JPS58106956A - 画像読取装置 - Google Patents
画像読取装置Info
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- JPS58106956A JPS58106956A JP56205744A JP20574481A JPS58106956A JP S58106956 A JPS58106956 A JP S58106956A JP 56205744 A JP56205744 A JP 56205744A JP 20574481 A JP20574481 A JP 20574481A JP S58106956 A JPS58106956 A JP S58106956A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/401—Compensating positionally unequal response of the pick-up or reproducing head
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Image Input (AREA)
- Facsimile Image Signal Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はm儂読雇装置、特に入力原稿の画像情報な撮
像素子によって走査読取りするものに関する。
像素子によって走査読取りするものに関する。
例えばファクシミリ装置の画像読取装置では。
入力された原稿の走査読取時に、その走査位+11Cよ
る感度バラツキを補正することが良−’il rx 1
1111 !象債号を得る上で不可欠である。この感度
バラツキは、CODの如き撮1象素子の感度バラツキ、
撮1象光学系における周辺光量低下、あるいは螢光灯等
の光源の光量分布の不均一等によって生じる。そこで従
来においては、それらのバラツキ要因によって生じる読
取画像信号レベルのバラツキを予めROM等の記憶装置
に固定的に記憶させておき、この記憶装置の記憶内yV
c基づいて原稿読取時における読取画像信号レベルを補
正するようにしたちへか提供されている。これにより確
かに感度バラツキをある程度押えることはできる。しか
しながら。
る感度バラツキを補正することが良−’il rx 1
1111 !象債号を得る上で不可欠である。この感度
バラツキは、CODの如き撮1象素子の感度バラツキ、
撮1象光学系における周辺光量低下、あるいは螢光灯等
の光源の光量分布の不均一等によって生じる。そこで従
来においては、それらのバラツキ要因によって生じる読
取画像信号レベルのバラツキを予めROM等の記憶装置
に固定的に記憶させておき、この記憶装置の記憶内yV
c基づいて原稿読取時における読取画像信号レベルを補
正するようにしたちへか提供されている。これにより確
かに感度バラツキをある程度押えることはできる。しか
しながら。
上述した従来の画像読取装置にて補正の効果が現われる
バラツキは、主に撮像素子あるいは撮1光学系等におけ
るバラツキのよ5vc、そのバラツキ要因が周囲の環境
あるいは時間によりては変化しない固定的なものに対し
てだけでありた0例えば、光源として使用される螢光灯
は、その周囲温度が5@Cと30@Cとでは光量が2〜
3倍も違うことが知られており、このように変動するバ
ラツキ要因に対しては何の補正効果も得られなかった。
バラツキは、主に撮像素子あるいは撮1光学系等におけ
るバラツキのよ5vc、そのバラツキ要因が周囲の環境
あるいは時間によりては変化しない固定的なものに対し
てだけでありた0例えば、光源として使用される螢光灯
は、その周囲温度が5@Cと30@Cとでは光量が2〜
3倍も違うことが知られており、このように変動するバ
ラツキ要因に対しては何の補正効果も得られなかった。
この発明は以上のような従来の問題を鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、固定的な要因による感
度バラツキのみならず1周囲の環境あるいは時間によっ
て変化する流動的な要因による感度バラツキも効果的に
補正できるようにしたII!ii*l!取裂置を提供す
る装とにある。
ので、その目的とするところは、固定的な要因による感
度バラツキのみならず1周囲の環境あるいは時間によっ
て変化する流動的な要因による感度バラツキも効果的に
