JPS58140083A - テトラゾ−ル類の製造方法 - Google Patents
テトラゾ−ル類の製造方法Info
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- JPS58140083A JPS58140083A JP2239082A JP2239082A JPS58140083A JP S58140083 A JPS58140083 A JP S58140083A JP 2239082 A JP2239082 A JP 2239082A JP 2239082 A JP2239082 A JP 2239082A JP S58140083 A JPS58140083 A JP S58140083A
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- trialkylsilyl
- substituted
- tetrazole
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、テトラゾール類の製造方法に関する。
テトラゾール類は生化学的にカルホン酸等価物と見なさ
れ、薬理的に興味が持たれ実際にテトラゾール骨格が分
子中に組みこまれた重要な医薬品が存在する。例えばセ
ファゾリン、セファマンドール、セフォチアム、セフォ
ペラゾン。
れ、薬理的に興味が持たれ実際にテトラゾール骨格が分
子中に組みこまれた重要な医薬品が存在する。例えばセ
ファゾリン、セファマンドール、セフォチアム、セフォ
ペラゾン。
セフメタゾール、モキサラクタムなどがそれである。
しかし、テトラゾール類の合成は従来爆発の危険のある
アジド類をニトリル類と反応させることによっていた。
アジド類をニトリル類と反応させることによっていた。
本発明の目的は、このような危険のない新規なテトラゾ
ール類の製造方法を提供することである。
ール類の製造方法を提供することである。
本発明は、リチウムトリアルキルシリルジアゾメタニド
をエステルと反応させることによって2−置換−5−ト
リアルキルシリルテトラゾールd條を製造し、必要に応
じてこれを酸処理することによ)2−置換−テトラゾー
ル類を製造することを賛旨とするものである。
をエステルと反応させることによって2−置換−5−ト
リアルキルシリルテトラゾールd條を製造し、必要に応
じてこれを酸処理することによ)2−置換−テトラゾー
ル類を製造することを賛旨とするものである。
本発明における反応原料たるリチウムトリアルキルシリ
ルジアゾメタニドのアルキル基は炭素数1〜4のもの、
好ましくはメチル基でToシ、同一分子内において同種
のものであっても1異種であってもよい。この原料はト
リアルキルシリルジアゾメタンに、ジエチルエーテル中
室温又はそれ以下の温度で、n−ブチルリチウム(以下
[n−BuLiJと略記する)又はリチウムジイソプロ
ピルアミド(以下「LDA」と略記する)などの強塩基
を反応させることによって容易に得ることができる。得
られたリチウムトリアルキルシリルジアゾメタニドは単
離するまでもなくそのまま、本発明の反応に使用しうる
。
ルジアゾメタニドのアルキル基は炭素数1〜4のもの、
好ましくはメチル基でToシ、同一分子内において同種
のものであっても1異種であってもよい。この原料はト
リアルキルシリルジアゾメタンに、ジエチルエーテル中
室温又はそれ以下の温度で、n−ブチルリチウム(以下
[n−BuLiJと略記する)又はリチウムジイソプロ
ピルアミド(以下「LDA」と略記する)などの強塩基
を反応させることによって容易に得ることができる。得
られたリチウムトリアルキルシリルジアゾメタニドは単
離するまでもなくそのまま、本発明の反応に使用しうる
。
本発明において、エステルとしては、特に限定されない
が・好ましくは脂肪族、芳香族および検素環式カルボン
酸のエステルを使用しうる。
が・好ましくは脂肪族、芳香族および検素環式カルボン
酸のエステルを使用しうる。
これらのエステルにおけるアルコール部分は反応し易い
点で低級アルコールに由来するものが好ましい。
点で低級アルコールに由来するものが好ましい。
前配りチウムトリアルキルシリルジアゾメタニドとエス
