JPH1197582A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
配線基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH1197582A JPH1197582A JP27644197A JP27644197A JPH1197582A JP H1197582 A JPH1197582 A JP H1197582A JP 27644197 A JP27644197 A JP 27644197A JP 27644197 A JP27644197 A JP 27644197A JP H1197582 A JPH1197582 A JP H1197582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring board
- insulating
- wiring
- back surface
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 17
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 13
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 4
- 241000887125 Chaptalia nutans Species 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 102100027557 Calcipressin-1 Human genes 0.000 description 1
- 101100247605 Homo sapiens RCAN1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910017263 Mo—C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017315 Mo—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150064416 csp1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16235—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a via metallisation of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
- H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
- H05K3/4061—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in inorganic insulating substrates
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】基板の表裏面を結ぶ間隔を狭くでき、製作が容
易な配線基板を提供すること。 【解決手段】配線基板の上下面の接続端子を接続するた
めに、貫通孔ではなく、直線状の内部配線を利用した構
成により、配線基板の接続端子のピッチを小さくできる
配線基板。
易な配線基板を提供すること。 【解決手段】配線基板の上下面の接続端子を接続するた
めに、貫通孔ではなく、直線状の内部配線を利用した構
成により、配線基板の接続端子のピッチを小さくできる
配線基板。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路チップを
搭載する配線基板およびその製造方法に関し、特に、集
積回路チップと同程度の平面寸法を有するCSP(チッ
プスケールパッケージ)に好ましい配線基板及びその製
造方法に関する。
搭載する配線基板およびその製造方法に関し、特に、集
積回路チップと同程度の平面寸法を有するCSP(チッ
プスケールパッケージ)に好ましい配線基板及びその製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、配線基板は、厚みの薄い未焼成の
絶縁層を積層し焼成して形成しており、各絶縁層上に配
線を形成すると共に、絶縁層間の配線の接続には、スル
ーホールやビアを用いていた。このビア等を形成するに
は、まず絶縁層に貫通孔を穿孔する必要があった。
絶縁層を積層し焼成して形成しており、各絶縁層上に配
線を形成すると共に、絶縁層間の配線の接続には、スル
ーホールやビアを用いていた。このビア等を形成するに
は、まず絶縁層に貫通孔を穿孔する必要があった。
【0003】ところで、集積回路チップ(以下、ICチ
ップともいう)の高集積化、高速化に伴い、これを搭載
する配線基板についても小型化が求められており、つい
には、ICチップと同程度の平面寸法を持つ配線基板
(いわゆるチップスケールパッケージ、以下CSPとも
いう)が要求されている。例えば、図9に示すCSP1
00においては、2枚の絶縁層101、102を積層し
てなり、その表面101aに形成されたパッド101p
と破線で示すICチップIとをフリップチップ法により
半田S1を介して接続し、その裏面102bに形成され
たパッド102pと破線で示す他の配線基板Pとをフリ
ップチップ法により半田S2を介して接続する。なお、
パッド101pと102pとの間は、CSP内部に形成
されたビア101v、102vにより導通している。
ップともいう)の高集積化、高速化に伴い、これを搭載
する配線基板についても小型化が求められており、つい
には、ICチップと同程度の平面寸法を持つ配線基板
(いわゆるチップスケールパッケージ、以下CSPとも
いう)が要求されている。例えば、図9に示すCSP1
00においては、2枚の絶縁層101、102を積層し
てなり、その表面101aに形成されたパッド101p
と破線で示すICチップIとをフリップチップ法により
半田S1を介して接続し、その裏面102bに形成され
たパッド102pと破線で示す他の配線基板Pとをフリ
ップチップ法により半田S2を介して接続する。なお、
パッド101pと102pとの間は、CSP内部に形成
されたビア101v、102vにより導通している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このCSP100にお
いては、そのビア101v、102v相互の間隔を、I
CチップIの端子(バンプ等)I1の間隔と同じに形成
する必要がある。しかるに、フォトリソグラフィ技術に
よって形成されるICチップIの端子I1の間隔は、例
えば、200μmと非常に小さい。しかもICチップI
