JPS5811741B2 - probe board - Google Patents
probe boardInfo
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- JPS5811741B2 JPS5811741B2 JP55007579A JP757980A JPS5811741B2 JP S5811741 B2 JPS5811741 B2 JP S5811741B2 JP 55007579 A JP55007579 A JP 55007579A JP 757980 A JP757980 A JP 757980A JP S5811741 B2 JPS5811741 B2 JP S5811741B2
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- probe
- plate
- small hole
- alignment
- substrate
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-
- H10P74/00—
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、主として半導体ウエノ上に完成されたモノ
リシック半導体集積回路装置の検査測定。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention mainly relates to inspection and measurement of a monolithic semiconductor integrated circuit device completed on a semiconductor substrate.
に用いられるグローブボードに関する。This invention relates to a glove board used for.
従来、半導体ウェハ上に完成されたモノリシック半導体
集積回路装置の検査測定において、上記モノリシック半
導体集積回路装置の入出力端子と電気的接続を得る手段
として、例えば、株式会社工業調査金より昭和45年1
1月5日に発行された電子材料(11月臨時増刊号)の
P145に「固定プローブカードの利用」として記載さ
れた技術が公知である。Conventionally, in the inspection and measurement of a monolithic semiconductor integrated circuit device completed on a semiconductor wafer, for example, as a means for obtaining electrical connection with the input/output terminals of the monolithic semiconductor integrated circuit device, there was a
The technique described as "use of fixed probe card" on page 145 of Electronic Materials (November Special Issue) published on January 5th is publicly known.
これは、調整式マルチポイントプローブに換わるもので
あり、プリント基板の開口部中心に向って放射状に取付
片を介して取り付けられ、接触を得るべきウェハチップ
の電極(ポンディングパッド)に相当する位置で電極面
に対して略垂直に曲げた尖端を有するプローブ針を固定
した構造のものである。This replaces the adjustable multi-point probe and is attached via a mounting piece radially toward the center of the opening in the printed circuit board, at a position corresponding to the electrode (ponding pad) of the wafer chip to which contact is to be made. It has a structure in which a probe needle having a tip bent approximately perpendicular to the electrode surface is fixed.
ところで、4tnX4mmの大きさのウェハチップに、
128個と多数の電極を設けたLSI(大規模半導体集
積回路)においては、一つの電極の大きさは、70μ×
70μ程度と小さく、隣接する電極間の間隔は、両電極
の中点間が120μ〜150μ程度と極めて接近して設
けられるものである。By the way, on a wafer chip with a size of 4tn x 4mm,
In an LSI (Large Scale Semiconductor Integrated Circuit) with 128 electrodes, the size of one electrode is 70μ×
The spacing between adjacent electrodes is as small as about 70μ, and the distance between the midpoints of both electrodes is about 120μ to 150μ, which is extremely close to each other.
したがって、直径が250μ程度とし、先端部から31
tv程度の部分からテーパーを設けて細くする従来のプ
ローブ針では、隣接するプローブ針が互いに接触してし
まい、上述のような高密度の測定には用いることができ
ない。Therefore, the diameter should be about 250μ, and the diameter should be 31mm from the tip.
With conventional probe needles that are tapered from a portion of about tv, adjacent probe needles come into contact with each other and cannot be used for high-density measurements as described above.
そこで、プローブ針を細くして上記プローブ針間の間隔
(絶縁)を確保することが考えられるが、プローブ針の
バネ性が弱くなり、必要な接触圧が得にくくなるととも
に、耐久性に欠けるということより実用に供し得ない。Therefore, it is possible to make the probe needles thinner to ensure the spacing (insulation) between the probe needles, but this weakens the springiness of the probe needles, making it difficult to obtain the necessary contact pressure and lacking in durability. In fact, it cannot be put to practical use.
また、上記ワイヤボンディングに換え、ウエノチップの
電極部に半田バンプを形成して外付端子を形成するセラ
ミック基板とを半田付けを行なう場合において、ウェハ
チップとセラミック基板との熱膨張係数が異なることの
機械的ストレスを軽減するため、ウェハチップのより中
心部周辺に半田バンプ(電極)を形成することが考えら
れている。In addition, when soldering a Ueno chip to a ceramic substrate on which external terminals are formed by forming solder bumps on the electrode portions of the wafer chip instead of wire bonding, the thermal expansion coefficients of the wafer chip and the ceramic substrate are different. In order to reduce the mechanical stress of wafer chips, it has been considered to form solder bumps (electrodes) closer to the center of the wafer chip.
