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JPH1180559A - Material for sealing gap between semiconductor chip and substrate - Google Patents

Material for sealing gap between semiconductor chip and substrate

Info

Publication number
JPH1180559A
JPH1180559A JP24959997A JP24959997A JPH1180559A JP H1180559 A JPH1180559 A JP H1180559A JP 24959997 A JP24959997 A JP 24959997A JP 24959997 A JP24959997 A JP 24959997A JP H1180559 A JPH1180559 A JP H1180559A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polymer
film
sealing material
semiconductor chip
repeating unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24959997A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuhiro Wakizaka
康尋 脇坂
Susumu Hosaka
享 保坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zeon Corp
Original Assignee
Nippon Zeon Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Zeon Co Ltd filed Critical Nippon Zeon Co Ltd
Priority to JP24959997A priority Critical patent/JPH1180559A/en
Publication of JPH1180559A publication Critical patent/JPH1180559A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a material for sealing a gap between a semiconductor chip and a mounting substrate capable of exhibiting excellent low moisture absorption and resistance to heat cycle and useful for packaging of a highly reliable semiconductor for electronic.electric devices by adopting a polymer having a ring structure as a sealing material. SOLUTION: This material contains (A) a ring structure-containing polymer containing a repeating unit having a ring structure (e.g. a cyclic olefinic polymer or an aromatic condensation polymer having a repeating units of an aromatic ring in the main chain, occasionally having a functional group) and further, as necessary, (B) a hardener. The material is prepared as e.g. a solution or a film, and is utilized to form a semiconductor package, and in a case of using the solution, by joining a semiconductor chip (Z2 ) to a mounting substrate (Z1 ), covering the jointed part with the solution, removing a solvent and drying, while in a case of using the film, by laminating the film on the Z1 and then laminating the Z2 on the film and pressure welding the film by heating.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、機械強度に優れ、
且つ、低吸湿性にも優れた半導体チップの封止材料、及
びその封止材料によって封止された半導体パッケージに
関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a device having excellent mechanical strength,
The present invention also relates to a semiconductor chip sealing material having excellent low moisture absorption and a semiconductor package sealed with the sealing material.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、高度情報化社会の急激な進展に伴
い、コンピューターや通信機器などの情報処理機器の処
理能力の向上、即ち高速化が迫られており、さらには、
情報通信網の発達に伴いその通信波長領域の拡大が必要
となり、特にGHz(ギガヘルツ)の高周波領域の通信
波長で作動する通信機器の開発が急がれている。こうし
た要求のなかで情報処理速度の高速化、通信波長領域の
高周波化を達成するために、半導体チップなどの電子部
品は、実装基板との接続配線距離を極力短縮して伝送速
度の高速化、高周波領域での伝送損失の低下を図る開発
がなされている。具体的な手段としては、半導体チップ
等の電極と、実装基板の電極とを直接金線やハンダ等を
介して直接接続する方法(ベアチップ実装法)が挙げら
れる。上記手段で接続された電極及び間の配線は、水分
や不純物等から保護する目的で封止されるが、該封止材
料としては従来公知のエポキシ樹脂からなる液状封止材
料やフィルムが使用されている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the rapid progress of the highly information-oriented society, the processing capability of information processing devices such as computers and communication devices has been required to be improved, that is, the processing speed has been increased.
With the development of information communication networks, it is necessary to expand the communication wavelength range. In particular, the development of communication equipment that operates at a communication wavelength in the high frequency range of GHz (gigahertz) is urgent. Under these demands, in order to achieve higher information processing speeds and higher communication wavelength ranges, electronic components such as semiconductor chips have been shortened as much as possible by reducing the wiring distance between the mounting board and the transmission speed. Developments have been made to reduce transmission loss in the high frequency range. As a specific means, a method of directly connecting an electrode of a semiconductor chip or the like and an electrode of a mounting board directly via a gold wire or solder (bare chip mounting method) is exemplified. The electrodes connected by the above-described means and the wiring between them are sealed for the purpose of protecting them from moisture, impurities, etc. As the sealing material, a liquid sealing material or film made of a conventionally known epoxy resin is used. ing.

【0003】しかし、該エポキシ樹脂は、一般に液状オ
リゴマーを主要成分とするために、硬化後の機械強度が
十分でなく、長期信頼性試験である耐ヒートサイクル試
験においてクラックが発生し易いという問題があり、し
かも吸水率が比較的大きいために吸湿した水分によって
さらに信頼性が低下するという問題があった。また、近
年封止材料をシートの形態で使用することが求められて
いるが、エポキシ樹脂はそのシートを形成する際にタッ
クフリーになるように部分的に硬化させておく必要があ
った。
However, since the epoxy resin generally contains a liquid oligomer as a main component, there is a problem that the mechanical strength after curing is not sufficient and cracks easily occur in a heat cycle resistance test which is a long-term reliability test. In addition, since the water absorption rate is relatively large, there is a problem that the reliability is further reduced by the moisture absorbed. In recent years, it has been required to use a sealing material in the form of a sheet. However, it has been necessary to partially cure an epoxy resin so as to be tack-free when forming the sheet.

【0004】このような状況のなかで、新たな封止材料
として、低吸湿性、低不純物性に優れる環状オレフィン
系樹脂が提案されている。例えば特開昭62−2741
2号公報には、テトラシクロドデセンとエチレンとの付
加型共重合体をアリルグリシジルエーテルや無水マレイ
ン酸によってグラフト変性させた変性物を用いる方法、
特開平6−188336号公報、特開平7−18161
号公報にはメチルメトキシカルボニルテトラシクロドデ
センの開環重合体によって光半導体素子を封止する方法
が開示されている。また、特開平6−318651号公
報には、熱可塑性ノルボルネン系樹脂を不飽和シランと
ラジカル発生剤の存在下で反応させて変性した後に、ジ
ブチル錫ラウレートなどのシラノール縮合触媒を配合し
た架橋性熱可塑性ノルボルネン系樹脂によって電子素子
を封止し、100℃の熱水で2時間処理して架橋させる
技術が開示されている。
Under these circumstances, as a new sealing material, a cyclic olefin resin excellent in low moisture absorption and low impurity properties has been proposed. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-2741
No. 2 discloses a method using a modified product obtained by graft-modifying an addition copolymer of tetracyclododecene and ethylene with allyl glycidyl ether or maleic anhydride,
JP-A-6-188336, JP-A-7-18161
Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H11-139,086 discloses a method of sealing an optical semiconductor device with a ring-opening polymer of methylmethoxycarbonyltetracyclododecene. Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-318651 discloses a crosslinkable thermosetting resin obtained by modifying a thermoplastic norbornene resin by reacting it with an unsaturated silane and a radical generator in the presence of a silanol condensation catalyst such as dibutyltin laurate. There is disclosed a technique in which an electronic element is sealed with a plastic norbornene-based resin and treated with hot water at 100 ° C. for 2 hours to crosslink.

【0005】このような環状構造を有する重合体は、エ
ポキシ樹脂に比較して低吸水性に優れているが、封止材
料として実用化する試みは殆どなされておらず、上記公
知文献においても実際にはLEDなどの単純な形状の光
半導体素子を射出成形により全体的に封止するか、コー
ティングする程度の技術しか開示されていないのが実情
であった。そしてこのような材料を一般の半導体素子に
比較して配線が高度に集積された高性能な半導体チップ
と実装基板の電極間を部分的に封止するような高信頼性
を要求される分野で用いた場合、どのような特性を示す
かは全く知られてはいなかった。
[0005] Such a polymer having a cyclic structure is excellent in low water absorption as compared with an epoxy resin. However, practically no attempt has been made to put it into practical use as a sealing material. However, only the technology of sealing or coating an optical semiconductor element having a simple shape such as an LED by injection molding is disclosed. Compared to general semiconductor devices, such materials are required to have high reliability, such as partially sealing between a high-performance semiconductor chip with highly integrated wiring and electrodes on a mounting board. When used, what properties were exhibited was not known at all.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、低吸
湿性であり耐ヒートサイクル性に優れた半導体チップと
実装基板の層間の封止材料を提供することである。さら
に他の目的は高度の信頼性を有する半導体パッケージ及
びそれを簡単な操作で効率よく製造する方法を提供する
ことである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a sealing material between a semiconductor chip and a mounting board which has low moisture absorption and excellent heat cycle resistance. Still another object is to provide a semiconductor package having a high degree of reliability and a method for efficiently manufacturing the same by a simple operation.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、環構造を有する重
合体を封止材料として使用することが有効であることを
見出し、本発明を完成するに至った。
Means for Solving the Problems The present inventors have made intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, have found that it is effective to use a polymer having a ring structure as a sealing material. The present invention has been completed.

【0008】かくして本発明によれば、第1の発明とし
て、環構造を有する繰り返し単位を含有する環構造含有
重合体を含んでなる半導体チップと実装基板間の封止材
料が提供される。本発明によれば、第2の発明として、
環構造含有重合体が、環状オレフィン系重合体または主
鎖中に芳香環の繰返し単位を有する芳香族縮合系重合体
である第1の発明記載の封止材料が提供される。本発明
によれば、第3の発明として、環構造含有重合体が官能
基を含有するものである第1または第2の発明記載の封
止材料が提供される。本発明によれば、第4の発明とし
て、さらに硬化剤を含有してなる第1乃至第3の発明い
ずれか記載の封止材料が提供される。本発明によれば、
第5の発明として、溶液型またはフィルムである第1乃
至第4の発明いずれか記載の封止材料が提供される。本
発明によれば、第6の発明として、第1乃至第5の発明
いずれか記載の封止材料で半導体チップと実装基板の間
が封止された半導体パッケージが提供される。本発明に
よれば、第7の発明として、実装基板に半導体チップを
接合後、溶液型である第5の発明記載の封止材料を接合
部分を覆うように塗布し、溶媒を除去乾燥して半導体パ
ッケージを製造する方法が提供される。本発明によれ
ば、第8の発明として、実装基板上にフィルムである第
5の発明記載の封止材料を積層し、次いでフィルム上に
半導体チップを積層し、加熱溶融圧着して実装基板と半
導体チップとを接合して半導体パッケージを製造する方
法が提供される。
Thus, according to the present invention, as a first invention, there is provided a sealing material between a semiconductor chip and a mounting substrate, which comprises a ring structure-containing polymer containing a repeating unit having a ring structure. According to the present invention, as a second invention,
The sealing material according to the first invention is provided, wherein the ring structure-containing polymer is a cyclic olefin polymer or an aromatic condensed polymer having a repeating unit of an aromatic ring in a main chain. According to the present invention, there is provided, as a third invention, the sealing material according to the first or second invention, wherein the ring structure-containing polymer has a functional group. According to the present invention, as a fourth invention, there is provided the sealing material according to any one of the first to third inventions, further comprising a curing agent. According to the present invention,
As a fifth invention, there is provided a sealing material according to any one of the first to fourth inventions, which is a solution type or a film. According to the present invention, there is provided, as a sixth invention, a semiconductor package in which a semiconductor chip and a mounting substrate are sealed with the sealing material according to any one of the first to fifth inventions. According to the present invention, as a seventh invention, after bonding the semiconductor chip to the mounting substrate, the sealing material according to the fifth invention, which is a solution type, is applied so as to cover the bonding portion, and the solvent is removed and dried. A method for manufacturing a semiconductor package is provided. According to the present invention, as an eighth invention, the sealing material according to the fifth invention, which is a film, is laminated on a mounting substrate, and then, a semiconductor chip is laminated on the film, and heated and melt-pressed to form a mounting substrate. A method of manufacturing a semiconductor package by bonding a semiconductor chip is provided.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下に本発明の好ましい実施の形
態について、項目に分けて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below by dividing them into items.

【0010】半導体チップと基板間の封止材料 本発明で使用される封止材料は、環構造を有する繰り返
し単位を含有する環構造含有重合体を主要成分とし、所
望により硬化剤及び各種配合剤を配合したものである。
The sealing material used in the present invention comprises a polymer containing a cyclic structure containing a repeating unit having a cyclic structure as a main component, and optionally a curing agent and various compounding agents. Is blended.

【0011】[1]環構造を有する繰り返し単位を含有
する環構造含有重合体 本発明で用いられる重合体は、主鎖および/または側鎖
に環構造を有するものであり、重合体の結合様式として
は、該環構造の炭素−炭素不飽和結合を開環重合したも
の、付加重合したもの、該環構造の環外の炭素−炭素不
飽和結合を付加重合したもの、外環構造以外の官能基を
縮重合したものなどの結合様式が挙げられる。
[1] Ring structure-containing polymer containing repeating unit having a ring structure The polymer used in the present invention has a ring structure in a main chain and / or a side chain, and has a bonding mode of the polymer. Examples thereof include those obtained by ring-opening polymerization of carbon-carbon unsaturated bonds of the ring structure, those obtained by addition polymerization, those obtained by addition-polymerization of exocyclic carbon-carbon unsaturated bonds of the ring structure, and those other than the outer ring structure. Bonding modes such as condensation polymerization of groups are exemplified.

【0012】かかる重合体の具体例としては、(1)環
状オレフィン系重合体及びその水素添加物、(2)環状
共役ジエン系重合体及びその水素添加物、(3)ビニル
系環状炭化水素重合体及びその水素添加物、(4)主鎖
中に芳香環の繰返し単位を有する芳香族縮合系重合体な
どが挙げられるが、これらの中でも、(1)環状オレフ
ィン系重合体及びその水素添加物、(2)環状共役ジエ
ン系重合体及びその水素添加物などが好ましく、環状オ
レフィン系重合体及びその水素添加物が最も好ましい。
Specific examples of such a polymer include (1) a cyclic olefin polymer and a hydrogenated product thereof, (2) a cyclic conjugated diene polymer and a hydrogenated product thereof, and (3) a vinyl cyclic hydrocarbon polymer. And a hydrogenated product thereof, and (4) an aromatic condensed polymer having a repeating unit of an aromatic ring in the main chain. Among these, (1) a cyclic olefin polymer and a hydrogenated product thereof And (2) a cyclic conjugated diene-based polymer and a hydrogenated product thereof are preferred, and a cyclic olefin-based polymer and a hydrogenated product thereof are most preferred.

【0013】重合体の環構造としては、芳香環構造、飽
和環状炭化水素(シクロアルカン構造)、不飽和環状炭
化水素(シクロアルケン)構造などが挙げられるが、強
度特性、耐熱性などの観点から、中でもシクロアルカン
構造を有するものが最も好ましい。また、強度特性、耐
熱性などの観点から、主鎖に環構造を含有するものが好
ましい。
Examples of the ring structure of the polymer include an aromatic ring structure, a saturated cyclic hydrocarbon (cycloalkane structure), and an unsaturated cyclic hydrocarbon (cycloalkene) structure. From the viewpoints of strength characteristics, heat resistance and the like. Among them, those having a cycloalkane structure are most preferable. Further, from the viewpoints of strength characteristics, heat resistance, and the like, those having a ring structure in the main chain are preferable.

【0014】(環構造を有する繰り返し単位)環構造を
有する繰り返し単位の具体例としては、前述の如く、次
の4種類のものが代表的な例として挙がられる。すなわ
ち、(1)環状オレフィン系繰り返し単位、(2)環状
共役ジエン系繰り返し単位、(3)ビニル系環状炭化水
素繰り返し単位、(4)芳香族縮合系繰り返し単位など
である。以下、それぞれについて説明する。
(Repeating Unit Having a Ring Structure) As described above, specific examples of the repeating unit having a ring structure include the following four types as typical examples. That is, (1) a cyclic olefin-based repeating unit, (2) a cyclic conjugated diene-based repeating unit, (3) a vinyl-based cyclic hydrocarbon repeating unit, and (4) an aromatic condensation-based repeating unit. Hereinafter, each will be described.

