JPS58106947A - 光センサ - Google Patents
光センサInfo
- Publication number
- JPS58106947A JPS58106947A JP20518981A JP20518981A JPS58106947A JP S58106947 A JPS58106947 A JP S58106947A JP 20518981 A JP20518981 A JP 20518981A JP 20518981 A JP20518981 A JP 20518981A JP S58106947 A JPS58106947 A JP S58106947A
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- illumination
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明祉光七ンサに関するものであシ、特に酸化によっ
て透明にした部分を少くとも光照射用導光路とする光セ
ンナに関するものである。
て透明にした部分を少くとも光照射用導光路とする光セ
ンナに関するものである。
（２）発明の背景
近年のエレクトロニクスの急速な発展とともに、情報＃
％ｌＩｌ技術の進歩も著しく、光センサはこれらの情報
入力機器用素子として重要な役割を果している。
％ｌＩｌ技術の進歩も著しく、光センサはこれらの情報
入力機器用素子として重要な役割を果している。
このような背景において、光センナの開発は単なる光電
変換素子としてでなく、多くの機能をもつ集積化された
センナとして発展しつつある。
変換素子としてでなく、多くの機能をもつ集積化された
センナとして発展しつつある。
（３）従来技術と問題点
第１図は従来の光センサを説明するための概略断面図を
示したものである。
示したものである。
同図に於て［は例えばプラスチック等からなる基板、２
は光源、３は原稿面、４は光源２から出た光が原稿面上
の照明点３′に当たって反射された反射光、５は光ファ
イバ、６は受光素子（センサ）を示している。
は光源、３は原稿面、４は光源２から出た光が原稿面上
の照明点３′に当たって反射された反射光、５は光ファ
イバ、６は受光素子（センサ）を示している。
第１図に示すように光源２が該基板１に設けられたＶ溝
７に取シ付けられておシ、原稿面３上の照明点３′を照
明した反射光線４拡光フアイバ５によって受光素子６に
導光せしめられる。この従来の密着臘の光センナは原稿
面を照明するために＃原稿面に近接する箇所に光源、咳
光源から発せられた光を絞る丸めのレンズ系（図示せず
）更に受光素子に光を導く特別な機器（光ファイバ郷）
が必要であシ、高価な構造にならざるを得、なかりた。
７に取シ付けられておシ、原稿面３上の照明点３′を照
明した反射光線４拡光フアイバ５によって受光素子６に
導光せしめられる。この従来の密着臘の光センナは原稿
面を照明するために＃原稿面に近接する箇所に光源、咳
光源から発せられた光を絞る丸めのレンズ系（図示せず
）更に受光素子に光を導く特別な機器（光ファイバ郷）
が必要であシ、高価な構造にならざるを得、なかりた。
更に又、光源より発せられた光線その光の有効利用がさ
れず光Ｏ出射部にレンズ効果をもたせることＫよって原
稿面上の照明点に収束されるが空間的に光源が制約され
る等の欠点がある。
れず光Ｏ出射部にレンズ効果をもたせることＫよって原
稿面上の照明点に収束されるが空間的に光源が制約され
る等の欠点がある。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、原稿面の高照度点状照
明が可能な帯層型光センサを提供することを目的とする
。
明が可能な帯層型光センサを提供することを目的とする
。
更に又、一本発明は照明系、反射光導光系が単純で安価
な密着瀝光センサを提供することを目的とする。
な密着瀝光センサを提供することを目的とする。
（（転）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば照明用導光系と受光素
子とを含む光センサにおいて酸化によシ透明体となる材
料Ｋｍｍ酸酸化よシ透明体に形成せしめられえ少なくと
も１つの前記照明用導光系を會むことを特徴とすゐ光セ
ンサによって達成される。
子とを含む光センサにおいて酸化によシ透明体となる材
料Ｋｍｍ酸酸化よシ透明体に形成せしめられえ少なくと
も１つの前記照明用導光系を會むことを特徴とすゐ光セ
ンサによって達成される。
（６） 斃Ｗ１４０実施例
以下本発明実施例を図ｗＫよって詳述する。
第２図は不発１ｊｌＫよる光センナの構造を示す概略断
面図である。
面図である。
同図において８は例えばシリコン基板、９は原稿面、１
０は該シリコン基板を酸化することによって形成された
透明体照明用導光系、１ｏａｉｉ該透明体反射光導光系
、１１は入射光、１２は反射光、１３は原稿面９上の照
明点、１４は受光素子をそれぞれ示している。
０は該シリコン基板を酸化することによって形成された
透明体照明用導光系、１ｏａｉｉ該透明体反射光導光系
、１１は入射光、１２は反射光、１３は原稿面９上の照
明点、１４は受光素子をそれぞれ示している。
酸化によシ透明体となる例えばシリコン基板８の一部を
陽極酸化法により二酸化シリコン（Ｓｉ０２）Ｋせしめ
入射光１１を原稿面９の照明点１３へ導く入射光導光系
１０を形成する。該陽極酸化の電界液は水１０００（Ｃ
Ｃ）にクエン酸１．９を投入したものを用いた。該入射
光導光系１１０＠１を約１０１００（Ｊ１として入射光
が収束された形で照明点２１３に照明せしめられる。入
射光１１は照明点１３で反射せしめられ該反射光１２轄
例えば前述の入射光導光系の両側の該入射光導光系と同
様に１１ 陽極酸化法によって形成された二酸化シリコン（８１伽
）の反射光導光系１０１にムシ、受光素子１４で検出さ
れる。
陽極酸化法により二酸化シリコン（Ｓｉ０２）Ｋせしめ
入射光１１を原稿面９の照明点１３へ導く入射光導光系
１０を形成する。該陽極酸化の電界液は水１０００（Ｃ
Ｃ）にクエン酸１．９を投入したものを用いた。該入射
光導光系１１０＠１を約１０１００（Ｊ１として入射光
が収束された形で照明点２１３に照明せしめられる。入
射光１１は照明点１３で反射せしめられ該反射光１２轄
例えば前述の入射光導光系の両側の該入射光導光系と同
様に１１ 陽極酸化法によって形成された二酸化シリコン（８１伽
）の反射光導光系１０１にムシ、受光素子１４で検出さ
れる。
該反射光導光系１０ａの幅！雪 は約１０１００（ｊ
であ抄、各導光系の長さは約ｌ〔■〕とした。また導
光系と原稿面間の距離ｔｓは約３００（μｍ〕とするの
が好ましい。
であ抄、各導光系の長さは約ｌ〔■〕とした。また導
光系と原稿面間の距離ｔｓは約３００（μｍ〕とするの
が好ましい。
陽極酸化法によ）透明体となる材料は本発明に係るシリ
コンの他にアルミニウム（＊２） 、タングステン（財
）、タンタル（’！’ａ）等があシ、これらの金属４勿
論本願に利用出来る。
コンの他にアルミニウム（＊２） 、タングステン（財
）、タンタル（’！’ａ）等があシ、これらの金属４勿
論本願に利用出来る。
第３図は単に入射光導光系１０′に入り九人射光１１′
が原稿面９′上の照明点１３′に反射してすぐに受光素
子１４′に検出される構造を示している。すなわち受光
素子１４′は例えばシリコン基Ｉ［８′に対して入射光
線１１’が照射される側と反対側に配置せしめられる。
