JPS58140747A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、を線等を示す）Ｏ様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用律
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、８Ｎ比〔充電ｆＬ　（Ｉ
ｐ）　／暗電流（Ｉｄ）　）が＾く、照射する電磁波の
スペクトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を
有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有する
こと、使用時において人体に対して無公害であること、
更には固体撮１象装置においては、残摩を所定時間内に
容易に処理することができること等の特性が要求される
。殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真鋏
置内に組込まれる電子写真用原形成部材の場合には、上
記の使用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８！と表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用鍬形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載されている。

丙午ら、従来のａ−８１で構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感匿、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の点、更に
は経時的安定性及び耐久性の点において、各々、個々に
は特性０向上が計られているが総合的な特性向上を計る
上で更に改良される余地が存するのが爽悄である。

例えば、電子写真用歯形成部材に適用し丸場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に針ろうとすると従来に訃い
てＬその使用時において残留電位が残る場合が度々観測
され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続ける
と、繰返し使用による疲労０蓄積が起って、残像が生ず
る所謂ゴースト現象を発する様になる等の不都合な点が
少なくなかった。

父、ａ−８１材料で光導電層を構成する場合には、そｏ
ｔ電気的光導電的特性Ｏ改良を計るために、水素原子或
いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気伝
導層の制御のために硼素原子や燐原子等が戚い紘その他
の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として光
導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕
方如何によっては、形成した層の亀気的或いは光導電的
特性や耐圧性更には、耐久性尋に問題が生ずる場合があ
った。

即ち、例えば電子写真用像形成部材として使用した場合
、形成した光導電層中に光照射によって発生したフォト
キャリアＯ錬層中での寿命が充分でないことや暗部にお
いて、支持体側よしＯ電荷の注入の阻止が充分でないこ
と、或いは、転写紙に転写されたｌｉｌ摩に俗に「白ヌ
ケ」と呼ばれる、局所的な放電破産現象によると思われ
る＃Ｂ慮欠陥中、例えば、クリーニングに、グレードを
用いるとそ０１１ｍＫよると思われる、俗に「白スジ」
と云われている所５ｔｉｔｔ象欠陥が生じたりしていえ
、又、多湿雰囲気中で使用したシ、或いは多湿雰囲気中
に長時間放置した直後に使用すると俗に云う画１象のボ
ケが生ずる場合が少なくなかった。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取抄出した後、窒気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の構象を引起し勝ちであった。この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決される可き点がある。

従って１−８轟材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｋＫ
就て電子写真用歯形成部材や固体撮康装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はノ・ロゲ／Ｎ
子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモルフ
ァス材料、所關水素化アモルファスシリコン、ハロゲン
化アモルファスシリコン、或い５ハハロゲン含有水素化
アモルファスシリコン（以後これ等の総称的表記として
「ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊ　　を使用する〕から構成
される光導電層を有する光導電部材Ｏ層構晟を以後に説
明される様な＠定住の下に設計されて作成された光導を
部材は喪用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従
来の光導電部材と較べてみて４あらゆる点において凌駕
していること、殊に電子写真用の光導電部材として著し
く優れた特性を有していることを見出した点に基づいて
いる。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用環境に殆
んど依存なく実質的に常時安定し°てお秒、耐光疲労に
著しく長け、繰返し炉開に際゛しても劣化現象を起さず
耐久性、耐湿性に優れ、残留電位が全く又は殆んど観測
されない先導区部材を提供することを主たる目的とする
。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的ＫＪｌｉ￥Ｒで安定的であり、層品質の高い
光導１１部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適用
させた場合、静電像形成のための帯電処理の際の電荷保
持能力が充分あり、通常の電子写真特性を有する光導電
部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解１象度の高い、高品質画像を得ること
が容易にできる電子写真用の光導電部材を提供すること
である。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コ／原子を母体とし、窒素原子を構成原子として含有す
る非晶質材料で構成された補助層と、シリコ／原子を母
体とし、周期律表第璽族に属する原子を構成原子として
含有する非晶質材料で構成された電荷注入防止層と、シ
リコン原子を母体とし、構成原子として水素原も含有す
る非晶質材料で構成され、光導電性を示す第一の非晶質
層と、咳非晶質層上に設けられ、シリコン原子と８０ａ
ｔｏｍ！ｃ％未満の含有量の炭素原子とを構成原子とし
て含む非晶質材料で構成された第二の非晶質層と、を有
する事を１！＃微とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れ良電気的。光学的。

光導電的物性、耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合に杜
、画一形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度゛で、高８Ｎ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が嵩
く、ノ・−フトーンが鮮明に出て、且つ解ｆｌ［の高い
、高品質の画像を安定して繰□返し得る仁とができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れてｓ’　り　、高速で長時間連続的に繰返し
使用することが出来る。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就てｎｔｓ
に説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、補助層１０２、電荷注入防止層
１０３、光導電性を有する第一の非晶質層（Ｉ）　１０
４、シリコン原子と６０　ａｔｏｃｎｉＣ％未満の含有
量の炭素原子とを構成原子とする非晶質材料（以後「ａ
−８ムｘ”、−ｘＪと記す、但し、０．４＜−ｗ＜１）
で構成される第二の非晶質層（１）１０５を具備し、非
晶質層（１）　１０５は自由表面１０６を有している。

補助層１０２は主に、支持体１０１と電荷注入防止層１
０３との間の密着性を計る目的の為に設けられ、支持体
１０１と電荷注入防止層１０３０両方と親和性がある様
に、後述する一材質で構成される。

電荷注入防止層１０３ａ、支持体１０１１１１よ抄非晶
質層１０４中へ電荷が注入されるのを効果的に肪止する
機能を主に有する。

非晶質層（Ｉ）　１０４は、感受性の光の照射を受けて
鉄層１０４中でフォトキャリアを発生し、所定方向に該
フォトキャリアを輸送する機能を主に有する。

非晶質層（１）　１０５は、主に耐湿性、連続繰返し使
用特性、耐圧性、使用環境特性、耐久性に於いて本発明
の目的を達成する為に設けられる。

本発明の光導電部材に於ける補助層は、シリコン原子を
母体とし、構成原子として窒素原子と必要に応じて水素
原子（Ｈ）、又は／及びＩ・ロゲン原子（Ｘ）とを含有
する非晶質材料（以後「ａ−８ｉＮ　（Ｈ，Ｘ　）　Ｊ
ト記す）　でｌ成される。