【0015】(1)環状オレフィン系繰り返し単位 環状オレフィン系繰り返し単位としては、例えば後述の
ノルボルネンやエチリデンノルボルネン、ジシクロペン
タジエン、テトラシクロドデセンなどのノルボルネン系
単量体の繰り返し単位及びその水素添加した繰り返し単
位;シクロペンテン、シクロヘキセンなどの単環の環状
オレフィン系単量体の繰り返し単位などが挙げられる。
(1) Cyclic olefin-based repeating unit The cyclic olefin-based repeating unit is, for example, a repeating unit of norbornene-based monomer such as norbornene, ethylidene norbornene, dicyclopentadiene, tetracyclododecene and the like, and hydrogenated units thereof. Recurring unit: a repeating unit of a monocyclic cyclic olefin monomer such as cyclopentene and cyclohexene.

【0016】環状オレフィン系繰り返し単位の原料とな
る環状オレフィン系単量体は、炭素−炭素不飽和結合を
有する環状の炭化水素化合物であれば特に限定はされな
いが、主なものには前述の(a)ノルボルネン系単量
体、(b)単環の環状オレフィン系単量体などが挙げら
れる。
The cyclic olefin monomer used as a raw material for the cyclic olefin repeating unit is not particularly limited as long as it is a cyclic hydrocarbon compound having a carbon-carbon unsaturated bond. a) a norbornene-based monomer; and (b) a monocyclic cyclic olefin-based monomer.

【0017】(a)ノルボルネン系単量体 本発明で用いるノルボルネン系単量体は、特開平5−3
20268や特開平2−36224などに記載されてい
るノルボルネン環を有する脂環族系単量体であり、代表
例として(a)ノルボルネン、テトラシクロドデセン、
これらのアルキル置換体などの如き、重合反応に関与す
る炭素−炭素不飽和結合以外の不飽和結合を持たない単
量体、(b)エチリデンノルボルネン、ビニルノルボル
ネン、エチリデテトラシクロドデセン、ジシクロペンタ
ジエンなどの如き、重合反応に関与する炭素−炭素不飽
和結合以外の不飽和結合を持つ単量体、(c)ジメタノ
テトラヒドロフルオレン、フェニルノルボルネンなどの
如き、芳香環を持つ単量体、(d)メトキシカルボニル
ノルボルネン、メトキシカルボニルテトラシクロドデセ
ンなどの如き、極性基を有する単量体などが挙げられ
る。これらのノルボルネン環を有する脂環族系単量体
は、それぞれ独立で、あるいは2種以上を組み合わせて
用いることができる。
(A) Norbornene monomer The norbornene monomer used in the present invention is disclosed in
20268 and JP-A-2-36224, which are alicyclic monomers having a norbornene ring. Representative examples of (a) norbornene, tetracyclododecene,
Monomers having no unsaturated bonds other than carbon-carbon unsaturated bonds involved in the polymerization reaction, such as these alkyl-substituted products; (b) ethylidene norbornene, vinyl norbornene, ethylidetetracyclododecene, dicyclo Monomers having an unsaturated bond other than the carbon-carbon unsaturated bond involved in the polymerization reaction, such as pentadiene; (c) monomers having an aromatic ring, such as dimethanotetrahydrofluorene and phenylnorbornene; d) Monomers having a polar group, such as methoxycarbonylnorbornene and methoxycarbonyltetracyclododecene. These alicyclic monomers having a norbornene ring can be used independently or in combination of two or more.

【0018】(b)単環の環状オレフィン系単量体 単環の環状オレフィン系単量体は、炭素−炭素二重結合
を環内に一つ有するものであり、例えば、シクロブテ
ン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテ
ン、シクロオクテンなどの特開昭64−66216など
に記載されている単環の環状オレフィン系単量体のこと
である。これらの単環の環状オレフィン系単量体は、そ
れぞれ独立で、あるいは2種以上を組み合わせて用いる
ことができる。
(B) Monocyclic Cyclic Olefin Monomer A monocyclic cycloolefin monomer has one carbon-carbon double bond in the ring, and is, for example, cyclobutene, cyclopentene, cyclohexene And monocyclic cycloolefin monomers such as cycloheptene and cyclooctene described in JP-A-64-66216. These monocyclic cycloolefin monomers can be used independently or in combination of two or more.

【0019】(2)環状共役ジエン系繰り返し単位 環状共役ジエン系繰り返し単位としては、シクロペンタ
ジエン、シクロヘキサジエンなどの環状共役ジエン系単
量体を1,4−付加重合した繰り返し単位及びその水素
添加した繰り返し単位が挙げられる。
(2) Cyclic conjugated diene-based repeating unit As the cyclic conjugated diene-based repeating unit, a cyclic conjugated diene-based monomer such as cyclopentadiene or cyclohexadiene is subjected to 1,4-addition polymerization and hydrogenated. And repeating units.

【0020】環状共役ジエン系繰り返し単位の原料とな
る環状共役ジエン系単量体としては、環内に共役系炭素
−炭素二重結合を有するものであり、例えば、1、3−
シクロペンタジエン、1、3−シクロヘキサジエン、
1、3−シクロヘプタジエン、1、3−シクロオクタジ
エンなどの、特開平7−258318などに記載されて
いる環状共役ジエン系単量体のことである。これらの環
状共役ジエン系単量体は、それぞれ独立で、あるいは2
種以上を組み合わせて用いることができる。
The cyclic conjugated diene-based monomer used as a raw material of the cyclic conjugated diene-based repeating unit has a conjugated carbon-carbon double bond in the ring.
Cyclopentadiene, 1,3-cyclohexadiene,
It is a cyclic conjugated diene monomer such as 1,3-cycloheptadiene and 1,3-cyclooctadiene described in JP-A-7-258318. These cyclic conjugated diene monomers can be used independently or
More than one species can be used in combination.

【0021】(3)ビニル系環状炭化水素繰り返し単位 ビニル系環状炭化水素繰り返し単位の具体例としては、
例えばビニルシクロペンテン系もしくはビニルシクロペ
ンタン系繰り返し単位またはその水素添加した繰り返し
単位、ビニルシクロヘキセン系もしくはビニルシクロヘ
キサン系繰り返し単位またはその水素添加した繰り返し
単位、ビニルシクロヘプテン系もしくはビニルシクロヘ
プタン系繰り返し単位またはその水素添加した繰り返し
単位、ビニルシクロオクテン系またはビニルシクロオク
タン系繰り返し単位またはその水素添加した繰り返し単
位、芳香族ビニル系繰り返し単位またはその水素添加し
た繰り返し単位などが挙げられる。これら中でも、耐熱
性と成形性、強度特性のバランスから、環構造は5〜7
員環が好ましく、ビニルシクロヘキセン系もしくはビニ
ルシクロヘキサン系繰り返し単位またはその水素添加し
た繰り返し単位、芳香族ビニル系繰り返し単位または水
素添加した繰り返し単位などの6員環が最も好ましい。
また、環内の炭素−炭素不飽和結合が水素添加されてい
る方が好ましい。
(3) Vinyl-based cyclic hydrocarbon repeating unit Specific examples of the vinyl-based cyclic hydrocarbon repeating unit include:
For example, a vinylcyclopentene-based or vinylcyclopentane-based repeating unit or a hydrogenated repeating unit thereof, a vinylcyclohexene-based or vinylcyclohexane-based repeating unit or a hydrogenated repeating unit thereof, a vinylcycloheptene-based or vinylcycloheptane-based repeating unit, or a combination thereof Examples include a hydrogenated repeating unit, a vinylcyclooctene-based or vinylcyclooctane-based repeating unit or a hydrogenated repeating unit thereof, an aromatic vinyl-based repeating unit or a hydrogenated repeating unit thereof, and the like. Among these, the ring structure is 5 to 7 from the balance of heat resistance, moldability and strength properties.
A six-membered ring such as a vinylcyclohexene-based or vinylcyclohexane-based repeating unit or a hydrogenated repeating unit thereof, an aromatic vinyl-based repeating unit or a hydrogenated repeating unit is most preferable.
Further, it is preferable that the carbon-carbon unsaturated bond in the ring is hydrogenated.

【0022】前述のビニル系環状炭化水素系繰り返し単
位の原料となるビニル系環状炭化水素系単量体として
は、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、α−エチ
ルスチレン、α−プロピルスチレン、α−イソプロピル
スチレン、α−t−ブチルスチレン、2−メチルスチレ
ン、3−メチルスチレン、4−メチルスチレン、2,4
−ジイソプロピルスチレン、2,4−ジメチルスチレ
ン、4−t−ブチルスチレン、5−t−ブチル−2−メ
チルスチレン、モノクロロスチレン、ジクロロスチレ
ン、モノフルオロスチレン、4−フェニルスチレンなど
のスチレン系単量体;ビニルシクロヘキサン、3−メチ
ルイソプロペニルシクロヘキサンなどのビニルシクロヘ
キサン系単量体; 4−ビニルシクロヘキセン、4−イ
ソプロペニルシクロヘキセン、1−メチル−4−ビニル
シクロヘキセン、1−メチル−4−イソプロペニルシク
ロヘキセン、2−メチル−4−ビニルシクロヘキセン、
2−メチル−4−イソプロペニルシクロヘキセンなどの
ビニルシクロヘキセン系単量体; d−テルペン、l−
テルペン、ジテルペンなどのテルペン系単量体などのビ
ニル化六員環炭化水素系単量体またはその置換体などが
挙げられる。芳香環を含有するスチレン系単量体を用い
る場合は、水素添加反応により、水素添加率が80%以
上にすることが好ましい。
Examples of the vinyl cyclic hydrocarbon monomer which is a raw material of the above-mentioned vinyl cyclic hydrocarbon repeating unit include styrene, α-methylstyrene, α-ethylstyrene, α-propylstyrene, α-propylstyrene, and the like. Isopropylstyrene, α-t-butylstyrene, 2-methylstyrene, 3-methylstyrene, 4-methylstyrene, 2,4
-Styrene-based monomers such as diisopropylstyrene, 2,4-dimethylstyrene, 4-t-butylstyrene, 5-t-butyl-2-methylstyrene, monochlorostyrene, dichlorostyrene, monofluorostyrene, and 4-phenylstyrene Vinylcyclohexane monomers such as vinylcyclohexane and 3-methylisopropenylcyclohexane; 4-vinylcyclohexene, 4-isopropenylcyclohexene, 1-methyl-4-vinylcyclohexene, 1-methyl-4-isopropenylcyclohexene, -Methyl-4-vinylcyclohexene,
Vinylcyclohexene monomers such as 2-methyl-4-isopropenylcyclohexene; d-terpene, 1-
Examples include vinylated six-membered ring hydrocarbon monomers such as terpene monomers such as terpenes and diterpenes, and substituted products thereof. When a styrene monomer containing an aromatic ring is used, the hydrogenation rate is preferably adjusted to 80% or more by a hydrogenation reaction.

【0023】(4)主鎖に芳香環を有する芳香族縮合系
繰り返し単位 芳香族縮合系繰り返し単位としては、主鎖中に芳香環を
有し、芳香環同士がヘテロ原子を含む単位構造で結合し
た繰り返し単位である。ヘテロ原子としては特に限定さ
れないが、例えば酸素や硫黄が挙げられ、結合形態とし
ては例えばエーテル結合やエステル結合を有している。
具体例としては、例えば、ポリフェニレンスルフィド、
ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルスルホン、ポリ
スルフォン、などの芳香族ポリエーテル系繰り返し単
位;液晶プラスチック、芳香族ポリエステル、ポリアリ
レート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテ
レフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテ
ルケトン、ポリエーテルケトン、などの芳香族ポリエス
テル系繰り返し単位;などが挙げられる。これらのなか
でも、耐熱性及び低吸湿性、誘電特性などの点で、芳香
環とヘテロ原子の単純なエーテル結合から構成されるポ
リフェニレンスルフィド、ポリフェニレンエーテル、な
どの芳香族ポリエーテル系繰り返し単位が好ましく、芳
香族ポリエステル系繰り返し単位のなかでも、単位構造
に対する芳香環の含有量が多い液晶プラスチック系繰り
返し単位が好ましい。特には、ポリフェニレンエーテル
系繰り返し単位、ポリフェニレンスルフィド系繰り返し
単位、液晶プラスチック系繰り返し単位の上記3種類の
繰り返し単位が好ましいが、硬化性樹脂として変性し易
いポリフェニレンエーテル系繰り返し単位が最も好まし
い。
(4) Aromatic condensed repeating unit having an aromatic ring in the main chain As the aromatic condensed repeating unit, an aromatic ring is contained in the main chain, and the aromatic rings are bonded in a unit structure containing a hetero atom. It is a repeating unit. The hetero atom is not particularly limited, but includes, for example, oxygen and sulfur, and has a bond form, for example, an ether bond or an ester bond.
Specific examples include, for example, polyphenylene sulfide,
Aromatic polyether repeating units such as polyphenylene ether, polyether sulfone, polysulfone, etc .; liquid crystal plastic, aromatic polyester, polyarylate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polycarbonate, polyether ether ketone, polyether ketone, etc. An aromatic polyester-based repeating unit; Among them, in terms of heat resistance and low hygroscopicity, dielectric properties, etc., aromatic polyether-based repeating units such as polyphenylene sulfide, polyphenylene ether, which is composed of a simple ether bond of an aromatic ring and a hetero atom, are preferred. Among the aromatic polyester-based repeating units, liquid crystal plastic-based repeating units having a large content of aromatic ring with respect to the unit structure are preferable. In particular, the above three types of repeating units of a polyphenylene ether-based repeating unit, a polyphenylene sulfide-based repeating unit, and a liquid crystal plastic-based repeating unit are preferred, and a polyphenylene ether-based repeating unit which is easily modified as a curable resin is most preferred.

【0024】これら上記の環構造を有する繰り返し単位
は単独、または2種以上組み合わせて使用しても良い。
These repeating units having a ring structure may be used alone or in combination of two or more.

【0025】本発明に使用される環構造を有する繰り返
し単位の、重合体中全繰り返し単位中の含有量は耐熱性
の観点から、通常、50モル%以上、好ましくは70モ
ル%以上、より好ましくは80モル%以上である。
From the viewpoint of heat resistance, the content of the repeating unit having a ring structure used in the present invention in all the repeating units in the polymer is usually 50 mol% or more, preferably 70 mol% or more, more preferably. Is 80 mol% or more.

【0026】(その他の繰り返し単位)その他の繰り返
し単位の原料となる共重合可能な単量体としては、エチ
レン、プロピレン、1−ブテン、4−メチル−1−ペン
テンなどの炭素数2〜12からなるα−オレフィン類;
スチレン、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、
p−クロロスチレンなどのスチレン類;1、3−ブタジ
エン、イソプレンなどの鎖状共役ジエン;エチルビニル
エーテル、イソブチルビニルエーテルなどのビニルエー
テル類や一酸化炭素を挙げることができるが、共重合が
可能であるならば、特にこれらに限定されるものではな
い。
(Other Repeating Units) Examples of the copolymerizable monomer used as a raw material of other repeating units include those having 2 to 12 carbon atoms such as ethylene, propylene, 1-butene and 4-methyl-1-pentene. Α-olefins;
Styrene, α-methylstyrene, p-methylstyrene,
Styrenes such as p-chlorostyrene; chain conjugated dienes such as 1,3-butadiene and isoprene; vinyl ethers such as ethyl vinyl ether and isobutyl vinyl ether; and carbon monoxide, provided that copolymerization is possible. However, the present invention is not particularly limited to these.

