JPH1155070A

JPH1155070A - 弾性表面波素子とその製造方法

Info

Publication number: JPH1155070A
Application number: JP9259104A
Authority: JP
Inventors: Keiji Onishi; 慶治大西; Yutaka Taguchi; 豊田口; Kazuo Eda; 和生江田; Osamu Kawasaki; 修川▲さき▼; Yoshihiro Tomita; 佳宏冨田; Shunichi Seki; 関　　俊一; Akihiko Nanba; 昭彦南波; Hiroteru Satou; 浩輝佐藤; Tetsuyoshi Ogura; 哲義小掠
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1997-06-02
Filing date: 1997-09-24
Publication date: 1999-02-26
Anticipated expiration: 2017-09-24
Also published as: JP3880150B2; US5998907A

Abstract

(57)【要約】【課題】既存の圧電基板の特性を変化させることな
く、周波数温度係数の小さい弾性表面波素子を提供す
る。【解決手段】主基板１０１と、主基板１０１の一方主
面上に形成された櫛形電極１０３と、主基板１０１の他
方主面に接着剤を介さずに直接接合された補助基板１０
２とを備え、補助基板１０２の熱膨張係数が、主基板１
０１の熱膨張係数よりも小さく、補助基板１０２の厚さ
が主基板１０１の厚さよりも厚い構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機器等
に使用される弾性表面波素子およびその製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】移動体通信の発展にともない、機器を構
造するキーデバイスの１つである弾性表面波素子に対す
る高性能化が求められている。弾性表面波素子は、圧電
基板が有する電気機械結合係数、遅延時間温度係数、弾
性表面波伝搬速度などの諸特性によって素子特性が左右
される。現在、一般に用いられている圧電基板は水晶、
タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの圧電単結
晶である。同じ基板種であっても圧電単結晶の異方性に
より、そのカット角、伝搬方向によって前記諸特性が異
なり、用途に応じて基板選択が行われている。これらの
圧電基板では、一般に、電気機械結合係数が大きければ
その周波数温度係数が大きく、逆に、周波数温度係数が
小さければその電気機械結合係数が小さくなっており、
従来より、電気機械結合係数が大きく、なおかつ周波数
温度係数の小さい基板材料が求められていた。

【０００３】また、移動体通信システムにおいても様々
なシステムが利用されており、その使用周波数帯も従来
の８００ＭＨｚ帯から１．９ＧＨｚ帯へとひろがりを見
せている。米国におけるＰＣＳシステムや欧州における
ＰＣＮシステムなどは、１．９ＧＨｚ帯を利用した移動
体通信システムであるが、送信帯域と受信帯域との周波
数差が非常に狭く（２０ＭＨｚ）なっている。そのた
め、例えば送信フィルタを考えた場合、受信帯域での減
衰量を確保することが非常に困難となっている。弾性表
面波フィルタを前記システムに適用する場合、通過帯域
を確保するため、通常タンタル酸リチウムやニオブ酸リ
チウムなどの電気機械結合係数の大きな圧電基板が使用
される。しかし、前記圧電基板の周波数温度係数が大き
いために（例えば、３６°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸
リチウムでは約−３５ｐｐｍ／℃）、実使用温度範囲や
製造偏差を考慮すると、実質的に送受信帯域間隔は十数
ＭＨｚしかないことになる。したがって、先ほどの送信
フィルタの例を考えると、ますます受信帯域の減衰量を
確保することが困難となっている。このような背景から
も、大きな電気機械結合係数を有し、なおかつ温度特性
の良好な圧電基板への要望が強くあった。

【０００４】弾性表面波素子の周波数温度係数を改善す
る方法としては、種々のアプローチが行われている。た
とえば、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．（Ｖｏｌ．５０，ｐ
ｐ．１３６０−１３６９，１９７９）や、ＩＥＥＥＴ
ｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓＳｏｎｉｃｓａｎｄＵｌ
ｔｒａｓｏｎｉｃｓ（Ｖｏｌ．ＳＵ−３１，ｐｐ．５１
−５７，１９８４）に示されるように、タンタル酸リチ
ウムまたはニオブ酸リチウム上に、その周波数温度係数
の符号が逆の酸化珪素膜を形成することにより弾性表面
波素子の周波数温度係数を改善する方法がよく知られて
いる。また、ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓＵ
ｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ，Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
ｓ，ａｎｄＦｒｅｑｕｅｎｃｙＣｏｎｔｒｏｌ
（Ｖｏｌ．４１，ｐｐ．８７２−８７５，１９９４）に
示されるように、圧電基板表面に分極反転層を形成する
ことにより、圧電体の電界短絡効果を利用し、弾性表面
波素子の周波数温度係数を制御する方法が報告されてい
る。また、異なる圧電基板を直接接合することにより新
規の圧電特性を有する圧電基板を利用する方法が提案さ
れている。

【０００５】以下に、従来の弾性表面波素子について説
明する。

【０００６】まず、既存の圧電基板上に酸化珪素膜を形
成した、従来の弾性表面波素子について説明する。図９
は、圧電基板上に酸化珪素膜を形成した従来の弾性表面
波素子の素子断面図である。図９において、２０１は圧
電基板、２０３は櫛形電極、２０４は酸化珪素膜であ
る。圧電基板２０１としては、タンタル酸リチウムやニ
オブ酸リチウムが用いられる。本弾性表面波素子の製造
方法としては、最初に、圧電基板２０１上に櫛形電極２
０３を形成し、その後、櫛形電極２０３が形成された圧
電基板２０１上に、スパッタ工法等により酸化珪素膜２
０４を形成する。酸化珪素の膜厚によって、圧電特性は
変化し、ある膜厚（通常、弾性表面波波長で正規化して
表現される）でゼロ温度係数が得られる。

【０００７】次に、圧電基板表面に分極反転層を形成し
た、従来の弾性表面波素子について説明する。図１０
は、圧電基板表面に分極反転層を形成した従来の弾性表
面波素子の素子断面図である。図１０において、２０１
は圧電基板、２０３は櫛形電極、２０５は分極反転層で
ある。本弾性表面波素子の製造方法としては、最初に、
圧電基板２０１の表層に分極反転層２０５を形成し、そ
の後、櫛形電極２０３を形成する。分極反転層２０５の
電界短絡効果により、ある深さの分極反転層を形成する
ことで、既存の圧電基板に比べて良好な温度特性を得る
ことができる。