このような構成のウェハチップにあっては電極間隔がさ
らに狭く複数列に密集して形成されるとともに、半田バ
ンプの表面が略球状となっているため、もはや上記構造
の固定プローブカードを利用することができない。In wafer chips with such a configuration, the electrode spacing is narrower and the electrodes are densely formed in multiple rows, and the surface of the solder bumps is approximately spherical, so it is no longer possible to use a fixed probe card with the above structure. I can't.
この発明は、前述のような高密度の測定点を有する被測
定物に対して良好な位置合せ、及び電気的接続を得るこ
とができるブローブボ=ドを提供するためになされた。The present invention has been made in order to provide a probe board that can achieve good alignment and electrical connection with an object to be measured having a high density of measurement points as described above.
この発明は、測定点に対応して上面と下面とを略垂直に
貫通する小孔を有し、少なくとも上記小孔を含む表面が
絶縁性を有する基板の上記小孔に軸方向に対してバネ性
を持たせた構成の探針を挿入して、上面側において基板
と固着するとともに配線手段を設け、下面側に尖端を突
出させた構造の探針板と、上記測定点に対応して上面と
下面とを貫通する小孔を有する位置合せ板と、上記位置
合せ板に探針板を位置合せして重ね合せるガイド手段と
を含むことを特徴とするものである。The present invention has a small hole that penetrates the upper surface and the lower surface substantially perpendicularly corresponding to the measurement point, and a spring is applied in the axial direction to the small hole of the substrate whose surface including the small hole has at least an insulating property. A probe plate with a structure that has a flexible structure is inserted, is fixed to the substrate on the upper surface side, and is provided with wiring means, and has a tip protruding on the lower surface side. The device is characterized in that it includes an alignment plate having a small hole passing through the alignment plate and the lower surface, and guide means for aligning and superimposing the probe plate on the alignment plate.
以下、この発明を実施例とともに詳細に説明する。Hereinafter, this invention will be explained in detail together with examples.
第1図は、この発明に係る探針板の要部一実施例を示す
拡大した断面図である。FIG. 1 is an enlarged sectional view showing an embodiment of the main part of the probe plate according to the present invention.
この実施例における探針板は、アルミニュウム板で構成
された基板1に被測定点に対応して上面と下面とを略垂
直に貫通する小孔3を形成して、この小孔3の表面を含
む基板1の表面に酸化アルミニウム膜1aを形成する。In the probe plate in this embodiment, a small hole 3 is formed in a substrate 1 made of an aluminum plate, and the small hole 3 is formed in a substrate 1 corresponding to a point to be measured, passing through the upper surface and the lower surface almost perpendicularly. An aluminum oxide film 1a is formed on the surface of the substrate 1 including the aluminum oxide film 1a.
この酸化アルミニウム膜1aは、例えば、アルミニウム
の腐蝕しやすい欠点を補う等のための周知の技術である
、いわゆるアルマイト処理、具体的にはしゆう酸溶液中
で電解することにより形成するものである。This aluminum oxide film 1a is formed, for example, by so-called alumite treatment, which is a well-known technique for compensating for the corrosion-prone defect of aluminum, and specifically by electrolysis in an oxalic acid solution. .
上記アルミニウム板を基板として用いたのは、上記測定
点に対応した小孔3を精度良く形成するだめの加工性を
考慮したものである。The aluminum plate was used as the substrate in consideration of workability for forming small holes 3 corresponding to the measurement points with high precision.
しかし、このままでは上記小孔に後述するような探針を
挿入した場合の探針間の絶縁性が得られないことより、
上記小孔3を含む基板1の表面に酸化アルミニウム膜3
aを形成して、その電気的絶縁性を利用するものである
。However, as it is, insulation between the probes cannot be obtained when inserting the probe into the small hole as described later.
An aluminum oxide film 3 is formed on the surface of the substrate 1 including the small holes 3.
A is formed and its electrical insulating properties are utilized.
