JPH1146135A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、複数ビットを持つ
半導体集積回路装置に関し、特に、出力ノイズの影響を
少なくした半導体集積回路装置に関する。The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device having a plurality of bits, and more particularly to a semiconductor integrated circuit device having reduced influence of output noise.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の半導体集積回路装置においては、
I/O出力(外部端子からの出力)の際、内部からの正
規データがそのまま読み出され、各I/Oのうちそれぞ
れ“0”又は“1”のデータが出力される。この時、場
合によっては、全I/Oから同じデータが出力されるこ
とがあり、そのデータが次の読み出しですべて反転され
ることもあり得る。2. Description of the Related Art In a conventional semiconductor integrated circuit device,
At the time of I / O output (output from an external terminal), normal data from the inside is read as it is, and "0" or "1" data is output from each I / O. At this time, in some cases, the same data may be output from all I / Os, and the data may be all inverted in the next read.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】このように、I/O出
力の際、全てのI/Oでデータが“0”から“1”、又
は“1”から“0”に反転する場合、電源やGNDの揺
れが大きくなり、その結果、出力ノイズの影響で読み出
し時に誤動作を起こす可能性がある。As described above, when data is inverted from "0" to "1" or "1" to "0" in all I / Os at the time of I / O output, the power supply And the fluctuation of GND may increase, and as a result, a malfunction may occur at the time of reading due to the influence of output noise.
【0004】したがって、本発明の半導体集積回路装置
はこのような問題点に鑑みてなされたものであって、そ
の目的は、出力ノイズの影響を低減する半導体集積回路
装置を提供することにある。Therefore, a semiconductor integrated circuit device of the present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device that reduces the influence of output noise.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明の半導体集積回路装置は、複数ビットを持ち、I
/O出力の際、論理的に“0”又は“1”のデータを出
す半導体集積回路装置において、出力の正規データを出
す前に各I/Oで交互に“0”、“1”のデータを論理
的に出すものである。In order to achieve the above object, a semiconductor integrated circuit device according to the present invention has a plurality of bits,
In a semiconductor integrated circuit device which logically outputs data of "0" or "1" at the time of / O output, data of "0" and "1" are alternately output at each I / O before output of normal data. Is logically issued.
【0006】[0006]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。I/O出力の際、通常は“0”又は“1”
の内部正規データが各I/Oからそのまま出力される。
この場合、例えば全I/Oから同じデータが出力され、
また、次の読み出しではそれが全て反転され、全I/O
から前とは逆のデータが出力されるとする。このよう
に、全I/Oで出力データが反転するような場合、電源
やGNDの揺れが最も大きくなり、これによる出力ノイ
ズの影響も大きくなってしまう。そこで、本発明では、
全I/Oで出力データが同時に反転することのないよ
う、I/Oからデータを出力した後、次のデータを出力
する前に、必ず、各I/Oで交互に“0” 又は“1”
のデータを出すようにする。“0”又は“1”のデータ
を交互に出力させるのは、電源、GNDの揺れを互いに
打ち消しやすくするためである。Embodiments of the present invention will be described below. At the time of I / O output, usually "0" or "1"
Is output directly from each I / O.
In this case, for example, the same data is output from all I / Os,
In the next read, all of them are inverted, and all I / O
Output data reverse to the previous one. As described above, when the output data is inverted in all the I / Os, the fluctuation of the power supply and the GND is the largest, and the influence of the output noise is also increased. Therefore, in the present invention,
After outputting data from the I / O and before outputting the next data, be sure to alternately output "0" or "1" at each I / O so that the output data is not simultaneously inverted in all I / Os. "
Of data. The reason why the data “0” or “1” is output alternately is to make the fluctuations of the power supply and the GND easily cancel each other.
【0007】本発明の実施の形態においては、出力バッ
ファ回路を各I/Oに2つずつ備え、一方の出力バッフ
ァ回路(図1の100)からは正規データを、他の出力
バッファ回路(図1の200)からは奇数I/Oで
“1”、偶数I/Oで“0”のデータを出力するように
し、内部パルス(図1のQ)により、このどちらかの出
力バッファ回路が選択される。In the embodiment of the present invention, two output buffer circuits are provided for each I / O, and normal data is supplied from one output buffer circuit (100 in FIG. 1) to another output buffer circuit (FIG. 1). 1 200), odd-numbered I / O outputs "1" and even-numbered I / O outputs "0", and either of these output buffer circuits is selected by an internal pulse (Q in FIG. 1). Is done.