ａ−８１Ｎ（Ｈ，Ｘ）としては、シリコ７原子（Ｓｉ）
を母体とし鼠素原子（Ｎ）を構成原子とするＪＰ品質材
料（以後「ａ−８ｉ、Ｎ、、Ｊと記す）、シリコ／原子
（８１）を母体とし、窒素原子（Ｎ）と水素原子（Ｈ）
を構成原子とする非晶質材料（以後［ａ　　（５ｉｂＮ
ｔ　　Ｂ　）ｃＨｓ　−ｃ　Ｊと記す）、シリコン原子
（８ｉ）を母体と、窒素原子（Ｎ）とハロゲン原子（Ｘ
）と必要に応じて水素原子（Ｈ）とを構成原子とする非
晶質材料（以後「ａ−（８ムｄＮｉ−ｄ）ｅ　（ｋ４．
　Ｘ）＊−０」と記す）とを挙げることが出来る。

本発明において、必要に応じて補助層中に含有されるハ
ロゲン原子（Ｘ）としては、具体的に１１フッ素、塩素
、臭素、・！ｌり素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好
適なものとして挙げることが出来る。

補助層を上記の非晶質材料で構成する場合の層形成法と
してはグ四−放電法、スパッターリング法、イオンイン
プランテーショ／法、イーオンブレーティング法、エレ
クトロンビーム法等が挙げられる。これ等の製造法は、
製造条件。

設備資本投下の負荷程度、製造規模１作製される光導を
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望する特性制御が比較的容易である、
シリコン原子と共に窒素原子、必！！に応じて水素原子
やハロゲン原子を作製する補助層中に導入するのが容易
に行える等の利点からグロー放電法或いはスパッターリ
ング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して補助層を形成しても
良い。グロー放電法によって、ａ−８ＩＮ（Ｈ，Ｘ）で
構成される補助層を形成するには、基本的にはシリコン
原子（Ｓｉ）を供給し得る８１供給用の原料ガスと、窒
素原子（Ｎ）導入用の原料ガスと、必要に応じて水素原
子（Ｈ）導入用の又は／及び／％ロゲン原子（Ｘ）導入
用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入し
て、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置
に設置されである所定の支持体表面上にａ−８ｉＮ（Ｈ
，Ｘ）からなる補助層を形成させれば良い。

又、スパッタリング法で補助層を形成する場合には、例
えば次の様にされる。

第一には、例えばＡｒ、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ
等のガス全ベースとした混合ガスの雰囲気中で８ｉ　　
で構成されたターゲットをスパッタリングする際、窒素
原子（Ｎ）導入用の原料ガスを、必要にに６じて水素原
子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスと共にスパッタリングを行う真空堆積室内に
導入してやれば良い。

第二には、スパッタリング用のターゲットとしてＳｉ、
Ｎ、で構成されたターゲットか、或いは３ｉで構成され
たターゲットと８ｉ、Ｎ、で構成されたターゲットの二
枚か、又は８ｉと８ｉ、Ｎ、とで構成されたターゲット
を使用することで形成される補助層中へ窒素原子（Ｎ）
を導入することが出来る。こｏｉ９ｔ、、前記Ｏ窒素原
子（Ｎ）導入用の原料ガスを併せて使用すればその流量
を１ＩＩｌ榊することで補助層中に導入される。窒素原
子（Ｎ）　Ｏ量を任意に制御することが容易である。

補助；−中への導入される窒素原子（Ｎ）の含有量は、
窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスが堆積室中へ導入され
る際の流量を制御するか、又は窒素原子（Ｎ）導入用の
ターゲット中に含有される窒素原子（Ｎ）の割合を、該
ターゲットを作成する際ｔｌｃｔ４ｍするか、或いは、
この両者を行うことによって、所望に従って任意に制御
することが出来る。

本発明において使用される８１供給用の原料ガスとなる
出発物質として拡、８　ｉ　Ｈｌ、　８１　＊Ｌ　−８
ｉ、Ｈ，、８１，Ｈ，、等のガス状態の又はガス化し得
る水素化硅素（シラン＠）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ、８ｉ供給効
率の良さ等の点で８ｉＨ，、８ｉ、Ｈ。

が好ましいものとして挙げられる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択することによって形成される補助層中にＳｉと共にＨ
も導入ル得る。

Ｓ１供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化硅素の他に、ノ１０ゲン原子（Ｘ）を含む
硅素化音物、所顛、・Ｉ−ログン原子で置換されたシラ
ン誘導体、具体的には例えば８ｉＦ４．８ｉ、Ｆ、、　
８ｉ（Ｊ、、　８ｉＢｒ、等の八に２ゲン化硅素が好ま
しいものとして挙けることが出来、更ニハ、８ｉＨ，Ｆ
、、　ＳＩＨ，Ｉ、、　８ｉＨ，Ｃ４！、、　８１ＨＣ
ｊ！、。

８ｉＨ，Ｂｒ、、　８ｉＨＢｒ、等のハロゲン置換水素
化硅素、等々のガス状態の或いはガス化し得る、水素原
子を構成要素の！つとするハロゲン化物も有効な補助層
形成の為のＳ！供給用の出発物質として挙げる事が出来
る。

これ等のハロゲン原子（Ｘ）を含む硅素化合物を使用す
る場合にも前述した様に、層形成条件の適切な選択によ
って形成される補助層中にＳｉと共にＸを導入すること
が出来る上記した出発物質の中の水素原子を含むＩ・ロ
ゲン化硅素化合物は、補助層形成の際に層中に／Ｓロゲ
ン原子（Ｘ）の導入と同時Ｋｌ気的或いは光電的特性の
制御に極めて有効な水素原子（Ｈ）も導入されるので、
本発明においては好適なノ・ロゲン原子（Ｘ）導入用Ｏ
出発物質として使用される。

本発明において補助ノーを形成する際に使用されるハロ
ゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な出発物質
としては、上記したものの他に、例えば、フッ素、塩素
、臭素、ヨウ素の７・ロゲンガス、　ＢｒＦ、　Ｃｊ！
Ｆ、　Ｃ４！Ｆ、、　ＢｒＦ、、　ＢｒＦ、、　ＩＰ、
。

ＩＰ、、ＩＣ羞、　ＩＢｒ等ｏハａゲン間化合物、ＨＦ
。

Ｈ（Ｊ、　ＨＢｒ、　ＨＩ等のハロゲン化水素を挙げる
ことが出来る。

補助層を形成する際に使用される窒素原子（Ｎ）導入用
の原料ガスに成り得るものとして有効に使用される出発
物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨとを構成原子
とする例えば窒素（Ｎ、）。

アンモニア（ＮＨ８）　、　ヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ，
）　、　アジ化水素（ＨＮ＊）、アジ化アンモニウム（
ＮＨ，Ｎ、）等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化
物及びアジ化吻等の窒素化合物を挙げることが出来る。

