JPH1190801A - Double-face machining method and device for wafer - Google Patents
Double-face machining method and device for waferInfo
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- JPH1190801A JPH1190801A JP9254907A JP25490797A JPH1190801A JP H1190801 A JPH1190801 A JP H1190801A JP 9254907 A JP9254907 A JP 9254907A JP 25490797 A JP25490797 A JP 25490797A JP H1190801 A JPH1190801 A JP H1190801A
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- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体等からなる
ウェハの両面を加工するための方法及び装置に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for processing both surfaces of a wafer made of a semiconductor or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、シリコンをはじめとする半導体
等からなるウェハの表面は、高い平坦度をもった円滑な
面に仕上げる必要がある。従来、このような仕上げ加工
を行う手段として、まずウェハ表面をラッピング加工し
て高平坦度を得、このラッピングによってウェハ表面に
生じた破砕層や砥粒に汚染された表層をエッチングによ
って化学的に除去し、その後鏡面研磨により表面を円滑
な面にする方法が一般に用いられている。2. Description of the Related Art Generally, the surface of a wafer made of a semiconductor such as silicon needs to be finished to a smooth surface having high flatness. Conventionally, as a means for performing such finishing processing, first, the wafer surface is lapped to obtain high flatness, and the crushed layer generated on the wafer surface due to the lapping and the surface layer contaminated with abrasive grains are chemically etched. A method of removing the surface and then smoothing the surface by mirror polishing is generally used.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記ラッピング加工工
程は、完全なバッチシステムで進められるため、ウェハ
セット及びウェハリセットのための時間が長くなり、ま
た加工しろがバッチ毎にバラツキやすいという欠点があ
る。さらに、ラップ剤を使用するため、作業性及び作業
環境が悪化するといった欠点がある。Since the lapping process is carried out in a complete batch system, the time required for wafer setting and wafer reset is long, and the processing margin tends to vary from batch to batch. . Furthermore, the use of a wrapping agent has the disadvantage that workability and work environment deteriorate.
【0004】このような欠点を解消する手段として、上
記ラッピングに代え、ウェハの表面を平面研削すること
が考えられるが、例えばウェハの一方の面を吸着保持し
ながら他方の面を研削する方法を行うと、ウェハの両面
を同時に加工することができず、加工時間の大幅な短縮
は望めない。また、ウェハの吸着によって同ウェハに吸
着側面形状に応じた弾性変形を生じさせた状態で研削を
するので、その研削後、吸着を止めて応力を解消させる
とウェハの表面に模様が発生し、高い平坦度が得られな
くなる不都合もある。As a means for solving such a defect, it is conceivable to perform surface grinding on the surface of the wafer instead of lapping. For example, there is a method for grinding one surface of the wafer while holding the other surface by suction. If this is done, both sides of the wafer cannot be processed simultaneously, and a significant reduction in processing time cannot be expected. In addition, since grinding is performed in a state where the wafer is elastically deformed according to the suction side shape by suction of the wafer, after the grinding, if suction is stopped and stress is eliminated, a pattern is generated on the surface of the wafer, There is also a disadvantage that high flatness cannot be obtained.