【0008】このため、読み出しデータ更新時に、2度
の出力変化点が生じるが、全I/Oが同時に“0”から
“1”(又は“1”から“0”)に変化するという、消
費電流の時間変化(di/dt)が最大になる組み合わ
せがなくなる。For this reason, when the read data is updated, two output change points occur. However, all the I / Os simultaneously change from "0" to "1" (or "1" to "0"). There is no combination that maximizes the time change (di / dt) of the current.
【0009】例えば全I/Oの出力が反転する場合は、
必ずその半数が“0”から“1”、残りの半数が“1”
から“0”に変化することになり、出力ノイズの発生は
大幅に削減される。For example, when the outputs of all I / Os are inverted,
Half of them must be "0" to "1", and the other half must be "1"
To "0", and the generation of output noise is greatly reduced.
【0010】[0010]
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て以下に説明する。図1は、本発明の一実施例の回路構
成を示す図である。図1を参照すると、本発明の一実施
例は、通常の出力バッファ回路100と、この出力バッ
ファ回路100に並列にもう一つの出力バッファ回路
(「疑似出力バッファ回路」という)200を配置した
ものであり、信号Qにより、いずれか一方の出力バッフ
ァ回路が選択される。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of one embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, in one embodiment of the present invention, a normal output buffer circuit 100 and another output buffer circuit (referred to as "pseudo output buffer circuit") 200 are arranged in parallel with the output buffer circuit 100. And one of the output buffer circuits is selected by the signal Q.
【0011】出力バッファ回路100は、PMOSトラ
ンジスタ8とNMOSトランジスタ10からなるプッシ
ュプル構成の出力段トランジスタと、WRB信号、出力
イネーブル信号OEのインバータ1による反転信号、及
び信号Qのインバータ2による反転信号を入力としこれ
らの否定論理積をPMOSトランジスタ8のゲート端子
に出力するNAND回路4と、WRB信号、出力イネー
ブル信号OE、及び信号Qを入力としこれらの否定論理
和をNMOSトランジスタ10のゲート端子に出力する
NOR回路6と、を備えている。また疑似出力バッファ
回路200は、PMOSトランジスタ9とNMOSトラ
ンジスタ11からなるプッシュプル構成の出力段トラン
ジスタと、固定電位(奇数I/Oの場合電源電位、偶数
I/Oの場合グランド電位)、出力イネーブル信号OE
のインバータ1による反転信号、及び信号Qを入力とし
これらの否定論理積をPMOSトランジスタ9のゲート
端子に出力するNAND回路5と、固定電位(奇数I/
Oの場合電源電位、偶数I/Oの場合グランド電位)、
出力イネーブル信号OE、及び信号Qのインバータ3に
よる反転信号を入力としこれらの否定論理和をNMOS
トランジスタ11のゲート端子に出力するNOR回路7
と、を備えている。The output buffer circuit 100 includes a push-pull output stage transistor composed of a PMOS transistor 8 and an NMOS transistor 10, a WRB signal, an inverted signal of the output enable signal OE by the inverter 1, and an inverted signal of the signal Q by the inverter 2. And a NAND circuit 4 for outputting the NAND of these to the gate terminal of the PMOS transistor 8, and a NOR gate for receiving the WRB signal, the output enable signal OE, and the signal Q and inputting the NOR of these to the gate terminal of the NMOS transistor 10. And a NOR circuit 6 for outputting. The pseudo output buffer circuit 200 includes a push-pull output stage transistor including a PMOS transistor 9 and an NMOS transistor 11, a fixed potential (power supply potential for odd I / O, ground potential for even I / O), and output enable. Signal OE
And a NAND circuit 5 which receives an inverted signal from the inverter 1 and the signal Q and outputs a NAND of these signals to the gate terminal of the PMOS transistor 9 and a fixed potential (odd I /
Power supply potential for O, ground potential for even I / O),
The output enable signal OE and the inverted signal of the signal Q by the inverter 3 are input and the NOR of these signals is output to the NMOS.
NOR circuit 7 for outputting to the gate terminal of transistor 11
And
【0012】出力バッファ回路100では、正規データ
であるWRBの信号が入力されるが、疑似出力バッファ
回路200では、奇数I/Oの場合、電源に、偶数I/
Oの場合、GNDにそれぞれ固定されている。The output buffer circuit 100 receives a WRB signal as normal data. In the pseudo output buffer circuit 200, in the case of an odd I / O, an even I / O is supplied to the power supply.