テルの反応は約−78℃〜40′C1好ましくは一80
℃〜5℃で行なうことができる。反応時間としてt−1
O,5〜10時間程度を採用することができる。
テルの反応は約−78℃〜40′C1好ましくは一80
℃〜5℃で行なうことができる。反応時間としてt−1
O,5〜10時間程度を採用することができる。
本発明における反応溶媒としては、ジエチルエーテル、
ジ−n−ブチルエーテルなどのエーテル系溶媒を用いう
る。反応終了後、反応液を氷水で処理し、エーテル層を
分取し、水洗、乾燥後留去すると粗のテトラゾールが得
られ、これを分取薄層クロマトグラフィー、カラムクロ
マトグラフィー又は再結晶によって精製し2−置換−6
−トリメチルシリルナドラゾールを祷りルナトラゾール
類のトリプルrろリル基は塩酸−メタノール等で酸処理
することにより容易に除去することが出来る。
ジ−n−ブチルエーテルなどのエーテル系溶媒を用いう
る。反応終了後、反応液を氷水で処理し、エーテル層を
分取し、水洗、乾燥後留去すると粗のテトラゾールが得
られ、これを分取薄層クロマトグラフィー、カラムクロ
マトグラフィー又は再結晶によって精製し2−置換−6
−トリメチルシリルナドラゾールを祷りルナトラゾール
類のトリプルrろリル基は塩酸−メタノール等で酸処理
することにより容易に除去することが出来る。
次に本発明に関連する反応の代表的反応式を次に示す。
−BuLi
本発明の特徴は、従来法に比べより安全であ)、かつ緩
和な条件で高収率で2−置換−テトラゾール類が得られ
ることである。
和な条件で高収率で2−置換−テトラゾール類が得られ
ることである。
以下に本発明の実施例を示すが本発明はこれらに限定さ
れるものではない。
れるものではない。
なお以下に用いるトリメチルシリルジアゾメタンはトリ
メチルシリルジアゾメタン(65W/W%)とへキサメ
チルジシロキサン(85w/w%)の混合物又は2.2
mmol /mlのへキサン溶液として用い、n−ブ
チルリチウムは15%ヘキサン溶液として使用したー \ 実施例1 2−7エナシルー5−トリメチルシリルナドラゾール(
])および2−7エナフルテトラゾール(■)の合成 巾 (1) (MeはCH3−を表わす〕 トリメチルシリルジアゾメタン(422jV。
メチルシリルジアゾメタン(65W/W%)とへキサメ
チルジシロキサン(85w/w%)の混合物又は2.2
mmol /mlのへキサン溶液として用い、n−ブ
チルリチウムは15%ヘキサン溶液として使用したー \ 実施例1 2−7エナシルー5−トリメチルシリルナドラゾール(
])および2−7エナフルテトラゾール(■)の合成 巾 (1) (MeはCH3−を表わす〕 トリメチルシリルジアゾメタン(422jV。
2、477!mol )の無水ジエチルエーテル(10
ml)溶液に0℃でn−ブチルリチウム−ヘキサン溶液
(1,52,ml、 2.4 Fffmol )を滴下
し、そのまま20分間攪拌する。ついで安息香酸メチル
エステル(1g611v、1#fmol)の無水ジエチ
ルエーテル(5ml)I!液を0 ’Cで滴下し、その
まま8時間攪拌する。反応液に氷水を加えジエチルエー
テルで抽出する。ジエチルエーテルノーを水・飽和食塩
水で洗浄後、乾燥(無水硫酸マグネシウム)する。溶媒
を留去し262ダの黄色油状物を得る。分取薄層シリカ
ゲルクロマトグラフィー(展開#:ベンゼン:ジェテル
エーテル−5二 1)’till製しく1)18811
g(70,8%)および(1)8岬(1,6%)を得る
。
ml)溶液に0℃でn−ブチルリチウム−ヘキサン溶液
(1,52,ml、 2.4 Fffmol )を滴下
し、そのまま20分間攪拌する。ついで安息香酸メチル
エステル(1g611v、1#fmol)の無水ジエチ
ルエーテル(5ml)I!液を0 ’Cで滴下し、その
まま8時間攪拌する。反応液に氷水を加えジエチルエー
テルで抽出する。ジエチルエーテルノーを水・飽和食塩
水で洗浄後、乾燥(無水硫酸マグネシウム)する。溶媒
を留去し262ダの黄色油状物を得る。分取薄層シリカ
ゲルクロマトグラフィー(展開#:ベンゼン:ジェテル
エーテル−5二 1)’till製しく1)18811
g(70,8%)および(1)8岬(1,6%)を得る