補正できるようにしたII!ii*l!取裂置を提供す
る装とにある。
上記目的を達成するために、この発明による画像読取装
置は、入力原稿の画像情報を撮gRネ子によって読取走
査する画像読取装置において、先ず。
置は、入力原稿の画像情報を撮gRネ子によって読取走
査する画像読取装置において、先ず。
上記撮像素子から出力されるg4j−1信号レベルを記
憶する記憶装置と、この記IW装置の記憶内容1111
1:” に基づいて上記読取1儂信号レベルの補正を行な5補正
回路とを備える。また、上記入力原稿の押え面に少なく
とも上記撮像素子の走査方向に沿りて均一な明度を持た
せる・そして1上記入力原稿が上記撮像素子のjp:食
挽取位置にないときの上記押え面の1151!取画1象
信号レベルを上記記憶狭1の記憶内容とするとともに、
原稿の入力毎に上記記憶装置の記憶内容を更新させるよ
うにしたことケ特徴とする。
憶する記憶装置と、この記IW装置の記憶内容1111
1:” に基づいて上記読取1儂信号レベルの補正を行な5補正
回路とを備える。また、上記入力原稿の押え面に少なく
とも上記撮像素子の走査方向に沿りて均一な明度を持た
せる・そして1上記入力原稿が上記撮像素子のjp:食
挽取位置にないときの上記押え面の1151!取画1象
信号レベルを上記記憶狭1の記憶内容とするとともに、
原稿の入力毎に上記記憶装置の記憶内容を更新させるよ
うにしたことケ特徴とする。
以下、この発明の好適な実捲mlを図面に基づいて詳述
する。
する。
なお、各図中にて共通あるいは相当fろ部分Vこは同符
号を付す。
号を付す。
P1!1図はこの発明に係る画像読取装置の読取部分の
一実施例を示す・、同図において、先ず、原稿1はロー
ラ2,2に案内されて押え板4とターゲットガラス50
間を所定の速度で通過するよ5になっている。押え板4
の押え而4aは螢光灯等の光源3により均一に照明され
る。原Sft取位置Pでは、原稿1の移動方向と直交方
向に撮像素子7による走査が行なわれる。挽取恒ItP
と撮像素子7の間にはミラー6a 、レンズ6b等の
4m元学系6が介在する。また、原稿1が入力されたこ
とを検出するセンサー8が上記原稿押え而4aの読取位
置Pの手@VC配置されている。このセンサー8からは
原稿1が読取位置PK達する面に検出信号DBが発せら
れる。上記撮像素子7の出力は装置アンプ9および直流
再生回路10を経た後読取画像偏号Vo として後述
する読取回路へ送られる0次に、′@2図はこの発明に
係る画像読取装置の読取回路部分の一実施例を示す。同
図に示す回路は、可変アッテネータ12.A/D変換器
13.ピークホールド回路14、RAM Kよる記憶!
[15,アドレス−カウンタ16等により構成され、上
へ読取画像信号h および上記検出信号D8等を入力信
号とする。可変アッテネータ12は前述した補正回路に
相当する。A/D変換器13は%第3図にその具体例を
示すように、入力(IN) のgi号レベル?それぞれ
異なる基準レベルと比較する比較器群CPO−CP15
、この比較器@cpo〜CP15にそれぞれ基準レ
ベルを与えるための抵抗列RO〜R16、比較器群cp
o〜CP1B の比較出力CO〜C15に基づいて4ビ
ツトの2進僅DO〜D3 V作成するエンコーダ13
1等によりて構成される。このA/D変換器13はその
変換のための基準レベルを得るたメニ、第1 、M2C
)24類の基準レベルRefl、Ref2を使用する。
一実施例を示す・、同図において、先ず、原稿1はロー
ラ2,2に案内されて押え板4とターゲットガラス50
間を所定の速度で通過するよ5になっている。押え板4
の押え而4aは螢光灯等の光源3により均一に照明され
る。原Sft取位置Pでは、原稿1の移動方向と直交方
向に撮像素子7による走査が行なわれる。挽取恒ItP
と撮像素子7の間にはミラー6a 、レンズ6b等の
4m元学系6が介在する。また、原稿1が入力されたこ
とを検出するセンサー8が上記原稿押え而4aの読取位
置Pの手@VC配置されている。このセンサー8からは
原稿1が読取位置PK達する面に検出信号DBが発せら
れる。上記撮像素子7の出力は装置アンプ9および直流
再生回路10を経た後読取画像偏号Vo として後述
する読取回路へ送られる0次に、′@2図はこの発明に
係る画像読取装置の読取回路部分の一実施例を示す。同
図に示す回路は、可変アッテネータ12.A/D変換器
13.ピークホールド回路14、RAM Kよる記憶!