【0005】本発明は、このような事情に鑑み、ウェハ
の両面を効率よくかつ高精度で加工することができる方
法及び装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method and an apparatus capable of efficiently processing both sides of a wafer with high accuracy.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の手段として、本発明は、一対の研削用砥石をそれぞれ
ウェハの両面に同時に接触させてこれら研削用砥石の間
にウェハを挟み込むとともに、このウェハの外周面に3
つ以上のローラの外周面を径方向外側から押し当て、こ
れらローラのうちの少なくとも1つを駆動ローラとして
回転駆動することにより上記ウェハを回転させながら上
記両研削用砥石によりウェハの両面を同時に研削するウ
ェハの両面加工方法であり、また、一対の研削用砥石を
それぞれウェハの両面に同時に接触した状態でウェハを
挟み込む一対の研削用砥石と、ウェハの外周面に径方向
外側から押し当てられる3つ以上のローラと、これらロ
ーラのうちの少なくとも1つを駆動ローラとして回転駆
動することにより上記ウェハを回転させる駆動手段とを
備え、このウェハの回転中に上記両研削用砥石によりウ
ェハの両面が同時に研削されるように構成したウェハの
両面加工装置である。As a means for solving the above problems, the present invention provides a method in which a pair of grinding wheels are simultaneously brought into contact with both surfaces of a wafer, and the wafer is sandwiched between these grinding wheels. 3 on the outer surface of this wafer
At least one of the rollers is pressed from the outside in the radial direction, and at least one of the rollers is driven as a driving roller to rotate the wafer, thereby simultaneously grinding both surfaces of the wafer with the grinding wheels. A pair of grinding wheels that sandwich the wafer in a state where the pair of grinding wheels are simultaneously in contact with both surfaces of the wafer, and a method that is pressed against the outer peripheral surface of the wafer from outside in the radial direction. One or more rollers, and driving means for rotating the wafer by rotationally driving at least one of the rollers as a driving roller. During the rotation of the wafer, both sides of the wafer are rotated by the grinding wheels. This is a wafer double-side processing apparatus configured to be simultaneously ground.
【0007】これらの方法及び装置によれば、ウェハの
両面を同時に研削加工することによって、加工時間を大
幅に短縮することが可能である。また、ウェハを吸着保
持しながら研削加工する方法のように、ウェハに大きな
応力を発生させながら研削加工するものではないので、
ウェハを加工して解放した後も、好適な加工面を維持す
ることができる。According to these methods and apparatuses, it is possible to greatly reduce the processing time by simultaneously grinding both surfaces of the wafer. Also, unlike the method of grinding while holding the wafer by suction, it does not perform grinding while generating large stress on the wafer.
Even after processing and releasing the wafer, a suitable processed surface can be maintained.
【0008】さらに、ウェハの外周面に4つ以上のロー
ラの外周面を径方向外側から押し当て、これらローラの
うちの少なくとも2つを駆動ローラとして同じ方向に同
じ周速で同時に回転駆動する(すなわち駆動ローラを2
つ以上備えるようにする)ことにより、ウェハの周方向
一部にフラット面や切欠等の非円弧部分が存在する場合
でも、この非円弧部分と1つの駆動ローラとが非接触状
態になっている時に他の駆動ローラによってウェハの回
転駆動を良好に続けることができ、かつ、ウェハの良好
な保持も続けることができる。Further, the outer peripheral surfaces of four or more rollers are pressed against the outer peripheral surface of the wafer from the outside in the radial direction, and at least two of these rollers are simultaneously driven to rotate at the same peripheral speed in the same direction as driving rollers. That is, if the drive roller is 2
Even if a non-circular portion such as a flat surface or a notch exists in a part of the wafer in the circumferential direction, the non-circular portion and one driving roller are in a non-contact state. Occasionally, the rotation drive of the wafer can be satisfactorily continued by another driving roller, and the wafer can also be favorably held.
【0009】また、上記装置において、上記各ローラの
外周面に上記ウェハのエッジが嵌まり込む形状の周溝を
形成すれば、ウェハ厚み方向へのウェハの動きも規制で
き、ウェハへの各ローラの押付け力を軽くしながら、ク
ランプ部材からウェハ厚み方向へのウェハの脱落をより
確実に防止できる。In the above apparatus, if a peripheral groove is formed on the outer peripheral surface of each roller so that the edge of the wafer fits therein, the movement of the wafer in the thickness direction of the wafer can be regulated, and each roller can be moved to the wafer. , The falling of the wafer from the clamp member in the wafer thickness direction can be more reliably prevented.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】本発明の第1の実施の形態を図1
〜図4に基づいて説明する。FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
This will be described with reference to FIG.
