JPS58126613A - 薄膜電極の加工方法 - Google Patents
薄膜電極の加工方法Info
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- JPS58126613A JPS58126613A JP923182A JP923182A JPS58126613A JP S58126613 A JPS58126613 A JP S58126613A JP 923182 A JP923182 A JP 923182A JP 923182 A JP923182 A JP 923182A JP S58126613 A JPS58126613 A JP S58126613A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光を用いて薄膜電極を任意の形状に分割
する方法に係るものである。
する方法に係るものである。
従来、薄膜電極を任意の形状に分割する方法としては主
にケミカルエツチング法が採られていた。
にケミカルエツチング法が採られていた。
しかるにこの場合は予め分割すべき形状に合わせた原図
を作成し、写真法又は印刷法を用いて薄膜電極の表面に
前記原図よりえられた形状をもつエツチングレジスト族
を形成させ、該レジスト躾による保護を受けていない部
分の薄膜電極を薬液を用いてエツチングし、さらに前記
レジスト躾を除去したのちに洗滌・乾燥するという複雑
な工程を経てはじめて前記薄膜電極を任意の形状に分割
できるものであった。
を作成し、写真法又は印刷法を用いて薄膜電極の表面に
前記原図よりえられた形状をもつエツチングレジスト族
を形成させ、該レジスト躾による保護を受けていない部
分の薄膜電極を薬液を用いてエツチングし、さらに前記
レジスト躾を除去したのちに洗滌・乾燥するという複雑
な工程を経てはじめて前記薄膜電極を任意の形状に分割
できるものであった。
本発明の目的は上述の如き複雑な工程を改善し、簡単な
装置でしかも生塵性良く薄膜電極を任意の形状に分割す
る方法を提供することにある。
装置でしかも生塵性良く薄膜電極を任意の形状に分割す
る方法を提供することにある。
本発明によれば分割されるべき薄膜電極の形状は予めコ
ンピュータにプログラムしておき、該コンピュータによ
り、レーザ光の照射位置の前記薄膜電極の面上における
相対位置を制御操作させるだけで、前記薄膜電極を線状
に溶−・蒸発させ、所定の形状に分割することができる
。レーザ光の照射位置の薄膜電極の面上における相対位
置を制御操作するためには、レーザ発生装置の内部に偏
向系を設けこれをコンピュータ制御することによっても
できるし、あるいは又、薄膜電極の形成された物体を載
荷する台の移−をコンピュータ制御することによっても
できる。
ンピュータにプログラムしておき、該コンピュータによ
り、レーザ光の照射位置の前記薄膜電極の面上における
相対位置を制御操作させるだけで、前記薄膜電極を線状
に溶−・蒸発させ、所定の形状に分割することができる
。レーザ光の照射位置の薄膜電極の面上における相対位
置を制御操作するためには、レーザ発生装置の内部に偏
向系を設けこれをコンピュータ制御することによっても
できるし、あるいは又、薄膜電極の形成された物体を載
荷する台の移−をコンピュータ制御することによっても
できる。
本発明の利点は、ケミカルエツチングのしにくい５ｎ０
２ 躾、又は貴金属の躾を少くとも一部として含む薄
膜電極の加工に用いるとき、大いに発揮される。すなわ
ちこれらの薄膜電極をケミカルエツチングするときは、
上述の如く工程が複雑であることに加えて、薬液による
エツチングの際の操作条件の管理が容易でなく、又、エ
ツチングに長ｒｔｒｍｔｒ＊するのであるが、本発明に
よるときは、レーザ光源の種類と出力とを選定すること
により極めて容易に加工することができるのである。
２ 躾、又は貴金属の躾を少くとも一部として含む薄
膜電極の加工に用いるとき、大いに発揮される。すなわ
ちこれらの薄膜電極をケミカルエツチングするときは、
上述の如く工程が複雑であることに加えて、薬液による
エツチングの際の操作条件の管理が容易でなく、又、エ
ツチングに長ｒｔｒｍｔｒ＊するのであるが、本発明に
よるときは、レーザ光源の種類と出力とを選定すること
により極めて容易に加工することができるのである。
次に本発明を実施例により説明すると以下の通りである
。
。
図１は、レーザ光照射により加工された薄膜電極の例を
示すものであって、図中の３は分割された薄膜電極の一
区分であり４は分割線である。薄膜１１ｍ１ｕＳｎＯ２
躾１ａとＩＴＯ躾１ｂと／）’６ＪＲす、ガラス素板２
の上に真空蒸着（より形成されたものであり、薄膜電極
１の厚さは約１０００人、ガラス素板２の厚さは０．７
−である。加工条件は、レーザ光源としてＹＡＧパルス
レーザを用い、Ｌ／−＋ｆパ’）−を３．２Ｗ、パルス
屑ｗｔ数１０ＫＨ２とし、薄膜電極１上に照射したレー
ザ光を該薄膜電極１の面上で速１１５０ Ｉ−／ Ｓｅ
ｃで走査させる。この結果レーザ光が照射された部分の
前記薄膜電極は線幅的１００μで分割され、かつガラス
素板にはほとんど損傷が見られなかった。薄膜電極１の
材質や厚みが上記と興なる場合は、レーザ光源の種類・
パワー・走査速度等を適宜変更することにより同様の加
工を行なうことができる。