[15,アドレス−カウンタ16等により構成され、上
へ読取画像信号h および上記検出信号D8等を入力信
号とする。可変アッテネータ12は前述した補正回路に
相当する。A/D変換器13は%第3図にその具体例を
示すように、入力(IN) のgi号レベル?それぞれ
異なる基準レベルと比較する比較器群CPO−CP15
、この比較器@cpo〜CP15にそれぞれ基準レ
ベルを与えるための抵抗列RO〜R16、比較器群cp
o〜CP1B の比較出力CO〜C15に基づいて4ビ
ツトの2進僅DO〜D3 V作成するエンコーダ13
1等によりて構成される。このA/D変換器13はその
変換のための基準レベルを得るたメニ、第1 、M2C
)24類の基準レベルRefl、Ref2を使用する。
第1の基準レベルRefxはA/D変換器13の入力レ
ベレレンジの上限1′直を定め、またI君2の基準レベ
ルRer2はその下限1直を定める。従って、A/D変
換器13の入力レベルがその上限i直重上のときには“
1111“の2進データが出力され、その下限it以下
のときには“0000″″の2進データが出力される。
ベレレンジの上限1′直を定め、またI君2の基準レベ
ルRer2はその下限1直を定める。従って、A/D変
換器13の入力レベルがその上限i直重上のときには“
1111“の2進データが出力され、その下限it以下
のときには“0000″″の2進データが出力される。
第2図の回路では、その人力レベルレンジが上記ピーク
ホールド回路14の出力レベルによって設定される。さ
てここで、第1図および第2図に示した絖*装置の動作
を名4図に示す波形チャートI!照しながら説明すると
、先ず、原稿検出センサー8からの検出*’l’jDa
TIC基づいてリセット信号R8および初期信号Sが作
成される・リセット信号R8は上記ピークホールド回路
14iリセツトする。また、初期信号Sは原稿1が絖取
位[Pに遅する直前まで持続するよ5[時間設定されて
いる。この初期信号Sと上記撮像素子7の主走査クロッ
クHKとの論理積が上記ml偉装置15ケ書込状轢に設
定する信号WRとなる。他方、上記読取画像信gVoは
可変アッテネータ12に入力される。このアッテネータ
12の出力v1はA/D変換器13およびピークホール
ド回1114の各入力にそれぞれ与えられる。A/D変
換器13の出力データv2は上記記憶装置15の書込デ
ータとなる。このとき、記憶装f15は上記機嫌素子7
の走査と同期している主走査クロックHKKより歩進さ
れ、かつその副走査クロックVKKよりリセットされる
アドレスカウンタ16に、よりアドレス指定され、これ
により記憶1jll15は読取画像信号Vo Y量子化
した画像デー9を上記撮像素子7の走査位置に対応して
記憶する。このときの可変アッテネータ12は、上記初
期信号SKよりそのレベル制御量すなわち減衰量が最小
の状WAWc固定されている。これKより記憶装置15
には原5lf)v7を取前の原稿押えm4m1)11!