。
(10−
淡黄色油状物
IR(Film) : 1705(CmO) ; 12
50.850(siMe)NMR(CDC13) :
0.44(9H,s 、 SiMe )、 6.20
(2H。
50.850(siMe)NMR(CDC13) :
0.44(9H,s 、 SiMe )、 6.20
(2H。
s、 CH2)17.44〜8.12(5H,m+ a
romaticH)Mass m/e : 260 (
M+)CI2 HI6N40 S iに対する元素分析
値ニー理論値: C:55.86in:6.19iN:
21.62(%)実測値:C:55.281:6.10
;N:21.45(%)(1)ニー mp、:99〜100“C(ベンゼン−ヘキサンより再
結晶)IR(Nujol): 1710(Cm0)NM
R(CDC13) : 6.18 (2H,a 、 C
m2) 、7.44〜8.16(5H,m、 arom
atic H)、 8.68(1)it st cH−
N)C静kimNaOに対する元素分析値ニー理論値:
C:57.44+H:4.29iN:29.77(%
)実#I甑:C:57.6bi)l:4.11 、N:
29.88(%)実施例2 2−7エナシルー5−トリメチルシリルテトラゾール巾
及び2−7エナシルテトラゾール1)の合成 実施例1において、n−ブチルリチウムをリチウムジイ
ソプロピルアミドにかえる他ははぽ同様にしてテトラゾ
ールの合成を行なう。
romaticH)Mass m/e : 260 (
M+)CI2 HI6N40 S iに対する元素分析
値ニー理論値: C:55.86in:6.19iN:
21.62(%)実測値:C:55.281:6.10
;N:21.45(%)(1)ニー mp、:99〜100“C(ベンゼン−ヘキサンより再
結晶)IR(Nujol): 1710(Cm0)NM
R(CDC13) : 6.18 (2H,a 、 C
m2) 、7.44〜8.16(5H,m、 arom
atic H)、 8.68(1)it st cH−
N)C静kimNaOに対する元素分析値ニー理論値:
C:57.44+H:4.29iN:29.77(%
)実#I甑:C:57.6bi)l:4.11 、N:
29.88(%)実施例2 2−7エナシルー5−トリメチルシリルテトラゾール巾
及び2−7エナシルテトラゾール1)の合成 実施例1において、n−ブチルリチウムをリチウムジイ
ソプロピルアミドにかえる他ははぽ同様にしてテトラゾ
ールの合成を行なう。
ジイソプロピルアミン(248”f + 2.4 mm
ol )の無水ジエチルエーテル(5g/)溶液に0
’Cでn−ブチルリチウム−ヘキサン溶液(1,52m
。
ol )の無水ジエチルエーテル(5g/)溶液に0
’Cでn−ブチルリチウム−ヘキサン溶液(1,52m
。
2、4 #gmol )を滴下し、そのまま20分間攪
拌する。
拌する。
トリメチルシリルジアゾメタン(4221III。
L4mmol)の無水ジエチルエーテル(511)溶液
に、上記で調製したリチウムジイソプロピルアミドのエ
ーテル溶液をoocで滴下し、そのまま20分間攪拌す
る。ついで安息香酸メチルエステル(186ダ1IFF
JylQl)の無水ジエチルエーテル(8耐)溶液を0
°Cで滴下し、そのまま8時間攪拌する。後処理、精製
法は実施例1と同じである。(1)28511v(90
,4%)および(1)6q(8,2%)を得る。
に、上記で調製したリチウムジイソプロピルアミドのエ
ーテル溶液をoocで滴下し、そのまま20分間攪拌す
る。ついで安息香酸メチルエステル(186ダ1IFF
JylQl)の無水ジエチルエーテル(8耐)溶液を0
°Cで滴下し、そのまま8時間攪拌する。後処理、精製
法は実施例1と同じである。(1)28511v(90
,4%)および(1)6q(8,2%)を得る。
本例を実施例1と比較すれば明らかなようにn−ブチル
リチウムを使用するよりもリチウムジイソプロピルアミ
ドを使用した方がテトラゾールの収率がよい。
リチウムを使用するよりもリチウムジイソプロピルアミ
ドを使用した方がテトラゾールの収率がよい。
実施例8
2−(p−メチルフェナシル)−5−)リメチルシリル
テトラゾール(2)および2−(p−メチル7エナシル
)テトラゾール0の合成(1)