【0027】(重合及び水素添加方法)本発明の環構造
含有重合体の重合方法としては、従来公知の重合方法を
挙げることができる。ノルボルネン系単量体の開環重合
体を得る方法は、特に限定されず、例えば特開昭60−
26024号公報、特開平2−185520公報などに
記載されているTi、Mo、Wなどの遷移金属化合物を
メタセシス重合触媒として用いる公知の方法により得る
ことができる。ノルボルネン系単量体の付加重合体を得
る方法は、特に限定されず、例えば特開平4−6380
7公報、国際特許WO95/14048に記載されてい
るNi,Pdなどの周期律表第VIII族の遷移金属化
合物を重合触媒として用いる公知の方法により得ること
ができる。モノ環状オレフィン系単量体の付加重合体を
得る方法は、特に限定されず、例えば国際特許WO96
/23010に記載されているNi,Pd錯体を重合触
媒として用いる公知の方法により得ることができる。モ
ノ環状オレフィン系単量体またはノルボルネン系単量体
などの環状オレフィン系単量体とエチレンなどのα−オ
レフィンとの共重合体を得る方法は、特に限定されず、
例えば特開昭60−168708に記載されているV系
チーグラー触媒、特開平3−45612に記載の周期律
表第IVb族の遷移金属からなるメタロセン系重合触媒
を用いる公知の方法により得ることができる。環状共役
ジエン系単量体の重合体を得る方法としては、特に限定
されず、例えば特開平7−247321に記載の周期律
表第Ia族の有機金属を触媒として用いる公知の方法に
より得ることができる。環状炭化水素基を有するビニル
化合物、例えばスチレン類やビニルシクロヘキサン誘導
体などの重合体を得る方法としては、特に限定されず、
公知のラジカル重合触媒、アニオン重合触媒、カチオン
重合触媒およびチーグラー・ナッタ重合触媒の中から適
したものを触媒として用いる公知の方法により得ること
ができる。これらの重合体は、共重合可能な他の単量体
との共重合体であってもよい。さらに、上記の重合体の
主鎖部、側鎖部に炭素−炭素二重結合が含まれる場合に
は、公知の水素添加触媒により水素添加してもよい。水
素添加触媒としては、例えばNi,Pdをアルミナやシ
リカに担持した触媒やNi,Pd系チーグラー触媒を挙
げることができる。
(Polymerization and Hydrogenation Method) Examples of the polymerization method of the polymer having a ring structure of the present invention include conventionally known polymerization methods. The method for obtaining a ring-opened polymer of a norbornene-based monomer is not particularly limited.
It can be obtained by a known method using a transition metal compound such as Ti, Mo, W or the like described in JP-A No. 26024 or JP-A-2-185520 as a metathesis polymerization catalyst. The method for obtaining the addition polymer of a norbornene monomer is not particularly limited.
No. 7, WO 95/14048, and a known method using a transition metal compound of Group VIII of the periodic table such as Ni or Pd as a polymerization catalyst. The method for obtaining the addition polymer of the monocyclic olefin-based monomer is not particularly limited.
/ 23010 can be obtained by a known method using a Ni, Pd complex as a polymerization catalyst. The method for obtaining a copolymer of a cyclic olefin monomer such as a monocyclic olefin monomer or a norbornene monomer and an α-olefin such as ethylene is not particularly limited.
For example, it can be obtained by a known method using a V-type Ziegler catalyst described in JP-A-60-168708 and a metallocene-based polymerization catalyst comprising a transition metal of Group IVb of the Periodic Table described in JP-A-3-45612. . The method for obtaining the polymer of the cyclic conjugated diene-based monomer is not particularly limited. For example, it can be obtained by a known method using an organic metal of Group Ia of the periodic table as a catalyst described in JP-A-7-247321. it can. A method for obtaining a polymer such as a vinyl compound having a cyclic hydrocarbon group, for example, styrenes and vinylcyclohexane derivatives, is not particularly limited,
It can be obtained by a known method using a suitable one among known radical polymerization catalysts, anion polymerization catalysts, cationic polymerization catalysts and Ziegler-Natta polymerization catalysts as a catalyst. These polymers may be copolymers with other copolymerizable monomers. Furthermore, when a carbon-carbon double bond is contained in the main chain portion and the side chain portion of the above polymer, the polymer may be hydrogenated by a known hydrogenation catalyst. Examples of the hydrogenation catalyst include a catalyst in which Ni and Pd are supported on alumina and silica, and a Ni, Pd-based Ziegler catalyst.

【0028】(変性)本発明の重合体は、そのままでも
使用可能であるが、金属等との密着性向上などを目的と
して、官能基を導入したものである方がより好ましい。
(Modification) The polymer of the present invention can be used as it is, but it is more preferable that the polymer into which a functional group is introduced for the purpose of improving the adhesion to a metal or the like.

【0029】官能基の種類とは、ヘテロ原子を有する有
機団からなる極性を有する官能基(極性基)のことであ
り、ヘテロ原子としては、酸素、窒素、硫黄、珪素、ハ
ロゲンなどが挙げられるが、密着性及び反応性等の観点
から、酸素、窒素を有する極性基が好ましい。
The type of the functional group is a functional group having a polarity (polar group) composed of an organic group having a hetero atom. Examples of the hetero atom include oxygen, nitrogen, sulfur, silicon, and halogen. However, a polar group having oxygen and nitrogen is preferable from the viewpoints of adhesion, reactivity, and the like.

【0030】極性基の種類としては、主に半導体チップ
及び金属リード、金線及び実装基板との密着性を向上さ
せたり、硬化反応時に硬化点になる機能を有する様な極
性基であれば特に制限はされず、その具体例としてエポ
キシ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エステル
基、シラノール基、アミノ基、ニトリル基、ハロゲン
基、アシル基、スルホン基などが挙げられる。中でも
(a)少ない変性率で架橋密度、密着性の向上が可能で
ある、(b)硬化剤の選択範囲が広い、(c)該硬化剤
との硬化速度の制御が容易である等の理由から、多価フ
ェノールやアミン等の酸性硬化剤あるいは塩基性硬化剤
と反応し得るような酸素原子含有の極性基、例えばエポ
キシ基、酸無水物基、カルボキシル基、ヒドロキシル基
などが好ましく、特に硬化後にヒドロキシル基またはカ
ルボキシル基等の末端−OH基を生成する極性基、例え
ばエポキシ基、酸無水物基等が好ましい。
The kind of the polar group is preferably a polar group which has a function of mainly improving the adhesion to a semiconductor chip, a metal lead, a gold wire and a mounting substrate, and having a function of becoming a curing point during a curing reaction. There is no limitation, and specific examples thereof include an epoxy group, a carboxyl group, a hydroxyl group, an ester group, a silanol group, an amino group, a nitrile group, a halogen group, an acyl group, and a sulfone group. Among them, (a) the crosslink density and adhesion can be improved with a low modification rate, (b) the selection range of the curing agent is wide, and (c) the control of the curing speed with the curing agent is easy. From, a polar group containing an oxygen atom, such as an epoxy group, an acid anhydride group, a carboxyl group, a hydroxyl group and the like, which can react with an acidic curing agent such as a polyhydric phenol or an amine or a basic curing agent, is particularly preferable. A polar group that later generates a terminal -OH group such as a hydroxyl group or a carboxyl group, such as an epoxy group or an acid anhydride group, is preferred.

【0031】これらの極性基は、単独でも、2種以上を
組み合わせて用いても良い。
These polar groups may be used alone or in combination of two or more.

【0032】極性基の導入率としては、使用目的に応じ
て適宜選択されるが、重合体全繰り返し単位中、通常
0.1〜100モル%、好ましくは2〜80モル%、よ
り好ましくは5〜50モル%の範囲である。極性基含有
環状オレフィン系重合体の極性基導入率がこの範囲にあ
るとき、金属との接着強度、耐熱性、機械強度、吸水
率、誘電特性が高度にバランスされ好適である。
The introduction ratio of the polar group is appropriately selected according to the purpose of use, but is usually 0.1 to 100 mol%, preferably 2 to 80 mol%, more preferably 5 to 100 mol% in all the repeating units of the polymer. 5050 mol%. When the polar group-containing cyclic olefin polymer has a polar group introduction rate in this range, the adhesive strength to metal, heat resistance, mechanical strength, water absorption, and dielectric properties are highly balanced, which is preferable.

【0033】極性基の導入方法としては、該重合体を変
性する方法と極性基を有する単量体を共重合する方法の
何れであっても良く、具体的には、例えば(1)極性基
含有不飽和化合物をグラフト変性によって付加する方
法、(2)該重合体中に炭素−炭素不飽和結合が存在す
る場合には、該不飽和結合に直接極性基を付加する方
法、(3)該重合体の重合の際に、予め極性基を持った
単量体を共重合する場合などが挙げられる。
The method for introducing a polar group may be any of a method of modifying the polymer and a method of copolymerizing a monomer having a polar group. A method of adding a contained unsaturated compound by graft modification, (2) a method of directly adding a polar group to the unsaturated bond when a carbon-carbon unsaturated bond is present in the polymer, and (3) a method of adding a polar group to the unsaturated bond. In the polymerization of the polymer, a case where a monomer having a polar group in advance is copolymerized is exemplified.

【0034】(1)極性基含有不飽和化合物のグラフト
反応 極性機の導入は、該重合体を有機過酸化物などのラジカ
ル発生剤の存在下に極性基含有不飽和化合物を反応させ
ることにより得ることができる。極性基含有不飽和化合
物としては、特に限定されないが、少量で感光性の付与
ができて且つ、密着性が向上する理由から、エポキシ基
含有不飽和化合物、カルボキシル基含有不飽和化合物、
ヒドロキシル基含有不飽和化合物、シリル基含有不飽和
化合物などが挙げられる。
(1) Grafting reaction of a polar group-containing unsaturated compound A polar unit is introduced by reacting the polymer with a polar group-containing unsaturated compound in the presence of a radical generator such as an organic peroxide. be able to. The polar group-containing unsaturated compound is not particularly limited, but can impart photosensitivity in a small amount, and because of the improved adhesion, an epoxy group-containing unsaturated compound, a carboxyl group-containing unsaturated compound,
Examples include a hydroxyl group-containing unsaturated compound and a silyl group-containing unsaturated compound.

【0035】エポキシ基含有不飽和化合物としては、例
えば、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレ
ート、p−スチリルカルボン酸グリシジル等の不飽和カ
ルボン酸のグリシジルエステル類;エンド−シス−ビシ
クロ[2,2,1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカル
ボン酸、エンド−シス−ビシクロ[2,2,1]ヘプト
−5−エン−2−メチル−2,3−ジカルボン酸等の不
飽和ポリカルボン酸のモノグリシジルエステルあるいは
ポリグリシジルエステル類;アリルグリシジルエーテ
ル、2−メチルアリルグリシジルエーテル、o−アリル
フェノールのグリシジルエーテル、m−アリルフェノー
ルのグリシジルエーテル、p−アリルフェノールのグリ
シジルエーテル等の不飽和グリシジルエーテル類などが
挙げられる。これらの中でも、特に高い反応率で該エポ
キシ基含有不飽和化合物がグラフト付加できるという点
で、アリルグリシジルエステル類及びアリルグリシジル
エーテル類が好ましく、アリルグリシジルエーテル類が
特に好ましい。これらのエポキシ基含有不飽和化合物
は、それぞれ単独で、あるいは2種以上を組み合わせて
用いることができる。
Examples of the unsaturated compound containing an epoxy group include glycidyl esters of unsaturated carboxylic acids such as glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate and glycidyl p-styryl carboxylate; endo-cis-bicyclo [2,2,1] hepto Monoglycidyl of unsaturated polycarboxylic acids such as -5-ene-2,3-dicarboxylic acid and endo-cis-bicyclo [2,2,1] hept-5-ene-2-methyl-2,3-dicarboxylic acid Esters or polyglycidyl esters; unsaturated glycidyl ethers such as allyl glycidyl ether, 2-methylallyl glycidyl ether, glycidyl ether of o-allylphenol, glycidyl ether of m-allylphenol, and glycidyl ether of p-allylphenol; No. Among these, allyl glycidyl esters and allyl glycidyl ethers are preferable, and allyl glycidyl ethers are particularly preferable, since the epoxy group-containing unsaturated compound can be graft-added with a particularly high conversion. These epoxy group-containing unsaturated compounds can be used alone or in combination of two or more.

【0036】カルボキシル基含有不飽和化合物として
は、特開平5−271356号公報に記載の化合物など
が挙げられ、例えばアクリル酸、メタクリル酸、α−エ
チルアクリル酸等の不飽和カルボン酸;マレイン酸、フ
マール酸、イタコン酸、エンドシス−ビシクロ[2.
2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン酸、メ
チル−エンドシス−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5
−エン−2,3−ジカルボン酸等の不飽和ジカルボン酸
などが挙げられる。また、不飽和カルボン酸誘導体とし
ては、例えば、不飽和カルボン酸の酸無水物、エステ
ル、酸ハライド、アミド、イミドなどが挙げられ、具体
的には無水マレイン酸、クロロ無水マレイン酸、ブテニ
ル無水コハク酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水シト
ラコン酸などの酸無水物;マレイン酸モノメチル、マレ
イン酸ジメチル、グリシジルマレエートなどのエステ
ル;塩化マレニル、マレイミドなどが挙げられる。これ
らの中では上記理由により、不飽和ジカルボン酸又はそ
の酸無水物が好ましく、中でも無水マレイン酸や、イタ
コン酸などの酸無水物が特に好ましい。
Examples of the unsaturated compound having a carboxyl group include compounds described in JP-A-5-271356, and examples thereof include unsaturated carboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid and α-ethylacrylic acid; Fumaric acid, itaconic acid, endocis-bicyclo [2.
2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylic acid, methyl-endosis-bicyclo [2.2.1] hept-5
-Unsaturated dicarboxylic acids such as -ene-2,3-dicarboxylic acid and the like. Examples of the unsaturated carboxylic acid derivatives include, for example, acid anhydrides, esters, acid halides, amides, and imides of unsaturated carboxylic acids. Specific examples thereof include maleic anhydride, chloromaleic anhydride, and butenyl succinic anhydride. Acid anhydrides such as acid, tetrahydrophthalic anhydride and citraconic anhydride; esters such as monomethyl maleate, dimethyl maleate and glycidyl maleate; maleenyl chloride, maleimide and the like. Of these, unsaturated dicarboxylic acids or acid anhydrides thereof are preferable for the above reasons, and among them, acid anhydrides such as maleic anhydride and itaconic acid are particularly preferable.

【0037】ヒドロキシル基含有不飽和化合物として
は、例えばアリルアルコール、2−アリル−6−メトキ
シフェノール、4−アリロキシ−2−ヒドロキシベンゾ
フェノン、3−アリロキシ−1,2−プロパンジオー
ル、2−アリルシフェノール、3−ブテン−1−オー
ル、4−ペンテン−1−オール、5−ヘキセン−1−オ
ールなどが挙げられる。
Examples of the hydroxyl group-containing unsaturated compound include, for example, allyl alcohol, 2-allyl-6-methoxyphenol, 4-allyloxy-2-hydroxybenzophenone, 3-allyloxy-1,2-propanediol, and 2-allylphenol. , 3-buten-1-ol, 4-penten-1-ol, 5-hexen-1-ol and the like.

【0038】シリル基含有不飽和化合物としては、例え
ばクロロジメチルビニルシラン、トリメチルシリルアセ
チレン、5−トリメチルシリル−1,3−シクロペンタ
ジエン、3−トリメチルシリルアリルアルコール、トリ
メチルシリルメタクリレート、1−トリメチルシリロキ
シ−1,3−ブタジエン、1−トリメチルシリロキシ−
シクロペンテン、2−トリメチルシリロキシエチルメタ
クリレート、2−トリメチルシリロキシフラン、2−ト
リメチルシリロキシプロペン、アリロキシ−t−ブチル
ジメチルシラン、アリロキシトリメチルシランなどが挙
げられる。
Examples of the silyl group-containing unsaturated compound include chlorodimethylvinylsilane, trimethylsilylacetylene, 5-trimethylsilyl-1,3-cyclopentadiene, 3-trimethylsilylallyl alcohol, trimethylsilyl methacrylate, and 1-trimethylsilyloxy-1,3- Butadiene, 1-trimethylsilyloxy-
Examples thereof include cyclopentene, 2-trimethylsilyloxyethyl methacrylate, 2-trimethylsilyloxyfuran, 2-trimethylsilyloxypropene, allyloxy-t-butyldimethylsilane, and allyloxytrimethylsilane.

