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JPS58150198A - System for checking memory - Google Patents

System for checking memory

Info

Publication number
JPS58150198A
JPS58150198A JP57033550A JP3355082A JPS58150198A JP S58150198 A JPS58150198 A JP S58150198A JP 57033550 A JP57033550 A JP 57033550A JP 3355082 A JP3355082 A JP 3355082A JP S58150198 A JPS58150198 A JP S58150198A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
data
group
gates
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP57033550A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0219496B2 (en
Inventor
Masaru Wakabayashi
勝 若林
Masahiro Teranishi
寺西 正弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Usac Electronic Ind Co Ltd
Original Assignee
Usac Electronic Ind Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Usac Electronic Ind Co Ltd filed Critical Usac Electronic Ind Co Ltd
Priority to JP57033550A priority Critical patent/JPS58150198A/en
Publication of JPS58150198A publication Critical patent/JPS58150198A/en
Publication of JPH0219496B2 publication Critical patent/JPH0219496B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

PURPOSE:To judge the normality and abnormality of a memory having plural memory elements arranged in a matrix-like configuration, by making an arrangement that the memory is dividing into several groups and checking at every group to complete checking even of a memory having a large capacity in a short time. CONSTITUTION:The output of an FF group 5 is made effective by controlling an FF8 and data are written in an FF corresponding to a designated memory group, and then, data are simultaneously written in and read from memory elements 11-48 in parallel. Try-state gates 3-1-3-8 are controlled by a read signal outputted as the result of AND and the output of AND gates 2-1-2-8 obtained by AND operation are read out to a data bus as data to be inspected. Moreover, try-state gates 4-1-4-8 are controlled by a read signal outputted as the result of OR and the output of OR gates subjected to OR operation are read out. Then data to be inspected are judged by comparing them with expected value data.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、マ} IJクス状に配置された複数のメモリ
素子を有するメモリの正常/異常を判定するメモリのチ
ェック方式に関し、特に大容量のメモリを短時間で診断
するのに好適なメモリのチェック方式に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a memory checking method for determining the normality/abnormality of a memory having a plurality of memory elements arranged in a matrix, and is particularly applicable to large capacity memory. The present invention relates to a memory checking method suitable for diagnosing memory in a short time.

〔従来技術と問題点〕[Prior art and problems]

第1図は従来のメモリのチェック方式を説明するブロッ
ク図である。図において,11, 12. 乃至I M
. 21, 22.、乃至2M.Nl 、N2,乃至N
Mはマトリクス状に配置されたメモリ素子、例えばRA
M (ランダム●アクセス●メモリ)素子であって、メ
モリ素子l1乃至IM.21乃至2M,・曲・、Nl乃
至NMHMビットのメモリ素子行を構成し、メモリ素子
11.21,・・・・・・・・・NIUビット0、メモ
リ素子12,22,・・・・・・・・・N2Fiビツト
1、メモリ素子IM.2M.・・・・・・・・・NMは
ピッ}M−1に対応している。なお、横方同位ビット方
向、縦方向はアドレス方向を示す。このように配置され
たメモリ素子において、従来のメモリのチェック方式は
FIG. 1 is a block diagram illustrating a conventional memory checking method. In the figure, 11, 12. ~IM
.. 21, 22. , to 2M. Nl, N2, to N
M is a memory element arranged in a matrix, for example RA
M (random ● access ● memory) element, which includes memory elements l1 to IM. 21 to 2M, · song ·, constitutes a memory element row of Nl to NMHM bits, memory element 11.21, ...... NIU bit 0, memory element 12, 22, ... ...N2Fi bit 1, memory element IM. 2M. ......NM corresponds to pitch M-1. Note that the horizontal direction of the same bits and the vertical direction indicate the address direction. For memory elements arranged in this manner, the conventional memory checking method is as follows.

マイクロプログラムによクメモリの1アドレス毎にデー
タをまずライトし、次にリードして該り−ドQデータを
期待値データと比較する操作を繰り返してメモリが正常
か、異常かを判定してい友。
The microprogram first writes data to each address in the memory, then reads it, and compares the corresponding Q data with the expected value data.The operation is repeated to determine whether the memory is normal or abnormal. .

