JPH11354890A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
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- JPH11354890A JPH11354890A JP15711798A JP15711798A JPH11354890A JP H11354890 A JPH11354890 A JP H11354890A JP 15711798 A JP15711798 A JP 15711798A JP 15711798 A JP15711798 A JP 15711798A JP H11354890 A JPH11354890 A JP H11354890A
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 二段構成の電子冷却装置を有する半導体レー
ザモジュールの冷却能力を改善して半導体レーザ素子の
発振特性を安定させる。 【解決手段】 1段目の電子冷却素子11と2段目の電
子冷却素子12とを重ねて電子冷却器6を形成する。1
段目に第1のレンズ2と光検出器7とからなる熱容量の
大きな光学部品をキャリア32を介して搭載し、2段目
に精密な温度制御を必要とする半導体レーザ素子1とサ
ーミスタ8とを搭載する。キャリア32の中央部分に2
段目の電子冷却素子12が通る開口部51を設け、開口
部の形状を2段目の電子冷却素子とはめあい構造とする
ことによりキャリア32のずれが防止される。
ザモジュールの冷却能力を改善して半導体レーザ素子の
発振特性を安定させる。 【解決手段】 1段目の電子冷却素子11と2段目の電
子冷却素子12とを重ねて電子冷却器6を形成する。1
段目に第1のレンズ2と光検出器7とからなる熱容量の
大きな光学部品をキャリア32を介して搭載し、2段目
に精密な温度制御を必要とする半導体レーザ素子1とサ
ーミスタ8とを搭載する。キャリア32の中央部分に2
段目の電子冷却素子12が通る開口部51を設け、開口
部の形状を2段目の電子冷却素子とはめあい構造とする
ことによりキャリア32のずれが防止される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光通信の光源などに
使用する半導体レーザモジュールに関し、特に電子冷却
素子を内蔵する半導体レーザモジュールに関するもので
ある。
使用する半導体レーザモジュールに関し、特に電子冷却
素子を内蔵する半導体レーザモジュールに関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】光通信システムの光源などに使用する半
導体レーザモジュールは、温度上昇に伴い急激な光出力
の低下や劣化が生じ、さらに周囲温度の変化により半導
体レーザ素子の発振特性が変化する。そのため、半導体
レーザ素子を光通信システムの光源として使用する場合
には、これらの光出力の低下や発振特性の変化が伝送特
性に大きな影響を与える。
導体レーザモジュールは、温度上昇に伴い急激な光出力
の低下や劣化が生じ、さらに周囲温度の変化により半導
体レーザ素子の発振特性が変化する。そのため、半導体
レーザ素子を光通信システムの光源として使用する場合
には、これらの光出力の低下や発振特性の変化が伝送特
性に大きな影響を与える。
【0003】最近、光通信において波長分割多重(WD
M)伝送方式の採用によって、光通信伝送方式が高密度
化され、それに伴って光ファイバアンプに用いられる励
起用半導体レーザモジュールの高出力化が必要となって
きている。励起用半導体レーザモジュールの高出力化の
ためには、素子出力及び結合効率の改善が必要であり、
それに伴って半導体レーザモジュールの冷却能力を改善
することが必要である。
M)伝送方式の採用によって、光通信伝送方式が高密度
化され、それに伴って光ファイバアンプに用いられる励
起用半導体レーザモジュールの高出力化が必要となって
きている。励起用半導体レーザモジュールの高出力化の
ためには、素子出力及び結合効率の改善が必要であり、
それに伴って半導体レーザモジュールの冷却能力を改善
することが必要である。
【0004】上述の半導体レーザモジュールの冷却問題
を解決するために、従来半導体レーザモジュールのパッ
ケージ内に電子冷却素子を内蔵させて、半導体レーザ素
子とレーザ光モニタ素子とを一定温度に制御する方法が
採用されている。すなわち図3に示すように、半導体レ
ーザ素子121と、レーザ光モニタ素子124と、光フ
ァイバ126への結合レンズ123と、温度検出用抵抗