【０００８】また、図１１は圧電単結晶同士を直接接合
により一体化し、新規の圧電特性を実現することを目的
とした、従来の弾性表面波素子の構成を示した断面図で
ある。図１１において、２０１は第１の圧電基板からな
る主基板、２０２は第２の圧電基板からなる補助基板、
２０３は櫛形電極である。この構成では、主基板２０１
の厚さを弾性表面波波長の１波長以下に薄板化すること
により、主基板単体を伝搬する場合の弾性表面波とは異
なるモードの弾性表面波を励振し、新たな特性を有する
弾性表面波素子を実現している。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の弾性表面波素子の場合には、以下のような課題を有
していた。

【００１０】まず、酸化珪素膜や分極反転層を利用した
場合には、温度特性を改善するために、圧電基板単体の
特性が変化するが避けられないという課題が挙げられ
る。すなわち、弾性表面波速度の変化、弾性表面波伝搬
損失の増大、電気機械結合係数の変化、不要スプリアス
の発現などである。さらに、酸化珪素膜を利用した場合
には、酸化珪素膜の膜厚ばらつきにより、圧電基板の圧
電特性、弾性表面波速度がばらつくため、製造偏差を抑
えることが困難であった。また、酸化珪素の膜質によっ
ても、特性が変化することがあった。同様に、分極反転
層を利用した場合においても、分極反転層深さのばらつ
きによって、圧電基板の圧電特性、弾性表面波速度が変
化するという課題を有していた。

【００１１】一方、直接接合を利用した従来の弾性表面
波素子では、主基板である第１の圧電基板を高精度に薄
板化することが必要であり、プロセス的に高周波化が困
難であった。

【００１２】本発明は、このような従来の弾性表面波用
圧電基板の温度特性の制御がむずかしいという課題を考
慮し、圧電基板の電気機械結合係数や弾性表面波速度等
の諸特性を変化させることなく、良好な温度特性を有す
る弾性表面波素子およびその製造方法を提供するもので
ある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の本発明は、主基板と、前記主基板の一方
主面上に形成された櫛形電極と、前記主基板の他方主面
に接着剤を介さずに直接接合された補助基板とを備え、
前記補助基板の熱膨張係数が、前記主基板の熱膨張係数
よりも小さく、前記補助基板の厚さが前記主基板の厚さ
よりも厚いことを特徴とする弾性表面波素子である。

【００１４】また、請求項２の本発明は、主基板と、前
記主基板の一方主面上に形成された櫛形電極と、前記主
基板の他方主面に接着剤を介さずに直接接合された補助
基板とを備え、前記補助基板の熱膨張係数が、前記主基
板の熱膨張係数よりも大きく、前記補助基板の厚さが前
記主基板の厚さよりも薄いことを特徴とする弾性表面波
素子である。

【００１５】さらに、請求項１３の本発明は、主基板と
補助基板とを洗浄して親水化処理する親水化処理工程
と、前記親水化処理工程の後、前記主基板と前記補助基
板とを直接接合する直接接合工程と、前記直接接合工程
の後、前記主基板上に櫛形電極を形成する電極形成工程
とを含むことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法で
ある。

【００１６】また、請求項１４の本発明は、主基板原板
と補助基板原板とを洗浄して親水化処理する親水化処理
工程と、前記親水化処理工程の後、前記主基板原板と前
記補助基板原板とを直接接合して接合体を生成する直接
接合工程と、前記直接接合工程の後、前記主基板原板上
に櫛形電極を形成する電極形成工程と、前記電極形成工
程の後、前記接合体の前記櫛形電極を形成された前記接
合体を個々の弾性表面波素子に分割する分割工程とを含
むことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法である。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。

【００１８】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態における弾性表面波素子の構成の概略を
示す図である。図１において、（ａ）は全体斜視図、
（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図である。また、
図１において、１０１は主基板、１０２は補助基板、１
０３は櫛形電極である。なお、本実施の形態では、主基
板１０１として厚さ１００μｍの３６°ＹカットＸ伝搬
のタンタル酸リチウムを用い、補助基板１０２として厚
さ３００μｍの低熱膨張ガラス基板を用いている。主基
板１０１の厚さは、弾性表面波波長に比べて十分厚い１
０波長に設定している。なお、それぞれの基板の熱膨張
係数は、タンタル酸リチウムが１６ｐｐｍ／℃（弾性表
面波伝搬方向）、ガラス基板が４．５ｐｐｍ／℃であ
る。

【００１９】以下に、本実施の形態における弾性表面波
素子の製造方法を図面を参照して説明する。

【００２０】最初に、主基板１０１と補助基板１０２と
の直接接合について説明する。まず、両面鏡面仕上げさ
れた、主基板１０１および補助基板１０２を準備する。
次に、両基板に付着しているダストや有機物質を除去す
るために、十分に洗浄する。そして、両基板を水酸化ア
ンモニウムと過酸化水素水との混合水溶液に浸責し、基
板表面を親水化処理する。そして、両基板を純水で十分
リンスすることにより、両基板表面は水酸基で終端され
る。次に、両基板一方主面同士を重ねあわせると、最初
両基板は水を介した接合となっているが、徐々に水分が
除去され水酸基、酸素、水素などの分子間力による接合
へと変化し、主基板１０１と補助基板１０２が強固に接
合される（初期接合）。

【００２１】次に、初期接合された両基板を熱処理す
る。常温放置によってもある程度の接合強度が得られて
いるが、より強固な接合とするために、１００℃以上の
温度で数十分から数十時間熱処理を行う。なお、本実施
の形態のように、両基板の熱膨張係数差が大きい場合に
は、両基板の大きさ（接合面積）によって熱処理温度に
制約が生じる。これは、温度上昇により初期接合された
基板が反り、過度の昇温を行うと基板に割れが生じるた
めである。このことから、初期接合された両基板は、十
分な接合強度を有しており熱処理中に互いにすべりを生
じることがなく、熱処理後室温において残留応力のない
接合体が得られていることがわかる。