ところが、このような従来のメモリのチェック方式では
、メモリ容量が増大するに伴い、チェックのために非常
に長い時間が必要になってくるという欠点があった。
However, such conventional memory checking methods have a drawback in that as memory capacity increases, a very long time is required for checking.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は、マトリクス状に配置された複数のメモリ素子
を有するメモリの正常/異常を判定するメモリのチェッ
ク方式において、メモリをいくつかのグループに分割し
てグループ毎のチェックを可能とし、大容量のメモリで
も短時間にチェックを終了させうるメモリのチェック方
式を提供することを目的とする。
The present invention is a memory checking method for determining the normality/abnormality of a memory having a plurality of memory elements arranged in a matrix. The purpose of the present invention is to provide a memory check method that can complete the check in a short time even if the memory is small.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

上記目的を達成する次め1本発明のメモリのチェック方
式は、マトリクス状に配置された複数のメモリ素子を有
するメモリの正常/異常を判定するメモリのチェック方
式において、アドレス方向−プ毎にデータをパラレル−
、?イトおよびパラレル舎リードし、該パラレル・リー
ドしたデータを1ワードの各ビット毎に論理積演算およ
び論理和演算し、骸論理積演算および論理和演算の結果
を被検査データとして骸被検査データを期待値データと
比較することにより上記メモリの正常/異常を判定する
ことを特徴とするものである。
To achieve the above object, the memory checking method of the present invention is a memory checking method for determining the normality/abnormality of a memory having a plurality of memory elements arranged in a matrix. in parallel
,? The parallel read data is subjected to AND operations and OR operations for each bit of one word, and the results of the AND operation and OR operation are used as the data to be inspected. The present invention is characterized in that it determines whether the memory is normal or abnormal by comparing it with expected value data.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

第2図は本発明によるハードウェア構成の一実施例を示
すブロック図、第3図は本発明を説明するフロー・チャ
ート、#!4図は本発明のり−ド・データによるメモリ
の判定法を説明する図であも第2図において、1−1乃
至1−8はオア・ゲー)、2−1乃至2−8はアンド・
ゲート、3−1乃至3−8と4−1乃至4−8はトライ
ステート1ゲート、5はフリップ・フロップ群、6はデ
コーダ、7−11乃至7−14はノア・ゲート、8はフ
リップ−フロップ、 11乃至槌はメモリ素子、*C3
ll乃至*C3y4はチップ・セレクト信号な示してい
る。全体のメモリ素子はメモリ・グループ1乃至fから
なるg個のグループに分割され。
FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of the hardware configuration according to the present invention, and FIG. 3 is a flow chart explaining the present invention. FIG. 4 is a diagram for explaining the memory determination method using the board data of the present invention. In FIG.
Gates 3-1 to 3-8 and 4-1 to 4-8 are tristate 1 gates, 5 is a flip-flop group, 6 is a decoder, 7-11 to 7-14 are NOR gates, and 8 is a flip-flop. Flop, 11 to mallet are memory elements, *C3
ll to *C3y4 indicate chip select signals. The entire memory device is divided into g groups consisting of memory groups 1 to f.