(lv)実施例2において、安息香酸メチルエステルを
p−)ルイル酸メチルエステル(1501v。
テトラゾール(2)および2−(p−メチル7エナシル
)テトラゾール0の合成(1)
(lv)実施例2において、安息香酸メチルエステルを
p−)ルイル酸メチルエステル(1501v。
1311mol )にかえた以外、反応条件、後処理。
精製法は同じとする。(1)2411#I(87,8%
)おjび(If)6”f(2,5%)’km;6゜(2
)ニー mp、 : 72〜78.6°C(ベンゼン−ヘキサン
よりe結晶)IR(Nujol): 1696(CmO
); 1260.846(SiMe)NMR(CDCI
g): 0.44(9H,s、SiMe)、2.45(
8H。
)おjび(If)6”f(2,5%)’km;6゜(2
)ニー mp、 : 72〜78.6°C(ベンゼン−ヘキサン
よりe結晶)IR(Nujol): 1696(CmO
); 1260.846(SiMe)NMR(CDCI
g): 0.44(9H,s、SiMe)、2.45(
8H。
it、 Me)、 6.12(2H* l+ CH2)
97.84C2H9dlJ■8Hz* aromati
cH)、 7.90(2L do J−8Hz+aro
matic H) C1sHxsN40Siに対する元素分析値ニー理論値
:C:66.90tH:6.61;N:20.42(%
)実測値: C:56.54!H:6.82;N:20
.88(%)@ニー mp−: 1g6〜187℃(ベンゼン−ヘキサンより
再結晶)IR(Nujol): 17GG(CmO)N
MR(CDC1m): 2.47(8H,m、Me)、
6.07(2H。
97.84C2H9dlJ■8Hz* aromati
cH)、 7.90(2L do J−8Hz+aro
matic H) C1sHxsN40Siに対する元素分析値ニー理論値
:C:66.90tH:6.61;N:20.42(%
)実測値: C:56.54!H:6.82;N:20
.88(%)@ニー mp−: 1g6〜187℃(ベンゼン−ヘキサンより
再結晶)IR(Nujol): 17GG(CmO)N
MR(CDC1m): 2.47(8H,m、Me)、
6.07(2H。
l CHx)、 7.88(2L do J−8Hz+
aromaticH)−7,90(2H,d、 J−
8Hz+ aromatic H)、 8.57(IH
,易、CH■N) C1eHtoNaOに対す、6元素分析(tEニー理論
値:C:59.40;H:4.98;N:27.71e
/Q実測値:C:59.48;H:4.71N:27.
96輪実施例4 2−(p−メトキシフェナシル)−5−トリメチルシリ
ルテトラゾールα)および2−(p−メトキシ7エナシ
ル)テトラゾール(資)の合成 (マ) @ 実施帽において、安息香酸メチルエステルをp−7ニス
酸メチルエステル(166#、11F1mol )にか
えた以外、□反応条件、後処理、精製法は同じとする。
aromaticH)−7,90(2H,d、 J−
8Hz+ aromatic H)、 8.57(IH
,易、CH■N) C1eHtoNaOに対す、6元素分析(tEニー理論
値:C:59.40;H:4.98;N:27.71e
/Q実測値:C:59.48;H:4.71N:27.
96輪実施例4 2−(p−メトキシフェナシル)−5−トリメチルシリ
ルテトラゾールα)および2−(p−メトキシ7エナシ
ル)テトラゾール(資)の合成 (マ) @ 実施帽において、安息香酸メチルエステルをp−7ニス
酸メチルエステル(166#、11F1mol )にか
えた以外、□反応条件、後処理、精製法は同じとする。
(V)285ダ(80,9%)および(VD61q(2
,7%)を得る。
,7%)を得る。
(マ)−−
mp、ニア8〜74°C(ベンゼン−ヘキサンより再結
晶)IR(Nujol): 1696(C=0)、12
46.855(SiMe)NMR(CDCIg) :
0.44(9L トSiMe)、 8.92 (8H。
晶)IR(Nujol): 1696(C=0)、12
46.855(SiMe)NMR(CDCIg) :
0.44(9L トSiMe)、 8.92 (8H。
IsOMe)、6.12(2L so CHz)、7.
