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JPS58127318A - 絶縁層上への単結晶膜形成方法 - Google Patents

絶縁層上への単結晶膜形成方法

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JPS58127318A
JPS58127318A JP57009738A JP973882A JPS58127318A JP S58127318 A JPS58127318 A JP S58127318A JP 57009738 A JP57009738 A JP 57009738A JP 973882 A JP973882 A JP 973882A JP S58127318 A JPS58127318 A JP S58127318A
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JP
Japan
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layer
substrate
single crystal
polycrystalline
insulating film
Prior art date
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Pending
Application number
JP57009738A
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English (en)
Inventor
Yasushi Sawada
廉士 澤田
Junji Watanabe
純二 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野： 本発明は絶縁層上に付着させた多結晶層又はアモルファ
ス層を高能率にかつ良質な単結晶層にアニールする方法
に関するものである。
技術の背量： 従来のこの種の方法は第１図に示すようにレーザビーム
走査法か、第２図に示す外部ストリップヒータの移動加
熱法によっていた。第１図において、１は単結晶基板、
２は諌単結晶基板１上に形成した絶縁体層からなる絶縁
膜、５は該絶縁膜２５の各所に設けられた分離帯又はス
ルーホール、４拡誼絶縁膜２上に付着させた多結晶層又
はアモルファス層、４０１は単結晶化し九層、５はアニ
ール加熱用レーザビーム、５０１は集光レンズである。
この方法で紘し−ザビーム径５００ｐ＋ｓ前後、レーザ
パワ１０Ｆ前後の装置が使われている。
一方、第２図において、１紘単結晶基板、２は絶縁体層
からなる絶縁膜、４は諌絶縁膜２上に付着させた多結晶
層又はアモルファス層、６は棒状移動ヒータ、７は下部
加熱板、１１は表面保護膜でおる。単結晶基板１の端部
４０１において、該絶縁膜２なしに該多結晶層又はアモ
ルファス層４が直接付着されてお夛、まず、この領域に
おいて誼多結晶層又はアモルファス層４が該棒状移動ヒ
ータ６によって溶融され、単結晶基板１の方位に応じた
結晶成長が起こシ、該移動ヒータ６を右方に移動させな
がら順次、該絶縁膜２上の多結晶層又はアモルファス層
４をすでに成長した単結晶を種として単結晶化していく
方法である。
従来技術と問題点： 上述した従来の第１図に示した方法では１００編φ程度
の単結晶基板１全面にわ九ってアニールするには５００
μ諷−のビームを縦・横両方向に走査する必要があシ、
長時間を要する、またビーム径５００ハφに対して均熱
領域が狭く、アニール条件が部分的に異なるため該絶縁
膜２上全面に均質な単結晶膜にすることが難しいという
欠点があった。また第２図の従来の方法では第１図の方
法における縦方向走査の必要がなく能率的であるが、棒
状移動ヒータ６によるヒータ部がらの汚染を避ける丸め
、被アニール部表面に表面保護膜１１を付着させる必要
があシ、また該ヒータ部の幅が広く、がっ、多結晶層又
紘アモルファス層４の表面から離して設定するので、広
い幅にわたって加熱領域が発生し、第１図の方法と同様
、アニール条件が部分的に異なるため該絶縁膜２上全面
に均質な単結晶膜にするには条件設定が難しいという欠
点があった。
発明の目的： 本発明は、これらの欠点を解決するために、棒状のレン
ズを用い、レーザを線状域に集光し、連続的に絶縁膜基
板を加熱、溶融することにょシ単結晶層を成長させて単
結晶膜の形成を行なうことを特徴とするもので、以下図
面について詳細に説明する。
発明の実施例： 第３図は本発明の実施例であって、１は単結晶基板、２
紘絶縁体層からなる絶縁膜、３は該絶縁膜２に設けたス
ルーホール、４は該絶縁膜２上に付着させた多結晶層又
はアモルファス層、８は棒状のレンズ、９はレーザ光で
ある。多結晶層又はアモルファス層４を単結晶層にする
には、レーザ光９をレンズ８で多結晶層又はアそル７ア
ス層４上に集光させる。多結晶層又はアモルファス層４
は加熱され、単結晶基板１とスルーホール６で接触して
いる部分４０１から、単結晶基板１の結晶方位に対応し
た単結晶が成長する。該集光したレーザ光９を単結晶基
板１０幅と直角方向にレンズ８を、又は該基板１＠を該
レーザ光９に対して走査することによシ上記の成長した
単結晶を種として多結晶層又はアモルファス層４全体が
良質な単結晶層に成長する。
この場合の単結晶層上に多結晶層又はアモルファス層を
付着させ、加熱すれば該多結晶層又はアモルファス層は
単結晶層に成長することは一般的によく知られた現象で
、実験的にも確認されている。
レーザ光９に関しては、光源が１個でも複数個でも、光
源の数に制限はないが、レンズ８で集光した時に被加熱
物体上を均一に加熱するように配置する。本発明の具体
的実施例を次に示す。
Ｓｉ基板上にＳｉＯ２膜を形成し、皺Ｓｉｎ＠膜上にＳ
ｌアモルファス層を付着させ、波長０．６９μ町出力１
０”Ｉｉ’＠ｔｔ／ａＪの出力のルビーレーザで照射し
た結果、線状の長さ約５−１８ｅ＠、厚さ約０．５μ票
の単結晶化された膜が得られた。
発明の効果： 以上説明したように、棒状のレンズを使って、レーザ光
を集光し、これを加熱源として、絶縁膜上に形成した多
結晶又はアモルファス層を単結晶化する方法であるので
、装置が非常に簡単となシ、まえ、加熱部を縦横に走査
する必要がなく操作が簡易である。さらに、均一な加熱
を得られ、高品質な単結晶層を高能率に形成できる利点
がある。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図はそれぞれ従来の方法を示す斜視図
、第６図は本発明の一実施例な示す斜視図である。 １・・・単結晶基板、２・・・絶縁体層からなる絶縁膜
、６・・・スルーホール、４・・・多結晶層又はアモル
ファス層、４０１・・・単結晶化層、５・・・レーザビ
ーム、５０１・・・集光レンズ、６・・・棒状移動ヒー
タ、７・・・下部加熱板、８・−棒状レンズ、９・・・
レーザビーム。 特許出願人　日本電信電話公社 代理人　弁理士玉蟲久五部　（外６名）第１図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 単結晶基板上に部分的にスルーホールを有する絶縁膜を
    設け、骸絶縁膜上に多結晶層又はアモルファス層を付着
    させ、該多結晶層又はアモルファス層を前記スルーホー
    ル部上で液相エピタキシャル成長させてこれを種とし、
    皺絶縁膜上に付着させた多結晶層又はアモルファス層全
    体を単結晶層にアニールする単結晶膜形成において、前
    記アニールする基板上方に諌基板幅と同等又は同等以上
    の長さを有する棒状レンズを、鋏棒状レンズの長手方向
    を該基板幅と同一方向に配置し、鋏棒状レンズによシレ
    ーザ光を前記アニールする基板上に集光し、該棒状レン
    ズによシ集光したレーザ光を、該アニールする基板上を
    該アニールする基板幅とファス層全体を単結晶層に７ニ
    ールすることを特徴とする絶縁層上への単結晶膜形成方
    法。
JP57009738A 1982-01-25 1982-01-25 絶縁層上への単結晶膜形成方法 Pending JPS58127318A (ja)

