JPH1145846A

JPH1145846A - 走査型露光方法及び装置

Info

Publication number: JPH1145846A
Application number: JP9199890A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Taniguchi; 哲夫谷口
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1997-07-25
Filing date: 1997-07-25
Publication date: 1999-02-16

Abstract

(57)【要約】【課題】レチクル側のステージと投影光学系との間隔
が狭い場合でも、レチクルのパターン面の形状を計測し
て、良好な結像特性を得る。【解決手段】露光用の照明光のもとでレチクルＲのパ
ターンの一部が投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上に投
影された状態で、レチクルＲ及びウエハＷを投影光学系
ＰＬに対して同期走査することで露光が行われる。投影
光学系ＰＬとレチクルステージＲＳＴとの間の空間に対
して走査方向に外れた位置に面形状検出系３０を配置
し、走査露光の助走期間中等に面形状検出系３０を介し
てレチクルＲのパターン面の面形状を計測する。この計
測結果より像面位置等の結像特性の変化量を算出し、こ
の変化量を補正するように投影光学系ＰＬの結像特性、
又はウエハＷのフォーカス位置を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、液晶表示素子、又は薄膜磁気ヘッド等を製造するた
めのリソグラフィ工程中でマスクパターンの像を基板上
に転写するために使用される露光方法及び露光装置に関
し、更に詳しくはマスクと基板とを同期走査して露光を
行うステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光方
法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子等を製造する際に、ステッパ
ーのような一括露光型の投影露光装置の他に、ステップ
・アンド・スキャン方式のような走査露光型の投影露光
装置（走査型露光装置）も使用されつつある。この種の
投影露光装置の投影光学系においては、限界に近い解像
力が求められているため、解像力に影響する要因（例え
ば大気圧、環境温度等）を測定して、測定結果に応じて
結像特性を補正する機構が備えられている。また、解像
力を高めるべく投影光学系の開口数が大きく設定され、
その結果として焦点深度がかなり浅くなっているため、
斜入射方式の焦点位置検出系（ＡＦセンサ）により基板
としてのウエハの表面の凹凸のフォーカス位置（投影光
学系の光軸方向の位置）を計測し、この計測結果に基づ
いてウエハの表面を投影光学系の像面に合わせ込むオー
トフォーカス機構が備えられている。

【０００３】しかし、近年になって、マスクとしてのレ
チクルの変形による結像誤差も次第に無視できなくなっ
てきている。即ち、仮にレチクルのパターン面がほぼ一
様に投影光学系側に撓むと、像面の平均的な位置も低下
するため、ウエハのフォーカス位置が同じではデフォー
カスが発生する。また、レチクルのパターン面が変形す
ると、そのパターン面上のパターンの投影光学系の光軸
に垂直な方向の位置も変化することがあり、このような
パターンの横ずれはディストーション誤差の要因にもな
る。

【０００４】そのようなレチクルの変形を要因別に分類
すると、（イ）自重による撓み、（ロ）レチクルのガラ
ス基板自体の研磨時の変形、（ハ）レチクルをレチクル
ホルダに強引に吸着保持する際に両者の接触面の平面度
に合わせて発生する変形等が考えられる。このようなレ
チクルの変形の状態は、レチクル毎に、更には露光装置
のレチクルホルダ毎に異なってくるため、レチクルの変
形量を正確に測定するには、レチクルを実際に投影露光
装置のレチクルホルダに吸着保持した状態で測定する必
要がある。

【０００５】このように、レチクルホルダに吸着保持さ
れたレチクルのパターン面の変形量を計測する方法とし
て、先ず投影光学系を介してテストプリントを行う方法
が考えられる。即ち、そのパターン面に形成された所定
の複数のパターンの像を投影光学系を介して評価用のウ
エハ上に投影し、更にウエハのフォーカス位置を段階的
に変化させながらその投影を繰り返し、現像後のレジス
トパターン像のコントラストが最も高くなる条件から各
パターンの像のベストフォーカス位置を求める。このと
き、これらのベストフォーカス位置のずれ量からそのパ
ターン面の変形量を或る程度定量的に算出することがで
きる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記の如く、投影露光
装置においてより高い結像性能を得るためには、ウエハ
のみならず、レチクル側でもパターン面の形状を計測す
ることが望ましい。ところが、テストプリントを行う方
法は、時間がかかると共に、露光工程のスループットを
低下させる。更に、実露光用のレチクルには転写用のパ
ターンが形成されているため、テストプリント法は適用
できない。そこで、迅速にレチクルの面形状を計測する
ために、ウエハのフォーカス位置を検出するための斜入
射方式のＡＦセンサと同様の位置センサをレチクルステ
ージ側にも配置することが考えられる。

【０００７】この場合、レチクルのパターン面は下面、
即ち投影光学系側の面であることから、その斜入射方式
の位置センサは、レチクルステージと投影光学系との間
の空間、又はその近傍に配置することが考えられる。と
ころが、レチクルにはパターン面に異物が付着しないよ
うに、金属枠を介して防塵膜（ペリクル）が張設される
ことがある。この場合、その金属枠に斜入射光が遮られ
ないようにする制約もあるため、その位置センサからあ
まり浅い角度（大きな入射角）でレチクルのパターン面
に検出光を照射することはできない。

【０００８】また、特に走査型露光装置において、レチ
クルステージは同期走査のための加減速時に応力を受け
ても変形しないように、十分な剛性を保つ必要があるた
め、レチクルステージは例えば投影光学系に殆ど接触す
る限界まで十分な厚さを備えた構成を取る場合が多い。
更に、レチクルと投影光学系との間の空間が狭い方が投
影光学系の設計は容易であるため、投影光学系が高精度
化するにつれて、ますます投影光学系とレチクルとの間
の空間は少なくなる傾向にある。従って、レチクル用の
位置センサを投影光学系とレチクルとの間に配置するの
は困難であるという不都合がある。

