JPS58126973A - 薄膜形成用ソ−ス供給装置 - Google Patents
薄膜形成用ソ−ス供給装置Info
- Publication number
- JPS58126973A JPS58126973A JP762482A JP762482A JPS58126973A JP S58126973 A JPS58126973 A JP S58126973A JP 762482 A JP762482 A JP 762482A JP 762482 A JP762482 A JP 762482A JP S58126973 A JPS58126973 A JP S58126973A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source
- solid
- thin film
- temperature
- gas
- Prior art date
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、OV D (Oh@1lical Vapo
r Depo −altLon )法による金属薄IN
あるいは金属化合物薄膜形成用のソース供給装置に関す
るものであって、特にソースr加熱置体で加熱してガス
化することにより、反応室へガス化されたソースを安定
して供給する装置に関するものである。
r Depo −altLon )法による金属薄IN
あるいは金属化合物薄膜形成用のソース供給装置に関す
るものであって、特にソースr加熱置体で加熱してガス
化することにより、反応室へガス化されたソースを安定
して供給する装置に関するものである。
一般に、千導体装wLVC使用する高融点金属(T1゜
MO,Ta、Wなど)を用りてウェハ上に薄膜を形成す
る方法の1つとして、OVD法か用いられている。−一
点金属博換のOVD法による形成は、促米から千勢体に
用いられて米たs io倉躾の形成と異なり、反応ソー
スか呈温では一般に固体でるす、反応ソースとして反応
案へ供給するためVCにこの固体ソースr710熱して
発生するガスr利柑することが必登である。この際、発
生するガスのガス圧は固体ソースの温度と密接な関係に
あり、かつ、ガス圧は温健に極めて敏感である。
MO,Ta、Wなど)を用りてウェハ上に薄膜を形成す
る方法の1つとして、OVD法か用いられている。−一
点金属博換のOVD法による形成は、促米から千勢体に
用いられて米たs io倉躾の形成と異なり、反応ソー
スか呈温では一般に固体でるす、反応ソースとして反応
案へ供給するためVCにこの固体ソースr710熱して
発生するガスr利柑することが必登である。この際、発
生するガスのガス圧は固体ソースの温度と密接な関係に
あり、かつ、ガス圧は温健に極めて敏感である。
−列として、T I Q 14、’raax、、M Q
(! 1.の温度と、蒸気圧の関係留水せば次の通り
である。
(! 1.の温度と、蒸気圧の関係留水せば次の通り
である。
飼えば、MO@の形成は一般に、
2M o O15+5H*→2MO+10HO7のよう
な反応で、MOかウェハ上に析出する。この際、MO膜
のデボレートは、MQQISの供給1で決まる。したか
つて、MO@のデボシー1−制伽するためVCは、MQ
OI、の供給量kII′IJ御する必賢かめる0このm
o□x、の供給は、固体ンースr7111 険して、発
生するカス状のMOC15として反応室に供給する方法
か採用されており、し九がって、MoolBのガス圧を
制御することかm*となる。
な反応で、MOかウェハ上に析出する。この際、MO膜
のデボレートは、MQQISの供給1で決まる。したか
つて、MO@のデボシー1−制伽するためVCは、MQ
OI、の供給量kII′IJ御する必賢かめる0このm
o□x、の供給は、固体ンースr7111 険して、発
生するカス状のMOC15として反応室に供給する方法
か採用されており、し九がって、MoolBのガス圧を
制御することかm*となる。
このMo(315のガス圧は温度と蒸気圧の関係かられ
かるように、温度依存性か大きく、ガス圧kn4度よく
制御する皮めには、固体ソース温匿會楕匿よく保つ必要
かめることがわかる。
かるように、温度依存性か大きく、ガス圧kn4度よく
制御する皮めには、固体ソース温匿會楕匿よく保つ必要
かめることがわかる。
そこで、従来、固体ソースからガス化され友ソース倉反
応室へ供給する方式としては、赤外ランプ加熱方式やヒ
ーター加熱方式か用いられている。
応室へ供給する方式としては、赤外ランプ加熱方式やヒ
ーター加熱方式か用いられている。
一般に、固体ソースを加熱し、ガス化して反応室へ反応
ソースr供給する場合、その供給量のコントロールは反
応速ft制御する上で極めて1費である。ところか、従
来用いられていた加熱方式(赤外ランプ加熱方式、ヒー
ター加熱方式)では次のような間M点かめる。
ソースr供給する場合、その供給量のコントロールは反
応速ft制御する上で極めて1費である。ところか、従
来用いられていた加熱方式(赤外ランプ加熱方式、ヒー
ター加熱方式)では次のような間M点かめる。
+11 加熱か固体ソーヌr入IL′fc石英管など
の外部からなさnる几め、固体ソースのかたまりの外部
と内部の謳鍵差か大きくなりやすく、固体ソースからの
A発重かfl[lし中子い。
の外部からなさnる几め、固体ソースのかたまりの外部
と内部の謳鍵差か大きくなりやすく、固体ソースからの
A発重かfl[lし中子い。
(2) ON −OF F による湯度制御範囲が大
きく、固体ソースからの蒸発量の時間的変動か大きい。
きく、固体ソースからの蒸発量の時間的変動か大きい。
(3)外部からの力1]Mのため、固体ソースの温度上
昇か遅く、ソース供給量の制御が悪い。
昇か遅く、ソース供給量の制御が悪い。
不発明の目的は、前記従来技術の欠点倉隋し、CVD法
