JPS58122694A - 記憶装置 - Google Patents
記憶装置Info
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- JPS58122694A JPS58122694A JP57005664A JP566482A JPS58122694A JP S58122694 A JPS58122694 A JP S58122694A JP 57005664 A JP57005664 A JP 57005664A JP 566482 A JP566482 A JP 566482A JP S58122694 A JPS58122694 A JP S58122694A
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- Japan
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- inelastic
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Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
- G11C13/0014—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/5664—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using organic memory material storage elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/5692—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency read-only digital stores using storage elements with more than two stable states
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/77—Array wherein the memory element being directly connected to the bit lines and word lines without any access device being used
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は非弾性トンネル効果を利用した記憶装置に関
する◎ 発明の技術的背景 第１図は弾性トンネル接合の構造を示すもので、Ｊｌは
アルミニウムよシなる電極導体、１２はＡｊ２０ 、よ
りなる絶縁体、１３はｐｂよリなる電極導体である。こ
のようなトンネル接合において両電極導体ＪＪ，ＪＪ間
に電圧を印加した時のバンドダイヤグラムを第２図に示
す．ｗ。
する◎ 発明の技術的背景 第１図は弾性トンネル接合の構造を示すもので、Ｊｌは
アルミニウムよシなる電極導体、１２はＡｊ２０ 、よ
りなる絶縁体、１３はｐｂよリなる電極導体である。こ
のようなトンネル接合において両電極導体ＪＪ，ＪＪ間
に電圧を印加した時のバンドダイヤグラムを第２図に示
す．ｗ。
２図に示すように電圧を印加すると右側ｗ極の電子が左
側へ弾性トンネル効果により移動し電流が流れる。この
時の電圧−電流特性を第３図に示す。第３図において、
電圧に灼する”／ｄＶ特性は破線に示すようになる。従
って第１図に示したように１［ｒ出御電流特性は放物線
状となる。
側へ弾性トンネル効果により移動し電流が流れる。この
時の電圧−電流特性を第３図に示す。第３図において、
電圧に灼する”／ｄＶ特性は破線に示すようになる。従
って第１図に示したように１［ｒ出御電流特性は放物線
状となる。
ところで、第１図のようなトンネル接合は弾性トンネル
効果を利用しているもので、電圧１ｌ流特性は連続的に
変化する。
効果を利用しているもので、電圧１ｌ流特性は連続的に
変化する。
背景技術の問題点
しかし、このような弾性トンネル効果會利用して記憶装
置を作ることはできなかった。
置を作ることはできなかった。
発明の目的
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的
は非弾性トンネル効果を利用した記憶装置ｉｌｔを提供
することにある。
は非弾性トンネル効果を利用した記憶装置ｉｌｔを提供
することにある。
発明の概暮
両電極をそれぞれ行リ列方向に配置し、これらの交点を
非弾性トンネル接合として、上側の電極を付ける以前に
その交点となる用足の位置に何らかの物質を添加する拳
で情報を蓄え、その読み出しは所定の電圧で電流の急増
がおこるかおこらないかで“有り”無し”を判定してい
る。
非弾性トンネル接合として、上側の電極を付ける以前に
その交点となる用足の位置に何らかの物質を添加する拳
で情報を蓄え、その読み出しは所定の電圧で電流の急増
がおこるかおこらないかで“有り”無し”を判定してい
る。
発明の実施例
以下、図面全参照してこの発明の−！！施例を説明する
。第４図において、２ノはアルミニウムよりなる電極導
体、２２はυ２０３よシなる絶縁体、２３ＦｉＰｂｊ＃
）なる電極導体である。この絶縁体２２ＫＩｄ例えばベ
ンゼン、安息香酸等の冷加物質２４が付加されている。
。第４図において、２ノはアルミニウムよりなる電極導
体、２２はυ２０３よシなる絶縁体、２３ＦｉＰｂｊ＃
）なる電極導体である。この絶縁体２２ＫＩｄ例えばベ
ンゼン、安息香酸等の冷加物質２４が付加されている。
！４図のような構造のバンドダイヤグラムＩＩｉ第５図
に示す。
に示す。
第５図において、電圧全接合に添加した物質の励起モー
ド以上にすると、図の実線で描いたようにこのモードを
励起してトンネルするプロセスも加わるので、電流が増
大するにの場合におけるｖ−１曲線、及びその微分した
曲＃を第６図に示しておく。第６図の％性曲ＩｉＭｔ第
３図の特性１絢を比軟すると、１１０７／、のバイアス
で電流が急増する。この場合、バイアス値は肉情電極の
種類によらない。ここで、ｈωは励起モードのエネルギ
ーである。例えば、添、加物賀がベンゼン、安息香酸の
場合０．３６Ｖ、０．４Ｖにおいて電流急増がおこる。
ド以上にすると、図の実線で描いたようにこのモードを
励起してトンネルするプロセスも加わるので、電流が増
大するにの場合におけるｖ−１曲線、及びその微分した
曲＃を第６図に示しておく。第６図の％性曲ＩｉＭｔ第
３図の特性１絢を比軟すると、１１０７／、のバイアス
で電流が急増する。この場合、バイアス値は肉情電極の
種類によらない。ここで、ｈωは励起モードのエネルギ
ーである。例えば、添、加物賀がベンゼン、安息香酸の
場合０．３６Ｖ、０．４Ｖにおいて電流急増がおこる。
第７図に上記した非弾性トンネル々ｊ果奮利用した記憶
装置を示す。図において、３１〜３５はそれぞれ行方向
に配列されたｗ′極で、例えは−フルミニラムよりなる
。また４１〜４５は夕１ｊｈ向に配列された電極で紹！
えばｐｂよりなる。そして、行方向に配列された電極と
夕１［方向に配夕Ｉ］された篭、極との交点に介在する
絶縁物に上記した添加物質を付加した場合にはその添加
物−１七の励起モードのエネルギーに対応するバイアス
を加えたときに電流急増が起こる。このようにして冷加
物負會付加したことＶ（よる上すじ鋤ｒｎｃＱ−）急増
を検出することにより、行方向の電極と夕ＩＪ方向の電
極との交点に１ビツトの情報がある５かないか検出され