s画書信号レベルが記憶される。従って、その押え面4
111C少なくとも上記撮像素子7の走査方向に沿りて
均一な明度を持たせておけば、記憶装置15には感度バ
ラツキに関する情報が書込まれることになる。この書込
みは副走査期間だけ行なえばよいが、実施例では第4図
に示すように、3回行ない、その最後の定食期間におけ
るバラツキ情報だけが記i!!装置15の記憶内容とし
て残る。そして、このようなバラツキ情報の書込みは原
$1を1頁入力する毎に繰り返えされる。従って、記憶
装置15にはその原稿1の入力毎に常に最新のバラツキ
情報が記憶されるようになる。
ホールド回路14の出力レベルによって設定される。さ
てここで、第1図および第2図に示した絖*装置の動作
を名4図に示す波形チャートI!照しながら説明すると
、先ず、原稿検出センサー8からの検出*’l’jDa
TIC基づいてリセット信号R8および初期信号Sが作
成される・リセット信号R8は上記ピークホールド回路
14iリセツトする。また、初期信号Sは原稿1が絖取
位[Pに遅する直前まで持続するよ5[時間設定されて
いる。この初期信号Sと上記撮像素子7の主走査クロッ
クHKとの論理積が上記ml偉装置15ケ書込状轢に設
定する信号WRとなる。他方、上記読取画像信gVoは
可変アッテネータ12に入力される。このアッテネータ
12の出力v1はA/D変換器13およびピークホール
ド回1114の各入力にそれぞれ与えられる。A/D変
換器13の出力データv2は上記記憶装置15の書込デ
ータとなる。このとき、記憶装f15は上記機嫌素子7
の走査と同期している主走査クロックHKKより歩進さ
れ、かつその副走査クロックVKKよりリセットされる
アドレスカウンタ16に、よりアドレス指定され、これ
により記憶1jll15は読取画像信号Vo Y量子化
した画像デー9を上記撮像素子7の走査位置に対応して
記憶する。このときの可変アッテネータ12は、上記初
期信号SKよりそのレベル制御量すなわち減衰量が最小
の状WAWc固定されている。これKより記憶装置15
には原5lf)v7を取前の原稿押えm4m1)11!
s画書信号レベルが記憶される。従って、その押え面4
111C少なくとも上記撮像素子7の走査方向に沿りて
均一な明度を持たせておけば、記憶装置15には感度バ
ラツキに関する情報が書込まれることになる。この書込
みは副走査期間だけ行なえばよいが、実施例では第4図
に示すように、3回行ない、その最後の定食期間におけ
るバラツキ情報だけが記i!!装置15の記憶内容とし
て残る。そして、このようなバラツキ情報の書込みは原
$1を1頁入力する毎に繰り返えされる。従って、記憶
装置15にはその原稿1の入力毎に常に最新のバラツキ
情報が記憶されるようになる。
以上のようにしてバラツキ情報が記憶装置15に書込ま
れた後、原稿lが読取装置Pに達してその走査読取が開
始されるようVcfiると、今度は上記可変アッテネー
タ12が上記記憶装置15から読出される記憶データD
1に基づいて制御され、これにより読取画像信号Voの
レベル補正を走査位置に対応して行なう。このアッテネ
ータ12の出力vlは上記A / D変換器13により
量子化され、その量子化出力v2が感度補正された1濠
信号として導出される。可変アッテネータ12は、第5
図にその一例を示すように、それぞれに重みづけされた
抵抗8R,4R,2R,Rおよび基準抵抗8.58から
なろ分圧回路と、重みづゆされた抵抗8R,4R。
れた後、原稿lが読取装置Pに達してその走査読取が開
始されるようVcfiると、今度は上記可変アッテネー
タ12が上記記憶装置15から読出される記憶データD
1に基づいて制御され、これにより読取画像信号Voの
レベル補正を走査位置に対応して行なう。このアッテネ
ータ12の出力vlは上記A / D変換器13により
量子化され、その量子化出力v2が感度補正された1濠
信号として導出される。可変アッテネータ12は、第5
図にその一例を示すように、それぞれに重みづけされた
抵抗8R,4R,2R,Rおよび基準抵抗8.58から
なろ分圧回路と、重みづゆされた抵抗8R,4R。
2R,RKそれぞれ並列に接続されたスイッチ80−8
3 とKよって構成される。各スイッチSO〜S3
は上記記憶データDmの各ビット状轢により開閉制御さ
れる。
3 とKよって構成される。各スイッチSO〜S3
は上記記憶データDmの各ビット状轢により開閉制御さ
れる。
ところで実施例では、上記A/D変換器13の第1の基
準レベルRefl)k上記ピークホールド回路14の出
力レベルに設定しているが、これによりA/D f換器
13の入力レベルレンジの上限値な原稿1の地肌レベル
の蟻高値に自動的に設定することができる。従りて−A
/D変換器13の入力レベルレンジの上限値は原s1の
読取りに常に最適なレベルとなる。
準レベルRefl)k上記ピークホールド回路14の出
力レベルに設定しているが、これによりA/D f換器
13の入力レベルレンジの上限値な原稿1の地肌レベル
の蟻高値に自動的に設定することができる。従りて−A
/D変換器13の入力レベルレンジの上限値は原s1の
読取りに常に最適なレベルとなる。