【０００９】また、レチクル用の位置センサには非常に
高い安定性が要求される。これは、その位置センサの計
測値に経時変化があると、レチクルの面形状が変化した
ものと判定されて、誤った結像特性の補正を行うことに
なるためである。本発明は斯かる点に鑑み、レチクル側
のステージと投影光学系との間の空間が狭く、その空間
にレチクルのパターン面の形状を計測するためのセンサ
を設置することが困難な場合でも、そのパターン面の形
状を計測でき、ひいては良好な結像特性が得られる走査
型露光方法を提供することを目的とする。更に、本発明
はそのような走査型露光方法を実施できる走査型露光装
置を提供することをも目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明による走査型露光
方法は、マスク（Ｒ）及び基板（Ｗ）を同期して移動す
ることにより、そのマスクのパターンを投影光学系（Ｐ
Ｌ）を介してその基板上に転写する走査型露光方法にお
いて、そのマスクのパターン像でその基板を走査露光す
るのに先立って、マスク（Ｒ）のパターン面の形状を計
測し、走査露光時にそのパターン面の計測結果に基づい
て投影光学系（ＰＬ）の結像特性、及び基板（Ｗ）の位
置の少なくとも一方を補正するものである。

【００１１】斯かる本発明によれば、例えば投影光学系
による転写対象領域の外側にマスクのパターン面の少な
くとも一部が位置するときにマスクのパターン面の形状
を計測できればよいため、マスクの形状計測用のセンサ
（３０）は投影光学系に対して走査方向に離れた位置に
配置できる。従って、投影光学系とマスク側のステージ
との間の空間が狭い場合でも、そのセンサ（３０）を容
易に設置でき、これを用いてマスクの変形量（撓み量）
を計測できる。この変形量に応じて投影光学系のディス
トーション、又は基板のフォーカス位置を補正すること
で良好な結像特性が得られる。

【００１２】また、マスク（Ｒ）のパターン面の形状計
測は、そのマスクが助走開始位置にあるとき、又はその
マスクが助走位置にあるときに行われることが望まし
い。即ち、例えばマスクの交換後にマスクのパターン面
が助走開始位置か助走区間にあるときに面形状を一度計
測しておけば、その後の露光時に補正を行うことができ
る。また、助走位置で面形状を計測できれば、面形状計
測用にマスクの移動ストロークを伸ばす必要がない。な
お、そのマスクの面形状の測定を走査露光時、走査露光
終了後の減速時、又は減速後の停止時に行ってもよい。

【００１３】次に、本発明による走査型露光装置は、マ
スク（Ｒ）及び基板（Ｗ）を同期して移動することによ
り、そのマスクのパターンを投影光学系（ＰＬ）を介し
てその基板上に転写する走査型露光装置において、投影
光学系（ＰＬ）による転写対象領域（４４）の外側に検
出点を有し、そのマスクのパターン面の形状を計測する
形状測定系（３０）と、この形状測定系の計測結果に基
づいてその投影光学系の結像特性及びその基板の位置の
少なくとも一方を補正する補正系（１５，１９，２３，
２６）と、を有するものである。

【００１４】斯かる本発明の走査型露光装置によれば、
形状測定系（３０）は投影光学系に対して走査方向に離
れた位置に配置でき、この形状測定系によってマスクの
パターン面の形状が容易に計測できる。また、その形状
測定系に沿ってマスクを走査することによって、そのマ
スクのパターン面の全面の形状を計測できる。これによ
って、本発明の走査露光方法が実施できる。

【００１５】この場合、形状測定系（３０）のキャリブ
レーションを行う基準面（１０）を、マスク（Ｒ）を移
動させるマスクステージ（７，ＲＳＴ）上に、マスク
（Ｒ）のパターン面と実質的に同じ高さに形成すること
が望ましい。このとき、形状測定系（３０）を用いて測
定する際には、先ず基準面（１０）の位置を測定してか
ら、その測定値を基準としてマスク（Ｒ）の面位置を測
定するようにする。即ち、基準面（１０）とマスク
（Ｒ）の面位置との差分を測定することによって、形状
測定系（３０）の測定値の安定性は、基準面（１０）を
測定してからマスク（Ｒ）を測定し終わるまでの短い時
間だけ維持されていればよい。従って、形状測定系（３
０）の測定値が所定時間の間に経時変化するときでも、
マスク形状に起因する結像特性の変化を正確に測定し、
補正を行うことが可能である。

【００１６】この場合も、そのマスクのパターン面の形
状計測は、そのマスクが助走開始位置にあるとき、又は
そのマスクが助走位置にあるときに行われることが望ま
しい。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
につき図面を参照して説明する。本例は、ステップ・ア
ンド・スキャン方式の投影露光装置を用いて露光を行う
場合に本発明を適用したものである。図１は、本例の投
影露光装置を示し、この図１において、露光光源１から
射出された露光用の照明光ＩＬは、リレー光学系や照度
分布均一化用のフライアイレンズ等を含む整形光学系２
に入射する。なお、照明光ＩＬとしては、水銀ランプの
ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）、
若しくはＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）等のエキシマレーザ
光、又はＹＡＧレーザの高調波等が使用できる。整形光
学系２の射出面は、転写対象のレチクルの配置面に対す
る瞳位置に相当し、その射出面にはレチクルに対する照
明条件を変更するための種々の開口絞りが配置されたタ
ーレット板３が設置されている。ターレット板３の周辺
部には、通常の円形絞り、照明系のコヒーレンスファク
タ（σ値）を変更できる可変円形絞り、輪帯照明用の輪
帯絞り、及び変形照明用の４分割された絞り等が配置さ
れ、駆動モータ３ａでターレット板３を回転することに
よって、所望の開口絞りが選択できる。

【００１８】ターレット板３中の一つの開口絞りを通過
した照明光ＩＬは、更に視野絞り（レチクルブライン
ド）等を含む光学系４、光路折り曲げ用のミラー５、及
びコンデンサレンズ６を介してレチクルＲのパターン面
（下面）のスリット状の照明領域を照明する。レチクル
Ｒのその照明領域内のパターンの像は、両側テレセント
リックな投影光学系ＰＬを介して投影倍率β（βは、１
／４倍、又は１／５倍等）で縮小されて、フォトレジス
トが塗布されたウエハＷ上のスリット状の露光領域に投
影される。以下、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ
軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で走査露光時のレチクル
Ｒ及びウエハＷの走査方向（即ち、図１の紙面に平行な
方向）に沿ってＸ軸を取り、走査方向に直交する非走査
方向（即ち、図１の紙面に垂直な方向）に沿ってＹ軸を
取って説明する。

