JPH1174167A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPH1174167A JPH1174167A JP23362797A JP23362797A JPH1174167A JP H1174167 A JPH1174167 A JP H1174167A JP 23362797 A JP23362797 A JP 23362797A JP 23362797 A JP23362797 A JP 23362797A JP H1174167 A JPH1174167 A JP H1174167A
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- semiconductor wafer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スクライブ・ブレイク方式の半導体素子の製
造方法は、ダイシング切り残し部は薄いほうが好ましい
が、この場合、ウエハテストやウエハ取り扱い中にウエ
ハ割れが起こりやすかった。一方、ダイシングの切り残
し量が大きいと、チップの分割性が悪くなり、分割の残
りが発生しする。また、分割過程で押圧力を大きくする
とウエハの分割形状が悪化し、歩留まりが悪くなる怖れ
があった。 【解決手段】 複数の半導体素子が形成された半導体ウ
エハを導電性の有する接合材を介して支持部材に貼り合
わせる工程と、該半導体ウエハ表面にダイシング溝を形
成する工程と、該半導体ウエハの複数の半導体素子をウ
エハテストする工程と、該半導体ウエハの裏面にスクラ
イブラインを形成し押圧して半導体ウエハをチップに分
離する工程と、を含むことを特徴とするものである。
造方法は、ダイシング切り残し部は薄いほうが好ましい
が、この場合、ウエハテストやウエハ取り扱い中にウエ
ハ割れが起こりやすかった。一方、ダイシングの切り残
し量が大きいと、チップの分割性が悪くなり、分割の残
りが発生しする。また、分割過程で押圧力を大きくする
とウエハの分割形状が悪化し、歩留まりが悪くなる怖れ
があった。 【解決手段】 複数の半導体素子が形成された半導体ウ
エハを導電性の有する接合材を介して支持部材に貼り合
わせる工程と、該半導体ウエハ表面にダイシング溝を形
成する工程と、該半導体ウエハの複数の半導体素子をウ
エハテストする工程と、該半導体ウエハの裏面にスクラ
イブラインを形成し押圧して半導体ウエハをチップに分
離する工程と、を含むことを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子が形成さ
れた半導体ウエハを分割して半導体チップを作成する半
導体素子の製造方法に関する。
れた半導体ウエハを分割して半導体チップを作成する半
導体素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年表示素子や通信素子として用いられ
ているＬＥＤの需要はますます拡大し、各種産業分野で
利用されている。従来より、ウエハに傷をつけ、その傷
に沿ってウエハをチップに分割するスクライブ・ブレイ
ク法が知られている。
ているＬＥＤの需要はますます拡大し、各種産業分野で
利用されている。従来より、ウエハに傷をつけ、その傷
に沿ってウエハをチップに分割するスクライブ・ブレイ
ク法が知られている。
【０００３】図４は従来例のＬＥＤの製造方法を示す工
程図である。図４（ａ）において、半導体ウエハに複数
のＬＥＤ素子が形成されたウエハ（以下、ＬＥＤウエハ
と呼ぶ）５１はＰ／Ｎ接合面５２を有しており、ＬＥＤ
ウエハ５１の上面には上部電極５３のパターンが被着さ
れており、また、ＬＥＤウエハ５１の下面には下部電極
５４が全面的に被着されている。このＬＥＤウエハ５１
にダイシングマシーンを用いて、ダイシング溝５５を縦
横に形成する。ダイシング溝５５はＰ／Ｎ接合面５２よ
りも深く形成されており、ダイシング切り残し部５６の
厚さは１００μｍ前後である。ＬＥＤウエハ５１上に形
成された多数のＬＥＤ素子は、このダイシング溝５５に
よって、それぞれ電気的に分離される。
程図である。図４（ａ）において、半導体ウエハに複数
のＬＥＤ素子が形成されたウエハ（以下、ＬＥＤウエハ
と呼ぶ）５１はＰ／Ｎ接合面５２を有しており、ＬＥＤ
ウエハ５１の上面には上部電極５３のパターンが被着さ