、この他に％窒素原子（Ｎ）の導入に加え、て、ハロゲ
ン原子（蜀の導入も行えると（へり点から、三弗化窒素
（Ｆ、Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ、Ｎ、）等のＩ・ロゲン化
窒素化合物を挙げることが出来る。

本発明に於いて、補助層をグロー放を法又はスパッター
リング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては、
所謂、希ガス、例えばＨｅ。

Ｎｅ、　Ａｒ等が好適なものとして挙けることが出来る
。

本発明の補助層を構成するａ″−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）なる
非晶質材料は、補助層の機能が、支持体と電荷注入防止
層との間の密着を強固にし加えてそれ等の関に於ける電
気的接触性を均一にするものであるから、補助層に要求
される特性が所望通りに与えられる様にその作成条件の
選択が厳密に成されて、注意深く作成される。

本発明の目的に適した特性を有するａ−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ
）から成る補助層が形成される為の層作成条件の中の重
要な要素として、層作成時の支持体温度を挙げる事が出
来る。即ち、支持体の嵌置にａ−８！Ｎ（Ｈ，Ｘ）から
成る補助層を形成する際９層形成中の支持体温度は、形
成される層の構造及び特性を左右する重要な因子であっ
て、本発明に於いては、目的とする特性を有する暑−８
ｉＮ（）ｌ、Ｘ）が所竣通りに作成され得る様に層作成
時の支持体温度が厳密に制御される。本発明に於ける目
的が効果的に達成される為の補助層を形成する際の支持
体温度としては補助層の形成法に併せて適宜最適範囲が
選択されて、補ダ０ 助層の形成が実行されるが、通常の場合、…３左Ｏ１０
０ ℃〜…℃、好適Ｋｔｉ…℃〜２５０℃とされるのが望ま
しいものである。補助層の形成には、同一系内で補助層
から電荷注入防止層、非晶質層、更には必４１に応じて
非晶質層上に形成される他の層まで連続的に形成する事
が出来る、各層を構成する原子の組成比の微妙な制御中
層厚の制御が他の方法に比べて比較的容易である事等０
為に、グロー放電法やスノくツタ−１ノング法の採用が
有利であるが、これ等の層形成法で補助層を形成、する
場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電
パワー、ガス圧７５五、作成される補助層の特性を左右
する重要な因子として挙げることが出来る０本発明に於
ける目的が達成される為の特性を有する補助層力五生産
性よく効果的に作成される為の放電ノ（ワーや件として
は、通常１〜３００Ｗ好適には２〜１５０Ｗである。又
、堆積室内のガス圧は通常３Ｘ１０−”〜５Ｔｅｒｒ、
好適には８Ｘ１０　”　〜０−５ＴＯｒｒ程１［トサｔ
ＬるＯが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける補助層に含有される窒素原
子の量及び必要に応じて含有される水素原子、ハロゲン
原子の量は、補助層の作製条件と同様、本発明の目的を
達成する所望の特性が得られる補助層が形成される重要
な因子である。

補助層中に含有される窒素原子（Ｎ）の量、水素原子（
Ｈ）の量、ハロゲン原子の量の夫ｋｌ−１、本発明の目
的が効果的に達成される様に上記の層作成条件を考慮し
乍ら所望に従って任意に決定される。

Ｏ，タ　０．　ｔ　７ より好適には軸〜４１＝Ｓｋとされるのが望ましい。

％、水素原子の含有量としては、好ましくは２〜３５ａ
ｔｏｍ１ｃ％、より好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％と
しては通常０．６．５〜０．９８．　　好適ＫＰ、０．
７〜０．９５とされ、１−（８ｉｄＮ、−ｄ）ｅ（Ｈ，
Ｘ）、　、で構成する場合には窒素原子の含有量は、好
ましくはｔ３０　　　　　　　　　　　　　　４゜捧神
邑〜６０　ａ　ｔ　ｏｍｉ　ｃ％、より好適にはＳ〜６
０ａｔｏｍｉｃ％、ハロゲン原子の含有量、又は、ハロ
ゲン原子と水素原子とを併せた含有量は、好ましくは１
〜２０ａｔｏｍｉｃ％、より好適に社２〜１５ａｉｏｍ
ｉｃ％とされ、この場合の水素原子の含有量は好ましく
は１９ａｔｏｍｉｃ％以下、よシ好適には１３ａｔｏｍ
ｉｃう以下されるのが望ましい。

ｄ、　ｅの表示で示せば、ｄとしては、好ましくは０．
４３〜転ｉ騙り、より好ましくは０．４３〜童Ｃとして
は、好ましくは０．８〜０．９９．　より好ましくは、
０．８５〜０．９８とされるのが望ましい。

本発明に於ける光導電部材を構成する補助層の層厚とし
ては、該補助層上に設けられる電荷注入防止層の層厚及
び電荷注入防止層の特性に応じて、所望に従って適宜決
定される。

本発明に於いて、補助層の層厚としては、通常ハ、３０
Ｘ　〜２＃、［Ｌ＜は、４ｏｚ　〜１．５ｊｌ。

最適には５０Ｘ〜１．５μとされるのが望ましい。

本発明の光導電部材を構成する電荷注入防止層線、シリ
コン原子（ｓｉ）を母体とし、周期律表第厘族に属する
原子（第厘族原子）と、好ましくは、水素原子（Ｈ）又
はハロゲン原子（Ｘ）、或いはこの両者とを構成原子と
する非晶質材料（以後「ａ−８ｉ（１，Ｈ，Ｘ）Ｊと紀
す）で構成され、その層厚１及び層中の第■族原子の含
有量Ｃ（１）は、本発明の目的が効果的に達成される様
に所望に従って適宜決められる。

本発明に於叶る電荷注入防止層の層厚ｔとしては、好ま
しくは０．３〜５μ、よ抄好ましくは０．５〜２ｓとさ
れるのが望ましく、又、第璽族原子の含有量Ｃ（璽）と
しては、好ましくはｌＸｌ０”〜Ｉ　Ｘ　１０”　ａｔ
ｏｍｉｅ　りＰａ　、Ｉ　Ｄ　好ｔ　Ｌ　＜　ハｓｘ　
１０”〜ｌＸ１Ｇ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが
望ましい。