【0039】ラジカル発生剤としては、有機過酸化物が
通常使用されるが、有機過酸化物としては、後述の硬化
剤の項の有機過酸化物と同様なもの、その他アゾ化合物
を使用することもできる。アゾ化合物の具体的な例とし
ては、アゾビスイソブチロニトリル及びジメチルアゾイ
ソブチレートを挙げることができる。これらの中でも、
有機過酸化物としてジアルキルペルオキシドが好ましく
用いられる。これらの有機過酸化物は、それぞれ単独
で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができ
る。有機過酸化物の使用割合は、反応時の仕込み割合で
未変性環状オレフィン系重合体100重量部に対して、
通常0.001〜10重量部、好ましくは0.01〜5
重量部、より好ましくは0.1〜2.5重量部の範囲で
ある。有機過酸化物の使用範囲がこの範囲にあるとき、
極性基含有不飽和化合物の反応率、得られた極性基含有
重合体の吸水率、誘電特性などの諸物性が高度にバラン
スされ好適である。
As the radical generator, an organic peroxide is usually used, and as the organic peroxide, those similar to the organic peroxides in the section of the curing agent described later, and other azo compounds may be used. Can also. Specific examples of the azo compound include azobisisobutyronitrile and dimethylazoisobutyrate. Among these,
Dialkyl peroxide is preferably used as the organic peroxide. These organic peroxides can be used alone or in combination of two or more. The proportion of the organic peroxide used is 100 parts by weight of the unmodified cyclic olefin-based polymer in the proportion charged during the reaction.
Usually 0.001 to 10 parts by weight, preferably 0.01 to 5 parts
Parts by weight, more preferably 0.1 to 2.5 parts by weight. When the use range of the organic peroxide is within this range,
Various properties such as the reaction rate of the unsaturated compound having a polar group, the water absorption of the obtained polymer having a polar group, and the dielectric properties are highly balanced and are suitable.

【0040】グラフト変性反応は、特に限定はなく、常
法に従って行うことができる。反応温度が、通常0〜4
00℃、好ましくは60〜350℃で、反応時間が、通
常1分〜24時間、好ましくは30分〜10時間の範囲
である。反応終了後は、メタノール等の貧溶媒を多量に
反応系に添加してポリマーを析出させ、濾別洗浄後、減
圧乾燥等により得ることができる。
The graft modification reaction is not particularly limited, and can be performed according to a conventional method. Reaction temperature is usually 0-4
The reaction time is usually from 1 minute to 24 hours, preferably from 30 minutes to 10 hours at 00 ° C, preferably from 60 to 350 ° C. After completion of the reaction, a large amount of a poor solvent such as methanol is added to the reaction system to precipitate a polymer, which can be obtained by filtration, washing, and drying under reduced pressure.

【0041】(2)炭素−炭素不飽和結合の直接変性 本発明の重合体は、炭素−炭素不飽和結合を変性して極
性基を付加したり、極性基を有する化合物を結合させた
りして極性基を導入することが出来る。極性基の導入方
法に関しては特に限定はされないが、(a)不飽和結合
の酸化による方法、(b)分子内に1つ以上の極性基を
含有する化合物の不飽和結合への付加反応による方法、
及び(c)その他の方法によってエポキシ基やカルボキ
シル基、ヒドロキシル基等を導入する方法に代表され
る、特開平6−172423号公報に記載されているよ
うな方法が挙げられる。
(2) Direct Modification of Carbon-Carbon Unsaturated Bond The polymer of the present invention may be modified by modifying the carbon-carbon unsaturated bond to add a polar group or by bonding a compound having a polar group. Polar groups can be introduced. The method of introducing a polar group is not particularly limited, but (a) a method by oxidation of an unsaturated bond, and (b) a method by addition reaction of a compound containing one or more polar groups in a molecule to the unsaturated bond. ,
And (c) a method described in JP-A-6-172423, represented by a method of introducing an epoxy group, a carboxyl group, a hydroxyl group, or the like by other methods.

【0042】(3)極性基含有モノマーの共重合 極性基含有モノマーとしては特に制限はないが、環状オ
レフィン系重合体の場合は、例えば、5−ヒドロキシメ
チルノルボルネン、5−ヒドロキシ−i−プロピルノル
ボルネン、5−メトキシカルボニルノルボルネン、8−
メトキシカルボニルテトラシクロドデセン、5,6−ジ
カルボキシノルボルネン、などの環状オレフィン系単量
体の項で例示したような、ヒドロキシ基、カルボキシル
基またはエステル基を含有する単量体を共重合させるの
が好ましい。重合触媒および重合方法は、公知の、ノル
ボルネン環を有する脂環族系単量体の重合触媒、重合方
法を用いることができる。
(3) Copolymerization of Polar Group-Containing Monomer The polar group-containing monomer is not particularly limited. In the case of a cyclic olefin polymer, for example, 5-hydroxymethylnorbornene, 5-hydroxy-i-propylnorbornene , 5-methoxycarbonylnorbornene, 8-
For example, a monomer containing a hydroxy group, a carboxyl group, or an ester group, such as methoxycarbonyltetracyclododecene, 5,6-dicarboxynorbornene, or the like, may be used. Is preferred. As a polymerization catalyst and a polymerization method, a known polymerization catalyst and polymerization method for an alicyclic monomer having a norbornene ring can be used.

【0043】以上の中でも、極性基の導入方法として
は、変性が容易な反応条件で実施でき、高い変性率で極
性基を導入することが容易である等の理由により、
(1)のグラフト変性が好ましく、グラフト反応する極
性基含有不飽和化合物の種類としては、前述の理由によ
りエポキシ基、無水マレイン酸、無水イタコン酸等の分
子内に炭素−炭素不飽和結合を有するジカルボン酸無水
物基を持った不飽和化合物が特に好ましい。
Among the above, as a method for introducing a polar group, it is possible to carry out the reaction under easily-reacting reaction conditions and to easily introduce a polar group at a high modification rate.
Graft modification of (1) is preferred, and the type of the unsaturated compound containing a polar group that undergoes a graft reaction includes a carbon-carbon unsaturated bond in a molecule such as an epoxy group, maleic anhydride, and itaconic anhydride for the reasons described above. An unsaturated compound having a dicarboxylic anhydride group is particularly preferred.

【0044】(重合体の物性)本発明の環構造含有重合
体は、変性されていても良いし、変性されていなくても
良いが、変性前の分子量は、ゲル・パーミエーション・
クロマトグラフィー(GPC)により測定したポリスチ
レン換算の数平均分子量(Mn)で表すと、1,000
〜500,000、好ましくは3,000〜300,0
00、より好ましくは5,000〜250,000、最
も好ましくは10,000〜200,000の範囲であ
る。数平均分子量が過度に小さいと、封止材料の強度が
低下して、クラック等が発生する原因となり、逆に数平
均分子量が過度に大きいと該重合体の粘度が大きすぎ
て、成形性が悪くなり好ましくない。よって数平均分子
量が上記範囲にあると、成型体の強度と、粘度及び加工
性が適度にバランスされて特に好ましい。変性した場合
にも重合体の物性は、上記範囲内にあるのが好ましい。
(Physical Properties of Polymer) The polymer having a ring structure of the present invention may be modified or unmodified, but the molecular weight before modification is determined by gel permeation.
When represented by a number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene measured by chromatography (GPC), it is 1,000.
~ 500,000, preferably 3,000 ~ 300,0
00, more preferably from 5,000 to 250,000, and most preferably from 10,000 to 200,000. If the number average molecular weight is excessively small, the strength of the sealing material is reduced, causing cracks and the like.On the contrary, if the number average molecular weight is excessively large, the viscosity of the polymer is too large, and the moldability is reduced. It is not good because it gets worse. Therefore, when the number average molecular weight is in the above range, the strength, viscosity, and processability of the molded product are appropriately balanced, which is particularly preferable. Even when modified, the physical properties of the polymer are preferably within the above range.

【0045】[2]配合剤 配合剤としては、封止材料の耐熱性、強度特性を向上さ
せる目的で、硬化剤を配合して、硬化性重合体とする方
がより好ましい。
[2] Compounding agent As a compounding agent, for the purpose of improving the heat resistance and strength properties of the sealing material, it is more preferable to mix a curing agent into a curable polymer.

【0046】(硬化剤)本発明の封止材料は、耐熱性の
向上、線膨張係数の低減等を目的として、硬化剤を配合
してもよい。硬化剤は特に限定はされないが、(1)有
機過酸化物、(2)熱により効果を発揮する硬化剤、
(3)光により効果を発揮する硬化剤、などが用いられ
る。 (1)有機過酸化物 有機過酸化物としては、例えば、メチルエチルケトンパ
ーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシドなどのケト
ンパーオキシド類;1,1−ビス(t−ブチルパーオキ
シ)3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、2,2−
ビス(t−ブチルパーオキシ)ブタンなどのパーオキシ
ケタール類;t−ブチルハイドロパーオキシド、2,5
−ジメチルヘキサン−2,5−ジハイドロパーオキシド
などのハイドロパーオキシド類;ジクミルパーオキシ
ド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオ
キシ)ヘキシン−3,α,α′−ビス(t−ブチルパー
オキシ−m−イソプロピル)ベンゼンなどのジアルキル
パーオキシド類:オクタノイルパーオキシド、イソブチ
リルパーオキシドなどのジアシルパーオキシド類;パー
オキシジカーボネートなどのパーオキシエステル類;が
挙げられる。これらの中でも、硬化後の樹脂の性能か
ら、ジアルキルパーオキシドが好ましく、アルキル基の
種類は、成形温度によって変えるのことができる。
(Curing Agent) The sealing material of the present invention may contain a curing agent for the purpose of improving heat resistance and reducing the coefficient of linear expansion. Although the curing agent is not particularly limited, (1) an organic peroxide, (2) a curing agent that exhibits an effect by heat,
(3) A curing agent exhibiting an effect by light is used. (1) Organic peroxide Examples of the organic peroxide include ketone peroxides such as methyl ethyl ketone peroxide and cyclohexanone peroxide; 1,1-bis (t-butylperoxy) 3,3,5-trimethylcyclohexane. , 2,2-
Peroxy ketals such as bis (t-butylperoxy) butane; t-butyl hydroperoxide, 2,5
Hydroperoxides such as -dimethylhexane-2,5-dihydroperoxide; dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexyne-3, α, α ' Dialkyl peroxides such as -bis (t-butylperoxy-m-isopropyl) benzene; diacyl peroxides such as octanoyl peroxide and isobutyryl peroxide; peroxyesters such as peroxydicarbonate. Can be Among them, dialkyl peroxide is preferable in view of the performance of the resin after curing, and the type of the alkyl group can be changed depending on the molding temperature.

【0047】(2)熱により効果を発揮する硬化剤 熱により効果を発揮する硬化剤は、加熱によって架橋反
応させうる硬化剤であれば特に限定されないが、ジアミ
ン、トリアミンまたはそれ以上の脂肪族ポリアミン、脂
環族ポリアミン、芳香族ポリアミンビスアジド、酸無水
物、ジカルボン酸、多価フェノール、ポリアミドなどが
挙げられる。具体的な例としては、例えば、ヘキサメチ
レンジアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチレント
リアミン、テトラエチレンペンタミン、などの脂肪族ポ
リアミン;ジアミノシクロヘキサン、3(4),8
(9)−ビス(アミノメチル)トリシクロ[5.2.
1.02, 6]デカン;1,3−(ジアミノメチル)シク
ロヘキサン、メンセンジアミン、イソホロンジアミンN
−アミノエチルピペラジン、ビス(4−アミノ−3−メ
チルシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノシクロ
ヘキシル)メタンなどの脂環族ポリアミン;4,4’−
ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフ
ェニルメタン、α,α’−ビス(4−アミノフェニル)
−1,3−ジイソプロピルベンゼン、α,α’−ビス
(4−アミノフェニル)−1,4−ジイソプロピルベン
ゼン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフォン、メタ
フェニレンジアミン、メタキシシリレンジアミン等の芳
香族ポリアミン類;4,4−ビスアジドベンザル(4−
メチル)シクロヘキサノン、4,4’−ジアジドカルコ
ン、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)シクロヘキ
サノン、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−
メチル−シクロヘキサノン、4,4’−ジアジドジフェ
ニルスルホン、4,4’−ジアジドジフェニルメタン、
2,2’−ジアジドスチルベンなどのビスアジド;無水
フタル酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸無水物、ナジック酸無水物、1,2−シクロ
ヘキサンジカルボン酸、無水マレイン酸変性ポリプロピ
レン、無水マレイン酸変性環状オレフィン樹脂等の酸無
水物類;フマル酸、フタル酸、マレイン酸、トリメリッ
ト酸、ハイミック酸等のジカルボン酸類;フェノールノ
ボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等の多価フェ
ノール類;トリシクロデカンジオール、ジフェニルシラ
ンジオール、エチレングリコール及びその誘導体、ジエ
チレングリコール及びその誘導体、トリエチレングリコ
ール及びその誘導体などの多価アルコール類;ナイロン
−6、ナイロン−66、ナイロン−610、ナイロン−
11、ナイロン−612、ナイロン−12、ナイロン−
46、メトキシメチル化ポリアミド、ポリヘキサメチレ
ンジアミンテレフタルアミド、ポリヘキサメチレンイソ
フタルアミド等のポリアミド類;等が挙げられる。これ
らは、1種でも2種以上の混合物として使用しても良
い。これらの中でも、硬化物の耐熱性、機械強度、金属
との密着性、誘電特性(低誘電率、低誘電正接)に優れ
るなどの理由により、芳香族ポリアミン類、酸無水物
類、多価フェノール類、多価アルコール類が好ましく、
中でも4,4−ジアミノジフェニルメタン(芳香族ポリ
アミン類)、無水マレイン酸変性環状オレフィン樹脂
(酸無水物)、多価フェノール類などが特に好ましい。
また、必要に応じて硬化促進剤を配合して、架橋反応
の効率を高めることも可能である。前記硬化剤の配合量
は、特に制限はないものの、架橋反応を効率良く行わし
め、且つ、得られる硬化物の物性改善を計ること及び経
済性の面などから、該重合体100重量部に対して0.
1〜30重量部、好ましくは1〜20重量部の範囲で使
用される。硬化剤の量が少なすぎると架橋が起こりにく
く、十分な耐熱性、耐溶剤を得ることができず、また多
すぎると架橋した樹脂の吸水性、誘電特性などの特性が
低下するため好ましくない。よって配合量が上記範囲に
ある時に、これらの特性が高度にバランスされて好適で
ある。
(2) Curing agent exhibiting effect by heat The curing agent exhibiting effect by heat is not particularly limited as long as it is a curing agent capable of causing a crosslinking reaction by heating, but is preferably a diamine, a triamine or a higher aliphatic polyamine. , Alicyclic polyamines, aromatic polyamine bisazides, acid anhydrides, dicarboxylic acids, polyhydric phenols, polyamides and the like. Specific examples include aliphatic polyamines such as hexamethylenediamine, triethylenetetramine, diethylenetriamine, and tetraethylenepentamine; diaminocyclohexane, 3 (4), 8
(9) -Bis (aminomethyl) tricyclo [5.2.
1.0 2, 6] decane; 1,3- (diaminomethyl) cyclohexane, menthenediamine, isophoronediamine N
Alicyclic polyamines such as -aminoethylpiperazine, bis (4-amino-3-methylcyclohexyl) methane, bis (4-aminocyclohexyl) methane; 4,4'-
Diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylmethane, α, α'-bis (4-aminophenyl)
Aromatic polyamines such as -1,3-diisopropylbenzene, α, α′-bis (4-aminophenyl) -1,4-diisopropylbenzene, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, metaphenylenediamine, and metaxysilylenediamine And 4,4-bisazidobenzal (4-
Methyl) cyclohexanone, 4,4′-diazidochalcone, 2,6-bis (4′-azidobenzal) cyclohexanone, 2,6-bis (4′-azidobenzal) -4-
Methyl-cyclohexanone, 4,4′-diazidodiphenylsulfone, 4,4′-diazidodiphenylmethane,
Bisazides such as 2,2'-diazidostilbene; phthalic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic anhydride, nadic anhydride, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, maleic anhydride-modified polypropylene, maleic anhydride Acid anhydrides such as modified cyclic olefin resins; dicarboxylic acids such as fumaric acid, phthalic acid, maleic acid, trimellitic acid, and hymic acid; polyhydric phenols such as phenol novolak resins and cresol novolak resins; tricyclodecanediol; Polyhydric alcohols such as diphenylsilanediol, ethylene glycol and its derivatives, diethylene glycol and its derivatives, triethylene glycol and its derivatives; nylon-6, nylon-66, nylon-610, nylon-
11, nylon-612, nylon-12, nylon-
46, polyamides such as methoxymethylated polyamide, polyhexamethylenediamine terephthalamide, and polyhexamethyleneisophthalamide. These may be used alone or as a mixture of two or more. Among them, aromatic polyamines, acid anhydrides, polyhydric phenols, and the like, because of their excellent heat resistance, mechanical strength, adhesion to metals, and excellent dielectric properties (low dielectric constant and low dielectric loss tangent) , Polyhydric alcohols are preferred,
Among them, 4,4-diaminodiphenylmethane (aromatic polyamines), maleic anhydride-modified cyclic olefin resin (acid anhydride), polyhydric phenols and the like are particularly preferable.
It is also possible to increase the efficiency of the crosslinking reaction by adding a curing accelerator as required. The amount of the curing agent is not particularly limited, but the crosslinking reaction is performed efficiently, and from the viewpoint of improving the physical properties of the obtained cured product and economical efficiency, etc., based on 100 parts by weight of the polymer. 0.
It is used in the range of 1 to 30 parts by weight, preferably 1 to 20 parts by weight. If the amount of the curing agent is too small, crosslinking is unlikely to occur, and sufficient heat resistance and solvent resistance cannot be obtained. If the amount is too large, characteristics such as water absorption and dielectric properties of the crosslinked resin are undesirably reduced. Therefore, when the amount is within the above range, these characteristics are highly balanced and suitable.