れており、また、ＬＥＤウエハ５１の下面には下部電極
５４が全面的に被着されている。このＬＥＤウエハ５１
にダイシングマシーンを用いて、ダイシング溝５５を縦
横に形成する。ダイシング溝５５はＰ／Ｎ接合面５２よ
りも深く形成されており、ダイシング切り残し部５６の
厚さは１００μｍ前後である。ＬＥＤウエハ５１上に形
成された多数のＬＥＤ素子は、このダイシング溝５５に
よって、それぞれ電気的に分離される。
【０００４】続いて、図４（ｂ）に示されるように、Ｌ
ＥＤウエハ５１に対してウエハテストを行う。導電性の
あるウエハテストステージ５８に、ＬＥＤウエハ５１を
のせ、ダイシングにより電気的に分離されたＬＥＤ素子
それぞれにプローブ針５７を接触させ、各素子の光度お
よび電気的特性の検査を行い、不良素子に対してはイン
クや傷をつけることによるマーキングを行い、良否素子
の区別を行う。
ＥＤウエハ５１に対してウエハテストを行う。導電性の
あるウエハテストステージ５８に、ＬＥＤウエハ５１を
のせ、ダイシングにより電気的に分離されたＬＥＤ素子
それぞれにプローブ針５７を接触させ、各素子の光度お
よび電気的特性の検査を行い、不良素子に対してはイン
クや傷をつけることによるマーキングを行い、良否素子
の区別を行う。
【０００５】次に、図４（ｃ）に示されるように、ＬＥ
Ｄウエハ５１の裏面が上になるようにして、ウエハをシ
ート６０に貼り付けてダイシング切り残し部５６に沿っ
てダイヤモンド刃（スクライバー）で傷入れを行い、ス
クライブライン５９を形成する。
Ｄウエハ５１の裏面が上になるようにして、ウエハをシ
ート６０に貼り付けてダイシング切り残し部５６に沿っ
てダイヤモンド刃（スクライバー）で傷入れを行い、ス
クライブライン５９を形成する。
【０００６】続いて、図４（ｄ）に示されるように、ロ
ーラー６２等でＬＥＤウエハ５１を軟質性のゴム６１等
に押しつけ、薄く残っているダイシング切り残し部５６
を分割して、各チップに分離する。その後、分離した半
導体チップはリードフレーム等に搭載され、モールド工
程等を経て、ＬＥＤランプが形成される。
ーラー６２等でＬＥＤウエハ５１を軟質性のゴム６１等
に押しつけ、薄く残っているダイシング切り残し部５６
を分割して、各チップに分離する。その後、分離した半
導体チップはリードフレーム等に搭載され、モールド工
程等を経て、ＬＥＤランプが形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のスクライブ・ブ
レイク方式の半導体素子の製造方法では、ダイシング切
り残し部５６は薄いほうが好ましいが、この場合、ウエ
ハテスト工程やウエハ取り扱い中にウエハ割れが起こり
やすくなるので、ダイシング切り残し部の厚さは、通常
１００μｍ前後が用いられてきた。ところが、切り残し
部の厚さが大きいと、チップの分割性が悪くなり、分割
されない所が発生する。また、分割工程で押圧力を大き
くすると分割後のウエハ形状が悪化し、歩留まりが悪く
なる怖れがあった。
レイク方式の半導体素子の製造方法では、ダイシング切
り残し部５６は薄いほうが好ましいが、この場合、ウエ
ハテスト工程やウエハ取り扱い中にウエハ割れが起こり
やすくなるので、ダイシング切り残し部の厚さは、通常
１００μｍ前後が用いられてきた。ところが、切り残し
部の厚さが大きいと、チップの分割性が悪くなり、分割
されない所が発生する。また、分割工程で押圧力を大き
くすると分割後のウエハ形状が悪化し、歩留まりが悪く
なる怖れがあった。
【０００８】また、ダイシング切り残し部５６は厚いほ
ど安定したチップ分割が難しくなり、特にチップサイズ
が小さくなるに伴い、よりチップ化が困難になる問題が
あった。
ど安定したチップ分割が難しくなり、特にチップサイズ
が小さくなるに伴い、よりチップ化が困難になる問題が
あった。
【０００９】本発明は、上述の問題点を鑑みてなされた
ものであり、ダイシング切り残し部の厚さを薄くして
も、ウエハ割れが起こりにくい半導体素子の製造方法を
提供することを目的とする。
ものであり、ダイシング切り残し部の厚さを薄くして
も、ウエハ割れが起こりにくい半導体素子の製造方法を
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
半導体素子の製造方法は、複数の半導体素子が形成され
た半導体ウエハを導電性の有する接合材を介して支持部
