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JPH118193A - Manufacture of semiconductor device with surface inclination detecting apparatus and process thereof - Google Patents

Manufacture of semiconductor device with surface inclination detecting apparatus and process thereof

Info

Publication number
JPH118193A
JPH118193A JP10048821A JP4882198A JPH118193A JP H118193 A JPH118193 A JP H118193A JP 10048821 A JP10048821 A JP 10048821A JP 4882198 A JP4882198 A JP 4882198A JP H118193 A JPH118193 A JP H118193A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
detection point
optical system
detection
inclination
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10048821A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masanori Kato
正紀 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP10048821A priority Critical patent/JPH118193A/en
Priority to US09/050,699 priority patent/US6034780A/en
Publication of JPH118193A publication Critical patent/JPH118193A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026Focusing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor device provided with a surface inclination detecting apparatus, with which surface inclination can be detected in a short period, and a surface inclination detecting process. SOLUTION: This surface inclination detecting apparatus which detects the inclination of the surface W to be detected against the prescribed reference surface (X-Y plane, for example) is provided with irradiation optical systems 111 to 114, with which a light is applied to the first detection point 101 on the surface W to be detected, reirradiation optical systems 116, 201 to 206 and 117, which lead the light reflected by the first detection point 101 to the second detection point 102 on the surface W to be detected, photoelectric systems 123 and 124 with which the light reflected by the second detection point 102 on the surface W to be detected is condensed on a light receiving surface, and photoelectric detection parts 126 to 128 which photoelectrically detect the displacement of the light received by the above-mentioned light receiving surface. The information of the first detection point 101 and the second detection point 102 can be given to the light projected from the irradiation optical system, and the inclination of the surface to be detected can be computed by the above-mentioned light.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被検面の傾斜を検
出するための表面傾斜検出装置に関し、特に、大型の液
晶パネルや半導体集積回路等の基板の傾斜を検出するの
に適した表面傾斜検出装置及び表面傾斜検出工程を備え
る半導体デバイス製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface inclination detecting device for detecting the inclination of a surface to be inspected, and more particularly to a surface suitable for detecting the inclination of a substrate such as a large liquid crystal panel or a semiconductor integrated circuit. The present invention relates to a semiconductor device manufacturing method including an inclination detecting device and a surface inclination detecting step.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造装置において基板の表面の傾
斜を求める場合、表面変位検出装置により基板上の2点
の変位を検出して、それら2点の変位の差をとればよ
い。そのための表面変位検出装置としては、基板の表面
に対して斜めに入射光を照射し、その基板から斜めに反
射してくる光を検出して、表面位置を検出する斜入射型
表面位置検出装置が用いられている。そのような表面位
置検出装置には、例えば、特開昭56−42205号公
報、特開平5−129182号あるいは特開平5−20
4166号に記載されているものがある。
2. Description of the Related Art When determining the inclination of the surface of a substrate in a semiconductor manufacturing apparatus, the displacement of two points on the substrate may be detected by a surface displacement detecting device, and the difference between the two points may be calculated. As a surface displacement detection device for this purpose, an oblique incidence type surface position detection device that irradiates incident light obliquely to the surface of the substrate, detects light obliquely reflected from the substrate, and detects the surface position. Is used. Such surface position detecting devices include, for example, JP-A-56-42205, JP-A-5-129182 and JP-A-5-2020.
No. 4166.

【0003】特に特開平5−204166号に記載され
ている表面変位検出系は、大型の基板の表面変位を検出
するのに適している。この表面変位検出系は、2つの光
源と2つの受光素子を備えて構成されており、各光源の
光はハーフプリズムで分岐され、各光源毎に2箇所ずつ
の検出点に導かれ、各検出点からの光が2つの受光素子
の各々により受光され、各検出点の変位が計測されるよ
うになっている。2つの光源は、オン、オフの時分割に
より、それぞれ2点ずつの変位を同時に計測できるよう
になっている。このようにして、2つの光源と2つの受
光素子で、大型基板上の周辺部に広がった、合計4カ所
の検出点の変位が検出できる。このようにして検出した
各検出点について、向かい合った点同士の変位の差をと
れば、それら点同士を結んだ方向の基板の傾斜が求めら
れる。
[0003] In particular, the surface displacement detection system described in Japanese Patent Laid-Open No. 5-204166 is suitable for detecting the surface displacement of a large substrate. This surface displacement detection system includes two light sources and two light receiving elements, and the light of each light source is split by a half prism and guided to two detection points for each light source. Light from a point is received by each of the two light receiving elements, and the displacement of each detection point is measured. The two light sources can simultaneously measure displacements at two points by time division of ON and OFF. In this way, two light sources and two light receiving elements can detect displacements of a total of four detection points spread around the large substrate. By calculating the difference in displacement between the facing points for each of the detection points detected in this way, the inclination of the substrate in the direction connecting the points can be obtained.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】以上のような表面変位
検出系による表面傾斜検出装置によれば、時分割にて各
検出点を検出するため、被検面上の複数の検出点を全て
検出し、基板の傾斜を求めるのに時間がかかり、スルー
プットを低下させる原因の一つになっていた。さらに同
様な構成によって、これを改善しようとすると、受光光
学系が各検出点に対して各々必要となり、構成が複雑に
なり、設計、製造上、大きな障害となり、また過大な労
力を費やすこととなっていた。
According to the surface inclination detecting apparatus using the above-described surface displacement detecting system, since each detecting point is detected in a time-division manner, all the plurality of detecting points on the surface to be detected are detected. However, it takes time to determine the inclination of the substrate, which is one of the causes of a decrease in throughput. In order to improve this by a similar configuration, a light receiving optical system is required for each detection point, which complicates the configuration, causes major obstacles in design, manufacturing, and consumes excessive labor. Had become.

【0005】そこで本発明は、表面の傾斜を短時間で検
出することができる表面傾斜検出装置と表面傾斜検出工
程を備えるデバイス製造方法を提供することを目的とし
ている。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a surface inclination detecting device capable of detecting a surface inclination in a short time and a device manufacturing method including a surface inclination detecting step.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に係る発明による表面傾斜検出装置は、例
えば図1に示すように、所定の基準面(例えばXY平
面)に対する被検面(被検物体Wの表面(以下適宜「被
検面W」という))の傾斜を検出する表面傾斜検出装置
において;被検面W上の第1の検出箇所101に向けて
光を照射する照射光学系111〜114と;第1の検出
箇所101で反射した光を被検面W上の第2の検出箇所
102へ導く再照射光学系116、201〜206、1
17と;被検面W上の第2の検出箇所102から反射し
た光を受光面上に集光する検出光学系123、124
と;前記受光面での受光光の変位を光電的に検出する光
電検出部126〜128とを有する。
In order to achieve the above object, a surface inclination detecting apparatus according to the first aspect of the present invention, as shown in FIG. 1, for example, detects a test object on a predetermined reference plane (for example, an XY plane). In a surface tilt detection device that detects the tilt of a surface (the surface of a test object W (hereinafter, appropriately referred to as a “test surface W”)), light is irradiated toward a first detection point 101 on the test surface W. Irradiation optical systems 111 to 114; re-irradiation optical systems 116, 201 to 206, and 1 for guiding light reflected at the first detection point 101 to the second detection point 102 on the surface W to be measured.
And 17; detection optical systems 123 and 124 for condensing light reflected from the second detection point 102 on the surface W to be detected on the light receiving surface.
And photoelectric detectors 126 to 128 for photoelectrically detecting the displacement of the received light on the light receiving surface.

【0007】このように構成すると、照射光学系から照
射される光に、第1の検出箇所と第2の検出箇所との情
報を与えることができ、その光により被検面の傾斜を求
めることができる。
With this configuration, it is possible to give information of the first detection point and the second detection point to the light irradiated from the irradiation optical system, and to obtain the inclination of the surface to be detected by the light. Can be.

【0008】請求項2に記載のように、請求項1に記載
の表面傾斜検出装置では、前記再照射光学系は、第1の
検出箇所101での基準面(XY平面)の法線方向(Z
軸方向)に沿った変位と第2の検出箇所102での前記
基準面の法線方向(Z軸方向)に沿った変位との差に対
応する受光光の変位を前記受光面上に形成するように構
成されている。
According to the second aspect of the present invention, in the surface inclination detecting apparatus according to the first aspect, the re-irradiation optical system includes a first detection portion and a normal direction to a reference plane (XY plane) at the detection point. Z
The displacement of the received light corresponding to the difference between the displacement along the axial direction) and the displacement along the normal direction (Z-axis direction) of the reference plane at the second detection point 102 is formed on the light receiving surface. It is configured as follows.

【0009】言い換えれば、前記受光面での受光光の変
位が、第1の検出箇所101での基準面の法線方向(Z
軸方向)に沿った被検面Wの変位と第2の検出箇所10
2での前記基準面の法線方向(Z軸方向)に沿った被検
面Wの変位との差に対応して変化するように、前記再照
射光学系は、構成されているということが出来る。
In other words, the displacement of the received light on the light receiving surface changes in the normal direction (Z
(The axial direction) and the second detection point 10
2, the re-irradiation optical system is configured to change in accordance with a difference from the displacement of the test surface W along the normal direction (Z-axis direction) of the reference surface in Step 2. I can do it.

【0010】このように構成すると、再照射光学系は、
第1の検出箇所101と第2の検出箇所102でのZ軸
方向に沿った変位の差に対応する受光光の変位を受光面
上に形成するので、第1の検出箇所と第2の検出箇所と
を結んだ方向についての被検面の傾斜が求められる。
[0010] With this configuration, the re-irradiation optical system includes:
Since the displacement of the received light corresponding to the difference in displacement along the Z-axis direction between the first detection point 101 and the second detection point 102 is formed on the light receiving surface, the first detection point and the second detection point The inclination of the test surface with respect to the direction connecting the points is determined.

【0011】また、請求項3に記載のように、以上の表
面傾斜検出装置では、前記再照射光学系は、被検面Wが
前記基準面の前記法線方向(Z軸方向)に変位した際
に、第1の検出箇所101に入射する光束の主光線に関
する前記基準面での入射面と直交しかつ前記再照射光学
系の光軸を含む所定面により2分される前記再照射光学
系の一方の部分に向けて入射する前記主光線を、前記所
定面により2分される前記再照射光学系の前記一方の部
分から射出させて前記第2の検出箇所へ導くように構成
されている。
In the above-mentioned surface inclination detecting device, the re-irradiation optical system may be such that the surface to be inspected W is displaced in the normal direction (Z-axis direction) of the reference surface. At this time, the re-irradiation optical system which is orthogonal to the incident surface on the reference surface with respect to the principal ray of the light beam incident on the first detection point 101 and is bisected by a predetermined surface including the optical axis of the re-irradiation optical system Is configured to emit the chief ray incident on one of the portions from the one portion of the re-irradiation optical system bisected by the predetermined surface, and to guide the chief ray to the second detection portion. .

【0012】このように構成すると、所定面により2分
される再照射光学系の一方の部分に向けて入射する前記
主光線を、同じく一方の部分から射出させて前記第2の
箇所へ導くように構成されているので、2箇所の変位の
差に対応して第1の方向への光束のずれが変化する。
With this configuration, the principal ray incident on one part of the re-irradiation optical system divided into two parts by the predetermined surface is emitted from one part and guided to the second part. , The shift of the light beam in the first direction changes in accordance with the difference between the two displacements.

【0013】また、請求項4に記載のように、請求項1
乃至請求項3のいずれかに記載の表面傾斜検出装置で
は、前記再照射光学系は、第1の検出箇所101で反射
した光束を第2の検出箇所102へ偏向させる偏向部材
116、203、204、117と、第1の検出箇所1
01と第2の検出箇所102とを実質的に共役にするリ
レー光学系ALR1、ALR2とを有するように構成し
てもよい。
[0013] Also, as described in claim 4, claim 1 is as follows.
In the surface inclination detecting device according to any one of claims 3 to 3, the re-irradiation optical system deflects the light beam reflected at the first detection point 101 to the second detection point 102. , 117 and the first detection point 1
It may be configured to have relay optical systems ALR1 and ALR2 that substantially conjugate the 01 and the second detection point 102.

【0014】また、請求項5に記載のように、請求項1
乃至請求項4のいずれかに記載の表面傾斜検出装置で
は、照射光学系は、所定のパターンを有する送光スリッ
ト板112と、該所定のパターンを第1の検出箇所10
1に投影する送光対物レンズ系114とを有し;前記光
電検出部は、前記受光面上に配置された受光スリット板
126と、受光スリット板126を介した光を光電変換
する光電検出器128を有し;前記検出光学系は、前記
受光面上に形成される前記所定のパターンの像が受光ス
リット板126を横切るように振動する振動ミラー12
9を有するように構成してもよい。
Further, as described in claim 5, claim 1 is
In the surface inclination detecting device according to any one of claims 4 to 6, the irradiation optical system includes a light-transmitting slit plate 112 having a predetermined pattern, and the light-transmitting slit plate 112 having the predetermined pattern.
A photoelectric transmission unit for projecting light onto the light-receiving slit plate 126; and a photoelectric detector for photoelectrically converting light passing through the light-receiving slit plate 126 disposed on the light-receiving surface. 128; the detecting optical system includes a vibrating mirror 12 that vibrates so that the image of the predetermined pattern formed on the light receiving surface crosses the light receiving slit plate 126.
9 may be provided.

【0015】さらに、請求項6に記載のように、請求項
1乃至請求項5のいずれかに記載の表面傾斜検出装置で
は、前記光電検出部からの出力に基づいて被検面Wの傾
斜を演算する演算装置をさらに備えるように構成するの
が好ましい。
Further, as described in claim 6, in the surface tilt detecting device according to any one of claims 1 to 5, the tilt of the surface W to be detected is determined based on the output from the photoelectric detector. It is preferable to further comprise an arithmetic device for performing the arithmetic.

【0016】とする、。[0016]

【0017】このように構成すると、被検面が傾斜する
と、第1と第2の検出箇所の変位が、例えば図1でZ軸
の方向に異なった変位だけ移動するので、その変位差に
対応して、振動ミラーに入射する反射光がその入射方向
に対して直交する方向に横ずれを起こすことになる。こ
の横ズレ量に応じて受光スリットを通過する光量が定ま
り、被検面のZ方向に沿った移動に応じて受光素子の出
力が変化する。その変化から演算装置で被検面の変位の
差が算出でき、ひいては被検面の傾斜を調整することが
できる。
With this configuration, when the surface to be inspected is tilted, the displacements of the first and second detection points move by different displacements in the direction of the Z axis in FIG. 1, for example. As a result, the reflected light incident on the vibrating mirror causes a lateral shift in a direction orthogonal to the incident direction. The amount of light passing through the light receiving slit is determined according to the amount of the lateral shift, and the output of the light receiving element changes according to the movement of the surface to be detected along the Z direction. From the change, the difference in displacement of the test surface can be calculated by the arithmetic device, and the inclination of the test surface can be adjusted.