には多くの端子I1が形成されている。このため、CS
P100を製造するに当たって、ビア用の貫通穴を小さ
な間隔でしかも多数個(例えば100〜200ヶ)形成
する必要があった。
いては、そのビア101v、102v相互の間隔を、I
CチップIの端子(バンプ等)I1の間隔と同じに形成
する必要がある。しかるに、フォトリソグラフィ技術に
よって形成されるICチップIの端子I1の間隔は、例
えば、200μmと非常に小さい。しかもICチップI
には多くの端子I1が形成されている。このため、CS
P100を製造するに当たって、ビア用の貫通穴を小さ
な間隔でしかも多数個(例えば100〜200ヶ)形成
する必要があった。
【0005】このような狭ピッチでしかも多数個のビア
用貫通穴を未焼成の絶縁層に穿孔するのは困難であり、
一度に金型を用いて多数の貫通孔を穿孔しようとする
と、貫通穴径100μm、ピッチ250μm程度が限度
であった。従って、それ以下のピッチや径の貫通孔を形
成する場合には、1ヶまたは数ヶずつ貫通孔を穿孔して
ゆくことになり、時間やコストが掛かっていた。さら
に、CSP100の厚さを稼ぐために、複数の絶縁層
(本例では101、102の2層)を積層してCSP1
00を形成する場合には、複数の絶縁層それぞれに貫通
孔を穿孔する必要があり、面倒であった。
用貫通穴を未焼成の絶縁層に穿孔するのは困難であり、
一度に金型を用いて多数の貫通孔を穿孔しようとする
と、貫通穴径100μm、ピッチ250μm程度が限度
であった。従って、それ以下のピッチや径の貫通孔を形
成する場合には、1ヶまたは数ヶずつ貫通孔を穿孔して
ゆくことになり、時間やコストが掛かっていた。さら
に、CSP100の厚さを稼ぐために、複数の絶縁層
(本例では101、102の2層)を積層してCSP1
00を形成する場合には、複数の絶縁層それぞれに貫通
孔を穿孔する必要があり、面倒であった。
【0006】さらに、CSPにおいては、ICチップを
搭載するときや、CSPを他の配線基板に搭載(接続)
するときに、その位置決めや方向判別をする必要があ
る。また、CSPの品番等を識別する必要もある。簡易
な構成でCSPに標識を設ける手法も求められていた。
搭載するときや、CSPを他の配線基板に搭載(接続)
するときに、その位置決めや方向判別をする必要があ
る。また、CSPの品番等を識別する必要もある。簡易
な構成でCSPに標識を設ける手法も求められていた。
【0007】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、第1の目的は、基板の表裏面を結ぶ配線
相互の間隔を狭くでき、しかも製作容易な配線基板及び
その製造方法を提供することにある。また、他の目的
は、位置決めや方向判別、品番判別等を可能とする標識
を簡易な構成で設けた配線基板及びその製造方法を提供
することを目的とする。
ものであって、第1の目的は、基板の表裏面を結ぶ配線
相互の間隔を狭くでき、しかも製作容易な配線基板及び
その製造方法を提供することにある。また、他の目的
は、位置決めや方向判別、品番判別等を可能とする標識
を簡易な構成で設けた配線基板及びその製造方法を提供
することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】しかして、請求項1に記
載の解決手段は、表面と裏面とを有する平板形状を有
し、複数の帯状絶縁部材をその幅方向に相互に密着させ
て列設してなる絶縁部材と、該絶縁部材の表面に形成さ
れた複数の第1接続用端子と、上記絶縁部材の裏面に形
成され、上記第1接続用端子と同配置で配置された複数
の第2接続用端子と、上記帯状絶縁部材間に形成され、
上記第1接続用端子とこれに対応する第2接続用端子と
をそれぞれ直線状に結ぶ内部配線と、を有する配線基板
である。
載の解決手段は、表面と裏面とを有する平板形状を有
し、複数の帯状絶縁部材をその幅方向に相互に密着させ
て列設してなる絶縁部材と、該絶縁部材の表面に形成さ
れた複数の第1接続用端子と、上記絶縁部材の裏面に形
成され、上記第1接続用端子と同配置で配置された複数
の第2接続用端子と、上記帯状絶縁部材間に形成され、
上記第1接続用端子とこれに対応する第2接続用端子と
をそれぞれ直線状に結ぶ内部配線と、を有する配線基板
である。
【0009】かかる配線基板によれば、内部配線が帯状
絶縁部材間に形成されているので、従来の配線基板のよ
うに絶縁層を貫通するビアを形成するために貫通穴を穿
孔する必要がない。このため、印刷等によって内部配線
を形成すればよく、隣接する内部配線間の間隔を小さく
したものとすることができる。なお、内部配線は表面及
び裏面に垂直な直線状にすると配線の長さが短くなって
好ましい。
絶縁部材間に形成されているので、従来の配線基板のよ
うに絶縁層を貫通するビアを形成するために貫通穴を穿
孔する必要がない。このため、印刷等によって内部配線
を形成すればよく、隣接する内部配線間の間隔を小さく
したものとすることができる。なお、内部配線は表面及
び裏面に垂直な直線状にすると配線の長さが短くなって
好ましい。
【0010】ここで、絶縁部材としては、アルミナ、ガ
ラスセラミック、AlN等のセラミックが挙げられる。
また、第1接続用端子や第2接続用端子、内部配線に
は、絶縁部材の材質との密着性や導電率、半田付け性等
を考慮して選択すればよいが、例えば、W、Mo、A
g、Ag−Pt、Ag−Pd、Au、Cu等が挙げら
れ、さらに、W、Mo等に関しては、耐酸化性や半田付
け性等を改善するためにその露出部にNiメッキやAu
メッキを施してもよい。また、第1、第2接続用端子の
形状は特に限定されず、例えばパッド、バンプ形状のも
のが挙げられる。
ラスセラミック、AlN等のセラミックが挙げられる。
また、第1接続用端子や第2接続用端子、内部配線に
は、絶縁部材の材質との密着性や導電率、半田付け性等
を考慮して選択すればよいが、例えば、W、Mo、A
g、Ag−Pt、Ag−Pd、Au、Cu等が挙げら
れ、さらに、W、Mo等に関しては、耐酸化性や半田付
け性等を改善するためにその露出部にNiメッキやAu
メッキを施してもよい。また、第1、第2接続用端子の
形状は特に限定されず、例えばパッド、バンプ形状のも
のが挙げられる。
【0011】さらに、請求項2に記載の解決手段は、前
記表面及び裏面のうち少なくともいずれかは、研磨面で
あることを特徴とする請求項1に記載の配線基板であ
る。
記表面及び裏面のうち少なくともいずれかは、研磨面で
あることを特徴とする請求項1に記載の配線基板であ
る。
【0012】この配線基板によれば、表面及び裏面のう
ち少なくとのいずれかが研磨面である。したがって、研
磨面上に形成された第1または第2接続端子の上面のコ
プラナリティを良好にすることができる。例えば、表面