材に貼り合わせる工程と、該半導体ウエハ表面にダイシ
ング溝を形成する工程と、該半導体ウエハの複数の半導
体素子をウエハテストする工程と、該半導体ウエハの裏
面にスクライブラインを形成し押圧して半導体ウエハを
チップに分離する工程と、を含むことを特徴とするもの
である。
半導体素子の製造方法は、複数の半導体素子が形成され
た半導体ウエハを導電性の有する接合材を介して支持部
材に貼り合わせる工程と、該半導体ウエハ表面にダイシ
ング溝を形成する工程と、該半導体ウエハの複数の半導
体素子をウエハテストする工程と、該半導体ウエハの裏
面にスクライブラインを形成し押圧して半導体ウエハを
チップに分離する工程と、を含むことを特徴とするもの
である。
【００１１】また、本発明の請求項２記載の半導体素子
の製造方法は、前記接合材は非導電性の接着材に導電体
を積層または混在させて導電性を付与してなることを特
徴とするものである。
の製造方法は、前記接合材は非導電性の接着材に導電体
を積層または混在させて導電性を付与してなることを特
徴とするものである。
【００１２】また、本発明の請求項３記載の半導体素子
の製造方法は、前記接合材は導電性シートであることを
特徴とするものである。
の製造方法は、前記接合材は導電性シートであることを
特徴とするものである。
【００１３】さらに、本発明の請求項４記載の半導体素
子の製造方法は、前記非導電性の接着材は、発泡剥離シ
ートまたはＵＶシートからなることを特徴とするもので
ある。
子の製造方法は、前記非導電性の接着材は、発泡剥離シ
ートまたはＵＶシートからなることを特徴とするもので
ある。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態であ
る半導体装置の製造方法を示す図である。図１（ａ）に
示すように、半導体ウエハに複数のＬＥＤ素子（または
半導体素子）が形成されたウエハ（以下、ＬＥＤウエハ
と呼ぶ）１１は上面に上部電極１３がパターンニングさ
れて被着されており、下面には下部電極１４がウエハ全
面を覆っている。１２はＰＮ接合面である。
る半導体装置の製造方法を示す図である。図１（ａ）に
示すように、半導体ウエハに複数のＬＥＤ素子（または
半導体素子）が形成されたウエハ（以下、ＬＥＤウエハ
と呼ぶ）１１は上面に上部電極１３がパターンニングさ
れて被着されており、下面には下部電極１４がウエハ全
面を覆っている。１２はＰＮ接合面である。
【００１５】このＬＥＤウエハ１１を接合材３０に貼り
合わせる。接合材３０は、（イ）非導電性の接着材２１
に導電体を積層または混在させて導電性を付与してなる
構造のものと、（ロ）接合材３０そのものが導電性シー
ト等により導電性を有する構造のものとがある。図１
（ａ）の場合は（イ）に該当する。非導電性の接着材２
１は、両面粘着タイプの発泡剥離シート等が使用され
る。発泡剥離シートは加熱により粘着力が低下して容易
に剥離できるシートである。接合材３０に導電性を付与
するため、導電体である金線２２を接着材２１とＬＥＤ
ウエハ１１との間に挟み込んで貼り合わせる。このよう
に構成することにより、ウエハテストの際、下部電極１
４と電気的導通を図ることができる。金線２２が太いと
接着材２１に金線２２がめり込まないので、ＬＥＤウエ
ハ１１が浮き上がってしまい、ダイシング工程で支障を
きたすため、金線２２の太さは２０μｍ程度が適切であ
る。また、接合材３０を上記の（ロ）接合材３０そのも
のが導電性シート等により導電性を有する構造のもの場
合は、金線２２等は不要である。
合わせる。接合材３０は、（イ）非導電性の接着材２１
に導電体を積層または混在させて導電性を付与してなる
構造のものと、（ロ）接合材３０そのものが導電性シー
ト等により導電性を有する構造のものとがある。図１
（ａ）の場合は（イ）に該当する。非導電性の接着材２
１は、両面粘着タイプの発泡剥離シート等が使用され
る。発泡剥離シートは加熱により粘着力が低下して容易
に剥離できるシートである。接合材３０に導電性を付与
するため、導電体である金線２２を接着材２１とＬＥＤ
ウエハ１１との間に挟み込んで貼り合わせる。このよう
に構成することにより、ウエハテストの際、下部電極１
４と電気的導通を図ることができる。金線２２が太いと
接着材２１に金線２２がめり込まないので、ＬＥＤウエ
ハ１１が浮き上がってしまい、ダイシング工程で支障を
きたすため、金線２２の太さは２０μｍ程度が適切であ