各メモリーグループはメモリ畳グループ1と同様に構成
さ扛ている。以下、メモリ・グループ1についてみると
、メモリ畳グループ1は4行8列のマトリクス状に配置
されたメモリ素子11乃至槌を有し、各メモリ素子は1
例えば64KXlビツトのものであり、メモリ索子11
乃至18で64KX8ビツトのメモリ素子行を構成して
おり、同様に、メモリ素子21乃至28.31乃至38
.41乃至槌で構成されるメモリ素子行も64KX8ビ
ツトのものである〇なお、この横方向がビット方向で、
縦方向がアドレス方向を示す。チップ・セレクト信号*
 CS 11はメモリ素子11乃至18の各メモリ・チ
ップ・セレクト端子に供給され、同様に、チップ・セレ
クト信号*C812iltメモリ素子21乃至28.チ
ップ・セレクト信号* C813はメモリ素子31乃至
38、チップ・セレクト信号*C814Fiメモリ素子
41乃至槌の各チップ・セレクト端子に供給されている
。そして、チップ・セレクト信号* CS 11が論理
0レベルになるとメモリ素子11乃至18のそれぞれは
リード/ライトが可能な秋11IIKなる。他のチップ
0セレクト信号についても同様である。ビットOK対応
するメモリ索子11乃至41の読み出しデータはオア・
ゲート1−1およびアンド・ゲート2−1に入力され、
ビット1に対応するメ毫り素子12乃至Cの読み出しデ
ータはオア・ゲートl−2およびアンド・ゲート2−2
に入力され、ビット7に対応するメモリ素子18乃至槌
の読み出しデータはオア・ゲート1−8およびアンド・
ゲート2−8に入力さ扛る。これらの構成は他のメモリ
・グループ2乃至gにおいても同様である。オア・ゲー
ト1−1の出力はトライステート・ゲート4−1を介し
てデータ・バスのピッ)OKil続され、オた。アンド
・ゲート2−1の出力はトライステート・ゲート3−1
を介してデータ・バスのビット0に接続されている。同
様に%オア拳ゲートl−2の出力はトライステート・ゲ
ート4−2を介してデータ・バスのビット1に接続され
、アンド・ゲート2−2の出力はトライステート・ゲー
ト3−2を介してデータ・バスのビット1に接続さ汽オ
ア・ゲート1−8の出力はトライステート・ゲ−)4−
8を介してデータΦバスのビット7に接続され、アンド
・ゲート2−8の出力はトライステート・ゲート3−8
を介してデータ・バスのビット7に接続さnている。ト
ライステート・ゲート3−1乃至3−8はアンド結果リ
ード信号により制御され、トライステート・ゲート4−
1乃至4−8はオア結果リード信号によシ制御さ扛る。
Each memory group is constructed in the same manner as memory group 1. Hereinafter, looking at memory group 1, memory group 1 has memory elements 11 to 11 arranged in a matrix of 4 rows and 8 columns, and each memory element has 1 memory element.
For example, it is of 64KXl bits, and the memory number is 11.
The memory elements 21 to 18 constitute a 64K x 8 bit memory element row, and similarly, the memory elements 21 to 28, and 31 to 38
.. The memory element rows consisting of 41 to 8 bits are also 64K x 8 bits. Note that this horizontal direction is the bit direction,
The vertical direction indicates the address direction. Chip select signal*
CS 11 is supplied to each memory chip select terminal of memory elements 11-18, and similarly chip select signal *C812ilt memory elements 21-28. The chip select signal *C813 is supplied to each chip select terminal of the memory elements 31 to 38, and the chip select signal *C814Fi is supplied to each chip select terminal of the memory elements 41 to 41. Then, when the chip select signal *CS 11 becomes a logic 0 level, each of the memory elements 11 to 18 becomes readable/writable 11IIK. The same applies to other chip 0 select signals. The read data of memory indexes 11 to 41 corresponding to bit OK is OR.
input to gate 1-1 and AND gate 2-1,
The read data of the memory elements 12 to C corresponding to bit 1 is sent to the OR gate l-2 and the AND gate 2-2.
The read data from memory element 18 corresponding to bit 7 is input to OR gates 1-8 and AND gates.
The signal is input to gate 2-8. These configurations are the same for the other memory groups 2 to g. The output of OR gate 1-1 is connected to the data bus pin through tristate gate 4-1. The output of AND gate 2-1 is tristate gate 3-1
to bit 0 of the data bus. Similarly, the output of %OR gate l-2 is connected to bit 1 of the data bus through tristate gate 4-2, and the output of AND gate 2-2 is connected to bit 1 of the data bus through tristate gate 3-2. The outputs of the OR gates 1-8 are connected to bit 1 of the data bus.
8 to bit 7 of the data Φ bus, and the output of AND gates 2-8 is connected to tri-state gates 3-8.
is connected to bit 7 of the data bus via n. Tri-state gates 3-1 to 3-8 are controlled by AND result read signals, and tri-state gates 4-1 to 3-8 are controlled by AND result read signals.
1 to 4-8 are controlled by the OR result read signal.