が研磨面である場合には、この表面に形成された第1接
続端子の上面のコプラナリティが良好となる。従って、
この配線基板の表面にフリップチップ法により集積回路
チップを接続する場合に、第1接続用端子とチップとの
接続性を高くすることができる。同様に、裏面が研磨面
であるばあいには、この裏面に形成される第2接続用端
子の上面のコプラナリティが向上する。従って、この裏
面に他の配線基板をフリップチップ法により接続する場
合、第2接続用端子と他の配線基板との接続性を高くす
ることができる。
ち少なくとのいずれかが研磨面である。したがって、研
磨面上に形成された第1または第2接続端子の上面のコ
プラナリティを良好にすることができる。例えば、表面
が研磨面である場合には、この表面に形成された第1接
続端子の上面のコプラナリティが良好となる。従って、
この配線基板の表面にフリップチップ法により集積回路
チップを接続する場合に、第1接続用端子とチップとの
接続性を高くすることができる。同様に、裏面が研磨面
であるばあいには、この裏面に形成される第2接続用端
子の上面のコプラナリティが向上する。従って、この裏
面に他の配線基板をフリップチップ法により接続する場
合、第2接続用端子と他の配線基板との接続性を高くす
ることができる。
【0013】さらに、請求項3に記載の解決手段は、前
記帯状絶縁部材のうち少なくとも1層以上の帯状絶縁部
材が、他の帯状絶縁部材と異なる色彩を有することを特
徴とする請求項1または2に記載の配線基板である。
記帯状絶縁部材のうち少なくとも1層以上の帯状絶縁部
材が、他の帯状絶縁部材と異なる色彩を有することを特
徴とする請求項1または2に記載の配線基板である。
【0014】本発明によれば、色彩の異なる帯状絶縁部
材により、例えば配線基板の表面には、帯状の模様が形
成される。予めこの帯の数や配置等の模様を読みとるこ
とにより、配線基板の種類(品番)や方向、位置等を認
識することができる。
材により、例えば配線基板の表面には、帯状の模様が形
成される。予めこの帯の数や配置等の模様を読みとるこ
とにより、配線基板の種類(品番)や方向、位置等を認
識することができる。
【0015】さらに、請求項4に記載の解決手段は、未
焼成絶縁層の表面または裏面の少なくともいずれか一方
の上に互いに平行な複数の直線状導体層を形成する工程
と、複数の上記未焼成絶縁層を厚さ方向に積層して積層
体を形成する工程と、該積層体を直線上導体層に直交す
る方向に所定の厚さに切断して未焼成配線基板を形成す
る工程と、該未焼成配線基板を焼成する工程と、を有す
ることを特徴とする配線基板の製造方法である。
焼成絶縁層の表面または裏面の少なくともいずれか一方
の上に互いに平行な複数の直線状導体層を形成する工程
と、複数の上記未焼成絶縁層を厚さ方向に積層して積層
体を形成する工程と、該積層体を直線上導体層に直交す
る方向に所定の厚さに切断して未焼成配線基板を形成す
る工程と、該未焼成配線基板を焼成する工程と、を有す
ることを特徴とする配線基板の製造方法である。
【0016】本発明によれば、未焼成絶縁層の表面また
は裏面の少なくともいずれか一方の上に互いに平行な複
数の直線状導体層を形成し、未焼成絶縁層を積層して積
層体とし、直線状導体層に直交する方向に切断して未焼
成配線基板とし、これを焼成して配線基板を形成する。
したがって、絶縁層に貫通孔を穿孔し導体を充填してビ
アとするような面倒な工程は不要である。また、印刷等
によって直線状導体層を形成できるため、導体層相互の
間隔を小さくできる。従って、導体層の間隔の小さい配
線基板とすることができる。また、切断によって未焼成
配線基板をいくつも形成できるため、安価な配線基板を
製造し得る。
は裏面の少なくともいずれか一方の上に互いに平行な複
数の直線状導体層を形成し、未焼成絶縁層を積層して積
層体とし、直線状導体層に直交する方向に切断して未焼
成配線基板とし、これを焼成して配線基板を形成する。
したがって、絶縁層に貫通孔を穿孔し導体を充填してビ
アとするような面倒な工程は不要である。また、印刷等
によって直線状導体層を形成できるため、導体層相互の
間隔を小さくできる。従って、導体層の間隔の小さい配
線基板とすることができる。また、切断によって未焼成
配線基板をいくつも形成できるため、安価な配線基板を
製造し得る。
【0017】なお、前記複数の直線状導体層は、未焼成
絶縁層のいずれか一方の面に形成すれば良いが、両面に
形成した場合は、積層した際に1つの未焼成絶縁層の裏
面に形成された直線状導体層と、他の未焼成絶縁層のう
ちの該裏面と貼り合わされる面(表面)に形成された直
線状導体層とが一体化される。その結果、直線状導体層
の厚みが約2倍になり、その分導通抵抗を下げることが
できるので好ましい。
絶縁層のいずれか一方の面に形成すれば良いが、両面に
形成した場合は、積層した際に1つの未焼成絶縁層の裏
面に形成された直線状導体層と、他の未焼成絶縁層のう
ちの該裏面と貼り合わされる面(表面)に形成された直
線状導体層とが一体化される。その結果、直線状導体層
の厚みが約2倍になり、その分導通抵抗を下げることが
できるので好ましい。
【0018】また、未焼成絶縁層とは、焼成後に絶縁層
となるものをいい、具体的には、従来公知のドクターブ
レード法やロールコータ法等によって形成したセラミッ
クグリーンシートが挙げられる。
となるものをいい、具体的には、従来公知のドクターブ
レード法やロールコータ法等によって形成したセラミッ
クグリーンシートが挙げられる。
【0019】さらに、請求項5に記載の解決手段は、未
焼成絶縁層の表面または裏面の少なくともいずれか一方
の上に互いに平行な複数の直線状導体層を形成する工程
と、複数の上記未焼成絶縁層を厚さ方向に積層して積層
体を形成する工程と、該積層体を焼成して焼成体を形成
する工程と、該焼成体を直線上導体層に直交する方向に
所定の厚さに切断する工程と、を有することを特徴とす
る配線基板の製造方法である。
焼成絶縁層の表面または裏面の少なくともいずれか一方
の上に互いに平行な複数の直線状導体層を形成する工程
と、複数の上記未焼成絶縁層を厚さ方向に積層して積層
体を形成する工程と、該積層体を焼成して焼成体を形成
する工程と、該焼成体を直線上導体層に直交する方向に
所定の厚さに切断する工程と、を有することを特徴とす
る配線基板の製造方法である。
【0020】本発明によれば、未焼成絶縁層の表面また
は裏面のいずれか一方の上に互いに平行な複数の直線状
導体層を形成し、未焼成絶縁層を積層して積層体とし、
これを焼成して焼成体とした後、直線状導体層に直交す
る方向に切断して配線基板を形成するので、絶縁層に貫
通孔を穿孔し導体を充填してビアとするような面倒な工
程は不要である。また、印刷等によって直線状導体層を
形成できるため、導体層相互の間隔を小さくできる。従