本発明において、電荷注入防止層中に含有される周期律
表第厘族に属する原子として使用されるのは、Ｂ（硼素
）、Ａｎ（アルミニウム）。

Ｇａ　（ガリウＡ）、Ｉｎ　（インジウＡ）、ＴＩＥ（
タリウム）等であり、殊に好適に用いられるのはＢ、　
Ｇａである。

本発明において、必要に応じて電荷注入防止層中に含有
されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素
、塩素、臭素、Ｎつ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を
好適なものとして挙げることが出来る。

ａ−８１（１，Ｈ，Ｘ　）で構成される電荷注入防止層
の層形成法としてはグロー放電法、スパッターリング法
、イオンインブランチ−シコン法。

イオンブレーティング法、エレクトロンビーム法等が挙
げられる。これ等の製造法は、製造粂件、設備資本投下
の負荷程度、製造規模１作製される光導電部材に所望さ
れる特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが
、所望する特性を有する光導電部材を製造する為の作ｇ
＋件の制御が比較的容易である、シリコン原子と共に第
厘族原子、必要に応じて水素原子（Ｈ）やハロゲン原子
（Ｘ）を作製する電荷注入防止層中に導入するのが容易
に行える等の利点からグロー放電法或いはスパッターリ
ング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して電荷注入防止層を形
成し、ても良い。

例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉ（１゜Ｈ，Ｘ
）で構成される電荷注入防止層を形成するには、基本的
にはシリコン原子（Ｓりを供給し得る８ｉ供給用の原料
ガスと共に、第璽族原子を供給し得る第鳳族原子導入用
の原料ガス、必要に応じて水素原子（）（）導入用の又
は／及び／１０ゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内
部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグ
ロー放電を生起させ、予め所定位置に設置され、既に補
助層の設けである所定の支持体の補助層上にａ−８１（
１，Ｈ，Ｘ　）からなる層を形成させれば良い。又、ス
パッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ
　等の不活性ガス又はこれ等のガスをペースとした混合
ガスの雰囲気中で８１で構成されたターゲットをス／（
ツタリングする際、第■族原子導入用の原料ガスを。

必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びＩ・ロゲン原子
（Ｘ）導入用のガスと共にスパッタリング用の堆積室に
導入してやれば良い。

本発明において電荷注入防止層を形成するのに使用され
る原料ガスとなる出発物質としては、次のものが有効な
ものとして挙げることが出来る。

先ず、Ｓ！供給用の原料ガスとなる出発物質としては、
８ｉＨ，、８ｉ、Ｈ，、８！、Ｈ，、８ｉ、Ｈ，、等の
ガス状態の又はガス化し得る水素イヒ硅素（シラン類）
が有効に使用されるものとして挙けられ、殊に、層作成
作業の扱い易さ、８１供給効率の良さ等の点で８ｉＨ，
、８ｉ、Ｈ，が好ましいものとして挙げられる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択することＫよって形成される補助層中に８１　と共Ｋ
Ｈも導入し得る。

８１　供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては
、上記の水素化硅素の他に、ノ・ロゲン原子（Ｘ）を含
む硅素化合物、所謂、／％ｇｉゲン原子で置換されたシ
ラン誘導体、具体的には例えば８ｉＦ、、　８ｉ、Ｆ、
、　５ｉＣｊ！、、　８ｉＢｒ、等０７％＊ゲン化硅素
が好ましいものとして挙げることが出来る。

更に社、８１Ｈ，Ｆ、、　ＳｉＨ，Ｉ、、　ＳｉＨ，Ｃ
ｊｌ、、　８ｉＨＣｊ！、。

ＳｉＨ，Ｂｒ□８ｉＨＢｒ、等のノーロゲン置換水素イ
ヒ硅素、等々のガス状態の或いはガスイヒし得る、水素
原子を構成要素の１つとする）ｓ４ゲン化物も有効な電
荷注入防止層形成の為の８ｉ供給用の出発物質として挙
げる事が出来る。

これ等のノ・ロゲン原子（Ｘ）を含む硅素化合物を使用
する場合にも前述した様に、層形成条件　　　　“の適
切な選択によって形成される電荷注入防止層中に８１　
　と共に（Ｘ）を導入することが出来る。

上記した出発物質の中水素原子を含むＩ・ロゲン化硅素
化合物は、補助層形成の際に層中に／１０ゲン原子（Ｘ
）の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極め
て有効な水素原子（）ｌ）も導入されるので、本発明に
おいては好適なノ・ロゲン原子（Ｘ）導入用の出発物質
として使用される。

本発明において補助層を形成する際に使用されるハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な出発物質と
しては、上記したもののＩＬｌ！に、例えばフッ素、塩
素、臭素、目つ素のＩ・ロゲンガス、ＢｒＦ、　Ｃｊｌ
Ｆ、　ＣＩＬＦ、、　ＢｒＦ、、　ＢｒＦ、、　ＩＰ、
。

ＩＰ、、　ＩＣｊ！、　ＩＢｒ等の２、。ゲン間化合物
、１１Ｆ。

）ＩＣｊ！、　ＨＢｒ、　ＨＩ等のＩ・ロゲンイヒ水素
を挙げるととが出来る。

電荷注入防止層中に第１族原子を＃造的に導入するには
、層形成の際に第璽族ｔｙ子導入用の出発物質をガス状
態で堆積室中に、電荷注入防止層を形成する為の他の出
発物質と共に導入してやれば良い。この様な第鳳族原子
導入用の出発物質と成シ得るものとしては、常温常圧で
ガス状の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化
し得るものが採用されるのが望ましい。

その様な第１ｊｉｉ原子導入用の出発物質として具体的
には硼素原子導入用としては、ＢＪＩηＢ、Ｈ，、。

Ｂ、Ｈ，、Ｂ、Ｈ，、、Ｂ、Ｈ，、、Ｂ、Ｈ，、、Ｂ、
Ｈ，、等の水素化硼素、ＢＰ、、　Ｂ（Ｊ、、　ＢＢｒ
、等のハロゲン化合物等が挙げられる。この他、ｋｌｃ
ｌ、、、　ＧａＣｊｌ、、　Ｇａ（ＣＨ，）、。

Ｉ　ｍ　ＣＪ！　＊　、　Ｔ　Ｉｌｈ　Ｃれ等も挙げる
ことが出来る。

電光Ｆ！ＡＫ於いては電荷注入防止特性を与える為に電
荷注入防止層中に含有される第■族原子は、電荷注入防
止層の層厚方向に実質的に平行な面（支持体の表面に平
行な面）内及び層厚方向に於いては、実質的に均一に分
布されるのが良いものである。

又、スパッタリング法で電荷注入防止層を形成する場合
には、例えばＡｒ、　Ｈｅ等の不活性ガス囲気中でＳｉ
　　で構成されたターゲットをスパッタリングする際、
第夏族原子導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子
（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスと共にスパッタリングを行う真空堆積室内に導
入してやれば良い。