回路素子であるサーミスタ122とがレーザ搭載ブロッ
ク125の所定箇所に搭載される。さらにレーザ搭載ブ
ロック125の底面部と金属製の気密パッケージ127
の底面部との間に電子冷却器128が配置され、はんだ
によって互いに密着固定される。
を解決するために、従来半導体レーザモジュールのパッ
ケージ内に電子冷却素子を内蔵させて、半導体レーザ素
子とレーザ光モニタ素子とを一定温度に制御する方法が
採用されている。すなわち図3に示すように、半導体レ
ーザ素子121と、レーザ光モニタ素子124と、光フ
ァイバ126への結合レンズ123と、温度検出用抵抗
回路素子であるサーミスタ122とがレーザ搭載ブロッ
ク125の所定箇所に搭載される。さらにレーザ搭載ブ
ロック125の底面部と金属製の気密パッケージ127
の底面部との間に電子冷却器128が配置され、はんだ
によって互いに密着固定される。
【0005】図3に示す半導体レーザ装置では、動作温
度範囲に応じて電子冷却素子の必要な冷却性能が決定さ
れ、通常動作温度範囲は−10℃〜+65℃程度に設定
される。この動作温度範囲のもとで、半導体レーザ素子
の温度は、25℃±1℃程度に制御される。
度範囲に応じて電子冷却素子の必要な冷却性能が決定さ
れ、通常動作温度範囲は−10℃〜+65℃程度に設定
される。この動作温度範囲のもとで、半導体レーザ素子
の温度は、25℃±1℃程度に制御される。
【0006】上述のように形成された半導体レーザ素子
を内蔵する半導体レーザ装置において、最近その応用分
野が拡大するにつれ動作温度範囲に対する要求が−20
℃〜+85℃程度にまで拡がって来ている。この広い動
作温度範囲の要求に対応するため、図4に示すように、
半導体レーザ素子111が搭載されるブロック115と
気密パッケージ117の底板との間に、多段(この場合
は2段)に積層された複数の電子冷却素子18a、18
bを備え、各電子冷却素子の冷却能力を重畳可能とする
とともに、周囲温度に合わせて給電対象の電子冷却素子
及びその組合せを変更することにより冷却能力を変更可
能にする構成が、特開平3−6082号公報に開示され
ている。
を内蔵する半導体レーザ装置において、最近その応用分
野が拡大するにつれ動作温度範囲に対する要求が−20
℃〜+85℃程度にまで拡がって来ている。この広い動
作温度範囲の要求に対応するため、図4に示すように、
半導体レーザ素子111が搭載されるブロック115と
気密パッケージ117の底板との間に、多段(この場合
は2段)に積層された複数の電子冷却素子18a、18
bを備え、各電子冷却素子の冷却能力を重畳可能とする
とともに、周囲温度に合わせて給電対象の電子冷却素子
及びその組合せを変更することにより冷却能力を変更可
能にする構成が、特開平3−6082号公報に開示され
ている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した図4に示す従
来の2段に積層された電子冷却素子からなる電子冷却装
置を有する半導体レーザ装置においては、図3で示した
一段の電子冷却素子によって冷却される半導体レーザ装
置に比較して冷却能力が向上しているが、上段の電子冷
却素子の冷却面上に固設されたレーザ搭載ブロックの上
に、半導体レーザ素子と、レーザ光モニタ素子と、光フ
ァイバへの結合レンズと、温度検出用サーミスタとを搭
載している。したがってレーザ光モニタ素子と光ファイ
バへの結合レンズとの熱容量が、半導体レーザ素子及び
温度検出用サーミスタの熱容量に比較して遙に大きいた
めに、精密な温度調整を必要とする半導体レーザ素子及
び温度検出用サーミスタの温度制御が不充分となるとい
う欠点がある。
来の2段に積層された電子冷却素子からなる電子冷却装
置を有する半導体レーザ装置においては、図3で示した
一段の電子冷却素子によって冷却される半導体レーザ装
置に比較して冷却能力が向上しているが、上段の電子冷
却素子の冷却面上に固設されたレーザ搭載ブロックの上
に、半導体レーザ素子と、レーザ光モニタ素子と、光フ
ァイバへの結合レンズと、温度検出用サーミスタとを搭
載している。したがってレーザ光モニタ素子と光ファイ
バへの結合レンズとの熱容量が、半導体レーザ素子及び
温度検出用サーミスタの熱容量に比較して遙に大きいた
めに、精密な温度調整を必要とする半導体レーザ素子及
び温度検出用サーミスタの温度制御が不充分となるとい
う欠点がある。
【0008】本発明の目的は、二段構成の電子冷却素子
を含む電子冷却装置を有する半導体レーザモジュールに
おいて、一段目の電子冷却素子の上に熱容量の大きいレ
ンズ及び光検出器などの光学部品を搭載し、二段目の電