【0048】また、硬化促進剤としては、ピリジン、ベ
ンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、トリエ
チルアミン、イミダゾール類等のアミン類などが挙げら
れ、硬化速度の調整を行ったり、架橋反応の効率をさら
に良くする目的で添加される。硬化促進剤の配合量は、
特に制限はないものの、前述の重合体100重量部に対
して0.1〜30重量部、好ましくは1〜20重量部の
範囲で使用され、配合量がこの範囲にあるときに、架橋
密度と、誘電特性、吸水率などが高度にバランスされて
好適である。また、なかでもイミダゾール類が誘電特性
に優れて好適である。
Examples of the curing accelerator include amines such as pyridine, benzyldimethylamine, triethanolamine, triethylamine, imidazoles and the like. The curing speed is adjusted and the efficiency of the crosslinking reaction is further improved. It is added for the purpose. The amount of the curing accelerator is
Although not particularly limited, it is used in an amount of 0.1 to 30 parts by weight, preferably 1 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the above-described polymer. , Dielectric properties, water absorption, etc. are well balanced. In particular, imidazoles are preferable because of their excellent dielectric properties.

【0049】(3)光により効果を発揮する硬化剤 光により効果を発揮する硬化剤は、g線、h線、i線等
の紫外線、遠紫外線、x線、電子線等の活性光線の照射
により、該重合体と反応し、架橋化合物を生成する光硬
化剤であれば特に限定されるものではないが、例えば芳
香族ビスアジド化合物、光アミン発生剤、光酸発生剤等
が挙げられる。
(3) Curing agent that exerts an effect by light Curing agent that exerts an effect by light is irradiated with actinic rays such as ultraviolet rays such as g-rays, h-rays, and i-rays, far ultraviolet rays, x-rays, and electron beams. Is not particularly limited as long as it is a photo-curing agent which reacts with the polymer to form a cross-linking compound. Examples thereof include an aromatic bis azide compound, a photo-amine generator, a photo-acid generator and the like.

【0050】芳香族ビスアジド化合物の具体例として
は、4,4’−ジアジドカルコン、2,6−ビス(4’
−アジドベンザル)シクロヘキサノン、2,6−ビス
(4’−アジドベンザル)4−メチルシクロヘキサノ
ン、4,4’−ジアジドジフェニルスルフォン、4,
4’−ジアジドベンゾフェノン、4,4’−ジアジドジ
フェニル、2,7−ジアジドフルオレン、4,4’−ジ
アジドフェニルメタン等が代表例として挙げられる。こ
れらは、1種類でも2種類以上組み合わせても使用でき
る。
Specific examples of the aromatic bisazide compound include 4,4′-diazidochalcone and 2,6-bis (4 ′
-Azidobenzal) cyclohexanone, 2,6-bis (4'-azidobenzal) 4-methylcyclohexanone, 4,4'-diazidodiphenylsulfone, 4,
Representative examples include 4'-diazidobenzophenone, 4,4'-diazidodiphenyl, 2,7-diazidofluorene, 4,4'-diazidophenylmethane, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

【0051】光アミン発生剤の具体例としては、芳香族
アミンあるいは脂肪族アミンのo−ニトロベンジロキシ
カルボニルカーバメート、2,6−ジニトロベンジロキ
シカルボニルカーバメートあるいはα,α−ジメチル−
3,5−ジメトキシベンジロキシカルボニルカーバメー
ト体等が挙げられ、具体的には、アニリン、シクロヘキ
シルアミン、ピペリジン、ヘキサメチレンジアミン、ト
リエチレンテトラアミン、1,3−(ジアミノメチル)
シクロヘキサン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、フェニレン
ジアミンなどのo−ニトロベンジロキシカルボニルカー
バメート体が挙げられる。これらは、1種類でも2種類
以上組み合わせても使用できる。
Specific examples of the photoamine generator include o-nitrobenzyloxycarbonylcarbamate, 2,6-dinitrobenzyloxycarbonylcarbamate and α, α-dimethyl-aromatic or aliphatic amine.
3,5-dimethoxybenzyloxycarbonyl carbamate and the like, and specifically, aniline, cyclohexylamine, piperidine, hexamethylenediamine, triethylenetetraamine, 1,3- (diaminomethyl)
O-Nitrobenzyloxycarbonyl carbamates such as cyclohexane, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylmethane, and phenylenediamine. These can be used alone or in combination of two or more.

【0052】光酸発生剤とは、活性光線の照射によっ
て、ブレンステッド酸あるいはルイス酸を生成する物質
であって、例えばオニウム塩、ハロゲン化有機化合物、
キノンジアジド化合物、α,α−ビス(スルホニル)ジ
アゾメタン系化合物、α−カルボニル−α−スルホニル
−ジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エス
テル化合物、有機酸アミド化合物、有機酸イミド化合物
等が挙げられる。これらの活性光線の照射により解裂し
て酸を生成可能な化合物は、単独でも2種類以上混合し
て用いても良い。
The photoacid generator is a substance that generates a Bronsted acid or a Lewis acid upon irradiation with actinic rays, such as an onium salt, a halogenated organic compound,
Examples include quinonediazide compounds, α, α-bis (sulfonyl) diazomethane compounds, α-carbonyl-α-sulfonyl-diazomethane compounds, sulfone compounds, organic acid ester compounds, organic acid amide compounds, and organic acid imide compounds. These compounds which can be cleaved by irradiation with actinic rays to generate an acid may be used alone or in combination of two or more.

【0053】これらの光硬化剤の添加量は、特に制限は
ないものの、該重合体との反応を効率良く行わしめ、且
つ得られる架橋樹脂の物性を損なわないこと及び経済性
などの面から、該重合体100重量部に対して0.1〜
30重量部、好ましくは1〜20重量部の範囲で使用さ
れる。光反応性物質の添加量が少なすぎると架橋が起こ
りにくく、十分な耐熱性、耐溶剤性を得ることができ
ず、また多すぎると架橋した樹脂の吸水性、誘電特性な
どの特性が低下するため好ましくない。よって配合量が
上記範囲にある時に、これらの特性が高度にバランスさ
れて好適である。
The amount of the photocuring agent to be added is not particularly limited, however, from the viewpoints of efficiently performing the reaction with the polymer, not impairing the physical properties of the obtained crosslinked resin, and economical efficiency. 0.1 to 100 parts by weight of the polymer
It is used in an amount of 30 parts by weight, preferably 1 to 20 parts by weight. If the added amount of the photoreactive substance is too small, crosslinking is unlikely to occur, and sufficient heat resistance and solvent resistance cannot be obtained.If the added amount is too large, properties such as water absorption and dielectric properties of the crosslinked resin deteriorate. Therefore, it is not preferable. Therefore, when the amount is within the above range, these characteristics are highly balanced and suitable.

【0054】(その他の配合剤)本発明の封止材料は、
必要に応じて、その他の配合剤を添加しても良い。その
他の配合剤としては、充填剤、難燃剤、その他のポリマ
ー成分、その他の添加剤などが挙げられる。
(Other Compounding Agents) The sealing material of the present invention comprises:
If necessary, other compounding agents may be added. Other compounding agents include fillers, flame retardants, other polymer components, other additives, and the like.

【0055】(1)充填剤 本発明の封止材料は、特に線膨張係数の低減を目的とし
て無機または有機充填剤を配合することがあり、従来の
封止材料に使用されるようなものであれば特に限定はさ
れないが、例えば、シリカ、ケイ藻土、アルミナ、酸化
チタン、酸化マグネシウム、軽石粉、軽石バルーン、塩
基性炭酸マグネシウム、ドワマイト、硫酸カルシウム、
チタン酸カリウム、硫酸バリウム、亜硫酸カルシウム、
タルク、クレー、マイカ、アスベスト、ガラス繊維、ガ
ラスフレーク、ガラスビーズ、ケイ酸カルシウム、モン
モリロナイト、ベントナイト、グラファイト、アルミニ
ウム粉、硫化モリブデン、ボロン繊維、炭化ケイ素繊
維、ポリエチレン繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエス
テル繊維、ポリアミド繊維などが挙げられる。これら充
填剤の中でも、特に、耐熱性、低吸水率、誘電特性、低
不純物性等に優れる理由から、無機充填剤が好ましく、
特にシリカなどが好ましい。
(1) Filler The sealing material of the present invention sometimes contains an inorganic or organic filler for the purpose of reducing the coefficient of linear expansion, and is used as a conventional sealing material. If it is not particularly limited, for example, silica, diatomaceous earth, alumina, titanium oxide, magnesium oxide, pumice powder, pumice balloon, basic magnesium carbonate, domite, calcium sulfate,
Potassium titanate, barium sulfate, calcium sulfite,
Talc, clay, mica, asbestos, glass fiber, glass flake, glass beads, calcium silicate, montmorillonite, bentonite, graphite, aluminum powder, molybdenum sulfide, boron fiber, silicon carbide fiber, polyethylene fiber, polypropylene fiber, polyester fiber, polyamide Fiber and the like. Among these fillers, particularly, heat resistance, low water absorption, dielectric properties, inorganic fillers are preferable because of their excellent low impurity properties, etc.
Particularly, silica and the like are preferable.

【0056】(2)難燃剤 難燃剤は必須成分ではないが、特にCPUやDRAMな
どのLSIチップを封止する場合には添加するのが好ま
しい。難燃剤としては、特に制約はないが、硬化剤によ
って分解、変性、変質しないものが好ましく、通常ハロ
ゲン系難燃剤が用いられる。ハロゲン系難燃剤として
は、塩素系及び臭素系の種々の難燃剤が使用可能である
が、難燃化効果、成形時の耐熱性、樹脂への分散性、樹
脂の物性への影響等の面から、ヘキサブロモベンゼン、
ペンタブロモエチルベンゼン、ヘキサブロモビフェニ
ル、デカブロモジフェニル、ヘキサブロモジフェニルオ
キサイド、オクタブロモジフェニルオキサイド、デカブ
ロモジフェニルオキサイド、ペンタブロモシクロヘキサ
ン、テトラブロモビスフェノールA、及びその誘導体
[例えば、テトラブロモビスフェノールA−ビス(ヒド
ロキシエチルエーテル)、テトラブロモビスフェノール
A−ビス(2,3−ジブロモプロピルエーテル)、テト
ラブロモビスフェノールA−ビス(ブロモエチルエーテ
ル)、テトラブロモビスフェノールA−ビス(アリルエ
ーテル)等]、テトラブロモビスフェノールS、及びそ
の誘導体[例えば、テトラブロモビスフェノールS−ビ
ス(ヒドロキシエチルエーテル)、テトラブロモビスフ
ェノールS−ビス(2,3−ジブロモプロピルエーテ
ル)等]、テトラブロモ無水フタル酸、及びその誘導体
[例えば、テトラブロモフタルイミド、エチレンビステ
トラブロモフタルイミド等]、エチレンビス(5,6−
ジブロモノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミ
ド)、トリス−(2,3−ジブロモプロピル−1)−イ
ソシアヌレート、ヘキサクロロシクロペンタジエンのデ
ィールス・アルダー反応の付加物、トリブロモフェニル
グリシジルエーテル、トリブロモフェニルアクリレー
ト、エチレンビストリブロモフェニルエーテル、エチレ
ンビスペンタブロモフェニルエーテル、テトラデカブロ
モジフェノキシベンゼン、臭素化ポリスチレン、臭素化
ポリフェニレンオキサイド、臭素化エポキシ樹脂、臭素
化ポリカーボネート、ポリペンタブロモベンジルアクリ
レート、オクタブロモナフタレン、ヘキサブロモシクロ
ドデカン、ビス(トリブロモフェニル)フマルアミド、
N−メチルヘキサブロモジフェニルアミン等を使用する
のが好ましい。難燃剤の添加量は、環状重合体100重
量部に対して、通常3〜150重量部、好ましくは10
〜140重量部、特に好ましくは15〜120重量部で
ある。難燃剤の難燃化効果をより有効に発揮させるため
の難燃助剤として、例えば、三酸化アンチモン、五酸化
アンチモン、アンチモン酸ナトリウム、三塩化アンチモ
ン等のアンチモン系難燃助剤を用いることができる。こ
れらの難燃助剤は、難燃剤100重量部に対して、通常
1〜30重量部、好ましくは2〜20重量部の割合で使
用する。
(2) Flame Retardant The flame retardant is not an essential component, but it is preferable to add it especially when sealing LSI chips such as CPUs and DRAMs. The flame retardant is not particularly limited, but is preferably one that does not decompose, modify, or deteriorate with a curing agent, and a halogen-based flame retardant is usually used. As the halogen-based flame retardant, various chlorine-based and bromine-based flame retardants can be used, but the flame retardant effect, heat resistance at the time of molding, dispersibility in the resin, influence on the physical properties of the resin, etc. are considered. From, hexabromobenzene,
Pentabromoethylbenzene, hexabromobiphenyl, decabromodiphenyl, hexabromodiphenyloxide, octabromodiphenyloxide, decabromodiphenyloxide, pentabromocyclohexane, tetrabromobisphenol A, and derivatives thereof [for example, tetrabromobisphenol A-bis (hydroxy Ethyl ether), tetrabromobisphenol A-bis (2,3-dibromopropyl ether), tetrabromobisphenol A-bis (bromoethyl ether), tetrabromobisphenol A-bis (allyl ether), etc.], tetrabromobisphenol S, And derivatives thereof [eg, tetrabromobisphenol S-bis (hydroxyethyl ether), tetrabromobisphenol S-bis (2 3-dibromopropyl ether), etc.], tetrabromophthalic anhydride and derivatives thereof [for example, tetrabromophthalimide, ethylenebis tetrabromophthalimide, etc.], ethylenebis (5,6
Dibromonorbornene-2,3-dicarboximide), tris- (2,3-dibromopropyl-1) -isocyanurate, adduct of Diels-Alder reaction of hexachlorocyclopentadiene, tribromophenyl glycidyl ether, tribromophenyl acrylate , Ethylenebistribromophenylether, ethylenebispentabromophenylether, tetradecabromodiphenoxybenzene, brominated polystyrene, brominated polyphenylene oxide, brominated epoxy resin, brominated polycarbonate, polypentabromobenzyl acrylate, octabromonaphthalene, hexa Bromocyclododecane, bis (tribromophenyl) fumaramide,
It is preferable to use N-methylhexabromodiphenylamine and the like. The added amount of the flame retardant is usually 3 to 150 parts by weight, preferably 10 to 100 parts by weight of the cyclic polymer.
To 140 parts by weight, particularly preferably 15 to 120 parts by weight. As a flame retardant aid for more effectively exhibiting the flame retardant effect of the flame retardant, for example, it is possible to use an antimony flame retardant aid such as antimony trioxide, antimony pentoxide, sodium antimonate, and antimony trichloride. it can. These flame retardant aids are used in a proportion of usually 1 to 30 parts by weight, preferably 2 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the flame retardant.