02(2H+ cLJ−8Hz+ aromaticH
)@ 7.96(2HI d、Jwx8kb。
02(2H+ cLJ−8Hz+ aromaticH
)@ 7.96(2HI d、Jwx8kb。
aromatic H)
C1ant虐Na0m5kに対する元素分析値ニー理論
値:C:58.77+H:6.25;N: 19.29
(へ)実測値:C:54.05i)1:6.82iN:
19.49(へ)@ニー mp、: 96〜98℃(ベンゼン−ヘキサンより再結
晶)IR(Nujol): 1692(C=O)NMR
(CDCIg): 8.90(8H,s、OMe)、6
.10(gH。
値:C:58.77+H:6.25;N: 19.29
(へ)実測値:C:54.05i)1:6.82iN:
19.49(へ)@ニー mp、: 96〜98℃(ベンゼン−ヘキサンより再結
晶)IR(Nujol): 1692(C=O)NMR
(CDCIg): 8.90(8H,s、OMe)、6
.10(gH。
i CHs)+ 7.08(2He do J−9Hz
+ aromaticH)。
+ aromaticH)。
7.98(2He do J−9Hze aromat
ic H)+ 8.68(In2畠、C)l−N) □ C+oHt・N4(hに対する元素分析値ニー理論値:
C:66.04;H:4.62;N:26.67C%)
実測値:C:65.84iH:4.86iN:25.7
9(%)実施例5 2−(8−フェニルアセトニル)−5−)リメチルシリ
ルテトラゾール面の合成 ■ 実施例2において安息香酸メチルエステルをフェニル酢
酸メチルエステル(150#、1ssmol)にかえた
以外、反応条件、後処理は同マドグラフィー(展開液:
クロロホルム:ジエチルエーテル冨10:1)で′lp
i製し185ダ(49,2%)の(至)を得る。
ic H)+ 8.68(In2畠、C)l−N) □ C+oHt・N4(hに対する元素分析値ニー理論値:
C:66.04;H:4.62;N:26.67C%)
実測値:C:65.84iH:4.86iN:25.7
9(%)実施例5 2−(8−フェニルアセトニル)−5−)リメチルシリ
ルテトラゾール面の合成 ■ 実施例2において安息香酸メチルエステルをフェニル酢
酸メチルエステル(150#、1ssmol)にかえた
以外、反応条件、後処理は同マドグラフィー(展開液:
クロロホルム:ジエチルエーテル冨10:1)で′lp
i製し185ダ(49,2%)の(至)を得る。
#I#Jニー
mp、: 100〜101’C(ベンゼン−ヘキサンよ
り再結晶)IR(Nujol): 1780(C=O)
、1260.850(SiMe)NMR(CDC1i)
: 0.口(9H,s 、 SiMe ) 、 8.
80 (2)1゜畠、cocよjlPh) 、5.62
(2H,s、C0CHxN)−7,20〜7.62(6
L nll aromatic H)C+5HtaN4
0Siに対する兄事分析f= : −理論値:C:66
.90tH:6.61;N:20.42(%)!111
J値:C:56.97;H:6.65;N:20.66
(%)実施例6 2−7エナシルテトラゾール値)の合成中
(1) (1)(目目”f + O−4mmol)、製塩#(2
滴)およびメタノール(10ml)の溶液を1時間速流
攪拌する。溶媒を減圧留去後、残留物に水101tt−
加え、5%カセーソーダ水浴液でアルカリ性とした後、
ベンゼンで抽出する。ベンゼン層を水洗、乾燥(無水硫
酸マグネシウム)後溶媒iIN云し、無色結晶(1)6
7Iv(89,0%)を得る。
り再結晶)IR(Nujol): 1780(C=O)
、1260.850(SiMe)NMR(CDC1i)
: 0.口(9H,s 、 SiMe ) 、 8.