【００１９】レチクルＲは、一例として４点支持でレチ
クルホルダ７上に真空吸着によって保持され、レチクル
ホルダ７の底部には高速移動に耐えるべく剛性を高める
ように平行に２本のリブ８Ａ，８Ｂが固定され、これら
のリブ８Ａ，８ＢがレチクルステージＲＳＴ上に固定さ
れ、レチクルステージＲＳＴは、レチクルベース９上で
リニアモータによってＹ方向に連続移動すると共に、Ｘ
方向、Ｙ方向、回転方向に微動する。レチクルホルダ７
の上端に固定された移動鏡１１ｍ、及び外部のレーザ干
渉計１１によってレチクルホルダ７（レチクルＲ）の２
次元的な位置が計測され、この計測値、及び装置全体の
動作を統轄制御する主制御系１４からの制御情報に基づ
いて、レチクルステージ駆動系１２がレチクルステージ
ＲＳＴの動作を制御する。

【００２０】また、レチクルステージＲＳＴ上でレチク
ルＲにＸ方向に隣接する領域に、底面（以下、「基準
面」と呼ぶ）の平面度の良好なガラス基板よりなる基準
部材１０が固定されている。基準部材１０の基準面は、
設計上でレチクルＲのパターン面と同じ高さに設定さ
れ、且つレチクルＲに対するスリット状の照明領域とほ
ぼ同一の大きさであり、その基準面には投影光学系ＰＬ
のディストーション、像面等の結像特性を測定するため
の評価用マークが形成されている。

【００２１】図３（ａ）は基準部材１０を示す平面図で
あり、この図３（ａ）において、基準部材１０の基準面
（底面）には例えばＸ方向に２列で十字型の評価用マー
クＦＲＭ_1,1,…，ＦＲＭ_1,5,ＦＲＭ_2,1,…，ＦＲＭ_2,5
が形成されている。なお、各評価用マークは２次元マー
クであればよく、例えば配列方向が直交する２つのライ
ン・アンド・スペースパターンより形成してもよい。ま
た、配列についても、基準面の全体にほぼ均等に分布し
ていればよい。本例では基準部材１０を使用することに
よって、実露光用のレチクルＲをテストレチクルに変え
ることなく効率的に結像特性が評価できるように構成さ
れている。本例では、更にその基準部材１０の基準面を
後述のレチクルＲのパターン面の形状を計測するための
検出系のキャリブレーションに使用する。

【００２２】図１に戻り、ウエハＷは不図示のウエハホ
ルダ上に吸着保持され、このウエハホルダは試料台２３
上に固定され、試料台２３は、ウエハステージＷＳＴ上
に固定されている。試料台２３は、ウエハＷのフォーカ
ス位置（Ｚ方向の位置）、及び傾斜角の制御を行い、ウ
エハステージＷＳＴは、例えばリニアモータ方式でＸ方
向に試料台２３を連続移動すると共に、Ｘ方向、Ｙ方向
に試料台２３をステップ移動する。試料台２３の上端に
固定された移動鏡２５ｍ、及び外部のレーザ干渉計２５
によって試料台２３（ウエハＷ）の２次元的な位置が計
測され、この計測値、及び主制御系１４からの制御情報
に基づいてウエハステージ駆動系２６がウエハステージ
ＷＳＴの動作を制御する。

【００２３】走査露光時には、投影光学系ＰＬに対し
て、レチクルステージＲＳＴを介してレチクルＲが＋Ｘ
方向（又は−Ｘ方向）に速度ＶＲで走査されるのに同期
して、ウエハステージＷＳＴを介して試料台２３（ウエ
ハＷ）が−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）に速度β・ＶＲ（β
は投影倍率）で走査される。そして、１つのショット領
域への露光が終了すると、ウエハステージＷＳＴのステ
ッピングによって次のショット領域が走査開始位置に移
動し、以下ステップ・アンド・スキャン方式で各ショッ
ト領域への露光が順次行われる。

【００２４】また、走査露光時にオートフォーカス方式
でウエハＷの表面を投影光学系ＰＬの像面に合わせ込む
ために、投影光学系ＰＬの側面下方の投射光学系２７か
らウエハＷの表面の複数の計測点にスリット像が斜めに
投影されている。それらの計測点は、スリット状の露光
領域内、及びこの露光領域に対して走査方向に手前側の
先読み領域内にも配置されている。そして、投射光学系
２７に対称に配置された受光光学系２８では、ウエハＷ
の表面からの反射光を受光してそれらのスリット像を再
結像し、それらの横ずれ量に対応したフォーカス信号を
生成して主制御系１４、及びウエハステージ駆動系２６
に供給する。投射光学系２７、及び受光光学系２８より
斜入射方式の焦点位置検出系（以下、「ＡＦセンサ２
７，２８」と呼ぶ）が構成されている。ウエハＷのフォ
ーカス位置が変化すると、それらのスリット像の横ずれ
量も変化するため、それらのフォーカス信号から対応す
る計測点でのフォーカス位置が検出でき、ウエハステー
ジ駆動系２６では、計測されたフォーカス位置が予め測
定されている像面位置に合致するように試料台２３のＺ
方向の位置、及び傾斜角をサーボ方式で制御する。

【００２５】更に、本例の投影光学系ＰＬには結像特性
の補正機構が組み込まれている。即ち、投影光学系ＰＬ
の本体の鏡筒１８上に伸縮自在のピエゾ素子等からなる
３個の駆動素子１９を介して、レンズ２１が収納される
レンズ枠２０が配置されている。そして、主制御系１４
が結像特性制御部１５を介して駆動素子１９の伸縮量を
制御して、レンズ２１の位置や傾斜角を微調整すること
によって、投影光学系ＰＬの所定のディストーション
（倍率誤差を含む）等を所定範囲で補正できるように構
成されている。なお、本例では１枚のレンズのみを駆動
する例を示しているが、投影光学系ＰＬ内の所定の複数
枚のレンズを駆動することによって、更に他の複数の結
像特性（例えば像面湾曲、コマ収差等）を補正すること
が望ましい。