子冷却素子の上に半導体レーザ素子と半導体レーザ素子
の温度をモニタするサーミスタとを搭載することによ
り、冷却能力が向上した半導体レーザモジュールを提供
することにある。
を含む電子冷却装置を有する半導体レーザモジュールに
おいて、一段目の電子冷却素子の上に熱容量の大きいレ
ンズ及び光検出器などの光学部品を搭載し、二段目の電
子冷却素子の上に半導体レーザ素子と半導体レーザ素子
の温度をモニタするサーミスタとを搭載することによ
り、冷却能力が向上した半導体レーザモジュールを提供
することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザモ
ジュールは、半導体レーザ素子と半導体レーザ素子の温
度をモニタするサーミスタとを搭載するキャリアと、キ
ャリアを収容する筐体の底板との間に、少なくとも2段
に形成された電子冷却素子を含む電子冷却器を具備する
半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザ素子か
ら出射したレーザ光をコリメートするための第1のレン
ズと、レーザ光をモニタするための光検出器とを搭載し
て、筐体の底板上に固設された第1の電子冷却素子と、
第1の電子冷却素子の上に重ねて固設され、半導体レー
ザ素子及びサーミスタを搭載するキャリアが上面に固設
された第2の電子冷却素子とを備えている。
ジュールは、半導体レーザ素子と半導体レーザ素子の温
度をモニタするサーミスタとを搭載するキャリアと、キ
ャリアを収容する筐体の底板との間に、少なくとも2段
に形成された電子冷却素子を含む電子冷却器を具備する
半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザ素子か
ら出射したレーザ光をコリメートするための第1のレン
ズと、レーザ光をモニタするための光検出器とを搭載し
て、筐体の底板上に固設された第1の電子冷却素子と、
第1の電子冷却素子の上に重ねて固設され、半導体レー
ザ素子及びサーミスタを搭載するキャリアが上面に固設
された第2の電子冷却素子とを備えている。
【0010】第1のレンズと光検出器とは、板状のキャ
リアを介して第1の電子冷却素子に搭載され、キャリア
は中央部に第2の電子冷却素子を通すための開口部を有
し、開口部と第2の電子冷却素子とははめ合いの関係に
ある。さらにまた、コリメートされたレーザ光を集光す
るための第2のレンズは、筐体の外部に固設される。
リアを介して第1の電子冷却素子に搭載され、キャリア
は中央部に第2の電子冷却素子を通すための開口部を有
し、開口部と第2の電子冷却素子とははめ合いの関係に
ある。さらにまた、コリメートされたレーザ光を集光す
るための第2のレンズは、筐体の外部に固設される。
【0011】上述のように半導体レーザモジュールの電
子冷却器を2段構成として、下段部の第1の電子冷却素
子の上には熱容量の大きな第1のレンズと光検出器とを
搭載し、上段部の第2の電子冷却素子の上には熱容量が
比較的小さくかつ精密な温度調節を必要とする半導体レ
ーザ素子とサーミスタとを搭載するようにし、さらに上
段部と下段部とを構成する熱電素子の数及び配列を上述
の熱容量を考慮して設定するとともに、動作温度範囲に
適合した給電を上段部及び下段部のそれぞれに行なうこ
とにより、半導体レーザ素子を含むモジュールの冷却特
性及び半導体レーザ素子の発振特性が改善される。また
集光用の第2のレンズを筐体外部に設けることにより、
温度調節を必要とする光学系部品の熱容量を減少させる
から、半導体レーザーモジュールの冷却特性を改善する
ことができる。
子冷却器を2段構成として、下段部の第1の電子冷却素
子の上には熱容量の大きな第1のレンズと光検出器とを
搭載し、上段部の第2の電子冷却素子の上には熱容量が
比較的小さくかつ精密な温度調節を必要とする半導体レ
ーザ素子とサーミスタとを搭載するようにし、さらに上
段部と下段部とを構成する熱電素子の数及び配列を上述
の熱容量を考慮して設定するとともに、動作温度範囲に
適合した給電を上段部及び下段部のそれぞれに行なうこ
とにより、半導体レーザ素子を含むモジュールの冷却特
性及び半導体レーザ素子の発振特性が改善される。また
集光用の第2のレンズを筐体外部に設けることにより、
温度調節を必要とする光学系部品の熱容量を減少させる
から、半導体レーザーモジュールの冷却特性を改善する
ことができる。
【0012】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。図1は本発明の半導体レーザ
モジュールの一実施の形態の縦断面略図、図2は図1か
