供す
ることを目的としたものである。
先ず、本発明によるレーザー電源回路の基本回路構成に
ついて説明する。
ついて説明する。
第１図は本発明によるレーザー電源回路の基本回路構成
を示すブロック図で、１は半導体からなるレーザー素子
、２はレーザー素子ｌのレーザー出力を検・出するため
の光検出器、３は光検出器２からの信号電圧と基準電圧
Ｅとを比較してレーザー出力を常に一定にする１自動制
御回路、４はレーザー素子１を駆動するための駆動回路
で、この駆動回路４には電源投入時の突入電流の発生を
防止する手段が設けられている。５は保護回路６よシの
指令および外部指令によシレーザー出力のＯＮ。
を示すブロック図で、１は半導体からなるレーザー素子
、２はレーザー素子ｌのレーザー出力を検・出するため
の光検出器、３は光検出器２からの信号電圧と基準電圧
Ｅとを比較してレーザー出力を常に一定にする１自動制
御回路、４はレーザー素子１を駆動するための駆動回路
で、この駆動回路４には電源投入時の突入電流の発生を
防止する手段が設けられている。５は保護回路６よシの
指令および外部指令によシレーザー出力のＯＮ。
ＯＦＦあるいは出力制限を行う出力制御回路、７はレー
ザー素子１あるいはその近傍の温度を検出し、その検出
信号を保護回路６に入力する温度検出器である。
ザー素子１あるいはその近傍の温度を検出し、その検出
信号を保護回路６に入力する温度検出器である。
第２図はこのような本発明の基本回路構成にもとついて
具体的に回路を構成した一例を示したもので、次に、こ
の第２図を参照しながら本発明を具体的に説明する。
具体的に回路を構成した一例を示したもので、次に、こ
の第２図を参照しながら本発明を具体的に説明する。
自動制御回路３は主に差動入力増幅器３０１で構成され
、一端子に接続された光検出器２による検出電圧が十端
子の基準電圧と比較されて常にレーザー出力が一定とな
るように駆動回路４を制御する。３０２は一端子に接続
された光検出器２に適当なバイアス電流を流すためのツ
ェナーダイオードである。駆動回路４におけるトランジ
スタ４０３のベースには抵抗４０１とコンデンサ４０２
より成る時定数回路が設けられ、これによりトランジス
タ４０３のベース電位の急激な立ち上りを防止し、電源
投入時、レーザー素子１に突入電流が流れこむのを防止
している。
、一端子に接続された光検出器２による検出電圧が十端
子の基準電圧と比較されて常にレーザー出力が一定とな
るように駆動回路４を制御する。３０２は一端子に接続
された光検出器２に適当なバイアス電流を流すためのツ
ェナーダイオードである。駆動回路４におけるトランジ
スタ４０３のベースには抵抗４０１とコンデンサ４０２
より成る時定数回路が設けられ、これによりトランジス
タ４０３のベース電位の急激な立ち上りを防止し、電源
投入時、レーザー素子１に突入電流が流れこむのを防止
している。
一方、採機回路６におけるコンパレーター６０１の十人
力の電位は温度検出器７の温度特性により温度に応じて
変化し、−人力の設定電位より十人力の電位が下がると
コンパレーター６０１の出力が反転して出力制御回路５
にレーザー素子１をＯＦＦにするためのローレベルの指
令信号を出す。
力の電位は温度検出器７の温度特性により温度に応じて
変化し、−人力の設定電位より十人力の電位が下がると
コンパレーター６０１の出力が反転して出力制御回路５
にレーザー素子１をＯＦＦにするためのローレベルの指
令信号を出す。
出力制御回路５のＡＮＤゲート５０１は保護回路６の指
令信号と機器操作スイッチ等に連動した外部よりの指令
信号ＡＮＤヲとシリ後に接続されたトランジスタ５０２
，５０３，５０４をスイッチング動作させる。すなわち
、トランジスタ５０２のペース電位がハイレベルになる
とこのトランジスタ５０２はＯＦＦ −、Ｆランラスタ
５０３は０ＦＦ１）ランジスタ５０４はＯＮとなシ駆動
回路４に電流を供給する。逆に、トランジスタ５０２０
ペース［位がローレベルになるとトランジスタ５０２は
ＯＮ、）ランジスタ５０３はＯＮ、）ランジスタ５０４
はＯＦＦとなり、駆動回路４の電流を遮断する。なお、
抵抗５０６とコンデンサ５０７による時定数回路はトラ
ンジスタ５０４０ペース電位ノ急激な立ち上シを防き、
トランジスタ５０４のＯＦＦ −ＯＮ時の出力電流の急
激な増加を防止し、レーザー素子１への突入電流を防止
するためのものである。またトランジスタ５０２のエミ
ッタに接続したツェナーダイオード５０５は、ＡＮＤゲ
ート５０１の出力レベルとトランジスタ５ｏ２のスイッ
チングレベル電圧をそろえるために設けられている。さ
らに、この実施飢ではトランジスタ５０３のコレクタを
直に接地した例を示したが、抵抗を介して接地するよう
にすれはトランジスタ５０４のスイッチング動作はよシ
完全なものとなり、したがって出力制限動作をより確実
に行なわせることができる。
令信号と機器操作スイッチ等に連動した外部よりの指令
信号ＡＮＤヲとシリ後に接続されたトランジスタ５０２
，５０３，５０４をスイッチング動作させる。すなわち
、トランジスタ５０２のペース電位がハイレベルになる
とこのトランジスタ５０２はＯＦＦ −、Ｆランラスタ
５０３は０ＦＦ１）ランジスタ５０４はＯＮとなシ駆動
回路４に電流を供給する。逆に、トランジスタ５０２０
ペース［位がローレベルになるとトランジスタ５０２は
ＯＮ、）ランジスタ５０３はＯＮ、）ランジスタ５０４
はＯＦＦとなり、駆動回路４の電流を遮断する。なお、
抵抗５０６とコンデンサ５０７による時定数回路はトラ
ンジスタ５０４０ペース電位ノ急激な立ち上シを防き、
トランジスタ５０４のＯＦＦ −ＯＮ時の出力電流の急
激な増加を防止し、レーザー素子１への突入電流を防止
するためのものである。またトランジスタ５０２のエミ
ッタに接続したツェナーダイオード５０５は、ＡＮＤゲ
ート５０１の出力レベルとトランジスタ５ｏ２のスイッ
チングレベル電圧をそろえるために設けられている。さ
らに、この実施飢ではトランジスタ５０３のコレクタを
直に接地した例を示したが、抵抗を介して接地するよう
にすれはトランジスタ５０４のスイッチング動作はよシ
完全なものとなり、したがって出力制限動作をより確実
に行なわせることができる。
以上説明したように、本発明のレーザー電源回路はレー
ザー出方を一定に制御する自動制御回路の他に、レーザ
ー素子の温度が所定値を越えた場合レーザーの駆動を停
止するがあるいはレーザーに供給する電流を制限するよ
うにしたので、従来のように温度上昇に比例してレーザ
ー電流が増加しつづけるようなことはなく、また、電源
投入時、レーザー素子に突入電流が流れることも防止す
るようにしたのでレーザー素子が破壊する確率と低くす
ることができる。
ザー出方を一定に制御する自動制御回路の他に、レーザ