上記基板1の小孔3には、それぞれ導電性を有するコイ
ル状のバネ4aと尖端を有する針4bとで構成された探
針を挿入し、固着材5でバネ4aの端を基板上面側にお
いて固着するものである。A probe consisting of a conductive coil spring 4a and a tipped needle 4b is inserted into the small hole 3 of the substrate 1, and the end of the spring 4a is fixed to the upper surface side of the substrate using the adhesive material 5. It is something that sticks.
上記バネ4aと針4bとは、溶接、半田付又は巻き付け
ること等により電気的及び機械的に接続するものである
。The spring 4a and needle 4b are electrically and mechanically connected by welding, soldering, winding, or the like.
あるいは、針の先端部を細くするとともに、基板1の下
面側にストッパーを設けることにより、針4bの離脱を
防止するものとしてもよい。Alternatively, the tip of the needle may be made thinner and a stopper may be provided on the lower surface of the substrate 1 to prevent the needle 4b from coming off.
そして、上面側において、バネ4aの端にリード線2等
の配線手段を接続して検査装置に導くものである。Then, on the upper surface side, a wiring means such as a lead wire 2 is connected to the end of the spring 4a to lead it to an inspection device.
第2図は、上記探針板の平面図であり、同図に示すよう
に上ii孔3は、ポンディングパッド又は半田バンプに
対応して多数設けられるものである。FIG. 2 is a plan view of the probe plate, and as shown in the figure, a large number of upper holes 3 are provided corresponding to bonding pads or solder bumps.
この実施例においては、図面を描く関係上40個と少な
いがこの発明で達成しようとするウェハチップの測定は
、前述のように例えば120個以上と多数であり、その
間隔も狭く構成されるものであり、それぞれの小孔に上
述のような探針が挿入され設けられるものである(図示
せず)。In this embodiment, there are only 40 wafer chips for drawing purposes, but the measurement of wafer chips to be achieved by this invention is as described above, for example, a large number of 120 or more chips, and the intervals between the chips are narrow. A probe as described above is inserted into each small hole (not shown).
この探針板を構成する基板1の周辺に設けられた小孔6
は、基板1の上面と下面を垂直に貫通するものであり、
次に説明する位置合せ板との位置合せを行なうものであ
る。Small holes 6 provided around the substrate 1 constituting this probe plate
penetrates vertically through the upper and lower surfaces of the substrate 1,
This is used to perform alignment with an alignment plate, which will be described next.
すなわち、上記構成の探針板にあっては、測定に際して
のウェハチップとの位置合せにおいて、上面側から探針
の尖端の位置を観察することができない。That is, with the probe plate having the above configuration, the position of the tip of the probe cannot be observed from the top surface side in alignment with the wafer chip during measurement.
そこで、この位置合せを容易に行なうため、第3図に示
すような位置合せ板を用いるものである。Therefore, in order to easily perform this alignment, an alignment plate as shown in FIG. 3 is used.
この位置合せ板は、上記同様なアルミニウム基板7に測
定点に対応して形成された小孔8を形成するとともに、
この小孔8の形状を探針挿入側である上面側において中
心に向う傾斜面を有する、いわゆるすり林状とする座ぐ
り加工を施すものである。This alignment plate has small holes 8 formed in an aluminum substrate 7 similar to the above, corresponding to measurement points, and
This small hole 8 is counterbore-shaped to have a so-called grove-like shape with an inclined surface toward the center on the upper surface side, which is the probe insertion side.
これは、位置合せ板の小孔8の探針を挿入する際の挿入
を容易にするためのものである。This is to facilitate insertion of the probe into the small hole 8 of the alignment plate.
そして、上記同様に小孔8を含む表面に酸化アルミニウ
ム膜7aを形成するものである。Then, as described above, an aluminum oxide film 7a is formed on the surface including the small holes 8.
また、上記小孔8の周辺に窓18at1abを形成し、
この窓18at1sbを介してウェハチップ表面を観察
するようにして、この位置合せ板とウェハチップとの位
置合せを容易にしようとするものである。Further, a window 18at1ab is formed around the small hole 8,
The wafer chip surface is observed through this window 18at1sb to facilitate alignment of the alignment plate and the wafer chip.