In the case of O, each is fixed to GND.
【0013】出力状態の場合(出力イネーブル信号OE
がLowレベル)、信号QがHighとなり、疑似出力
バッファ回路200が選択されると、奇数I/Oでは
“1”のデータが、偶数I/Oでは“0”のデータが出
力される。In the output state (output enable signal OE)
Is low level), the signal Q becomes High, and the pseudo output buffer circuit 200 is selected, data of "1" is output in odd I / O, and data of "0" is output in even I / O.
【0014】図2に、本発明の一実施例において入出力
信号の変化を示すタイミングチャートを示す。信号Qは
内部パルス信号であり、通常の正規データが出力される
前に適当なパルスを入れるようにする。FIG. 2 is a timing chart showing changes in input / output signals in one embodiment of the present invention. The signal Q is an internal pulse signal, and an appropriate pulse is input before normal data is output.
【0015】この信号QがLowの時は、出力バッファ
回路100が選択され、各I/Oから読み出しの正規デ
ータが出力される。すなわち、信号QがLowの時、疑
似出力バッファ回路200において、NAND回路5の
出力はHigh、NOR回路6の出力はLowとなりP
MOSトランジスタ9及びNMOSトランジスタ11は
オフ状態となり疑似出力バッファ回路200の出力はハ
イインピーダンス状態となり、一方、出力バッファ回路
100においては、出力イネーブル信号OEがLowの
時、NAND回路4はWRB信号の反転信号、NOR回
路6はWRB信号の反転信号を出力し、WRBが“1”
の時、PMOSトランジスタ8がオンして出力端子(O
UT1/2)にはHigh、WRBが“0”の時、NM
OSトランジスタ8がオンして出力端子にはLowが出
力される。When the signal Q is low, the output buffer circuit 100 is selected, and normal data to be read is output from each I / O. That is, when the signal Q is Low, in the pseudo output buffer circuit 200, the output of the NAND circuit 5 is High, the output of the NOR circuit 6 is Low, and P
The MOS transistor 9 and the NMOS transistor 11 are turned off, and the output of the pseudo output buffer circuit 200 becomes a high impedance state. On the other hand, in the output buffer circuit 100, when the output enable signal OE is Low, the NAND circuit 4 inverts the WRB signal. The signal NOR circuit 6 outputs an inverted signal of the WRB signal, and WRB is "1".
, The PMOS transistor 8 is turned on and the output terminal (O
UT1 / 2), when High and WRB are “0”, NM
The OS transistor 8 turns on, and Low is output to the output terminal.
【0016】一方、信号QがHighの時は、疑似出力
バッファ回路200が選択され、前サイクルの出力デー
タに関係なく、奇数I/Oからは“1”のデータ、偶数
I/Oからは“0”のデータがそれぞれ出力される。こ
の出力波形を示したのが、OUT1、OUT2であり、
OUT1が奇数I/Oの場合、OUT2が偶数I/Oの
場合の波形である。On the other hand, when the signal Q is High, the pseudo output buffer circuit 200 is selected, regardless of the output data of the previous cycle, "1" data from odd I / O and "1" from even I / O. 0 "data is output. OUT1 and OUT2 show the output waveforms.
This is a waveform when OUT1 is an odd I / O and when OUT2 is an even I / O.
【0017】このように、出力の際、正規データを出す
前に各I/Oで交互に“0”又は“1”のデータを出力
することにより、出力データが各I/Oで同じように変
化する確率を少なくし、出力ノイズを小さくすることが
できる。As described above, during output, data of "0" or "1" is alternately output at each I / O before outputting normal data, so that output data is the same at each I / O. The probability of change can be reduced, and output noise can be reduced.
【0018】図3に、本発明の発明の第2の実施例の回
路構成を示す。図3において、101は奇数I/Oの出
力バッファ回路、201は偶数I/Oの出力バッファ回
路である。この実施例においても、タイミング的には、
図2に示すようなものとなり、信号Qにより出力データ
を制御している。信号QがLowの時は、各I/Oごと
に、WRBからくる読み出しの正規データが出力され、
信号QがHighの時は、奇数I/Oで“1”のデータ
が、偶数I/Oで“0”のデータがそれぞれ出力され
る。FIG. 3 shows a circuit configuration of a second embodiment of the present invention. In FIG. 3, reference numeral 101 denotes an odd I / O output buffer circuit, and 201 denotes an even I / O output buffer circuit. Also in this embodiment, in terms of timing,
As shown in FIG. 2, the output data is controlled by the signal Q. When the signal Q is Low, read normal data coming from the WRB is output for each I / O,
When the signal Q is High, data of "1" is output at odd I / O and data of "0" at even I / O.