【００２６】通常、露光を継続して行うような場合に
は、露光装置の周囲の大気圧変化、環境温度の変化、及
び投影光学系ＰＬにおける露光光の熱エネルギーの蓄積
等によって投影光学系ＰＬの結像特性（ディストーショ
ン、像面の位置等）が次第に変化することが知られてい
る。そこで、本例の主制御系１４には、大気圧等を計測
するセンサ（不図示）、及び照明光ＩＬから分岐した光
束の光量を継続的にモニタするセンサ（不図示）からの
検出信号が供給され、主制御系１４ではそれらの検出信
号より結像特性の変化量を予測し、この変化量を相殺す
るように結像特性制御部１５、又は試料台２３のＺ方向
への駆動機構（即ち、デフォーカス量の補正機構）を介
して投影光学系ＰＬの結像特性を補正する。本例では、
結像特性制御部１５、及び試料台２３を用いることによ
って、レチクルＲの変形に起因する結像特性の誤差をも
補正する。

【００２７】また、試料台２３上のウエハＷの近傍に基
準マーク板２２が固定されている。基準マーク板２２の
表面はウエハＷの表面と同じ高さに保持され、基準マー
ク板２２の表面の遮光膜中に、図３（ｂ）に示すよう
に、ディストーション、及び像面の位置等の結像特性計
測用のＹ方向に伸びたスリット２２ｘ、及びＸ方向に伸
びたスリット２２ｙが形成されている。

【００２８】図３（ｃ）は、基準マーク板２２の底部の
試料台２３の内部に設けられた検出系を示し、この図３
（ｃ）において、スリット２２ｘを通過した露光用の照
明光ＩＬは、試料台２３内で集光レンズ２９Ａを介して
光電検出器２９Ｂにより受光され、図３（ｂ）のスリッ
ト２２ｙの底部にも同様に光電検出器が固定され、これ
らの光電検出器の検出信号が図１の主制御系１４の信号
処理部に供給されている。この場合、図３（ａ）の例え
ば評価用マークＦＲＭ_1,1 の投影像のＸ座標（ディスト
ーション）を検出するためには、ウエハステージＷＳＴ
を駆動することによって、基準マーク板２２のスリット
２２ｘでその評価用マークＦＲＭ_1,1 の投影像を横切る
ようにして、光電検出器２９Ｂの検出信号を試料台２３
のＸ座標に対応させてサンプリングする。その後、例え
ばその検出信号を所定の閾値で２値化したときのスライ
ス点の中点の座標として、評価用マークＦＲＭ_1,1 のＸ
座標を検出できる。同様に、スリット２２ｙを用いるこ
とで、評価用マークＦＲＭ _1,1 のＹ座標が検出できる。

【００２９】また、評価用マークＦＲＭ_1,1 の投影像の
像面の位置（ベストフォーカス位置）を検出するために
は、試料台２３中のＺ方向への駆動機構を介して基準マ
ーク板２２のフォーカス位置を所定ステップ量ずつ変化
させ、それぞれスリット２２ｘで投影像を走査したとき
に得られる検出信号のコントラストを検出すればよい。
この場合、コントラストが最も高くなるときの基準マー
ク板２２のフォーカス位置が、その投影像のベストフォ
ーカス位置となる。種々の像高の評価用マークのベスト
フォーカス位置を検出することで、像面も検出できる。

【００３０】なお、このようなスリットを介して投影像
を検出するセンサの他に、ナイフエッジを介して投影像
を検出するセンサ、又はその投影像をリレー光学系を介
してＣＣＤ型等の撮像素子で撮像するセンサ等も使用で
きる。次に、レチクルＲの変形量を計測するための機構
につき説明する。図１の投影露光装置において、レチク
ルホルダ７には剛性を高めるためのリブ８Ａ，８Ｂが設
けられ、投影光学系ＰＬの上端部にはレンズの駆動機構
が設けられているため、レチクルベース９（レチクルス
テージＲＳＴ）と投影光学系ＰＬとの間の空間はかなり
狭くなっている。そこで、本例では、レチクルステージ
ＲＳＴと投影光学系ＰＬとの間の空間に対して走査方向
に外れた領域でレチクルステージＲＳＴの底面側に、レ
チクルＲのパターン面の平面度や傾斜角等の面形状を検
出するための面形状検出系３０が配置されている。

【００３１】本例の投影露光装置では、各レチクルをレ
チクルホルダ７上へロードした後、それぞれ一度パター
ン面の形状を計測して、その形状を記憶するようにして
いる。従って、露光用の照明光ＩＬを照射する走査露光
中はレチクルの形状を測定する必要はなく、走査露光中
はレチクルステージＲＳＴのＸ座標に応じて記憶されて
いるパターン面の形状を呼び出し、その形状に基づいて
結像特性の変動を補正できる。このように投影光学系Ｐ
Ｌの光軸ＡＸ上でレチクルＲの形状を測定する必要が無
いこともあって、レチクルステージＲＳＴと投影光学系
ＰＬとの間の狭い空間に面形状検出系３０を配置しなく
とも済んでいる。

【００３２】図２は、図１の面形状検出系３０を−Ｘ方
向（走査方向）に見た側面図であり、この図２に示すよ
うに、発光ダイオード、又はハロゲンランプ等よりなる
３個の光源３１Ａ〜３１Ｃから射出された検出光ＤＬ
は、それぞれスリット板３３Ａ〜３３Ｃを照明し、スリ
ット板３３Ａ〜３３Ｃに形成されたスリットを通過した
検出光ＤＬは、それぞれ対物レンズ３４Ａ〜３４Ｃを介
して、レチクルＲのパターン面とほぼ同一面内でＹ方向
に一列に配列された計測点４１Ａ〜４１Ｃにスリット像
を投影する。この計測点４１Ａ〜４１Ｃは、レチクルＲ
の移動方向に関して投影光学系ＰＬの転写対象領域（レ
チクルＲ側の投影視野）の外側に設定されている。計測
点４１Ａ〜４１Ｃで反射された検出光ＤＬは、それぞれ
対物レンズ３５Ａ〜３５Ｃを介して振動スリット板３７
Ａ〜３７Ｃの開口上にスリット像を再結像する。振動ス
リット板３７Ａ〜３７Ｃは、駆動検出部３９によって不
図示の振動子を介して１次元方向に振動し、振動スリッ
ト板３７Ａ〜３７Ｃの各開口を通過した検出光ＤＬは、
対応する光電検出器３８Ａ〜３８Ｃに入射し、光電検出
器３８Ａ〜３８Ｃの検出信号が駆動検出部３９に供給さ
れている。従って、本例の面形状検出系３０は、斜入射
方式の位置検出系を３個並列に配置したような構成にな
っている。