【0011】図2〜図4に示すウェハ加工装置は、ベッ
ド10を備え、このベッド上には左右一対の駆動モータ
12が設置されている。各駆動モータ12の出力軸14
は上を向いており、この出力軸14の上端に駆動ローラ
16が固定されている。そして、両駆動モータ12が同
時に作動することにより、両駆動ローラ16が同じ向き
に同じ周速で同時に回転駆動されるようになっている。The wafer processing apparatus shown in FIGS. 2 to 4 includes a bed 10 on which a pair of left and right drive motors 12 are installed. Output shaft 14 of each drive motor 12
The drive roller 16 is fixed to the upper end of the output shaft 14. When both drive motors 12 operate simultaneously, both drive rollers 16 are simultaneously rotated in the same direction at the same peripheral speed.
【0012】なお、このように両駆動ローラ16を同時
駆動する場合において、必ずしも駆動ローラ16と同数
の駆動モータ12を具備しなくてもよく、歯車機構や巻
掛け伝動機構等を用いることにより、単一の駆動源で複
数の駆動ローラ16を回転駆動することも可能である。When the two drive rollers 16 are simultaneously driven, the drive motors 12 do not necessarily have to be provided with the same number of drive motors as the drive rollers 16, and by using a gear mechanism, a winding transmission mechanism, or the like, It is also possible to rotationally drive a plurality of drive rollers 16 with a single drive source.
【0013】上記ベッド10上において、両駆動モータ
12に対向する位置には移動台22が設置されている。
この移動台22は、上記駆動モータ12に対して接離す
る方向に移動可能となるようにベッド10上に設置さ
れ、送り駆動モータ20及び図略の送り機構によって上
記方向に送り駆動されるように構成されている(図2及
び図3の実線及び二点鎖線参照)。On the bed 10, a moving table 22 is provided at a position facing the two drive motors 12.
The moving table 22 is installed on the bed 10 so as to be movable in a direction of coming and going with respect to the driving motor 12, and is driven by the feed driving motor 20 and a feed mechanism (not shown) in the above direction. (See the solid line and the two-dot chain line in FIGS. 2 and 3).
【0014】上記移動台22には、左右一対の回転軸2
4が直立状態で回転可能に保持されている。各回転軸2
4の上端には従動ローラ26が固定され、これら従動ロ
ーラ26の位置は、上記各駆動ローラ16に対向する位
置であって、これら駆動ローラ16と同じ高さ位置に設
定されている。そして、上記移動台22が所定位置(図
1〜図3の実線位置)に到達した状態で、4つのローラ
16,26が加工対象であるウェハWの外周面に同時に
接触できるように(すなわち4つのローラ16,26が
同一円周上に並ぶように)、各ローラ16,26の配設
位置が設定されている。The moving table 22 has a pair of left and right rotating shafts 2.
4 is rotatably held in an upright state. Each rotating shaft 2
A driven roller 26 is fixed to an upper end of the driven roller 4, and the position of the driven roller 26 is a position facing each of the driving rollers 16 and is set at the same height as the driving rollers 16. Then, in a state where the movable table 22 has reached a predetermined position (the solid line position in FIGS. 1 to 3), the four rollers 16 and 26 can be simultaneously contacted with the outer peripheral surface of the wafer W to be processed (that is, 4 rollers). (So that the two rollers 16 and 26 are arranged on the same circumference), the arrangement positions of the rollers 16 and 26 are set.
【0015】上記各ローラ16(26)の中段位置に
は、図4に示すような略V字状の断面形状をもつ周溝1
8(28)が全周にわたって形成されている。なお、こ
れらローラ16,26の具体的な材質は自由に設定が可
能であるが、柔らかくてウェハWを傷めにくく、しかも
ウェハWとの摩擦係数が高い材料、例えばゴム等が好適
である。A circumferential groove 1 having a substantially V-shaped cross section as shown in FIG.
8 (28) are formed over the entire circumference. Although the specific material of the rollers 16 and 26 can be freely set, a material that is soft and hard to damage the wafer W and has a high coefficient of friction with the wafer W, such as rubber, is preferable.
【0016】一方、ウェハWの外周部の周方向一部に
は、結晶方位の基準であるオリエンテーションフラット
面2が形成され、このオリエンテーションフラット面2
及びウェハWの外周部に面取り加工が施されることによ
り、同図に示すようなテーパー面4が表裏両面に形成さ
れている。そして、このようなテーパー面4をもつウェ
ハWの外周部が上記周溝18(28)に嵌まり込むこと
により、その高さ位置(加工位置)にウェハWが保持さ
れるように、周溝18(28)の断面形状が設定されて
いる。On the other hand, an orientation flat surface 2 which is a reference of the crystal orientation is formed in a part of the outer periphery of the wafer W in the circumferential direction.