【0057】(3)その他のポリマー成分 また、本発明においては、必要に応じて、ゴム質重合体
やその他の熱可塑性樹脂を配合することができる。ゴム
質重合体は、常温(25℃)以下のガラス転移温度を持
つ重合体であって、通常のゴム状重合体および熱可塑性
エラストマーが含まれる。ゴム質重合体のムーニー粘度
(ML1+4,100℃)は、使用目的に応じて適宜選
択され、通常5〜200である。ゴム状重合体として
は、例えば、エチレン−α−オレフィン系ゴム質重合
体;エチレン−α−オレフィン−ポリエン共重合体ゴ
ム;エチレン−メチルメタクリレート、エテレン−ブチ
ルアクリレートなどのエチレンと不飽和カルボン酸エス
テルとの共重合体;エチレン−酢酸ビニルなどのエチレ
ンと脂肪酸ビニルとの共重合体;アクリル酸エチル、ア
クリル酸ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸2−
エチルヘキシル、アクリル酸ラウリルなどのアクリル酸
アルキルエステルの重合体;ポリブタジエン、ポリソブ
レン、スチレン−ブタジエンまたはスチレン−イソプレ
ンのランダム共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン
共重合体、ブタジエン−イソプレン共重合体、ブタジエ
ン−(メタ)アクリル酸アルキルエステル共重合体、ブ
タジエン−(メタ)アクリル酸アルキルエステル−アク
リロニトリル共重合体、ブタジエン−(メタ)アクリル
酸アルキルエステル−アクリロニトリル−スチレン共重
合体などのジエン系ゴム;ブチレン−イソプレン共重合
体などが挙げられる。
(3) Other Polymer Components In the present invention, a rubbery polymer or another thermoplastic resin can be blended as required. The rubbery polymer is a polymer having a glass transition temperature of room temperature (25 ° C.) or less, and includes a usual rubbery polymer and a thermoplastic elastomer. The Mooney viscosity (ML1 + 4, 100 ° C.) of the rubbery polymer is appropriately selected depending on the purpose of use, and is usually 5 to 200. Examples of the rubbery polymer include ethylene-α-olefin-based rubbery polymers; ethylene-α-olefin-polyene copolymer rubber; ethylene and unsaturated carboxylic acid esters such as ethylene-methyl methacrylate and ethylene-butyl acrylate. Copolymer of ethylene and a fatty acid vinyl such as ethylene-vinyl acetate; ethyl acrylate, butyl acrylate, hexyl acrylate, and acrylic acid 2-
Polymers of alkyl acrylates such as ethylhexyl and lauryl acrylate; random copolymers of polybutadiene, polysoprene, styrene-butadiene or styrene-isoprene, acrylonitrile-butadiene copolymer, butadiene-isoprene copolymer, butadiene- (meta Diene rubbers such as alkyl acrylate copolymer, butadiene-alkyl (meth) acrylate-acrylonitrile copolymer, butadiene-alkyl (meth) acrylate-acrylonitrile-styrene copolymer; butylene-isoprene copolymer Polymers.

【0058】熱可塑性エラストマーとしては、例えば、
スチレン−ブタジエンブロック共重合体、水素化スチレ
ン−ブタジエンブロック共重合体、スチレン−イソプレ
ンブロック共重合体、水素化スチレン−イソプレンブロ
ック共重合体などの芳香族ビニル−共役ジエン系ブロッ
ク共重合体、低結晶性ポリブタジエン樹脂、エチレン−
プロピレンエラストマー、スチレングラフトエチレン−
プロピレンエラストマー、熱可塑性ポリエステルエラス
トマー、エチレン系アイオノマー樹脂などを挙げること
ができる。これらの熱可塑性エラストマーのうち、好ま
しくは、水素化スチレン−ブタジエンブロック共重合
体、水素化スチレン−イソプレンブロック共重合体など
であり、具体的には、特開平2−133406号公報、
特開平2−305814号公報、特開平3−72512
号公報、特開平3−74409号公報などに記載されて
いるものを挙げることができる。その他の熱可塑性樹脂
としては、例えば、低密度ポリエチレン、高密度ポリエ
チレン、直鎖状低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチ
レン、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレ
ン−酢酸ビニル共重合体、ポリスチレン、ポリフェニレ
ンスルフィド、ポリフェニレンエーテル、ポリアミド、
ポリエステル、ポリカーボネート、セルローストリアセ
テートなどが挙げられる。これらのゴム状重合体やその
他の熱可塑性樹脂は、それぞれ単独で、あるいは2種以
上を組み合わせて用いることができ、その配合量は、本
発明の目的を損なわない範囲で適宜選択されるが、絶縁
材料の特性を損なわせないためには30重量部以下であ
るのが好ましい。
As the thermoplastic elastomer, for example,
Aromatic vinyl-conjugated diene block copolymers such as styrene-butadiene block copolymer, hydrogenated styrene-butadiene block copolymer, styrene-isoprene block copolymer, hydrogenated styrene-isoprene block copolymer, low Crystalline polybutadiene resin, ethylene-
Propylene elastomer, styrene grafted ethylene
Propylene elastomer, thermoplastic polyester elastomer, ethylene ionomer resin and the like can be mentioned. Among these thermoplastic elastomers, preferred are hydrogenated styrene-butadiene block copolymer, hydrogenated styrene-isoprene block copolymer, and the like. Specifically, JP-A-2-133406,
JP-A-2-305814, JP-A-3-72512
And Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-74409. As other thermoplastic resins, for example, low-density polyethylene, high-density polyethylene, linear low-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, polystyrene, polyphenylene sulfide , Polyphenylene ether, polyamide,
Examples include polyester, polycarbonate, and cellulose triacetate. These rubbery polymers and other thermoplastic resins can be used alone or in combination of two or more, and the amount thereof is appropriately selected within a range not to impair the object of the present invention. In order not to impair the properties of the insulating material, the amount is preferably 30 parts by weight or less.

【0059】(4)その他の添加剤 その他の添加剤として、、必要に応じて、耐熱安定剤、
耐候安定剤、レベリング剤、帯電防止剤、スリップ剤、
アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天
然油、合成油、ワックスなどを適量添加することができ
る。具体的には、例えば、テトラキス[メチレン−3
(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロピオネート]メタン、β−(3,5−ジ−t−ブチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオン酸アルキルエ
ステル、2,2′−オキザミドビス[エチル−3(3,
5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピ
オネート]などのフェノール系酸化防止剤;トリスノニ
ルフェニルホスファイト、トリス(2,4−ジ−t−ブ
リルフェニル)ホスファイト、トリス(2,4−ジ−t
−ブチルフェニル)ホスファイト等のリン系安定剤;ス
テアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、12−ヒド
ロキシステアリン酸カルシウム等の脂肪酸金属塩;グリ
セリンモノステアレート、グリセリンモノラウレート、
グリセリンジステアレート、ペンタエリスリトールモノ
ステアレート、ペンタエリスリトールジステアレート、
ペンタエリスリトールトリステアレート等の多価アルコ
ール脂肪酸エステル;合成ハイドロタルサイト;アミン
系の帯電防止剤;フッ素系ノニオン界面活性剤、特殊ア
クリル樹脂系レベリング剤、シリコーン系レベリング剤
など塗料用レベリング剤;シランカップリング剤、チタ
ネートカップリング剤、アルミニウム系カップリング
剤、ジルコアルミネートカップリング剤等のカップリン
グ剤;可塑剤;顔料や染料などの着色剤;などを挙げる
ことができる。
(4) Other Additives As other additives, if necessary, a heat stabilizer,
Weathering stabilizer, leveling agent, antistatic agent, slip agent,
Antiblocking agents, antifogging agents, lubricants, dyes, pigments, natural oils, synthetic oils, waxes and the like can be added in appropriate amounts. Specifically, for example, tetrakis [methylene-3
(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)
Propionate] methane, β- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionic acid alkyl ester, 2,2′-oxamidobis [ethyl-3 (3,3
5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], and the like; trisnonylphenyl phosphite, tris (2,4-di-t-brylphenyl) phosphite, tris (2,4 -Di-t
Phosphorus-based stabilizers such as -butylphenyl) phosphite; fatty acid metal salts such as zinc stearate, calcium stearate and calcium 12-hydroxystearate; glycerin monostearate, glycerin monolaurate;
Glycerin distearate, pentaerythritol monostearate, pentaerythritol distearate,
Polyhydric alcohol fatty acid esters such as pentaerythritol tristearate; synthetic hydrotalcite; amine-based antistatic agents; fluorine-based nonionic surfactants, leveling agents for paints such as specialty acrylic resin-based leveling agents, silicone-based leveling agents; silanes Coupling agents such as coupling agents, titanate coupling agents, aluminum-based coupling agents, and zircoaluminate coupling agents; plasticizers; coloring agents such as pigments and dyes;

【0060】[3]封止材料 本発明の封止材料は、上記成分を用い、通常は液状組成
物またはフィルムの形状が用いられる。また、熱可塑性
樹脂として使用する場合には、バルクのペレットの状態
で、射出成形用に用いることも可能である。
[3] Encapsulating Material The encapsulating material of the present invention uses the above components, and is usually in the form of a liquid composition or a film. When used as a thermoplastic resin, it can be used for injection molding in a bulk pellet state.

【0061】(液状組成物)液状組成物として使用する
場合には、上記成分を溶媒に溶解させて使用する。溶媒
を用いる場合は、例えば、トルエン、キシレン、エチル
ベンゼンなどの芳香族炭化水素、n−ペンタン、ヘキサ
ン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素、シクロヘキサンな
どの脂環式炭化水素、クロロベンゼン、ジクロルベンゼ
ン、トリクロルベンゼンなどのハロゲン化炭化水素など
を挙げることができる。溶媒は、環状重合体、及び必要
に応じて配合する各成分を均一に溶解ないしは分散する
に足りる量比で用いられ、通常固形分濃度が1〜80重
量%、好ましくは5〜60重量%、より好ましくは10
〜50重量%になるように調整される。
(Liquid Composition) When used as a liquid composition, the above components are dissolved in a solvent before use. When a solvent is used, for example, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, and ethylbenzene, aliphatic hydrocarbons such as n-pentane, hexane, heptane, alicyclic hydrocarbons such as cyclohexane, chlorobenzene, dichlorobenzene, and trichlorobenzene Examples thereof include halogenated hydrocarbons such as benzene. The solvent is used in an amount ratio sufficient to uniformly dissolve or disperse the cyclic polymer and, if necessary, each component to be blended, and usually has a solid content of 1 to 80% by weight, preferably 5 to 60% by weight, More preferably 10
It is adjusted to be に な る 50% by weight.

【0062】また、溶媒の代わりに、反応性希釈剤とし
て、硬化性モノマーを使用することもできる。反応性希
釈剤としては、従来の熱や光で架橋反応を起こし、常温
で液状の化合物であれば特に限定はされないが、エポキ
シ基含有化合物、アクリル(メタクリル)酸エステル系
化合物、ビニルエーテル系化合物、ビニル化合物等が挙
げられる。これらその他の反応性希釈剤の中でも、耐熱
性、低吸水性、誘電特性などに優れる理由から、エポキ
シ基含有化合物が特に好ましい。
Further, a curable monomer can be used as a reactive diluent instead of the solvent. The reactive diluent is not particularly limited as long as it is a compound that causes a cross-linking reaction by conventional heat or light and is liquid at ordinary temperature, but includes an epoxy group-containing compound, an acrylic (methacrylic acid) ester compound, a vinyl ether compound, And vinyl compounds. Among these other reactive diluents, epoxy group-containing compounds are particularly preferred because of their excellent heat resistance, low water absorption, dielectric properties and the like.

【0063】液状封止材料として使用する場合には、ハ
ンドリング、プロセス上のメリットなどから、特に溶融
粘度が、100〜200℃の範囲において50ポイズ以
下、さらには20ポイズ以下であるのが好ましい。
When used as a liquid sealing material, the melt viscosity is preferably 50 poise or less, more preferably 20 poise or less in the range of 100 to 200 ° C. from the viewpoints of handling and process.

【0064】(フィルム)本発明の封止材料は、フィル
ムとして使用することもでき、その場合には、封止が加
熱圧着などの方法で効率よく実施できるという利点があ
る。フィルムとして提供するには前述の溶媒や反応性希
釈剤に溶解した該重合体溶液を平坦な基板上に塗布し、
溶媒を乾燥除去してキャスト方法によりフィルムを形成
しても良いし、フィルム押し出し成形機を使用して、押
し出し成形法によってフィルムを形成しても良い。形成
されたフィルムは硬化剤を含む場合には部分硬化させて
使用しても構わない。使用されるフィルムの厚みは、通
常30〜200μm、好ましくは40〜100μm、よ
り好ましくは50〜90μmである。
(Film) The sealing material of the present invention can also be used as a film, in which case there is an advantage that the sealing can be carried out efficiently by a method such as heat compression. To provide as a film, apply the polymer solution dissolved in the aforementioned solvent or reactive diluent on a flat substrate,
The solvent may be dried and removed to form a film by a casting method, or a film may be formed by an extrusion method using a film extruder. When the formed film contains a curing agent, it may be partially cured before use. The thickness of the film used is usually 30 to 200 μm, preferably 40 to 100 μm, more preferably 50 to 90 μm.

【0065】(硬化方法)本発明で使用される封止材料
は、硬化樹脂として使用する場合は、前述の如く、熱、
光、電子線などの何れの方法を用いて硬化させても良い
が、特に半導体部品などの電子部品を封止する場合は、
オーバーコート法などの薄膜状態で封止する場合を除い
ては、熱により硬化させるのが好ましい。熱による硬化
の場合には、封止材料が肉厚の成形品である場合、光線
が一部到達し得ないような複雑形状を有している場合、
充填剤、添加剤等の光線が透過しない配合剤を含む場合
などに好適である。
(Curing Method) When the sealing material used in the present invention is used as a cured resin, as described above, heat,
Light, may be cured using any method such as an electron beam, especially when sealing electronic components such as semiconductor components,
Except for the case of sealing in a thin film state such as an overcoat method, it is preferable to cure by heat. In the case of curing by heat, when the sealing material is a thick molded product, when it has a complicated shape such that light beams cannot partially reach,
It is suitable when a compounding agent that does not transmit light, such as a filler and an additive, is included.