ら上蓋を取除いた平面略図である。
図面を参照して説明する。図1は本発明の半導体レーザ
モジュールの一実施の形態の縦断面略図、図2は図1か
ら上蓋を取除いた平面略図である。
【0013】図1において、半導体レーザ素子1は電気
入力を光出力に変換して、光通信に使用するための所要
のレーザ光を発信する光電変換素子である。ヒートシン
ク21は、半導体レーザ素子1を搭載して半導体レーザ
素子の放熱を良くするための台座である。半導体レーザ
キャリア31は、上面にヒートシンク21及び半導体レ
ーザ素子1の温度をモニタするためのサーミスタ8を搭
載してはんだによってそれらを固定している。
入力を光出力に変換して、光通信に使用するための所要
のレーザ光を発信する光電変換素子である。ヒートシン
ク21は、半導体レーザ素子1を搭載して半導体レーザ
素子の放熱を良くするための台座である。半導体レーザ
キャリア31は、上面にヒートシンク21及び半導体レ
ーザ素子1の温度をモニタするためのサーミスタ8を搭
載してはんだによってそれらを固定している。
【0014】上段部11と下段部12との2段構成の電
子冷却器6は、半導体レーザ素子1の光出力及び波長を
安定化させるための温度調節及び光学系の温度調節を行
うための熱電交換機能を備えた熱電素子によって構成さ
れる。上段部11の上面側基板11aは冷却側基板を形
成し、その上に半導体レーザキャリア31を搭載しては
んだによって固定している。下段部12の底面側基板1
2aは放熱側基板を形成し、下面において金属製の気密
な筐体をなすモジュールパッケージ4の底板の上にはん
だによって固設されて、放熱側基板の熱を伝導により有
効に発散されるように形成されている。
子冷却器6は、半導体レーザ素子1の光出力及び波長を
安定化させるための温度調節及び光学系の温度調節を行
うための熱電交換機能を備えた熱電素子によって構成さ
れる。上段部11の上面側基板11aは冷却側基板を形
成し、その上に半導体レーザキャリア31を搭載しては
んだによって固定している。下段部12の底面側基板1
2aは放熱側基板を形成し、下面において金属製の気密
な筐体をなすモジュールパッケージ4の底板の上にはん
だによって固設されて、放熱側基板の熱を伝導により有
効に発散されるように形成されている。
【0015】また上段部11と下段部12との間に配設
される共通の基板12bは、上面側において上段部11
の放熱側配線パターンが形成され、下面側において下段
部12の冷却側配線パターンが形成されて、放熱面と冷
却面とを兼ね備える構成となっている。
される共通の基板12bは、上面側において上段部11
の放熱側配線パターンが形成され、下面側において下段
部12の冷却側配線パターンが形成されて、放熱面と冷
却面とを兼ね備える構成となっている。
【0016】共通の基板12bの上面には、光学部品を
搭載するための板状のキャリア32がはんだで固定され
る。キャリア32のほぼ中央部には、開口部51が設け
られており、開口部51の中を上段部11が貫通してい
る。開口部51の形状及び寸法は、その中を貫通する上
段部11が丁度はまり合うことができる大きさとする。
開口部51をこのように形成することによって、キャリ
ア32の位置ずれを防止することができる。
搭載するための板状のキャリア32がはんだで固定され
る。キャリア32のほぼ中央部には、開口部51が設け
られており、開口部51の中を上段部11が貫通してい
る。開口部51の形状及び寸法は、その中を貫通する上
段部11が丁度はまり合うことができる大きさとする。
開口部51をこのように形成することによって、キャリ
ア32の位置ずれを防止することができる。
【0017】共通の基板12bの上面に設けられた光学
部品を搭載するためのキャリア32上には、半導体レー
ザ素子1から出射されたレーザ光をコリメートするため
の第1のレンズ2が、第1のレンズホールダ2aにより
固設される。第1のレンズホールダ2aとキャリア32
との間、及び第1のレンズホールダ2aと第1のレンズ
2との間は、それぞれYAGレーザ溶接を用いて固定す
る。
部品を搭載するためのキャリア32上には、半導体レー
ザ素子1から出射されたレーザ光をコリメートするため
の第1のレンズ2が、第1のレンズホールダ2aにより
固設される。第1のレンズホールダ2aとキャリア32
との間、及び第1のレンズホールダ2aと第1のレンズ
2との間は、それぞれYAGレーザ溶接を用いて固定す
る。
【0018】キャリア32の上には、さらにレーザ光を
モニタするための光検出器7(PD)がYAGレーザ溶
接によって固定される。このように熱容量の大きい光学