By performing chamfering on the outer peripheral portion of the wafer W, the tapered surface 4 as shown in FIG. The outer peripheral portion of the wafer W having such a tapered surface 4 fits into the peripheral groove 18 (28), so that the wafer W is held at the height position (processing position). The cross-sectional shape of 18 (28) is set.
【0017】上記両駆動モータ12と移動台22との間
の位置には、上下一対の研削用砥石30が配設されてい
る。これらの研削用砥石30は、円筒状をなし、両駆動
モータ12の並び方向と平行な回転軸32の周囲に固定
されている。各回転軸32の両端は、図略の砥石送り装
置により昇降可能に支持され、図3に示すように両研削
用砥石30の周面が上記加工位置におけるウェハWの表
裏面に接触する位置(同図実線位置)とウェハWの表裏
面から上下に離間する位置(同図二点鎖線位置)との間
で昇降できるようになっている。また、各回転軸32に
は図略の砥石駆動モータが連結され、これら砥石駆動モ
ータによって各回転軸32及び研削用砥石30が所定方
向(図3の矢印方向)に回転駆動されるようになってい
る。A pair of upper and lower grinding wheels 30 are disposed between the drive motors 12 and the moving table 22. These grinding wheels 30 have a cylindrical shape and are fixed around a rotary shaft 32 parallel to the direction in which the two drive motors 12 are arranged. Both ends of each rotating shaft 32 are supported by a grindstone feeder (not shown) so as to be able to move up and down. As shown in FIG. 3, the positions where the peripheral surfaces of the grinding wheels 30 contact the front and back surfaces of the wafer W in the above-described processing positions ( It can be moved up and down between a position (solid line position in the figure) and a position vertically separated from the front and back surfaces of the wafer W (a position indicated by a two-dot chain line in the figure). Also, a grindstone drive motor (not shown) is connected to each of the rotating shafts 32, and the respective rotating shafts 32 and the grindstone 30 for grinding are rotationally driven in a predetermined direction (the direction of the arrow in FIG. 3) by these grindstone drive motors. ing.
【0018】この装置によれば、例えば次の方法によ
り、ウェハWの両面を加工することができる。According to this apparatus, both sides of the wafer W can be processed by, for example, the following method.
【0019】 初期状態として、図2及び図3の二点
鎖線に示すように、移動台22を最後端位置まで後退さ
せるとともに、両研削用砥石30を上下に大きく離間さ
せておく。すなわち、移動台22及び両研削用砥石30
をウェハWの加工位置から退避させておく。As an initial state, as shown by a two-dot chain line in FIGS. 2 and 3, the moving table 22 is retracted to the rearmost position, and the grinding wheels 30 are largely separated vertically. That is, the moving table 22 and both grinding wheels 30
Is retracted from the processing position of the wafer W.
【0020】 スライシング装置により切り出された
後に外周部を面取りされたウェハWを図略のクランパで
つかんで水平状態に保持し、そのエッジ(外周部)の片
側を両駆動ローラ16の周溝18に側方から同時に嵌め
込む(加工位置へのセット)。The wafer W cut out by the slicing device and having its outer peripheral portion chamfered is held in a horizontal state by holding it with a clamper (not shown), and one side of the edge (outer peripheral portion) is inserted into the peripheral groove 18 of both drive rollers 16. Fit simultaneously from the side (set to the processing position).
【0021】 送りモータ20を作動させることによ
り移動台22を駆動モータ12側に近づけ、両従動ロー
ラ26がウェハWの外周面に当接した時点、より具体的
には、両従動ローラ26の周溝28にウェハWの外周部
が嵌まり込んだ時点で、移動台22の送りを止める。こ
れにより、ウェハWの外周面に対して4つのローラ1
6,26が同時にウェハ径方向外側から押し当てられた
状態となる。The movable table 22 is moved closer to the drive motor 12 by operating the feed motor 20, and when the driven rollers 26 abut on the outer peripheral surface of the wafer W, more specifically, around the driven rollers 26. When the outer peripheral portion of the wafer W fits into the groove 28, the feeding of the moving table 22 is stopped. Thereby, four rollers 1 are placed on the outer peripheral surface of the wafer W.