る。また、接合材３０を上記の（ロ）接合材３０そのも
のが導電性シート等により導電性を有する構造のもの場
合は、金線２２等は不要である。
【００１６】次に、図１（ｂ）に示されるように、ＬＥ
Ｄウエハ１１を貼り合わせた接合材３０の裏面に、支持
部材である補助板２３を貼り付ける。補助板２３を貼り
付けることにより、ＬＥＤウエハ１１を補強してウエハ
割れを防ぐことができる。この補助板２３を貼り付ける
際、接合材３０の下面と補助板２３の下面に気泡が入り
込むことがある。この気泡はＬＥＤウエハ１１を浮き上
がらせる要因となり、ダイシングの切り残しダイシング
切り残し部の厚さに影響を及ぼすため、図３で後述する
ように、真空容器を用いた方法も用いられる。
Ｄウエハ１１を貼り合わせた接合材３０の裏面に、支持
部材である補助板２３を貼り付ける。補助板２３を貼り
付けることにより、ＬＥＤウエハ１１を補強してウエハ
割れを防ぐことができる。この補助板２３を貼り付ける
際、接合材３０の下面と補助板２３の下面に気泡が入り
込むことがある。この気泡はＬＥＤウエハ１１を浮き上
がらせる要因となり、ダイシングの切り残しダイシング
切り残し部の厚さに影響を及ぼすため、図３で後述する
ように、真空容器を用いた方法も用いられる。
【００１７】次に、図１（ｃ）に示されるように、ダイ
シングによりＬＥＤウエハ１１に縦横にダイシング溝１
５を形成する。この時、ダイシング切り残し部１６の厚
さは約４０μｍ程度である。ＬＥＤウエハ１１は、補助
板２３で補強されているため、ウエハ割れは発生せず、
ウエハの取り扱いは、従来に比べて非常に容易になる。
シングによりＬＥＤウエハ１１に縦横にダイシング溝１
５を形成する。この時、ダイシング切り残し部１６の厚
さは約４０μｍ程度である。ＬＥＤウエハ１１は、補助
板２３で補強されているため、ウエハ割れは発生せず、
ウエハの取り扱いは、従来に比べて非常に容易になる。
【００１８】続いて、図１（ｄ）に示されるように、ウ
エハテストを行う。チップの上部電極に１３にプローブ
針１７を接触させる。この時、下部電極１４に接触して
いる金線２２から他方の電極を取り出す。なお、接合材
３０として導電性シートを用いる場合には導電性シート
から他方の電極を取り出すことができる。この工程にお
いても、ＬＥＤウエハ１１は、補助板２３で補強されて
いるため、ウエハ割れは発生せず、ウエハの取り扱い
は、従来に比べて非常に容易になる。
エハテストを行う。チップの上部電極に１３にプローブ
針１７を接触させる。この時、下部電極１４に接触して
いる金線２２から他方の電極を取り出す。なお、接合材
３０として導電性シートを用いる場合には導電性シート
から他方の電極を取り出すことができる。この工程にお
いても、ＬＥＤウエハ１１は、補助板２３で補強されて
いるため、ウエハ割れは発生せず、ウエハの取り扱い
は、従来に比べて非常に容易になる。
【００１９】続いて、ＬＥＤウエハ１１上面に別の粘着
シート２０を貼り合わせた後、ＬＥＤウエハ１１の下面
の接合材３０を剥離する。接合材３０として、上記
（イ）の構成、即ち、非導電性の接着材２１に導電体を
積層または混在させて導電性を付与してなる構造であ
り、接着材２１として発泡剥離シートが用いられている
場合には、接着材２１を加熱することにより、容易に剥
離することができる。接着材２１として、紫外線を照射
すると粘着力が無くなるＵＶシートも使用することがで
きる。この場合、接着材２１の粘着力を落すために紫外
線を照射する必要があるため、補助板２３は紫外線透過
のものを使用する。
シート２０を貼り合わせた後、ＬＥＤウエハ１１の下面
の接合材３０を剥離する。接合材３０として、上記
（イ）の構成、即ち、非導電性の接着材２１に導電体を
積層または混在させて導電性を付与してなる構造であ
り、接着材２１として発泡剥離シートが用いられている
場合には、接着材２１を加熱することにより、容易に剥
離することができる。接着材２１として、紫外線を照射
すると粘着力が無くなるＵＶシートも使用することがで
きる。この場合、接着材２１の粘着力を落すために紫外
線を照射する必要があるため、補助板２３は紫外線透過
のものを使用する。
【００２０】次に、図１（ｅ）に示されるように、下部
電極１４にダイヤモンド刃（スクライブバー）によって
スクライブライン１９をダイシング溝１５に沿って縦横
に設ける。