【００２２】次に、得られた接合体の主基板側表面に、
通常のフォトリソグラフィ技術を用いて、櫛形電極１０
３を形成する。なお、このプロセスにおいてフォトレジ
ストのプリベークなどの加熱プロセスでは基板が反るた
めに、ホットプレート等を利用すると基板面内の温度分
布が大きくなるので、オーブン等を用いて熱処理するこ
とが好ましい。以上のプロセスを経て、本実施の形態に
おける弾性表面波素子は製造される。

【００２３】次に、前記弾性表面波素子の温度特性につ
いて説明する。弾性表面波素子の周波数温度特性（ＴＣ
Ｆ）は、近似的に弾性表面波伝搬速度の温度依存性（Ｔ
ＣＶ）と、素子基板の熱膨張係数（α）の差によって与
えられる。また、ＴＣＶは簡単には基板の弾性定数の温
度変化と密度の温度変化に依存し、タンタル酸リチウム
やニオブ酸リチウムなどの高結合基板は負のＴＣＶ（温
度が上がれば弾性表面波伝搬速度が遅くなる）を有して
いる。

【００２４】本実施の形態における弾性表面波素子に用
いられているような接合基板のＴＣＶについては、主基
板１０１の厚さが弾性表面波波長の１波長以上であるの
で、主基板の弾性定数と密度を主に考慮すればよい。た
だし、密度は基板表面の熱膨張係数の関数であるので、
補助基板１０２との熱膨張係数差に起因する熱応力によ
る歪みを考慮しなければならない。また、前記歪みによ
る弾性定数の変化を考慮する必要がある。

【００２５】本実施の形態においては、熱膨張係数の大
きな主基板１０１と、主基板よりも厚く、熱膨張係数の
小さな補助基板１０２を直接接合しており、正の温度変
化により主基板の表面近傍では圧縮応力が作用し、主基
板本来の熱膨張係数よりも小さな値を示し、密度変化も
小さくなる。従って、ＴＣＶの変化が小さくなり、弾性
表面波伝搬方向の線膨張係数の変化が小さくなることと
併せて、前記弾性表面波素子のＴＣＦは改善される。

【００２６】図２に本実施の形態における弾性表面波素
子の周波数温度変化を示す。本図は、弾性表面波素子と
して、共振周波数５００ＭＨｚの１ポート共振子を用い
た場合についてのものである。この図からわかるよう
に、従来の３６°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム
の周波数温度特性である−３５ｐｐｍ／℃に比べて、本
実施の形態の弾性表面波素子では−２０ｐｐｍ／℃と大
幅に改善されていることがわかる。

【００２７】以上のように、本実施の形態においては、
電気機械結合係数や弾性表面波伝搬速度等の諸特性を変
化させることなく、良好な温度特性を有する弾性表面波
素子を得ることができる。

【００２８】なお、本実施の形態においては、主基板と
して３６°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウムを用い
たが、これに限らず、他のカット角を用いた場合でも、
補助基板として主基板よりも小さな熱膨張係数を有する
基板を用いれば、同様の効果が得られる。また、両基板
の弾性表面波伝搬方向の熱膨張係数が同等であっても、
弾性表面波伝搬方向に垂直な方向の熱膨張係数につい
て、補助基板の熱膨張係数が主基板のものよりも小さけ
れば、密度変化を抑制することができ、ＴＣＦを改善す
ることが可能である。ただし、その改善効果は、ＴＣＶ
の寄与のみとなるため小さくなる。また、主基板とし
て、ニオブ酸リチウムやランガサイト、ホウ酸リチウム
等の基板を用いた場合でも同様の効果が得られる。

【００２９】また、本実施の形態においては、主基板の
厚さを弾性表面波波長の約１０倍としたが、これに限ら
ず、前記厚さは弾性表面波の粒子変位が集中する１波長
程度以上であれば、弾性表面波素子の特性に影響を与え
ることなく、弾性表面波素子の温度特性を改善すること
ができる。したがって、本実施の形態において、直接接
合された主基板の一方主面側から研磨等の薄板加工を行
って主基板の厚さを薄くすれば、補助基板からの応力の
作用が大きくなり、より一層温度特性を改善することが
できる。

【００３０】また、本実施の形態においては、補助基板
としてガラスを用いたが、これに限らず、シリコンなど
の他の低熱膨張材料を用いてもよい。補助基板としてガ
ラスを用いた場合には、その非晶質性により、単結晶で
ある主基板との接合が容易となる。また、ガラスの場合
にはその組成によって種々の機械的的性質を持った材料
を得ることができ、温度特性の制御が容易となる。ま
た、補助基板として、導電性基板を用いた場合には、例
えば主基板の焦電性を抑制する効果がある。さらに、こ
の場合において、主基板が比較的薄いときには、電解短
絡効果による温度特性改善も可能である。

【００３１】また、本実施の形態の弾性表面波素子上
に、酸化珪素膜を形成することによって、従来酸化珪素
を用いて得られていたゼロ温度係数基板の圧電特性とは
異なる特性を有する、温度特性が良好な弾性表面波素子
を得ることができる。

【００３２】また、本実施の形態の主基板に分極反転層
を形成することで、前記酸化珪素膜を用いた場合と同様
に、従来とは異なる圧電特性を有する温度特性が良好な
弾性表面波素子を得ることができる。

【００３３】（第２の実施の形態）図３は、本発明の第
２の実施の形態における弾性表面波素子の構成の概略を
示す断面図である。図３において、１０１は主基板、１
０２は補助基板、１０３は櫛形電極である。なお、本実
施の形態では、主基板１０１として厚さ３００μｍＸカ
ット１１２°Ｙ伝搬のタンタル酸リチウムを用い、補助
基板１０２として厚さ１００μｍのガラス基板を用いて
いる。主基板１０１の厚さは、弾性表面波波長に比べて
十分厚く設定している。なお、それぞれの基板の熱膨張
係数は、タンタル酸リチウムが４ｐｐｍ／℃（Ｚ方
向）、ガラス基板が１２ｐｐｍ／℃である。また、櫛形
電極１０３の構成は、上述した第１の実施の形態と同様
である。

