JPH11354410A - Aligner and exposure method - Google Patents
Aligner and exposure methodInfo
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- JPH11354410A JPH11354410A JP10160771A JP16077198A JPH11354410A JP H11354410 A JPH11354410 A JP H11354410A JP 10160771 A JP10160771 A JP 10160771A JP 16077198 A JP16077198 A JP 16077198A JP H11354410 A JPH11354410 A JP H11354410A
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70375—Multiphoton lithography or multiphoton photopolymerization; Imaging systems comprising means for converting one type of radiation into another type of radiation
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置および露
光方法に係わる。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an exposure apparatus and an exposure method.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体基板上に所要のパターンを形成し
たりする、いわゆるフォトリソグラフィーについては、
近年の情報量の高集積化の要求によりさらに微細に加工
することが望まれている。例えば、KrFエキシマレー
ザー(波長254nm)のレーザー光を用いて、0.1
3μm程度の微細なパターンを形成することが望まれて
いる。2. Description of the Related Art In a so-called photolithography for forming a required pattern on a semiconductor substrate,
Due to the recent demand for higher integration of information amount, there is a demand for finer processing. For example, using a KrF excimer laser (wavelength 254 nm),
It is desired to form a fine pattern of about 3 μm.
【0003】例えば図8に示すように、基板101上に
フォトレジスト102を塗布した被露光体100をレー
ザー光Lにより露光して、フォトリソグラフィーによる
所定のパターンニングを行う場合、レーザービーム発生
源103から出射したレーザー光Lを、リダクションレ
ンズ104に入射させ、レティクル(図示せず)を通し
て被露光体100上で集光させる。For example, as shown in FIG. 8, when an object to be exposed 100 having a substrate 102 coated with a photoresist 102 is exposed to laser light L to perform predetermined patterning by photolithography, a laser beam source 103 The laser light L emitted from the laser beam is made incident on the reduction lens 104, and is condensed on the object 100 through a reticle (not shown).
【0004】この場合に、微細なパターンニングを形成
するためには、リダクションレンズの解像力を上げる必
要があり、リダクションレンズ104の高NA化を図
り、例えばNA=0.65程度が必要となっている。In this case, in order to form fine patterning, it is necessary to increase the resolving power of the reduction lens, and to increase the NA of the reduction lens 104, for example, it is necessary to have an NA of about 0.65. I have.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たようにリダクションレンズ104の高NA化を図る
と、焦点深度が浅くなり、下地に凹凸のあるパターン上
に微細なレジストパターンを形成できなくなる。例えば
0.18μmよりも微細なパターンを形成する場合に
は、焦点の深度は0.5μm程度となる。このように焦
点の深度が浅くなると、デバイスの平坦化の要求、ステ
ッパーによる焦点位置合わせの再現性の精密化の要求が
さらに厳しくなる。However, when the NA of the reduction lens 104 is increased as described above, the depth of focus becomes shallow, and it becomes impossible to form a fine resist pattern on a pattern having irregularities on the base. For example, when a pattern finer than 0.18 μm is formed, the depth of focus is about 0.5 μm. When the depth of focus becomes shallow as described above, the requirement for flattening the device and the requirement for reproducibility of reproducibility of focus alignment by a stepper become more severe.
【0006】また、フォトレジストの薄膜化を図る必要
も生じ、下地膜エッチング時のマスクとしての性能が低
下し、マスクアライメントの高精度化の要求も厳しくな
る。In addition, it is necessary to reduce the thickness of the photoresist, so that the performance as a mask at the time of etching a base film is reduced, and the demand for higher precision in mask alignment becomes severe.
【0007】そこで、本発明においては、対物レンズの
高NA化を図ることもなく、レティクルや、ステッピン
グの省略を可能にする露光装置と、露光方法を提供す
る。In view of the above, the present invention provides an exposure apparatus and an exposure method capable of omitting a reticle and stepping without increasing the NA of an objective lens.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の露光装置は、フ
ォトレジスト層を有する被露光体に、光を照射して、上
記フォトレジスト層に対する露光を行う露光装置であっ
て、後述するような定義がなされる共役系電子を保有す
る物質よりなる、少なくとも1以上の光透過素子と、光
透過素子に電界をかける電界印加手段とを有し、電界印
加によって、共役系電子を保有する物質の電子状態を変
化させて、屈折率を変化させ、被露光体上のフォトレジ
スト層に対する露光光の焦点を合わせるものである。An exposure apparatus according to the present invention is an exposure apparatus that irradiates an object to be exposed having a photoresist layer with light to expose the photoresist layer. At least one or more light-transmitting elements made of a substance having conjugated electrons to be defined, and electric field applying means for applying an electric field to the light-transmitting elements. The electronic state is changed, the refractive index is changed, and the exposure light is focused on the photoresist layer on the object to be exposed.
【0009】また、本発明の露光方法は、フォトレジス
ト層を有する被露光体に光を照射して露光を行う露光方
法であって、共役系電子を保有する物質よりなる少なく
とも1以上の光透過素子に、光を入射し、光透過素子に
電界をかけ、電界の強さ、および電界の方向の少なくと
も一方を変化させて、光透過素子の電子状態を変化させ
ることにより屈折率を変化させ、被露光体上のフォトレ
ジスト層に対する露光光の焦点の位置合わせを行うもの
である。Further, the exposure method of the present invention is an exposure method for irradiating an object to be exposed having a photoresist layer by irradiating the object with light, wherein at least one of the materials having a conjugated electron is transmitted. Light is incident on the element, an electric field is applied to the light transmitting element, at least one of the intensity of the electric field, and the direction of the electric field is changed, and the refractive index is changed by changing the electronic state of the light transmitting element, The focus of the exposure light is aligned with the photoresist layer on the object to be exposed.
【0010】上述したように、本発明の露光装置と露光
方法は、共役系電子を保有する物質より成る光透過素子
に対する電界印加の制御によって、焦点位置を最適に制
御して、その露光を行うものであり、リダクションレン
ズを必要とせず、レティクルや、ステッピングの省略を
可能とする。As described above, in the exposure apparatus and the exposure method of the present invention, the exposure is performed by controlling the focus position optimally by controlling the application of an electric field to the light transmitting element made of a substance having conjugated electrons. This eliminates the need for a reduction lens and enables the omission of reticles and stepping.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】本発明の露光装置は、フォトレジ
スト層を有する被露光体に、光を照射して露光する露光
装置であって、後述するような定義がなされる共役系電
子を保有する物質よりなる、少なくとも1以上の光透過
素子と、光透過素子に電界をかける電界印加手段とを有
し、電界印加によって、共役系電子を保有する物質の電
子状態を変化させて、屈折率を変化させ、被露光体上の
フォトレジスト層に対する露光光の焦点を合わせるもの
である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An exposure apparatus according to the present invention is an exposure apparatus for irradiating an object to be exposed having a photoresist layer by irradiating light, and has a conjugated electron defined as described below. At least one or more light-transmitting elements made of a substance to be converted, and electric field applying means for applying an electric field to the light-transmitting element, and the electric field changes the electronic state of the substance having conjugated electrons, thereby obtaining a refractive index. And focuses the exposure light on the photoresist layer on the object to be exposed.