【００３３】この場合、レチクルＲのパターン面の計測
点４１Ａ〜４１ＣのＺ方向の位置が変化すると、振動ス
リット板３７Ａ〜３７Ｃ上に再結像されるスリット像の
位置が振動方向に横ずれする。そこで、駆動検出部３９
では、光電検出器３８Ａ〜３８Ｃの検出信号を例えば振
動子の駆動信号で同期整流することによって、計測点４
１Ａ〜４１ＣのＺ方向の位置を例えば１００ｎｍ程度の
分解能で検出し、検出結果を図１の演算部１３に供給す
る。演算部１３には、レーザ干渉計１１で計測されるレ
チクルステージＲＳＴ（レチクルＲ）のＸ座標、Ｙ座標
も供給されている。計測点４１Ａ〜４１ＣでのＺ方向の
位置は、レチクルＲがそのＸ座標にあるときのパターン
面の非走査方向への面形状を示すものである。そして、
図１において、レチクルステージＲＳＴを面形状検出系
３０の上方でＸ方向に移動することによって、レチクル
Ｒのパターン面の全面、及び基準部材１０の基準面の全
面のＺ方向の位置を面形状検出系３０で検出できるよう
に構成されている。

【００３４】なお、本例ではレチクルＲのパターン面上
の３個の計測点のＺ方向の位置を検出しているが、より
細かな位置情報が必要な場合には、斜入射方式の検出系
の個数を増やしてその計測点の個数を増加すればよい。
次に、本例の面形状検出系３０の計測値のキャリブレー
ション（較正）方法につき説明する。面形状検出系３０
はレチクルＲの投影光学系ＰＬに対する相対位置を測定
して、結像特性への影響を評価するのに用いられるた
め、その計測値が安定しないと結像特性が不安定にな
る。しかしながら、面形状検出系３０は１００ｎｍ程度
という極めて高い精度を要求されるセンサであり、その
レベルでの安定性を長期に保つのは、非常に困難であ
り、また製造コストの上昇にもつながる。そこで、レチ
クルホルダ７上に設けられている結像特性計測用の基準
部材１０の基準面を用いて面形状検出系３０の較正を行
う。その基準面の評価用マークの投影像によって像面も
検出できるため、その像面にウエハＷの表面を合わせ込
むと共に、そのときの基準面の位置に対して面形状検出
系３０の計測値が基準値（例えば０）となるように較正
することによって、レチクルＲのパターン面とウエハＷ
の表面との合焦状態を維持できるようになる。

【００３５】これについて具体的に説明すると、図１に
おいて、レチクルステージＲＳＴを駆動して基準部材１
０を露光用の照明光ＩＬの照明領域に移動して、基準部
材１０に照明光ＩＬを照射する。この際に、レチクルホ
ルダ７上に実露光用のレチクルＲが載置されていてもよ
い。そして、図３（ａ）に示す基準部材１０の評価用マ
ークＦＲＭ_1,1 〜ＦＲＭ_2,5 の像が投影光学系ＰＬを介
してウエハステージＷＳＴ側に投影される。そこで、上
述のように基準マーク板２２のフォーカス位置を変えな
がら、所定の複数（３個以上）の評価用マークの像をス
リット２２ｘ（図３（ｃ）参照）で走査して、検出信号
のコントラストより各像のベストフォーカス位置を求
め、これらのベストフォーカス位置より例えば最小自乗
法によって最適な像面（合わせ面）を決定する。

【００３６】また、そのように基準マーク板２２のフォ
ーカス位置を変える際に、主制御系１４は、斜入射方式
のＡＦセンサ２７，２８によってそれら複数の評価用マ
ークの像の近傍の計測点でのフォーカス信号を検出して
おき、それら複数の像のベストフォーカス位置でのフォ
ーカス信号を求める。更に主制御系１４は、その最適な
像面上でのＡＦセンサ２７，２８の各計測点のフォーカ
ス信号をオフセットとして求め、これらのオフセットを
ウエハステージ駆動系２６に供給する。なお、フォーカ
ス信号のオフセットを供給する代わりに、例えば照射光
学系２７からの検出光の入射角、又は受光光学系２８内
で再結像されるスリット像の位置をそのオフセットを相
殺するようにずらしてもよい。

【００３７】その後、露光時にウエハＷの表面が露光領
域にある状態で、ウエハステージ駆動系２６は、ＡＦセ
ンサ２７，２８から供給されるフォーカス信号よりその
オフセットを差し引いた値がそれぞれ０となるように試
料台２３のフォーカス位置、及び傾斜角を制御する。こ
れによって、ウエハＷの表面は、基準部材１０の基準面
の投影光学系ＰＬによる像面を近似する平面、即ち最適
な像面（合わせ面）に正確に合わせ込まれるようにな
る。

【００３８】このように基準部材１０を用いて最適な像
面を計測した直後（計測する直前でもよい）に、図５に
示すように基準部材１０の基準面を面形状検出系３０の
検出領域に移動して面位置を計測する。図５において、
基準部材１０は投影光学系ＰＬに対して＋Ｘ方向側に移
動しており、基準部材１０の基準面（下面）のＸ方向の
中央の３個の計測点４１Ａ〜４１Ｃに対して、それぞれ
図２の面形状検出系３０の光源３１Ａ〜３１Ｃからの検
出光ＤＬＡ〜ＤＬＣが投射され、図１の演算部１３で計
測点４１Ａ〜４１ＣでのＺ方向の位置ＺＡ₀,ＺＢ₀,ＺＣ
₀が検出される。次に、図６に示すように、実露光用の
レチクルＲのパターン面の一部を面形状検出系３０の検
出領域に移動して、そのパターン面の面位置を計測す
る。ここでは、一例として、レチクルＲのパターン面の
形状が走査方向でほぼ一様に変形しているものとして、
ウエハ上の第１のショット領域への走査露光を行うため
に、レチクルＲが助走開始位置（加速開始位置）に停止
した状態でその面位置の計測を行うものとする。