本発明に於いて、電荷注入防止層中に導入される第１族
原子の含有量はく堆積室中に流入される第厘族原子導入
用Ｏ出発物質のガスｆＬ址、ガス流量比、放電パワー、
支持体温度、　、’Ｉ１．積室内の圧力等を制御するこ
とによって任意に制御され得る。

本発明に於いて、電荷注入防止層をグロー放電法又はス
パッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂、希ガス、例えばＨｅ、　Ｎｏ、　Ａｒ等
が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成される非
晶質層（Ｉ）を形成するには例えばグロー放電法、スパ
ッタリング法、或いはイオンプレーティフグ法等の放電
現象を利用する真空堆積法によって成される。例えば、
グロー放電法によって、ａ−８４（Ｈ，Ｘ）で構成され
る非晶質層（Ｉ）を形成するには、基本的にはシリコン
原子（Ｓｌ）を供給し得るＳム供給用の原料ガスと共に
、水素原子（Ｈ）導入用の父は／及びハロゲン原子（Ｘ
）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に
導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所
定位置に設置されである所定の支持体表面上にａ−８１
（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば良い。又、スパン
、クリング法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等
の不活性ガス又はこれ笠のガスをベースとした混合ガス
の雰囲気中で８ｉ　で構成されたターゲットをスノ（ツ
タリングする膣、水素原子（Ｈ）又は／及びノ〜ロゲ／
ｒＪ、子（Ｘ）導入用のガスをスノ（ツタリング用の堆
積室に導入してやれば良い。

本発明において、心安に応じて非晶質層（Ｉ）中に含有
されるＩ・ロゲ／原子（Ｘ）としては、電荷注入防止層
の場合に挙げたのと同様のものを挙げることが出来る。

本発明において非晶質層（Ｉ）を形成する際に使用され
る８直供給用の原料ガスとして呟、電荷注入防止層に就
て説明する際に挙げたＳｉＨ，。

ｓｔ、Ｈ，、ｓれＨ，、８４，Ｈ，、等のガス状態の又
はガス化し得る水素化硼素（シラン類）が有効に使用さ
れるものとして挙げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ
、ｓ＆供給効率の良さ等の点でｓｔ桟。

ｓｔ、ｎ、が好ましいものとして挙げられる。

本発明において非晶質層（Ｉ）を形成する場合に使用さ
れるハロゲン原子導入用の原料ガスとして有効なのは、
電荷注入防止層の場合と同様に多くの７”１．Ｃｔゲン
化合物が挙げられ、例えば！・ログ／ガス、ハロゲン化
物、／Ｔゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘
導体等のガス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が
好ましく挙げられる。

又、更には、シリコン原子（Ｓｌ）と・・ロゲン原子（
Ｘ）とを構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、
ハロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして電光
ＢＡにおいては挙げることが出来る。

本発明において、形成される光導電部材の電荷注入防止
層、非晶質層（Ｉ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量
又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和−Ｈ−１−Ｘ　）は通常の場合１〜４０ａｔ
Ｏｍ１ｃ％、好適には５〜３０ａｔＯｍ！ｃ弊とされる
のが望ましい。

電荷注入防止層又は非晶質層（Ｉ）中に含有される水素
原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御す
るには、例えば支持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、
或いはノ・ロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用され
る出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放電々力等を
制御してやれば良い。

本発明において、非晶質層（Ｉ）をグロー放電法で形成
する際に使用される稀釈ガス、或いはスパッタリング法
で形成される際に使用されるスパッタリング用のガスと
しては、所謂稀ガス、例えばＨｅ、　Ｎｅ、　Ａｒ　　
等が好適なものとして挙げることが田来る。

本発明に於いて、非晶質層（Ｉ）の層厚としては、作成
される光導電部材に要求される特性に応じて適宜法めら
れるものであるが、過ぎは、１〜１００μ、好ましくは
１〜８０／１、最適には２〜５０μとされるのが望まし
いものである、第１図に示される光導電部材１００に於
いて１叶、第一の非晶質層（Ｉ）　１０４上に形成され
る第二の非晶質層（１）　１０５は、自由表面１０６を
有し、ｔに耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧性、使用
環境特性、耐久性に於いて本発明の目的を達成する為に
設けられる。

又、本発明に於いては、第一の非晶前層（Ｉ）と第二の
非晶質層（夏）とを形成する非晶質材間の各々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので、積層界
面に於いて化学的な安定性の確保が充分成されている。

第二の非晶質層（厘）は、シリコン原子と炭素原子とで
構成される非晶質材料（ａ−８１ｘＣ，、。

但し０．４＜Ｘ＜１）で形成される。

ａ−８ｉｘＣ，−ｘで構成される第二の非晶質層（傷）
の形成はスパッターリング法、イオンイングランチージ
ョン法、イオングレーティング法、エレクトロンビーム
法等によって成される。これ等の製造法は、製造条件、
設ｆＭ資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導
電部材に所望される特性時の要因によって適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部材を製
造する為の作製条件の制御が比較的容易である、シリコ
ン原子と共に炭素原子を作製する非晶質層（璽）中に導
入するのが容易に行える等の利点からスパッターリング
法或いはエレクト冒ンビーム法、イオングレーティング
法が好適に採用される。

スパッターリング法によって第二の非晶質層（璽）を形
成するには、早結晶又は多結晶ｏｗｌウェーハーとＣウ
エーノ・−１又は８１とＣカニ混合されて含有されてい
るウエーノ・−ヲターゲットとして、これ等を種々のガ
ス雰囲気中でスパッターリングすることによって行えば
良い。

例えば、Ｓ量つェーハー及びＣウェーハーヲターゲット
として使用する場合には、Ｈｅ、　Ｎｅ。

Ａｒ　９９のスパッターリング用のガスヲ、スパッター
用の堆積室中に導入してガスプラズマを形成し、前記Ｓ
ｉウェーハー及びＣウェーハーをスパッターリングすれ
ば良い。