【0012】また、本発明の露光方法は、フォトレジス
ト層を有する被露光体に光を照射して露光を行う露光方
法であり、後述するような定義がなされる共役系電子を
保有する物質よりなる少なくとも1以上の光透過素子
に、光を入射し、光透過素子に電界をかけ、電界の強
さ、および電界の方向の少なくとも一方を変化させて、
光透過素子の電子状態を変化させることにより屈折率を
変化させ、被露光体上のフォトレジスト層に対する露光
光の焦点の位置合わせを行うものである。The exposure method of the present invention is an exposure method for irradiating an object to be exposed having a photoresist layer with light to perform exposure. Light is incident on at least one or more of the light transmitting elements, an electric field is applied to the light transmitting element, and at least one of the intensity of the electric field and the direction of the electric field is changed.
The refractive index is changed by changing the electronic state of the light transmitting element, and the focus of the exposure light is aligned with the photoresist layer on the object to be exposed.
【0013】以下、本発明の露光装置の一例について、
図を参照して説明するが、本発明は、以下に示す例に限
定されるものではなく、従来公知のいかなる構造につい
ても適用することができる。Hereinafter, an example of the exposure apparatus of the present invention will be described.
Although described with reference to the drawings, the present invention is not limited to the following examples, and can be applied to any conventionally known structure.
【0014】図1は、本発明の露光装置10の一例の構
成図であり、この例においては、互いに非平行な面であ
る第1の光学面2aと、第2の光学面2bとを有する上
述した共役系電子を保有する物質よりなる光透過素子2
と、これに電界を印加する、例えば対の電極の第1の電
極11と第2の電極12よりなる電界印加手段20とが
設けられて成る。FIG. 1 is a structural view of an example of an exposure apparatus 10 of the present invention. In this example, the exposure apparatus 10 has a first optical surface 2a and a second optical surface 2b which are non-parallel to each other. Light transmitting element 2 made of a substance having conjugated electrons described above
And an electric field applying means 20 comprising a first electrode 11 and a second electrode 12 of a pair of electrodes for applying an electric field thereto.
【0015】電界印加手段20は、第1の電極11と第
2の電極12とが光透過性素子2を挟んで対向して配置
され、これら間の電圧を制御することによって、光透過
素子2に対する印加電界を制御する。このとき、印加電
界の影響により光透過素子2の構成物質の電子状態が変
化することによって、その屈折率が変化する。The electric field applying means 20 includes a first electrode 11 and a second electrode 12 which are opposed to each other with the light transmitting element 2 interposed therebetween. The electric field applied to is controlled. At this time, when the electronic state of the constituent material of the light transmitting element 2 changes due to the influence of the applied electric field, the refractive index changes.
【0016】光透過素子2を透過した光Lは、例えば基
板22上にフォトレジスト23が塗布された被露光体2
4で集光して焦点Fを結ぶようになされているが、上述
のように、光透過素子2の屈折率が変化すると、焦点F
の位置が被露光体24上で変化する。また、更に印加電
界の強さや方向を変化させることにより光透過素子2の
屈折率が変化して、これにより、焦点Fの位置が被露光
体24上で変化する。すなわち、焦点の位置Fは、電界
の強さや方向を調節することにより、被露光体24上に
おいて、調節することができ、また、光源21をON/
OFFに切り換えたり、光透過素子を透過した光をON
/OFFに切り換えたりすることにより、被露光体上に
照射する光を、ON/OFFに切り換えて被露光体24
上において所望のパターンを露光することができる。The light L transmitted through the light transmitting element 2 is, for example, an object 2 on which a photoresist 23 is coated on a substrate 22.
4, the light is condensed to form a focal point F. However, as described above, when the refractive index of the light transmitting element 2 changes, the focal point F
Changes on the object 24 to be exposed. Further, the refractive index of the light transmitting element 2 is changed by further changing the intensity and direction of the applied electric field, whereby the position of the focal point F is changed on the exposure target 24. That is, the focus position F can be adjusted on the exposure target 24 by adjusting the intensity and direction of the electric field, and the light source 21 is turned on / off.
Switch off or turn on light transmitted through light transmissive element
By turning on / off the light to be irradiated on the object to be exposed,
Above, a desired pattern can be exposed.
【0017】ここで、光透過素子2の材料の共役系電子
を保有する物質には、以下に説明する構造のものが含ま
れる。Here, the substance having a conjugated electron of the material of the light transmitting element 2 includes those having a structure described below.
【0018】分子理論上、二重結合と一重結合とが一つ
おきにつながった構造を共役二重結合の構造といい、三
重結合と一重結合とが一つおきにつながった構造を共役
三重結合の構造という。これらをまとめて共役多重結合
の構造という。このような構造をもったものが光透過素
子2の材料として挙げられる。また、二重結合を一つだ
け有する構造の場合や、三重結合を一つだけ有する構造
の場合も共役多重結合の構造に含められるものとする。
これらにおいては、同一の原子が結合するものに限られ
ず、異なる原子が結合して共役多重結合を形成する構造
のものも含まれる。また、例えば、アリル基のように二
重結合と不対電子とを有する構造のものや、例えばアセ
トアミドのように二重結合と孤立電子対とを有する構造
のものも含まれる。In molecular theory, a structure in which every other double bond and a single bond are connected is called a conjugated double bond, and a structure in which every other triple bond and a single bond are connected is a conjugated triple bond. Called the structure. These are collectively called a conjugated multiple bond structure. A material having such a structure is mentioned as a material of the light transmitting element 2. A structure having only one double bond and a structure having only one triple bond are also included in the structure of the conjugated multiple bond.
In these, not only those having the same atom bonded but also those having a structure in which different atoms are bonded to form a conjugated multiple bond. Further, for example, those having a structure having a double bond and an unpaired electron such as an allyl group, and those having a structure having a double bond and a lone electron pair such as acetamide are also included.
【0019】また、例えばメチル基のように擬π(パ
イ)電子による超共役がある場合も、ここでは、共役系
電子を保有する物質に含められるものとする。Further, for example, a case where there is superconjugation due to pseudo π (pi) electrons such as a methyl group is included in the substance having conjugated electrons.
【0020】すなわち、共役系電子とは、π電子であ
り、あるいは不対電子であり、あるいは孤立電子対であ
り、あるいは擬π電子である。このように、共役系電子
の少なくともいずれかの電子を含む物質を共役系電子を
保有する物質と呼称する。That is, a conjugated electron is a π electron, an unpaired electron, a lone electron pair, or a pseudo π electron. Thus, a substance containing at least one of the conjugated electrons is referred to as a substance having conjugated electrons.