【００３９】図６において、レチクルＲは投影光学系Ｐ
Ｌに対して＋Ｘ方向側に移動しており、レチクルＲは露
光用の照明光による照明領域４４の＋Ｘ方向側に位置し
ている。このときのレチクルステージＲＳＴのＸ座標を
ｘ₁とする。照明領域４４の形状は、図１の光学系４内
の視野絞りによって設定されるが、図６の状態では照明
領域４４にはまだ照明光は照射されていない。そして、
露光が開始されると、レチクルＲは−Ｘ方向に助走を開
始し、所定の走査速度に達してウエハＷとの同期が取ら
れた後、レチクルＲのパターン領域の端部が照明領域４
４に入って照明光の照射（走査露光）が開始され、その
パターン領域が照明領域４４を通過した後にレチクルＲ
の減速が開始されて、レチクルＲが停止する。その後、
次のショット領域への露光時にはレチクルＲは照明領域
４４に対して＋Ｘ方向に走査され、以後レチクルＲは交
互に逆方向に走査される。

【００４０】本例では、図６に示すレチクルＲの助走開
始位置（レチクルステージＲＳＴのＸ座標がｘ₁)で、レ
チクルＲのパターン面の端部の３個の計測点４１Ａ〜４
１Ｃに対して、図２の面形状検出系３０の光源３１Ａ〜
３１Ｃからの検出光ＤＬＡ〜ＤＬＣが投射され、図１の
演算部１３で計測点４１Ａ〜４１ＣでのＺ方向の位置Ｚ
Ａ（ｘ₁)，ＺＢ（ｘ₁)，ＺＣ（ｘ₁)が検出される。その
後、演算部１３は、レチクルＲのパターン面のＺ方向の
位置から基準部材１０の基準面のＺ方向の位置を差し引
いて差分ΔＺＡ（ｘ₁)，ΔＺＢ（ｘ₁)，ΔＺＣ（ｘ₁)を
求め、これらの差分をそのパターン面のＺ方向の位置と
して主制御系１４に供給する。主制御系１４では、供給
されたＺ方向の位置ΔＺＡ（ｘ₁)，ΔＺＢ（ｘ₁)，ΔＺ
Ｃ（ｘ₁)より、先程決定したウエハＷの合わせ面に対す
る投影光学系ＰＬの像面の位置の変化量を算出する。

【００４１】図４は、レチクルＲのパターン面の変形の
一例を示し、この図４はレチクルＲを＋Ｘ方向（走査方
向）に見た図である。この場合、実線はレチクルホルダ
７上に保持されたレチクルＲのパターン面４０が基準面
に合致し、ウエハＷの表面がそのパターン面４０の投影
光学系ＰＬによる像面に合致している状態を示し、２点
鎖線はレチクルＲが自重で撓んだ状態のパターン面４０
Ａを示している。このパターン面４０Ａの基準面からの
撓み量は、上記のＺ方向の位置ΔＺＡ（ｘ₁)，ΔＺＢ
（ｘ₁)，ΔＺＣ（ｘ₁)によって表されている。そこで主
制御系１４は、パターン面４０Ａに対する投影光学系Ｐ
Ｌによる像面４２Ａの変化量を、投影光学系ＰＬの投影
倍率β、及びそのＺ方向の位置から算出する。これによ
って、像面湾曲量、及び像面４２Ａの平均的なフォーカ
ス位置の変化量ΔＺが算出されるため、主制御系１４で
は、先ず図１の結像特性制御部１５を介してその像面湾
曲を補正する。但し、ここでは駆動素子１９の制御によ
って像面湾曲も或る程度変えられるものとしている。こ
の際に、平均的なフォーカス位置も変化するため、主制
御系１４では残留するフォーカス位置の変化量ΔＺ’を
算出し、ウエハステージ制御系２６に対してウエハＷの
表面のフォーカス位置の目標値を−ΔＺ’だけ変化させ
る。これによって、レチクルＲのパターン面の撓みによ
る像面湾曲、及びデフォーカスが補正されて、ウエハＷ
の表面が高精度にレチクルＲのパターン面に対する実際
の像面に合わせ込まれる。

【００４２】なお、レチクルＲのパターン面の変形によ
ってディストーションも変化する場合には、結像特性制
御部１５を介してそのディストーションの補正も行う。
更に、レチクルＲのパターン面の変形量が、走査方向の
位置によって大きく異なる場合には、レチクルステージ
ＲＳＴのＸ座標が所定量変化してｘ_i(ｉ＝２，３，…）
になる毎に面形状検出系３０を介してレチクルＲのパタ
ーン面の３個の計測点でＺ方向の位置ＺＡ（ｘ_i)，ＺＢ
（ｘ_i)，ＺＣ（ｘ_i)を検出し、それぞれ基準面の位置か
らの差分を求めることが望ましい。そして、パターン面
全体の平均的な面を決定して、この平均的な面の像面を
ウエハＷの合わせ面としてもよいが、レチクルステージ
ＲＳＴのＸ座標に応じて結像特性制御部１５による像面
湾曲等の補正量、及び試料台２３によるフォーカス位置
の目標値の補正量を変化させるようにしてもよい。

【００４３】上記のように本例によれば、投影光学系Ｐ
Ｌを介して基準部材１０の基準面の像面を決定した後、
極めて短時間に、その基準面に対するレチクルＲのパタ
ーン面のＺ方向への位置ずれ量を計測している。従っ
て、面形状検出系３０の計測値が次第に経時変化するよ
うな場合でも、その経時変化の影響を受けることなく安
定、且つ高精度にそのレチクルＲのパターン面の位置を
計測できる。そのため、面形状検出系３０として安価な
センサを使用できる。

【００４４】なお、レチクルＲのパターン面の形状の面
形状検出系３０による測定を、レチクルＲの走査露光終
了時の減速時、又は走査露光終了後の停止時等に行うよ
うにしてもよい。次に、本例の投影露光装置でレチクル
Ｒのパターン面の変形量を計測して、結像特性の補正を
行いながら露光を行う場合の全体の動作の一例につき図
７のフローチャートを参照して説明する。先ず、図７の
ステップ３００で、オペレータは投影光学系ＰＬの結像
特性のキャリブレーション、即ち所謂レンズキャリブレ
ーションを行うかどうか判断する。投影光学系ＰＬの結
像特性の安定性により、必要に応じてレンズキャリブレ
ーションが行われる。レンズキャリブレーションを行う
場合にはステップ３０１に進み、主制御系１４の制御の
もとで、図３を参照して説明したように、基準部材１０
の評価用マークを用いて投影光学系ＰＬの結像特性（デ
ィストーション、及び像面）を測定した後、ステップ３
０２に移行して、主制御系１４は基準部材１０の基準面
に対して最適となるように結像特性の補正を行う。