ー素子の温度が所定値を越えた場合レーザーの駆動を停
止するがあるいはレーザーに供給する電流を制限するよ
うにしたので、従来のように温度上昇に比例してレーザ
ー電流が増加しつづけるようなことはなく、また、電源
投入時、レーザー素子に突入電流が流れることも防止す
るようにしたのでレーザー素子が破壊する確率と低くす
ることができる。
したがって、本発明のレーザー電源回路によれば故障率
の低い長寿命の半導体レーザーを実現することが可能と
なる。
の低い長寿命の半導体レーザーを実現することが可能と
なる。
なお、本発明のレーザー電源回路は温度検出器７を他の
検出器におきかえれば、容易に他の要素の保護回路に適
用することも可能となる。
検出器におきかえれば、容易に他の要素の保護回路に適
用することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の基本回路構成を示すプロ、り図、第２
図は本発明にもとづく具体的回路の一例を示す図である
。 １・・・レーザー素子、２・・・光検出器、３・・・自
動制御回路、４・・・駆動回路、５・・・出力制御回路
、５６・・・保護回路、７・・・温度検出器。
図は本発明にもとづく具体的回路の一例を示す図である
。 １・・・レーザー素子、２・・・光検出器、３・・・自
動制御回路、４・・・駆動回路、５・・・出力制御回路
、５６・・・保護回路、７・・・温度検出器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１半導体レーザーのレーザー出力を一定に保っため
の自動制御回路を備えたレーザー電源回路において、半
導体レーザーの温度が所定値を越えたときに半導体レー
ザーに供給されるｔＩＬ流を制限する電流制限手段を設
けたことを特徴とするレーザー電源回路。 （２） 前記電流制限手段は電源投入時、レーザー素
子に突入電流が流れ込むのを防止する手段を含むことを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記動のレーザー電
源回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3311682A JPS58151081A (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | レ−ザ−電源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3311682A JPS58151081A (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | レ−ザ−電源回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58151081A true JPS58151081A (ja) | 1983-09-08 |
Family
ID=12377663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3311682A Pending JPS58151081A (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | レ−ザ−電源回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58151081A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6168324U (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-10 | ||
| JPS61105734A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-23 | Mazda Motor Corp | 自動車のオ−デイオ装置 |
| JP2013143759A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Fujitsu Ltd | 光伝送装置および光伝送方法 |
| JP5567176B1 (ja) * | 2013-03-25 | 2014-08-06 | ミハル通信株式会社 | 半導体発光素子制御装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS546703A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | Laser equipment for optical communication |
| JPS5727084A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-13 | Hitachi Ltd | Optical transmitter |
-
1982
- 1982-03-04 JP JP3311682A patent/JPS58151081A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS546703A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | Laser equipment for optical communication |
| JPS5727084A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-13 | Hitachi Ltd | Optical transmitter |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6168324U (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-10 | ||
| JPS61105734A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-23 | Mazda Motor Corp | 自動車のオ−デイオ装置 |
| JP2013143759A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Fujitsu Ltd | 光伝送装置および光伝送方法 |
| JP5567176B1 (ja) * | 2013-03-25 | 2014-08-06 | ミハル通信株式会社 | 半導体発光素子制御装置 |
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