って、導体層の間隔の小さい配線基板とすることができ
る。また、切断によって配線基板をいくつも形成できる
ため、安価な配線基板を製造し得る。
は裏面のいずれか一方の上に互いに平行な複数の直線状
導体層を形成し、未焼成絶縁層を積層して積層体とし、
これを焼成して焼成体とした後、直線状導体層に直交す
る方向に切断して配線基板を形成するので、絶縁層に貫
通孔を穿孔し導体を充填してビアとするような面倒な工
程は不要である。また、印刷等によって直線状導体層を
形成できるため、導体層相互の間隔を小さくできる。従
って、導体層の間隔の小さい配線基板とすることができ
る。また、切断によって配線基板をいくつも形成できる
ため、安価な配線基板を製造し得る。
【0021】さらに、請求項6に記載の解決手段によれ
ば、前記積層された未焼成絶縁層のうち、少なくとも1
つ以上の未焼成絶縁層が焼成後の発色が他とは異なる異
色未焼成絶縁層であり、前記積層体形成工程において、
上記異色未焼成絶縁層を所定位置に積層することを特徴
とする請求項4または5に記載の配線基板の製造方法で
ある。
ば、前記積層された未焼成絶縁層のうち、少なくとも1
つ以上の未焼成絶縁層が焼成後の発色が他とは異なる異
色未焼成絶縁層であり、前記積層体形成工程において、
上記異色未焼成絶縁層を所定位置に積層することを特徴
とする請求項4または5に記載の配線基板の製造方法で
ある。
【0022】本発明によれば、焼成後の発色が異なる異
色未焼成絶縁層を所定位置に積層しているので、標識を
形成するのに標識形成工程は不要である。また、絶縁層
自身の発色が異なるものを用いるので、研磨等の工程を
経た後も、標識が削り取られてしまうことはない。
色未焼成絶縁層を所定位置に積層しているので、標識を
形成するのに標識形成工程は不要である。また、絶縁層
自身の発色が異なるものを用いるので、研磨等の工程を
経た後も、標識が削り取られてしまうことはない。
【0023】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図を参照
しつつ説明する。 (実施例1)図1に本発明の実施例1にかかる配線基板
の斜視図を、また、図2に断面図を示す。ここで、図1
(a)は本実施例にかかる配線基板1の斜視図であり、図
1(b)は、この配線基板1の分解斜視図である。また、
図2(a)は、A−A’断面図を、図2(b)はB−B’断面
図である。図1(a)に示すように、配線基板1は、アル
ミナセラミック製の配線基板本体2を有する。この配線
基板本体2は、矩形平板状であり、図中左右方向に帯状
絶縁部材3a〜3dがその幅方向に密着することにより
形成されている。また、この配線基板本体2の表面2a
には、第1接続端子である表面側パッド5、5が、裏面
2bには、第2接続端子である裏面側パッド6、6が形
成されている。この表面側パッド5と裏面側パッド6と
は、帯状絶縁部材3a〜3dの側面に印刷等により形成
された直線状の内部配線7、7によってそれぞれ接続さ
れている。
しつつ説明する。 (実施例1)図1に本発明の実施例1にかかる配線基板
の斜視図を、また、図2に断面図を示す。ここで、図1
(a)は本実施例にかかる配線基板1の斜視図であり、図
1(b)は、この配線基板1の分解斜視図である。また、
図2(a)は、A−A’断面図を、図2(b)はB−B’断面
図である。図1(a)に示すように、配線基板1は、アル
ミナセラミック製の配線基板本体2を有する。この配線
基板本体2は、矩形平板状であり、図中左右方向に帯状
絶縁部材3a〜3dがその幅方向に密着することにより
形成されている。また、この配線基板本体2の表面2a
には、第1接続端子である表面側パッド5、5が、裏面
2bには、第2接続端子である裏面側パッド6、6が形
成されている。この表面側パッド5と裏面側パッド6と
は、帯状絶縁部材3a〜3dの側面に印刷等により形成
された直線状の内部配線7、7によってそれぞれ接続さ
れている。
【0024】この帯状絶縁部材3a〜3dは、アルミナ
約90%のアルミナセラミック製で、このうち、部材3
a、3c、3dは、乳白色を呈している。一方、部材3
bは、W、Mo、Cr2O3等が添加されているため、黒
色を呈している。従って、配線基板本体2は、部材3b
によって白地に黒い帯状のストライプ模様が形成されて
いる。また、表面側および裏面側パッド5、6および内
部配線7は、タングステンを主成分としている。また、
表面側および裏面側パッド5、6の表面上には、無電解
ニッケルメッキおよび金メッキが施されており、半田付
け性等の改善が図られている。
約90%のアルミナセラミック製で、このうち、部材3
a、3c、3dは、乳白色を呈している。一方、部材3
bは、W、Mo、Cr2O3等が添加されているため、黒
色を呈している。従って、配線基板本体2は、部材3b
によって白地に黒い帯状のストライプ模様が形成されて
いる。また、表面側および裏面側パッド5、6および内
部配線7は、タングステンを主成分としている。また、
表面側および裏面側パッド5、6の表面上には、無電解
ニッケルメッキおよび金メッキが施されており、半田付
け性等の改善が図られている。
【0025】ついで、本配線基板1の製造方法について
説明する。まず、図3(a)に示すように、周知のスリッ
プキャスト法によりセラミック成分としてアルミナを主
成分とするグリーンシートGを形成し、その表面にタン
グステンペーストを用い、スクリーン印刷法により互い
に平行な直線状の導体層Lを複数形成する。本例では、
このようなグリーンシートGを3枚(Gb、Gc、G
d)形成し、さらに、導体層Lを形成しないグリーンシ
ートGaを形成しておく。なお、グリーンシートGbに
ついては、他のグリーンシートと異なり、W、Mo、C
r2O3等の着色剤を添加している。
説明する。まず、図3(a)に示すように、周知のスリッ
プキャスト法によりセラミック成分としてアルミナを主
成分とするグリーンシートGを形成し、その表面にタン
グステンペーストを用い、スクリーン印刷法により互い
に平行な直線状の導体層Lを複数形成する。本例では、
このようなグリーンシートGを3枚(Gb、Gc、G
d)形成し、さらに、導体層Lを形成しないグリーンシ
ートGaを形成しておく。なお、グリーンシートGbに
ついては、他のグリーンシートと異なり、W、Mo、C
r2O3等の着色剤を添加している。
【0026】ついで、これらを図3(b)に示すように各
グリーンシートをGd、Gc、Gb、Gaの順に積層、
圧着して図4(a)に示すように積層体Mを形成する。こ
の積層体Mを図4(a)に一点鎖線で示す切断線Xに従っ
て一定間隔(一定厚さ)に切断する。この切断方向は、
内部に形成された導体層Lの長手方向に対して直角な方
向(導体層に対して直交する方向)である。これによ