【0066】(封止方法)本発明で使用される封止材料
は、主に、前述の半導体ベアチップ実装パッケージなど
において、チップの電極と実装基板の電極が直接接続さ
れた部分を封止するための材料であり、近年のLSIベ
アチップ実装の封止方法として、液状エポキシ樹脂を用
いる場合に常用されているポッティング(中型)法によ
る封止方法やその他の特殊な封止方法などにそのまま応
用することができる。
(Sealing Method) The sealing material used in the present invention is mainly used to seal a portion of the above-described semiconductor bare chip mounting package or the like where a chip electrode and a mounting substrate electrode are directly connected. It is a material that can be used as a sealing method for mounting LSI bare chips in recent years. It can be applied as it is to the potting (medium-sized) sealing method and other special sealing methods that are commonly used when using liquid epoxy resin. Can be.

【0067】[4]半導体チップ及び実装基板 本発明で封止する半導体チップ及び実装基板、その接続
方法(実装方法)を説明し、各実装方法毎の封止方法を
説明する。
[4] Semiconductor Chip and Mounting Board The semiconductor chip and the mounting board to be sealed in the present invention, the connection method (mounting method) thereof, and the sealing method for each mounting method will be described.

【0068】(実装基板)実装基板は、絶縁層と導電層
と電極とを有し、チップ電極からの電気信号を他の電子
部品等に伝送可能なものであれば特に限定はなく、従来
のガラスエポキシプリント配線基板、ガラスポリイミド
プリント配線基板、ビスマレイミドトリアジン樹脂プリ
ント基板、ポリフェニレンエーテル(ポリフェニレンオ
キサイド)プリント配線基板、フッ素樹脂プリント配線
基板、その他環状オレフィン系樹脂プリント配線基板な
どの低誘電率プリント配線基板などのプリント配線基
板;ポリエチレンテレフタレートフレキシブルプリント
配線基板、ポリイミドフレキシブルプリント配線基板な
どのフレキシブルプリント配線基板(FPC);シリコ
ンウェハー基板;セラミック基板;感光性樹脂等を使用
した高密度実装基板;樹脂付き金属箔やドライフィル
ム、接着性絶縁フィルムなどのフィルム積層型の高密度
実装基板;ポリフェニレンスルフィドや液晶ポリマーな
どの熱可塑性エンジアリングプラスチックフィルムなど
のフィルム配線基板などが挙げられる。また、近年のパ
ッケージ形態であるチップスケールパッケージ(CS
P)に使用されるキャリアフィルム(ポリイミドキャリ
アフィルムなど)や単層基板なども実装基板として例示
できる。
(Mounting Board) The mounting board is not particularly limited as long as it has an insulating layer, a conductive layer, and an electrode, and can transmit an electric signal from the chip electrode to another electronic component or the like. Low dielectric constant printed wiring such as glass epoxy printed wiring board, glass polyimide printed wiring board, bismaleimide triazine resin printed circuit board, polyphenylene ether (polyphenylene oxide) printed circuit board, fluororesin printed circuit board, and other cyclic olefin resin printed circuit boards Printed circuit boards such as substrates; Flexible printed circuit boards (FPC) such as polyethylene terephthalate flexible printed circuit boards and polyimide flexible printed circuit boards; Silicon wafer substrates; Ceramic substrates; Resin coated metal film or dry film, high-density mounting substrate film laminated such adhesive insulating film; and a film circuit board, such as a thermoplastic Engineering A ring plastic film such as polyphenylene sulfide or liquid crystal polymer. In addition, a chip scale package (CS
A carrier film (such as a polyimide carrier film) or a single-layer substrate used for P) can also be exemplified as the mounting substrate.

【0069】(半導体チップ実装方法及び封止方法)半
導体チップのベアチップ実装方法(接続技術)として
は、(1)ワイヤーボンディング技術、(2)TAB技
術、(3)フリップチップボンディング技術が挙げられ
る。
(Semiconductor Chip Mounting Method and Sealing Method) Examples of the bare chip mounting method (connection technology) of a semiconductor chip include (1) a wire bonding technology, (2) a TAB technology, and (3) a flip chip bonding technology.

【0070】(1)ワイヤーボンディング技術 ワイヤーボンディング法は、前述の実装基板上に半導体
チップが、電極を基板面と反対側に向けて設置し、基板
の電極とチップの電極とを直接ワイヤー(金線)によっ
て接続する方法である。この場合の電極間接続部分の封
止は、主に、前述の希釈された重合体溶液を、少なくと
も前述のワイヤー接続部分を覆うようにコートし、溶媒
等を除去することで行う。また、コートした溶液が流れ
ないように、チップの周辺に枠(ダム)を設置したり、
チップ実装部分のみを凹部分にすることも可能である。
また、チップ部分を金型に設置して、射出成形法によっ
てインサート成形しても構わない。
(1) Wire Bonding Technology In the wire bonding method, a semiconductor chip is placed on the above-mentioned mounting substrate with its electrodes facing away from the substrate surface, and the electrodes of the substrate and the electrodes of the chip are directly connected to a wire (gold). Line). In this case, sealing of the interelectrode connection portion is mainly performed by coating the above-mentioned diluted polymer solution so as to cover at least the above-mentioned wire connection portion, and removing the solvent and the like. In order to prevent the coated solution from flowing, a frame (dam) is set around the chip,
It is also possible to make only the chip mounting portion a concave portion.
Alternatively, the tip portion may be placed in a mold and insert-molded by an injection molding method.

【0071】(2)テープ・オートメーテッド・ボンデ
ィング(Tape Automated Bondin
g)技術:TAB技術 TAB技術は、基本的にはキャリアフィルム、バンプ
(金属突起;電極)、半導体チップの3つから構成され
る。キャリアフィルムは搬送用部材、パッケージ部材、
実装基板としての機能を有し、前述のポリイミドフレキ
シブルプリント配線板のような、樹脂フィルムに配線パ
ターン、リードが形成されており、バンプはキャリアフ
ィルムのリードと半導体チップの電極とを接続する媒体
としての重要な役割を持っている。この場合の電極間の
封止方法は、キャリアフィルムが、半導体チップ部分だ
けくり貫かれた状態でチップの上方に設置された形態を
とっているので、実際には半導体チップ面が底面を形成
してキャリアテープが枠を形成する状態になっている。
よって(1)の方法同様に、封止材料を枠内に流し込ん
で乾燥させることによって電極間の封止ができる。
(2) Tape Automated Bondin (Tape Automated Bondin)
g) Technology: TAB technology The TAB technology is basically composed of a carrier film, bumps (metal projections; electrodes), and a semiconductor chip. Carrier films are used for conveying members, package members,
It has a function as a mounting board, wiring patterns and leads are formed on a resin film, such as the above-mentioned polyimide flexible printed wiring board, and bumps are used as a medium for connecting the leads of the carrier film and the electrodes of the semiconductor chip. Has an important role. In this case, the sealing method between the electrodes is such that the carrier film is placed above the chip in a state where only the semiconductor chip portion is penetrated, so that the semiconductor chip surface actually forms the bottom surface. The carrier tape forms a frame.
Therefore, similarly to the method (1), the sealing between the electrodes can be performed by pouring the sealing material into the frame and drying it.

【0072】(3)フリップチップボンディング技術 特にベアチップ実装方法の中で、チップ電極と基板電極
を金線(ワイヤー)を介さずに直接接続する方法をフリ
ップチップボンディングといい、半導体チップ電極部に
はバンプ(突起)あるいは金属ボールが形成され、実装
基板上には電極(パッド)が形成されて、各々が直接接
続される。この場合、半導体チップは、電極形成面を逆
さまにして、フェースダウンの状態で実装基板上に搭載
されることになる。よって、この場合の封止方法は、上
記実装基板面と、半導体チップ面との隙間を封止材で充
填するアンダーフィル法が適用される。アンダーフィル
法は、(1)および(2)で使用したものと同様な封止
材料の溶液を基板とチップの間隙にディスペンサー等を
使用して流し込んで乾燥固化させることによって電極間
を封止する方法であるが、別の方法として、異方性導電
膜などのような封止用のフィルムを電極間にはさみ、電
極間の接着と封止を同時に行う方法が近年開発されてい
る。
(3) Flip Chip Bonding Technology In a bare chip mounting method, a method of directly connecting a chip electrode and a substrate electrode without a gold wire (wire) is called flip chip bonding. Bumps (projections) or metal balls are formed, and electrodes (pads) are formed on the mounting substrate, and each is directly connected. In this case, the semiconductor chip is mounted on the mounting board in a face-down state with the electrode forming surface upside down. Accordingly, as an encapsulation method in this case, an underfill method of filling a gap between the mounting substrate surface and the semiconductor chip surface with an encapsulant is applied. In the underfill method, a solution of a sealing material similar to that used in (1) and (2) is poured into a gap between a substrate and a chip using a dispenser or the like, and dried and solidified to seal between electrodes. As another method, a method of sandwiching a sealing film such as an anisotropic conductive film between the electrodes and simultaneously bonding and sealing the electrodes has been recently developed as another method.

【0073】[5]半導体ベアチップ実装パッケージ 本発明で封止される半導体チップは、半導体部品の中で
もCPU(中央演算装置)やメモリ(DRAM)などに
使用されるような、微細配線が高度に集積された集積回
路部品や部品である。
[5] Semiconductor Bare Chip Mounting Package The semiconductor chip encapsulated by the present invention has a highly integrated fine wiring such as used in CPU (Central Processing Unit) and memory (DRAM) among semiconductor components. Integrated circuit components and components.

【0074】本発明においては、少なくとも半導体チッ
プの電極と実装基板の電極間尾接続部分を前述の封止材
料を用いて封止することによって半導体パッケージが得
られる。主に半導体チップを小型のプリント基板にベア
チップ実装した後、前述の封止材料で封止したものが、
これらを一体でパッケージとして使用される。上記パッ
ケージに、さらにマザーボードのプリント基板に接続す
る目的でハンダボールなどの接続部材を取付けた物は、
ボールグリッドアレイ(BGA)といい、半導体チップ
が複数実装されたパッケージはマルチチップパッケージ
(マルチチップモジュール)として新規の半導体部品パ
ッケージとして、コンピューターや通信機器に使用可能
である。
In the present invention, a semiconductor package can be obtained by sealing at least the electrodes of the semiconductor chip and the tail connecting portions of the mounting substrate with the above-described sealing material. After the semiconductor chip is mainly mounted on a small printed circuit board with a bare chip, it is sealed with the aforementioned sealing material.
These are integrally used as a package. The above package, the thing that attached a connecting member such as solder ball for the purpose of connecting to the printed circuit board of the motherboard,
A package on which a plurality of semiconductor chips are mounted, called a ball grid array (BGA), can be used as a new semiconductor component package as a multi-chip package (multi-chip module) for a computer or a communication device.

【0075】さらに、本発明の封止材料は、半導体ベア
チップ実装パッケージの近年の形態として、チップスケ
ールパッケージ(CSP)などにも使用可能である。C
SPの具体的な形態としては、μ−BGA、FBGA、
FLGA、SON、SOL、モールドCSPなどが挙げ
られる。
Further, the sealing material of the present invention can be used for a chip scale package (CSP) as a recent form of a semiconductor bare chip mounting package. C
Specific forms of SP include μ-BGA, FBGA,
FLGA, SON, SOL, mold CSP, and the like.

【0076】[0076]

【実施例】以下に、実施例、比較例を挙げて本発明を具
体的に説明する。 (1)ガラス転移温度は、DSC法により測定した。 (2)分子量は特に記載しない限り、トルエンを溶媒と
するゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(G
PC)によるポリスチレン換算値として測定した。 (3)主鎖の水素添加率、ポリマーの変性率は1H−N
MRにより測定した。 (4)1MHzにおける誘電率、誘電正接はJIS C
6481に準じて測定した。 (5)常温での曲げ強度、引張強度、引張伸び率、およ
び85℃×85%RH×300時間の条件下での吸水率
はJIS K6911に準拠して測定した。 (6)ガラス転移温度はTMAによって測定した。 (7)温度サイクル試験(TCT)は−55℃(30m
in)〜室温(5min)〜150℃(30min)〜
室温(5min)の温度サイクルを500回繰り返すこ
とで温度衝撃を加え、クラック発生の有無を調べた。プ
レッシャークッカー試験(PCT)は湿度100%、1
05℃の環境下に300時間放置し、不良発生の有無を
調べた。 (8)尚、実施例中、[部]、[%]にて記載されてい
るものは特に断りのない限り、夫々[重量部]、[重量
%]のことである。
The present invention will be specifically described below with reference to examples and comparative examples. (1) The glass transition temperature was measured by the DSC method. (2) Unless otherwise specified, the molecular weight of gel permeation chromatography (G
(PC) as measured in terms of polystyrene. (3) The hydrogenation rate of the main chain and the modification rate of the polymer are 1 H-N
Measured by MR. (4) Dielectric constant and dielectric loss tangent at 1 MHz are JIS C
It was measured according to 6481. (5) The flexural strength at normal temperature, tensile strength, tensile elongation, and water absorption under the conditions of 85 ° C. × 85% RH × 300 hours were measured in accordance with JIS K6911. (6) The glass transition temperature was measured by TMA. (7) Temperature cycle test (TCT) is -55 ° C (30m
in)-room temperature (5 min)-150 ° C (30 min)-
A temperature shock was applied by repeating a temperature cycle at room temperature (5 min) 500 times, and the presence or absence of cracks was examined. Pressure cooker test (PCT) is 100% humidity, 1
It was left in an environment of 05 ° C. for 300 hours and examined for occurrence of defects. (8) In Examples, "parts" and "%" refer to "parts by weight" and "% by weight", respectively, unless otherwise specified.

【0077】(合成例1)六塩化タングステン、トリイ
ソブチルアルミニウム、イソブチルアルコールを重合触
媒として用い、公知の方法により8-エチルテトラシク
ロ[4.4.12,5 .17,10.0]−3−ドデセン(以
下ETDと略す)を重合し、さらにニッケルアセチルア
セトナートとトリイソブチルアルミニウムを用いて公知
の方法により水素化したETDの開環重合体水素化物
(水素化率≧99%、Tg=138℃、Mn=18,5
00、Mw=31,600)100部に対して、無水マ
レイン酸30部、ジクミルパーオキシド10部、ter
t−ブチルベンゼン300部を混合し、オートクレーブ
中にて150℃、4時間反応を行った後、反応液を上記
と同様にして凝固、乾燥し、無水マレイン酸変性ポリマ
ー(A)を得た。得られたポリマー(A)のTg=16
6℃、Mn=16,400、Mw=35,200、変性
率は28%であった。
(Synthesis Example 1) Tungsten hexachloride, trii
Polymerization of sobutyl aluminum and isobutyl alcohol
8-ethyltetracycline by a known method.
B [4.4.12,5 . 17,10. 0] -3-dodecene (hereinafter referred to as
Lower abbreviated as ETD), and then nickel acetyl
Known using settonate and triisobutylaluminum
Ring-opened polymer hydride of ETD hydrogenated by the method of
(Hydrogenation rate ≧ 99%, Tg = 138 ° C., Mn = 18.5
(00, Mw = 31,600)
30 parts of maleic acid, 10 parts of dicumyl peroxide, ter
Mix 300 parts of t-butylbenzene and autoclave
After conducting the reaction at 150 ° C. for 4 hours in
Coagulate and dry in the same manner as in
-(A) was obtained. Tg of the obtained polymer (A) = 16
6 ° C., Mn = 16,400, Mw = 35,200, denatured
The rate was 28%.