第6図はこの発明のさらに好ましい実施例を示す、*述
した実施例との相違点についてだけ説明すると、ここで
は原稿読取前におけるA / o変換413の第2の基
準レベルRef2 fピークホールド回路14の出力
レベルを分圧することにより得ている。このためvc、
ピークホールド回路14の出力レベル制御量の分圧比で
分圧する分圧回路17および原稿読取前に第2の基準レ
ベルRef2 ’1分圧回路17の出力側に切換える
ためのスイッチ回路S工が設けられている。ここで例え
ば、@2の基準レベルRef2 Yピークホールド同
格14の出力レベルすなわち第1の基準レベルRefl
ノ50%に丁べく上記分圧比を設定すると、その50%
のレベルがA/D変換器13の入力レベルレンジの下限
値となる。すなわち、その50%のレベルに相当するレ
ベルの入力時VCA / D変換器13は最小の量子化
1[“oooo”″を出力する。つまり、60%〜10
0% のレベル範囲がoooo”〜“1111“の量子
比重の範囲に対応するようKなる。
した実施例との相違点についてだけ説明すると、ここで
は原稿読取前におけるA / o変換413の第2の基
準レベルRef2 fピークホールド回路14の出力
レベルを分圧することにより得ている。このためvc、
ピークホールド回路14の出力レベル制御量の分圧比で
分圧する分圧回路17および原稿読取前に第2の基準レ
ベルRef2 ’1分圧回路17の出力側に切換える
ためのスイッチ回路S工が設けられている。ここで例え
ば、@2の基準レベルRef2 Yピークホールド同
格14の出力レベルすなわち第1の基準レベルRefl
ノ50%に丁べく上記分圧比を設定すると、その50%
のレベルがA/D変換器13の入力レベルレンジの下限
値となる。すなわち、その50%のレベルに相当するレ
ベルの入力時VCA / D変換器13は最小の量子化
1[“oooo”″を出力する。つまり、60%〜10
0% のレベル範囲がoooo”〜“1111“の量子
比重の範囲に対応するようKなる。
これは実質的にA / D変換器130分解能’klビ
ット増したのに相当し、これにより感度バラツキの補正
精[をさらに高めることができる。もちろん。
ット増したのに相当し、これにより感度バラツキの補正
精[をさらに高めることができる。もちろん。
上記分圧比(出力/入力×100%)は50% に限ら
れることはなく1例えば前記感度バラツキが歳大25%
以内であることが確認できれば、上記分圧比は75%に
設定することができ、この場合のム/D変換器130分
解能は実質的に2ビツトも向上させられる。上記分圧比
(出力/入力×1oO%)は、予想される感度バラツキ
の最大幅が飯大レベル(ML )ic対してに%の範囲
内であれば、(100−K)%以下で、かつできるだけ
大きめに設足し、これに合わせて上記可変アッテネータ
12の減衰量の変化幅(レンジ)も適当に選ぶ。これに
より・少ないビット数のA/D変換器でも高精度の補正
が可能になる。
れることはなく1例えば前記感度バラツキが歳大25%
以内であることが確認できれば、上記分圧比は75%に
設定することができ、この場合のム/D変換器130分
解能は実質的に2ビツトも向上させられる。上記分圧比
(出力/入力×1oO%)は、予想される感度バラツキ
の最大幅が飯大レベル(ML )ic対してに%の範囲
内であれば、(100−K)%以下で、かつできるだけ
大きめに設足し、これに合わせて上記可変アッテネータ
12の減衰量の変化幅(レンジ)も適当に選ぶ。これに
より・少ないビット数のA/D変換器でも高精度の補正
が可能になる。
以上のように、この発明による画像読取装置では、固定
的な要因による感度バラツキはもちろんのこと1例えば
光源の光量変化の如きR動的な要因による感度バラツキ
も常に効果的に補正することができる。
的な要因による感度バラツキはもちろんのこと1例えば
光源の光量変化の如きR動的な要因による感度バラツキ
も常に効果的に補正することができる。
第1図はこの発明による一1象wILIIIL装置の読
取部分の一実施例を示す概略i、第2図はその読取回路
部分の一実施例を示す回路図、43図は第2図の一部分
を示す回路図、第4図は@1図および第2図に示した読
取装置の動作例を示す波形チャート、@5図は第2図の
一部分ン示す回路図、第6図はこの発明の他の実施例ケ
示す回路図である。 1・・・原稿 2・・・ローラ 3・・・光源 4・・
・押え板4a・・・原稿押え面 5・・・ダーゲットガ
ラス6・・・撮像元学糸 7・・・撮画素子 8・・・
原稿センサ 9・・・前置アンプ 10・・・直流再
生回路12・・・可変アッテネータ 13・・・A /
D叢侠器 14・・・ピークホールド回路 15・・
・記1!装置 16・・・アドレスカウンタ 17・・
・分圧回路 Vo・・・読取自前信号 vl・・・アッ
テネータ出力(1−導侶号)v2・・・童子化された画
11信号 D8・・・原種検出信号 P・・・走査読取
位置 Its願人代理人 鳥 井 清 1 第1図 第2図 ef2 7’、、 5図
取部分の一実施例を示す概略i、第2図はその読取回路
部分の一実施例を示す回路図、43図は第2図の一部分