【0018】また、請求項7に記載の半導体デバイスの
製造方法では、請求項1乃至請求項6のいずれかに記載
の表面傾斜検出装置を備える露光装置を提供する工程
と;前記表面傾斜検出装置の前記被検面の位置に感光性
基板Wを載置する工程と;前記表面傾斜検出装置により
前記感光性基板Wの表面の傾斜を検出する工程と;前記
検出された感光性基板Wの表面の傾斜情報に基づいて、
感光性基板Wの傾斜を調整する工程と;感光性基板Wの
表面に露光を行う工程とを備える。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, the method comprising: providing an exposure apparatus having the surface inclination detecting device according to any one of the first to sixth aspects; Placing the photosensitive substrate W at the position of the test surface; detecting the inclination of the surface of the photosensitive substrate W by the surface inclination detection device; and detecting the detected surface of the photosensitive substrate W. Based on the slope information of
A step of adjusting the inclination of the photosensitive substrate W; and a step of exposing the surface of the photosensitive substrate W to light.

【0019】この方法では、感光性基板の傾きが迅速に
検出でき、それに基づいて基板の表面が露光装置の光軸
と直交するように基板の傾斜を修正できる。
According to this method, the inclination of the photosensitive substrate can be quickly detected, and the inclination of the substrate can be corrected based on the inclination so that the surface of the substrate is orthogonal to the optical axis of the exposure apparatus.

【0020】なお、本発明では、液晶表示装置、プラズ
マ・ディスプレイ・パネル(PDP)等の表示装置、L
SI等の半導体素子、及び、薄膜磁気ヘッド、CCDな
どの撮像素子を総称して、半導体デバイスと定義する。
In the present invention, a display device such as a liquid crystal display device, a plasma display panel (PDP),
Semiconductor elements such as SI and imaging elements such as thin-film magnetic heads and CCDs are collectively defined as semiconductor devices.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。なお、各図において互い
に同一あるいは相当する部材には同一符号を付し、重複
した説明は省略する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding members are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【0022】図1は、本発明による表面傾斜検出装置を
液晶用露光装置に適用した例を示す図である。この露光
装置は、オートフォーカス(AF)系とオートレベリン
グ(AL)系即ち表面傾斜検出装置とを含む。
FIG. 1 is a view showing an example in which the surface inclination detecting device according to the present invention is applied to a liquid crystal exposure device. This exposure apparatus includes an auto focus (AF) system and an auto leveling (AL) system, that is, a surface tilt detection device.

【0023】図中、本液晶用露光装置は、照明光学系
9、投影光学系PLを有し、その間にレチクルRを配置
するようになっている。投影光学系PLについて、照明
光学系9と反対側で、レチクルと共役な位置に被検物体
としての基板Wを載置するXYステージST、XYステ
ージの投影光学系PLとは反対側にそれを駆動する駆動
装置STDが配置されている。ここで、XYZの3次元
座標を、投影光学系PLの光軸に平行な軸をZ軸、これ
に直交する平面内の直交座標をX軸及びY軸として設定
する。XYステージSTの基板Wを載置する面は、XY
座標面とほぼ平行である。典型的には、本発明の所定の
基準面はXY座標面あるいはXY座標面と平行な平面、
即ち投影光学系PLの結像面とする。したがって、Z軸
方向は、本発明でいう基準面の法線方向である。なお図
中照明光学系9のレンズは、象徴的に変形して示されて
いる。
In FIG. 1, the present exposure apparatus for a liquid crystal has an illumination optical system 9 and a projection optical system PL, and a reticle R is arranged between them. Regarding the projection optical system PL, on the side opposite to the illumination optical system 9, the XY stage ST on which the substrate W as a test object is mounted at a position conjugate with the reticle, and on the opposite side to the projection optical system PL of the XY stage. A driving device STD for driving is provided. Here, the XYZ three-dimensional coordinates are set as an axis parallel to the optical axis of the projection optical system PL as a Z axis, and orthogonal coordinates in a plane orthogonal to the Z axis as an X axis and a Y axis. The surface of the XY stage ST on which the substrate W is placed is XY
It is almost parallel to the coordinate plane. Typically, the predetermined reference plane of the present invention is an XY coordinate plane or a plane parallel to the XY coordinate plane,
That is, the image plane of the projection optical system PL is used. Therefore, the Z-axis direction is the normal direction of the reference plane in the present invention. In the figure, the lens of the illumination optical system 9 is shown symbolically deformed.

【0024】以上のように、照明光学系9によって所定
のパターンが形成されたレチクルRを照明することによ
り、レチクルRのパターン像が投影光学系PLを介して
基板Wの被検面としての表面上に露光される。そして、
この露光工程を経ることにより、最終的に液晶表示装置
を製造することができる。
As described above, the illumination optical system 9 illuminates the reticle R on which a predetermined pattern has been formed, so that the pattern image of the reticle R is projected onto the surface of the substrate W as the surface to be inspected via the projection optical system PL. Exposure on top. And
Through this exposure step, a liquid crystal display device can be finally manufactured.

【0025】以上の露光工程に先立って、以下に述べる
オートフォーカス(AF)系およびオートレベリング
(AL)系によって感光性基板Wの表面の位置即ちZ軸
方向の変位および傾斜を検出する。なお、以上の投影露
光工程と同時に以下に述べるオートフォーカス(AF)
系およびオートレベリング(AL)系によって基板Wの
表面の位置および傾斜を検出することも可能である。
Prior to the above-described exposure process, the position of the surface of the photosensitive substrate W, that is, the displacement and inclination in the Z-axis direction are detected by an autofocus (AF) system and an autoleveling (AL) system described below. In addition, at the same time as the above-mentioned projection exposure process, an auto focus (AF) described below
It is also possible to detect the position and inclination of the surface of the substrate W by a system and an auto-leveling (AL) system.

【0026】図1を参照して、先ずAF系の構成を説明
する。AF系は被検面である基板Wの表面と投影光学系
PLの光軸との交点100(または投影光学系PLの結
像面)の変位を検出し、投影光学系PLを被検面Wに合
焦するための装置である。図1に示される液晶用露光装
置に組み込まれたAF系は、不図示の例えばハロゲンラ
ンプのような光源から照明用の光を導く光ファイバー1
0の光射出端が射出方向をZ軸と平行にして、投影光学
系PLの側面の近傍に配置されている。該射出端からの
光路中にコンデンサーレンズ11、コンデンサーレンズ
11により均一に照明される位置にスリット状の開口部
を有する送光スリット板12(以下同一符号を適宜スリ
ット板とそれに形成されているスリットに、「スリット
板12」、「スリット12」のように用いる)、偏向部
材であるミラー13がこの順に配列されている。ミラー
13は、送光スリット板12からの光を基板Wの表面上
の検出点100に斜めに入射させるように傾斜されてい
る。ミラー13と検出点100との間には、送光対物レ
ンズ系14が配置されている。
Referring to FIG. 1, first, the configuration of the AF system will be described. The AF system detects a displacement of an intersection 100 (or an image forming plane of the projection optical system PL) between the surface of the substrate W, which is the surface to be inspected, and the optical axis of the projection optical system PL, and moves the projection optical system PL to the surface W to be inspected. This is a device for focusing on. The AF system incorporated in the liquid crystal exposure apparatus shown in FIG. 1 includes an optical fiber 1 for guiding illumination light from a light source (not shown) such as a halogen lamp.
The zero light exit end is arranged near the side surface of the projection optical system PL with the exit direction parallel to the Z axis. A condenser lens 11 in the optical path from the exit end, and a light-transmitting slit plate 12 having a slit-shaped opening at a position uniformly illuminated by the condenser lens 11 (hereinafter, the same reference numerals are used as appropriate, and a slit formed in the slit plate). Are used like “slit plate 12” and “slit 12”), and a mirror 13 as a deflecting member is arranged in this order. The mirror 13 is inclined so that light from the light transmitting slit plate 12 is obliquely incident on the detection point 100 on the surface of the substrate W. A light transmitting objective lens system 14 is arranged between the mirror 13 and the detection point 100.

【0027】ここで、被検物体としての基板Wの表面
(被検面)が基準面(投影光学系PLの結像面)と一致
している場合には、送光対物レンズ系14は、送光スリ
ット板12と基板Wの表面とを光学的に共役に保つ機能
を有している。また、送光対物レンズ系14は、基板W
の表面側に関してテレセントリックに構成されている。
Here, when the surface (test surface) of the substrate W as the test object coincides with the reference surface (image forming surface of the projection optical system PL), the light transmission objective lens system 14 It has a function of keeping the light transmitting slit plate 12 and the surface of the substrate W optically conjugate. In addition, the light transmission objective lens system 14 includes a substrate W
It is telecentric with respect to the front side of.

【0028】なお、コンデンサーレンズ11からの送光
対物レンズ系14までがAF系の照射光学系を構成して
いる。
The illumination optical system of the AF system includes the condenser lens 11 and the light transmission objective lens system 14.

【0029】ここで、基板W上に形成された製品用の実
パターンは、典型的には互いに直角をなす縦横の直線を
主な構成要素としている。検出点100におけるスリッ
トの像の長手方向が、このような縦横の直線方向と一致
しないように、例えば約45度の角度をなすように、先
の送光スリット板12のスリットの長手方向を配置す
る。例えば、パターンの横縦の直線を座標のX軸、Y軸
の方向に合わせて基板WをXYステージST上に載置し
た場合、スリットの長手方向は、XY平面内でX軸と4
5度をなすX1軸と平行となる。このようにスリット像
を形成すれば、パターンによる明暗や、反射率の不均一
さを平均化して表面位置の検出精度が上がるからであ
る。なお、45度が望ましい角度であるが、パターンの
縦と横の線を横断してスリットの像が結像されればよい
ので、90度以外の角度、例えば30度や60度であっ
てもよい。このことは、以下説明する検出点101、1
02についても同様である。
Here, the actual pattern for the product formed on the substrate W typically has vertical and horizontal straight lines which are perpendicular to each other as main components. The longitudinal direction of the slit of the light transmitting slit plate 12 is arranged so that the longitudinal direction of the slit image at the detection point 100 does not coincide with such a vertical and horizontal linear direction, for example, at an angle of about 45 degrees. I do. For example, when the substrate W is placed on the XY stage ST with the horizontal and vertical straight lines of the pattern aligned with the directions of the X and Y axes of the coordinates, the longitudinal direction of the slit is set to be equal to the X axis in the XY plane.
It is parallel to the X 1 axis which forms a 5 degrees. This is because, if the slit image is formed in this way, the brightness of the pattern and the unevenness of the reflectance are averaged to improve the detection accuracy of the surface position. It is to be noted that 45 ° is a desirable angle, but since it is sufficient that the image of the slit is formed across the vertical and horizontal lines of the pattern, an angle other than 90 °, for example, 30 ° or 60 ° Good. This is because the detection points 101, 1
The same applies to 02.

【0030】以上のAF系の照射光学系によって検出点
100に多波長の光が照射されると、その検出点100
からの反射光は、検出点100からの反射光を所定の受
光面上に集光するAF系の検出光学系(23、24)に
入射する。
When the detection point 100 is irradiated with light of multiple wavelengths by the irradiation optical system of the AF system, the detection point 100
From the detection point 100 is incident on a detection optical system (23, 24) of an AF system that condenses the reflected light from the detection point 100 on a predetermined light receiving surface.

【0031】ここで、この検出点100には、AF系の
照射光学系により再結像されたスリット像が形成され
る。そして、検出光学系(23、24)は、検出点10
0に形成されたスリット像を所定の受光面に配置された
受光スリット板26へ再結像(リレー)する機能を有し
ている。
At this detection point 100, a slit image re-formed by the irradiation optical system of the AF system is formed. Then, the detection optical system (23, 24)
It has a function of re-imaging (relaying) the slit image formed at 0 on the light receiving slit plate 26 arranged on a predetermined light receiving surface.

【0032】被検物体としての基板Wの表面(被検面)
が基準面(投影光学系PLの結像面)と一致している場
合には、AF系の検出光学系(23、24)は、検出点
100と所定の受光面に配置された受光スリット板26
とを光学的に共役に保っている。
The surface of the substrate W as a test object (test surface)
Is coincident with the reference plane (the image forming plane of the projection optical system PL), the detection optical system (23, 24) of the AF system includes the detection point 100 and a light receiving slit plate disposed on a predetermined light receiving surface. 26
And are kept optically conjugate.

【0033】AF系の検出光学系(23、24)は、被
検面に関する基準面(基板Wの表面と基準面とが一致し
たときの検出点100の位置)に前側焦点が位置するよ
うに配置されて、検出点100からの反射光を受光スリ
ット板26上に集光する受光対物レンズ系23と、その
受光対物レンズ系23からの光を偏向(受光対物レンズ
系23の光軸をZ軸に平行な方向へ偏向)する振動ミラ
ー24とを有している。
The detection optical system (23, 24) of the AF system is arranged so that the front focal point is located on the reference surface (the position of the detection point 100 when the surface of the substrate W coincides with the reference surface) with respect to the test surface. The light receiving objective lens system 23 is disposed to collect the reflected light from the detection point 100 on the light receiving slit plate 26, and deflects the light from the light receiving objective lens system 23 (the optical axis of the light receiving objective lens system 23 is Z (Deflecting in a direction parallel to the axis).

【0034】なお、AF系の検出光学系(23、24)
又は受光対物レンズ系23は、検出点側(物体側)及び
受光スリット板側(像側)に関して共にテレセントリッ
クに構成されている。
The AF detecting optical system (23, 24)
Alternatively, the light receiving objective lens system 23 is configured to be telecentric with respect to both the detection point side (object side) and the light receiving slit plate side (image side).

【0035】また、AF系の検出光学系(23、24)
の像側には、所定の受光面での受光光の変位を光電検出
するAF系の光電検出部26〜28が配置されている。
Further, the detection optical system of the AF system (23, 24)
On the image side, photoelectric detection units 26 to 28 of an AF system for photoelectrically detecting displacement of received light on a predetermined light receiving surface are arranged.

【0036】AF系の光電検出部26〜28は、所定の
受光面上に配置されて所定のスリット状の開口部を有す
る受光スリット板26と、その受光スリット板26の開
口部を通過した光を集光する集光レンズ27と、その集
光レンズ27により集光された光を光電変換する光電変
換素子(光電検出器)としてのSPD28を有してい
る。
The AF type photoelectric detectors 26 to 28 are arranged on a predetermined light receiving surface and have a predetermined slit-shaped opening, and a light passing through the opening of the light receiving slit plate 26. And a SPD 28 as a photoelectric conversion element (photoelectric detector) for photoelectrically converting the light condensed by the condenser lens 27.

【0037】なお、受光スリット板26は、受光スリッ
ト板26に形成されるスリット状の開口部の長手方向
と、AF系の検出光学系(23、24)によって受光ス
リット板26(受光面)上に形成されるスリット像の長
手方向とが一致するように設定されている。
The light receiving slit plate 26 is formed on the light receiving slit plate 26 (light receiving surface) by the longitudinal direction of the slit-shaped opening formed in the light receiving slit plate 26 and the detection optical system (23, 24) of the AF system. Is set so that the longitudinal direction of the slit image formed at the same position coincides with the longitudinal direction.