6, 26 are simultaneously pressed from the outside in the wafer radial direction.
【0022】 両研削用砥石30を近づけてウェハW
の表裏両面に同時に接触させるとともに、クランパによ
るウェハWの把持を解除させる。With both grinding wheels 30 approaching each other, the wafer W
At the same time, the gripping of the wafer W by the clamper is released.
【0023】 図略の砥石駆動モータによって両研削
用砥石30を回転駆動するとともに、両駆動モータ12
を同時に作動させて両駆動ローラ16を同じ方向に同じ
周速で回転駆動する。これにより、従動ローラ26の回
転を伴いながらウェハWがその中心点回りに回転する。
このウェハWの回転と研削用砥石24の回転駆動とが同
時に行われることにより、ウェハWの両面研削が進めら
れる。加工後は、前記〜と逆の動作を行い、クラン
パによってウェハWを加工位置から取り出す。The two grinding wheels 30 are driven to rotate by an unillustrated grinding wheel drive motor, and the two drive motors 12
At the same time to drive the two drive rollers 16 in the same direction at the same peripheral speed. Accordingly, the wafer W rotates around its center point while the driven roller 26 rotates.
By performing the rotation of the wafer W and the rotation of the grinding wheel 24 at the same time, the double-side grinding of the wafer W is advanced. After the processing, the operation reverse to the above is performed, and the wafer W is taken out from the processing position by the clamper.
【0024】以上のように、この方法及び装置では、ウ
ェハWの外周面にその径方向外側から複数のローラ1
6,26を押し当て、このウェハWを上下の研削用砥石
30で挟んだ状態で駆動ローラ16を回転駆動してウェ
ハWを回転させるようにしたものであるので、ウェハW
を良好に保持しながら、その両面を一度に研削加工する
ことができ、これによって加工時間を大幅に短縮するこ
とができる。しかも、ウェハWの保持はこれにローラ1
6,26を軽く押し当てるだけでよく、ウェハWの片面
を吸着保持しながら研削加工する方法のように、加工中
のウェハWに大きな応力を生じさせることもないので、
加工後にウェハWの表面に不良が生じるといった不都合
もない。As described above, in this method and apparatus, a plurality of rollers 1 are arranged on the outer peripheral surface of the wafer W from the radial outside.
6 and 26, the drive roller 16 is rotated to rotate the wafer W while the wafer W is sandwiched between the upper and lower grinding wheels 30.
Can be ground at the same time while maintaining good, and the processing time can be greatly reduced. In addition, the wafer W is held by the roller 1
It is only necessary to lightly press the wafers 6 and 26, and unlike the method of grinding while holding one surface of the wafer W by suction, a large stress is not generated in the wafer W being processed.
There is no inconvenience that defects occur on the surface of the wafer W after processing.
【0025】特に、この実施の形態では、ローラ16,
26に周溝を形成してこれにウェハWの外周部を嵌め込
んだ状態でウェハWの保持をしており、ウェハWをその
厚み方向からも拘束できるようにしているので、周溝1
8,28がない場合に較べ、ウェハWへのローラ16,
26の押し当て力をさらに軽減しながらウェハWの脱落
を確実に防止することが可能となっている。Particularly, in this embodiment, the rollers 16,
26, a circumferential groove is formed, and the wafer W is held in a state where the outer peripheral portion of the wafer W is fitted therein. Since the wafer W can be restrained also in the thickness direction, the circumferential groove 1 is formed.
8 and 28, the rollers 16 and
It is possible to reliably prevent the wafer W from falling off while further reducing the pressing force of the wafer 26.