示すものであって、図中の３は分割された薄膜電極の一
区分であり４は分割線である。薄膜１１ｍ１ｕＳｎＯ２
躾１ａとＩＴＯ躾１ｂと／）’６ＪＲす、ガラス素板２
の上に真空蒸着（より形成されたものであり、薄膜電極
１の厚さは約１０００人、ガラス素板２の厚さは０．７
−である。加工条件は、レーザ光源としてＹＡＧパルス
レーザを用い、Ｌ／−＋ｆパ’）−を３．２Ｗ、パルス
屑ｗｔ数１０ＫＨ２とし、薄膜電極１上に照射したレー
ザ光を該薄膜電極１の面上で速１１５０ Ｉ−／ Ｓｅ
ｃで走査させる。この結果レーザ光が照射された部分の
前記薄膜電極は線幅的１００μで分割され、かつガラス
素板にはほとんど損傷が見られなかった。薄膜電極１の
材質や厚みが上記と興なる場合は、レーザ光源の種類・
パワー・走査速度等を適宜変更することにより同様の加
工を行なうことができる。
本発明の方法で加工した薄膜電極は、アモルファス太陽
電池用電極や液晶表示板用電極として利用できる。とく
にペテ０接合型アモルファス太■電池では窓側電極とし
て３ｎ０２１１又は貴金属の躾を少くとも一部として含
む薄膜電極がしばしば用いられるので、本発明の適用が
大いに有効である。またａ−８ｉ Ｃ： Ｈ、ａ−８ｔ
Ｎ ： Ｈ、ａ−３ｉ ＣＮ：Ｈ等のドープ層を用い
るヘテロ接合太陽電池（特願昭５６−１１２５７１）に
おいては、ドープ層の抵抗が比較的大きい場合がありこ
の場合にはＩＴＯ＋５ｎ０２ の基板が特に有効になる
のであるが、５ｎ０２ は前述の如くエツチングしにく
いので、従来はそのパターン化が困離であった。
電池用電極や液晶表示板用電極として利用できる。とく
にペテ０接合型アモルファス太■電池では窓側電極とし
て３ｎ０２１１又は貴金属の躾を少くとも一部として含
む薄膜電極がしばしば用いられるので、本発明の適用が
大いに有効である。またａ−８ｉ Ｃ： Ｈ、ａ−８ｔ
Ｎ ： Ｈ、ａ−３ｉ ＣＮ：Ｈ等のドープ層を用い
るヘテロ接合太陽電池（特願昭５６−１１２５７１）に
おいては、ドープ層の抵抗が比較的大きい場合がありこ
の場合にはＩＴＯ＋５ｎ０２ の基板が特に有効になる
のであるが、５ｎ０２ は前述の如くエツチングしにく
いので、従来はそのパターン化が困離であった。
本発明は、このような場合において特に有効である。加
えてアモルファス太陽電池の場合は、アモルファス層の
抵抗値が比較的高いため、薄膜電極の分割線幅が１００
μ程度と狭くても隣接電極間のリーク電流は無視するこ
とができ、寅用土何らの問題なしに本発明を適用できる
ものである。
えてアモルファス太陽電池の場合は、アモルファス層の
抵抗値が比較的高いため、薄膜電極の分割線幅が１００
μ程度と狭くても隣接電極間のリーク電流は無視するこ
とができ、寅用土何らの問題なしに本発明を適用できる
ものである。
図２は、ガラス素板２上にＩＴＯ躾１ｂと５ｎ０２躾１
ａを形成して薄膜電極１となし、該薄膜電極１を本発明
の方法により分割加工した上でアモルファス太陽電池５
を形成し、最後に裏面電極６を設けたものを示す。アモ
ルファス太陽電池５はρ型ａ−８ＩＣ：ｌ−４５Ｂ、真
性ａ−８ｉ ：Ｈ５ｂ。
ａを形成して薄膜電極１となし、該薄膜電極１を本発明
の方法により分割加工した上でアモルファス太陽電池５
を形成し、最後に裏面電極６を設けたものを示す。アモ
ルファス太陽電池５はρ型ａ−８ＩＣ：ｌ−４５Ｂ、真
性ａ−８ｉ ：Ｈ５ｂ。
０型ａ−８ｉ：Ｈ５ｃより成るヘテロ接合型ρ１ｎ太陽
電池である。
電池である。
以上述べたように、本発明は従来のケミカルエツチング
による薄膜電極の加工の複雑さを大幅に改善するもので
、本発明によればケミカルエツチングのしにくい薄膜電
極であっても容易に形状分割できるのである。
による薄膜電極の加工の複雑さを大幅に改善するもので
、本発明によればケミカルエツチングのしにくい薄膜電
極であっても容易に形状分割できるのである。
図１（Ａ）はガラス素板上に形成された薄膜電極を加工
した状態を示す平面図、同図（Ｂ）は同上の８−８線断
面図である。図２は本発明の方法で加工した薄膜電極上
にアモルファス太陽電池を形成した例を示すものである
。 １・・・薄膜電極、 １ａ・・・５ｎ０２
躾、１ｂ・・・ＩＴＯ躾、 ２・・・ガラス
素板、３・・・薄膜電極の一区分、 ４・・・分割線
、５・・・アモルファス太陽電池、
した状態を示す平面図、同図（Ｂ）は同上の８−８線断
面図である。図２は本発明の方法で加工した薄膜電極上
にアモルファス太陽電池を形成した例を示すものである
。 １・・・薄膜電極、 １ａ・・・５ｎ０２
躾、１ｂ・・・ＩＴＯ躾、 ２・・・ガラス
素板、３・・・薄膜電極の一区分、 ４・・・分割線
、５・・・アモルファス太陽電池、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 薄膜電極の面上にレーザ光を照射し、照射点の位置
を移動させて前記薄膜電極を線状に溶−・蒸発させ該薄
膜電極を任意の形状に分割することを特徴とする薄膜電
極の加工方法。 ２ 前記薄膜電極が、５ｎ０２ 躾、ＩＴＯとＳｎＯ
２との複合膜、ＩＴＯと貴金属との複合膜、又はＳｎＯ
２と貴金属との複合膜であることを特徴とする特許請求
のＩＩｌ！第１項記載の薄膜電極の加工方法。 ３ 前記薄膜電極が、ヘテロ接合型アモルファス太陽電