フリップ・70ツブ群5はテップ・セレクト信号* C
S 11乃至C3g4に対応する数(4Xy)の7リツ
プ・フロップを有し、本体装置のMPUよシデータ・バ
スを介して制御され、各7リツプ・フロップの出力はそ
れぞ扛の出力をチップ・セレクト信号とするノア・ゲー
)7−11乃至7−14の一方の入力端子に供給される
。デコーダ6はメモリ・アドレス信号の上位桁をデコー
ドするものであり、その出力はノア・ゲート7−11乃
至7−1I4の他方の入力端子に供給される。チップ・
セレクト信号* CS 11はノア・ゲー)7−11の
出力ア・ゲート7−11に対応するフリップ・フロップ
が選択されて論理ルベルになるか、デコーダ6の出力の
うちノア・ゲー)7−11に対応する出力が論理ルベル
になるとチップ・セレクト信号率C3lIは論理θレベ
ルになる。以下、チップ・セレクト信号本C812乃至
*C814についても一7リツプ・70ツブ群5に対応
するスリップ・70ツブがあシ、デコーダ6にも対応す
る出方端子があるとともに対応するノア・ゲートもあっ
て。
Flip 70 knob group 5 is the step select signal *C
It has 7 lip-flops, the number of which corresponds to S11 to C3g4 (4Xy), and is controlled by the MPU of the main unit via the data bus, and the output of each of the 7 lip-flops is connected to the output of the chip. The selection signal is supplied to one input terminal of the NOAH games 7-11 to 7-14. The decoder 6 decodes the upper digits of the memory address signal, and its output is supplied to the other input terminals of the NOR gates 7-11 to 7-1I4. Chip/
Select signal * CS 11 is the output of the NOR game) 7-11. Either the flip-flop corresponding to the gate 7-11 is selected and becomes a logic level, or the output of the decoder 6 is the NOAR game) 7-11. When the output corresponding to becomes a logic level, the chip select signal rate C3lI becomes a logic θ level. Below, the chip select signal books C812 to *C814 also have a 17 lip, a slip corresponding to 70 knob group 5, a 70 knob opening, an output terminal corresponding to decoder 6, and a corresponding NOR gate. There it is.

チップ・セレクト信号s c s iiについてと同様
である。スリップ・フロップ8は7リツプ・70ツブ#
I5とともに本発明のメモリのチェックを実行するとき
に用いられ、メモリのチェックを実行するときクリップ
・フロップ8にデータを書き込むと、7リツプ・フロッ
プ群5の出力を有効にするとともに、デコーダ6の出方
を無効にして、7リツプ・フロップ#P5を用いてチェ
ックを゛実行するメモリ・グループのチップ・セレクト
信号を論理0レベルになるように制御される。
The same is true for the chip select signal s c s ii. Slip flop 8 is 7 rip, 70 rip #
It is used together with I5 when executing the memory check of the present invention, and when data is written to the clip-flop 8 when executing the memory check, the output of the 7-lip-flop group 5 is enabled, and the output of the decoder 6 is enabled. The chip select signal of the memory group to be checked using the 7-lip flop #P5 is controlled to be at logic 0 level.

以上のように構成されたものにおいて1本発明のメモリ
のチェノ・夕方式による手順を第3図の70−拳チヤー
トに沿って説明する。まず%7リツプ・フロップ8を制
御して7リツプ・フロップ群5の出力を有効にするとと
もに、デコーダ6の出力な無効圧し次後に次の処理を行
う。
In the device constructed as described above, the procedure of the memory according to the present invention according to the Cheno-Yuen style will be explained in accordance with the 70-ken chart of FIG. First, the %7 lip-flop 8 is controlled to make the output of the 7-lip flop group 5 valid, and the output of the decoder 6 is invalidated, and then the next process is performed.

■ スリップ・フロップ群5のうち、指定するメモリ・
グループ(例えば1)に対応するクリップ・フロップに
データを書き込み、チップ・セレクト信号(*C811
乃至*C814)を論理θレベルにしてメモリ・グルー
プ(1)を指定する。
■ Of the slip-flop group 5, the specified memory
Write data to the clip-flop corresponding to the group (for example 1) and send the chip select signal (*C811
to *C814) to the logical θ level to designate memory group (1).

■ メモリ・アドレスを指定する。■ Specify the memory address.

■ データをメモリ素子11乃至槌に同時にパラレル・
ライトする。
■ Data can be transferred simultaneously to memory elements 11 and 11 in parallel.
Write.

■ メモリ素子11乃至槌からデータを同時にパラレル
・リードする。
■ Simultaneously read data from memory elements 11 and 11 in parallel.

■ パラレル拳リードしたデータについて、アンド結果
リード信号によりトライステート・ゲ−)3−1乃至3
−8を制御し、論理積演算したアンド・ゲート2−1乃
至2−8の出力な被検査データとしてデータ・バスに読
み出し、壇た、オア結果リード信号によシトライステー
ト・ゲート4−1乃至4−8を制御し、論場和演算した
オアゆゲート3−1乃至3−8の出力を被検査データと
してデータ・バスに読み出し。
■ Tri-state game) 3-1 to 3 based on the AND result read signal for the parallel fist read data
-8, and reads out the AND gates 2-1 to 2-8's output data to the data bus as the data to be tested, and uses the OR result read signal to control the AND gate 4-1. The outputs of the OR gates 3-1 to 3-8, which have been subjected to the logical sum operation, are read out to the data bus as data to be inspected.