【0038】ここで、簡単にAF系の検出動作について
述べると、振動ミラー24は、ミラー駆動装置29によ
りYX平面に平行な軸線回り(X1軸方向に平行な軸線
回り)に揺動(振動)させられる。そして、受光対物レ
ンズ系23により受光スリット板26上に形成されるス
リット像は、この振動ミラー24の作用によって、受光
スリット板26の開口部を横切る。したがって、SPD
28は、受光スリット板26及び集光レンズ27を通過
した光を光電検出し、その光電検出信号に基づいて後述
するコントローラ51内部の演算装置によって同期検波
の手法によって基板Wの表面の位置(検出点100の位
置)が検出される。
[0038] Here, briefly Describing operation of detecting the AF system, the vibrating mirror 24, about an axis parallel to the YX plane by mirror driver 29 to swing (X 1 axially about an axis parallel to) (vibrations ). Then, the slit image formed on the light receiving slit plate 26 by the light receiving objective lens system 23 crosses the opening of the light receiving slit plate 26 by the action of the vibrating mirror 24. Therefore, SPD
Reference numeral 28 photoelectrically detects the light that has passed through the light receiving slit plate 26 and the condenser lens 27, and calculates the position (detection) of the surface of the substrate W by a synchronous detection method using an arithmetic unit in the controller 51 based on the photoelectric detection signal. (The position of the point 100) is detected.

【0039】なお、図1に示した例では、振動ミラー2
4を用いて同期検波によって基板Wの表面の位置を検出
する手法を示しているが、この手法に限ることはない。
例えば、受光スリット板26と集光レンズ27とSPD
28とを取り除き、AF系の検出光学系23〜24によ
って形成されるスリット像(結像)の位置(受光スリッ
ト板26が配置されていた位置)にコントローラ51内
部の演算装置と電気的に接続されたCCD等の撮像素子
を用いても基板Wの表面の平均的な位置の検出をするこ
とが可能である。この場合、振動ミラー24は光路を偏
向させる単なる固定ミラーとして用いられる。
Incidentally, in the example shown in FIG.
4 shows a method of detecting the position of the surface of the substrate W by synchronous detection, but the present invention is not limited to this method.
For example, the light receiving slit plate 26, the condenser lens 27, and the SPD
28, and electrically connected to the arithmetic unit inside the controller 51 at the position of the slit image (image formation) formed by the detection optical systems 23 to 24 of the AF system (the position where the light receiving slit plate 26 was disposed). It is also possible to detect the average position of the surface of the substrate W using an image pickup device such as a CCD or the like. In this case, the vibration mirror 24 is used as a simple fixed mirror that deflects the optical path.

【0040】次に、同じく図1を参照して、液晶用露光
装置に組み込まれた表面傾斜検出装置(AL系)の構成
を説明する。図中、不図示の例えばハロゲンランプのよ
うな光源から照明用の光を導く光ファイバー110の光
射出端が射出方向をZ軸とほぼ平行にして、投影光学系
PLの側面の近傍に配置されている。該射出端からの光
路中にコンデンサーレンズ111、コンデンサーレンズ
111により均一に照明される位置にスリット状の開口
部を有する送光スリット板112、偏向部材であるミラ
ー113がこの順に配列されている。ミラー113は、
送光スリット板112からの光を基板Wの表面上の第1
の検出箇所としての検出点101に斜めに入射させるよ
うに傾斜されている。ミラー113と検出点101との
間には、送光対物レンズ系114が配置されている。
Next, referring to FIG. 1, the structure of the surface inclination detector (AL type) incorporated in the liquid crystal exposure apparatus will be described. In the figure, a light exit end of an optical fiber 110 for guiding illumination light from a light source such as a halogen lamp (not shown) is disposed near the side surface of the projection optical system PL with the exit direction substantially parallel to the Z axis. I have. A condenser lens 111, a light-sending slit plate 112 having a slit-like opening at a position uniformly illuminated by the condenser lens 111, and a mirror 113 as a deflecting member are arranged in this order in the optical path from the exit end. The mirror 113 is
The light from the light transmitting slit plate 112 is transmitted to the first
Are inclined so as to be obliquely incident on a detection point 101 as a detection point. A light transmitting objective lens system 114 is disposed between the mirror 113 and the detection point 101.

【0041】ここで、被検物体としての基板Wの表面
(被検面)が基準面(投影光学系PLの結像面)と一致
している場合には、送光対物レンズ系114は、送光ス
リット板12と基板Wの表面とを光学的に共役に保つ機
能を有している。また、送光対物系レンズ114は、基
板Wの表面側(第1番目の検出点側)に関してテレセン
トリックに構成されている。
Here, when the surface (test surface) of the substrate W as the test object coincides with the reference surface (image forming surface of the projection optical system PL), the light transmission objective lens system 114 It has a function of keeping the light transmitting slit plate 12 and the surface of the substrate W optically conjugate. Further, the light transmission objective lens 114 is configured to be telecentric with respect to the surface side (first detection point side) of the substrate W.

【0042】以上のコンデンサーレンズ111から送光
対物系レンズ114までの光学部材は、本発明のAL系
の照射光学系を構成している。
The optical members from the condenser lens 111 to the light transmission objective lens 114 constitute the AL-system irradiation optical system of the present invention.

【0043】なお、不図示の多波長の光を供給する光源
及びその光源からの光をコンデンサーレンズ111へ導
く光ファイバー110は、光源部を構成している。ま
た、図1に於いては、コンデンサーレンズ111及び送
光対物レンズ系114をそれぞれ1枚のレンズとして示
しているが、コンデンサーレンズ111及び送光対物レ
ンズ系114を複数のレンズで構成してよい事は言うま
でもない。
A light source (not shown) for supplying light of multiple wavelengths and an optical fiber 110 for guiding light from the light source to the condenser lens 111 constitute a light source unit. Further, in FIG. 1, the condenser lens 111 and the light transmission objective lens system 114 are each shown as one lens, but the condenser lens 111 and the light transmission objective lens system 114 may be constituted by a plurality of lenses. Needless to say.

【0044】検出点101におけるスリットの像の長手
方向が、基板W上に形成されたパターンの縦横の直線方
向と一致しないように、例えば約45度の角度をなすよ
うに、送光スリット板112のスリットの長手方向をX
1軸と平行に配置するのは、先に説明した検出点100
とスリット12の関係と同様である。
The light transmitting slit plate 112 is formed so that the longitudinal direction of the slit image at the detection point 101 does not coincide with the vertical and horizontal linear directions of the pattern formed on the substrate W, for example, at an angle of about 45 degrees. X is the longitudinal direction of the slit
Arranged in parallel with one axis is the detection point 100 described above.
And the slit 12 are the same.

【0045】以上の照射光学系によって第1番目の検出
点101に多波長の光が照射されると、その検出点10
1からの反射光は、検出点101からの反射光を第2の
検出箇所としての第2番目の検出点102へ導く本発明
の再照射光学系(116、201〜206、117)に
入射する。
When light of multiple wavelengths is irradiated on the first detection point 101 by the above-described irradiation optical system, the detection point 10
The reflected light from No. 1 is incident on the re-irradiation optical system (116, 201 to 206, 117) of the present invention for guiding the reflected light from the detection point 101 to the second detection point 102 as the second detection point. .

【0046】ここで、この検出点101には、AL系の
照射光学系中のスリット板112の開口部の像、即ちス
リット像が形成される。そして、再照射光学系(11
6、201〜206、117)は、第1番目の検出点1
01に形成されたスリット像を第2番目の検出点102
へ再結像(リレー)する機能を有している。
At this detection point 101, an image of the opening of the slit plate 112 in the irradiation optical system of the AL system, that is, a slit image is formed. Then, the re-irradiation optical system (11)
6, 201 to 206, 117) are the first detection points 1
01 to the second detection point 102
It has a function to re-image (relay) the image.

【0047】被検物体としての基板Wの表面(被検面)
が基準面(投影光学系PLの結像面)と一致している場
合には、再照射光学系(116、201〜206、11
7)は、第1番目の検出点101と第2番目の検出点1
02を光学的に共役に保っている。
The surface of the substrate W as a test object (test surface)
Is coincident with the reference plane (the imaging plane of the projection optical system PL), the re-irradiation optical system (116, 201 to 206, 11)
7) are the first detection point 101 and the second detection point 1
02 is kept optically conjugate.

【0048】なお、再照射光学系(116、201〜2
06、117)は、第1番目の検出点101に形成され
るスリット像の長手方向と第2番目の検出点102に形
成されるスリット像の長手方向とが一致するように構成
されている。
The re-irradiation optical system (116, 201-2)
06, 117) are configured such that the longitudinal direction of the slit image formed at the first detection point 101 and the longitudinal direction of the slit image formed at the second detection point 102 match.

【0049】ここで、再照射光学系は、検出点101か
らの反射光をZ軸とほぼ平行な方向へ反射(偏向)させ
る第1のミラー116と、被検面に関する基準面(基板
Wの表面と基準面とが一致したときの検出点101の位
置)に前側焦点が位置するように配置されて、検出点1
01からの反射光を集光する第1リレーレンズ群ALR
1(201、202)と、その第1リレーレンズのAL
R1を介した光をX1に平行な方向へ反射(偏向)させ
る第2のミラー203と、その第2のミラー203によ
り反射(偏向)された光を再びZ軸とほぼ平行な方向へ
反射(偏向)させる第3のミラー204と、この第3の
ミラー204を介した光を集光する第2リレーレンズ群
ALR2(205、206)とこの第2リレーレンズ群
ALR2を介した光を第2番目の検出点102へ向けて
反射(偏向)させる第4のミラー117とを有してい
る。
Here, the re-irradiation optical system includes a first mirror 116 for reflecting (deflecting) the reflected light from the detection point 101 in a direction substantially parallel to the Z axis, and a reference surface (the substrate W The front focal point is located at the position of the detection point 101 when the surface and the reference plane coincide with each other, and the detection point 1
First relay lens group ALR that collects the reflected light from 01
1 (201, 202) and the AL of the first relay lens
A second mirror 203 for reflecting the light through the R1 direction parallel to the X 1 (deflection), reflecting the direction substantially parallel to the reflection (deflected) has been again Z-axis light by its second mirror 203 (Deflecting) a third mirror 204, a second relay lens group ALR2 (205, 206) for condensing the light passing through the third mirror 204, and a light passing through the second relay lens group ALR2. A fourth mirror 117 that reflects (deflects) the light toward the second detection point 102.

【0050】ここで、図1に示す例に於いて、本発明の
リレー光学系は、ほぼ等倍の結像倍率を持つ2つのリレ
ーレンズ群(ALR1、ALR2)で構成され、全体と
してほぼ等倍の結像倍率を有している。
Here, in the example shown in FIG. 1, the relay optical system of the present invention is composed of two relay lens groups (ALR1 and ALR2) having substantially the same magnification, and as a whole substantially equal It has a double imaging magnification.

【0051】まず、第1リレーレンズ群ALR1は、2
つのリレーレンズ(201、202)を有し、この2つ
のリレーレンズの間には、図4に示すように、瞳P1が
形成されている。即ち、この瞳P1は、リレーレンズ2
01の後側焦点位置(又はリレーレンズ202の前側焦
点位置)に形成される。
First, the first relay lens group ALR1
There are two relay lenses (201, 202), and a pupil P1 is formed between the two relay lenses as shown in FIG. That is, the pupil P1 is connected to the relay lens 2
01 is formed at the rear focal position (or the front focal position of the relay lens 202).

【0052】また、第2リレーレンズ群ALR2は、2
つのリレーレンズ(205、206)を有し、この2つ
のリレーレンズの間には、図4に示すように、瞳P2が
形成されている。即ち、この瞳P2は、リレーレンズ2
05の後側焦点位置(又はリレーレンズ206の前側焦
点位置)に形成される。
The second relay lens group ALR2 is
There are two relay lenses (205, 206), and a pupil P2 is formed between the two relay lenses as shown in FIG. That is, this pupil P2 is
05 is formed at the rear focal position (or the front focal position of the relay lens 206).

【0053】さらに、第1リレーレンズ群ALR1と第
2リレーレンズ群ALR2との間には、第1リレーレン
ズ群ALR1の集光作用により、図4に示すように、中
間結像点P(空間像)が形成される。そして、基板Wの
表面と基準面が一致したとき、この中間結像点Pの位置
は、リレーレンズ202(又は第1リレーレンズ群AL
R1)の後側焦点位置になる。換言すれば、このとき、
中間結像点Pの位置は、リレーレンズ205(又は第2
リレーレンズ群ALR2)の前側焦点位置に形成され
る。
Further, between the first relay lens group ALR1 and the second relay lens group ALR2, due to the light condensing action of the first relay lens group ALR1, as shown in FIG. Image) is formed. When the surface of the substrate W coincides with the reference plane, the position of the intermediate imaging point P is determined by the relay lens 202 (or the first relay lens group AL).
R1) becomes the rear focal position. In other words, at this time,
The position of the intermediate imaging point P is determined by the relay lens 205 (or the second
It is formed at the front focal position of the relay lens group ALR2).

【0054】なお、基板Wの表面と基準面とが一致した
とき、第1リレーレンズ群ALR1は、第1リレーレン
ズ群ALR1の前側焦点位置と被検面に関する基準面
(基板Wの表面と基準面とが一致したときの検出点10
1の位置)とが一致すると共に第1リレーレンズ群AL
R1の後側焦点位置と第2リレーレンズ群ALR2の前
側焦点位置とが一致するように設定されている。
When the surface of the substrate W coincides with the reference surface, the first relay lens group ALR1 moves the front focal position of the first relay lens group ALR1 and the reference surface (the surface of the substrate W and the reference surface). Detection point 10 when surface coincides
1) and the first relay lens group AL
The rear focal position of R1 is set to coincide with the front focal position of the second relay lens group ALR2.

【0055】また、基板Wの表面と基準面とが一致した
とき、第2リレーレンズ群ALR2は、第1リレーレン
ズ群ALR1の後側焦点位置と第2リレーレンズ群AL
R2の前側焦点位置とが一致すると共に、第2リレーレ
ンズ群ALR2の後側焦点位置と被検面に関する基準面
(基板Wの表面と基準面とが一致したときの検出点10
2の位置)とが一致するように設定されている。
When the surface of the substrate W coincides with the reference plane, the second relay lens group ALR2 moves the rear focal position of the first relay lens group ALR1 and the second relay lens group AL.
The front focal position of R2 coincides, and the rear focal position of the second relay lens group ALR2 and the reference plane (the detection point 10 when the surface of the substrate W and the reference plane coincide with each other) with respect to the test surface.
2).

【0056】したがって、再照射光学系(116、20
1〜206、117)は、第1番目の検出点側(物体
側)及び第2番目の検出点側(像側)に関して共にテレ
セントリックに構成されている。
Therefore, the re-irradiation optical system (116, 20)
1 to 206, 117) are both telecentric with respect to the first detection point side (object side) and the second detection point side (image side).

【0057】なお、図1に於いては、第1リレーレンズ
群ALR1を構成する2つのリレーレンズ(201、2
02)及び第2リレーレンズ群を構成する2つのリレー
レンズ(205、206)をそれぞれ1枚のレンズとし
て示しているが、これらのリレーレンズを複数のレンズ
で構成してよいことは言うまでもない。
In FIG. 1, two relay lenses (201, 2) constituting the first relay lens group ALR1 are shown.
02) and the two relay lenses (205, 206) constituting the second relay lens group are each shown as one lens, but it goes without saying that these relay lenses may be composed of a plurality of lenses.