【0019】奇数I/Oの出力バッファ回路101は、
PMOSトランジスタ20とNMOSトランジスタ25
からなり信号QがLowの時オンしてWRB信号を伝達
するトランスファゲートと、信号Qのインバータ12に
よる反転信号をゲート入力としソースを電源に接続しド
レインをトランスファゲートの出力と共通接続したPM
OSトランジスタ21と、出力イネーブル信号OEのイ
ンバータ13による反転信号と上記トランスファゲート
及びPMOSトランジスタ21の接続点を入力とするN
AND回路16と、出力イネーブル信号OEと上記トラ
ンスファゲート及びPMOSトランジスタ21の接続点
を入力とするNOR回路18と、NAND回路16、N
OR回路18の出力をそれぞれゲート入力とするPMO
Sトランジスタ22、NMOSトランジスタ26からな
る出力段トランジスタより構成されている。The odd I / O output buffer circuit 101
PMOS transistor 20 and NMOS transistor 25
A transfer gate which is turned on when the signal Q is low and transmits a WRB signal; and a PM which has an inverted signal of the signal Q by the inverter 12 as a gate input, a source connected to a power supply, and a drain commonly connected to an output of the transfer gate.
An input signal N is input to the OS transistor 21, the inverted signal of the output enable signal OE by the inverter 13, and the connection point between the transfer gate and the PMOS transistor 21.
An AND circuit 16, a NOR circuit 18 which receives an output enable signal OE and a connection point between the transfer gate and the PMOS transistor 21, and a NAND circuit 16, N
PMO using the output of the OR circuit 18 as the gate input
An output transistor including an S transistor 22 and an NMOS transistor 26 is provided.
【0020】また偶数I/Oの出力バッファ回路201
は、PMOSトランジスタ23とNMOSトランジスタ
27からなり信号QがLowの時オンしてWRB信号を
伝達するトランスファゲートと、信号Qをゲート入力と
しソースをグランドに接続しドレインをトランスファゲ
ートの出力と共通接続したNMOSトランジスタ28
と、出力イネーブル信号OEのインバータ15による反
転信号と上記トランスファゲート及びNMOSトランジ
スタ28の接続点を入力とするNAND回路17と、出
力イネーブル信号OEと上記トランスファゲート及びN
MOSトランジスタ28の接続点を入力とするNOR回
路19と、NAND回路17、NOR回路19の出力を
それぞれゲート入力とするPMOSトランジスタ24、
NMOSトランジスタ29からなる出力段トランジスタ
より構成されている。The output buffer circuit 201 of the even I / O
Is a transfer gate composed of a PMOS transistor 23 and an NMOS transistor 27, which is turned on when the signal Q is Low and transmits a WRB signal, and which has the signal Q as a gate input, connects the source to the ground, and connects the drain to the output of the transfer gate. NMOS transistor 28
A NAND circuit 17 which receives an inverted signal of the output enable signal OE by the inverter 15 and a connection point of the transfer gate and the NMOS transistor 28; and an output enable signal OE, the transfer gate and N
A NOR circuit 19 having a connection point of the MOS transistor 28 as an input, a PMOS transistor 24 having an output of the NAND circuit 17 and the NOR circuit 19 as a gate input,
It is composed of an output stage transistor composed of an NMOS transistor 29.
【0021】本実施例は、前記第1の実施例に比べる
と、出力バッファ回路が各I/Oに一つでよいので、面
積的にかなり小さくなる。In this embodiment, as compared with the first embodiment, since only one output buffer circuit is required for each I / O, the area is considerably reduced.
【0022】[0022]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、複
数ビットを持つ半導体集積回路装置の出力時において、
出力データが各I/Oで同じように変化する確率を少な
くすることができるようにしたことにより、出力ノイズ
を低減し、その結果誤動作の発生を回避することができ
る、という効果を奏する。As described above, according to the present invention, when outputting a semiconductor integrated circuit device having a plurality of bits,
By making it possible to reduce the probability that the output data changes in each I / O in the same manner, it is possible to reduce the output noise, and as a result, it is possible to avoid the occurrence of a malfunction.
【図1】本発明の第1の実施例の回路構成を示す図であ
る。FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の実施例の動作を説明するタイミングチ
ャートである。FIG. 2 is a timing chart for explaining the operation of the embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第2の実施例の回路構成を示す図であ
る。FIG. 3 is a diagram showing a circuit configuration of a second embodiment of the present invention.