【００４５】次に、レンズキャリブレーションが終了し
た後、又はステップ３００でレンズキャリブレーション
を実行しないときには直接ステップ３０３に移行して、
実際に回路パターンの露光に用いられるレチクル（レチ
クルＲとする）を図１のレチクルホルダ７上に載置して
吸着保持する。次に、ステップ３０４に進み、図５に示
すように基準部材１０のＸ方向の中心を面形状検出系３
０による計測点４１Ａ〜４１Ｃ上に移動して、面形状検
出系３０により基準部材１０の基準面のＺ方向の位置
（光軸ＡＸ方向の位置）の測定を行い、この測定値を面
形状検出系３０の基準値として演算部１３に記憶する。
基準部材１０の走査方向の幅は照明領域程度に狭いた
め、走査方向の位置による誤差は無視できる程度と考え
られる。但し、より基準面の位置精度を高めるために、
基準部材１０の走査方向の位置を変えて面形状検出系３
０を介して複数回Ｚ方向の位置計測を行い、計測値の平
均値を面形状検出系３０の基準値として記憶してもよ
い。

【００４６】次に、ステップ３０５に進み、実露光用の
レチクルＲのパターン面の形状の測定を行う。ここで
は、計測精度を高めるために、レチクルＲのパターン面
の全面の形状を計測するものとすると、図１に示すよう
に、レーザ干渉計１１の計測値に基づいてレチクルステ
ージＲＳＴを介してレチクルＲをＸ方向に移動しなが
ら、Ｘ方向に所定間隔で面形状検出系３０を介してレチ
クルＲのパターン面の非走査方向（Ｙ方向）の３個の計
測点でのＺ方向の位置を計測する。そして、図１の演算
部１３では、各計測値からステップ３０４で記憶された
基準値を差し引いて得られる差分を、レチクルＲのパタ
ーン面のＺ方向の位置として主制御系１４に供給する。
これによってそのパターン面の３次元的な面形状が計測
される。

【００４７】次に、ステップ３０６に進み、主制御系１
４は図４を参照して説明したように、レチクルＲのパタ
ーン面の基準面に対する変形により発生する結像特性の
変化量を計算し、それに対する補正量の計算を行う。走
査露光方式では露光領域がスリット状であるため、レチ
クルステージＲＳＴの走査方向の位置（Ｘ座標）に応じ
て補正量を変えることにより、より細かい補正が可能と
なる。例えば、レチクルＲがねじれるような変形を起こ
しているときには、ねじれ量に応じてウエハＷの表面の
傾斜角を変えるなど、レチクルステージＲＳＴのＸ座標
に応じて補正量を決定することが望ましい。勿論、この
場合におけるレチクルステージＲＳＴのＸ座標は測定位
置（面形状検出系３０の計測点の位置）と露光位置（光
軸ＡＸの位置）との差分を考慮したものである。

【００４８】次に、ステップ３０７に進み、半導体素子
の回路パターンをウエハ上に焼き付けるための露光動作
に入る。即ち、例えば１ロットのウエハを順次試料台２
３上にロードして、各ウエハのショット領域に対して走
査露光を行う。この走査露光の直前に主制御系１４は、
ステップ３０６で求めておいた結像特性の補正量に、大
気圧変動、及び投影光学系ＰＬの照明光吸収による結像
特性の変動量を相殺するための補正量を加算して総合的
な補正量を求める。そして、その総合的な補正量に基づ
いて、主制御系１４はレチクルステージＲＳＴのＸ座標
に応じて結像特性制御部１５、及び試料台２３を駆動し
て結像特性の補正を行いつつ、当該ショット領域への走
査露光を行わせる。

【００４９】例えば１ロットのウエハへの露光動作が終
了した後、露光を継続して行う場合には、動作はステッ
プ３０８からステップ３０９に移行して、レチクルを交
換するかどうか判定する。同一レチクルで続けて露光を
行う場合は、レチクルの形状を再び測定する必要がない
ので、ステップ３０７に戻り、同様に露光動作を行う。
ステップ３０９でレチクルを交換する場合は、ステップ
３００まで戻る。この際に、前回の投影光学系ＰＬの結
像特性のキャリブレーション（レンズキャリブレーショ
ン）からあまり時間が経っていなければ、変化要因はレ
チクルの面形状のみであるため、直接ステップ３０３に
移行してレチクルのロードから実行すればよい。更に、
面形状検出系３０の計測値が経時変化する時間に比べて
これまでの経過時間が十分短いときには、ステップ３０
４の面形状検出系３０による基準面の位置測定も省略で
きる。

【００５０】このように本例によれば、基準部材１０の
基準面の位置を基準として面形状検出系３０を用いてレ
チクルＲのパターン面の形状を計測し、計測結果に応じ
て結像特性を補正しているため、面形状検出系３０の計
測値が経時変化する場合でもそのパターン面の形状を高
精度に計測でき、結果として結像特性を所望の状態に高
精度に維持した状態で露光を行うことができる。

【００５１】なお、レチクルとして前に使用されたこと
があり面形状の計測データが記憶されているレチクルが
使用される場合で、且つその露光プロセスの必要精度が
あまり高くないような場合には、ステップ３０５のレチ
クルの面形状の計測工程を省略してスループットを高め
ることも可能である。但し、同一のレチクルであって
も、レチクルローダの位置決め精度によってレチクルホ
ルダ７に搭載される際のレチクルの位置が微妙に変化
し、また、異物がレチクルホルダ７とレチクルとの間に
挟まれることも考えられるので、毎回測定することが望
ましい。更に、異物、あるいはレチクルの製造誤差等に
よっては、結像特性を補正しても残留誤差が大きいと判
断されるとき、又は補正量が足りないとき等は、オペレ
ータに警告を発して露光を停止することが望ましい。