り、切断された切断体(未焼成配線基板)Cの両側の切
断面C1、C2には、図4(b)に示すように、切断され
た導体層Lの断面Lcが露出した状態となる。また、こ
のように形成すると、いわゆる金太郎飴と同様に切断に
より同形状の切断体Cを容易に形成することができる。
この切断体Cは、各グリーンシートGa等が切断された
帯状部材Ca、Cb、Cc、Cdが相互に積層されたも
のである。なお、この図4(b)からも判るように、グリ
ーンシートGbに相当する帯状部材Cbには、他の部材
と異なり着色剤が添加されている。
グリーンシートをGd、Gc、Gb、Gaの順に積層、
圧着して図4(a)に示すように積層体Mを形成する。こ
の積層体Mを図4(a)に一点鎖線で示す切断線Xに従っ
て一定間隔(一定厚さ)に切断する。この切断方向は、
内部に形成された導体層Lの長手方向に対して直角な方
向(導体層に対して直交する方向)である。これによ
り、切断された切断体(未焼成配線基板)Cの両側の切
断面C1、C2には、図4(b)に示すように、切断され
た導体層Lの断面Lcが露出した状態となる。また、こ
のように形成すると、いわゆる金太郎飴と同様に切断に
より同形状の切断体Cを容易に形成することができる。
この切断体Cは、各グリーンシートGa等が切断された
帯状部材Ca、Cb、Cc、Cdが相互に積層されたも
のである。なお、この図4(b)からも判るように、グリ
ーンシートGbに相当する帯状部材Cbには、他の部材
と異なり着色剤が添加されている。
【0027】さらに、図5に示すように、この切断体C
の切断面C1、C2に露出する導体層断面Lcを覆うよ
うに、スクリーン印刷によりタングステンペーストを塗
布して、未焼成パッドCpを形成する。なお、図5にお
いては、切断面C2側の未焼成パッドCpは図示しな
い。このパッドCpは、IC基板等との接続時に導体層
断面Lcの形状では、面積が小さすぎるため、接続面積
を増やすために形成される。
の切断面C1、C2に露出する導体層断面Lcを覆うよ
うに、スクリーン印刷によりタングステンペーストを塗
布して、未焼成パッドCpを形成する。なお、図5にお
いては、切断面C2側の未焼成パッドCpは図示しな
い。このパッドCpは、IC基板等との接続時に導体層
断面Lcの形状では、面積が小さすぎるため、接続面積
を増やすために形成される。
【0028】ついで、還元雰囲気中で約1550℃に加
熱して、一体焼結により図1、2に示す配線基板1を形
成する。これにより、帯状部材Ca、Cb、Cc、Cd
はそれぞれ帯状絶縁部材3a〜3dに、導体層Lは内部
配線7に、パッドCpは、表面側パッド5及び裏面側パ
ッド6になる。また、帯状部材Cbは、この焼成により
着色剤が黒く発色して黒色の帯状絶縁部材3bとなり、
着色剤の添加されていない他の帯状絶縁部材3a、3
c、3dは乳白色となる。なお、表面側パッド5および
裏面側パッド6の表面にはさらに、無電解メッキにより
ニッケルメッキ及び金メッキを施す。
熱して、一体焼結により図1、2に示す配線基板1を形
成する。これにより、帯状部材Ca、Cb、Cc、Cd
はそれぞれ帯状絶縁部材3a〜3dに、導体層Lは内部
配線7に、パッドCpは、表面側パッド5及び裏面側パ
ッド6になる。また、帯状部材Cbは、この焼成により
着色剤が黒く発色して黒色の帯状絶縁部材3bとなり、
着色剤の添加されていない他の帯状絶縁部材3a、3
c、3dは乳白色となる。なお、表面側パッド5および
裏面側パッド6の表面にはさらに、無電解メッキにより
ニッケルメッキ及び金メッキを施す。
【0029】本配線基板においては、表面側パッド5と
裏面側パッド6とを接続する内部配線7は、印刷により
形成した導体層Lを焼成して得た。即ち、従来の配線基
板ようにビアを用いてパッド間を導通しないので、貫通
穴を穿孔しその中に導体を充填する必要が無い。このた
め、内部配線を形成するのが容易であり、内部配線間の
間隔を小さくすることも容易にできる。
裏面側パッド6とを接続する内部配線7は、印刷により
形成した導体層Lを焼成して得た。即ち、従来の配線基
板ようにビアを用いてパッド間を導通しないので、貫通
穴を穿孔しその中に導体を充填する必要が無い。このた
め、内部配線を形成するのが容易であり、内部配線間の
間隔を小さくすることも容易にできる。
【0030】本配線基板1においては、図2(a)、(b)に
示す断面図から明らかなように、各内部配線7の間隔d
のうち、帯状絶縁部材3a等の幅方向の間隔d1は、こ
の部材3a等の幅になり、一方、これに直角な帯状絶縁
部材3a等の長手方向の間隔d2は、内部配線7の印刷
等の間隔(ピッチ)によって決まる。間隔d1は、容易
に理解できるように、各グリーンシートGa等の厚さに
よって決まる。さらに詳しく言えば、間隔d1は、概略
グリーンシートGa等の厚さに焼成時の収縮率(焼成収
縮率;通常0.8程度)をかけた値となる。従って、間
隔d1を小さくするには、シートの厚さを薄くすればよ
い。また、間隔d2は、グリーンシートG上に印刷等に
よって形成した導体層Lの間隔と焼成収縮率をかけた値
となる。即ち、スクリーン印刷等の手法により導体層L
を密に形成すればよく、100μmライン&スペース及
びそれ以下の配線を形成することもさほど困難ではな
い。従って、間隔d2の小さい配線基板1を容易に形成
することができる。
示す断面図から明らかなように、各内部配線7の間隔d
のうち、帯状絶縁部材3a等の幅方向の間隔d1は、こ
の部材3a等の幅になり、一方、これに直角な帯状絶縁
部材3a等の長手方向の間隔d2は、内部配線7の印刷
等の間隔(ピッチ)によって決まる。間隔d1は、容易
に理解できるように、各グリーンシートGa等の厚さに
よって決まる。さらに詳しく言えば、間隔d1は、概略
グリーンシートGa等の厚さに焼成時の収縮率(焼成収
縮率;通常0.8程度)をかけた値となる。従って、間
隔d1を小さくするには、シートの厚さを薄くすればよ
い。また、間隔d2は、グリーンシートG上に印刷等に
よって形成した導体層Lの間隔と焼成収縮率をかけた値
となる。即ち、スクリーン印刷等の手法により導体層L
を密に形成すればよく、100μmライン&スペース及
びそれ以下の配線を形成することもさほど困難ではな
い。従って、間隔d2の小さい配線基板1を容易に形成
することができる。
【0031】このようにして形成した配線基板1を、図
6に示すように、その表面2a側に形成された表面側パ
ッド5とICチップIとをフリップチップ法により半田
S1を介して接続し、その裏面側2bに形成された裏面
側パッド6と他の配線基板Pとをフリップチップ法によ
り半田S2を介して接続する。パッド5と6との間は、
それぞれ内部配線7により導通している。また、本実施
例の配線基板は、内部配線7が直線状に形成され、配線
基板本体2の表裏面間を最短距離で接続しているので、