被検査データを期待値データと比較してメモリが正常か
異常かを判定する0 正常であれば■へ移り、異常であれは■の処理を経て■
に移る。
Compare the test data with the expected value data to determine whether the memory is normal or abnormal.0 If normal, move on to ■; if abnormal, proceed to ■
Move to.

■ メモリ素子の交換等の異常過塩を行うO■ 全ての
メモリ・グループについてメ毫りのチェックが終了した
かどうか判定する。
■ Perform abnormal oversalting such as replacing memory elements. ■ Determine whether or not the memory check has been completed for all memory groups.

未終了であれば、同様にメモリ・グループ2乃至lにつ
いても■に戻りて■までのチェックを順次繰プ返し実行
する0 したがりて、第2図に示す如く、メモリ・グループ長襲
、=4で分割してメモリのチェックを実行した場合は4
つのメモリ素子行のチェックを同時に実行するので、従
来のメモリ・チェック方式の4分の1の時間で全メモリ
のチェックを終了させることができる。シ友がって、グ
ループ長饅を長くするとそれだけチェックに要する時間
は短かくすることができる。
If it is not completed, return to ■ and repeat the checks up to ■ for memory groups 2 to l in the same way.0 Therefore, as shown in Figure 2, memory group length check, = If you run the memory check by dividing it by 4, it will be 4.
Since the checks of the two memory element rows are performed simultaneously, the check of all the memories can be completed in one quarter of the time of the conventional memory check method. The longer the group leader stays together, the shorter the time required for checking.

次に、第3図■におけるメモリの判定法について第4図
を参照しつつ、さらに詳細に説明する0メそりのチェッ
クに用いる期待値データを「0101 0101Jとす
ると、このデータがメモリ素子にライトさ扛ていること
になる0ところが実際のリード・データにおいては、(
2)の如く第2行第4列では「1」が「0」に化け、t
た第3行第3列では「0」が「1」に化けている。そこ
で、これらのパラレル・リードしたデータを各ビット毎
に論理和演算すると、(3)の如く上記「0」から「1
」に化けたところのビットに「1」が現われて期待値デ
ータ(1)と相違することになる。また、これらのパラ
レル・リードしたデータを各ビット毎に@埋積演算する
と、(4)の如く上記の「1」から「0」に化は友とこ
ろのビットに「0」が現われて期待値データ(1)と相
違することになる。し友がって、メモリがrOJ、r 
IJいずれに化けてもその異常は、論理和演算および論
理積演算をし。
Next, we will explain in more detail the memory determination method in Figure 3 (■) with reference to Figure 4. Assuming that the expected value data used for checking 0 memory is 0101 0101J, this data will be written to the memory element. However, in the actual read data, it is 0 (
2), in the second row and fourth column, "1" changes to "0", and t
In the third row and third column, "0" is transformed into "1". Therefore, if we perform a logical OR operation on each bit of these parallel read data, we will get the above “0” to “1” as shown in (3).
"1" appears in the bit that has changed to "1", which is different from the expected value data (1). Also, when we perform the @fill operation for each bit of these parallel read data, as shown in (4), when the above "1" is converted to "0", "0" appears in the other bit and the expected value is This will be different from data (1). As a friend, the memory becomes rOJ, r
Regardless of whether it turns out to be IJ, the abnormality performs a logical sum operation and a logical product operation.

その結果を被検査データとしてその被検査データを期待
値データと比較することにより判定することができる。
Judgment can be made by using the results as test data and comparing the test data with expected value data.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上の説明から明らかなように1本発明によれは、大容
量のメモリであっても、アドレス方向くメモリをいくつ
かのグループに分割してそのグループ内のメモリを一括
してライトおよびリードし。
As is clear from the above description, according to the present invention, even if the memory has a large capacity, the memory is divided into several groups in the address direction, and the memories in the groups can be written and read all at once. .