第4図は、上記位置合せ板の平面図であり、上記小孔8
は、探針板と同様なパターンで多数設けられるものであ
る。FIG. 4 is a plan view of the alignment plate, and shows the small holes 8
are provided in large numbers in the same pattern as the probe plate.
そして、この基板7には、上記探針板の小孔6に対応し
た位置に位置合せのための挿入棒9を上面側において垂
直に設けるものである。An insertion rod 9 for positioning is vertically provided on the upper surface of the substrate 7 at a position corresponding to the small hole 6 of the probe plate.
また、上記基板7には、小孔8の他に、この基板7のX
軸方向(及び/又はY軸方向)にスリット10を形成し
ておくものである。Further, in the substrate 7, in addition to the small hole 8,
A slit 10 is formed in the axial direction (and/or the Y-axis direction).
これは、ウェハチップのX軸(又はY軸)との位置合せ
峙に用いるアライニング調整のために用いるものである
。This is used for alignment adjustment used to align the wafer chip with the X axis (or Y axis).
この実施例においては、第5図に示すように、ウェハチ
ャックトップ11上に載置されたウェハチップ12上に
、プローバ本体に固定されて装潰された上記位置合せ板
を設けて、上記小孔8.スリット10を介して顕微鏡等
によりウェハチップ上面を観察して、小孔8を介して測
定点である例えば半田バンプ13と対応する小孔8を合
せ、この後、位置合せ板に探針板を上記位置合せガイド
を利用して重ね合せて探針と半田バンプとの位置合せを
行なうものでおる。In this embodiment, as shown in FIG. 5, the above-mentioned alignment plate, which is fixed and crushed to the prober body, is provided on the wafer chip 12 placed on the wafer chuck top 11, and the above-mentioned small Hole 8. Observe the top surface of the wafer chip using a microscope or the like through the slit 10, align the measurement point, for example, the solder bump 13, with the corresponding small hole 8 through the small hole 8, and then attach the probe plate to the alignment plate. The probe and the solder bump are aligned by overlapping them using the alignment guide.
すなわち、第6図に示すウエハブローバの概略図に示す
ように、ウェハチップ12を載置して吸引固定するウェ
ハチャックトップ11をステージ機構14によりX、Y
方向に移動及びθ方向に回転させることにより、ウェハ
チップの水平方向の移動を行ない、2ステ一ジ機構によ
り上下に移動させるものである。That is, as shown in the schematic diagram of the wafer blowbar shown in FIG.
The wafer chip is moved in the horizontal direction by moving in the direction and rotating in the θ direction, and is moved up and down by a two-stage mechanism.
そして、上記ウェハチャックトップ11の上面側の所定
の位置に上記位置合せ板7が接続体15を介してプロー
バ本体16に固定されるものである。The alignment plate 7 is fixed to the prober main body 16 at a predetermined position on the upper surface side of the wafer chuck top 11 via a connecting body 15.
また、この位置合せ板7の上面側の所定の位置には顕微
鏡等の観察手段17が取り付けられた構造のものである
。Furthermore, an observation means 17 such as a microscope is attached to a predetermined position on the upper surface side of the alignment plate 7.
したがって、上記ウェハチャックトップ11をX軸方向
に移動させ、これをスリット10を介して観察すること
により、θ方向の調整でウェハチップ配列のX軸と上記
スリット10とが同一方向とするアライニングを行なう
ことができる。Therefore, by moving the wafer chuck top 11 in the X-axis direction and observing it through the slit 10, alignment is performed so that the X-axis of the wafer chip arrangement and the slit 10 are aligned in the same direction by adjusting the θ direction. can be done.
そして、最初に測定すべきチップの半田バンプ等の測定
点が位置合せ板7の小孔8と一致するようにX、Yステ
ージを制御して位置合せを行なうものである。Then, alignment is performed by controlling the X and Y stages so that the measurement point such as a solder bump on the chip to be measured first matches the small hole 8 of the alignment plate 7.
この位置合せに際して、窓18a。18bを利用して、
位置合せすべき最初のチップを容易に見い出すことがで
きるものである。During this alignment, the window 18a. Using 18b,
The first chip to be aligned can be easily found.