電極１４にダイヤモンド刃（スクライブバー）によって
スクライブライン１９をダイシング溝１５に沿って縦横
に設ける。
【００２１】次に図１（ｆ）に示されるように下部電極
１４面をローラ２４によって軟質ゴム２５に押しつける
ことにより、薄く残っているダイシング切り残し部１６
を分割して各々の半導体チップ（ＬＥＤチップ）に分割
する。ダイシング切り残し部１６が薄いため、チップ化
は従来のものに比べ非常に容易に行え、また、そのチッ
プの形状は非常に安定したものとすることができる。
１４面をローラ２４によって軟質ゴム２５に押しつける
ことにより、薄く残っているダイシング切り残し部１６
を分割して各々の半導体チップ（ＬＥＤチップ）に分割
する。ダイシング切り残し部１６が薄いため、チップ化
は従来のものに比べ非常に容易に行え、また、そのチッ
プの形状は非常に安定したものとすることができる。
【００２２】上述のスクライブ・ブレイク方式の製造方
法によればダイシング切り残しの厚さを２０〜６０μｍ
程度に薄くしてもウエハ割れを防ぐことが可能となる。
また、スクライブ・ブレイク方式の場合、ダイシング切
り残しの厚さの２倍程度がチップ厚さの下限となる。従
来例の１００μｍの切り残しの厚さの場合、一般的にチ
ップの厚さが２００μｍが限界であったが、本発明によ
り、チップの厚さが４０μｍ程度のチップの厚さであっ
てもスクライブ・ブレイク方式により形状の整った半導
体チップを得ることができる。結局、本発明により、一
辺の長さが４０μｍ程度の小さなチップサイズであって
もスクライブ・ブレイク方式で作ることが可能となり、
小型で安価なチップを提供することができる。
法によればダイシング切り残しの厚さを２０〜６０μｍ
程度に薄くしてもウエハ割れを防ぐことが可能となる。
また、スクライブ・ブレイク方式の場合、ダイシング切
り残しの厚さの２倍程度がチップ厚さの下限となる。従
来例の１００μｍの切り残しの厚さの場合、一般的にチ
ップの厚さが２００μｍが限界であったが、本発明によ
り、チップの厚さが４０μｍ程度のチップの厚さであっ
てもスクライブ・ブレイク方式により形状の整った半導
体チップを得ることができる。結局、本発明により、一
辺の長さが４０μｍ程度の小さなチップサイズであって
もスクライブ・ブレイク方式で作ることが可能となり、
小型で安価なチップを提供することができる。
【００２３】図２は、ＬＥＤウエハを接着材２１に貼り
合わせた状態を示す斜視図である。接合材３０は上記の
（イ）非導電性の接着材２１に導電体を積層または混在
させて導電性を付与してなる構造のものであり、ＬＥＤ
ウエハ１１の下面に接合材３０が貼り合わされ、ＬＥＤ
ウエハ１１と接合材３０の間に金線２２が挟み込まれて
いる。１３はチップの上部電極である。
合わせた状態を示す斜視図である。接合材３０は上記の
（イ）非導電性の接着材２１に導電体を積層または混在
させて導電性を付与してなる構造のものであり、ＬＥＤ
ウエハ１１の下面に接合材３０が貼り合わされ、ＬＥＤ
ウエハ１１と接合材３０の間に金線２２が挟み込まれて
いる。１３はチップの上部電極である。
【００２４】図３は、図１（ｂ）で説明したＬＥＤウエ
ハ１１を貼り合わせた接合材３０の裏面に、支持部材で
ある補助板２３を貼り付ける工程に真空容器を用いた方
法を説明する図である。
ハ１１を貼り合わせた接合材３０の裏面に、支持部材で
ある補助板２３を貼り付ける工程に真空容器を用いた方
法を説明する図である。
【００２５】図３（ａ）に示されるように、ＬＥＤウエ
ハ１１、接合材３０、支持部材である補助板２３を仮貼
り付けにより積層したものを、真空容器２６中に入れ、
重り等により加圧状態とし、真空引きを行うことによっ
て、接合材３０と補助板２３との間の気泡を吸引するこ
とによって、補助板２３と接合材３０とを密着させるこ
とができる。
ハ１１、接合材３０、支持部材である補助板２３を仮貼
り付けにより積層したものを、真空容器２６中に入れ、
重り等により加圧状態とし、真空引きを行うことによっ
て、接合材３０と補助板２３との間の気泡を吸引するこ
とによって、補助板２３と接合材３０とを密着させるこ
とができる。
【００２６】また、図３（ｂ）に示されるように、補助
板２３に通気性のある多孔質部材を使用することによっ
て、補助板２３下方から接合材３０と補助板２３との間
の気泡２７を真空引きすることによって、補助板２３と
接合材３０とを密着させることができる。