【0021】このような共役系電子は、外部電界の影響
を受けやすいという性質を有している。すなわち、外部
電界が加えられると共役系電子が結合に沿って移動する
ためである。特に、多くのπ電子からなる共役多重結合
の構造を有する物質においては、π電子の広がりが大き
くなるため、π電子はそれだけ動きやすくなり、外部電
界の影響を強く受ける。Such a conjugated electron has the property of being easily affected by an external electric field. That is, when an external electric field is applied, the conjugated electrons move along the bond. In particular, in a substance having a structure of a conjugated multiple bond composed of many π electrons, the spread of π electrons becomes large, so that the π electrons are easily moved, and are strongly affected by an external electric field.
【0022】また、分子が電気的に中性でなく、プラス
やマイナスの電気的な偏りがある場合には、外部電界の
影響をさらに強く受ける。このように、共役系電子を保
有する物質に外部電界が加わると、分子内での共役系電
子の分布が電界がない場合と比較して変化する。この電
子状態の変化は、共役系電子を保有する物質に加えられ
る外部電界の方向や強さに依存して変化する。すなわ
ち、分子本来の電子状態が、外部電界の影響を受ける
と、異なる電子状態に変化する。When a molecule is not electrically neutral and has a positive or negative electric bias, it is more strongly affected by an external electric field. As described above, when an external electric field is applied to a substance having conjugated electrons, the distribution of conjugated electrons in a molecule changes as compared with the case where there is no electric field. This change in the electronic state changes depending on the direction and strength of an external electric field applied to the substance having conjugated electrons. That is, when the original electronic state of a molecule is affected by an external electric field, it changes to a different electronic state.
【0023】このため、共役系電子を保有する物質は、
外部電界を加えられると、その分子による光吸収も変化
するという性質がある。この性質についても、分子が電
気的に中性でなく、プラスやマイナスの電気的な偏りが
ある場合には、外部電界の影響をさらに強く受ける。Therefore, a substance having a conjugated electron is
When an external electric field is applied, light absorption by the molecule also changes. This property is also more strongly affected by an external electric field when the molecule is not electrically neutral and has a positive or negative electric bias.
【0024】上述した共役系電子を保有する物質の分子
の、外部影響による状態変化にかかる時間を、光吸収を
例に挙げて説明する。これら共役系電子を保有する物質
は、紫外線、可視光線、赤外線等の光を共役系電子の運
動エネルギーの増加として吸収する。光吸収は、光が分
子を通過するのに必要な時間内に起こっている。例え
ば、波長が500nmの光が、一波長進むためにかかる
時間は、500×10-9(m)/3×108 (m/s)
により求められ、これより、1.67×10
-15 (s)、すなわち、約2フェムト秒(10-15 秒)
である。すなわち、共役系電子を保有する物質の分子
の、光吸収による電子状態変化が、約2フェムト秒(1
0-15 秒)で起こることがわかる。The time required for a change in state of a molecule of the substance having a conjugated electron due to an external influence will be described by taking light absorption as an example. These substances having conjugated electrons absorb light such as ultraviolet light, visible light, and infrared light as an increase in the kinetic energy of the conjugated electrons. Light absorption occurs within the time required for light to pass through the molecule. For example, the time required for light having a wavelength of 500 nm to travel one wavelength is 500 × 10 −9 (m) / 3 × 10 8 (m / s).
From this, 1.67 × 10
-15 (s), ie, about 2 femtoseconds (10 -15 seconds)
It is. That is, the change in electronic state of a molecule of a substance having a conjugated electron due to light absorption is about 2 femtoseconds (1
0-15 seconds).
【0025】共役系電子を保有する物質の分子の、外部
影響による状態変化として、他の諸特性についても上述
した光吸収と同様のことが言える。すなわち、共役系電
子を保有する物質の分子の、外部電界による電子状態変
化は、約2フェムト秒(10-15 秒)程度で起こる。As for the state change of a molecule of a substance having a conjugated electron due to an external influence, the same can be said for other characteristics as well as the above-described light absorption. That is, a change in the electronic state of a molecule of a substance having a conjugated electron due to an external electric field occurs in about 2 femtoseconds (10 −15 seconds).
【0026】上記外部影響により変化する物質の状態と
しては、例えば光学的諸特性、例えば、屈折率が挙げら
れる。物質の屈折率については、屈折率の2乗=(誘電
率)×(透磁率)という関係があり、物質固有の物理量
である。したがって、この屈折率も、外部電界の影響に
より状態変化が起こり、その変化は約2フェムト秒(1
0-15 秒)程度で起こることがわかる。このように、共
役系電子を保有する物質の外部電界による状態変化にか
かる時間が極めて短時間であることは、本発明の露光装
置においては、原子に比べて質量が1/1800程度で
ある電子(共役系電子)を動かせば良いことに起因して
いる。The state of the substance which changes due to the external influence includes, for example, various optical characteristics such as a refractive index. The refractive index of a substance has a relation of the square of the refractive index = (dielectric constant) × (magnetic permeability), and is a physical quantity unique to the substance. Therefore, this refractive index also undergoes a state change due to the effect of the external electric field, and the change takes about 2 femtoseconds (1
0-15 seconds). As described above, the extremely short time required for the state change of a substance having conjugated electrons due to an external electric field is caused by the fact that, in the exposure apparatus of the present invention, an electron whose mass is about 1/1800 as compared with an atom. (Conjugated electrons) can be moved.
【0027】図2は、本発明による露光装置であって、
特に、露光光を出射する光源21と、被露光体24との
間に、共役径電子を保有する物質よりなる光透過素子を
複数個、例えば3個設けた場合の露光装置の一例の概略
図を示す。FIG. 2 shows an exposure apparatus according to the present invention,
In particular, a schematic diagram of an example of an exposure apparatus in which a plurality of, for example, three light transmitting elements made of a substance having conjugated electrons are provided between a light source 21 that emits exposure light and an object 24 to be exposed. Is shown.
【0028】この露光装置30を構成する3個の第1〜
第3の光透過素子31、32、33は、それぞれ、それ
ぞれ互いに非平行である第1の光学面31a,32a,
33aと、第2の光学面31b,32b,33bを有す
るものとし、集光レンズ効果を有する。The first to third components of the exposure apparatus 30
The third light transmitting elements 31, 32, 33 are respectively provided with first optical surfaces 31a, 32a,
33a and a second optical surface 31b, 32b, 33b, and has a condensing lens effect.
【0029】この露光装置30は、例えば3個の、例え
ばそれぞれが対の電極よりなる、第1〜第3の電界印加
手段41〜43を有する。この例においては、第1の電
界印加手段41は、対の電極41a、41bにより構成
され、電極41aと41bは、これらの間に第1の光透
過素子31を挟んで、平行に設置されている。同様に、
第2の電界印加手段42は、対の電極42a、42bに
より構成され、電極42aと42bは、これらの間に第
2の光透過素子32を挟んで、平行に設置されている。
同様に、第3の電界印加手段43は、対の電極43a、
43bにより構成され、電極43aと43bは、これら
の間に第3の光透過素子33を挟んで、平行に設置され
ている。The exposure apparatus 30 has, for example, first to third electric field applying means 41 to 43, each of which comprises, for example, three electrodes. In this example, the first electric field applying means 41 is constituted by a pair of electrodes 41a and 41b, and the electrodes 41a and 41b are installed in parallel with the first light transmitting element 31 interposed therebetween. I have. Similarly,
The second electric field applying unit 42 includes a pair of electrodes 42a and 42b, and the electrodes 42a and 42b are installed in parallel with the second light transmitting element 32 interposed therebetween.