1〜3、12〜15 インバータ 4、5、16、17 NAND 6、7、18、19 NOR 8、9、20〜24 PMOSトランジスタ 10、11、25〜29 NMOSトランジスタ 1-3, 12-15 Inverter 4, 5, 16, 17 NAND 6, 7, 18, 19 NOR 8, 9, 20-24 PMOS transistor 10, 11, 25-29 NMOS transistor
Claims (3)
的に“0”又は“1”のデータを出す半導体集積回路装
置において、 データ出力に際して、正規データを出力する前に、各I
/Oで交互に“0”又は“1”のデータを出力するよう
にしたことを特徴とする半導体集積回路装置。1. A semiconductor integrated circuit device having a plurality of bits and outputting logical "0" or "1" data at the time of I / O output. I
A semiconductor integrated circuit device wherein data of "0" or "1" is alternately output by / O.
回路装置において、 前記出力端子にデータを出力する出力バッファ回路が、
制御信号の値により内部回路からの正規データまたは固
定論理レベルを出力バッファに伝達制御する手段を備
え、 奇数番目の出力端子については前記固定論理レベルが第
1の固定論理レベル、偶数番目の出力端子については前
記固定論理レベルが前記第1の固定論理レベルと相補の
第2の固定論理レベルに設定され、 データ出力の際、前記出力バッファ回路は、正規データ
を出力する前に、前記固定論理レベルを出力し、つづい
て正規データを出力するようにしたことを特徴とする半
導体集積回路装置。2. A semiconductor integrated circuit device having a plurality of data output terminals, wherein: an output buffer circuit that outputs data to the output terminals is:
Means for controlling transmission of normal data or a fixed logic level from an internal circuit to an output buffer according to a value of a control signal, wherein the fixed logic level is a first fixed logic level and an even-numbered output terminal for odd-numbered output terminals Is set to a second fixed logic level complementary to the first fixed logic level, and at the time of data output, the output buffer circuit outputs the fixed logic level before outputting normal data. , Followed by the output of regular data.
回路装置において、 一つの出力端子に対して第1、第2の出力バッファ回路
を二つ並設し、 前記第1の出力バッファ回路には内部回路からの正規デ
ータが入力され、 前記第2の出力バッファ回路には、奇数番目の出力端子
については第1の固定論理レベル、偶数番目の出力端子
については前記第1の固定論理レベルと相補の第2の固
定論理レベルが入力され、 前記第1、第2の出力バッファ回路の出力が前記一つの
出力端子に共通接続し、選択制御信号により前記第1、
第2の出力バッファ回路のいずれか一方が選択され、非
選択の出力バッファ回路の出力はオフ状態とされ、 データ出力の際、前記第1の出力バッファ回路から正規
データを出力する前に、各データ出力端子から“0”又
は“1”のデータを出力するようにしたことを特徴とす
る半導体集積回路装置。3. A semiconductor integrated circuit device having a plurality of data output terminals, wherein two first and second output buffer circuits are arranged in parallel for one output terminal, and Is input with normal data from an internal circuit. The second output buffer circuit has a first fixed logic level for odd-numbered output terminals and a first fixed logic level for even-numbered output terminals. Complementary second fixed logic levels are input, and the outputs of the first and second output buffer circuits are commonly connected to the one output terminal.
One of the second output buffer circuits is selected, the output of the non-selected output buffer circuit is turned off, and at the time of data output, each of the first output buffer circuit outputs the normal data before outputting the normal data. A semiconductor integrated circuit device wherein data "0" or "1" is output from a data output terminal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9215929A JP3036476B2 (en) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9215929A JP3036476B2 (en) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1146135A true JPH1146135A (en) | 1999-02-16 |
JP3036476B2 JP3036476B2 (en) | 2000-04-24 |
Family
ID=16680607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP9215929A Expired - Lifetime JP3036476B2 (en) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | Semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3036476B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7355900B2 (en) | 2005-04-20 | 2008-04-08 | Samsung Electronics Co., Ltd | Output buffer circuit for semiconductor memory device |
-
1997
- 1997-07-25 JP JP9215929A patent/JP3036476B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7355900B2 (en) | 2005-04-20 | 2008-04-08 | Samsung Electronics Co., Ltd | Output buffer circuit for semiconductor memory device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3036476B2 (en) | 2000-04-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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