部品が、冷却能力の大きい下段部12の上にキャリア3
2を介して固設される。
モニタするための光検出器7(PD)がYAGレーザ溶
接によって固定される。このように熱容量の大きい光学
部品が、冷却能力の大きい下段部12の上にキャリア3
2を介して固設される。
【0019】上述のように、電子冷却器6の上段部11
には、熱容量が小さくかつ精密な温度制御を必要とする
半導体レーザ素子1とそのヒートシンク21、及びサー
ミスタ8のみを搭載し、電子冷却器6の下段部12の上
には、熱容量が大きい光学部品である第1のレンズ2と
そのホールダ2a及び光検出器(PD)7とを搭載し、
上段部11と下段部12とを構成する熱電素子の数及び
配列を、上述の熱容量を考慮して設定するとともに、動
作温度範囲に適合した給電を上段部11及び下段部12
に行うことにより、半導体レーザ素子1を含むモジュー
ルの冷却特性を改善することができる。
には、熱容量が小さくかつ精密な温度制御を必要とする
半導体レーザ素子1とそのヒートシンク21、及びサー
ミスタ8のみを搭載し、電子冷却器6の下段部12の上
には、熱容量が大きい光学部品である第1のレンズ2と
そのホールダ2a及び光検出器(PD)7とを搭載し、
上段部11と下段部12とを構成する熱電素子の数及び
配列を、上述の熱容量を考慮して設定するとともに、動
作温度範囲に適合した給電を上段部11及び下段部12
に行うことにより、半導体レーザ素子1を含むモジュー
ルの冷却特性を改善することができる。
【0020】本半導体レーザモジュールには、モジュー
ルパッケージ4の外部にレーザ光の光軸を含んで集光用
の第2のレンズ3を第2のレンズホールダ3aによって
固設し、さらに光ファイバ5をファイバホールダ5aで
保持して第2のレンズホールダ3aに固設する。光ファ
イバ5の軸は第1のレンズ2及び第2のレンズ3で形成
される光学系の光軸と精密に一致するように固設する必
要がある。そのため光ファイバ5とファイバホールダ5
aとの間、ファイバホールダ5aと第2のレンズホール
ダ3aとの間、及び第2のレンズホールダ3aとモジュ
ールパッケージ4との間は、何れもYAGレーザ溶接で
固定される。
ルパッケージ4の外部にレーザ光の光軸を含んで集光用
の第2のレンズ3を第2のレンズホールダ3aによって
固設し、さらに光ファイバ5をファイバホールダ5aで
保持して第2のレンズホールダ3aに固設する。光ファ
イバ5の軸は第1のレンズ2及び第2のレンズ3で形成
される光学系の光軸と精密に一致するように固設する必
要がある。そのため光ファイバ5とファイバホールダ5
aとの間、ファイバホールダ5aと第2のレンズホール
ダ3aとの間、及び第2のレンズホールダ3aとモジュ
ールパッケージ4との間は、何れもYAGレーザ溶接で
固定される。
【0021】次に本半導体レーザモジュールの動作につ
いて説明する。半導体レーザ素子1から出射されたレー
ザ光は、第1のレンズ2によってコリメートされて第2
のレンズ3において集光されて光ファイバ5と結合し、
光ファイバ5の他の端部から不図示の光コネクタ等によ
って取り出される。
いて説明する。半導体レーザ素子1から出射されたレー
ザ光は、第1のレンズ2によってコリメートされて第2
のレンズ3において集光されて光ファイバ5と結合し、
光ファイバ5の他の端部から不図示の光コネクタ等によ
って取り出される。
【0022】半導体レーザ素子1の光出力及び波長を安
定させるために、サーミスタ8が半導体レーザ素子1の
温度を電気的にモニタし、サーミスタ8の抵抗値が所定
の値となるように電子冷却器6が働いて、半導体レーザ
素子1の温度が制御される。電子冷却器6は上段部11
と下段部12の2段構成となっており、上段部11の上
には精密な温度制御を必要としかつ熱容量の小さい半導
体レーザ素子1が搭載され、下段部12の上には熱容量
の大きい光学部品である第1のレンズ2及び光検出器7
が搭載されているので、半導体レーザ素子1の冷却特性
が改善され、かつ上段部11の放熱部を下段部12で冷
却することができるので1段冷却の電子冷却器に比較し
て冷却能力が向上する。また光学系部品のうち集光のた
めの第2のレンズをパッケージ4の外部に設けることに
より、温度調節を必要とする部分の熱容量を減じること
ができるので、半導体レーザーモジュールの冷却特性を
改善することができる。
定させるために、サーミスタ8が半導体レーザ素子1の
温度を電気的にモニタし、サーミスタ8の抵抗値が所定
の値となるように電子冷却器6が働いて、半導体レーザ
素子1の温度が制御される。電子冷却器6は上段部11
と下段部12の2段構成となっており、上段部11の上