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Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62257718A (ja) * 1986-04-30 1987-11-10 Sony Corp 半導体薄膜の固相エピタキシヤル成長法
JPS6336515A (ja) * 1986-07-30 1988-02-17 Sony Corp 半導体単結晶薄膜の製造方法
JPH0677132A (ja) * 1992-12-04 1994-03-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JPH07176499A (ja) * 1994-06-21 1995-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光照射装置
JPH09199421A (ja) * 1996-09-26 1997-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光照射方法
US5968383A (en) * 1992-06-26 1999-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing apparatus having beam expander
US6057183A (en) * 1994-04-22 2000-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of drive circuit of active matrix device
US6096581A (en) * 1994-03-09 2000-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for operating an active matrix display device with limited variation in threshold voltages
US6159777A (en) * 1993-02-04 2000-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming a TFT semiconductor device
EP1063049A2 (en) * 1999-06-25 2000-12-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Optical system and apparatus for laser heat treatment and method for producing semiconductor devices by using the same
JP2001085353A (ja) * 2000-08-10 2001-03-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー処理方法
US6496171B2 (en) 1998-01-23 2002-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
US6538632B1 (en) 1998-04-28 2003-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor circuit and a semiconductor display device using the same
US6549184B1 (en) 1998-03-27 2003-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving circuit of a semiconductor display device and the semiconductor display device
US6723590B1 (en) 1994-03-09 2004-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for laser-processing semiconductor device
US6831299B2 (en) 2000-11-09 2004-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US6872607B2 (en) 2000-03-21 2005-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6919533B2 (en) 1995-05-31 2005-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a display device including irradiating overlapping regions
US7179726B2 (en) 1992-11-06 2007-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing apparatus and laser processing process
US7550765B2 (en) 1994-08-19 2009-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
JP2009283480A (ja) * 2008-05-19 2009-12-03 Sumitomo Heavy Ind Ltd 歪シリコン膜の製造方法
US7781271B2 (en) 1992-03-26 2010-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for laser processing and apparatus for use in the same