【0026】なお、ウェハWの外周形状が完全な円であ
れば、少なくとも3つのローラを具備してそのうちの少
なくとも1つのローラを回転駆動すれば、ウェハWを回
転させることが可能であるが、上記実施の形態では、ウ
ェハWを保持するために4つのローラ16,26を具備
し、そのうちの2つの駆動ローラ16を回転駆動するよ
うにしているので、ウェハWの周方向一部に図示のよう
なオリエンテーションフラット面2や小さい切欠といっ
た非円弧部分が存在する場合でも、その非円弧部分と一
方の駆動ローラ16とが非接触状態になっている時に他
の駆動ローラ16で良好なウェハWの回転駆動を続ける
ことができ、また、他の3つのローラによってウェハW
の保持を良好に継続することが可能となっている。5つ
以上のローラを具備する場合や、3つ以上のローラを回
転駆動する場合にも同様の効果が得られることはいうま
でもない。If the outer peripheral shape of the wafer W is a perfect circle, it is possible to rotate the wafer W by providing at least three rollers and rotating at least one of them. In the above embodiment, four rollers 16 and 26 are provided to hold the wafer W, and two of the driving rollers 16 are driven to rotate. Even when there is a non-circular portion such as the orientation flat surface 2 or the small notch, when the non-circular portion and one of the driving rollers 16 are in a non-contact state, the other driving roller 16 can provide a good wafer W. Rotational drive can be continued, and the wafer W
Can be maintained satisfactorily. Needless to say, the same effect can be obtained when five or more rollers are provided or when three or more rollers are driven to rotate.
【0027】ローラの形状についても、全ローラが同形
である必要はなく、各ローラの径が異なっていてもよ
い。また、上記のように複数の駆動ローラ16を同時駆
動する場合でも、駆動ローラ16が全て同径でなくても
よく、そのローラ径が大きいほど回転駆動速度を小さく
して全駆動ローラの周速が同一になるようにすればよ
い。Regarding the shape of the rollers, it is not necessary that all the rollers have the same shape, and the diameters of the rollers may be different. Further, even when a plurality of drive rollers 16 are simultaneously driven as described above, the drive rollers 16 may not all have the same diameter, and the larger the roller diameter, the smaller the rotational drive speed and the peripheral speed of all drive rollers. Should be the same.
【0028】第2の実施の形態を図5及び図6に示す。
この実施の形態では、両駆動モータ12間に上下一対の
研削用砥石40が配されている。各研削用砥石40は円
板状をなし、垂直軸42回りに回転する円盤44の内側
面(上側の円盤44では下側面、下側の円盤44では上
側面)に固定されている。そして、両研削用砥石40が
ウェハWの表裏両面に接触した状態で、上記円盤44と
一体に研削用砥石40がその周方向に回転駆動されるこ
とにより、ウェハ両面の研削加工が進められるようにな
っている。FIGS. 5 and 6 show a second embodiment.
In this embodiment, a pair of upper and lower grinding wheels 40 are arranged between both drive motors 12. Each grinding wheel 40 has a disk shape and is fixed to an inner surface of a disk 44 rotating around a vertical axis 42 (a lower surface of the upper disk 44 and an upper surface of the lower disk 44). Then, in a state where both grinding wheels 40 are in contact with the front and back surfaces of the wafer W, the grinding wheels 40 are rotated in the circumferential direction integrally with the disk 44 so that the grinding process on both surfaces of the wafer W is advanced. It has become.
【0029】このように、本発明では研削用砥石40の
具体的な形状を問わず、ウェハWの表裏両面に同時接触
が可能であり、かつ、その接触状態で研削加工が可能な
ものであれば、広く適用が可能である。As described above, according to the present invention, regardless of the specific shape of the grinding whetstone 40, it is possible to simultaneously contact both the front and back surfaces of the wafer W and perform grinding in the contact state. It can be widely applied.