【0058】さて、次に、以上の再照射光学系(11
6、201〜206、117)によって第2番目の検出
箇所としての検出点102に光が照射されると、その検
出点102からの反射光は、検出点102からの反射光
を所定の受光面上に集光するAL系の検出光学系(12
3、124)に入射する。
Next, the re-irradiation optical system (11)
6, 201 to 206, 117), when light is irradiated to the detection point 102 as the second detection point, the reflected light from the detection point 102 is reflected light from the detection point 102 to a predetermined light receiving surface. AL-based detection optical system (12
3, 124).

【0059】ここで、この検出点102には、再照射光
学系(116、201〜206、117)により再結像
されたスリット像が形成される。そして、AL系の検出
光学系(123、124)は、第2番目の検出点102
に形成されたスリット像を所定の受光面に配置された受
光スリット板126へ再結像(リレー)する機能を有し
ている。
At this detection point 102, a slit image re-formed by the re-irradiation optical system (116, 201 to 206, 117) is formed. The AL detection optical system (123, 124) is connected to the second detection point 102.
Has a function of re-imaging (relaying) the slit image formed on the light receiving slit plate 126 disposed on a predetermined light receiving surface.

【0060】被検物体としての基板Wの表面(被検面)
が基準面(投影光学系PLの結像面)と一致している場
合には、AL系の検出光学系(123、124)は、第
2番目の検出点102と所定の受光面に配置された受光
スリット板126とを光学的に共役に保っている。
The surface of the substrate W as the object to be inspected (surface to be inspected)
Is coincident with the reference plane (the imaging plane of the projection optical system PL), the AL detection optical system (123, 124) is arranged on the second detection point 102 and a predetermined light receiving surface. The light receiving slit plate 126 is kept optically conjugate with the light receiving slit plate 126.

【0061】AL系の検出光学系(123、124)
は、被検面に関する基準面(基板Wの表面と基準面とが
一致したときの検出点102の位置)に前側焦点が位置
するように配置されて、検出点102からの反射光を受
光スリット板126上に集光する受光対物レンズ系12
3と、受光対物レンズ系123からの光を偏向(受光対
物レンズ系123の光軸をZ軸に平行な方向へ偏向)す
る振動ミラー124とを有している。
AL detection optical system (123, 124)
Are arranged such that the front focal point is located on a reference plane (the position of the detection point 102 when the surface of the substrate W coincides with the reference plane) with respect to the test surface, and the reflected light from the detection point 102 is received by the light receiving slit. Receiving objective lens system 12 condensing on plate 126
3 and a vibrating mirror 124 that deflects light from the light receiving objective lens system 123 (deflects the optical axis of the light receiving objective lens system 123 in a direction parallel to the Z axis).

【0062】なお、AL系の検出光学系(123、12
4)又は受光対物レンズ系123は、第2番目の検出点
側(物体側)及び受光スリット板側(像側)に関して共
にテレセントリックに構成されている。
The AL detection optical system (123, 12
4) Alternatively, the light receiving objective lens system 123 is both telecentric with respect to the second detection point side (object side) and the light receiving slit plate side (image side).

【0063】また、AL系の検出光学系(123、12
4)の像側には、所定の受光面での受光光の変位を光電
検出するAL系の光電検出部(126〜128)が配置
されている。
The AL detection optical system (123, 12)
On the image side 4), an AL-based photoelectric detector (126 to 128) for photoelectrically detecting the displacement of the received light on a predetermined light receiving surface is arranged.

【0064】AL系の光電検出部(126〜128)
は、所定の受光面上に配置されて所定のスリット状の開
口部を有する受光スリット板126と、その受光スリッ
ト板126の開口部を通過した光を集光する集光レンズ
127と、その集光レンズ127により集光された光を
光電変換する光電変換素子(光電検出器)としてのSP
D128を有している。
AL type photoelectric detector (126 to 128)
A light receiving slit plate 126 disposed on a predetermined light receiving surface and having a predetermined slit-shaped opening, a condensing lens 127 for condensing light passing through the opening of the light receiving slit plate 126, SP as a photoelectric conversion element (photoelectric detector) for photoelectrically converting the light condensed by the optical lens 127
D128.

【0065】なお、受光スリット板126は、受光スリ
ット板126に形成されるスリット状の開口部の長手方
向と、AL系の光電検出部(126〜128)によって
受光スリット板126(受光面)上に形成されるスリッ
ト像の長手方向とが一致するように設定されている。
The light receiving slit plate 126 is formed on the light receiving slit plate 126 (light receiving surface) by the longitudinal direction of the slit-shaped opening formed in the light receiving slit plate 126 and by the AL-based photoelectric detectors (126 to 128). Is set so that the longitudinal direction of the slit image formed at the same position coincides with the longitudinal direction.

【0066】また、図1に於いては、受光対物レンズ系
123及び集光レンズ127をそれぞれ1枚のレンズと
して示しているが、受光対物レンズ系123及び集光レ
ンズ127を複数のレンズで構成してよいことは言うま
でもない。
In FIG. 1, each of the light receiving objective lens system 123 and the condenser lens 127 is shown as one lens, but the light receiving objective lens system 123 and the condenser lens 127 are composed of a plurality of lenses. It goes without saying that you can do it.

【0067】ここで、簡単にAL系の検出動作について
述べると、振動ミラー124は、ミラー駆動装置129
によりYX平面に平行な軸線回り(X1 軸方向に平行な
軸線回り)に揺動(振動)させられる。そして、受光対
物レンズ系123により受光スリット板126上に形成
されるスリット像は、この振動ミラー124の作用によ
って、受光スリット板126の開口部を横切る。したが
って、SPD128は、受光スリット板126及び集光
レンズ127を通過した光を光電検出し、その光電検出
信号に基づいて後述するコントローラ51内部の演算装
置によって同期検波の手法によって基板Wの表面の傾斜
(検出点101と検出点102との差)が検出される。
Here, the detection operation of the AL system will be briefly described.
Provoking swinging (vibration) to (axis line parallel to the X 1 axis direction) about an axis parallel to the YX plane by. Then, the slit image formed on the light receiving slit plate 126 by the light receiving objective lens system 123 crosses the opening of the light receiving slit plate 126 by the action of the vibrating mirror 124. Therefore, the SPD 128 photoelectrically detects the light that has passed through the light receiving slit plate 126 and the condenser lens 127, and, based on the photoelectrically detected signal, calculates the inclination of the surface of the substrate W by a synchronous detection method using an arithmetic unit in the controller 51 described later. (The difference between the detection points 101 and 102) is detected.

【0068】なお、図1に示した例では、振動ミラー1
24を用いて同期検波によって基板Wの表面の位置を検
出する手法を示しているが、この手法に限ることはな
い。例えば、受光スリット板126と集光レンズ127
とSPD128とを取り除き、AL系の検出光学系(1
23、124)によって形成されるスリット像(結像)
の位置(受光スリット板126が配置されていた位置)
にコントローラ51内部の演算装置と電気的に接続され
たCCD等の撮像素子を用いても基板Wの表面の平均的
な位置の検出をすることが可能である。この場合、振動
ミラー124は光路を偏向させる単なる固定ミラーとし
て用いられる。
Incidentally, in the example shown in FIG.
24, a method of detecting the position of the surface of the substrate W by synchronous detection is shown, but the method is not limited to this. For example, the light receiving slit plate 126 and the condenser lens 127
And the SPD128 are removed, and the AL-based detection optical system (1
23, 124) formed by the slit image (imaging)
Position (the position where the light receiving slit plate 126 was arranged)
It is also possible to detect the average position of the surface of the substrate W by using an image pickup device such as a CCD electrically connected to an arithmetic unit inside the controller 51. In this case, the vibration mirror 124 is used as a simple fixed mirror that deflects the optical path.

【0069】次に図1を参照して、本実施の形態の作用
を説明する。照明系9を介し照明されたレチクルR上の
破線で示された枠内のパターンは、投影光学系のレンズ
PLにより、レチクルRと共役な位置に載置されたプレ
ート基板Wの表面に投影露光される。この時、基板Wの
表面の変位をAF系により計測することにより、基板W
をZ方向に平行移動させ、所定の位置に合わせ込み、ま
たAL系により検出された基板Wの傾斜角に基づき基板
Wの表面(露光面)を投影光学系PLの光軸に直角に設
定して露光を開始することになる。
Next, the operation of the present embodiment will be described with reference to FIG. The pattern in the frame shown by the broken line on the reticle R illuminated via the illumination system 9 is projected onto the surface of the plate substrate W placed at a position conjugate with the reticle R by the lens PL of the projection optical system. Is done. At this time, the displacement of the surface of the substrate W is measured by the AF system, so that the substrate W
Is moved in parallel in the Z direction, adjusted to a predetermined position, and the surface (exposure surface) of the substrate W is set at right angles to the optical axis of the projection optical system PL based on the tilt angle of the substrate W detected by the AL system. To start the exposure.

【0070】また、XYステージ駆動装置STDを、表
面位置検出装置(AF系)の検出値に応じて駆動しXY
ステージSTのZ方向の高さを調節するコントローラ5
1が設けられており、SPD28からの信号を受信し、
XYステージ駆動装置STDに制御信号を送る。また同
様に、コントローラ51は、表面傾斜検出装置(AL
系)の検出値に応じて、駆動装置STDを駆動しXYス
テージSTのX1方向の傾斜を調節するようになってい
る。コントローラ51はまた、SPD128からの信号
を受信し、検出点101、102の変位の差(X1 方向
の傾斜)を演算する演算装置を含んで構成されている。
そして、その演算に基づいてXYステージ駆動装置ST
Dに制御信号を送る。
The XY stage driving device STD is driven in accordance with the detection value of the surface position detecting device (AF system) to
Controller 5 for adjusting the height of stage ST in the Z direction
1 is provided, receives a signal from the SPD 28,
A control signal is sent to the XY stage drive STD. Similarly, the controller 51 includes a surface inclination detecting device (AL
In accordance with the detected value of the system), it drives the drive unit STD is adapted to adjust the X 1 direction of the slope of the XY stage ST. The controller 51 also receives a signal from SPD128, is configured to include a computing device for calculating a difference between the displacement detection point 101 and 102 (X 1 direction tilt).
Then, based on the calculation, the XY stage driving device ST
Send a control signal to D.

【0071】ここで、図1を参照して先ずAF系の作用
を説明する。不図示の光源からの光が光ファイバー10
により取り込まれ、その光が、コンデンサーレンズ11
を介して送光スリット板12を照明する。照明されたス
リット板12は、AF系の送光対物レンズ系14を介し
て、基板W上の検出点100に結像される。更に、検出
点100にて反射された反射光は、AF系の送光対物レ
ンズ系14と対向して配置されたAF系の受光対物レン
ズ系23により、受光スリット板26上にスリット12
の像を再結像する。
Here, the operation of the AF system will be described first with reference to FIG. The light from a light source (not shown) is
The light is captured by the condenser lens 11
Illuminate the light-sending slit plate 12 via the. The illuminated slit plate 12 forms an image at a detection point 100 on the substrate W via the light transmission objective lens system 14 of the AF system. Further, the reflected light reflected at the detection point 100 is transmitted to the slit 12 on the light receiving slit plate 26 by the light receiving objective lens system 23 of the AF system disposed opposite to the light transmitting objective lens system 14 of the AF system.
Is re-imaged.

【0072】ここでミラー16は振動ミラーであるの
で、再結像されたスリット12の像は、受光スリット2
6上を横切って往復するように振られる。即ち光電顕微
鏡の原理を用いて、受光される。受光スリット26を通
過した光は、集光レンズ27を介してSPD等の光電変
換素子28上に集光される。このようにして、AF系に
より基板W表面の検出点100(通常は基板の投影中心
あるいはショットセンター)の高さが検出される。
Here, since the mirror 16 is a vibrating mirror, the re-formed image of the slit 12 is
6 Swinged back and forth across the top. That is, light is received using the principle of a photoelectric microscope. The light passing through the light receiving slit 26 is condensed on a photoelectric conversion element 28 such as an SPD via a condenser lens 27. In this way, the height of the detection point 100 (usually the projection center or shot center of the substrate) on the surface of the substrate W is detected by the AF system.

【0073】次にAL系の作用を説明する。前述のAF
系と同様に、不図示の光源からの光が光ファイバー11
0により表面傾斜検出系内に取り込まれ、その光が、コ
ンデンサーレンズ111を介してレベリング用送光スリ
ット板112を照明する。照明されたスリット板112
は、AL系の送光対物レンズ系114を介して、基板W
上の検出点101(本発明の第1の検出箇所)に結像さ
れる。更に、結像されたスリット像は、検出点101に
て反射され、AL系の送光対物レンズ系114と対向し
て配置された第1リレーレンズ群ALR1と、第2リレ
ーレンズ群ALR2により、検出点102(本発明の第
2の検出箇所)に再結像される。
Next, the operation of the AL system will be described. AF described above
As in the system, light from a light source (not shown) is
The light is taken into the surface inclination detection system by 0, and the light illuminates the leveling light transmission slit plate 112 via the condenser lens 111. Illuminated slit plate 112
Is connected to the substrate W through the AL-type light transmission objective lens system 114.
An image is formed at the upper detection point 101 (first detection point of the present invention). Further, the formed slit image is reflected at the detection point 101, and is formed by a first relay lens group ALR1 and a second relay lens group ALR2 arranged so as to face the AL light transmission objective lens system 114. The image is re-imaged at the detection point 102 (the second detection point of the present invention).

【0074】更に、検出点102にて反射されたスリッ
ト像は、AL系の受光対物レンズ系123を介して、振
動ミラー124において反射され、受光スリット板12
6の表面の受光面上に結像される。受光スリット126
を透過する光は、集光レンズ127によってSPD等の
光電変換素子128に導かれる。
Further, the slit image reflected at the detection point 102 is reflected by the vibrating mirror 124 via the AL-system light-receiving objective lens system 123, and is reflected by the light-receiving slit plate 12.
An image is formed on the light-receiving surface of the surface of No. 6. Light receiving slit 126
Is transmitted to a photoelectric conversion element 128 such as an SPD by a condenser lens 127.

【0075】ここで振動ミラーを用いているのは、いわ
ゆる光電顕微鏡の原理に基づいて位相検波方式の検出を
行うためである。コントローラ51は、受光素子28、
128から出力される電気信号をミラー駆動装置29、
129によるミラー24、124の振動周波数で位相検
波する。
The reason why the vibrating mirror is used here is to detect the phase detection method based on the principle of a so-called photoelectric microscope. The controller 51 includes the light receiving element 28,
The electric signal output from 128 is transmitted to mirror driving device 29,
129 performs phase detection at the oscillation frequency of the mirrors 24 and 124.

【0076】図2と図3は、それぞれ図1の投影光学系
PL側から見た平面図と図1のAA矢視方向の側面図で
ある。図2では、投影光学系PLの露光フィールドが破
線によって示されている。また図2では、露光フィール
ドに対して45度の方向(X1軸方向)にスリットが投
影されている様子が示されている。これは、縦横のパタ
ーンが多い液晶パネルに対してパターンの影響を考慮し
たためであるのは、AF系の場合と同様である。なお基
板Wは図1に示されるように角型でもよく、図2に示さ
れるように丸型であってもよい。図3では、投影光学系
PLは途中を二点鎖線で切断、省略して示してある。
FIGS. 2 and 3 are a plan view as viewed from the projection optical system PL side in FIG. 1 and a side view in the direction of arrow AA in FIG. 1, respectively. In FIG. 2, the exposure field of the projection optical system PL is indicated by a broken line. In FIG. 2, the slit is shown to have been projected at a 45-degree direction (X 1 axial direction) with respect to the exposure field. This is because the influence of the pattern is considered for a liquid crystal panel having many vertical and horizontal patterns, as in the case of the AF system. The substrate W may be square as shown in FIG. 1 or round as shown in FIG. In FIG. 3, the projection optical system PL is cut off along the two-dot chain line and is omitted.