Similarly, the third electric field applying means 43 includes a pair of electrodes 43a,
The electrodes 43a and 43b are disposed in parallel with the third light transmitting element 33 interposed therebetween.
【0030】この図2に示す例においては、電極41
b,42b,43bを接地電位としてこれに対して電極
41a、42a、43aの電位V1 〜V3 を制御してい
る。In the example shown in FIG.
b, 42b, electrodes 41a contrast and 43b as the ground potential, 42a, and controls the potential V 1 ~V 3 of 43a.
【0031】この図2に示す露光装置30においては、
光源21から出射した光Lが、まず第1の光透過素子3
1に入射する。入射光Lは、第1の光透過素子31によ
り、所定の角度θ1 度、屈折する。この角度θ1 は、電
極41aの電位V1 を制御して第1の光透過素子31の
印加する電界を変化させることにより変化する。In the exposure apparatus 30 shown in FIG.
The light L emitted from the light source 21 is first transmitted to the first light transmitting element 3.
Incident on 1. The incident light L is refracted by the first light transmitting element 31 at a predetermined angle θ 1 degree. The angle θ 1 is changed by controlling the potential V 1 of the electrode 41a to change the electric field applied to the first light transmitting element 31.
【0032】第1の光透過素子31から出射した光L
は、次に第2の光透過素子32に入射する、ここで、光
Lは、第2の光透過素子32により、所定の角度θ
2 度、屈折する。同様に、この角度θ2 は、電極42a
の電位V2 を制御して第2の光透過素子32の印加する
電界を変化させることにより変化する。Light L emitted from the first light transmitting element 31
Is incident on the second light transmitting element 32. Here, the light L is transmitted by the second light transmitting element 32 at a predetermined angle θ.
Refracted twice. Similarly, the angle θ 2 is determined by the electrode 42a
Is controlled by controlling the potential V 2 of the second light transmitting element 32 to change the electric field applied to the second light transmitting element 32.
【0033】第2の光透過素子32から出射した光L
は、次に第3の光透過素子33に入射する、ここで、光
Lは、第3の光透過素子33により、所定の角度θ
3 度、屈折する。同様に、この角度θ3 は、電極43a
の電位V3 を制御して第3の光透過素子33の印加する
電界を変化させることにより変化する。The light L emitted from the second light transmitting element 32
Is incident on the third light transmitting element 33. Here, the light L is transmitted by the third light transmitting element 33 at a predetermined angle θ.
Refracted three times. Similarly, this angle θ 3 is the same as that of the electrode 43a.
Is controlled by controlling the potential V 3 of the third light transmitting element 33 to change the electric field applied to the third light transmitting element 33.
【0034】第3の光透過素子33を出射した光Lは、
被露光体24上に集光して、所定に位置に焦点Fを結
ぶ。The light L emitted from the third light transmitting element 33 is
The light is condensed on the exposure target 24, and a focal point F is formed at a predetermined position.
【0035】このように、図2に示す露光装置30にお
いては、第1〜第3の光透過素子31〜33によって連
続的に入射光Lを屈折させることができ、最終的に入射
光Lの屈折角は、(θ1 +θ2 +θ3 )となる。すなわ
ち、図2に示すように、光透過素子を複数個設けること
によって、最終的に、被露光体24に到達するまでの光
Lの出射角度を容易に大きくすることできる。例えば、
1個の光透過素子によって入射光Lを1°屈折させるこ
とができるとすれば、n個の光透過素子を設けることに
より、最終的にn°屈折させて被露光体24に集光させ
ることができる。さらに、それぞれの光透過素子を挟ん
で平行に設置されている電極間の電界の大きさ、方向を
制御することによっても光Lの出射角度を制御すること
ができる。As described above, in the exposure apparatus 30 shown in FIG. 2, the incident light L can be continuously refracted by the first to third light transmitting elements 31 to 33, and finally the incident light L The refraction angle is (θ 1 + θ 2 + θ 3 ). That is, as shown in FIG. 2, by providing a plurality of light transmitting elements, it is possible to easily increase the emission angle of the light L until finally reaching the exposure target 24. For example,
Assuming that the incident light L can be refracted by 1 ° by one light transmissive element, by providing n light transmissive elements, the light is finally refracted by n ° and condensed on the object 24 to be exposed. Can be. Further, the emission angle of the light L can be controlled by controlling the magnitude and direction of the electric field between the electrodes disposed in parallel with each light transmitting element interposed therebetween.
【0036】上述のように、図1および図2を示した露
光装置の例においては、光透過素子2、31〜33を挟
んで、紙面、すなわち、図1および図2中、yz平面に
対して垂直に、対の電極を設置した場合について説明し
たが、本発明は、この例に限定されるものではなく、紙
面、すなわちyz平面と平行になるような面方向に、光
透過素子2、31〜33を挟んで平行に対の電極を設け
て、2対以上の電極による電界印加手段を設けた場合に
も同様に適用することができる。As described above, in the example of the exposure apparatus shown in FIGS. 1 and 2, the light transmitting elements 2, 31 to 33 are interposed and the paper plane, that is, the yz plane in FIGS. 1 and 2 is used. However, the present invention is not limited to this example, and the light transmissive element 2, the light transmissive element 2, in the plane direction parallel to the paper plane, that is, the yz plane, is described. The present invention can be similarly applied to a case where a pair of electrodes are provided in parallel with 31 to 33 interposed therebetween and an electric field applying means including two or more pairs of electrodes is provided.
【0037】図3に、紙面、すなわちyz平面と平行に
なるような面方向に、第3の電極13と、第4の電極1
4を光透過素子1を挟んで平行に設置した場合の露光装
置40の概略図を示す。FIG. 3 shows that the third electrode 13 and the fourth electrode 1 are arranged in a direction parallel to the paper plane, that is, the yz plane.
4 shows a schematic view of an exposure apparatus 40 when the light-transmitting device 4 is installed in parallel with the light transmitting element 1 interposed therebetween.
【0038】この図3に示す例においては、光透過素子
1を1個配置した場合について説明するが、本発明の露
光装置はこの例に限定されるものではなく、図2に示し
たように複数個の光透過素子を設置し、これら複数の光
透過素子のそれぞれを挟んで対の電極を配置する場合に
ついても同様に適用することができる。In the example shown in FIG. 3, a case where one light transmitting element 1 is arranged will be described. However, the exposure apparatus of the present invention is not limited to this example, and as shown in FIG. The same can be applied to a case where a plurality of light transmitting elements are provided, and a pair of electrodes are arranged so as to sandwich each of the plurality of light transmitting elements.
【0039】図3において、図1と対応する部分には、
同一符号を付して示す。図3に示す構造の焦点位置制御
装置40において、第1の電極11と第2の電極12よ
りなる電界印加手段20により所定の電界をかけ、第3
の電極13と第4の電極14よりなる電界印加手段41
にも同様に所定の電界をかけてこれらの電界の強さを所
定の値に調整する。In FIG. 3, parts corresponding to FIG.