には精密な温度制御を必要としかつ熱容量の小さい半導
体レーザ素子1が搭載され、下段部12の上には熱容量
の大きい光学部品である第1のレンズ2及び光検出器7
が搭載されているので、半導体レーザ素子1の冷却特性
が改善され、かつ上段部11の放熱部を下段部12で冷
却することができるので1段冷却の電子冷却器に比較し
て冷却能力が向上する。また光学系部品のうち集光のた
めの第2のレンズをパッケージ4の外部に設けることに
より、温度調節を必要とする部分の熱容量を減じること
ができるので、半導体レーザーモジュールの冷却特性を
改善することができる。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体レ
ーザモジュールの冷却に用いられる電子冷却器を2段構
成として上段部に半導体レーザ素子とサーミスタとを搭
載し、下段部に熱容量の大きい光学部品を搭載する構成
としたため、冷却能力が向上するとともに冷却特性が改
善されてレーザの発振特性が安定し、さらに光学部品を
搭載するキャリアに開口部を設けて、その開口部と電子
冷却器の上段部とをはめあい構造としたため、キャリア
の位置ずれが防止されるという効果がある。さらにま
た、集光用第2のレンズをパッケージの外部に設けたた
め、温度調節を必要とする部分の熱容量が削減されるの
で、半導体レーザーモジュールの冷却性の改善に効果が
ある。
ーザモジュールの冷却に用いられる電子冷却器を2段構
成として上段部に半導体レーザ素子とサーミスタとを搭
載し、下段部に熱容量の大きい光学部品を搭載する構成
としたため、冷却能力が向上するとともに冷却特性が改
善されてレーザの発振特性が安定し、さらに光学部品を
搭載するキャリアに開口部を設けて、その開口部と電子
冷却器の上段部とをはめあい構造としたため、キャリア
の位置ずれが防止されるという効果がある。さらにま
た、集光用第2のレンズをパッケージの外部に設けたた
め、温度調節を必要とする部分の熱容量が削減されるの
で、半導体レーザーモジュールの冷却性の改善に効果が
ある。
【図1】本発明の半導体レーザモジュールの縦断面略図
である。
である。
【図2】図1から上蓋を除去した平面略図である。
【図3】従来の技術による半導体レーザモジュールの縦
断面略図である。
断面略図である。
【図4】図3と同様の図である。
1、111、121 半導体レーザ素子 2 第1のレンズ 2a 第1のレンズホールダ 3 第2のレンズ 3a 第2のレンズホールダ 4、117、127 筐体/モジュールパッケージ/
金属製気密パッケージ 5、116、126 光ファイバ 5a 光ファイバホールダ 6、118、128 電子冷却器 7、114、124 光検出器(PD)/レーザ光モ
ニタ素子 8、112、122 サーミスタ 11、18b 上段部/2段目電子冷却素子 11a 上面側基板 12、18a 下段部/1段目電子冷却素子 12a 底面側基板 12b 共通の基板 21 ヒートシンク 31 半導体レーザキャリア 32 キャリア 51 開口部 113、123 結合レンズ 115、125 レーザ搭載ブロック
金属製気密パッケージ 5、116、126 光ファイバ 5a 光ファイバホールダ 6、118、128 電子冷却器 7、114、124 光検出器(PD)/レーザ光モ
ニタ素子 8、112、122 サーミスタ 11、18b 上段部/2段目電子冷却素子 11a 上面側基板 12、18a 下段部/1段目電子冷却素子 12a 底面側基板 12b 共通の基板 21 ヒートシンク 31 半導体レーザキャリア 32 キャリア 51 開口部 113、123 結合レンズ 115、125 レーザ搭載ブロック
Claims (6)
- 【請求項1】 半導体レーザ素子と該半導体レーザ素子
の温度をモニタするサーミスタとを搭載するキャリア
と、該キャリアを収容する筐体の底板との間に、少なく
とも2段に形成された電子冷却素子を含む電子冷却器を
具備する半導体レーザモジュールにおいて、 前記半導体レーザ素子から出射したレーザ光をコリメー
トするための第1のレンズと、前記レーザ光をモニタす
るための光検出器とを搭載して、前記筐体の底板上に固
設された第1の電子冷却素子と、 前記第1の電子冷却素子の上に重ねて固設され、前記半
導体レーザ素子及び前記サーミスタを搭載する前記キャ
リアが上面に固設された第2の電子冷却素子とを有する
ことを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 【請求項2】 前記半導体レーザ素子が、該半導体レー
ザ素子を搭載する前記キャリアとの間に、放熱を良くす