【0030】また、上記駆動ローラ16の駆動だけでは
ウェハWを回転させるための駆動力が足りない場合に
は、例えば第3の実施の形態として図7に示すように、
ウェハWをその厚み方向両側から挟む一対の補助駆動ロ
ーラ50を付加し、これら補助ローラ50の回転駆動に
よってウェハWの回転駆動を補助するようにしてもよ
い。この場合、補助ローラ50の材質も、各ローラ1
6,26の材質と同様、柔らかくてウェハWとの摩擦係
数が高いゴム等にするのが、より好ましい。In the case where the driving force for rotating the wafer W is not sufficient only by driving the driving roller 16, for example, as shown in FIG.
A pair of auxiliary drive rollers 50 that sandwich the wafer W from both sides in the thickness direction may be added, and the rotational drive of the auxiliary rollers 50 may assist the rotational drive of the wafer W. In this case, the material of the auxiliary roller 50 is also different for each roller 1.
Like the materials 6 and 26, it is more preferable to use a rubber or the like that is soft and has a high coefficient of friction with the wafer W.
【0031】[0031]
【発明の効果】以上のように本発明は、一対の研削用砥
石をそれぞれウェハの両面に同時に接触させてこれら研
削用砥石の間にウェハを挟み込むとともに、このウェハ
の外周面に3つ以上のローラの外周面を径方向外側から
押し当て、これらローラのうちの少なくとも1つを駆動
ローラとして回転駆動することにより上記ウェハを回転
させながら上記両研削用砥石によりウェハの両面を同時
に研削するものであるので、従来に比べて加工時間を大
幅に短縮でき、しかもウェハ両面を高い平坦度をもつ面
に加工できる効果がある。As described above, according to the present invention, a pair of grinding wheels are simultaneously brought into contact with both surfaces of the wafer to sandwich the wafer between the grinding wheels, and three or more grinding wheels are provided on the outer peripheral surface of the wafer. The outer peripheral surface of the roller is pressed from the outside in the radial direction, and at least one of these rollers is driven to rotate as a drive roller, thereby simultaneously grinding both surfaces of the wafer with the grinding wheels while rotating the wafer. As a result, there is an effect that the processing time can be greatly reduced as compared with the related art, and that both surfaces of the wafer can be processed into surfaces having high flatness.
【0032】さらに、ウェハの外周面に4つ以上のロー
ラの外周面を径方向外側から押し当て、これらローラの
うちの少なくとも2つを駆動ローラとして同じ方向に同
じ周速で同時に回転駆動するようにしたものでは、ウェ
ハの周方向一部に非円弧部分が存在する場合でも良好な
ウェハの保持及び回転駆動ができる効果がある。Further, the outer peripheral surfaces of four or more rollers are pressed against the outer peripheral surface of the wafer from the outside in the radial direction, and at least two of these rollers are simultaneously driven to rotate at the same peripheral speed in the same direction as driving rollers. According to the method described above, there is an effect that excellent holding and rotation driving of the wafer can be performed even when a non-arc portion exists in a part of the wafer in the circumferential direction.
【0033】また、上記装置において、上記各ローラの
外周面に上記ウェハのエッジが嵌まり込む形状の周溝を
形成したものでは、ウェハへの各ローラの押付け力を軽
くしながら、クランプ部材からウェハ厚み方向へのウェ
ハの脱落をより確実に防止できる効果が得られる。In the above apparatus, when the peripheral groove of the shape in which the edge of the wafer fits is formed on the outer peripheral surface of each roller, the pressing force of each roller against the wafer can be reduced while the clamping member is removed from the clamp member. The effect of more reliably preventing the wafer from falling off in the wafer thickness direction can be obtained.
【図1】本発明の第1の実施の形態にかかるウェハ加工
装置の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a wafer processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1に示すウェハ加工装置の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the wafer processing apparatus shown in FIG.
【図3】図1に示すウェハ加工装置の正面図である。FIG. 3 is a front view of the wafer processing apparatus shown in FIG.
【図4】上記ウェハ加工装置における各ローラの周溝に
ウェハの外周部が嵌まり込んでいる状態を示す断面正面
図である。FIG. 4 is a cross-sectional front view showing a state where an outer peripheral portion of a wafer is fitted into a peripheral groove of each roller in the wafer processing apparatus.
【図5】本発明の第2の実施の形態にかかるウェハ加工
装置の斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a wafer processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図6】図5に示すウェハ加工装置の平面図である。6 is a plan view of the wafer processing apparatus shown in FIG.