The same reference numerals are given. In the focal position control device 40 having the structure shown in FIG. 3, a predetermined electric field is applied by the electric field applying means 20 composed of the first electrode 11 and the second electrode 12, and the third electric field is applied.
Field applying means 41 comprising the first electrode 13 and the fourth electrode 14
Similarly, a predetermined electric field is applied to adjust the strength of these electric fields to a predetermined value.
【0040】光透過素子1に光源21からの光Lを入射
し、光透過素子1を透過させて被露光体上に焦点を結ば
せるが、このとき、焦点の位置Fは、上記電界の強さや
方向を調節することにより、図3において、被露光体2
4上の2次元上、あるいは被露光体24上の深さ方向も
合わせた3次元にわたる広い範囲において、調節が可能
となり、露光する位置や焦点の深度を調節することがで
きる。これにより、従来の露光方法のようなステッピン
グを使用せず、レティクルを使用せず、リダクションレ
ンズのNAを大きくすることもなく、微細なパターン露
光を容易に行うことができる。The light L from the light source 21 is incident on the light transmitting element 1 and transmitted through the light transmitting element 1 to focus on the object to be exposed. At this time, the position F of the focal point depends on the intensity of the electric field. By adjusting the pod direction, the exposure target 2 in FIG.
4 can be adjusted over a wide range over two dimensions, or over three dimensions including the depth direction on the exposure target 24, and the exposure position and the depth of focus can be adjusted. Thereby, fine pattern exposure can be easily performed without using stepping, using a reticle, or increasing the NA of the reduction lens as in the conventional exposure method.
【0041】また、本発明の露光装置は、図4に示すよ
うに、3対の電極が配置された構成とすることもでき
る。この場合、紙面、すなわちyz平面と垂直になるよ
うな面方向であって、第1の電極11および第2の電極
12とは垂直になるような位置関係に、入射光Lに対し
て透明である対の電極の、第5の電極15および第6の
電極16よりなる対の電極である電界印加手段51を設
置した場合とする。この入射光Lに対して透明である電
極の、第5の電極15および第6の電極16は、ITO
やSiOX 等を適用して作製することができる。Further, the exposure apparatus of the present invention may have a configuration in which three pairs of electrodes are arranged as shown in FIG. In this case, the first electrode 11 and the second electrode 12 are transparent to the incident light L in a paper plane, that is, a plane direction perpendicular to the yz plane, and in a positional relationship perpendicular to the first electrode 11 and the second electrode 12. It is assumed that an electric field applying unit 51 is installed as a pair of electrodes including a fifth electrode 15 and a sixth electrode 16. The fifth electrode 15 and the sixth electrode 16, which are transparent to the incident light L, are made of ITO.
Or SiO X or the like.
【0042】また、図4に示す例においては、第5の電
極15および第6の電極16を、入射光Lに対して透明
である対の電極とするが、本発明はこの例に限定される
ものではなく、入射光に対して透明である部分を一部に
有する電極や、半透明である部分を一部に有する電極、
全面的に半透明である電極についても同様に適用するこ
とができる。図4において図1および図3に対応する部
分には、同一符号を付す。Further, in the example shown in FIG. 4, the fifth electrode 15 and the sixth electrode 16 are a pair of electrodes transparent to the incident light L, but the present invention is not limited to this example. Rather than an electrode having a portion partially transparent to incident light, an electrode partially having a translucent portion,
The same can be applied to an electrode that is entirely translucent. In FIG. 4, portions corresponding to FIGS. 1 and 3 are denoted by the same reference numerals.
【0043】図4に示す構造の露光装置50において、
第1の電極11と第2の電極12との間に所定の電界を
かけ、第3の電極13と第4の電極14との間にも同様
に所定の電界をかけ、さらに、透明電極である第5の電
極15と第6の電極16との間にも所定の電界をかけ、
これらの電界の強さを種々の値に調整する。このように
すると、光透過素子1に入射した光Lは、光透過素子1
を透過して、これより出射する側の空間におけるいずれ
の位置においても焦点Fの位置を合わせることができ、
これにより、被露光体24上の2次元上、あるいは被露
光体24上の深さ方向も合わせた3次元にわたる広い範
囲において、焦点位置の制御が可能となり、微細なパタ
ーン露光を容易に行うことができる。In the exposure apparatus 50 having the structure shown in FIG.
A predetermined electric field is applied between the first electrode 11 and the second electrode 12, a predetermined electric field is similarly applied between the third electrode 13 and the fourth electrode 14, and furthermore, a transparent electrode is used. A predetermined electric field is also applied between a certain fifth electrode 15 and a sixth electrode 16,
The strength of these electric fields is adjusted to various values. In this way, the light L incident on the light transmitting element 1 is
, And the position of the focal point F can be adjusted at any position in the space on the side from which light is emitted.
As a result, the focus position can be controlled over a wide range over two dimensions on the object 24 or over three dimensions including the depth direction on the object 24, and fine pattern exposure can be easily performed. Can be.
【0044】また、上述したように、図1〜図3に示し
た露光装置においては、光源21から出射する光Lの波
長を短くしたり、光透過素子に入射する光の平行度を向
上させることにより、解像度を向上させることができ、
例えば直径0.1μm程度の露光光のスポットを被露光
体上に形成させることができる。Further, as described above, in the exposure apparatus shown in FIGS. 1 to 3, the wavelength of the light L emitted from the light source 21 is shortened, and the parallelism of the light incident on the light transmitting element is improved. By doing so, the resolution can be improved,
For example, a spot of exposure light having a diameter of about 0.1 μm can be formed on the object to be exposed.
【0045】また、上述したように、図1〜図3に示し
た露光装置において、光源21の形状は、光透過素子1
側から見て正方形であることが望ましいが、円形である
場合にも同様に適用することができる。ここで、光源2
1の形状が、光透過素子1側から見て円形である場合に
おいて、被露光体に対する露光を行った場合の、露光光
の焦点の状態と、露光パターンとの関係を図5Aおよび
図5Bに示す。As described above, in the exposure apparatus shown in FIGS. 1 to 3, the shape of the light source 21 is
A square shape is desirable when viewed from the side, but the same can be applied to a circular shape. Here, light source 2
FIG. 5A and FIG. 5B show the relationship between the focus state of the exposure light and the exposure pattern when the exposure is performed on the object to be exposed when the shape of No. 1 is circular as viewed from the light transmitting element 1 side. Show.
【0046】図5Aに示すように、被露光体24上に、
円形の露光光のスポットSを形成し、このスポットSを
半径長ずつずらしながら重ね合わせて位置を移動させる
ことにより、図5Bに示すような所定のパターンに露光
することができる。As shown in FIG. 5A, on the object 24 to be exposed,
By forming a circular exposure light spot S and moving the spots S while overlapping them while shifting them by the radius, a predetermined pattern as shown in FIG. 5B can be exposed.