又、別には、ＳｉとＣの混曾した一枚のターゲットを使
用することによって、スパッターリング用のガスを装置
系内に導入し、そのガス雰囲気中でスパッターリングす
ることによって成される。エレクトロンビーム法を用い
る場合には２個の蒸着ボート内に各々、単結晶又は多結
晶の高純度シリコン及び＾純度グラフアイ）ｋ入れ、各
々独立にエレクトシンビームによって同時蒸着するか、
又は同一蒸着ポート内に所望の混合比にして入れたシリ
コン及びグラフアイ）　を単一（Ｄエレクトロンビーム
によって蒸着すればよい。第二の非晶質層（１）中に含
有されるシリコン原子と炭素原子の含有比は前者の場合
、エレクトロンビームの加速電圧をシリコンとグラファ
イトに対して変化させるととくよって制御し、後者の場
合は、あらかじめシリコンとグラファイトの混合量を定
めることによって制御する。イオングレーティング法を
用いる場合は蒸着槽内に種々のガスを導入しあらかじめ
檜の周囲にまいたコイルに高周波電界を印加してグ四−
をおこし九状履でエレクト四ンビーム法を利用して８１
及びＣを蒸着すればよい。

本発明に於ける第二の非晶質層（１）は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成される
。

即ち、８札Ｃ，を構成原子とする物質は、その作成条件
によって構造的には結晶からアモルファスまでの形態を
取り、電気物性的には導電性から牛導体性、ａ繊性まで
の間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性質まで
の閏の□性質を、各々示すので、本発明に於いて紘、目
的に応じた所望の特性を有するａ−８輸Ｃ，−Ｘが形成
される様に、所望に従ってその作成条件の選択例えば、
第二の非晶質層（１）を耐圧性の向上を主な目的として
設けるにはａ−８１１Ｃ，、は使用環境に於いて電気絶
縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の非晶質層（璽）が設けられる場合には
、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射さ
れる光に対しである程度の感度を有する非晶質材料とし
てａ−８ｉｘＣ，−８が作成される。

第一の非晶質層（Ｉ）の表面にａ−８ｉｘＣ，−８から
成る第二の非晶質層（１）を形成する際、層形成中の支
持体温度は、形成される層の構造及び特性を左右する重
要な因子であって、本発明に於いては、目的とする特性
を有するａ−８ｉｘＣ，−ｘが所望通りに作成され得る
様に層作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望ま
しい。

本発明に於ける目的が効果的に達成される為の゛第二の
非晶質層（朧）を形成する際の支持体温度としては、第
二の非晶質層（１）の形成法に併せて適宜ｉ＆適範囲が
選択されて、第二の非晶質層（１）の形成が行われるが
、好適には２０〜３ｏ。

℃、最適に社２ｏ〜２５０　”Ｏとされるのが望ましい
ものである。

第二の非晶質層（箇）の形成には、層を構成す為原子の
組成比の微妙な制御中層厚の制御が他の方法に較べて比
較的容品である事等の為に１スパツターリング法やエレ
クトロにビー五法の採用が有利であるが、これ等の層形
成法で第二〇非晶質層（璽）を形成する場合には、１記
の支持体温度と同様に層形成の際の放電パワーが作成さ
れるｓ　　８１ｘＣ１−ｘ　の特性を左右する重要な因
子の１つとして挙がる仁とが出来る。

本発明に於ける目的が達成される為の特性を有するａ　
−８ｉ　ＩＣＩ　−ｚが生意性良く効果的に作成される
為の放電パワー条件としては、好適にはｓｏｗ〜２５０
Ｗ、最適にはｓｏｗ　〜ｉｓｏｗとされるのが望ましい
。

本発明に於いては、第二の非晶質層（璽）を作成する為
の支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前
記した範囲の値が挙げられるが、これ等Ｏ層作成ファク
ターは、独立的に別々に決められるものではなく、所望
特性のａ−８ｉ　ｘｃｌ　−、ｌｌから成る第二の非晶
質層（厘）が形成される様に相互的有機的関連性に基い
て各作成７アクターの最適値が決められるのが望ましい
０ 本発明Ｏ光導電部材に於ける第二の非晶質層（１）　Ｋ
含有される炭素原子の量線、第二の非晶質層（１）　０
作製条件と同様本発明の目的を達成する所望１１Ｄ４１
性が得られる層が形成される重畳な因子である。

電光ｌ！ｊｌに於炒る第二の非晶質層（１）に含有され
る炭素原子の貴社、通常として社、ｌＸｌ０″ａｔｏｍ
ｉｃＸ以上で６０ａｔｏｍｉｃ％未満、好適には１〜Ｓ
　Ｏａｔｏｍｌ＃ｃ％　、最適には１０〜５０　ａｔｏ
ｍｉｃ％とされるＯが望ましいものであるｏ＠ち、先の
ａ−８ｉ　ｘＣｌ−ｚのＸの表示で行えば、買が通常０
，４を越えて０．９９’３９９以下、好適には０．５〜
０．９９．最適にはＯ，Ｓ〜０．９である。

本発明に於ける第二の非晶質層（菖）の層厚の数値範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に
応じて適宜所望に従って決められる。

又、第二の・非晶質層（１）の層厚は、該層（璽）中に
含有される炭素原子の量や第一の非晶質層（１）の層厚
とｏｍ係に於いても、各々の層領域に！！求される特性
に応じた有機的な関連性の下に所望に従って適宜決定さ
れる必要がある。

更に加え得るに、生産性や素意性を加味した経済性の点
く於いても考慮されるのが望ましい０本発明に於ける第
二の非晶質ＩＩ　（璽）の層厚としてａ、通常０．００
３〜３０　ｓ、好適には０．００４〜２０　Ａ　ｓ最適
には０．００５〜ｌＯμとされるのが’！ましい４０で
ある。

本発明において使用される支持体としては、導電性で４
電気絶縁性であって亀良い。導電性支持体としては、例
えｄｓ　Ｎ１Ｃｒｔステンレス。

Ａｊ　、Ｃｒ　、Ｍｏ　、Ａｕ　、Ｎｂ　、Ｔａ　、Ｖ
、Ｔｉ、Ｐｔ。

Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。とれ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

Ａｊ　、Ｃｒ　、Ｍｏ　、Ａｕ　、　Ｉｒ　、Ｎｂ　、
Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ。

Ｐｉ　、　Ｐｄ　、　Ｉｎ＠Ｏ，、８ｎＯ＠、　ＩＴＯ
（Ｉｎ、０．＋　８ｎＯ，）　岬から成る薄膜を設ける
ことによって導電性が付与され、或いはポリエステルフ
ィルム等の合成樹脂フィルムであれば％　Ｎ５Ｃｒ　＄
　ｋｌ　ｇ　Ａｇ　ｔ　Ｐｂ。