80 (2)1゜畠、cocよjlPh) 、5.62
(2H,s、C0CHxN)−7,20〜7.62(6
L nll aromatic H)C+5HtaN4
0Siに対する兄事分析f= : −理論値:C:66
.90tH:6.61;N:20.42(%)!111
J値:C:56.97;H:6.65;N:20.66
(%)実施例6 2−7エナシルテトラゾール値)の合成中
(1) (1)(目目”f + O−4mmol)、製塩#(2
滴)およびメタノール(10ml)の溶液を1時間速流
攪拌する。溶媒を減圧留去後、残留物に水101tt−
加え、5%カセーソーダ水浴液でアルカリ性とした後、
ベンゼンで抽出する。ベンゼン層を水洗、乾燥(無水硫
酸マグネシウム)後溶媒iIN云し、無色結晶(1)6
7Iv(89,0%)を得る。
実施例7
2−Cp−メチルフェナシル)テトラソールα)の合成
面
(ID (69Mf 、 0.25 Fl+fmol)
、濃塩酸(27%)およびメタノール(6ml)の溶液
を8時間還流、攪拌する。後処理は実施例6と同様とす
る。
、濃塩酸(27%)およびメタノール(6ml)の溶液
を8時間還流、攪拌する。後処理は実施例6と同様とす
る。
粗生成物をベンゼン−ヘキサンより再結晶し、0f34
11F(81,2%)を得る。
11F(81,2%)を得る。
実施例8
2−(p−メトキシフェナシル)テトラソール(至)の
合成 (2) ff)(16711f1.0.5411!mol)、濃
塩酸(2滴)およびメタノール(lamt/)の溶液を
4時間還流、攪拌する。後処理#i実施例6と同様とす
る。
合成 (2) ff)(16711f1.0.5411!mol)、濃
塩酸(2滴)およびメタノール(lamt/)の溶液を
4時間還流、攪拌する。後処理#i実施例6と同様とす
る。
粗生成物をベンゼン−ヘキサンより再結晶しく資)88
q(74,7%)を得る。
q(74,7%)を得る。
実施内9
2−(p−クロロフェナシル)−5−)リメチルシリル
テトラゾール(vlIl)および2−(p−クロロ7エ
ナシル)テトラゾール(IX)の合成 (Vl) (IK)実施例2
において安息香酸メチルをp−クロロ安息香酸メチル(
17011f1.1 mmol)に、トリメチルシリル
ジアゾメタンf 2.2 mmol /mlのヘキサン
溶液(1,09m1.2.4 mmol) Kかえた以
外、反応条件、後処理は同じとする。粗生成物を分権薄
層シリカゲルカラムクロマトグラフ(−(展MIK:ク
ロロホルム:エタノール■20:1)で精製しく■)2
60Iv(88,2%)、([)8Jv(1,8%)を
得る。
テトラゾール(vlIl)および2−(p−クロロ7エ
ナシル)テトラゾール(IX)の合成 (Vl) (IK)実施例2
において安息香酸メチルをp−クロロ安息香酸メチル(
17011f1.1 mmol)に、トリメチルシリル
ジアゾメタンf 2.2 mmol /mlのヘキサン
溶液(1,09m1.2.4 mmol) Kかえた以
外、反応条件、後処理は同じとする。粗生成物を分権薄
層シリカゲルカラムクロマトグラフ(−(展MIK:ク
ロロホルム:エタノール■20:1)で精製しく■)2
60Iv(88,2%)、([)8Jv(1,8%)を
得る。
(Vl) : −
mp、: 101−102°C(ベンゼン−ヘキサンよ
り再結晶)IR(Nujol): 1695(C=0
)、1245.850(SiMe)NMR(CDCb)
: 0.44(9H,s、SiMe)、6−06(2H
。
り再結晶)IR(Nujol): 1695(C=0
)、1245.850(SiMe)NMR(CDCb)
: 0.44(9H,s、SiMe)、6−06(2H
。
s、 CH2)、 7.44(2H1cL J−8Hz
、 aromatic H)S7.82(2H,do
J−8Hz、 aromticH)C+zH+5CtN
aO8iに対する元素分析値ニー理論値:C:48.8
9嘔H:6.18iN: 19.00(%)実測値:C
:48.74iH:4.99iN:1128(%)(W