【００３４】以下に、本実施の形態における弾性表面波
素子の製造方法を図面を参照して説明する。なお、以下
の説明において、特に説明のないものについては、第１
の実施の形態と同じとする。

【００３５】まず、上述した第１の実施の形態と同様に
して、主基板１０１と補助基板１０２との直接接合を行
う。そして、初期接合された両基板を、接合強度をより
強固にするために大気中にて熱処理を行う。次に、得ら
れた接合体の主基板側表面に、通常のフォトリソグラフ
ィ技術を用いて、櫛形電極１０３を形成する。以上のプ
ロセスを経て、本実施の形態における弾性表面波素子は
製造される。

【００３６】次に、前記弾性表面波素子の温度特性につ
いて説明する。弾性表面波素子の周波数温度特性（ＴＣ
Ｆ）は、前述の通り、近似的に弾性表面波伝搬速度の温
度依存性（ＴＣＶ）と、素子基板の熱膨張係数（α）の
差によって与えられる。本実施の形態のように、熱膨張
係数の小さな主基板１０１と、主基板よりも薄く、熱膨
張係数の大きな補助基板１０２を直接接合した場合に
は、正の温度変化により接合界面の主基板側に引っ張り
応力が作用し、接合体自体は主基板側に反る。したがっ
て、本実施の形態における主基板１０１と補助基板１０
２のような基板の組み合わせにおいては、主基板におけ
る弾性表面波主基板の熱膨張係数が小さくなることと同
様の効果を得ることができる。従って、上述した第１の
実施の形態と同様に、温度特性を改善することができ
る。

【００３７】なお、本実施の形態においては、主基板１
０１としてＸカット１１２°Ｙ伝搬のタンタル酸リチウ
ムを用いたが、これに限らず、他のカット角を用いた場
合でも、補助基板として主基板よりも大きな熱膨張係数
を有する基板を用いれば、同様の効果が得られる。ま
た、主基板として、ニオブ酸リチウムやランガサイト、
ホウ酸リチウム等の基板を用いた場合でも同様の効果が
得られる。

【００３８】また、本実施の形態においては、補助基板
としてガラスを用いたが、これに限らず、補助基板とし
て、導電性基板を用いた場合には、例えば主基板の焦電
性を抑制する効果がある。

【００３９】以上のように、本実施の形態においては、
電気機械結合係数や弾性表面波伝搬速度等の諸特性を変
化させることなく、良好な温度特性を有する弾性表面波
素子を得ることができる。

【００４０】（第３の実施の形態）図４は、本発明の第
３の実施の形態における弾性表面波素子の構成の概略を
示す断面図である。図４において、１０１は主基板、１
０２は補助基板、１０３は櫛形電極、１０４は酸化珪素
膜である。なお、本実施の形態では、主基板１０１とし
て厚さ１００μｍの４１°ＹカットＸ伝搬のニオブ酸リ
チウムを用い、補助基板１０２として厚さ３００μｍの
低熱膨張ガラス基板を用いている。主基板の厚さは、弾
性表面波波長に比べて十分く設定している。なお、それ
ぞれの基板の熱膨張係数は、ニオブ酸リチウムが１５．
４ｐｐｍ／℃（弾性表面波伝搬方向）、ガラス基板が
４．５ｐｐｍ／℃である。また、櫛形電極１０３の構成
は、第１の実施の形態と同様である。

【００４１】以下に、本実施の形態における弾性表面波
素子の製造方法を図面を参照して説明する。なお、以下
の説明において、特に説明のないものについては、第１
の実施の形態と同じとする。

【００４２】まず、第１の実施の形態と同様にして、主
基板１０１と補助基板１０２とを直接接合する。次に、
前記主基板１０１の一方主面上に櫛形電極１０３を形成
する。最後に、前記櫛形電極１０３が形成された主基板
１０１上に酸化珪素膜１０４をスパッタリングにより形
成する。以上のプロセスを経て、本実施の形態における
弾性表面波素子は製造される。

【００４３】第１の実施の形態と同様に、主基板１０１
と補助基板１０２を直接接合することによって、前記両
基板の熱膨張係数差による応力により、主基板単体の場
合の温度特性を改善することができる。それに加えて、
本実施の形態の場合には、主基板上に酸化珪素膜が形成
されているため、さらに温度特性の改善が可能となって
いる。酸化珪素膜を用いた温度補償方法はよく知られて
いるが、この方法を単独で用いた場合に比べて、補助基
板の特性を変化させることで、種々の圧電特性を有する
ゼロ温度特性の基板を実現することが可能となる。

【００４４】以上のように、本実施の形態においては、
良好な温度特性を有する弾性表面波素子を得ることがで
きるのに加えて、従来酸化珪素膜を用いて得られていた
ゼロ温度係数基板の圧電特性とは異なる特性を有する、
温度特性が良好な弾性表面波素子を得ることができる。

【００４５】なお、本実施の形態においては、主基板と
して４１°ＹカットＸ伝搬のニオブ酸リチウムを用いた
が、これに限らず、他のカット角を用いた場合でも、補
助基板として主基板よりも小さな熱膨張係数を有する基
板を用いれば、同様の効果が得られる。また、両基板の
弾性表面波伝搬方向の熱膨張係数が同等であっても、弾
性表面波伝搬方向に垂直な方向の熱膨張係数について、
補助基板の熱膨張係数が主基板のものよりも小さけれ
ば、密度変化を抑制することができ、ＴＣＦを改善する
ことが可能である。ただし、その改善効果は、ＴＣＶの
寄与のみとなるため小さくなる。また、主基板として、
タンタル酸リチウムやランガサイト、ホウ酸リチウム等
の基板を用いた場合でも同様の効果が得られる。

【００４６】また、本実施の形態においては、補助基板
としてガラスを用いたが、これに限らず、シリコンなど
の他の低熱膨張材料を用いてもよい。補助基板として、
導電性基板を用いた場合には、例えば主基板の焦電性を
抑制する効果がある。