Cited By (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62257718A (ja) * 1986-04-30 1987-11-10 Sony Corp 半導体薄膜の固相エピタキシヤル成長法
JPS6336515A (ja) * 1986-07-30 1988-02-17 Sony Corp 半導体単結晶薄膜の製造方法
US7781271B2 (en) 1992-03-26 2010-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for laser processing and apparatus for use in the same
US6991975B1 (en) 1992-06-26 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser process
US6440785B1 (en) 1992-06-26 2002-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Method of manufacturing a semiconductor device utilizing a laser annealing process
US7985635B2 (en) 1992-06-26 2011-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser process
US5968383A (en) * 1992-06-26 1999-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing apparatus having beam expander
US6002101A (en) * 1992-06-26 1999-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device by using a homogenized rectangular laser beam
US7799665B2 (en) 1992-11-06 2010-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing apparatus and laser processing process
US7179726B2 (en) 1992-11-06 2007-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing apparatus and laser processing process
JPH0677132A (ja) * 1992-12-04 1994-03-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US6159777A (en) * 1993-02-04 2000-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming a TFT semiconductor device
US6096581A (en) * 1994-03-09 2000-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for operating an active matrix display device with limited variation in threshold voltages
US6509212B1 (en) 1994-03-09 2003-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for laser-processing semiconductor device
US6723590B1 (en) 1994-03-09 2004-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for laser-processing semiconductor device
US6057183A (en) * 1994-04-22 2000-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of drive circuit of active matrix device
US7459355B2 (en) 1994-04-22 2008-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Drive circuit of active matrix device and manufacturing method thereof
US7027022B2 (en) 1994-04-22 2006-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Drive circuit of active matrix type display device having buffer with parallel connected elemental circuits and manufacturing method thereof
US7015057B2 (en) 1994-04-22 2006-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a drive circuit of active matrix device
JPH07176499A (ja) * 1994-06-21 1995-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光照射装置
US7550765B2 (en) 1994-08-19 2009-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US8450743B2 (en) 1994-08-19 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having parallel thin film transistors
US7557377B2 (en) 1994-08-19 2009-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having thin film transistor
US7223938B2 (en) 1995-05-31 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a display device including irradiating overlapping regions
US8835801B2 (en) 1995-05-31 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method
US6919533B2 (en) 1995-05-31 2005-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a display device including irradiating overlapping regions
JPH09199421A (ja) * 1996-09-26 1997-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光照射方法
US6496171B2 (en) 1998-01-23 2002-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
US6549184B1 (en) 1998-03-27 2003-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving circuit of a semiconductor display device and the semiconductor display device
US7304625B2 (en) 1998-03-27 2007-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving circuit of a semiconductor display device and the semiconductor display device
US7315296B2 (en) 1998-03-27 2008-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving circuit of a semiconductor display device and the semiconductor display device
US8054270B2 (en) 1998-03-27 2011-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving circuit of a semiconductor display device and the semiconductor display device
US6538632B1 (en) 1998-04-28 2003-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor circuit and a semiconductor display device using the same
US7042432B2 (en) 1998-04-28 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin-film transistor circuit and a semiconductor display using the same
US7746311B2 (en) 1998-04-28 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin-film transistor circuit and a semiconductor display using the same
EP1063049A3 (en) * 1999-06-25 2003-03-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Optical system and apparatus for laser heat treatment and method for producing semiconductor devices by using the same
EP1063049A2 (en) * 1999-06-25 2000-12-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Optical system and apparatus for laser heat treatment and method for producing semiconductor devices by using the same
US7384832B2 (en) 2000-03-21 2008-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6872607B2 (en) 2000-03-21 2005-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US7229864B2 (en) 2000-03-21 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP2001085353A (ja) * 2000-08-10 2001-03-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー処理方法
US7652289B2 (en) 2000-11-09 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8217395B2 (en) 2000-11-09 2012-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US6831299B2 (en) 2000-11-09 2004-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9099362B2 (en) 2000-11-09 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2009283480A (ja) * 2008-05-19 2009-12-03 Sumitomo Heavy Ind Ltd 歪シリコン膜の製造方法

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