板２３に通気性のある多孔質部材を使用することによっ
て、補助板２３下方から接合材３０と補助板２３との間
の気泡２７を真空引きすることによって、補助板２３と
接合材３０とを密着させることができる。
【００２７】また、上述のＬＥＤチップの製造工程は他
の半導体素子の製造工程に使用できることは明らかであ
る。
の半導体素子の製造工程に使用できることは明らかであ
る。
【００２８】
【発明の効果】本発明の請求項１記載の半導体素子の製
造方法よれば、複数の半導体素子が形成された半導体ウ
エハを導電性の有する接合材を介して支持部材に貼り合
わせる工程と、該半導体ウエハ表面にダイシング溝を形
成する工程と、該半導体ウエハの複数の半導体素子をウ
エハテストする工程と、該半導体ウエハの裏面にスクラ
イブラインを形成し押圧して半導体ウエハをチップに分
離する工程と、を含むことを特徴とするものであり、支
持部材で半導体ウエハを支持することにより、ウエハ割
れを減少させることができ、また、ウエハ切り残しの厚
さを小さく設定することができ、半導体チップへの分離
を安定して行うことができる。
造方法よれば、複数の半導体素子が形成された半導体ウ
エハを導電性の有する接合材を介して支持部材に貼り合
わせる工程と、該半導体ウエハ表面にダイシング溝を形
成する工程と、該半導体ウエハの複数の半導体素子をウ
エハテストする工程と、該半導体ウエハの裏面にスクラ
イブラインを形成し押圧して半導体ウエハをチップに分
離する工程と、を含むことを特徴とするものであり、支
持部材で半導体ウエハを支持することにより、ウエハ割
れを減少させることができ、また、ウエハ切り残しの厚
さを小さく設定することができ、半導体チップへの分離
を安定して行うことができる。
【００２９】また、本発明の請求項２記載の半導体素子
の製造方法によれば、前記接合材は非導電性の接着材に
導電体を積層または混在させて導電性を付与してなるこ
とを特徴とするものであり、非導電性の接着材の選択の
自由度を増すことができ、また導電性を与える導電体の
選択の自由度を増すことができる。
の製造方法によれば、前記接合材は非導電性の接着材に
導電体を積層または混在させて導電性を付与してなるこ
とを特徴とするものであり、非導電性の接着材の選択の
自由度を増すことができ、また導電性を与える導電体の
選択の自由度を増すことができる。
【００３０】また、本発明の請求項３記載の半導体素子
の製造方法によれば、前記接合材は導電性シートである
ことを特徴とするものであり、接合材の厚さを薄くする
ことができ、薄いウエハに形成された半導体チップであ
ってもウエハテストを容易に行うことができる。
の製造方法によれば、前記接合材は導電性シートである
ことを特徴とするものであり、接合材の厚さを薄くする
ことができ、薄いウエハに形成された半導体チップであ
ってもウエハテストを容易に行うことができる。
【００３１】さらに、本発明の請求項４記載の半導体素
子の製造方法によれば、前記非導電性の接着材は、発泡
剥離シートまたはＵＶシートからなることを特徴とする
ものであり、接着材を容易にウエハから剥離できるの
で、ウエハに余分な力がかからず、ウエハ割れを防ぐこ
とができる。
子の製造方法によれば、前記非導電性の接着材は、発泡
剥離シートまたはＵＶシートからなることを特徴とする
ものであり、接着材を容易にウエハから剥離できるの
で、ウエハに余分な力がかからず、ウエハ割れを防ぐこ
とができる。
【図１】本発明の一実施の形態である半導体素子の製造
方法を示す工程図である。
方法を示す工程図である。
【図２】本発明の一実施の形態であるＬＥＤウエハを接
合材に貼り合わせた状態を示す斜視図である。
合材に貼り合わせた状態を示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施の形態であるＬＥＤウエハを補
助板と貼り合わせる工程を示す説明図であり、（ａ）は
全体に真空引きを用いる場合の図であり、（ｂ）は通気
性のある補助板を用いる場合の図である。
助板と貼り合わせる工程を示す説明図であり、（ａ）は
全体に真空引きを用いる場合の図であり、（ｂ）は通気
性のある補助板を用いる場合の図である。
【図４】従来例の半導体素子の製造方法を示す工程図で
ある。
ある。