この後、位置合せ板7の挿入棒9に探針板1の位置合せ
小孔6を挿入して、位置合せ板7ど探針板1とを重ね合
せて例えば、ネジ止め等により固定し、上記位置合せ板
7の小孔8を介して探針の尖端部を突出させるものであ
る。After this, the alignment holes 6 of the probe plate 1 are inserted into the insertion rods 9 of the alignment plate 7, and the alignment plate 7 and the probe plate 1 are overlapped and fixed by, for example, screws. The tip of the probe is made to protrude through the small hole 8 of the alignment plate 7.
これにより、探針と半田付バンブ等の位置合せを行なわ
せることができる。Thereby, the probe and the soldering bump etc. can be aligned.
上記位置合せに際しては、ウェハチャックトップ11を
2方向に押し上げた状態として位置合せ板との距離を短
くして観察を容易にすることが望ましい。When performing the above alignment, it is desirable that the wafer chuck top 11 be pushed up in two directions to shorten the distance from the alignment plate to facilitate observation.
また、上記位置合せ板7ど探針板1との重ね合せに際し
ては、ウェハチャックトップ11を下げた状態で行なう
ものとし、探針板1の上記重ね合せ後、測定時には、ウ
ェハチャックトップ11を押し上げて、探針に測定点で
ある半田バンプ等を所要の接触圧をもって接続させるも
のである。Furthermore, when overlapping the alignment plate 7 and the probe plate 1, the wafer chuck top 11 is lowered. The probe is pushed up to connect the probe to the measurement point, such as a solder bump, with the required contact pressure.
なお、次のウェハチップとの位置合せは、X方向、又は
Y方向にチップ間隔分づつ移動させることにより、自動
的に行なうものである。Note that alignment with the next wafer chip is automatically performed by moving the chip in the X direction or Y direction by the chip interval.
以上説明した、この実施例においては、探針板は、探針
を垂直に設ける構造であるため、探針を挿入する小孔を
精度良く形成することにより、探針尖端パターンと被測
定点パターンとの位置合せを行なうことができる。In this embodiment as explained above, since the probe plate has a structure in which the probes are installed vertically, the small holes into which the probes are inserted can be formed with high accuracy to form the probe tip pattern and the measurement point pattern. It is possible to perform alignment with
すなわち、小孔が探針の位置合せガイドとして作用する
ものであり、被測定点への圧着に際して尖端の水平方向
への位置ずれ、曲がりによる探針間の短絡を防止するこ
とができるため、前記高密度の測定を可能にするもので
ある。In other words, the small hole acts as a positioning guide for the probe, and it is possible to prevent a short circuit between the probes due to horizontal displacement or bending of the tip when crimping the tip to the point to be measured. This enables high-density measurements.
また、基板として加工性のすぐれたアルミニウム板を用
いるものであるため、直径が100μ程度の高精度に位
置合せした小孔を形成することが可能となるものである
。Furthermore, since an aluminum plate with excellent workability is used as the substrate, it is possible to form small holes with a diameter of about 100 μm that are aligned with high precision.
そして、その表面に酸化アルミニウム膜を形成するもの
であるので、小孔に探針を挿入する場合において、探針
間の絶縁性が保たれ、かつ、小孔表面が上記酸化アルミ
ニウム膜により滑らかなものとなり、プロービングにあ
たり、この小孔をガイドとして上下するプローブ針の上
下動を損うことがない。Since an aluminum oxide film is formed on the surface, when inserting the probe into the small hole, the insulation between the probes is maintained, and the surface of the small hole is smooth due to the aluminum oxide film. Therefore, during probing, the vertical movement of the probe needle, which moves up and down using this small hole as a guide, is not impaired.
なお、上記構造の探針板においては、基板に垂直に探針
を取り付けるものであるので、探針尖端とウェハチップ
の測定点を同時に観察することができない。In addition, in the probe plate having the above structure, since the probe is attached perpendicularly to the substrate, the tip of the probe and the measurement point of the wafer chip cannot be observed at the same time.
そこで、上記探針パターン(ウェハチップの測定パター
ンでもある)を有する小孔及びアライニング用のスリッ
トを設けた位置合せ板を用いて、この位置合せ板の小孔
、スリットを介してウェハチップ表面を観察することが
でき、位置合せ板とウェハチップとの位置合せが実現で
きる。Therefore, using an alignment plate with small holes and alignment slits having the above-mentioned probe pattern (which is also the wafer chip measurement pattern), the wafer chip surface is measured through the small holes and slits of this alignment plate. can be observed, and alignment between the alignment plate and the wafer chip can be achieved.