【0077】更に図4と図5を参照して、光学的に検出
点101と102のZ軸方向の変位の差が検出される原
理を説明する。図4は、図1のAF系を除き、AL系の
みを取り出して記載した斜視図である。図4には、送光
スリット板112から、受光スリット板126までの光
学系が示されている。図5は、図4のBB矢視方向の側
面図であり、図4の光線の進む方向にあわせて矢印をふ
ってある。実線は再照射光学系(116、201〜20
6、117)の光軸Axを進む主光線L1を示し、ここ
では基準光線と呼ぶ。点線は検出点101がマイナス方
向(下方)にΔZ1だけ移動することによって基準光線
から横ずれを起こした主光線L2を、二点鎖線は検出点
102がプラス方向(上方)にΔZ2移動することによ
って基準光線から横ずれを起こした主光線L3を示す。
The principle by which the difference between the displacements of the detection points 101 and 102 in the Z-axis direction is detected optically will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a perspective view showing only the AL system except for the AF system in FIG. FIG. 4 shows an optical system from the light transmitting slit plate 112 to the light receiving slit plate 126. FIG. 5 is a side view in the direction of the arrow BB in FIG. 4, and arrows are drawn in accordance with the traveling direction of the light beam in FIG. 4. Solid lines indicate re-irradiation optical systems (116, 201 to 20).
6, 117), the principal ray L1 traveling along the optical axis Ax is referred to as a reference ray here. The dotted line indicates the principal ray L2 that has been shifted laterally from the reference ray by moving the detection point 101 in the minus direction (downward) by ΔZ1, and the two-dot chain line indicates that the detection point 102 has shifted by ΔZ2 in the plus direction (upward). The principal ray L3 shifted laterally from the ray is shown.

【0078】なお、図4及び図5に於いて、AL系の照
射光学系(送光スリット板112から送光対物レンズ系
114までの光学部材)からの送光光(照射光)の主光
線をL0として示している。
In FIGS. 4 and 5, the principal ray of the transmitted light (irradiation light) from the AL irradiation optical system (optical member from the light transmission slit plate 112 to the light transmission objective lens system 114). Is shown as L0.

【0079】送光スリット板112の像は、送光対物レ
ンズ系114により、基板W上の検出点101に結像さ
れる。ここで、基板Wが投影光学系PLの結像面として
の基準位置に対してΔZ1だけマイナス方向(図中下
方)に移動した場合を考える。図5の基板W面の実線が
基準位置であり、当然この位置で送光スリット板112
の像の受光スリット126上での位置は変化しない。Z
軸方向は本発明の基準面の法線方向である。
The image of the light transmitting slit plate 112 is formed on the detection point 101 on the substrate W by the light transmitting objective lens system 114. Here, a case is considered where the substrate W has moved in the minus direction (downward in the figure) by ΔZ1 with respect to the reference position as the imaging plane of the projection optical system PL. The solid line on the surface of the substrate W in FIG. 5 is a reference position.
The position of the image on the light receiving slit 126 does not change. Z
The axial direction is the normal direction of the reference plane of the present invention.

【0080】次に、基板Wの表面上での検出点101が
基準面に対してΔZ1だけマイナス方向(下方)にずれ
たとすれば、検出点101に当たった光の主光線L0
は、図4、図5では、点線で示された光路を通る反射光
線L2となる。検出点101にて反射した主光線L2
は、第1ミラー116では、実線で示された基準光線L
1よりも下方で反射され、リレーレンズ201に入射す
る。即ち、検出点101がZマイナス方向に移動するこ
とによって、主光線L2は基準光線よりも基板W側(本
発明でいう再照射光学系(116、201〜206、1
17)の光軸Axを含む所定面により2分される該再照
射光学系(116、201〜206、117)の一方の
部分)に入射する。この主光線L2は、次にリレーレン
ズ201の瞳位置P1にて光軸Axと交差(所定面と交
差)し、その後リレーレンズ202を介して、第2ミラ
ー203で反射され、中間結像点Pにスリット112の
像を形成する。
Next, assuming that the detection point 101 on the surface of the substrate W is shifted in the negative direction (downward) by ΔZ1 with respect to the reference plane, the principal ray L0 of the light hitting the detection point 101
Is a reflected light beam L2 passing through the optical path indicated by the dotted line in FIGS. Principal ray L2 reflected at detection point 101
Is the reference light L indicated by the solid line in the first mirror 116.
The light is reflected below 1 and enters the relay lens 201. That is, as the detection point 101 moves in the Z minus direction, the principal ray L2 is closer to the substrate W than the reference ray (the re-irradiation optical system (116, 201 to 206, 1
17) into one of the re-irradiation optical systems (116, 201 to 206, 117) divided into two by a predetermined surface including the optical axis Ax. Next, the principal ray L2 intersects (intersects with a predetermined plane) the optical axis Ax at the pupil position P1 of the relay lens 201, and thereafter is reflected by the second mirror 203 via the relay lens 202, and is formed at an intermediate image point. An image of the slit 112 is formed on P.

【0081】中間結像点Pに形成されたスリット板11
2のスリット像からの主光線L2は、第3ミラー204
で反射され、リレーレンズ205の瞳位置P2にて光軸
Axと交差(所定面と交差)して、その後、リレーレン
ズ206を介して、第4ミラー117にて反射されて検
出点102へ導かれる。
Slit plate 11 formed at intermediate imaging point P
The principal ray L2 from the second slit image is
At the pupil position P2 of the relay lens 205, intersects (intersects with a predetermined plane) at the pupil position P2, and thereafter, is reflected by the fourth mirror 117 via the relay lens 206 and guided to the detection point 102. I will

【0082】ここで、基板Wの表面での検出点102が
基準面に対してΔZ2だけプラス方向(上方)にずれて
いたとすると、再照射光学系(116、201〜20
6、117)から射出する主光線L2は、図4及び図5
に於いて2点鎖線で示す光線L3となる。そして、検出
点102を反射した主光線L3は、受光対物レンズ系1
23及びミラー124を介して、受光スリット126の
表面の受光面上に於いて、各検出箇所(101、10
2)での基準面の法線方向に沿った被検面の変位の差に
対応する受光光の変位を形成することができる。
Here, assuming that the detection point 102 on the surface of the substrate W is shifted from the reference plane in the plus direction (upward) by ΔZ2, the re-irradiation optical system (116, 201 to 20)
6 and 117), the principal ray L2 emitted from FIGS.
Is a light ray L3 indicated by a two-dot chain line. The principal ray L3 reflected from the detection point 102 is transmitted to the light receiving objective lens system 1
Each of the detection points (101, 10
The displacement of the received light corresponding to the difference in displacement of the test surface along the normal direction of the reference surface in 2) can be formed.

【0083】ここで、図4及び図5の例で示す所定面と
は被検面が基準位置と一致しているときにおいて、第1
リレーレンズ群(201、202)の光軸Axに沿って
進む主光線L1の第1ミラー116上での偏向点R1、
第1リレーレンズ群(201、202)の光軸Axに沿
って進む主光線L1の第2ミラー203上での偏向点R
2、第2リレーレンズ群(205、206)の光軸Ax
に沿って進む主光線L1の第3ミラー204上での偏向
点R3、及び第2リレーレンズ群(205、206)の
光軸Axに沿って進む主光線L1の第4ミラー117上
での偏向点R4との4点で形成される平面である。した
がって、図5に示す所定面とは、再照射光学系(11
6、201〜206、117)の光軸Axを含み図5の
紙面に直交する平面である。
Here, the predetermined surface shown in the examples of FIGS. 4 and 5 corresponds to the first surface when the surface to be detected coincides with the reference position.
The deflection point R1, on the first mirror 116, of the principal ray L1 traveling along the optical axis Ax of the relay lens group (201, 202),
Deflection point R on the second mirror 203 of the principal ray L1 traveling along the optical axis Ax of the first relay lens group (201, 202)
2. Optical axis Ax of the second relay lens group (205, 206)
Deflection point R3 of the principal ray L1 traveling along the third mirror 204 on the third mirror 204, and deflection of the principal ray L1 traveling along the optical axis Ax of the second relay lens group (205, 206) on the fourth mirror 117. This is a plane formed by four points, point R4. Therefore, the predetermined surface shown in FIG.
6, 201-206, and 117), and is a plane orthogonal to the plane of FIG.

【0084】このため、図5に示されるように、本発明
で言う所定面は、被検面が基準面に対して基準面の法線
方向(Z方向)にΔZ1又はΔZ2だけ変位した際に、
第1番目の検出箇所(検出点101)に向けて入射する
光束の主光線L0に関する基準面での入射面(実線で示
す被検面に入射する主光線L0と、主光線L0が基準面
と交差した位置での基準面の法線(Z方向)とを含んで
形成される面、即ち図5の紙面)と直交した関係となっ
ている。
For this reason, as shown in FIG. 5, the predetermined surface referred to in the present invention is such that when the surface to be detected is displaced by ΔZ1 or ΔZ2 in the normal direction (Z direction) of the reference surface with respect to the reference surface. ,
The principal plane L0 of the light beam incident toward the first detection point (detection point 101) on the reference plane with respect to the principal ray L0 of the light beam (the principal ray L0 incident on the test surface indicated by the solid line) and the principal ray L0 The plane is formed so as to include the normal line (Z direction) of the reference plane at the intersecting position, that is, perpendicular to the plane of the drawing (that is, the paper surface of FIG. 5).

【0085】したがって、図4及び図5に示す再照射光
学系(116、201〜206、117)は、被検面が
基準面の法線方向(Z方向)にΔZだけ変位した際に、
第1番目の検出箇所101に向けて入射する光束の主光
線L0に関する基準面での入射面と直交し且つ再照射光
学系(116、201〜206、117)の光軸Axを
含む所定面により2分される再照射光学系(116、2
01〜206、117)の一方の部分に向けて入射する
第1番目の検出点101からの主光線L2を、その所定
面により2分される再照射光学系(15〜18)の上記
一方の部分から射出させて、第2番目の検出箇所102
へ導く構成となっている。
Therefore, the re-irradiation optical system (116, 201 to 206, 117) shown in FIGS. 4 and 5 is used when the test surface is displaced by ΔZ in the normal direction (Z direction) of the reference surface.
A predetermined plane that is orthogonal to the plane of incidence on the reference plane for the principal ray L0 of the light beam incident on the first detection point 101 and that includes the optical axis Ax of the re-irradiation optical system (116, 201 to 206, 117) Re-irradiation optical system (116, 2
01-206, 117), the principal ray L2 from the first detection point 101 incident on one part of the re-irradiation optical system (15-18) is bisected by its predetermined surface. From the second detection point 102
It leads to the configuration.

【0086】このような再照射光学系(116、201
〜206、117)の構成により、各検出箇所での基準
面の法線方向に沿った被検面の変位の差に対応する受光
光の変位を受光面(受光スリット板126)上に形成す
ることができる。
The re-irradiation optical system (116, 201)
206 to 117), the displacement of the received light corresponding to the difference in displacement of the test surface along the normal direction of the reference surface at each detection point is formed on the light receiving surface (light receiving slit plate 126). be able to.

【0087】ここでリレーレンズ201とリレーレンズ
202は、両側テレセントリックになるように配置され
るのが好ましい。そのようにすれば、リレーレンズ20
2とその後のレンズ系が比較的コンパクトになるからで
ある。
Here, the relay lens 201 and the relay lens 202 are preferably arranged so as to be telecentric on both sides. By doing so, the relay lens 20
This is because the lens system 2 and the subsequent lens system are relatively compact.

【0088】更に、倍率は、各リレーレンズ群において
等倍である必要はなく、任意の倍率で構わない。結局、
検出点101と102との間で等倍になるような倍率に
設定されていればよい。
Further, the magnification need not be equal in each relay lens group, but may be any magnification. After all,
It is sufficient that the magnification is set so as to be equal between the detection points 101 and 102.

【0089】ここで、リレーレンズ205と206も両
側テレセントリックであるように配置される必要はない
が、前述同様テレセントリックである方が好ましい。倍
率は、前述のように検出点101と102との間で等倍
になるような倍率に設定されている。
Here, the relay lenses 205 and 206 do not need to be arranged so as to be telecentric on both sides, but are preferably telecentric as described above. As described above, the magnification is set to a magnification that is equal between the detection points 101 and 102.

【0090】ここで検出点101側の入射角(又は反射
角)と、検出点102側の入射角(又は反射角)が同一
であることが望ましいため、検出点101側と、検出点
102側は、テレセントリックであることが好ましい。
Here, it is desirable that the incident angle (or the reflection angle) on the detection point 101 side and the incident angle (or the reflection angle) on the detection point 102 side be the same, so that the detection point 101 side and the detection point 102 side Is preferably telecentric.

【0091】以上の図4及び図5に示したように、主光
線L2は、本発明の、第1の検出箇所(検出点101)
に入射する光束の主光線L0に関する基準面での入射面
と直交しかつ再照射光学系(116、201〜206、
117)の光軸Axを含む所定面により2分される再照
射光学系の一方の部分(図中点線の光路の側)に向けて
入射する主光線L2を、その所定面により2分される再
照射光学系の前記と同じ側の部分から射出させて第2の
検出箇所(検出点102)へ導かれる。そして、基板W
が検出点102でΔZ2だけZ軸方向(図中上方)にず
れれば、主光線L3は図中2点鎖線で示されるように進
み、受光対物レンズ系123に入射する。更に、その対
物レンズ系123を介した光線L3は、ミラー124に
より反射され、受光スリット126上にΔだけ基準位置
とはずれた位置に結像される。図5には、ミラー124
と受光スリット126との間には開口絞り125が示し
てある。
As shown in FIGS. 4 and 5, the principal ray L2 is the first detection point (detection point 101) of the present invention.
And the re-irradiation optical system (116, 201-206,
117) The principal ray L2 incident on one part (on the side of the dotted optical path in the drawing) of the re-irradiation optical system which is bisected by the predetermined plane including the optical axis Ax is bisected by the predetermined plane. The light is emitted from the same side of the re-irradiation optical system as described above and guided to a second detection point (detection point 102). And the substrate W
Is shifted in the Z-axis direction (upward in the figure) by ΔZ2 at the detection point 102, the principal ray L3 advances as shown by a two-dot chain line in the figure and enters the light receiving objective lens system 123. Further, the light beam L3 passing through the objective lens system 123 is reflected by the mirror 124 and is imaged on the light receiving slit 126 at a position deviated from the reference position by Δ. FIG.
An aperture stop 125 is shown between the light receiving slit 126 and the light receiving slit 126.