【0047】次に、例えば直径12インチ、すなわち直
径30cmの円板状の被露光体の全面を、上述したよう
に円形の露光光のスポットを半径長ずつずらしながら重
ね合わせて位置を移動させることにより露光する場合を
例に挙げて説明する。このとき、スポットSの直径は
0.1μmとする。Next, the entire surface of a disk-shaped object to be exposed having a diameter of, for example, 12 inches, that is, a diameter of 30 cm, is moved by shifting the circular exposure light spots by the radius length as described above. A description will be given of an example in which the exposure is performed by the following method. At this time, the diameter of the spot S is 0.1 μm.
【0048】直径30cmの円板状の被露光体の半径長
分を露光するための露光光のスポットの照射回数すなわ
ち、スポットの個数は、 〔(30(cm)/2)/0.1(μm)〕×2=3×
106 (個) となる。よって、直径30cmの円板状の被露光体全面
の露光光のスポットの照射回数すなわち、スポットの個
数は、 π×(3×106 )×(3×106 )=2.8×1013
(個) となる。The number of irradiations of spots of exposure light for exposing a disk-shaped object to be exposed having a diameter of 30 cm to the radius length, that is, the number of spots is [(30 (cm) / 2) /0.1 ( μm)] × 2 = 3 ×
It becomes 10 6 (pieces). Therefore, the number of times of irradiation of the spot of the exposure light on the entire surface of the disk-shaped object to be exposed having a diameter of 30 cm, that is, the number of spots is π × (3 × 10 6 ) × (3 × 10 6 ) = 2.8 × 10 13
(Pieces).
【0049】ここで、1枚の直径30cmの円板状の被
露光体を、1秒間に、上述したように直径0.1μmの
スポットを半径長ずつずらしながら重ね合わせて位置を
移動させることにより露光する場合に、1スポット当た
りの露光時間は、 1(秒)/ 2.8×1013(個)=0.36×10
-13 =36×10-15 (秒)=36(フェムト秒) となる。すなわち、1スポット当たり36(フェムト
秒)だけ光照射すれば、1秒間で1枚の直径30cmの
円板状の被露光体の露光を行うことができる。なお、被
露光体の露光を行う場合に必要な時間は、照射する露光
光の波長やフォトレジストの材料にも影響される。Here, one disk-shaped object to be exposed having a diameter of 30 cm is overlapped with one spot of 0.1 μm diameter for one second while being shifted by the radius length as described above, and the position is moved. When exposing, the exposure time per spot is: 1 (second) /2.8×10 13 (pieces) = 0.36 × 10
-13 = 36 × 10 -15 (seconds) = 36 (femtoseconds). That is, if light is irradiated only 36 (femtoseconds) per spot, one disk-shaped object to be exposed having a diameter of 30 cm can be exposed in one second. The time required for exposing the object to be exposed is affected by the wavelength of the exposure light to be irradiated and the material of the photoresist.
【0050】上述した本発明の露光装置に用いる光透過
素子は、以下に示す各種共役系電子を保有する物質によ
って、構成することができる。例えば、カロチノイド系
の材料として、β−カロチン、フィコキサンチン等や、
フラボン、フラボノールや、アントシアン系材料とし
て、フラビン、アントシアニン等や、ポルフィリン系材
料として、テトラピロール誘導体等である。また、アミ
ノ酸や、核酸や、エチレン等の炭化水素系化合物、その
他、三重結合を持つ共役系電子保有物質としては、ポリ
アセチレン等や、超共役電子を保有する物質としては、
ビタミンA等を用いることができる。The light transmitting element used in the exposure apparatus of the present invention described above can be made of the following substances having various conjugated electrons. For example, as carotenoid-based materials, β-carotene, phycoxanthin, and the like,
Flavones, flavonols, anthocyan-based materials such as flavin and anthocyanins, and porphyrin-based materials such as tetrapyrrole derivatives. In addition, amino acids, nucleic acids, hydrocarbon compounds such as ethylene, and other, conjugated electron holding substance having a triple bond, such as polyacetylene, and a substance holding a super conjugated electron,
Vitamin A and the like can be used.
【0051】また、いわゆる共役系電子を有する物質で
あれば、有機物に限らず、無機物についても同様に適用
することができる。例えばガラス、二酸化珪素等につい
ても同様に適用することができる。In addition, as long as the substance has a so-called conjugated electron, the invention can be applied not only to an organic substance but also to an inorganic substance. For example, the same can be applied to glass, silicon dioxide, and the like.
【0052】また、上記各種有機物、各種無機物の混合
物、さらに、これら有機物と無機物との混合物について
も、各種条件、用途に応じて適用することができる。The above-mentioned mixture of various organic substances and various inorganic substances, and also a mixture of these organic substances and inorganic substances can be applied according to various conditions and applications.
【0053】また、本発明の露光装置に用いる光透過素
子は、上述の実施例において示した形状に限定されるも
のではなく、図6A〜図6Hにその他の例の一部を示す
ように、種々の形状とすることができる。例えば、図6
Aに示す板状、四角柱状、図6Bに示す多面体、図6C
に示す回転楕円体状、図6Dに示すメニスカスレンズ形
状、図6Eに示す三角柱状、図6Fに示す球を平面で切
断した形状、図6Gに示す半円柱状、図6Hに示す中空
を有する棒状、その他球状、円錐状、三角錐状、多角錐
状、リング状、多角棒状、瓢箪形状、四角錐を底面に平
行な面で切った立体、四角柱の側面を外側あるいは内側
にわん曲させた立体、多角柱の少なくとも一の側面を外
側あるいは内側にわん曲させた立体、円錐の母線を外側
あるいは内側にわん曲させた立体、その他、曲面と平面
とを組み合わせた立体、複数の曲面を組み合わせた立体
等、入射光を屈折させることのできる各種形状のものを
適用することができる。Further, the light transmitting element used in the exposure apparatus of the present invention is not limited to the shape shown in the above-mentioned embodiment, and as shown in FIGS. Various shapes are possible. For example, FIG.
A, a plate, a square pillar, a polyhedron shown in FIG. 6B, FIG. 6C
6D, a meniscus lens shape shown in FIG. 6D, a triangular prism shape shown in FIG. 6E, a shape obtained by cutting a sphere shown in FIG. 6F by a plane, a semi-cylindrical shape shown in FIG. 6G, and a hollow rod shape shown in FIG. 6H. , Other spherical, conical, triangular pyramid, polygonal pyramid, ring, polygonal bar, gourd-shaped, three-dimensional pyramid cut in a plane parallel to the bottom surface, the side of a quadrangular prism curved outward or inward A solid body, a solid body with at least one side curved to the outside or inside, a solid body with a conical generatrix curved outside or inside, a solid body that combines a curved surface and a plane, or a combination of multiple curved surfaces Various shapes that can refract incident light, such as a three-dimensional object, can be applied.