そして、この位置合せ板に探針板を重ね合せることによ
り、容易に探針板とウェハチップとの位置合せを行なう
ことができるものである。By superimposing the probe plate on this alignment plate, the probe plate and the wafer chip can be easily aligned.
この発明は、前記実施例に限定されず、探針板及び位置
合せ板を構成する基板は、加工性のすぐれた少なくとも
表面が絶縁処理されたものであれば何んであってもよく
、まだ探針の構造は、軸方向にバネ性を持たせる手段と
して竹の子バネを用いるもの、又は竹の子バネ自体を探
針として利用するもの等が利用できる。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and the substrate constituting the probe plate and the alignment plate may be any substrate as long as it has excellent workability and has at least its surface insulated. As for the structure of the needle, one that uses a bamboo shoot spring as a means to provide springiness in the axial direction, or one that uses a bamboo shoot spring itself as a probe, etc. can be used.
さらに、位置合せ板と探針板とを重ね合せる際の位置合
せ方法は、探針板に挿入棒を形成し、位置合せ板に対応
した挿入孔を設けるもの、又は、第7図に示すように、
探針板と位置合せ板とは、蝶番部9′で接続して、両者
を重ね合せるようにするものとしてもよい。Furthermore, the alignment method when overlapping the alignment plate and the probe plate is to form an insertion rod on the probe plate and provide a corresponding insertion hole in the alignment plate, or as shown in FIG. To,
The probe plate and the alignment plate may be connected at a hinge portion 9' so that they are overlapped.
さらには、位置合せ板にマークを形成しておき、探針板
には上記マークに対応した小孔等を形成しておき、観察
手段で観察しながら両者の位置合せを行なうもの等何ん
であってもよい。Furthermore, it is possible to form marks on the alignment plate, to form small holes corresponding to the marks on the probe plate, and to align the two while observing with an observation means. It's okay.
また、窓18a、18bの形状、数は種々変更できるも
のである。Moreover, the shape and number of windows 18a and 18b can be changed in various ways.
この発明に係るグローブボードは、前記高密度に形成さ
れたウェハチップの測定の他、各種回路が構成された複
数の半導体チップを薄膜技術を用いて各半導体チップ間
を接続する配線及び外部電極が形成されたセラミック基
板に直接ワイヤボンディング又は半田バンプにより接続
して、これらを一体的に封止することにより、1つの複
合的な超LSI(大規模集積回路)を得る場合の上記セ
ラミック基板の配線チェックに用いるプローブボード等
、高密度、多数の測定点を有する測定に広く利用できる
ものである。In addition to measuring the wafer chips formed at high density, the glove board according to the present invention has a plurality of semiconductor chips each having various circuits configured thereon, and has wiring and external electrodes that connect each semiconductor chip using thin film technology. Wiring of the above-mentioned ceramic substrate when one composite ultra-LSI (large-scale integrated circuit) is obtained by directly connecting the formed ceramic substrate with wire bonding or solder bumps and integrally sealing them. It can be widely used for measurements with high density and a large number of measurement points, such as probe boards used for checking.
第1図は、この発明の一実施例を示す探針板の拡大断面
図、第2図は、その平面図、第3図は、この発明の一実
施例を示す位置合せ板の拡大断面図、第4図は、その平
面図、第5図は、被測定物の拡大断面図、第6図は、ウ
エハプローバの概略図、第7図は、この発明の他の一実
施例を示すグローブボードの側面図である。
1・・・・・・基板、1a・・・・・・酸化アルミニウ
ム膜、2・・・・・・リード線、3・・・・・・小孔、
4a・・・・・・バネ、4b・・・・・・針、5・・・
・・・固着材、6・・・・・・小孔、7・・・・・・基
板、8・・・・・・小孔、9・・・・・・挿入棒、9′
・・・・・蝶番部、10・・・・・・スリット、11・
・・・・・ウェハチャック、12・・・・・・ウェハチ
ップ、13・・・・・・半田バンプ、14・・・・・・
ステージ機構、15・・・・・・接続体、16・・・・
・・プローバ本体、17・・・・・・観察手段、18a
t1sb・・・・・・窓。FIG. 1 is an enlarged sectional view of a probe plate showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view thereof, and FIG. 3 is an enlarged sectional view of a positioning plate showing an embodiment of the invention. , FIG. 4 is a plan view thereof, FIG. 5 is an enlarged sectional view of the object to be measured, FIG. 6 is a schematic diagram of a wafer prober, and FIG. 7 is a globe showing another embodiment of the present invention. FIG. 3 is a side view of the board. 1...Substrate, 1a...Aluminum oxide film, 2...Lead wire, 3...Small hole,
4a... Spring, 4b... Needle, 5...