を示す回路図、第4図は@1図および第2図に示した読
取装置の動作例を示す波形チャート、@5図は第2図の
一部分ン示す回路図、第6図はこの発明の他の実施例ケ
示す回路図である。 1・・・原稿 2・・・ローラ 3・・・光源 4・・
・押え板4a・・・原稿押え面 5・・・ダーゲットガ
ラス6・・・撮像元学糸 7・・・撮画素子 8・・・
原稿センサ 9・・・前置アンプ 10・・・直流再
生回路12・・・可変アッテネータ 13・・・A /
D叢侠器 14・・・ピークホールド回路 15・・
・記1!装置 16・・・アドレスカウンタ 17・・
・分圧回路 Vo・・・読取自前信号 vl・・・アッ
テネータ出力(1−導侶号)v2・・・童子化された画
11信号 D8・・・原種検出信号 P・・・走査読取
位置 Its願人代理人 鳥 井 清 1 第1図 第2図 ef2 7’、、 5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 入力原稿のj傷情報を撮像素子によりて走査読取りする
画**堰装置(おいて、上記撮像素子から出力される脱
取m*信号レベルを記憶する記憶装置と、この記憶装置
の記憶内容に基づいて上記tILIIL画儂信号レベル
の補正な行なう補正回路とを備え、また上記入力原稿の
押え面に少な(とも上記撮像素子の走査方向に沿りて均
一なllKを持たせ、さら(上記入力原稿が上記撮像素
子の走査読取位置にないときの上記押え面のI!堆両画
像信号レベル上記記憶装置の記憶内容とするとともに。 原稿の入力毎に上記記憶装置の記憶内容な更新させるよ
うにしたことv4I黴とする画像読取装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56205744A JPS58106956A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 画像読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56205744A JPS58106956A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 画像読取装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58106956A true JPS58106956A (ja) | 1983-06-25 |
Family
ID=16511932
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56205744A Pending JPS58106956A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 画像読取装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58106956A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60123167A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Canon Inc | シェーディング歪補正方法 |
JPS62268269A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Fuji Xerox Co Ltd | イメ−ジセンサの出力補正回路 |
US5062144A (en) * | 1988-04-06 | 1991-10-29 | Dainippon Screen 303 1O. Ltd. | Method of obtaining white reference data used for correcting non-uniformity in photoelectric cell array |
-
1981
- 1981-12-18 JP JP56205744A patent/JPS58106956A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60123167A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Canon Inc | シェーディング歪補正方法 |
JPS62268269A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Fuji Xerox Co Ltd | イメ−ジセンサの出力補正回路 |
US5062144A (en) * | 1988-04-06 | 1991-10-29 | Dainippon Screen 303 1O. Ltd. | Method of obtaining white reference data used for correcting non-uniformity in photoelectric cell array |
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