池の窓側に用いられるものであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項又は第２項記載の薄膜電極の加工方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP923182A JPS58126613A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 薄膜電極の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP923182A JPS58126613A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 薄膜電極の加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58126613A true JPS58126613A (ja) | 1983-07-28 |
| JPH0237047B2 JPH0237047B2 (ja) | 1990-08-22 |
Family
ID=11714627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP923182A Granted JPS58126613A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 薄膜電極の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58126613A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05303916A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Futaba Corp | 透明導電膜配線基板の製造方法 |
| WO2005076292A1 (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Asahi Glass Company, Limited | 透明電極の製造方法 |
| JP2015181424A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 大日本印刷株式会社 | 細胞培養用電極及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50126194A (ja) * | 1974-03-22 | 1975-10-03 | ||
| JPS5130970A (en) * | 1974-09-10 | 1976-03-16 | Seiko Instr & Electronics | Pataandenkyoku no keiseihoho |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP923182A patent/JPS58126613A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50126194A (ja) * | 1974-03-22 | 1975-10-03 | ||
| JPS5130970A (en) * | 1974-09-10 | 1976-03-16 | Seiko Instr & Electronics | Pataandenkyoku no keiseihoho |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05303916A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Futaba Corp | 透明導電膜配線基板の製造方法 |
| WO2005076292A1 (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Asahi Glass Company, Limited | 透明電極の製造方法 |
| JPWO2005076292A1 (ja) * | 2004-02-09 | 2007-10-18 | 旭硝子株式会社 | 透明電極の製造方法 |
| KR100968389B1 (ko) * | 2004-02-09 | 2010-07-07 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 투명전극의 제조 방법 |
| JP4655939B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2011-03-23 | 旭硝子株式会社 | 透明電極の製造方法 |
| JP2015181424A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 大日本印刷株式会社 | 細胞培養用電極及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0237047B2 (ja) | 1990-08-22 |
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