による金属g!あるいは金属化合吻薄膜形成のため1反
応ソースを安定して供給でき、加熱温度の制御性や安定
性を同上さゼることかできる薄膜形成用ソース供給装置
k提供することにある。
による金属g!あるいは金属化合吻薄膜形成のため1反
応ソースを安定して供給でき、加熱温度の制御性や安定
性を同上さゼることかできる薄膜形成用ソース供給装置
k提供することにある。
この目的r達成するため、本発明は、一体筒たは液体の
ソース?加熱tAE体で加熱してガス化爆ぜて反応炉に
供給するよう構成し几ものである。
ソース?加熱tAE体で加熱してガス化爆ぜて反応炉に
供給するよう構成し几ものである。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたかつて詳細に1
明する。
明する。
第1図は本発明による薄膜形成用ガス倶紺装崖の一央厖
例r示す歎略祝明図でろる。
例r示す歎略祝明図でろる。
本実ゐり0において、たとえばMQQI、の卯き固体ソ
ースlは固体ソース谷−2中に設けられた2孔C)あい
た固体ソース沫愕板jの上にのゼらハている。
ースlは固体ソース谷−2中に設けられた2孔C)あい
た固体ソース沫愕板jの上にのゼらハている。
本実施−1fi、固体ソー71を不活性ガス4で直接加
糖してカス化させるものであり、不活性ガス4は不活性
ガス供給管5の周囲に配電されたガス那熱甲ヒータ6に
より所望の温度に加熱される。
糖してカス化させるものであり、不活性ガス4は不活性
ガス供給管5の周囲に配電されたガス那熱甲ヒータ6に
より所望の温度に加熱される。
このmfの制御のため、不活性ガス4の1ilf’に検
出する白度計7か不活性ガス供給管5vcBけられてい
る。温度計7で検出された不活性ガス4の潟髪が所望の
温度と異々ると′@は、ガスの加熱用ヒータ6の制御部
にフィードバックされ、79F望のガス温度になるよう
制御される。加船され次第活性ガスは、不活性ガス供給
管5から固体ソース容器31C入り、固体ソース医持板
3の孔から固体ソー71の隙間?通過する。それにより
固体ソース1はガス化し、不活性ガスとガス化した固体
ソースの重台ガス8か固体ソース容器2から混合カス供
都′tit9忙経て反応室10へgC,鞄される。
出する白度計7か不活性ガス供給管5vcBけられてい
る。温度計7で検出された不活性ガス4の潟髪が所望の
温度と異々ると′@は、ガスの加熱用ヒータ6の制御部
にフィードバックされ、79F望のガス温度になるよう
制御される。加船され次第活性ガスは、不活性ガス供給
管5から固体ソース容器31C入り、固体ソース医持板
3の孔から固体ソー71の隙間?通過する。それにより
固体ソース1はガス化し、不活性ガスとガス化した固体
ソースの重台ガス8か固体ソース容器2から混合カス供
都′tit9忙経て反応室10へgC,鞄される。
固体ソースとして’0C1s’を用いた場合、一般的に
は不活性カスの副度は380〜460’に根皺か艮い。
は不活性カスの副度は380〜460’に根皺か艮い。
筐友、固体ソース各々のnI造としては、纂2図に示す
ような構造のものでもよい。第2図の場合に比べ、固体
ソース1はソース保持筒11の壁r通して加熱されるた
めgA度上昇かやや遅くなるが、不活性ガス1か固体ソ
ース1t−下方から吹き上げることかないので、固体ソ
ース1が飛散することか少ないという利点がある。
ような構造のものでもよい。第2図の場合に比べ、固体
ソース1はソース保持筒11の壁r通して加熱されるた
めgA度上昇かやや遅くなるが、不活性ガス1か固体ソ
ース1t−下方から吹き上げることかないので、固体ソ
ース1が飛散することか少ないという利点がある。
さらに、第3図に示すり[Mlのように、固体ソース容
器2r貫通した加熱流体供給用蛇t12に設轄、この中
に、加熱されたガス、または加熱され友液体よりなる加
熱流体13に通すことらより固体ソース容器2内の固体
ソースl【加熱し、該固体ソー71をガス化して反応炉
10の中に供給してもよい。なお、加熱流体13として
用いられるカスは不活性ガスでなくてもよく、液体は油
や水等を含む。
器2r貫通した加熱流体供給用蛇t12に設轄、この中
に、加熱されたガス、または加熱され友液体よりなる加
熱流体13に通すことらより固体ソース容器2内の固体
ソースl【加熱し、該固体ソー71をガス化して反応炉
10の中に供給してもよい。なお、加熱流体13として
用いられるカスは不活性ガスでなくてもよく、液体は油
や水等を含む。
前記し友実施例では、固体ソースについて本発明r説明
して米たが、蒸発しにくい液体ソース(友とえば、Ti
(31,などのように、重量でrt液体であるか、加熱
しな込と十分な蒸発重か得られないようなソース)の加
熱方式としても、本発明に*eJK適用することかでき
る。
して米たが、蒸発しにくい液体ソース(友とえば、Ti
(31,などのように、重量でrt液体であるか、加熱
しな込と十分な蒸発重か得られないようなソース)の加
熱方式としても、本発明に*eJK適用することかでき
る。
以上説明したように、本発明によれば、ソースの加熱温
度の安定性とi1度上昇温度の高速化が連成でき、固体
tたは接体のソースからガス化され几反応ソースr反応
塞へ安定して供給することができる。
度の安定性とi1度上昇温度の高速化が連成でき、固体
tたは接体のソースからガス化され几反応ソースr反応
塞へ安定して供給することができる。
第1図は本発明による薄膜形成相ソース供給装置の一実
施的の概略説明図、第2図は本発明の第2実mガの蟹略
説明図、第3図は本発明の第3実施的の概略説明図であ
る。 1・・・固体ソース、2・・・固体ソース容器、3・・
・孔付きの固体ソース保持板、番・・・不活性ガス、5
・・・不活性ガス供給管、6・・・ガス加熱用ヒータ、
7・・・1151針、8・・・混合ガス、9・・・混合