【００５２】また、本例では、レチクルＲの形状はレチ
クルホルダ７に搭載された後は一定の形状を保っている
という前提で、レチクルＲを装置に搭載した際に１回だ
け測定していたが、レチクルＲの形状が時間の経過に伴
い変化したり、レチクルＲが照明光を吸収して膨張する
等によって再計測が必要な場合は、再び、ステップ３０
４か３０５に戻り面形状の測定をし直すことが望まし
い。更に、これまでの説明では、レチクルＲの形状変化
のみを考慮していたが、レチクルステージＲＳＴの位置
によりレチクルステージＲＳＴの姿勢が変化してレチク
ルＲの姿勢も変化する恐れもある。この場合、レチクル
Ｒによらず、装置固有の問題であるので、投影露光装置
毎に予めレチクルＲの姿勢の変化量を測定しておき、そ
の変化量の補正値をレチクルステージＲＳＴの座標に応
じた結像特性の補正値に組み込んで、レチクルの形状に
よる補正成分に加算してやればよい。更に、レチクルス
テージＲＳＴの走査速度、及び加速度に依存してレチク
ルステージＲＳＴの姿勢が変わる場合も、同様に予め測
定しておき補正することが望ましい。

【００５３】また、上記の実施の形態では、面形状検出
系３０をレチクルステージＲＳＴの底面側に配置してい
るが、面形状検出系３０をレチクルＲの斜め上方に配置
してもよい。但し、レチクルＲのパターン面は下面であ
るため、面形状検出系３０をレチクルステージＲＳＴの
底面側に配置した方が、レチクルＲの上面からの反射光
の影響が少ない状態で高精度にパターン面の形状を検出
できる。

【００５４】更に、上記の実施の形態では投影光学系Ｐ
Ｌ内のレンズの駆動、及びウエハステージＷＳＴ上の試
料台２３の姿勢制御によって、結像特性の補正を行った
が、レチクルステージＲＳＴ側に姿勢制御機構を設け
て、面形状検出系３０でレチクルのパターン面の位置の
フィードバックを行いつつ、レチクルの姿勢制御を行っ
てもよい。この場合、面形状検出系３０の計測点は１列
ではなく、少なくとも平面を決定できるように１直線上
に無い３点での位置を検出することが望ましい。

【００５５】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得ることは勿論である。

【００５６】

【発明の効果】本発明の走査型露光方法によれば、走査
露光前にマスクのパターン面の形状を計測し、走査露光
時にパターン面の計測結果に基づいて結像特性を補正す
るため、投影光学系とマスク側のステージとの間隔が非
常に狭い場合でも、例えば投影光学系に対して走査方向
に外れた位置にマスクのパターン面の形状を測定するた
めのセンサを容易に配置できる利点がある。従って、マ
スクの変形量を測定することによって、その変形に起因
する結像特性の変化量を計算して補正を行うことが可能
となる。

【００５７】また、マスクのパターン面の形状計測を、
マスクが助走開始位置にあるとき、又はマスクが助走位
置にあるときに行う場合には、面形状測定用のセンサを
確実に走査方向に外れた位置に配置できると共に、面形
状計測用にマスクの移動ストロークを伸ばす必要がな
い。次に、本発明の走査型露光装置によれば、本発明の
走査型露光方法が実施できる。このときに、マスクを移
動するマスクステージにマスクのパターン面と実質的に
同じ高さの基準面を形成しておき、その基準面を用いて
形状測定系のキャリブレーションを行う場合には、その
形状測定系の安定性が基準面を測定してからマスクを測
定し終わるまでの短い時間しか要求されないため、その
形状測定の計測値が経時変化する（安定性が悪い）場合
でも、マスクの形状を高精度に測定し、その形状変化に
起因する結像特性の変化量の補正を行うことができる。
従って、形状計測系の構成を簡素化できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の一例で使用される投影露
光装置を示す一部を切り欠いた構成図である。

【図２】図１中の面形状検出系３０の構成を示す側面図
である。

【図３】（ａ）は図１の基準部材１０の評価用マークの
配列を示す平面図、（ｂ）は図１の基準マーク板２２を
示す平面図、（ｃ）はその基準マーク板２２の底部の検
出系を示す断面図である。

【図４】レチクルＲのパターン面の変形による像面の変
化を示す説明図である。

【図５】基準部材１０の基準面の位置を測定する場合の
配置を簡略化して示す斜視図である。

【図６】レチクルのパターン面の形状を測定する場合の
配置を簡略化して示す斜視図である。

【図７】本発明の実施の形態において、レチクルの面形
状による結像特性の変化に対する補正を行いつつ露光を
行う場合の全体の動作の一例を示すフローチャートであ
る。

【符号の説明】

３ターレット板ＲレチクルＰＬ投影光学系Ｗウエハ７レチクルホルダ１０基準部材ＲＳＴレチクルステージ１３演算部１４主制御系１５結像特性制御部１９駆動素子２２基準マーク板２３試料台ＷＳＴウエハステージ３０面形状検出系４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ面形状検出系による計測点

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスク及び基板を同期して移動すること
により、前記マスクのパターンを投影光学系を介して前
記基板上に転写する走査型露光方法において、前記マスクのパターン像で前記基板を走査露光するのに
先立って、前記マスクのパターン面の形状を計測し、走査露光時に前記パターン面の計測結果に基づいて前記
投影光学系の結像特性及び前記基板の位置の少なくとも
一方を補正することを特徴とする走査型露光方法。
【請求項２】前記マスクのパターン面の形状計測は、
前記マスクが助走開始位置にあるとき、又は前記マスク
が助走位置にあるときに行われることを特徴とする請求
項１記載の走査型露光方法。
【請求項３】マスク及び基板を同期して移動すること
により、前記マスクのパターンを投影光学系を介して前
記基板上に転写する走査型露光装置において、前記投影光学系による転写対象領域の外側に検出点を有
し、前記マスクのパターン面の形状を計測する形状測定
系と、該形状測定系の計測結果に基づいて前記投影光学系の結
像特性及び前記基板の位置の少なくとも一方を補正する
補正系と、を有することを特徴とする走査型露光装置。
【請求項４】前記マスクを移動するマスクステージに
前記マスクのパターン面と実質的に同じ高さの基準面を
形成しておき、該基準面を用いて前記形状測定系のキャリブレーション
を行うことを特徴とする請求項３記載の走査型露光装
置。
【請求項５】前記マスクのパターン面の形状計測は、
前記マスクが助走開始位置にあるとき、又は前記マスク
が助走位置にあるときに行われることを特徴とする請求
項３、又は４記載の走査型露光装置。