Ｚｎ　、Ｎｉ　、Ａｕ　、Ｃｒ　、Ｍｏ　、　Ｉｒ　、
Ｎｂ　、Ｔａ、Ｖ。

Ｔｉ　、　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム
蒸着、スパッタリング等でその１％面に設け、又は前記
金属でその表面をラミネート処理して、その表面に導電
性が付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベル
ト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、その形
状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１００
を電子写真用像形成部材として使用するのであれば連続
高速複写の場合Ｋ　ａ　ｓ無端ベルト状又は円筒状とす
るのが望ましい。支持体の厚さは、所望通）の光導電部
材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材とし
て可撓性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。

百年ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機
械的強度等の点から、通常は、１０Ｉμ以上とされる。

第２図には１本発明の光導電部材の他の好適な実施態様
例の層構成が示される。

第２図に示される光導電部材２００が、第１図に示され
る光導電部材１０Ｇと異なるところは、電荷注入防止層
２（’３と光導電性を示す非晶質層２０５と０間に上部
補助層２０４を有するととであるＯ 即ち、光導電部材２００は、支持体２０１．該支持体２
０１上に順に積層されえ、下部補助層２０２゜電荷注入
防止層２０３．上部槽＠：）＠２０４及び第一の非晶質
層（１）　２０５及び第二の非晶質層（璽）とを具備し
、非晶質層（璽）　２ｏ６は自由表面２０７を有する。

上部補助層２０４は、電荷注入防止層２０３と非晶質層
（１）２０５との間の密着を強固にし１両層の接触界面
に於ける電気的接触を均一にしていると同時に、電荷注
入防止層２０３０上に直に設けることによって、電荷注
入防止層２０３０層質を強靭なものとしている。

第２図に示される光導電部材２００を構成する下部補助
層２０２及び上部補助層２０４　ａ　ｓ第１図に示した
光導電部材１００を構成する補助層１０２の場合と同様
の非晶質材料を使用して、同様の特性が与えられる様に
同様な層作成手順と条件によって形成される。

電荷注入防止層２０３及び非晶質層（１）　２０５　＊
非晶質層（１）　２０６も夫々、第１図に示す電荷注入
防止層１０３及び非晶質層（１）　１０４　、非晶質層
（１）　１０５と同様の特性及び機能を有し、第１図の
場合と同様な層作成手順と条件によって形成される。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例を図に従って
説明する。

第３図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の３０２〜３０６のガスボンベには、本発明の夫々
の層を形成する丸めに使用されるガスが密封されておシ
、その−例として、たとえば、３０２はＨｅで稀釈され
た８ｉＨ，ガス（純度９９．９９９％。

以下ＳゑＨ４／Ｈｅと略す。）ボンベ、３０３はＨｅで
稀釈され九Ｂ、Ｈ−ガス（純度９９．９９９％、以下Ｒ
，Ｈ。

／Ｈｅと略す。）、３０４はＮ、ガス（純度９９．９９
％）か又はＮＨａガス（純度９９．９９Ｘ）のボンベ、
３０５はＡｒガスボンベ、３０６杜、Ｈｅで稀釈された
８ｉＦ４ガス（純度９９．９９９Ｘ　　＊以下ＳｉＦ４
／Ｈｅｑと略す）ボンベである。

とれらのガスを反応室３０１に流入させるにはガスボン
ベ３０２〜３０６０バルブ３２２〜３２６、リークパル
プ３３５が閉じられていることを確認し、又、流入パル
プ３１２〜３１６、流出パルプ３１７〜３２１、補助パ
ルプ３３２が開かれているととを確認して先ずメインパ
ルプ３３４を開いて反応室３０１゜及びガス配管内を排
気する０ 次に真空計３３６の読みが約５Ｘ１０　　ｔｏｒｒＫな
った時点で、補助パルプ３３２、流入バλプ３１２〜３
１６．流出パルプ３１７〜３２１を閉じる。

その後、反応室３０１内に導入すべきガスのボンベに接
続されているガス配管のパルプを所定通り操作して、所
望するガスを反応室３０１内に導入する。

次に第１図に示す構成と同様の構成の光導電部材を作成
する場合の一例の概略を述べる。

所定の支持体３３７上に、先ず補助層をスパッタリング
法によって形成するには、先ず、シャッター３４２を開
く。すべてのガス供給パルプは、−１閉じられ、反応室
３０１はメインパルプ３３４を全開することにより、排
気されるＱ高圧電力が印加される電極３４１上に高純度
シリプンウエハ３４２−１　、及び高純度窒化シリコン
原子ノ・３４２−２が所望のスパッター面積比率でター
ゲットとして設置されている０ ガスボンベ３０５よりＡ「ガスを、必要に応じてガスボ
ンベ３０４よシ馬ガスを、夫々、所定のノ（ルプを操作
して反応室３．０１内に導入し、反応室３０１の内圧が
０．０５〜Ｉ　Ｔｏｒｒとなるよう、メインパルプ３３
４の開口を調整する。高圧電源３４０をＯＮとし、シリ
コンウェーハ３４２−１と窒化シリコンウェハ３４２−
２とを同時にスパッタリングすることによシ、シリコン
原子、嗜素原子よシなる非晶質材料で構成された補助層
を支持体３３７上に形成することが出来る０ 補助層中に含有される窒素原子の量は、シリコンウニハ
ト窒化シリコンウニノーのスパッター面積比率や、Ｎ、
ガス又はＮＨ，ガスを導入する際には、Ｎ２ガス又はＮ
Ｈｓガスの流量を調整することで所望に従って制御する
ことが出来る。又。

ターゲットの作成の際にシリコン粉末と８ｉｓＮ＊粉末
の混合比を変えることでも行うことが出来るＯ この際Ｋｌｌ形成中は、支持体３３７は、加熱ヒータ３
３８によって所望の温度に加熱される。

次に、前記の補助層上に電荷注入防止層を形成する補助
層の形成終了後、電源３４０をＯＦＦにして放電を中止
し、一旦、装置のガス導入用の配管の全系のパルプを閉
じ、反応室３０１内に残在するガスを反応室３０１外に
排出して所定の真空ＷｌＫする。

その後、シャッター３４２を閉じ、ガスボンベ３０２よ
ｌ）　８ｉＨ４／Ｈｅガスを、ガスボンベ３０３よシＢ
冨島／　Ｈｅガスを、夫々パルプ３２２　、３２３を夫
々−いて、出口圧ゲージ３２７　、３２８の圧を１１／
−！に調整し、流入パルプ３１２　、３１３を徐々Ｋ１
１ｌゆて、マスフ四コン）ｐ−ラ３０７　、３０Ｂ内に
夫々流入させる。引き続いて流出パルプ３１７　、３１
８、補助パルプ３３２を徐々に開いて夫々のガスを反応
室３０１内に流入させる。このときＯ８ｉＨ，／　Ｈｅ
ガメ流量、　ＢｔＨ＠／Ｈｅガス流量の夫々の比が所望
の値になるよう流出パルプ３１７　、３１８を調整し、
また、反応室３０１内の圧力が所望の値になるように真
空計３３６０読みを見ながらメイン／（ルブ３３４の開
口を調整する。