ICチップIと他の配線基板Pの信号のやりとりを高速
で行わせることができる。
6に示すように、その表面2a側に形成された表面側パ
ッド5とICチップIとをフリップチップ法により半田
S1を介して接続し、その裏面側2bに形成された裏面
側パッド6と他の配線基板Pとをフリップチップ法によ
り半田S2を介して接続する。パッド5と6との間は、
それぞれ内部配線7により導通している。また、本実施
例の配線基板は、内部配線7が直線状に形成され、配線
基板本体2の表裏面間を最短距離で接続しているので、
ICチップIと他の配線基板Pの信号のやりとりを高速
で行わせることができる。
【0032】さらに、本実施例においては、帯状絶縁部
材3bのみ黒色としてストライプ模様を形成したので、
配線基板1の品番や基板の向き(方向)、各パッドの位
置をこの模様から検出することができる。即ち、予め、
グリーンシート中に他とは焼成後の発色を異ならせる添
加剤を添加しておくことにより、容易に模様を付けるこ
とができ、この模様によって配線基板の品番や配線基板
の向きやパッドの位置等を検出させることができる。例
えば、本例においては、4つの帯状絶縁部材のうち1つ
(3b)を黒色化した。同様にして部材3aを黒色化し
てもよく、このように黒色化させる部材の位置により品
番等を判別することができる。また、複数本のストライ
プの組み合わせでも良い。なお、本例においては、W、
Mo、Cr2O3を添加して黒色化した例を示したが、他
の添加物を添加して他の色に発色させてもよく、添加物
の添加量を調節することで色調(濃淡)を変化させても
良い。また、全体を黒色化し、1部の部材のみ添加剤を
加えない白色セラミックとしても良い。
材3bのみ黒色としてストライプ模様を形成したので、
配線基板1の品番や基板の向き(方向)、各パッドの位
置をこの模様から検出することができる。即ち、予め、
グリーンシート中に他とは焼成後の発色を異ならせる添
加剤を添加しておくことにより、容易に模様を付けるこ
とができ、この模様によって配線基板の品番や配線基板
の向きやパッドの位置等を検出させることができる。例
えば、本例においては、4つの帯状絶縁部材のうち1つ
(3b)を黒色化した。同様にして部材3aを黒色化し
てもよく、このように黒色化させる部材の位置により品
番等を判別することができる。また、複数本のストライ
プの組み合わせでも良い。なお、本例においては、W、
Mo、Cr2O3を添加して黒色化した例を示したが、他
の添加物を添加して他の色に発色させてもよく、添加物
の添加量を調節することで色調(濃淡)を変化させても
良い。また、全体を黒色化し、1部の部材のみ添加剤を
加えない白色セラミックとしても良い。
【0033】(実施例2)上記実施例1においては、積
層体Mを切断して切断体Cを形成し、さらに、未焼成パ
ッドCpを形成した後に、同時焼成により配線基板1を
形成した例を示したが、本例においては、切断体Cを焼
成した後にパッドを形成する。即ち、実施例1と同様に
して切断体Cを形成する。切断体Cの切断面C1、C2
には、導体層Lの断面Lcが露出しており、本例におい
ては、このまま還元雰囲気中で焼成する。これにより配
線基板本体2’が焼結される。この配線基板本体2’
は、図7(a)に示すように、表面2a’および裏面2
b’を有し、両面から内部配線7の端面7s’が露出
し、帯状絶縁部材3a’〜3d’がその幅方向に密着し
て形成され、部材3b’により黒色ストライプ模様が形
成されている。
層体Mを切断して切断体Cを形成し、さらに、未焼成パ
ッドCpを形成した後に、同時焼成により配線基板1を
形成した例を示したが、本例においては、切断体Cを焼
成した後にパッドを形成する。即ち、実施例1と同様に
して切断体Cを形成する。切断体Cの切断面C1、C2
には、導体層Lの断面Lcが露出しており、本例におい
ては、このまま還元雰囲気中で焼成する。これにより配
線基板本体2’が焼結される。この配線基板本体2’
は、図7(a)に示すように、表面2a’および裏面2
b’を有し、両面から内部配線7の端面7s’が露出
し、帯状絶縁部材3a’〜3d’がその幅方向に密着し
て形成され、部材3b’により黒色ストライプ模様が形
成されている。
【0034】ついで、この配線基板本体2’の表面2
a’および裏面2b’をラップ研磨等により研磨する。
これにより、焼成後の配線基板本体2’の反りやうねり
等をなくし、その表面2a’及び裏面2b’を平坦にす
ることができる。なお、この研磨によっても、配線基板
本体2’の帯状絶縁部材3b’の黒色模様は消えること
はない。部材3b’自身が黒色とされているからであ
る。
a’および裏面2b’をラップ研磨等により研磨する。
これにより、焼成後の配線基板本体2’の反りやうねり
等をなくし、その表面2a’及び裏面2b’を平坦にす
ることができる。なお、この研磨によっても、配線基板
本体2’の帯状絶縁部材3b’の黒色模様は消えること
はない。部材3b’自身が黒色とされているからであ
る。
【0035】ついで、配線基板2’の表面2a’および
裏面2b’にパッド(表面側パッド、裏面側パッド)を
形成する。具体的には、フォトリソグラフィ技術によ
り、両面から露出している内部配線の端面7s’を覆う
ようにして、パッドを形成する。例えば、表面2a’全
面に接続層としてTi−Mo−Cuスパッタ層(厚さ3
00Å−2000Å−2000Å)を形成する。さら
に、フォトレジストを塗布し露光現像して、端面7s上
部を所定形状(例えば100μmφ)に開口させ、スパ
ッタ層を通じて電流を流しCu−Ni−Auメッキ(厚
さ3−2−0.5μm)を施し、レジストおよび不要な
スパッタ層を除去して、表面2a’に表面側パッド5’
を形成する。裏面2b’側にも同様にして裏面側パッド
6’(図示しない)を形成して配線基板1’を完成させ
る(図7(b)参照)。
裏面2b’にパッド(表面側パッド、裏面側パッド)を
形成する。具体的には、フォトリソグラフィ技術によ
り、両面から露出している内部配線の端面7s’を覆う
ようにして、パッドを形成する。例えば、表面2a’全
面に接続層としてTi−Mo−Cuスパッタ層(厚さ3
00Å−2000Å−2000Å)を形成する。さら
に、フォトレジストを塗布し露光現像して、端面7s上
部を所定形状(例えば100μmφ)に開口させ、スパ
ッタ層を通じて電流を流しCu−Ni−Auメッキ(厚
さ3−2−0.5μm)を施し、レジストおよび不要な
スパッタ層を除去して、表面2a’に表面側パッド5’
を形成する。裏面2b’側にも同様にして裏面側パッド
6’(図示しない)を形成して配線基板1’を完成させ
る(図7(b)参照)。
【0036】このようにすると、配線基板本体2’の表
裏面を一旦研磨してからパッド5’、6’を形成するの
で、パッド5’、6’の上面のコプラナリティが良好と