【００４７】（第４の実施の形態）図５は、本発明の第
４の実施の形態における弾性表面波素子の構成の概略を
示す断面図である。図５において、１０１は主基板、１
０２は補助基板、１０３は櫛形電極、１０５は分極反転
層である。なお、本実施の形態では、主基板１０１とし
て厚さ１００μｍの３６°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸
リチウムを用い、補助基板１０２として厚さ３００μｍ
の低熱膨張ガラス基板を用いた。主基板の厚さは、弾性
表面波波長に比べて十分く設定している。なお、それぞ
れの基板の熱膨張係数は、タンタル酸リチウムが１６ｐ
ｐｍ／℃（弾性表面波伝搬方向）、ガラス基板が４．５
ｐｐｍ／℃である。また、櫛形電極１０３の構成は、第
１の実施の形態と同様である。

【００４８】以下に、本実施の形態における弾性表面波
素子の製造方法を図面を参照して説明する。なお、以下
の説明において、特に説明のないものについては、第１
の実施の形態と同じとする。

【００４９】まず、第１の実施の形態と同様にして、主
基板１０１と補助基板１０２とを直接接合する。次に、
主基板１０１上に分極反転層１０５を形成する。通常、
分極反転層はプロトン交換および熱処理の工程によって
形成される。本実施の形態においては、分極反転層の厚
さは弾性表面波波長の１／５としている。最後に、前記
分極反転層１０５が形成された主基板１０１上に櫛形電
極１０３を通常のフォトリソグラフィプロセスを用いて
形成する。以上のプロセスを経て、本実施の形態におけ
る弾性表面波素子は製造される。

【００５０】第１の実施の形態と同様に、主基板１０１
と補助基板１０２を直接接合することによって、前記両
基板の熱膨張係数差による応力により、主基板単体の場
合の温度特性を改善することができる。それに加えて、
本実施の形態の場合には、主基板上に分極反転層が形成
されているため、その電界短絡効果によりさらに温度特
性の改善が可能となっている。分極反転層を用いた温度
補償方法はよく知られているが、この方法を単独で用い
た場合に比べて、より一層温度特性の改善を図ることが
可能となる。

【００５１】以上のように、本実施の形態においては、
良好な温度特性を有する弾性表面波素子を得ることがで
きるのに加えて、従来、分極反転層を用いて得られてい
た基板の圧電特性とは異なる特性を有する、温度特性が
良好な弾性表面波素子を得ることができる。

【００５２】なお、本実施の形態においては、主基板と
して３６°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウムを用い
たが、これに限らず、他のカット角を用いた場合でも、
補助基板として主基板よりも小さな熱膨張係数を有する
基板を用いれば、同様の効果が得られる。また、両基板
の弾性表面波伝搬方向の熱膨張係数が同等であっても、
弾性表面波伝搬方向に垂直な方向の熱膨張係数につい
て、補助基板の熱膨張係数が主基板のものよりも小さけ
れば、密度変化を抑制することができ、ＴＣＦを改善す
ることが可能である。ただし、その改善効果は、ＴＣＶ
の寄与のみとなるため小さくなる。また、主基板とし
て、ニオブ酸リチウムやランガサイト、ホウ酸リチウム
等の基板を用いた場合でも同様の効果が得られる。

【００５３】また、本実施の形態おいては、補助基板と
してガラスを用いたが、これに限らず、シリコンなどの
他の低熱膨張材料を用いてもよい。補助基板として、導
電性基板を用いた場合には、例えば主基板の焦電性を抑
制する効果がある。

【００５４】また、本実施の形態においては、主基板と
補助基板を直接接合した後、分極反転層を形成したが、
あらかじめ分極反転層を形成した主基板と補助基板を直
接接合してもよい。また、分極反転層の形成方法につい
ては、本実施の形態に限るものではなく、分極方向の異
なる圧電基板同士を直接接合することで主基板を形成し
てもよい。分極反転層を直接接合により形成した場合に
は、前記分極反転層の厚さ制御が容易となり、主基板の
圧電特性を均一にすることが可能である。また、分極反
転層の厚さに特に制限はなく、分極反転層の厚さによっ
て補助基板を選択すれば、種々の圧電特性を有する温度
特性に優れた弾性表面波素子を得ることができる。

【００５５】（第５の実施の形態）図６は、本発明の第
５の実施の形態における弾性表面波素子の構成の概略を
示す断面図である。図６において、１０１は主基板、１
０２は補助基板、１０３は櫛形電極、１０６は導電性膜
である。なお、本実施の形態では、主基板１０１は、厚
さ１００μｍの３６°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチ
ウムを、後述するように、薄板加工を行って弾性表面波
波長の１波長程度にまで薄板化したものであり、補助基
板１０２は、厚さ３００μｍの低熱膨張ガラス基板であ
る。なお、それぞれの基板の熱膨張係数は、タンタル酸
リチウムが１６ｐｐｍ／℃（弾性表面波伝搬方向）、ガ
ラス基板が４．５ｐｐｍ／℃である。また、櫛形電極１
０３の構成は、第１の実施の形態と同様である。

【００５６】以下に、本実施の形態における弾性表面波
素子の製造方法を図面を参照して説明する。なお、以下
の説明において、特に説明のないものについては、第１
の実施の形態と同じとする。

【００５７】まず、補助基板１０２の一方主面上の、少
なくとも櫛形電極１０３に対応した部分に導電性膜１０
６を形成する。本実施の形態では、導電性膜１０６とし
て、クロムを数百オングストローム形成している。つい
で、第１の実施の形態と同様にして、主基板１０１と前
記導電性膜１０６が形成された補助基板１０２とを直接
接合する。次に、主基板１０１を研磨し弾性表面波波長
の１波長程度にまで薄板化する。最後に、主基板１０１
上に櫛形電極１０３を通常のフォトリソグラフィプロセ
スを用いて形成する。以上のプロセスを経て、本実施の
形態における弾性表面波素子は製造される。