が原稿面９′上の照明点１３′に反射してすぐに受光素
子１４′に検出される構造を示している。すなわち受光
素子１４′は例えばシリコン基Ｉ［８′に対して入射光
線１１’が照射される側と反対側に配置せしめられる。
本発明で社入射光導光系及び反射光導光系の数をフォト
リングラフ技術を用いて増加させることによって２次元
又は１次元（ライン）センナが構成される。
リングラフ技術を用いて増加させることによって２次元
又は１次元（ライン）センナが構成される。
（η 発Ｗ１４の効果
以上説明しえように本発明の光センナでは一般の高輝度
光源を用いることができるので原稿面の高照度点状照明
が可能となシ、更に照明系（入射光導光系）及び反射光
導光系の構造を単純に且つ安価とすることが出来る。
光源を用いることができるので原稿面の高照度点状照明
が可能となシ、更に照明系（入射光導光系）及び反射光
導光系の構造を単純に且つ安価とすることが出来る。
第１図は従来の光センサを欽、明するための概略断面図
を示したものであり、第２図及び第３図は本発明に係る
実施例を示す概略断面図である。 １・・・基板、２・・・光源、３・・・原稿面、３′・
・・照明点、４・・・反射光、５・・・光ファイバ、６
・・・受光素子、７・・・Ｖ溝、訃・・シリコン基板、
９，９′・・・原稿面、１０−、１０’ ・・・入射光
導光系、１１ 、１１’・・・入射光、１２ 、１２’
・・・反射光、１３．１３’・・・照明点、１４．１−
４’−′・・・受光素子。
を示したものであり、第２図及び第３図は本発明に係る
実施例を示す概略断面図である。 １・・・基板、２・・・光源、３・・・原稿面、３′・
・・照明点、４・・・反射光、５・・・光ファイバ、６
・・・受光素子、７・・・Ｖ溝、訃・・シリコン基板、
９，９′・・・原稿面、１０−、１０’ ・・・入射光
導光系、１１ 、１１’・・・入射光、１２ 、１２’
・・・反射光、１３．１３’・・・照明点、１４．１−
４’−′・・・受光素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 照明用導光系と受光素子とを含む光センサにおいて、 酸化により透明体となる材料Ｋｍｍ酸酸化よシ透明体に
形成せしめられ九少なくとも１つの前記照明用導光系を
含むことを特徴とする光センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20518981A JPS58106947A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 光センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20518981A JPS58106947A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 光センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58106947A true JPS58106947A (ja) | 1983-06-25 |
Family
ID=16502873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20518981A Pending JPS58106947A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 光センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58106947A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0438104A2 (en) * | 1990-01-17 | 1991-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image reading device |
| US5124543A (en) * | 1989-08-09 | 1992-06-23 | Ricoh Company, Ltd. | Light emitting element, image sensor and light receiving element with linearly varying waveguide index |
| EP0560585A2 (en) * | 1992-03-10 | 1993-09-15 | MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. | Circuit board for optical element |
| US8592959B2 (en) | 2009-11-27 | 2013-11-26 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device mounted on a wiring board having a cap |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP20518981A patent/JPS58106947A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5124543A (en) * | 1989-08-09 | 1992-06-23 | Ricoh Company, Ltd. | Light emitting element, image sensor and light receiving element with linearly varying waveguide index |
| EP0438104A2 (en) * | 1990-01-17 | 1991-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image reading device |
| US5198655A (en) * | 1990-01-17 | 1993-03-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image reading device having a light waveguide means widened toward an end nearest to an image surface |
| EP0560585A2 (en) * | 1992-03-10 | 1993-09-15 | MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. | Circuit board for optical element |
| EP0560585A3 (ja) * | 1992-03-10 | 1995-08-02 | Mitsui Toatsu Chemicals | |
| US8592959B2 (en) | 2009-11-27 | 2013-11-26 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device mounted on a wiring board having a cap |
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