【0078】(合成例2)無水マレイン酸30部をアリ
ルグリシジルエーテル30部に変える以外は、合成例1
と同様にしてエポキシ変性ポリマー(B)を得た。得ら
れたポリマー(B)のTg=160℃、Mn=17,1
00、Mw=36,900、変性率は24%であった。
Synthesis Example 2 Synthesis Example 1 except that 30 parts of maleic anhydride was changed to 30 parts of allyl glycidyl ether.
In the same manner as in the above, an epoxy-modified polymer (B) was obtained. Tg of the obtained polymer (B) = 160 ° C., Mn = 17,1
00, Mw = 36,900, and the modification rate was 24%.

【0079】(合成例3)テトラシクロ[4.4.1
2,5.17,10.0]−3−ドデセン(以下、TCDと略
す)とエチレンを公知の方法により共重合して得た付加
型共重合体(TCD含有量38モル%、Tg=135
℃、Mn=15,200、Mw=35,600)を用い
ること以外は合成例1と同様にして無水マレイン酸変性
ポリマー(C)を得た。得られたポリマー(C)のTg
=162℃、Mn=14,200、Mw=41,10
0、変性率は23%であった。
Synthesis Example 3 Tetracyclo [4.4.1]
2,5 . 17,10 . 0] -3-dodecene (hereinafter abbreviated as TCD) and an ethylene copolymer obtained by a known method (TCD content 38 mol%, Tg = 135)
(C, Mn = 15,200, Mw = 35,600) in the same manner as in Synthesis Example 1 to obtain a maleic anhydride-modified polymer (C). Tg of the obtained polymer (C)
= 162 ° C, Mn = 14,200, Mw = 41,10
0, and the modification rate was 23%.

【0080】(合成例4)無水マレイン酸30部をアリ
ルグリシジルエーテル30部に変える以外は、合成例3
と同様にしてエポキシ変性ポリマー(D)を得た。得ら
れたポリマー(D)のTg=157℃、Mn=13,3
00、Mw=40,000、変性率は19%であった。
Synthesis Example 4 Synthesis Example 3 except that 30 parts of maleic anhydride was changed to 30 parts of allyl glycidyl ether.
In the same manner as in the above, an epoxy-modified polymer (D) was obtained. Tg of the obtained polymer (D) = 157 ° C., Mn = 13.3
00, Mw = 40,000, and the modification rate was 19%.

【0081】(合成例5)特開平7−258318号公
報に記載されているLi系リビングアニオン重合触媒
〔n−BuLi/テトラメチレンジアミン(TMED
A:リビングアニオン安定化剤)=1/1(モル比)〕
を用いて1,3−シクロヘキサジエン(C−HD)を重
合して得られた表−1記載の1,4−付加型重合体の水
素化物(水素化率≧99%、Tg=219℃、Mn=5
3,400、Mw=78,000)を用いること以外は
合成例1同様の方法により無水マレイン酸変性ポリマー
(E)を得た。得られたポリマー(E)のTg=238
℃、Mn=37,200、Mw=94,800、変性率
は22%であった。
(Synthesis Example 5) Li-based living anion polymerization catalyst [n-BuLi / tetramethylenediamine (TMED) described in JP-A-7-258318
A: Living anion stabilizer) = 1/1 (molar ratio)]
A hydride of a 1,4-addition polymer shown in Table 1 obtained by polymerizing 1,3-cyclohexadiene (C-HD) using (hydrogenation rate ≧ 99%, Tg = 219 ° C., Mn = 5
3,400 (Mw = 78,000) except that maleic anhydride-modified polymer (E) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1. Tg of the obtained polymer (E) = 238
° C, Mn = 37,200, Mw = 94,800, and the modification rate was 22%.

【0082】(合成例6)無水マレイン酸30部をアリ
ルグリシジルエーテル30部に変える以外は、合成例5
と同様にしてエポキシ変性ポリマー(F)を得た。得ら
れたポリマー(E)のTg=230℃、Mn=38,1
00、Mw=89,900、変性率は18%であった。
Synthesis Example 6 Synthesis Example 5 except that 30 parts of maleic anhydride was changed to 30 parts of allyl glycidyl ether.
In the same manner as in the above, an epoxy-modified polymer (F) was obtained. Tg of the obtained polymer (E) = 230 ° C., Mn = 38.1
00, Mw = 89,900, and the modification rate was 18%.

【0083】(合成例7)数平均分子量(Mn)が92
00のポリ(2、6−ジメチル−1、4−フェニレンエ
ーテル)100部と、無水マレイン酸6.0部、および
2、5−ジメチル−2、5−ジ(tーブチルパーオキ
シ)ヘキサン(日本油脂製パーヘキサ25B)2.0部
を室温でドライブレンドした後、シリンダー温度300
℃、スクリュー回転数230rpmの条件で2軸押出機
により押しだして、無水マレイン酸変性ポリフェニレン
エーテル(PPE)(G)を得た。 得られたポリマー
(G)のTg=183℃、Mn=8,500、Mw=1
5,400、変性率は20%であった。
(Synthesis Example 7) The number average molecular weight (Mn) is 92
100 parts of poly (2,6-dimethyl-1,4-phenylene ether), 6.0 parts of maleic anhydride, and 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexane ( After dry blending 2.0 parts of Nippon Oil & Fats Perhexa 25B) at room temperature, cylinder temperature 300
The mixture was extruded with a twin-screw extruder at a temperature of 230 ° C. and a screw rotation speed of 230 rpm to obtain maleic anhydride-modified polyphenylene ether (PPE) (G). Tg of the obtained polymer (G) = 183 ° C., Mn = 8,500, Mw = 1
5,400 and the modification rate was 20%.

【0084】(実施例1〜7)合成例1〜7で得られた
ポリマー(A)〜(G)100部を、ポリマー分が30
%になるようにトルエンに溶解し、硬化剤としてメタキ
シシリレンジアミン6部を添加し、さらに難燃剤として
臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂(EPI15
2:大日本インキ化学工業株式会社製)20部、難燃助
剤としてSb23 を10部、充填剤として溶融シリカ4
00部、その他配合剤としてカルバナワックス2部、カ
ーボンブラック1.5部を加えて液状半導体封止材料を
作成した。
(Examples 1 to 7)
100 parts of the polymers (A) to (G) are mixed with 30 parts of the polymer.
%, Dissolved in toluene to give
Add 6 parts of silicylenediamine, and as a flame retardant
Brominated bisphenol A type epoxy resin (EPI15
2: Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) 20 parts, flame retardant aid
Sb as an agentTwoOThree 10 parts, fused silica 4 as a filler
00 parts, 2 parts of carbana wax as other compounding agents,
And add 1.5 parts of carbon black to form a liquid semiconductor encapsulant.
Created.

【0085】得られた溶液をスピンコーターを用いて厚
さ3mmのテフロン板上で70μmに薄膜化し、60
℃、120秒窒素中で乾燥させ、フィルムを作成した。
得られたフィルムを半導体フリップチップボンディング
用電極パッドを有するガラスビスマレイミドトリアジン
多層基板上に置き、その上からシリコンを基体とする電
極バンプを有する半導体ベアチップ(100μmピッ
チ、360ピン:)を190℃×5秒間加熱、圧着し
て、チップバンプと基板パッドを接合するのと同時に接
合部分を封止した。フィルムを170℃、4時間加熱し
て完全硬化した後、温度サイクル試験(TCT)、およ
びプレッシャークッカー試験における不良発生の有無を
調べた。評価結果はいずれの試料も優れた結果を示し、
不良率は2%以下であった。
The obtained solution was thinned to 70 μm on a Teflon plate having a thickness of 3 mm using a spin coater.
The film was dried in nitrogen at 120 ° C. for 120 seconds to form a film.
The obtained film is placed on a glass bismaleimide triazine multilayer substrate having electrode pads for semiconductor flip chip bonding, and a semiconductor bare chip (100 μm pitch, 360 pins :) having electrode bumps based on silicon is placed thereon at 190 ° C. × Heating and pressing were performed for 5 seconds to bond the chip bumps and the substrate pads, and at the same time, sealed the bonded portions. After the film was completely cured by heating at 170 ° C. for 4 hours, the occurrence of defects in the temperature cycle test (TCT) and the pressure cooker test was examined. The evaluation results show excellent results for all samples,
The defective rate was 2% or less.

【0086】(実施例8)配線パターン及びリードを有
するポリイミドキャリアフィルムに、実施例1同様の半
導体ベアチップがTAB実装されたテープキャリアパッ
ケージにおいて、該キャリアフィルムで枠が形成された
半導体チップ面上に、チップ電極とキャリアフィルムリ
ードの接続部分を覆うように、実施例1で得られた、ポ
リマー(A)を使用した液状封止材料を塗布して80℃
×1時間窒素中で乾燥させ、厚さ70μmのコート膜を
形成した。形成されたコート膜を170℃、4時間加熱
して完全硬化した後、温度サイクル試験(TCT)、お
よびプレッシャークッカー試験における不良発生の有無
を調べた。評価結果はいずれの試料も優れた結果を示
し、不良率は2%以下であった。
(Embodiment 8) In a tape carrier package in which a semiconductor bare chip similar to that in Embodiment 1 is mounted on a polyimide carrier film having a wiring pattern and leads by TAB, the semiconductor carrier is formed on a semiconductor chip surface on which a frame is formed with the carrier film. Then, the liquid sealing material using the polymer (A) obtained in Example 1 is applied so as to cover the connection portion between the chip electrode and the carrier film lead,
Drying was performed in nitrogen for 1 hour to form a coat film having a thickness of 70 μm. After the formed coating film was heated at 170 ° C. for 4 hours to completely cure it, the presence or absence of defects in a temperature cycle test (TCT) and a pressure cooker test was examined. The evaluation results of all the samples were excellent, and the defective rate was 2% or less.

【0087】(比較例1)封止材料成分の主剤として、
ビスフェノールF型エポキシ樹脂を用い、これに2−エ
チル−4−メチルイミダゾールを5部添加し、さらに難
燃剤として臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂(E
PI152:大日本インキ化学工業株式会社製)20
部、難燃助剤としてSb23を10部、充填剤として溶
融シリカ400部、その他配合剤としてカルバナワック
ス2部、カーボンブラック1.5部を加えて液状半導体
封止材料を作成した。得られた溶液をスピンコーターを
用いて厚さ3mmのテフロン板上で70μmに薄膜化
し、60℃、100秒間反応させて一部硬化させて、タ
ックフリーなフィルムを作成した。得られたフィルムを
実施例1同様の多層基板上に置き、その上からシリコン
を基体とする電極バンプを有する半導体ベアチップ(1
00μmピッチ、360ピン:)を190℃×5秒間加
熱、圧着して、チップバンプと基板パッドを接合するの
と同時に接合部分を封止した。フィルムを120℃、3
時間加熱して完全硬化した後、温度サイクル試験(TC
T)、およびプレッシャークッカー試験における不良発
生の有無を調べた。評価の結果、不良率はそれぞれ30
%、35%になった。
(Comparative Example 1) As a main component of a sealing material component,
A bisphenol F type epoxy resin was used, 5 parts of 2-ethyl-4-methylimidazole was added thereto, and a brominated bisphenol A type epoxy resin (E
PI152: Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) 20
Parts, Sb 2 O 3 as a flame retardant aid, 10 parts of fused silica as a filler, 2 parts of carbana wax as another compounding agent, and 1.5 parts of carbon black to prepare a liquid semiconductor sealing material. . The resulting solution was thinned to 70 μm on a 3 mm thick Teflon plate using a spin coater, reacted at 60 ° C. for 100 seconds, and partially cured to prepare a tack-free film. The obtained film was placed on the same multilayer substrate as in Example 1, and a semiconductor bare chip (1) having electrode bumps made of silicon as a base was placed thereon.
A 00 μm pitch, 360 pins :) was heated and pressure-bonded at 190 ° C. for 5 seconds to bond the chip bumps and the substrate pads, and at the same time, sealed the bonded portions. Film at 120 ° C, 3
After complete curing by heating for a time, a temperature cycle test (TC
T) and the occurrence of defects in the pressure cooker test. As a result of the evaluation, the defective rate was 30
%, 35%.

【0088】(比較例2)比較例1で使用した液状封止
剤を使用して、実施例8同様にテープキャリアーパッケ
ージの電極接合部分を封止して、コート膜を120℃、
3時間で完全硬化させた後、温度サイクル試験、プレッ
シャークッカー試験を実施したが、不良率はそれぞれ3
0%、35%になった。
Comparative Example 2 Using the liquid sealing agent used in Comparative Example 1, the electrode joining portion of the tape carrier package was sealed in the same manner as in Example 8, and the coat film was heated at 120 ° C.
After complete curing in 3 hours, a temperature cycle test and a pressure cooker test were performed.
0% and 35%.

【0089】[0089]

【発明の効果】本発明によれば、機械強度、低吸水性に
優れた、半導体チップと実装基板との間の封止材料が提
供される。さらに本発明によれば、かかる封止材料を用
いて半導体チップと実装基板間を封止することにより高
度に信頼性のある半導体パッケージが得られる。本発明
の封止材料は、電気・電子機器分野において特に高速
性、高信頼性の要求される半導体パッケージ用封止材料
などとして、広範な分野において有用である。
According to the present invention, there is provided a sealing material between a semiconductor chip and a mounting substrate which is excellent in mechanical strength and low water absorption. Further, according to the present invention, a highly reliable semiconductor package can be obtained by sealing between a semiconductor chip and a mounting substrate using such a sealing material. INDUSTRIAL APPLICABILITY The sealing material of the present invention is useful in a wide range of fields as an encapsulating material for a semiconductor package that requires particularly high speed and high reliability in the field of electric and electronic devices.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 23/31 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 23/31

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 環構造を有する繰り返し単位を含有する
環構造含有重合体を含んでなる半導体チップと実装基板
間の封止材料。
1. A sealing material between a semiconductor chip and a mounting substrate, comprising a ring structure-containing polymer containing a repeating unit having a ring structure.
【請求項2】 環構造含有重合体が、環状オレフィン系
重合体または主鎖中に芳香環の繰返し単位を有する芳香
族縮合系重合体である請求項1記載の封止材料。
2. The encapsulating material according to claim 1, wherein the ring structure-containing polymer is a cyclic olefin polymer or an aromatic condensed polymer having a repeating unit of an aromatic ring in the main chain.
【請求項3】 環構造含有重合体が官能基を含有するも
のである請求項1または2記載の封止材料。
3. The sealing material according to claim 1, wherein the ring structure-containing polymer has a functional group.
【請求項4】 さらに硬化剤を含有してなる請求項1乃
至3いずれか記載の封止材料。
4. The sealing material according to claim 1, further comprising a curing agent.
【請求項5】 溶液型またはフィルムである請求項1乃
至4いずれか記載の封止材料。
5. The sealing material according to claim 1, which is a solution type or a film.
【請求項6】 請求項1乃至5いずれかに記載の封止材
料で半導体チップと実装基板の間が封止された半導体パ
ッケージ。
6. A semiconductor package in which a space between a semiconductor chip and a mounting substrate is sealed with the sealing material according to claim 1.
【請求項7】 実装基板に半導体チップを接合後、溶液
型である請求項5記載の封止材料を接合部分を覆うよう
に塗布し、溶媒を除去乾燥して半導体パッケージを製造
する方法。
7. A method of manufacturing a semiconductor package by bonding a semiconductor chip to a mounting substrate, applying a sealing material of a solution type so as to cover the bonded portion, removing a solvent, and drying.
【請求項8】 実装基板上にフィルムである請求項5記
載の封止材料を積層し、次いでフィルム上に半導体チッ
プを積層し、加熱溶融圧着して実装基板と半導体チップ
とを接合して半導体パッケージを製造する方法。
8. The semiconductor device according to claim 5, wherein the sealing material according to claim 5 is a film on a mounting substrate, a semiconductor chip is laminated on the film, and the semiconductor chip is bonded by heating and fusion bonding. How to make a package.
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Cited By (5)

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