【００５８】第１の実施の形態と同様に、主基板１０１
と補助基板１０２を直接接合することによって、前記両
基板の熱膨張係数差による応力により、主基板単体の場
合の温度特性を改善することができる。それに加えて、
本実施の形態の場合には、主基板と補助基板との間に導
電性膜を形成し、主基板の厚さを薄くしているので、電
界短絡効果を利用することができ、弾性表面波素子の温
度特性をさらに改善することが可能となる。

【００５９】以上のように、本実施の形態においては、
良好な温度特性を有する弾性表面波素子を得ることがで
きるのに加え、櫛形電極の焦電破壊を抑えることができ
る。

【００６０】なお、本実施の形態においては、主基板と
して３６°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウムを用い
たが、これに限らず、他のカット角を用いた場合でも、
補助基板として主基板よりも小さな熱膨張係数を有する
基板を用いれば、同様の効果が得られる。また、両基板
の弾性表面波伝搬方向の熱膨張係数が同等であっても、
弾性表面波伝搬方向に垂直な方向の熱膨張係数につい
て、補助基板の熱膨張係数が主基板のものよりも小さけ
れば、密度変化を抑制することができ、ＴＣＦを改善す
ることが可能である。ただし、その改善効果は、ＴＣＶ
の寄与のみとなるため小さくなる。また、主基板とし
て、ニオブ酸リチウムやランガサイト、ホウ酸リチウム
等の基板を用いた場合でも同様の効果が得られる。

【００６１】また、本実施の形態においては、補助基板
としてガラスを用いたが、これに限らず、シリコンなど
の他の低熱膨張材料を用いてもよい。

【００６２】また、本実施の形態においては、補助基板
側に導電性膜を形成するとして説明したが、これに限ら
ず、主基板側または、主基板および補助基板の両方に導
電性膜を形成するとしてもよい。

【００６３】また、本実施の形態においては、導電性膜
としてクロムを用いたが、これに限らず、他の金属材料
を用いてもよい。

【００６４】（第６の実施の形態）図７は、本発明の第
６の実施の形態における弾性表面波素子の構成の概略を
示す断面図である。図７において、１０１は主基板、１
０２は補助基板、１０３は櫛形電極、１０７は絶縁性膜
である。なお、本実施の形態では、主基板１０１として
厚さ１００μｍの３６°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リ
チウムを用い、補助基板１０２として厚さ３００μｍの
シリコン基板を用いた。主基板の厚さは、弾性表面波波
長に比べて十分く設定している。なお、それぞれの基板
の熱膨張係数は、タンタル酸リチウムが１６ｐｐｍ／℃
（弾性表面波伝搬方向）、ガラス基板が４．５ｐｐｍ／
℃である。また、櫛形電極１０３の構成は、第１の実施
の形態と同様である。

【００６５】以下に、本実施の形態における弾性表面波
素子の製造方法を図面を参照して説明する。なお、以下
の説明において、特に説明のないものについては、第１
の実施の形態と同じとする。

【００６６】まず、補助基板１０２の一方主面上に絶縁
性膜１０７を形成する。本実施の形態では、絶縁性膜１
０７として、酸化珪素をスパッタリング工法により約１
０００オングストローム形成している。ついで、第１の
実施の形態と同様にして、主基板１０１と前記絶縁性膜
１０７が形成された補助基板１０２とを直接接合する。
最後に、主基板１０１上に櫛形電極１０３を通常のフォ
トリソグラフィプロセスを用いて形成する。以上のプロ
セスを経て、本実施の形態における弾性表面波素子は製
造される。

【００６７】第１の実施の形態と同様に、主基板１０１
と補助基板１０２を直接接合することによって、前記両
基板の熱膨張係数差による応力により、主基板単体の場
合の温度特性を改善することができる。それに加えて、
本実施の形態の場合には、主基板と補助基板との間に絶
縁性膜を形成しているので、組成的に直接接合が困難な
組み合わせにおいても直接接合が可能となる。

【００６８】以上のように、本実施の形態においては、
良好な温度特性を有する弾性表面波素子を得ることがで
きる。

【００６９】なお、本実施の形態においては、主基板と
して３６°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウムを用い
たが、これに限らず、他のカット角を用いた場合でも、
補助基板として主基板よりも小さな熱膨張係数を有する
基板を用いれば、同様の効果が得られる。また、両基板
の弾性表面波伝搬方向の熱膨張係数が同等であっても、
弾性表面波伝搬方向に垂直な方向の熱膨張係数につい
て、補助基板の熱膨張係数が主基板のものよりも小さけ
れば、密度変化を抑制することができ、ＴＣＦを改善す
ることが可能である。ただし、その改善効果は、ＴＣＶ
の寄与のみとなるため小さくなる。また、主基板とし
て、ニオブ酸リチウムやランガサイト、ホウ酸リチウム
等の基板を用いた場合でも同様の効果が得られる。

【００７０】また、本実施の形態においては、補助基板
としてガラスを用いたが、これに限らず、シリコンなど
の他の低熱膨張材料を用いてもよい。

【００７１】また、本実施の形態においては、補助基板
側に絶縁性膜を形成するとして説明したが、これに限ら
ず、主基板側または、主基板および補助基板の両方に絶
縁性膜を形成するとしてもよい。

【００７２】また、本実施の形態においては、絶縁性膜
として酸化珪素を用いたが、これに限らず、他の無機薄
膜を用いてもよい。

【００７３】（第７の実施の形態）次に、本発明の第７
の実施の形態について図面を参照して説明する。本実施
の形態は、本発明の弾性表面波素子を複数個一括して同
一の基板原板上に形成する場合の製造方法に関するもの
である。図８は、本発明の第７の実施の形態における弾
性表面波素子の製造方法の概略を示す斜視図である。図
８において、１０１は主基板、１０２は補助基板、１０
３は櫛形電極、１０８は溝部、１０９は切断線である。
なお、本実施の形態では、主基板原板１１１として厚さ
１００μｍの３６°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウ
ムを用い、補助基板原板１１２として厚さ３００μｍの
低熱膨張ガラス基板を用いている。主基板原板１１１の
厚さは、弾性表面波波長に比べて十分厚い１０波長に設
定している。なお、それぞれの基板の熱膨張係数は、タ
ンタル酸リチウムが１６ｐｐｍ／℃（弾性表面波伝搬方
向）、ガラス基板が４．５ｐｐｍ／℃である。