【0054】また、上記共役系電子保有物質が、固体で
ある場合には、これらを各種形状に加工することがで
き、液体である場合には、各種形状のガラスや石英等の
入射光に対して透明な素材からなる容器で封じてこれを
適用することができる。また、気体である場合には、上
記各種形状のガラスや石英等の入射光に対して透明な素
材からなる容器で密封してこれを適用することができ
る。When the conjugated electron-containing substance is a solid, it can be processed into various shapes. When the conjugated electron-containing substance is a liquid, it can be processed with respect to incident light of various shapes such as glass and quartz. This can be applied by sealing with a container made of a transparent material. When it is a gas, it can be applied by sealing it with a container made of a material transparent to incident light such as glass or quartz of the above-mentioned various shapes.
【0055】なお、光透過素子の入射する光の波長は、
光透過素子に適用する物質によって、選定することが必
要である。以下これについて説明する。光透過素子に適
用する物質として、ブタジエン、ヘキサトリエン、トリ
プトフフィトクロモビリンを、それぞれ用いた場合に、
それぞれにおいて、適用する入射光Lの波長の例を(表
1)に示す。The wavelength of the light incident on the light transmitting element is
It is necessary to make a selection depending on the substance applied to the light transmitting element. This will be described below. When butadiene, hexatriene, and tryptophytochromobilin are used as materials applied to the light transmitting element,
Table 1 shows examples of the wavelength of the incident light L to be applied in each case.
【0056】[0056]
【表1】 [Table 1]
【0057】(表1)に示すように、ブタジエンにおい
ては、最長の吸収帯の波長、すなわち吸収帯の最大の吸
収を示す波長が235nmであり、吸収帯の広がりを考
慮すると、適用する光の波長は、この1.4倍程度の長
さの300nm以上である光を適用することができる。
ヘキサトリエンについては、最長の吸収帯の波長が27
3nmであり、吸収帯の広がりを考慮すると、適用する
光の波長は350nm以上である光を適用することがで
きる。トリプトファンについては、最長の吸収帯の波長
が280nmであり、吸収帯の広がりを考慮すると、適
用する光の波長は400nm以上である光を適用するこ
とができる。フィトクロモビリンについては、最長の吸
収帯の波長が690nmであり、吸収帯の広がりを考慮
すると、適用する光の波長は800nm以上である光を
適用することができる。As shown in Table 1, in butadiene, the wavelength of the longest absorption band, that is, the wavelength showing the maximum absorption of the absorption band is 235 nm. Light having a wavelength of about 1.4 times the length of 300 nm or more can be used.
For hexatriene, the longest absorption band wavelength is 27
In consideration of the spread of the absorption band, light having a wavelength of 350 nm or more can be used. For tryptophan, the longest absorption band has a wavelength of 280 nm, and considering the spread of the absorption band, light having a wavelength of 400 nm or more can be used. For phytochromobilin, the longest absorption band has a wavelength of 690 nm, and considering the spread of the absorption band, light having a wavelength of 800 nm or more can be used.
【0058】上述のように、適用する光の波長を最長の
吸収波長よりも長い波長に選定するのは、共役系電子を
保有する物質の吸収は線スペクトルではなく、吸収帯に
幅があるため、少なくとも最長の吸収波長よりもさらに
吸収帯の幅の分だけ長い波長を有する光でなければ吸収
されてしまうためである。As described above, the wavelength of light to be applied is selected to be longer than the longest absorption wavelength because the absorption of a substance having conjugated electrons is not a line spectrum but has a width in an absorption band. This is because, unless the light has a wavelength longer by at least the width of the absorption band than the longest absorption wavelength, the light is absorbed.
【0059】次に、図7に示すように、上記共役系電子
を保有する物質よりなるプリズム70に入射角=60°
として、光を入射させる場合であって、プリズム70の
屈折率nを、1.28〜1.32に変化させた場合の、
出射光の屈折角rと、nが1.30の場合を基準とした
屈折角の変化量Δrを、(表2)に示す。Next, as shown in FIG. 7, the prism 70 made of the substance having the conjugated electrons is incident on the prism 70 at an incident angle of 60 °.
In the case where light is incident, and the refractive index n of the prism 70 is changed to 1.28 to 1.32,
Table 2 shows the refraction angle r of the emitted light and the change amount Δr of the refraction angle based on the case where n is 1.30.
【0060】[0060]
【表2】 [Table 2]
【0061】なお、入射角=60°、屈折角をr°、屈
折率をnとした場合には、以下に示す関係式が成立す
る。 r=sin-1{n×sin〔90°−sin-1(sin
60°/n)〕}When the incident angle is 60 °, the refraction angle is r °, and the refractive index is n, the following relational expression holds. r = sin −1 {n × sin [90 ° −sin −1 (sin
60 ° / n)]}
【0062】この(表2)によれば、屈折率nが、0.
01だけ変化すると、出射光の進行方向は、約3.57
°程度も変化することがわかる。また、このとき、誘電
率の変化は、約1.69から、約1.72のわずか0.
03程度、すなわち1.5%程度だけ変化した。According to (Table 2), the refractive index n is 0.
01, the traveling direction of the emitted light is about 3.57.
It can be seen that the degree also changes. At this time, the change in the dielectric constant is from about 1.69 to about 1.72, which is only about 0.72.
It changed by about 03, that is, about 1.5%.
【0063】上述した本発明は、共役系電子を保有する
物質よりなる光透過素子に光源から光Lを入射し、光透
過素子を透過させて被露光体上に焦点を結ばせて被露光
体の露光を行うが、これによれば、光透過素子に所定の
電界を印加して、その電界の強さや方向を調節すること
により、被露光体上の2次元上、あるいは被露光体の深
さ方向も合わせた3次元にわたる広い範囲において、焦
点Fの位置の調節、および焦点の深度を調節をすること
ができる。これにより、従来の露光方法のようなステッ
ピングを使用せず、レティクルを使用せず、リダクショ
ンレンズのNAを大きくすることもなく、微細なパター
ン露光を容易に行うことができる。According to the present invention described above, light L is incident from a light source on a light transmitting element made of a substance having a conjugated electron, transmitted through the light transmitting element, and focused on the object to be exposed. According to this, according to this, a predetermined electric field is applied to the light transmitting element, and the intensity and direction of the electric field are adjusted, so that the two-dimensional pattern on the object to be exposed or the depth of the object to be exposed is obtained. The position of the focal point F and the depth of the focal point can be adjusted in a wide range over three dimensions including the vertical direction. Thereby, fine pattern exposure can be easily performed without using stepping, using a reticle, or increasing the NA of the reduction lens as in the conventional exposure method.
【0064】[0064]
【発明の効果】上述した本発明の露光装置および露光方
法によれば、共役系電子を保有する物質より成る光透過
素子に、所定の電界を印加して、その電界の強さや方向
を調節することにより、被露光体上の2次元上、あるい
は被露光体の深さ方向も合わせた3次元にわたる広い範
囲において、焦点Fの位置の調節、および焦点の深度を
調節をすることができた。すなわち、本発明によれば、
従来の露光方法のように露光位置を制御するためのステ
ッピングメカニズムを使用する必要もなく、レティクル
も作成する必要もなく、露光光の集光を行うためのリダ
クションレンズのNAを大きくする必要もなくなり、微
細なパターン露光を容易に行うことができるようになっ
た。According to the above-described exposure apparatus and exposure method of the present invention, a predetermined electric field is applied to a light transmitting element made of a substance having conjugated electrons, and the intensity and direction of the electric field are adjusted. As a result, the position of the focal point F and the depth of the focal point can be adjusted in a two-dimensional manner on the object to be exposed or in a wide three-dimensional range including the depth direction of the object to be exposed. That is, according to the present invention,
There is no need to use a stepping mechanism to control the exposure position as in conventional exposure methods, no need to create a reticle, and no need to increase the NA of the reduction lens for condensing exposure light. Thus, fine pattern exposure can be easily performed.