...Fixing material, 6...Small hole, 7...Substrate, 8...Small hole, 9...Insertion rod, 9'
...Hinge part, 10...Slit, 11.
...Wafer chuck, 12...Wafer chip, 13...Solder bump, 14...
Stage mechanism, 15... Connection body, 16...
...Prober body, 17...Observation means, 18a
t1sb...window.
Claims (1)
小孔を有し、少なくとも上記小孔を含む表面が絶縁性を
有する基板の上記小孔に軸方向に対してバネ性を持たせ
た構成の探針を挿入して、上面側において基板と固着す
るとともに配線手段を設け、下面側に尖端を突出させた
構造の探針板と、上記測定点に対応して上面と下面とを
貫通子る小孔を有する位置合せ板と、上記位置合せ板に
探針板を位置合せして重ね合せるガイド手段とを含むこ
とを特徴とするプローブボード。 2、特許請求の範囲第1項記載の位置合せ板に設ける小
孔は、探針挿入側において中心に向う傾斜面を有するも
のであることを特徴とするプローブボード。[Claims] 1. A substrate having a small hole extending substantially perpendicularly through an upper surface and a lower surface corresponding to a measurement point, and at least a surface including the small hole having an insulating property. A probe with a springy structure is inserted into the probe plate, which is fixed to the board on the top side and provided with a wiring means, and a tip protrudes from the bottom side, corresponding to the above measurement points. 1. A probe board comprising: an alignment plate having a small hole penetrating an upper surface and a lower surface; and guide means for aligning and superimposing a probe plate on the alignment plate. 2. A probe board according to claim 1, wherein the small hole provided in the alignment plate has an inclined surface facing the center on the probe insertion side.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55007579A JPS5811741B2 (en) | 1980-01-25 | 1980-01-25 | probe board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55007579A JPS5811741B2 (en) | 1980-01-25 | 1980-01-25 | probe board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56105647A JPS56105647A (en) | 1981-08-22 |
| JPS5811741B2 true JPS5811741B2 (en) | 1983-03-04 |
Family
ID=11669715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55007579A Expired - Lifetime JPS5811741B2 (en) | 1980-01-25 | 1980-01-25 | probe board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5811741B2 (en) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58173841A (en) * | 1982-04-03 | 1983-10-12 | Nippon Denshi Zairyo Kk | Card for probe |
| JPS5999264A (en) * | 1982-11-29 | 1984-06-07 | Yoshie Hasegawa | Fixed probe board |
| JPS646564U (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | ||
| JP2520823B2 (en) * | 1992-07-22 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | Semiconductor wafer-measurement method |
| EP1113274B1 (en) * | 1998-07-10 | 2005-01-12 | Nhk Spring Co.Ltd. | Conductive contact |
| JP2003066104A (en) * | 2001-08-22 | 2003-03-05 | Advantest Corp | Insert and electronic component handling apparatus having the same |
| KR101171105B1 (en) | 2010-05-03 | 2012-08-03 | 퀄맥스시험기술 주식회사 | contact probe holder |
| JP6082528B2 (en) * | 2012-04-27 | 2017-02-15 | 本田技研工業株式会社 | Semiconductor chip energization inspection apparatus and semiconductor chip energization inspection method |
| JP5847663B2 (en) * | 2012-08-01 | 2016-01-27 | 日本電子材料株式会社 | Manufacturing method of probe card guide plate |
-
1980
- 1980-01-25 JP JP55007579A patent/JPS5811741B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56105647A (en) | 1981-08-22 |
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