【００７４】以下に、本実施の形態における弾性表面波
素子の製造方法を図面を参照して説明する。

【００７５】最初に、主基板原板１１１と補助基板原板
１１２との直接接合工程について説明する。まず、両面
が鏡面仕上げされた、主基板原板１１１および補助基板
原板１１２を準備する。次に、補助基板原板１１２上
に、切断線１０９に対応した位置に溝部１０８を形成す
る。本実施の形態では、補助基板原板１１２上に金属パ
ターンを形成し、補助基板原板１１２をエッチングする
ことにより溝部=１０８を形成している。次に、両基板
原板に付着しているダストや有機物質を除去するため
に、十分に洗浄する。その後、両基板原板を水酸化アン
モニウムと過酸化水素水との混合水溶液に浸責し、基板
表面を親水化処理する。これにより、両基板原板表面は
水酸基で終端されることになる。そして、両基板原板を
純水でリンスし、互いの一方主面同士を重ねあわせる。
最初、両基板原板は水を介した接合となっているが、徐
々に水分が蒸発除去され水酸基、酸素などの分子間力に
よる接合へと変化し、主基板原板１１１と補助基板原板
１１２が強固に接合される（初期接合）。本実施の形態
のように、補助基板原板１１２に形成された溝部１０８
を設けることによって、基板原板中央部においても前記
溝部を介して不要な水分が除去しやすくなっている。次
に、初期接合された両基板原板を熱処理する。常温放置
によってもある程度の接合強度が得られているが、より
強固な接合とするために、１００℃以上の温度で数十分
から数十時間熱処理を行う。なお、本実施の形態のよう
に、両基板原板の熱膨張係数差が大きい場合には、両基
板原板の大きさ（接合面積）によって熱処理温度に制約
が生じる。これは、温度上昇により初期接合された基板
が反り、過度の昇温を行うと基板に割れが生じるためで
ある。このことから、初期接合された両基板原板は、十
分な接合強度を有しており熱処理中に互いにすべりを生
じることがなく、熱処理後室温において残留応力のない
接合体が得られていることがわかる。

【００７６】また、前述のように、熱膨張係数の異なる
基板同士を直接接合する場合には、熱処理時に多大な応
力が発生し、一方の基板原板を破壊することがある。そ
こで、前記溝部を設けることによって、応力を緩和する
ことができ、より高温での熱処理が可能となり、接合強
度をより強固にすることができる。

【００７７】次に、得られた接合体の主基板原板側表面
に、通常のフォトリソグラフィ技術を用いて、櫛形電極
１０３を形成する。なお、このプロセスにおいてフォト
レジストのプリベークなどの加熱プロセスでは基板原板
が反るために、ホットプレート等を利用すると基板原板
内の温度分布が大きくなるので、オーブン等を用いて熱
処理することが好ましい。

【００７８】最後に、切断線１０９に沿って、複数の弾
性表面波素子を個々に分割する。この工程において、前
記溝部１０９は切断線１０８とともに除去される。従っ
て、個々に分割された弾性表面波素子の櫛形電極部には
前記溝部は存在せず、一様な熱応力が弾性表面波素子に
作用し、温度特性のばらつきのない複数個の弾性表面波
素子が一括して得られる。以上のプロセスを経て、本実
施の形態における弾性表面波素子は製造される。

【００７９】以上のように、本実施の形態においては、
電気機械結合係数や弾性表面波伝搬速度等の諸特性を変
化させることなく、良好な温度特性を有する弾性表面波
素子を得ることができる。また、初期接合時の水分の蒸
発除去を容易にするとともに、熱処理時の応力を緩和す
ることができる。また、個々に分割された弾性表面波素
子の基板中央部には溝部が存在せず、温度変化に対して
も一様な熱応力が発生する弾性表面波素子を得ることが
でき、製造ばらつきの低減を図ることができる。

【００８０】なお、本実施の形態においては、主基板と
して３６°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウムを用い
たが、これに限らず、他のカット角を用いた場合でも、
補助基板として主基板よりも小さな熱膨張係数を有する
基板を用いれば、同様の効果が得られる。また、両基板
の弾性表面波伝搬方向の熱膨張係数が同等であっても、
弾性表面波伝搬方向に垂直な方向の熱膨張係数につい
て、補助基板の熱膨張係数が主基板のものよりも小さけ
れば、密度変化を抑制することができ、ＴＣＦを改善す
ることが可能である。ただし、その改善効果は、ＴＣＶ
の寄与のみとなるため小さくなる。また、主基板とし
て、ニオブ酸リチウム、ランガサイトやホウ酸リチウム
などを用いた場合でも同様の効果が得られる。

【００８１】また、本実施の形態においては、主基板の
厚さを弾性表面波波長の１０倍としたが、これに限ら
ず、弾性表面波の粒子変位が集中する１波長程度以上で
あれば、弾性表面波素子の特性に影響を与えることな
く、弾性表面波素子の温度特性を改善することができ
る。

【００８２】また、本実施の形態においては、補助基板
としてガラスを用いたが、これに限らず、シリコンなど
の他の低熱膨張材料を用いてもよい。補助基板としてガ
ラスを用いた場合には、その非晶質性により、単結晶で
ある主基板との接合が容易となる。また、ガラスの場合
にはその組成によって種々の機械的的性質を持った材料
を得ることができ、温度特性の制御が容易となる。ま
た、補助基板として、導電性基板を用いた場合には、例
えば主基板の焦電性を抑制する効果がある。さらに、主
基板が薄い場合には、電解短絡効果による温度特性改善
も可能である。

【００８３】また、本実施の形態の弾性表面波素子上
に、酸化珪素膜を形成することによって、従来酸化珪素
を用いて得られていたゼロ温度係数基板の圧電特性とは
異なる特性を有する、温度特性が良好な弾性表面波素子
を得ることができる。