１１ ＬＥＤウエハ １３ 上部電極 １４ 下部電極 １５ ダイシング溝 １６ ダイシング切り残し部 １７ プローブ針 １９ スクライブライン ２１ 接着材 ２２ 金線 ２３ 補助板 ２４ ローラ ３０ 接合材
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の半導体素子が形成された半導体ウ
エハを導電性の有する接合材を介して支持部材に貼り合
わせる工程と、該半導体ウエハ表面にダイシング溝を形
成する工程と、該半導体ウエハの複数の半導体素子をウ
エハテストする工程と、該半導体ウエハの裏面にスクラ
イブラインを形成し押圧して半導体ウエハをチップに分
離する工程と、を含むことを特徴とする半導体素子の製
造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子の製造方法に
おいて、前記接合材は非導電性の接着材に導電体を積層
または混在させて導電性を付与してなることを特徴とす
る半導体素子の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体素子の製造方法に
おいて、前記接合材は導電性シートであることを特徴と
する半導体素子の製造方法。 - 【請求項４】 請求項２記載の半導体素子の製造方法に
おいて、前記非導電性の接着材は、発泡剥離シートまた
はＵＶシートからなることを特徴とする半導体素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23362797A JPH1174167A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23362797A JPH1174167A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174167A true JPH1174167A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=16958017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23362797A Pending JPH1174167A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1174167A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002025947A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| KR100383206B1 (ko) * | 1999-07-22 | 2003-05-12 | 가부시끼가이샤 도시바 | 웨이퍼의 분할 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US6593170B2 (en) * | 2000-05-11 | 2003-07-15 | Disco Corporation | Semiconductor wafer dividing method |
| JP2006027795A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 吸着装置、ならびに板状部材の搬送方法、液晶表示装置の製造方法 |
| JP2011049337A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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| CN112820659A (zh) * | 2019-11-15 | 2021-05-18 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种砷化镓基led芯片的半切测试方法 |
| JP2022093260A (ja) * | 2020-12-11 | 2022-06-23 | アッパー エレクトロニクス カンパニー，リミテッド | 半導体ユニットのテスト方法 |
-
1997
- 1997-08-29 JP JP23362797A patent/JPH1174167A/ja active Pending
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