) : − mp−: 144〜145.5℃(ベンゼンーヘキテン
より再結晶)IR(Nujol): 1705(C=0
)NMR(CDCIg): 6.1G(2H,s、CH
z)、7.57(21゜d、Jm8Hz、aromat
icH)、7.96(2H,d。
、 aromatic H)S7.82(2H,do
J−8Hz、 aromticH)C+zH+5CtN
aO8iに対する元素分析値ニー理論値:C:48.8
9嘔H:6.18iN: 19.00(%)実測値:C
:48.74iH:4.99iN:1128(%)(W
) : − mp−: 144〜145.5℃(ベンゼンーヘキテン
より再結晶)IR(Nujol): 1705(C=0
)NMR(CDCIg): 6.1G(2H,s、CH
z)、7.57(21゜d、Jm8Hz、aromat
icH)、7.96(2H,d。
J=8Hz、aromatic H)+ 8.60(I
H,a、CHsgN)C@Hy C1N40に対する元
素分析値ニー理論値:C:4g、66:H:8.S7;
N:25.1?(%)実測値: C:48.66iH:
2.99;N:25.47(%)実施例10 2−(2−オキンプチル)−6−ドリメチルシリルテト
ラゾールα) ■ 実施例2において安息香酸メチルをプロピオン酸メチル
(881f、 ljllmol)に、ト、リメチルシリ
ルジアゾメタンを2.2 mmol/g/のヘキサン溶
液(1,09d、 2.4 mmol)にかえた以外、
反応条件、処理は同じとする。粗生成物を分権薄層シリ
カゲルクロマトグラフィー(展開液:クロロホルム:ジ
エチルエーテル−20: 1 )で精製し淡黄色油状の
α)1811v(61,7%)を得る。
H,a、CHsgN)C@Hy C1N40に対する元
素分析値ニー理論値:C:4g、66:H:8.S7;
N:25.1?(%)実測値: C:48.66iH:
2.99;N:25.47(%)実施例10 2−(2−オキンプチル)−6−ドリメチルシリルテト
ラゾールα) ■ 実施例2において安息香酸メチルをプロピオン酸メチル
(881f、 ljllmol)に、ト、リメチルシリ
ルジアゾメタンを2.2 mmol/g/のヘキサン溶
液(1,09d、 2.4 mmol)にかえた以外、
反応条件、処理は同じとする。粗生成物を分権薄層シリ
カゲルクロマトグラフィー(展開液:クロロホルム:ジ
エチルエーテル−20: 1 )で精製し淡黄色油状の
α)1811v(61,7%)を得る。
■ニー
IR(Film) : 1785(C=O)、 125
0.850(StMe)NMR(CDCb) : 0.
41(9H,s、 SiMe)、 1.10(8H。
0.850(StMe)NMR(CDCb) : 0.
41(9H,s、 SiMe)、 1.10(8H。
t、 J=7Hz、 CH*C旦j)12.48(2H
1q* J−7Hz+Cji7CHa) 、 5.42
(2H,a 、 CH2)CsH+aN40Si V
層対する元素分析値ニー理論値: C:45.25;H
ニア、60;N:26.89(%)実測値:C:46.
0OiHニア、60iN:26.44(%)実施例11 2−ニコチニルメチルテトラゾール(至)実施例2にお
いて安息香酸メチルをニコチン酸メチル(187Mf、
1 mmol)に、トリメチルシリルジアゾメタン
を2.2 mmol/s/のヘキサン浴液(1,09m
l + 2.4 mrnol)にかえた以外、反応条件
は同じとする。反応液に氷水を加えジエチルエーテルで
抽出する。水層に飽和塩化アンモニウム水溶液を加えジ
エチルエーテルで抽出する。両ジエチルエーテル抽出液
を合せ水洗、乾燥(無水硫酸マグネシウム)する、溶媒
を留去し、残留中を分域薄層シリカゲルクロマトグラフ
ィーにてN製し@51jv(27%)を得る。
1q* J−7Hz+Cji7CHa) 、 5.42
(2H,a 、 CH2)CsH+aN40Si V
層対する元素分析値ニー理論値: C:45.25;H
ニア、60;N:26.89(%)実測値:C:46.