る。実際問題としてにｄＩ／ｄＶｈ。
装置を示す。図において、３１〜３５はそれぞれ行方向
に配列されたｗ′極で、例えは−フルミニラムよりなる
。また４１〜４５は夕１ｊｈ向に配列された電極で紹！
えばｐｂよりなる。そして、行方向に配列された電極と
夕１［方向に配夕Ｉ］された篭、極との交点に介在する
絶縁物に上記した添加物質を付加した場合にはその添加
物−１七の励起モードのエネルギーに対応するバイアス
を加えたときに電流急増が起こる。このようにして冷加
物負會付加したことＶ（よる上すじ鋤ｒｎｃＱ−）急増
を検出することにより、行方向の電極と夕ＩＪ方向の電
極との交点に１ビツトの情報がある５かないか検出され
る。実際問題としてにｄＩ／ｄＶｈ。
検出するようにしても良い。
また、交点に介在する絶縁物に付加する両肌物質を２種
類以上とすれば、電流の急増箇所は２ケ所以上となるた
め、交点に２ビ、トリ上の情報を蓄えることができる。
類以上とすれば、電流の急増箇所は２ケ所以上となるた
め、交点に２ビ、トリ上の情報を蓄えることができる。
発明の効果
以上詳述したようＫこの発明によれに１異なるエネルギ
ーの励起モードをもつ数種の物質會選べば行９列方向の
配線数を変える事なく、交差点数に更に添加物質の種類
数を掛けただけの多量の情報保持を可能とすることがで
きる。
ーの励起モードをもつ数種の物質會選べば行９列方向の
配線数を変える事なく、交差点数に更に添加物質の種類
数を掛けただけの多量の情報保持を可能とすることがで
きる。
ｗＩＪ１図は弾性トンネル接合の構造をポす１弟２図は
バンドダイヤグラムを示す図、第３図は電圧−電流゛％
性を示す凶、第４図は非弾性トンネル接合の構造を示す
図、第５図はバンドダイヤグラムを示す図、第６図Ｆｉ
亀、圧−電流特性を示す図１１第７図はこの発明に係る
記憶装置を示す図である。 １１．１３，２１．２３・・・電極導体、１２゜２２・
・・絶縁体、２４・・・添加物質 ３１〜３５゜４１〜
４５・・・電極。 第１図 第２図 Ｌ−１）−Ｊ 第３図 第４図
バンドダイヤグラムを示す図、第３図は電圧−電流゛％
性を示す凶、第４図は非弾性トンネル接合の構造を示す
図、第５図はバンドダイヤグラムを示す図、第６図Ｆｉ
亀、圧−電流特性を示す図１１第７図はこの発明に係る
記憶装置を示す図である。 １１．１３，２１．２３・・・電極導体、１２゜２２・
・・絶縁体、２４・・・添加物質 ３１〜３５゜４１〜
４５・・・電極。 第１図 第２図 Ｌ−１）−Ｊ 第３図 第４図
Claims (1)
- マ） Ｉ７クス状に配列された行線、列線の交互部に固
有の励起モードをもつ１あるいは複数種の物質を添加し
、交互部に１あるいは複数種の情報を記憶するようＫし
たことを特徴とする記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57005664A JPS58122694A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57005664A JPS58122694A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58122694A true JPS58122694A (ja) | 1983-07-21 |
Family
ID=11617366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57005664A Pending JPS58122694A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58122694A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4205044A1 (de) * | 1991-02-19 | 1992-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | Masken-rom mit tunnelstromerfassung zum speichern von daten und herstellungsverfahren dafuer |
| US8061289B2 (en) | 2006-03-29 | 2011-11-22 | Jon Khachaturian | Marine lifting apparatus |
| US8985040B2 (en) | 2006-12-13 | 2015-03-24 | Jon Khachaturian | Marine lifting apparatus |
-
1982
- 1982-01-18 JP JP57005664A patent/JPS58122694A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4205044A1 (de) * | 1991-02-19 | 1992-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | Masken-rom mit tunnelstromerfassung zum speichern von daten und herstellungsverfahren dafuer |
| US5464989A (en) * | 1991-02-19 | 1995-11-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mask ROM using tunnel current detection to store data and a method of manufacturing thereof |
| DE4205044C2 (de) * | 1991-02-19 | 1996-07-11 | Mitsubishi Electric Corp | Festwertspeicher (Masken-ROM) und Verfahren zu deren Herstellung |
| US5580809A (en) * | 1991-02-19 | 1996-12-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a mask ROM using tunnel current detection to store data |
| US8061289B2 (en) | 2006-03-29 | 2011-11-22 | Jon Khachaturian | Marine lifting apparatus |
| US9604710B2 (en) | 2006-03-29 | 2017-03-28 | Jon Khachaturian | Marine lifting apparatus |
| US10543890B2 (en) | 2006-03-29 | 2020-01-28 | Versabar, Inc. | Marine lifting apparatus |
| US11345452B2 (en) | 2006-03-29 | 2022-05-31 | Versabar, Inc. | Marine lifting apparatus |
| US8985040B2 (en) | 2006-12-13 | 2015-03-24 | Jon Khachaturian | Marine lifting apparatus |
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