【0092】ここで例えば、検出点102も検出点10
1と同じ量のΔZ1だけ基準位置に対して下方にずれた
場合を考える。この場合は、図5を見ればわかるよう
に、点線で示される主光線L2は、AL系の検出光学系
では実線で示された基準光線L1と同じ光路をたどり、
受光スリット板126上に結像されるスリット112の
像の位置には、変化が起きないことになる。即ち、検出
点101、102は、同じ量だけずれたので、結局傾斜
は生じておらず、そのためスリット112の像の位置に
変化が起きない。
Here, for example, the detection point 102 is also the detection point 10
Consider a case in which the reference position is shifted downward by ΔZ1 of the same amount as 1. In this case, as can be seen from FIG. 5, the principal ray L2 indicated by the dotted line follows the same optical path as the reference ray L1 indicated by the solid line in the AL detection optical system.
No change occurs in the position of the image of the slit 112 formed on the light receiving slit plate 126. That is, since the detection points 101 and 102 are displaced by the same amount, no inclination occurs after all, so that the position of the image of the slit 112 does not change.

【0093】以上のように、等倍等のリレーレンズ群A
LR1、ALR2とミラー116、117、203、2
04を用いることにより、検出点101を基準にしたと
きの検出点102の高さを検出できることになる。
As described above, the relay lens group A having the same magnification or the like is used.
LR1, ALR2 and mirrors 116, 117, 203, 2
By using 04, the height of the detection point 102 based on the detection point 101 can be detected.

【0094】即ち、基準の高さから見た時には、Δは、
次式 Δ=2×sinθ×(ΔZ1−ΔZ2)×β により求まる。ここで、θは、光線の入射角、βは、受
光対物レンズ系123の検出点102と受光スリット1
26間の倍率である。角度θは、典型的には70〜80
度である。
That is, when viewed from the reference height, Δ is
It is determined by the following equation: Δ = 2 × sin θ × (ΔZ 1 −ΔZ 2) × β. Here, θ is the incident angle of the light beam, β is the detection point 102 of the light receiving objective lens system 123 and the light receiving slit 1
It is a magnification between 26. Is typically between 70 and 80
Degrees.

【0095】このように、この実施の形態により2点間
の高さの差を求めることができるため、基板Wの傾斜成
分が検出できることになる。
As described above, according to this embodiment, the height difference between two points can be obtained, so that the tilt component of the substrate W can be detected.

【0096】ここで図1において、検出点101と検出
点102の変位の差と、検出点100の変位を検出する
ことにより、投影光学系PLの合焦点を設定し、また面
の傾斜の修正をすることが可能になる。
In FIG. 1, the focal point of the projection optical system PL is set by detecting the difference between the displacement of the detection point 101 and the displacement of the detection point 102 and the displacement of the detection point 100, and correcting the inclination of the surface. It becomes possible to do.

【0097】図6に本発明の別の実施の形態を示す。上
記の実施の形態では、検出点100、101、102
が、一直線上に配列された3点であるため、その直線に
直交する方向の面の傾斜の設定はできない。しかしなが
ら、図6に示される実施の形態では、先の表面傾斜検出
装置に加えて、その表面傾斜検出装置の検出点を結ぶ直
線に直交する方向に検出点104、105を有する、別
の表面傾斜検出装置を配置してある。したがって、4つ
の検出点101、102、103、104が、基板W上
で正方形の頂点に位置するように配列されていることに
なり、基板Wの全方向の傾斜角を求めることができる。
FIG. 6 shows another embodiment of the present invention. In the above embodiment, the detection points 100, 101, 102
However, since there are three points arranged on a straight line, the inclination of the surface in a direction orthogonal to the straight line cannot be set. However, in the embodiment shown in FIG. 6, in addition to the above-described surface tilt detection device, another surface tilt having detection points 104 and 105 in a direction orthogonal to a straight line connecting the detection points of the surface tilt detection device is provided. A detection device is arranged. Therefore, the four detection points 101, 102, 103, and 104 are arranged on the substrate W so as to be located at the vertices of a square, and the tilt angles of the substrate W in all directions can be obtained.

【0098】この場合には、上記正方形の対角線上の点
同士、即ち中心の検出点100を挟む2点同士(101
と102、104と105)でのΔをゼロになるように
基板を傾斜制御し、更に中心の検出点100で高さを求
め、基板をZ方向に移動制御すれば、ショット中心の合
焦と基板Wの傾斜の修正ができることになる。
In this case, the points on the diagonal line of the square, that is, two points (101
And 102, 104 and 105), the substrate is tilted and controlled so that Δ becomes zero, the height is obtained at the center detection point 100, and the substrate is moved and controlled in the Z direction. The inclination of the substrate W can be corrected.

【0099】この構成によれば、常時ショット中心の検
出点の変位あるいはショット中心を挟む2点同士の変位
の差の測定が可能になるため、時間の遅れを生ずること
なく、基板Wの傾斜成分の検出が可能となる。
According to this configuration, the displacement of the detection point at the center of the shot or the difference between the displacements of the two points sandwiching the center of the shot can always be measured, so that the tilt component of the substrate W can be measured without delay. Can be detected.

【0100】図7はさらに別の実施の形態である。これ
は、検出フィールドが比較的小さい場合に用いられる実
施の形態であり、先の実施の形態でのリレー系の中間結
像位置Pを有しない形の実施の形態である。
FIG. 7 shows still another embodiment. This is an embodiment used when the detection field is relatively small, and is an embodiment in which the intermediate imaging position P of the relay system in the previous embodiment is not provided.

【0101】図中、例えばハロゲンランプのような光源
110Aからの照明用の光の(Z軸に平行な)光路中に
コンデンサーレンズ111、コンデンサーレンズ111
により均一に照明される位置にスリット状の開口部を有
する送光スリット板112、偏向部材であるミラー11
3がこの順に配列されている。ミラー113は、送光ス
リット112からの光を基板Wの表面上の検出点101
Aに斜めに入射させるように傾斜されている。ミラー1
13と検出点101との間には、送光対物レンズ系11
4が、送光スリット板112と検出点101とが共役に
なるように配置されている。以上の、コンデンサーレン
ズ111から送光対物レンズ系114までを含んで、本
発明の照射光学系が構成される。
In the figure, a condenser lens 111 and a condenser lens 111 are provided in an optical path (parallel to the Z-axis) of illumination light from a light source 110A such as a halogen lamp.
A light transmitting slit plate 112 having a slit-shaped opening at a position where illumination is performed more uniformly, and a mirror 11 serving as a deflecting member
3 are arranged in this order. The mirror 113 transmits the light from the light transmission slit 112 to the detection point 101 on the surface of the substrate W.
A is obliquely incident on A. Mirror 1
13 and a detection point 101, a light transmitting objective lens system 11
4 are arranged so that the light transmitting slit plate 112 and the detection point 101 are conjugate. The illumination optical system of the present invention includes the above-described components from the condenser lens 111 to the light transmission objective lens system 114.

【0102】検出点101Aにおけるスリットの像の長
手方向が、先の実施の形態と同様に基板W上に形成され
たパターンの縦横の直線方向と、例えば45度の角度を
なすように、配置されている。
The longitudinal direction of the image of the slit at the detection point 101A is arranged so as to make an angle of, for example, 45 degrees with the vertical and horizontal linear directions of the pattern formed on the substrate W as in the previous embodiment. ing.

【0103】検出点101Aで反射された光束の進行方
向に、リレーレンズ206、その先に光束を、該光束の
主光線に関する検出点101Aへの入射面内で該主光線
に直角な方向に偏向するミラー203Aが配置されてお
り、偏向された先、図中の上方にはミラー204Aが配
置され、光軸をさらにリレーレンズ201の光軸と平行
に偏向し、光束を基板上の検出点102Aに斜めに入射
させるように構成されている。ミラー204Aと検出点
102Aとの間には、リレーレンズ206が配置されて
おり、検出点101Aと検出点102Aとが共役になる
ようになっている。
In the traveling direction of the light beam reflected at the detection point 101A, the relay lens 206 deflects the light beam ahead of the relay lens 206 in a direction perpendicular to the main light beam in the plane of incidence of the main light beam on the detection point 101A. A mirror 203A is disposed, and a mirror 204A is disposed at the top of the deflected mirror in the figure, and further deflects the optical axis in parallel with the optical axis of the relay lens 201, and deflects the light beam to the detection point 102A on the substrate. Is configured to be obliquely incident. A relay lens 206 is disposed between the mirror 204A and the detection point 102A, so that the detection point 101A and the detection point 102A are conjugate.

【0104】検出点2で反射される光の方向には受光対
物レンズ系123、偏向ミラー124Aがこの順に配置
されており、光路をZ軸に平行に偏向するようになって
いる。偏向された光路の先にはCCD等の受光素子12
8Aが、検出点102と(合焦時に)共役になる位置に
置かれている。
A light receiving objective lens system 123 and a deflecting mirror 124A are arranged in this order in the direction of the light reflected at the detection point 2, so that the optical path is deflected parallel to the Z axis. Behind the deflected optical path, a light receiving element 12 such as a CCD is provided.
8A is located at a position conjugate with the detection point 102 (when focused).

【0105】またスリット112の像が、検出点101
Aにおいて、長手方向が光軸に直交する方向になるよう
に、スリット板112は配置されており、かつ検出点1
02Aにおけるスリットの像は、検出点101Aにおけ
る像と、長手方向に直交する方向に間隔をもって、長手
方向が平行になるように、以上の光学系の各要素は配置
されている。
Also, the image of the slit 112 is
In A, the slit plate 112 is arranged so that the longitudinal direction is perpendicular to the optical axis, and the detection point 1
The components of the optical system described above are arranged such that the image of the slit at 02A is parallel to the image at the detection point 101A at intervals in the direction perpendicular to the longitudinal direction so that the longitudinal direction is parallel.

【0106】この系では、スリット板112、受光素子
128Aと、検出点101Aと検出点102Aとがアオ
リの関係、シャインプルーフの条件を満足するように配
置されている。
In this system, the slit plate 112, the light receiving element 128A, and the detection points 101A and 102A are arranged so as to satisfy the tilt relationship and the Scheimpflug condition.

【0107】本実施の形態では、撮像素子128Aを受
光素子として用いているが、先の実施の形態と同様に、
振動ミラーによる光電顕微鏡の方式を用いてもよい。
In the present embodiment, the image sensor 128A is used as a light receiving element. However, similar to the previous embodiment,
A method of a photoelectric microscope using a vibrating mirror may be used.

【0108】このような構成において、光源110Aの
光により、コンデンサレンズ111を介して照明された
スリット板のスリット112の像は、偏向ミラー113
と送光対物レンズ系114を介して、検出点101Aに
斜めに入射し、その点に結像される。
In such a configuration, the image of the slit 112 of the slit plate illuminated by the light of the light source 110A through the condenser lens 111 is converted to a deflecting mirror 113.
Then, the light obliquely enters the detection point 101A via the light transmission objective lens system 114, and is imaged at that point.

【0109】検出点101Aで反射された光は、リレー
レンズ201を介して、ミラー203と204で反射さ
れ、再び、リレーレンズ206を介して、検出点102
Aに再結像される。
The light reflected at the detection point 101A is reflected by the mirrors 203 and 204 via the relay lens 201, and again via the relay lens 206.
A is re-imaged on A.

【0110】ここで、リレーレンズは、等倍のリレーレ
ンズであって、検出点101Aと検出点102A側が両
側テレセントリックになるように配置してある。検出点
102Aで反射された光は、受光対物レンズ系123を
介して、CCD、ラインセンサ、TDI等の撮像素子1
28A上に結像する。この撮像素子128Aでスリット
112の像の位置を検出することにより、検出点101
Aと検出点102AのZ軸方向の変位の差分が検出され
ることになる。
Here, the relay lens is an equal-magnification relay lens, and is arranged so that the detection point 101A and the detection point 102A are telecentric on both sides. The light reflected at the detection point 102A passes through a light-receiving objective lens system 123 to an image sensor 1 such as a CCD, a line sensor, or a TDI.
An image is formed on 28A. By detecting the position of the image of the slit 112 with the image sensor 128A, the detection point 101 is detected.
The difference between the displacement of A and the detection point 102A in the Z-axis direction is detected.

【0111】このような配置をとることにより、設計上
のスペースに大きな利点が生まれる。こうした系を図6
に示されるように複数配置することにより、対角2点の
高さの差を求め、基板Wの傾斜角を求め、補正すること
が可能となる。
With such an arrangement, a great advantage is obtained in the design space. Figure 6 shows such a system.
By arranging a plurality of pieces as shown in (1), it is possible to obtain the height difference between two diagonal points, obtain the inclination angle of the substrate W, and correct it.

【0112】当然、配置上利点がある場合には、1つの
装置の中に、図7と、図4に示されるようなAL系を両
方配置してもよい。更に、本実施の形態では、撮像素子
128Aを受光素子として用いているが、先に述べた、
振動ミラーによる光電顕微鏡の方式を用いてもよい。
Of course, if there is an advantage in arrangement, both AL systems as shown in FIGS. 7 and 4 may be arranged in one apparatus. Further, in the present embodiment, the image pickup device 128A is used as a light receiving device, but as described above,
A method of a photoelectric microscope using a vibrating mirror may be used.

【0113】次に図8〜図11を参照して別の実施の形
態を説明する。本実施の形態では、本発明の第1の検出
箇所と第2の検出箇所に、それぞれ複数の検出点が含ま
れている。第1と第2それぞれの検出箇所の複数の検出
点における被検面の変位は、補助再照射光学系により加
算されるようになっており、それぞれ加算された値同士
の差を求めることができる。したがって、複数の検出点
の変位の平均を用いて被検面の傾斜が求められるので、
各検出箇所における局部的な条件による変位の検出誤差
が緩和される。
Next, another embodiment will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, the first detection point and the second detection point of the present invention each include a plurality of detection points. The displacement of the test surface at the plurality of detection points at the first and second detection points is added by the auxiliary re-irradiation optical system, and the difference between the added values can be obtained. . Therefore, since the inclination of the test surface is obtained using the average of the displacements of the plurality of detection points,
The displacement detection error due to local conditions at each detection location is reduced.

【0114】図8に示される表面変位検出装置は、図1
を参照して説明した装置と同様に不図示の光源からの光
を用いて均一に照明される位置にスリット状の開口部を
有する送光スリット板312、偏向部材であるミラー3
13がこの順に、Z軸方向に配列されている。ミラー3
14は、送光スリット板312からの光を基板Wの表面
上の検出点301に斜めに入射させるように傾斜されて
いる。ミラー313と検出点301との間には、送光対
物レンズ系314が、送光スリット板312と検出点3
01とが共役になるように配置されている。
The surface displacement detecting device shown in FIG.
A light transmitting slit plate 312 having a slit-shaped opening at a position where the light is uniformly illuminated using light from a light source (not shown) as in the device described with reference to FIG.
13 are arranged in this order in the Z-axis direction. Mirror 3
Reference numeral 14 is inclined so that light from the light transmitting slit plate 312 is obliquely incident on a detection point 301 on the surface of the substrate W. Between the mirror 313 and the detection point 301, a light transmission objective lens system 314 is connected to the light transmission slit plate 312 and the detection point 3.
And 01 are conjugated.