0OiHニア、60iN:26.44(%)実施例11 2−ニコチニルメチルテトラゾール(至)実施例2にお
いて安息香酸メチルをニコチン酸メチル(187Mf、
1 mmol)に、トリメチルシリルジアゾメタン
を2.2 mmol/s/のヘキサン浴液(1,09m
l + 2.4 mrnol)にかえた以外、反応条件
は同じとする。反応液に氷水を加えジエチルエーテルで
抽出する。水層に飽和塩化アンモニウム水溶液を加えジ
エチルエーテルで抽出する。両ジエチルエーテル抽出液
を合せ水洗、乾燥(無水硫酸マグネシウム)する、溶媒
を留去し、残留中を分域薄層シリカゲルクロマトグラフ
ィーにてN製し@51jv(27%)を得る。
mp、:100〜101.5℃(ペンゼンーヘキブンよ
り再結晶)IR(Nujol) : 1695 (C=
0 )NMR(CDCIg): 6.14(2H,s、
CH2)、7.40〜9.20(4H+ n1+
aromatic H) 、 8.60 (2I−1
,s 、 CHz−N)CsHy NsOに対する元
素分析値−一理論値:C:50.79;H:8.78;
N:87.02(%)実測値: C:51.01iH:
8.52iN:86.85(’、G)実施例12 2−(p−クロロフェナシル)テトラゾール(V層)
(■)(VID (14’?”V、 Of71mol
)、 (lk塩酸(2滴)およびメタノール(10耐)
の浴液を4.5時間jlt&、攪拌する。後処理は実施
例6と同様とする。粗生成物をベンゼン−ヘキサンより
再結晶しω92ダ(82,9%)を得る。
り再結晶)IR(Nujol) : 1695 (C=
0 )NMR(CDCIg): 6.14(2H,s、
CH2)、7.40〜9.20(4H+ n1+
aromatic H) 、 8.60 (2I−1
,s 、 CHz−N)CsHy NsOに対する元
素分析値−一理論値:C:50.79;H:8.78;
N:87.02(%)実測値: C:51.01iH:
8.52iN:86.85(’、G)実施例12 2−(p−クロロフェナシル)テトラゾール(V層)
(■)(VID (14’?”V、 Of71mol
)、 (lk塩酸(2滴)およびメタノール(10耐)
の浴液を4.5時間jlt&、攪拌する。後処理は実施
例6と同様とする。粗生成物をベンゼン−ヘキサンより
再結晶しω92ダ(82,9%)を得る。
以上
Claims (2)
- (1) リチウムトリアルキルシリルジアゾメタニド
(ここにアルキル基は炭素数4以下のものであり、同一
分子内の8つのアルキル基は同種のものであっても、互
に異なったものであってもよい。)をエステルと反応さ
せることを特徴とする2−置換−6−トリアルキルシリ
ルテトラ類 ゾール瞭秦※の製造方法。 - (2) リチウムトリアルキルシリルジアゾメタニド
(ここにアルキル基は炭素数4以下のものであ夛、同一
分子内の8つのアルキル基は同種のものであっても、互
に異なったものであっても叢を酸処理することを特徴と
する2−置換−テトラゾール類の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2239082A JPS58140083A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | テトラゾ−ル類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2239082A JPS58140083A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | テトラゾ−ル類の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58140083A true JPS58140083A (ja) | 1983-08-19 |
Family
ID=12081320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2239082A Pending JPS58140083A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | テトラゾ−ル類の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58140083A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021080380A1 (en) * | 2019-10-24 | 2021-04-29 | Sk Biopharmaceuticals Co., Ltd. | Method for preparing aryl 2-tetrazol-2-yl ketone with improved selectivity |
-
1982
- 1982-02-15 JP JP2239082A patent/JPS58140083A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021080380A1 (en) * | 2019-10-24 | 2021-04-29 | Sk Biopharmaceuticals Co., Ltd. | Method for preparing aryl 2-tetrazol-2-yl ketone with improved selectivity |
CN114901647A (zh) * | 2019-10-24 | 2022-08-12 | 爱思开生物制药株式会社 | 具有改进的选择性的制备芳基2-四唑-2-基酮的方法 |
CN114901647B (zh) * | 2019-10-24 | 2024-04-02 | 爱思开生物制药株式会社 | 具有改进的选择性的制备芳基2-四唑-2-基酮的方法 |
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