なり、ICチップや他の配線基板との接続性を向上させ
ることができる。
裏面を一旦研磨してからパッド5’、6’を形成するの
で、パッド5’、6’の上面のコプラナリティが良好と
なり、ICチップや他の配線基板との接続性を向上させ
ることができる。
【0037】なお、上記例においては、Ti−Mo−C
uスパッタ層上にCu−Ni−Auメッキ層を積層した
構成のパッドを形成した例を示したが、他の構成によっ
ても良い。また、上記のようにフォトリソグラフィ技術
によってパッドを形成するほか、マスクを用いてパッド
を蒸着等により形成しても良い。さらに、研磨後に、ス
クリーン印刷法により、Ag、Ag−Pd、Ag−P
t,Cu等のペーストを印刷し、800〜1000℃程
度の温度でパッドを焼き付け形成しても良い。この場合
にも、パッド焼き付け温度による本体2’の変形は少な
いので、配線基板本体2’の表裏面2a’、2b’は平
坦にすることができる。また、ICチップの接続はフリ
ップチップ法に限定されず、ワイヤボンディング方式の
構造を採用することもできる。
uスパッタ層上にCu−Ni−Auメッキ層を積層した
構成のパッドを形成した例を示したが、他の構成によっ
ても良い。また、上記のようにフォトリソグラフィ技術
によってパッドを形成するほか、マスクを用いてパッド
を蒸着等により形成しても良い。さらに、研磨後に、ス
クリーン印刷法により、Ag、Ag−Pd、Ag−P
t,Cu等のペーストを印刷し、800〜1000℃程
度の温度でパッドを焼き付け形成しても良い。この場合
にも、パッド焼き付け温度による本体2’の変形は少な
いので、配線基板本体2’の表裏面2a’、2b’は平
坦にすることができる。また、ICチップの接続はフリ
ップチップ法に限定されず、ワイヤボンディング方式の
構造を採用することもできる。
【0038】(実施例3)上記実施例1,2において
は、積層体Mを切断して切断体Cを形成した後に焼成し
た例を示した。本実施例3においては、積層体Mを焼成
しその後切断する例を示す。即ち、本例は、積層体Mの
製造までは上記実施例1と同じである(図4(a)参
照)。この積層体Mを還元雰囲気中で焼成し、図8(a)
に示すように、焼結積層体SMを形成する。この焼結積
層体SMにおいては、焼結層Sa、Sb、Sc、Sdの
4層が積層され、このうち焼結層Sbが黒く発色してい
る。
は、積層体Mを切断して切断体Cを形成した後に焼成し
た例を示した。本実施例3においては、積層体Mを焼成
しその後切断する例を示す。即ち、本例は、積層体Mの
製造までは上記実施例1と同じである(図4(a)参
照)。この積層体Mを還元雰囲気中で焼成し、図8(a)
に示すように、焼結積層体SMを形成する。この焼結積
層体SMにおいては、焼結層Sa、Sb、Sc、Sdの
4層が積層され、このうち焼結層Sbが黒く発色してい
る。
【0039】この焼結積層体SMを一点鎖線で示す切断
線Yに沿って所定厚さに切断する。切断方向は、積層体
Mの内部の導体層Lに直交する方向である。これによ
り、図8(b)に示すように、表面2a’および裏面2
b’を有し、両面から内部配線7の端面7s’が露出し
ている配線基板本体2”が形成できた。この手法によれ
ば、焼結積層体SMを形成してから切断するので、切断
体Cを焼結するのとは異なり、焼結に伴う反りやうねり
を生ずることがない。従って、表面及び裏面2a”、2
b”の表面粗さやキズ等が十分小さいならば、そのまま
でパッドを形成することができる。なお、この配線基板
本体2”の表面2a”および裏面2b”をラップ研磨等
により研磨してもよい。この場合においても、本体2”
に反り等がないので、研磨はごくわずかで足り、容易に
研磨できる。その後は、上記実施例2と同様にして、表
面側パッド及び裏面側パッドを形成すればよい。
線Yに沿って所定厚さに切断する。切断方向は、積層体
Mの内部の導体層Lに直交する方向である。これによ
り、図8(b)に示すように、表面2a’および裏面2
b’を有し、両面から内部配線7の端面7s’が露出し
ている配線基板本体2”が形成できた。この手法によれ
ば、焼結積層体SMを形成してから切断するので、切断
体Cを焼結するのとは異なり、焼結に伴う反りやうねり
を生ずることがない。従って、表面及び裏面2a”、2
b”の表面粗さやキズ等が十分小さいならば、そのまま
でパッドを形成することができる。なお、この配線基板
本体2”の表面2a”および裏面2b”をラップ研磨等
により研磨してもよい。この場合においても、本体2”
に反り等がないので、研磨はごくわずかで足り、容易に
研磨できる。その後は、上記実施例2と同様にして、表
面側パッド及び裏面側パッドを形成すればよい。
【図1】実施例1にかかる配線基板の斜視図である。
【図2】実施例1にかかる配線基板の断面図である。
【図3】実施例1にかかる配線基板の製造方法のうち、
グリーンシートの積層までを説明する説明図である。
グリーンシートの積層までを説明する説明図である。
【図4】実施例1にかかる配線基板の製造方法のうち、
切断体の製作までを説明する説明図である。
切断体の製作までを説明する説明図である。
【図5】実施例1にかかる配線基板の製造方法のうち、
未焼成パッドの形成までを説明する説明図である。
未焼成パッドの形成までを説明する説明図である。
【図6】本発明の配線基板をICチップ及び他の配線基
板と接続した状態を示す断面図である。
板と接続した状態を示す断面図である。
【図7】実施例2にかかる配線基板の製造方法を説明す
る説明図である。
る説明図である。
【図8】実施例3にかかる配線基板の製造方法を説明す
る説明図である。
る説明図である。
【図9】従来の配線基板をICチップ及び他の配線基板
に接続した状態を示す断面図である。
に接続した状態を示す断面図である。
1:配線基板 2、2’、2”:配線基板本体 2a:表面 2b:裏面 3a、3b、3c、3d:帯状絶縁部材 5:表面側パッド(第1接続端子) 6:裏面側パッド(第2接続端子) 7:内部配線
Claims (6)
- 【請求項1】表面と裏面とを有する平板形状を有し、複
数の帯状絶縁部材をその幅方向に相互に密着させて列設
してなる絶縁部材と、 該絶縁部材の表面に形成された複数の第1接続用端子
と、 上記絶縁部材の裏面に形成され、上記第1接続用端子と
同配置で配置された複数の第2接続用端子と、 上記帯状絶縁部材間に形成され、上記第1接続用端子と
これに対応する第2接続用端子とをそれぞれ表面及び裏
面に垂直な直線状に結ぶ内部配線と、を有する配線基
板。 - 【請求項2】前記表面及び裏面のうち少なくともいずれ
かは、研磨面であることを特徴とする請求項1に記載の
配線基板。 - 【請求項3】前記帯状絶縁部材のうち少なくとも1層以
上の帯状絶縁部材が、他の帯状絶縁部材と異なる色彩を
有することを特徴とする請求項1または2に記載の配線