【0115】検出点301で反射された光束の進行方向
に、送光対物レンズ系314と対向して、検出点301
が焦点面になるようにリレーレンズ315が配置され、
その先にリレーレンズ315の光軸をX1に平行な方向
に偏向するミラー316、偏向された光軸をさらに基板
W上の検出点302に向けて偏向するミラー317が配
置され、ミラー317と検出点302との間には、リレ
ーレンズ318が配置されている。
In the traveling direction of the light beam reflected at the detection point 301, the detection point 301 is opposed to the light transmission objective lens system 314.
The relay lens 315 is arranged so that
A mirror 316 for deflecting the optical axis of the relay lens 315 in a direction parallel to X 1 and a mirror 317 for further deflecting the deflected optical axis toward the detection point 302 on the substrate W are arranged ahead of the mirror 317. Between the detection point 302, a relay lens 318 is arranged.

【0116】検出点301と検出点302とは、リレー
レンズ315、リレーレンズ318により共役である。
また、検出点302は、検出点302におけるスリット
の像の長手方向が、検出点301上のスリットの像の長
手方向と一致するように定められている。
The detection point 301 and the detection point 302 are conjugate by the relay lens 315 and the relay lens 318.
The detection point 302 is defined such that the longitudinal direction of the slit image at the detection point 302 matches the longitudinal direction of the slit image at the detection point 301.

【0117】さらに、検出点302で反射された光束の
進行方向に、リレーレンズ323、ミラー324が、こ
の順に配置されている。
Further, a relay lens 323 and a mirror 324 are arranged in this order in the traveling direction of the light beam reflected at the detection point 302.

【0118】このような構造において、送光スリット板
312からリレーレンズ314を介して検出点301に
結像される。ここで反射された反射光は、リレーレンズ
315と、ミラー316、ミラー317、リレーレンズ
318により、検出点302にスリットの像を再結像す
る。更に、検出点302にて反射されたスリットの像
は、再びリレーレンズ323、ミラー324を介して射
出される。
In such a structure, an image is formed on the detection point 301 from the light transmitting slit plate 312 via the relay lens 314. The light reflected here forms a slit image again at the detection point 302 by the relay lens 315, the mirror 316, the mirror 317, and the relay lens 318. Further, the image of the slit reflected at the detection point 302 is emitted again via the relay lens 323 and the mirror 324.

【0119】ここで、図8と図9を参照して、複数の検
出点の変位がどのようにして光学的に加算されるかを説
明する。図8は、第1の検出箇所の検出点を検出点30
1と検出点302の2箇所としたときの斜視図である。
図8には、送光スリット板312から、ミラー324ま
での光学系を記載してあり、送光スリット板312か
ら、ミラー324まで光線の進む方向を示す矢印を、主
光線に付してある。実線は、光学系の光軸Axを進む主
光線L1を示し、ここでは基準光線と呼ぶ。2点鎖線
は、基準光線から横ずれを起こした主光線L2を示す。
Here, with reference to FIGS. 8 and 9, how the displacements of a plurality of detection points are optically added will be described. FIG. 8 shows the detection point of the first detection point as the detection point 30.
FIG. 3 is a perspective view when there are two points, 1 and a detection point 302.
FIG. 8 illustrates an optical system from the light-sending slit plate 312 to the mirror 324, and an arrow indicating a direction in which the light travels from the light-sending slit plate 312 to the mirror 324 is attached to the principal ray. . The solid line indicates a principal ray L1 traveling along the optical axis Ax of the optical system, and is referred to as a reference ray here. The two-dot chain line indicates the principal ray L2 that has shifted laterally from the reference ray.

【0120】また、図8及び図9に於いて、照射光学系
(送光スリット板312から送光対物レンズ314まで
の光学部材)からの送光光(照射光)を主光線L0とし
て示している。なお、図8及び図9で示す補助再照射光
学系は、検出点301と検出点302との変位量をそれ
ぞれ所定量だけ加算するために、補助リレー光学系(3
15、318)と2つの偏向部材(316、317)と
を有している。
Also, in FIGS. 8 and 9, the transmitted light (irradiated light) from the irradiation optical system (optical member from the light transmission slit plate 312 to the light transmission objective lens 314) is shown as a principal ray L0. I have. The auxiliary re-irradiation optical system shown in FIGS. 8 and 9 adds an amount of displacement between the detection point 301 and the detection point 302 by a predetermined amount.
15, 318) and two deflection members (316, 317).

【0121】図9は、図8のBB’矢視図であり、図8
に対応して光線の進む方向に矢印を付けてある。送光ス
リット312の像は、送光対物レンズ系314により、
基板W上の検出点301に結像するように進む。
FIG. 9 is a view taken along the line BB ′ of FIG.
An arrow is attached to the direction in which the light beam travels in correspondence with. The image of the light-sending slit 312 is formed by the light-sending objective lens system 314.
The process proceeds to form an image on the detection point 301 on the substrate W.

【0122】ここで、図9において基板Wが基準位置
(点線で示す)に対してΔZだけ(本発明の基準面の法
線方向である)下方向(投影光学系PLから離れる方
向)に動いた場合を考える。基準位置で反射した場合
は、当然受光スリット板326上に形成される送光スリ
ット板312のスリット像の位置は変化しない。次に、
基板WがΔZだけ下方にずれていたとすれば、検出点3
01(光が照射される位置は301’にずれる)に当た
った光L0は、図8では、2点鎖線で、図9では、実線
で示された光線L2となる。光線L1が斜めに入射する
角度、光線L1と投影光学系PLの光軸とのなす角度θ
は、典型的には約70〜80度である。
Here, in FIG. 9, the substrate W moves downward by ΔZ (in the direction normal to the reference plane of the present invention) (in the direction away from the projection optical system PL) with respect to the reference position (indicated by a dotted line). Consider the case. When the light is reflected at the reference position, the position of the slit image of the light transmitting slit plate 312 formed on the light receiving slit plate 326 does not change. next,
If the substrate W is shifted downward by ΔZ, the detection point 3
The light L0 hitting 01 (the position irradiated with light shifts to 301 ') is a light ray L2 indicated by a two-dot chain line in FIG. 8 and a solid line in FIG. The angle at which the light beam L1 is obliquely incident, and the angle θ between the light beam L1 and the optical axis of the projection optical system PL
Is typically about 70-80 degrees.

【0123】光線L2は、リレーレンズ315では基準
光線L1よりも下方、即ち基準光線L1の基準面での入
射面と直交しかつリレーレンズ315の光軸Axを含む
所定面により2分される空間の一方(図中下方)に向け
て入射し、これを通過し、リレーレンズ315の瞳位置
P1にて基準光線L1と交差し、即ち前記所定面と交差
し、リレーレンズ318では基準光線L1よりも上方に
進むことになる。この光線L2は、リレーレンズ318
を通り、基準光線L1よりも上方にあるまま検出点30
2(光が照射される位置は302’にずれる)に到達す
ることになる。光線L2は、前記所定面により2分され
る他方の部分に射出されたことになる。
The light L2 is a space below the reference light L1 in the relay lens 315, that is, a space which is orthogonal to the incident surface of the reference light L1 on the reference surface and is bisected by a predetermined surface including the optical axis Ax of the relay lens 315. (Lower part in the figure), passes through it, intersects with the reference light beam L1 at the pupil position P1 of the relay lens 315, that is, intersects with the predetermined surface. Will also move upward. This light beam L2 is transmitted to the relay lens 318.
, The detection point 30 remains above the reference light beam L1.
2 (the position where the light is irradiated is shifted to 302 ′). The light ray L2 has been emitted to the other part divided by the predetermined surface.

【0124】図8及び図9の例で示す所定面とは、被検
面が基準位置と一致としているときの検出点301、ミ
ラー316上での補助リレー光学系(315、318)
の光軸Axの偏向点A、ミラー317上での補助リレー
光学系(315〜318)の光軸Axの偏向点B及び被
検面が基準位置と一致しているときの検出点302との
4点で形成される平面である。
The predetermined surface shown in the examples of FIGS. 8 and 9 is the detection point 301 when the surface to be detected coincides with the reference position, and the auxiliary relay optical system (315, 318) on the mirror 316.
Between the deflection point A of the optical axis Ax, the deflection point B of the optical axis Ax of the auxiliary relay optical system (315 to 318) on the mirror 317, and the detection point 302 when the surface to be measured coincides with the reference position. This is a plane formed by four points.

【0125】したがって、図9に示す所定面とは、補助
リレー光学系(314、318)の光軸Axを含み図9
の紙面に直交する平面である。
Therefore, the predetermined surface shown in FIG. 9 includes the optical axis Ax of the auxiliary relay optical system (314, 318).
Is a plane orthogonal to the paper surface of FIG.

【0126】このため、図9に示されるように、その所
定面は、被検面が基準面に対して基準面の法線方向(Z
方向)にΔZだけ変位した際に、検出点310に向けて
入射する光束の主光線L0に関する基準面での入射面
(実線で示す被検面に向けて入射する主光線L0と、主
光線L0が基準面と交差した位置での基準面の法線(Z
方向)とを含んで形成される面、即ち図9の紙面)と直
交した関係となっている。
Therefore, as shown in FIG. 9, the predetermined surface is such that the surface to be inspected is in the normal direction (Z
When the light beam is displaced by ΔZ in the direction (direction), the principal ray L0 of the light beam incident toward the detection point 310 on the reference surface with respect to the principal ray L0 (the principal ray L0 incident on the test surface indicated by the solid line) and the principal ray L0 Is normal to the reference plane at the position where
Direction), that is, the surface orthogonal to the surface formed in FIG.

【0127】このように、図8及び図9に示す補助再照
射光学系(315〜318)は、被検面が基準面の法線
方向(Z方向)にΔZだけ変位した際に、最初の検出点
301に向けて入射する光束の主光線L0に関する基準
面での入射面と直交し且つ補助再照射光学系(315〜
318)の光軸Axを含む所定面により2分される補助
再照射光学系(315〜318)の一方の部分に向けて
入射する最初の検出点301からの主光線L2を、その
所定面により2分される補助再照射光学系(315〜3
18)の他方の部分から射出させて、第2番目の検出点
302へ導く構成となっている。
As described above, the auxiliary re-irradiation optical system (315 to 318) shown in FIGS. 8 and 9 can be used when the test surface is displaced by ΔZ in the normal direction (Z direction) of the reference surface. The auxiliary re-irradiation optical system (315 to 545) is orthogonal to the incident plane on the reference plane with respect to the principal ray L0 of the light beam incident toward the detection point 301.
318) the principal ray L2 from the first detection point 301 incident on one part of the auxiliary re-irradiation optical system (315 to 318) divided by the predetermined plane including the optical axis Ax, Auxiliary re-irradiation optical system (315-3
18), the light is emitted from the other part and guided to the second detection point 302.

【0128】このような補助再照射光学系(315〜3
18)の構成により、2つの検出箇所(301、30
2)での基準面の法線方向に沿った被検面の変位がそれ
ぞれ所定量だけ加算されるような受光光の受光面(受光
スリット板126)上に形成することができる。
Such an auxiliary re-irradiation optical system (315 to 3
18), two detection points (301, 30)
The light receiving surface (light receiving slit plate 126) of the received light can be formed such that the displacement of the test surface along the normal direction of the reference surface in 2) is added by a predetermined amount.

【0129】図9で、検出点302でのZ軸方向の換算
量Δ1は、リレー光学系の倍率により異なるが、等倍で
あれば、ΔZと同等になる。更に、検出点302でも同
様にΔZだけ下方にずれていれば、光線L2は、このズ
レ量だけ、加算されて、受光系対物レンズ323に入射
することになる。
In FIG. 9, the conversion amount Δ1 in the Z-axis direction at the detection point 302 differs depending on the magnification of the relay optical system, but becomes equal to ΔZ if the magnification is equal. Further, if the detection point 302 similarly shifts downward by ΔZ, the light beam L2 is added by this shift amount and enters the light receiving system objective lens 323.

【0130】リレーレンズの倍率が等倍ではない場合に
は、検出点1のズレΔZが検出点302上では、光学系
の倍率がかかり、ΔZ×βとなり、更に、これに検出点
302のΔZが加算された量だけ、リレーレンズ323
に関して検出点302と共役な面において移動すること
になり、検出点301の値に重み付けをしたことと等価
になる。
If the magnification of the relay lens is not the same magnification, the deviation ΔZ of the detection point 1 is multiplied by the magnification of the optical system on the detection point 302 to be ΔZ × β. Is added to the relay lens 323
Moves in a plane conjugate to the detection point 302, which is equivalent to weighting the value of the detection point 301.

【0131】また、さらにリレー光学系を増やして基板
W上の3点を検出するようにすることもできる。
Further, the number of relay optical systems may be increased to detect three points on the substrate W.

【0132】図10に、このようにして、検出点が2点
の場合の検出点301、302における被検面の変位の
和の情報を含んだ光を、図4を参照して説明したAL系
に組み合わせた光学系を示す。図8に示されるリレーレ
ンズ323が、図10に示されるリレーレンズ201に
対応する。
FIG. 10 shows the light including the information of the sum of the displacements of the test surface at the detection points 301 and 302 when the number of the detection points is two as described above with reference to FIG. 2 shows an optical system combined with the system. The relay lens 323 shown in FIG. 8 corresponds to the relay lens 201 shown in FIG.

【0133】図10では、ミラー116を検出点302
とリレーレンズ201との間に設置してあるが、図8と
同様にリレーレンズ323の後ろ、即ち図10ではリレ
ーレンズ201とリレーレンズ202との間に設けても
よい。さらには、ミラー116(及びミラー117)
は、装置のコンパクト化を図るためのものであり、機能
上は不要であるので省略してもよい。
In FIG. 10, the mirror 116 is moved to the detection point 302.
Although it is installed between the relay lens 201 and the relay lens 201, it may be installed behind the relay lens 323 as in FIG. 8, that is, between the relay lens 201 and the relay lens 202 in FIG. Further, the mirror 116 (and the mirror 117)
Is for reducing the size of the apparatus, and is unnecessary in terms of function, and may be omitted.

【0134】図11は、図10の装置を基板Wの法線方
向上方から見た平面図である。図11に示されるよう
に、2つの検出点の変位の和を検出することのできる表
面変位検出装置が2式用意され、一方の1式が基板の矩
形の露光フィールドの対角線上の一方の頂点付近の検出
点301、302の変位の和を検出するように、他方の
1式が他方の頂点付近の検出点401、402の変位の
和を検出するように設けられている。
FIG. 11 is a plan view of the apparatus of FIG. 10 as viewed from above in the normal direction of the substrate W. As shown in FIG. 11, two sets of surface displacement detection devices capable of detecting the sum of the displacements of two detection points are provided, one set of which is one vertex on the diagonal of the rectangular exposure field of the substrate. The other equation is provided to detect the sum of the displacements of the detection points 401 and 402 near the other vertex so as to detect the sum of the displacements of the nearby detection points 301 and 302.