るためのヒートシンクを有する、請求項1に記載の半導
体レーザモジュール。 - 【請求項3】 前記第1の電子冷却素子に搭載される前
記第1のレンズ及び前記光検出器が、前記第1の電子冷
却素子の上面に固設された板状のキャリアを介して搭載
される、請求項1に記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項4】 前記第1の電子冷却素子の上面に固設さ
れた前記板状のキャリアが、中央部において前記第2の
電子冷却素子を通すための開口部を有する、請求項3に
記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項5】 前記板状のキャリアの開口部の形状が、
前記第2の電子冷却素子とはめ合いの関係にある、請求
項4に記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項6】 前記第1のレンズによってコリメートさ
れたレーザ光を集光して光ファイバと結合させるための
第2のレンズが、前記筐体の外部において該筐体に固設
される、請求項1に記載の半導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15711798A JPH11354890A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15711798A JPH11354890A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11354890A true JPH11354890A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15642596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15711798A Pending JPH11354890A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11354890A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002353388A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2004063828A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Shimadzu Corp | レーザ装置 |
JP2004207434A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュールおよび光送信器 |
US7403347B2 (en) | 2002-04-04 | 2008-07-22 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical transmission module with temperature control |
-
1998
- 1998-06-05 JP JP15711798A patent/JPH11354890A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002353388A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
WO2002099880A1 (fr) * | 2001-05-30 | 2002-12-12 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur |
US7403347B2 (en) | 2002-04-04 | 2008-07-22 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical transmission module with temperature control |
JP2004063828A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Shimadzu Corp | レーザ装置 |
JP2004207434A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュールおよび光送信器 |
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