【００８４】また、本実施の形態の主基板に分極反転層
を形成することで、前記酸化珪素膜を用いた場合と同様
に、従来とは異なる圧電特性を有する温度特性が良好な
弾性表面波素子を得ることができる。

【００８５】

【発明の効果】以上説明したところから明らかなよう
に、本発明は、圧電基板の電気機械結合係数や弾性表面
波速度等の諸特性を変化させることなく、良好な温度特
性を有する弾性表面波素子およびその製造方法を提供す
ることができる。

【００８６】また、請求項１５の本発明は、熱処理時に
おける水分の除去を助けるとともに熱応力を緩和するこ
とができ、製造歩留まりを大幅に向上させる弾性表面波
素子およびその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における弾性表面波
素子の斜視図および断面図。

【図２】本発明の第１の実施の形態における弾性表面波
素子の周波数温度依存性を示す図。

【図３】本発明の第２の実施の形態における弾性表面波
素子の断面図。

【図４】本発明の第３の実施の形態における弾性表面波
素子の断面図。

【図５】本発明の第４の実施の形態における弾性表面波
素子の断面図。

【図６】本発明の第５の実施の形態における弾性表面波
素子の断面図。

【図７】本発明の第６の実施の形態における弾性表面波
素子の断面図。

【図８】本発明の第７の実施の形態における弾性表面波
素子の製造方法の概略を示す斜視図。

【図９】従来の弾性表面波素子の構造の概略を示す断面
図。

【図１０】従来の弾性表面波素子の別の構造の概略を示
す断面図。

【図１１】従来の弾性表面波素子の別の構造の概略を示
す断面図。

【符号の説明】

１０１主基板１０２補助基板１０３櫛形電極１０４酸化珪素膜１０５分極反転層１０６導電性膜１０７絶縁性膜１０８溝部１０９切断線１１１主基板原板１１２補助基板原板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者川▲さき▼ 修大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者冨田佳宏大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者関俊一大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者南波昭彦大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者佐藤浩輝大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者小掠哲義大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】主基板と、前記主基板の一方主面上に形
成された櫛形電極と、前記主基板の他方主面に接着剤を
介さずに直接接合された補助基板とを備え、前記補助基
板の熱膨張係数が、前記主基板の熱膨張係数よりも小さ
く、前記補助基板の厚さが前記主基板の厚さよりも厚い
ことを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項２】主基板と、前記主基板の一方主面上に形
成された櫛形電極と、前記主基板の他方主面に接着剤を
介さずに直接接合された補助基板とを備え、前記補助基
板の熱膨張係数が、前記主基板の熱膨張係数よりも大き
く、前記補助基板の厚さが前記主基板の厚さよりも薄い
ことを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項３】前記一方主面を前記櫛形電極を含めて被
覆するように形成され、酸化珪素を主成分とする薄膜を
備えることを特徴とする請求項１または２に記載の弾性
表面波素子。
【請求項４】前記主基板の前記一方主面側に形成さ
れ、厚さが弾性表面波波長の１波長以下である分極反転
層を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の
弾性表面波素子。
【請求項５】前記主基板は、分極方向が互いに反対方
向である第一の主基板と第二の主基板とが、直接接合さ
れた積層基板であることを特徴とする請求項１または２
に記載の弾性表面波素子。
【請求項６】前記主基板と前記補助基板との直接接合
界面に、絶縁性膜を備えることを特徴とする請求項１〜
５のいずれかに記載の弾性表面波素子。
【請求項７】前記絶縁性膜は、酸化珪素を主成分とす
る無機薄膜であることを特徴とする請求項６に記載の弾
性表面波素子。
【請求項８】前記主基板の厚さは、弾性表面波波長の
１波長よりも厚いことを特徴とする請求項１〜７のいず
れかに記載の弾性表面波素子。
【請求項９】前記主基板と前記補助基板との直接接合
界面に、導電性薄膜を備えることを特徴とする請求項１
〜５のいずれかに記載の弾性表面波素子。
【請求項１０】前記主基板の厚さは、弾性表面波波長
の１波長程度であることを特徴とする請求項９に記載の
弾性表面波素子。
【請求項１１】前記主基板は、タンタル酸リチウム、
ニオブ酸リチウム、ランガサイト、ホウ酸リチウムのい
ずれかを材料とする圧電単結晶基板であることを特徴と
する請求項１〜１０のいずれかに記載の弾性表面波素
子。
【請求項１２】前記補助基板は、ガラスまたはシリコ
ンを材料とすることを特徴とする請求項１〜１１のいず
れかに記載の弾性表面波素子。
【請求項１３】主基板と補助基板とを洗浄して親水化
処理する親水化処理工程と、前記親水化処理工程の後、
前記主基板と前記補助基板とを直接接合する直接接合工
程と、前記直接接合工程の後、前記主基板上に櫛形電極
を形成する電極形成工程とを含むことを特徴とする弾性
表面波素子の製造方法。
【請求項１４】主基板原板と補助基板原板とを洗浄し
て親水化処理する親水化処理工程と、前記親水化処理工
程の後、前記主基板原板と前記補助基板原板とを直接接
合して接合体を生成する直接接合工程と、前記直接接合
工程の後、前記主基板原板上に櫛形電極を形成する電極
形成工程と、前記電極形成工程の後、前記接合体の前記
櫛形電極を形成された前記接合体を個々の弾性表面波素
子に分割する分割工程とを含むことを特徴とする弾性表
面波素子の製造方法。
【請求項１５】前記直接接合工程の前に、前記補助基
板原板の前記主基板原板と直接接合する面に、前記分割
工程における分割線に沿って格子状の溝部を形成する溝
部形成工程を含むことを特徴とする請求項１４に記載の
弾性表面波素子の製造方法。
【請求項１６】前記直接接合工程の後、前記主基板、
前記補助基板、前記主基板原板、前記補助基板原板のい
ずれかを、直接接合する面と反対側の面から薄肉化加工
する薄板化加工工程を含むことを特徴とする請求項１３
〜１５のいずれかに記載の弾性表面波素子の製造方法。