【0135】即ち、図11に示す検出装置は、第1番目
の検出点301を照射する照射光学系(314)、第1
番目の検出点301と第2番目の検出点302での変位
の和を検出光に付与する第1の補助再照射光学系(31
5〜318)と、第2番目の検出点302と第3番目の
検出点401との変位の差を検出光に付与する再照射光
学系(ALR1、ALR2)と、第3番目の検出点40
1と第4番目の検出点402との変位の和を検出光に付
与する第2の補助再照射光学系(415〜418)と、
第4番目の検出点402からの検出光を所定の受光面
(不図示の受光スリット板126)上に集光する検出光
学系(123)とを有している。
That is, the detecting device shown in FIG. 11 includes an irradiation optical system (314) for irradiating the first detection point 301,
A first auxiliary re-irradiation optical system (31) for adding the sum of displacements at the second detection point 301 and the second detection point 302 to the detection light.
5 to 318), a re-irradiation optical system (ALR1, ALR2) for giving the difference in displacement between the second detection point 302 and the third detection point 401 to the detection light, and the third detection point 40
A second auxiliary re-irradiation optical system (415-418) for giving the sum of the displacement between the first and fourth detection points 402 to the detection light;
A detection optical system (123) for condensing the detection light from the fourth detection point 402 onto a predetermined light receiving surface (a light receiving slit plate 126 (not shown)).

【0136】なお、図11では、照射光学系は、送光対
物レンズ系314に代表させて示しており、検出光学系
は、受光対物レンズ系123に代表させて示している。
In FIG. 11, the irradiation optical system is represented by the light transmission objective lens system 314, and the detection optical system is represented by the light reception objective lens system 123.

【0137】このような構成により、第1の検出箇所の
検出点301、302における被検面の変位の和と、第
2の検出箇所の検出点401、402における被検面の
変位の和との差が求められる。したがって、一つ検出箇
所の各検出点における局部的な条件が、平均化により緩
和され、被検面の正確な傾斜が求められる。
With such a configuration, the sum of the displacement of the test surface at the detection points 301 and 302 at the first detection point and the sum of the displacement of the test surface at the detection points 401 and 402 at the second detection point Is required. Therefore, local conditions at each detection point of one detection point are relaxed by averaging, and an accurate inclination of the surface to be detected is obtained.

【0138】なお、第1番目の検出点301と第2番目
の検出点302との重み付けを行うために、第1の補助
再照射光学系(315〜318)は、2つの検出箇所
(301、302)での基準面の法線方向に沿った被検
面の変位がそれぞれ所定量だけ加算されるような受光光
の変位を受光面(不図示の受光スリット板126)に形
成するように構成されても良い。また、第3番目の検出
点401と第4番目の検出点402との重み付けを行う
ために、第2の補助再照射光学系(415〜418)
は、2つの検出箇所(401、402)での基準面の法
線方向に沿った被検面の変位がそれぞれ所定量だけ加算
されるような受光光の変位を受光面(不図示の受光スリ
ット板126)に形成するように構成されても良い。
In order to weight the first detection point 301 and the second detection point 302, the first auxiliary re-irradiation optical system (315 to 318) has two detection points (301, 301). The displacement of the received light along the normal direction of the reference surface at 302) is formed on the light receiving surface (the light receiving slit plate 126, not shown) such that the displacement of the received light is added by a predetermined amount. May be. Also, in order to weight the third detection point 401 and the fourth detection point 402, a second auxiliary re-irradiation optical system (415-418)
Is a light receiving surface (not shown light receiving slit) that adds a predetermined amount of displacement of the test surface along the normal direction of the reference surface at two detection points (401, 402). It may be configured to be formed on the plate 126).

【0139】以上のように、本発明の各実施の形態によ
る表面傾斜検出装置を用いて感光性基板Wの傾斜を検出
し、検出された感光性基板Wの傾斜(傾斜量等)に基づ
いて、感光性基板Wの傾斜(傾斜量等)を調整し、感光
性基板W上にレチクルRのパターンを投影光学系PLを
介して露光を行うという露光方法(光リソグラフィー工
程)によって、高いスループットの下でも良好なる液晶
表示装置を製造することができる。なお、本発明は、光
リソグラフィー工程によって液晶表示装置を製造するこ
とに限ることなく、プラズマ・ディスプレイ・パネル
(PDP)等の表示装置、LSI等の半導体素子、薄膜
磁気ヘッド、CCD等の撮像素子を製造することができ
る。
As described above, the inclination of the photosensitive substrate W is detected by using the surface inclination detecting device according to each embodiment of the present invention, and based on the detected inclination (the amount of inclination, etc.) of the photosensitive substrate W. An exposure method (optical lithography process) that adjusts the inclination (the amount of inclination, etc.) of the photosensitive substrate W and exposes the pattern of the reticle R on the photosensitive substrate W via the projection optical system PL provides a high throughput. A good liquid crystal display device can be manufactured even under the condition. The present invention is not limited to manufacturing a liquid crystal display device by a photolithography process, but includes a display device such as a plasma display panel (PDP), a semiconductor device such as an LSI, a thin film magnetic head, and an imaging device such as a CCD. Can be manufactured.

【0140】また、液晶表示装置を含む半導体デバイス
を製造する際に、レチクルRのパターンを投影光学系P
Lを介して露光する露光工程(光リソグラフィー工程)
は、表面傾斜検出装置にて感光性基板Wの位置を検出す
る工程を完了した後に行うことに限らず、表面傾斜検出
装置にて感光性基板Wの位置を検出する工程と同時に行
っても良い。
When manufacturing a semiconductor device including a liquid crystal display device, the pattern of the reticle R is projected onto the projection optical system P.
Exposure step of exposing through L (optical lithography step)
Is not limited to being performed after the step of detecting the position of the photosensitive substrate W by the surface tilt detection device, but may be performed simultaneously with the step of detecting the position of the photosensitive substrate W by the surface tilt detection device. .

【0141】[0141]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、第1の検
出箇所に対する第2の検出箇所の変位の差を1の検出光
を受光することにより光学的に求めているため、2点間
の傾斜を容易に検出でき、傾斜検出系が複数ある場合で
あっても、時分割等で制御することなく、各検出系独立
に検出することができ、スループットの向上を図ること
がでる。また、以上の本発明の表面傾斜検出装置を備え
る露光装置を用いれば、高いスループットの下でも良好
なる半導体デバイスを製造することができる。
As described above, according to the present invention, the difference between the displacement of the second detection point with respect to the first detection point is obtained optically by receiving one detection light. The inclination between them can be easily detected, and even when there are a plurality of inclination detection systems, each detection system can be independently detected without control by time division or the like, and the throughput can be improved. Further, by using the exposure apparatus provided with the above-described surface tilt detection device of the present invention, a good semiconductor device can be manufactured even under a high throughput.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態である、1式の表面傾斜
検出装置と1式の自動合焦装置とを組み込んだ投影露光
装置の構成を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a projection exposure apparatus according to an embodiment of the present invention, in which one set of a surface inclination detecting device and one set of an automatic focusing device are incorporated.

【図2】図1で、投影光学系と基板との間から基板を見
た平面図である。
FIG. 2 is a plan view of the substrate shown in FIG. 1 from between the projection optical system and the substrate.

【図3】図1のAA矢視方向の側面図である。FIG. 3 is a side view in the direction of arrow AA in FIG. 1;

【図4】図1の表面傾斜検出装置を抽出して示した、本
発明の表面変位検出装置の斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view of the surface displacement detection device according to the present invention, which shows the surface inclination detection device of FIG. 1 extracted.

【図5】図4のBB矢視方向の側面図である。FIG. 5 is a side view in the direction of arrow BB in FIG. 4;

【図6】本発明の別の実施の形態である、図2の場合に
さらに1式の表面傾斜検出装置を加えた装置の平面図で
ある。
FIG. 6 is a plan view of another embodiment of the present invention, in which a set of surface inclination detecting devices is added to the case of FIG. 2;

【図7】本発明のさらに別の実施の形態の表面傾斜検出
装置の側面図である。
FIG. 7 is a side view of a surface inclination detecting device according to still another embodiment of the present invention.

【図8】検出点の変位の和を求めることのできる表面変
位検出装置の斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view of a surface displacement detection device that can calculate a sum of displacements of detection points.

【図9】図8のBB’矢視方向の側面図である。FIG. 9 is a side view in the direction of the arrow BB ′ in FIG. 8;

【図10】図8の表面変位検出装置を組み込まれた本発
明の一実施の形態である表面傾斜検出装置の構成を示す
斜視図である。
FIG. 10 is a perspective view showing a configuration of a surface inclination detecting device according to an embodiment of the present invention in which the surface displacement detecting device of FIG. 8 is incorporated.

【図11】図10の装置の平面模式図である。11 is a schematic plan view of the apparatus of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11、111 コンデンサーレンズ 12、112、312 送光スリット 14、114、314 送光対物レンズ系 15、315 受光系対物レンズ 16、116、117、203、204 ミラー 26、126 受光スリット 29、129 ミラー駆動装置 51 コントローラ 100、101、102、104、105 検出点 201、202、205、206、318 リレーレン
ズ 301、302、401、402 検出点 P 中間結像点 P1、P2 瞳 ST XYステージ STD XYステージ駆動装置 W 基板 R レチクル PL 投影光学系
11, 111 Condenser lens 12, 112, 312 Light transmitting slit 14, 114, 314 Light transmitting objective lens system 15, 315 Light receiving system objective lens 16, 116, 117, 203, 204 Mirror 26, 126 Light receiving slit 29, 129 Mirror drive Device 51 Controller 100, 101, 102, 104, 105 Detection point 201, 202, 205, 206, 318 Relay lens 301, 302, 401, 402 Detection point P Intermediate imaging point P1, P2 Pupil ST XY stage STD XY stage drive Equipment W Substrate R Reticle PL Projection optical system

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定の基準面に対する被検面の傾斜を検
出する表面傾斜検出装置において;前記被検面上の第1
の検出箇所に向けて光を照射する照射光学系と;前記第
1の検出箇所で反射した光を前記被検面上の第2の検出
箇所へ導く再照射光学系と;前記被検面上の第2の検出
箇所から反射した光を受光面上に集光する検出光学系
と;前記受光面での受光光の変位を光電的に検出する光
電検出部とを有することを特徴とする;表面傾斜検出装
置。
1. A surface inclination detecting device for detecting an inclination of a test surface with respect to a predetermined reference surface;
An irradiation optical system for irradiating light toward the detection point; a re-irradiation optical system for guiding light reflected at the first detection point to a second detection point on the test surface; A detection optical system for condensing the light reflected from the second detection point on the light receiving surface; and a photoelectric detection unit for photoelectrically detecting the displacement of the received light on the light receiving surface; Surface tilt detector.
【請求項2】 前記再照射光学系は、前記第1の検出箇
所での前記基準面の法線方向に沿った変位と前記第2の
検出箇所での前記基準面の法線方向に沿った変位との差
に対応する受光光の変位を前記受光面上に形成すること
を特徴とする、請求項1に記載の表面傾斜検出装置。
2. The re-irradiation optical system according to claim 1, wherein the displacement along the normal direction of the reference plane at the first detection point and the displacement along the normal direction of the reference plane at the second detection point. The surface inclination detecting device according to claim 1, wherein a displacement of the received light corresponding to a difference from the displacement is formed on the light receiving surface.
【請求項3】 前記再照射光学系は、前記被検面が前記
基準面の前記法線方向に変位した際に、前記第1の検出
箇所に入射する光束の主光線に関する前記基準面での入
射面と直交しかつ前記再照射光学系の光軸を含む所定面
により2分される前記再照射光学系の一方の部分に向け
て入射する前記主光線を、前記所定面により2分される
前記再照射光学系の前記一方の部分から射出させて前記
第2の検出箇所へ導くように構成されることを特徴とす
る、請求項1または請求項2に記載の表面傾斜検出装
置。
3. The re-irradiation optical system according to claim 1, wherein, when the test surface is displaced in the normal direction of the reference surface, the re-irradiation optical system includes a principal ray of a light beam incident on the first detection point on the reference surface. The principal ray incident on one portion of the re-irradiation optical system, which is orthogonal to the incident surface and is bisected by a predetermined surface including the optical axis of the re-irradiation optical system, is bisected by the predetermined surface. The surface inclination detecting device according to claim 1, wherein the device is configured to emit light from the one portion of the re-irradiation optical system and guide the light to the second detection point.
【請求項4】 前記再照射光学系は、前記第1の検出箇
所で反射した光束を前記第2の検出箇所へ偏向させる偏
向部材と、前記第1の検出箇所と前記第2の検出箇所と
を実質的に共役にするリレー光学系とを有することを特
徴とする;請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載
の表面傾斜検出装置。
4. A re-irradiation optical system, comprising: a deflecting member for deflecting a light beam reflected at the first detection point to the second detection point; and a first detection point and the second detection point. And a relay optical system that substantially conjugates the following. 4. The surface inclination detecting device according to claim 1, wherein:
【請求項5】 前記照射光学系は、所定のパターンを有
する送光スリット板と、該所定のパターンを前記第1の
検出箇所に投影する送光対物レンズ系とを有し;前記光
電検出部は、前記受光面上に配置された受光スリット板
と、該受光スリット板を介した光を光電変換する光電検
出器を有し;前記検出光学系は、前記受光面上に形成さ
れる前記所定のパターンの像が前記受光スリット板を横
切るように振動する振動ミラーを有することを特徴とす
る;請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の表面
傾斜検出装置。
5. The irradiation optical system includes: a light transmitting slit plate having a predetermined pattern; and a light transmitting objective lens system for projecting the predetermined pattern onto the first detection point; Has a light-receiving slit plate disposed on the light-receiving surface, and a photoelectric detector that photoelectrically converts light passing through the light-receiving slit plate; the detection optical system is provided on the light-receiving surface. 5. The surface inclination detecting device according to claim 1, further comprising: a vibrating mirror that vibrates so that an image of the pattern crosses the light receiving slit plate. 6.
【請求項6】 前記光電検出部からの出力に基づいて前
記被検面の傾斜を演算する演算装置をさらに備えること
を特徴とする、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に
記載の表面傾斜検出装置。
6. The apparatus according to claim 1, further comprising an arithmetic unit that calculates an inclination of the surface to be inspected based on an output from the photoelectric detection unit. Surface tilt detector.
【請求項7】 請求項1乃至請求項6のいずれか1項に
記載の表面傾斜検出装置を備える露光装置を提供する工
程と;前記表面傾斜検出装置の前記被検面の位置に感光
性基板を載置する工程と;前記表面傾斜検出装置により
前記感光性基板の表面の傾斜を検出する工程と;前記検
出された感光性基板の表面の傾斜情報に基づいて、前記
感光性基板の傾斜を調整する工程と;前記感光性基板の
表面に露光を行う工程とを備える;半導体デバイスの製
造方法。
7. A step of providing an exposure apparatus including the surface inclination detecting device according to claim 1, and a photosensitive substrate at a position of the surface to be detected of the surface inclination detecting device. Mounting the photosensitive substrate; detecting the inclination of the surface of the photosensitive substrate by the surface inclination detecting device; and determining the inclination of the photosensitive substrate based on the detected inclination information of the surface of the photosensitive substrate. Adjusting; and exposing the surface of the photosensitive substrate to light; a method for manufacturing a semiconductor device.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002057095A (en) * 2000-08-14 2002-02-22 Nikon Corp Aligner
JP2006140259A (en) * 2004-11-11 2006-06-01 Tokyo Electron Ltd Heat treatment device, and detecting method of sticking object on heat treatment plate
JP2012078164A (en) * 2010-09-30 2012-04-19 Nuflare Technology Inc Pattern inspection device

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