ガス供給管、10・・・反応墓、11・・・ソース保持
筒、12・・・加熱大体供給用蛇管、13・・・加熱流
体。
施的の概略説明図、第2図は本発明の第2実mガの蟹略
説明図、第3図は本発明の第3実施的の概略説明図であ
る。 1・・・固体ソース、2・・・固体ソース容器、3・・
・孔付きの固体ソース保持板、番・・・不活性ガス、5
・・・不活性ガス供給管、6・・・ガス加熱用ヒータ、
7・・・1151針、8・・・混合ガス、9・・・混合
ガス供給管、10・・・反応墓、11・・・ソース保持
筒、12・・・加熱大体供給用蛇管、13・・・加熱流
体。
Claims (1)
- OVD法による金属薄膜あるいは金属化合物薄膜の形成
装置において、ソースを加1m!Ifi体で加熱してガ
ス化させて反応室に供給するととt−特徴とする薄膜形
成用ソース供給装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP762482A JPS58126973A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 薄膜形成用ソ−ス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP762482A JPS58126973A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 薄膜形成用ソ−ス供給装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58126973A true JPS58126973A (ja) | 1983-07-28 |
Family
ID=11670972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP762482A Pending JPS58126973A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 薄膜形成用ソ−ス供給装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58126973A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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EP0153526A2 (en) * | 1984-02-17 | 1985-09-04 | Stauffer Chemical Company | Vacuum deposition processes employing a continuous pnictide delivery system, particularly sputtering |
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WO2005118119A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
KR100767296B1 (ko) | 2006-01-16 | 2007-10-17 | 주식회사 테라세미콘 | 화학기상증착장치의 소스파우더 공급장치 |
KR100773567B1 (ko) | 2006-07-06 | 2007-11-07 | 세메스 주식회사 | 증착물질 공급 장치 |
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US10895010B2 (en) | 2006-08-31 | 2021-01-19 | Entegris, Inc. | Solid precursor-based delivery of fluid utilizing controlled solids morphology |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP762482A patent/JPS58126973A/ja active Pending
Cited By (21)
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US7300038B2 (en) | 2002-07-23 | 2007-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
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US7556244B2 (en) | 2002-07-23 | 2009-07-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
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JP2008501507A (ja) * | 2004-06-01 | 2008-01-24 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける方法及び装置 |
JP2013049926A (ja) * | 2004-06-01 | 2013-03-14 | Advanced Technology Materials Inc | ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける方法及び装置 |
WO2005118119A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
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