そして支持体３３７の温度が加熱ヒーター３３８により
５０〜４００℃の範囲の温度に設定されてて所望Ｏ電力
に設定し、反応室３０１内にグロー放電を生起させて支
持体３３７上に電荷注入防止層を形成する。

電荷注入防止層に設けられる。光導電性を示す非晶質層
（りの形成は１例えｄボンベ３０２内に充填されている
８ｉＨ，／Ｈｅガスを使用し、１記した電荷注入防止層
Ｏ場合と同様の手順によって行うことが出来る。

非晶質層（１）の形成の際に使用される原料ガス種とし
ては、　８ｉＨ４ガスの他に１殊に８ｉ、Ｈ，ガスが層
形成速度の向上を計る為に有効である。

第一〇非晶質層Ｏ）中にハロゲン原子を含有　。

させる場合には上記のガスに、例えば８　ｉＦ４／Ｈｅ
を、更に付加して反応室３０１内に送り込む。

第一の非晶質Ｆｌ　（１）上に第二の非晶質層（１）を
形成するには、例えば、次の様に行う。まずシャッター
３４２を開く。すべてのガス供給パルプは一旦閉じられ
、反応室３０１は、メインパルプ３３４を全開するとと
により、排気される。

高圧電力が印加される電極３４】上には、予め高純度シ
リコンクエバ３４２−１　、及び高純度グファイトクエ
ハ３４２−２が所望の面積比率で設置され九ターゲット
を設けておく。ガスボンベ３０５よｊ、Ａｒガスを、反
応室３０１内に導入し。

反応室３０１の内圧が０．０５〜ｌ　ｔｏｒｒとなるよ
うメインパルプ３３４を調節する。高圧電５に３４Ｇを
ＯＮとし前記のターゲットをスノくツ′タリングするこ
とにより、第一の非晶質層（１）上に第二の非晶質層（
璽）を形成することが出来る。

第二の非１品質層（璽）中に含有される炭素原子の量ハ
、シリコン粉末ノ１とグラファイトウニ／Ｓのスパッタ
ー面積比率や、ターゲットを作成する際のシリコン粉末
とグラファイト粉末の混合比を所望に従って調整するこ
とによって所望に応じて制御することが出来るＯ２ 実施例１ 第３図に示した製造装置により、アルミニウム基板上に
、以下の条件で層形成を行った。

第　　１　　表 Ａｒ基板ａｌＥ：２５６℃ 放電周波数：１３６１！組り 反応室内圧：補助層　α２　ｔｏｃｒ 非晶質層（璽）　　ＯＪｌｏｒｒ ζうして得られた像形成部材を憚電露光現像装置に設置
し、ｅ５ｋＶで０．２１１Ｅ間コロナ帯電を行い直ちに
光像を照射した。光源はタングステンランプを用い、１
．０　ｌｕｘ　＊ｖｔの光量を、透過型のテストチャー
トを用いて照射した。

その後直ちにθ荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含
む）を部材表面をカスケードすることによって、部材表
面上に良好なトナーｋｆｌｌを得た。

このようにして得られたトナー像を、一旦ゴムブレード
でクリーニングし、再び上記作像クリーニング工程を繰
り返した。繰り返し回数１５万回以上行っても、層の剥
れは生ぜず、画像の劣化は見られなかった。

実施例２ 第３図に示した製造装置により、Ｍ基板上に以下の条件
で層形成を行った。

第　　２　　表 その他の条件は実施例１と同様にして行った。

こうして得られた像形成部材を帯電犀光現慣装置に設置
し、（１）５ｋＶで０．２１ｍ間コロナ帯電を行い、直
ちに光像を照射した。光源はタングステンランプを用い
、１．０１ｕｙＬ　＠ｓｅｃの光量を透過型のテストチ
ャートを用いて照射した、その後直ちにｅ荷電性の現像
剤（トナーとキャリヤを含む）を部材表面をカスケード
することＫよって、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。

このようにして得られたトナー像を−１ゴムブレードで
クリーニングし、再び上記作像、クリーニング工程を繰
や返した。繰り返し回数１０万回以上行っても画像の劣
化社見られなかつ九。

実施例３ 非晶質層（厘）の形成時、シリコンウニＩ・とグラファ
イトの面積比を変えて、非晶質層（１）に於けるシリコ
／１皐子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は、実
施例１と全く同様な方法によって像形成部材を作成した
。こうして得られた像形成部材につき、実施例１に述べ
た如き、作像。

現俸、クリーニングの工程を約５万回繰抄返した後画画
像評価を行ったところ第３表の如き結果を得九。

第　　３　　表 実施例４ 非晶質層（Ｉ）の層厚を変える以外は、実抱例１と全く
同様な方法によって一形底部材を作成した。実施例１に
述べた如き、作像、現像、クリーニングの工程を繰り返
し一下記の結果を得た。

実施例ｉ 非晶質層（１以外の層の形成方法を下表の如く変える以
外は、実施←す１と同様な方法で像形成部材を作成し、
実施例１と同様な方法で評価を行ったところ良好な結果
が得られた。

第５表

【図面の簡単な説明】

謔１図及び第２図は、夫々、本発明の光導電数図、第３
図れ、本発明の光導電部材を製造する為の装置の一例を
示す模式的説明図である。 １００　、２００−・・光導電部材 １０１　、２０１・・・支持体 １０２　、２０２　、２０４・・・補助層１６３　、２
０３・・・電荷注入防止層１０４　、２０５・・・非晶
質層（１）１０５　、２０６・・・非晶質層（厘）１０
６　、２０７・・・自由表面 出　願　人　　キャノン株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母体とし、窒
   素原子を構成原子として含有する非晶質材料で構成さ−
   れた補助層と、シリコン原子を母体とし、周期律表第璽
   族に属する原子を構成原子として含有する非晶質材料で
   構成された電荷注入防止１層と、シリコン原子を母体と
   し、構成原子として水素原子又はハロゲン原子のいずれ
   か一方を少なくとも含有する非晶質材料で構成され、光
   導電性を示す第一の非晶質層と、該非晶質層上に設けら
   れ、シリコン原子と含有量が６０　ａｔｏｍｉｃ％未満
   の炭素原子とを構成原として含む非晶質材料で構成され
   た第二の非晶質層と、を有する事を特徴とする光導電部
   材。