基板。 - 【請求項4】未焼成絶縁層の表面または裏面の少なくと
もいずれか一方の上に互いに平行な複数の直線状導体層
を形成する工程と、 複数の上記未焼成絶縁層を厚さ方向に積層して積層体を
形成する工程と、 該積層体を直線状導体層に直交する方向に所定の厚さに
切断して未焼成配線基板を形成する工程と、 該未焼成配線基板を焼成する工程と、を有することを特
徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項5】未焼成絶縁層の表面または裏面の少なくと
もいずれか一方の上に互いに平行な複数の直線状導体層
を形成する工程と、 複数の上記未焼成絶縁層を厚さ方向に積層して積層体を
形成する工程と、 該積層体を焼成して焼成体を形成する工程と、 該焼成体を直線上導体層に直交する方向に所定の厚さに
切断する工程と、を有することを特徴とする配線基板の
製造方法。 - 【請求項6】前記積層された未焼成絶縁層のうち、少な
くとも1つ以上の未焼成絶縁層が焼成後の発色が他とは
異なる異色未焼成絶縁層であり、 前記積層体形成工程において、上記異色未焼成絶縁層を
所定位置に積層することを特徴とする請求項4または5
に記載の配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27644197A JPH1197582A (ja) | 1997-09-23 | 1997-09-23 | 配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27644197A JPH1197582A (ja) | 1997-09-23 | 1997-09-23 | 配線基板およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1197582A true JPH1197582A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17569476
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27644197A Pending JPH1197582A (ja) | 1997-09-23 | 1997-09-23 | 配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1197582A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8344490B2 (en) | 2005-02-18 | 2013-01-01 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device having a high frequency electrode positioned with a via hole |
-
1997
- 1997-09-23 JP JP27644197A patent/JPH1197582A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8344490B2 (en) | 2005-02-18 | 2013-01-01 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device having a high frequency electrode positioned with a via hole |
US9076789B2 (en) | 2005-02-18 | 2015-07-07 | Socionext Inc. | Semiconductor device having a high frequency external connection electrode positioned within a via hole |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2996510B2 (ja) | 電子回路基板 | |
US6703683B2 (en) | Chip resistor and method for manufacturing the same | |
JP2003502852A (ja) | 多層プリント回路板へチップを装着するための構成 | |
CN100459115C (zh) | 带式电路衬底及使用该衬底的半导体芯片封装 | |
EP3633719A1 (en) | Electronic component mounting substrate, electronic device, and electronic module | |
JPS58114498A (ja) | 基板 | |
JPS5842639B2 (ja) | セラミツク配線基板の製造法 | |
JPH1197582A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
CN109075133A (zh) | 电子部件搭载用基板、电子装置以及电子模块 | |
JP2943773B2 (ja) | Icパッケージ | |
JP2788656B2 (ja) | 集積回路用パッケージの製造方法 | |
JP3091378B2 (ja) | セラミック多層基板 | |
JP4587587B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
JPH10173083A (ja) | 電子部品搭載用配線基板とその製造方法 | |
JPH07273447A (ja) | セラミック回路基板及びその製造方法 | |
JP2000188475A (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
JPS5999794A (ja) | 厚膜回路装置 | |
JP2019079835A (ja) | セラミック基板 | |
JPH0563367A (ja) | 低温焼成セラミツク多層配線基板 | |
JP2743524B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
JPH07122677A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2766361B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH0719162Y2 (ja) | 集積回路パッケージ | |
KR20230134421A (ko) | 세라믹 기판의 복합 구조체 | |
CN117837275A (zh) | 电子元件安装用基板、电子装置、以及电子模块 |