【図7】本発明の第3の実施の形態にかかるウェハ加工
装置の斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of a wafer processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
12 駆動モータ(駆動手段) 16 駆動ローラ 18,28 周溝 26 従動ローラ 30 研削用砥石 12 drive motor (drive means) 16 drive roller 18, 28 circumferential groove 26 driven roller 30 grinding wheel
Claims (5)
の方法であって、一対の研削用砥石をそれぞれウェハの
両面に同時に接触させてこれら研削用砥石の間にウェハ
を挟み込むとともに、このウェハの外周面に3つ以上の
ローラの外周面を径方向外側から押し当て、これらロー
ラのうちの少なくとも1つを駆動ローラとして回転駆動
することにより上記ウェハを回転させながら上記両研削
用砥石によりウェハの両面を同時に研削することを特徴
とするウェハの両面加工方法。1. A method for simultaneously grinding both surfaces of a wafer, wherein a pair of grinding wheels are simultaneously brought into contact with both surfaces of the wafer to sandwich the wafer between the grinding wheels, and The outer peripheral surfaces of three or more rollers are pressed against the outer peripheral surface from outside in the radial direction, and at least one of these rollers is rotationally driven as a driving roller to rotate the wafer while rotating the wafer by the grinding wheels. A method for processing both sides of a wafer, characterized in that both sides are simultaneously ground.
おいて、上記ウェハの外周面に4つ以上のローラの外周
面を径方向外側から押し当て、これらローラのうちの少
なくとも2つを駆動ローラとして同じ方向に同じ周速で
同時に回転駆動することを特徴とするウェハの両面加工
方法。2. The double-sided wafer processing method according to claim 1, wherein the outer peripheral surface of four or more rollers is pressed against the outer peripheral surface of the wafer from the radial outside, and at least two of these rollers are driven by a driving roller. A double-sided processing method for a wafer, wherein the wafers are simultaneously rotated in the same direction at the same peripheral speed.
の装置であって、一対の研削用砥石をそれぞれウェハの
両面に同時に接触した状態でウェハを挟み込む一対の研
削用砥石と、ウェハの外周面に径方向外側から押し当て
られる3つ以上のローラと、これらローラのうちの少な
くとも1つを駆動ローラとして回転駆動することにより
上記ウェハを回転させる駆動手段とを備え、このウェハ
の回転中に上記両研削用砥石によりウェハの両面が同時
に研削されるように構成したことを特徴とするウェハの
両面加工装置。3. An apparatus for simultaneously grinding both surfaces of a wafer, comprising: a pair of grinding wheels for sandwiching the wafer while the pair of grinding wheels are simultaneously in contact with both surfaces of the wafer; and an outer peripheral surface of the wafer. And three or more rollers pressed against the outside in the radial direction, and driving means for rotating the wafer by rotationally driving at least one of the rollers as a driving roller. A double-sided wafer processing apparatus characterized in that both sides of the wafer are simultaneously ground by both grinding wheels.
おいて、ウェハの外周面に径方向外側から押し当てられ
る4つ以上のローラを備え、これらローラのうちの少な
くとも2つを駆動ローラとして同じ方向に同じ周速で同
時に回転駆動するように上記駆動手段を構成したことを
特徴とするウェハの両面加工装置。4. The double-sided wafer processing apparatus according to claim 3, further comprising four or more rollers pressed against the outer peripheral surface of the wafer from the outside in the radial direction, at least two of the rollers being the same as the drive rollers. A double-sided wafer processing apparatus, wherein the driving means is configured to be simultaneously driven to rotate at the same peripheral speed in the directions.
工装置において、上記各ローラの外周面に上記ウェハの
エッジが嵌まり込む形状の周溝を形成したことを特徴と
するウェハの両面加工装置。5. The double-sided wafer processing apparatus according to claim 3, wherein a peripheral groove having a shape into which an edge of the wafer is fitted is formed on an outer peripheral surface of each of the rollers. apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH1190801A true JPH1190801A (en) | 1999-04-06 |
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