メモリの正常/異常を判定することができるので、1ア
ドレス毎にライトおよびリードしてメモリの正常/異常
を判定していた従来のメモリのチェック方式に比べると
、そのチェックに要する時間は格IRK短かくなる。特
に、メモリの正常/異常の判定チェックは、メモリに異
常がある場合、どのメモリが異常であるかを判定できた
としても、メモリ素子全体を交換しなければならないか
ら、結果的には全てのメモリが正常であることを確鰯で
きることが最優先事項である。その点において1本発明
trJ 、パラレル・ライトおよびパラレルΦリードし
てメモリ・グループ内のものを一括して正常であること
の確認ができるので大変好都合である。本発明の判定法
によ、れば、メモリ・グループの長さには、特に限定さ
れるものではなく、適宜選定しうろことはいうまでもな
い。また、メモリ・グループの長さ爲によりてそのグル
ープのチェックに要する時間が変わるわけではない。む
しろ、グループ数σによシチェックの所要時間が決まる
が、従来のメモリのチェック方式に比べた場合は、グル
ープの長さ爲倍だけチェックの所要時間が短かく、即ち
、部分の1の所要時間ですむことになる0
Since it is possible to determine whether the memory is normal or abnormal, the time required for this check is much shorter than the conventional memory checking method, which determines whether the memory is normal or abnormal by writing and reading each address. It becomes shorter. In particular, when checking whether a memory is normal or abnormal, if there is an abnormality in the memory, even if it is possible to determine which memory is abnormal, the entire memory element must be replaced. Being able to confirm that the memory is healthy is a top priority. In this respect, the present invention trJ is very convenient because it can perform parallel write and parallel Φ read to collectively confirm that everything in the memory group is normal. According to the determination method of the present invention, the length of the memory group is not particularly limited, and it goes without saying that it can be selected as appropriate. Furthermore, the length of a memory group does not change the time required to check that group. Rather, the time required for the check is determined by the number of groups σ, but when compared with the conventional memory check method, the time required for the check is shorter by the length of the group, that is, the time required for the check is shorter than the length of the group. It will only take a while 0

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のメモリのチェック方式を説明するブロッ
ク図、第2図は本発明によるハードウェア構成の一実施
例を示すブロック図、第3図は本発明を説明するフロー
・チャート、第4図は本発明のり−ド・データによるメ
モリの判定法を説明する図である。 1−1乃至1−8・・・オア・ゲー)、2−1乃至2−
8・・・アンド・ゲート、3−1乃至3−8と4−1乃
至4−8・・・トライステート・ゲート、5・・・フリ
ップ・フロップ群、6・・・デコーダ、7−11乃至7
−.4・・・ノア・ゲート、8・・・フリップ−フ四ツ
ブ、11.12. I M、 21.22.28.2M
、 31.32、38.41.42.48. Nl 、
 N2とNM・・・メモリ素子、*C811乃至*C3
g4・・・チップ・セレクト信号。 特許出願人  ユーザツク電子工業株式会社代理人弁理
士 京 谷 四 部(外1名)■3 図 火 4 呪
FIG. 1 is a block diagram illustrating a conventional memory checking method, FIG. 2 is a block diagram illustrating an embodiment of a hardware configuration according to the present invention, FIG. 3 is a flow chart explaining the present invention, and FIG. The figure is a diagram illustrating a memory determination method based on board data according to the present invention. 1-1 to 1-8...or game), 2-1 to 2-
8... AND gates, 3-1 to 3-8 and 4-1 to 4-8... tristate gates, 5... flip-flop group, 6... decoder, 7-11 to 7
−. 4...Noah Gate, 8...Flip-flip, 11.12. I M, 21.22.28.2M
, 31.32, 38.41.42.48. Nl,
N2 and NM...memory elements, *C811 to *C3
g4...Chip select signal. Patent applicant: Usatsuk Electronics Industry Co., Ltd. Representative Patent Attorney: Yobu Kyotani (1 other person)■3 Zuhi 4 Ju

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] マトリクス状に配置された複数のメモリ素子を寥するメ
モリの正常/異常を判定するメモリのチェック方式にお
いて、アドレス方向に上記メモリを複数のグループに分
割し、該グループ毎にデータをパラレル・ライトおよび
パラレル・リードし、咳パラレル・リードしたデータを
1ワードの各ビット毎に論理積演算および論理和演算し
、該論理積演算および論理和演算の結果を被検査データ
として骸被検査データを期待値データと比較することに
より上記メモリの正常/異常を判定することをaSとす
るメモリのチェック方式。
In a memory checking method that determines whether a memory containing multiple memory elements arranged in a matrix is normal or abnormal, the memory is divided into multiple groups in the address direction, and data is written in parallel and The parallel read data is subjected to AND and OR operations for each bit of one word, and the results of the AND and OR operations are used as the data to be inspected, and the data to be inspected is set as the expected value. A memory checking method that uses aS to determine whether the memory is normal or abnormal by comparing it with data.
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