【0065】また、本発明の露光装置によれば、光透過
素子の屈折率を、電気的な手段を用いて高速、確実に変
化させることができるため、出射光の焦点位置の制御
を、高速かつ正確に行うことができ、被露光体の露光を
短時間で行うことができるようになった。Further, according to the exposure apparatus of the present invention, the refractive index of the light transmitting element can be changed at a high speed and surely by using an electric means. In addition, the exposure can be performed accurately, and the exposure of the object to be exposed can be performed in a short time.
【図1】本発明の露光装置の一例の概略図を示す。FIG. 1 shows a schematic view of an example of an exposure apparatus of the present invention.
【図2】本発明の他の一例の露光装置であって複数の光
透過素子を設けた場合の概略構成図を示す。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of another example of the exposure apparatus of the present invention in which a plurality of light transmitting elements are provided.
【図3】本発明の他の一例の露光装置であって、2対の
電極を設けた場合の概略図を示す。FIG. 3 is a schematic view of another example of the exposure apparatus of the present invention in which two pairs of electrodes are provided.
【図4】本発明の他の一例の露光装置であって、3対の
電極を設けた場合の概略図を示す。FIG. 4 is a schematic view of another example of the exposure apparatus of the present invention in which three pairs of electrodes are provided.
【図5】A 所定のパターンに露光を行う場合の焦点の
円形スポットの移動の軌跡を示す。 B 露光パターンを示す。FIG. 5A shows a locus of movement of a circular spot having a focal point when exposure is performed on a predetermined pattern. B shows an exposure pattern.
【図6】A〜H 本発明の光透過素子の形状の例を示
す。6A to 6H show examples of the shape of the light transmitting element of the present invention.
【図7】プリズムへの光の入射角を60°とした場合の
出射光の屈折の状態図を示す。FIG. 7 shows a state diagram of refraction of outgoing light when the incident angle of light on the prism is 60 °.
【図8】従来の露光装置の概略図を示す。FIG. 8 shows a schematic view of a conventional exposure apparatus.
1,2 光透過素子、10,30,40,50 露光装
置、11 第1の電極、12 第2の電極、13 第3
の電極、14 第4の電極、15 第5の電極、16
第6の電極、20,41,51 電界印加手段、21
光源、24,100 被露光体、22,101 基板、
23,102 フォトレジスト、41 第1の電界印加
手段、42 第2の電界印加手段、43 第3の電界印
加手段、70 プリズム、103 レーザービーム発生
源、104 リダクションレンズ1, 2, light transmitting element, 10, 30, 40, 50 exposure apparatus, 11 first electrode, 12 second electrode, 13 third electrode
Electrode, 14 fourth electrode, 15 fifth electrode, 16
Sixth electrode, 20, 41, 51 Electric field applying means, 21
Light source, 24,100 object to be exposed, 22,101 substrate,
23, 102 photoresist, 41 first electric field applying means, 42 second electric field applying means, 43 third electric field applying means, 70 prism, 103 laser beam source, 104 reduction lens
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉本 徹 神奈川県横須賀市荻野2−5 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Toru Sugimoto 2-5 Ogino, Yokosuka City, Kanagawa Prefecture
Claims (9)
光を照射して、上記フォトレジスト層に対する露光を行
う露光装置であって、 共役系電子を保有する物質よりなる少なくとも1以上の
光透過素子と、 該光透過素子に電界をかける、電界印加手段とを有し、 電界印加によって、上記共役系電子を保有する物質の電
子状態を変化させて、屈折率を変化させ、上記被露光体
上のフォトレジスト層に対する露光光の焦点を合わせる
ことを特徴とする露光装置。1. An object to be exposed having a photoresist layer,
An exposure apparatus for irradiating light to expose the photoresist layer, wherein at least one or more light transmitting elements made of a substance having conjugated electrons, and an electric field applying means for applying an electric field to the light transmitting elements And applying an electric field to change the electronic state of the substance having the conjugated electrons, change the refractive index, and focus the exposure light on the photoresist layer on the object to be exposed. Exposure apparatus.
を照射して露光を行う露光方法であって、 共役系電子を保有する物質よりなる少なくとも1以上の
光透過素子に、光を入射し、 上記光透過素子に電界をかけ、該電界の強さ、および電
界の方向の少なくとも一方を変化させて、上記光透過素
子の電子状態を変化させることにより屈折率を変化さ
せ、 被露光体上のフォトレジスト層に対する露光光の焦点の
位置合わせを行うことを特徴とする露光方法。2. An exposure method for irradiating an object to be exposed having a photoresist layer with light by irradiating the object with light, wherein light is incident on at least one or more light transmitting elements made of a substance having conjugated electrons. Applying an electric field to the light transmitting element, changing at least one of the intensity of the electric field and the direction of the electric field to change an electronic state of the light transmitting element, thereby changing a refractive index, and An exposure method comprising: aligning a focal point of exposure light with respect to the photoresist layer.
電極であることを特徴とする請求項1に記載の露光装
置。3. An exposure apparatus according to claim 1, wherein said electric field applying means is at least a pair of electrodes.
電極であることを特徴とする請求項2に記載の露光方
法。4. The exposure method according to claim 2, wherein said electric field applying means is at least a pair of electrodes.
入射光を透過する透明あるいは半透明となされているこ
とを特徴とする請求項1に記載の露光装置。5. The exposure apparatus according to claim 1, wherein at least a part of the electric field applying means is made transparent or translucent for transmitting incident light.
入射光を透過する透明あるいは半透明となされているこ
とを特徴とする請求項2に記載の露光方法。6. The exposure method according to claim 2, wherein at least a part of said electric field applying means is made transparent or translucent for transmitting incident light.
線、可視光線、紫外線のうちのいずれかであることを特
徴とする請求項1に記載の露光装置。7. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the light incident on the light transmitting element is any one of infrared light, visible light, and ultraviolet light.
線、可視光線、紫外線のうちのいずれかであることを特
徴とする請求項2に記載の露光方法。8. The exposure method according to claim 2, wherein the light incident on the light transmitting element is any one of infrared light, visible light, and ultraviolet light.
FFに切り換えて、パターン露光を行うことを特徴とす
る請求項2に記載の露光方法。9. The method according to claim 1, wherein the light to be irradiated on the object is turned on / off.
3. The exposure method according to claim 2, wherein pattern exposure is performed by switching to FF.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10160771A JPH11354410A (en) | 1998-06-09 | 1998-06-09 | Aligner and exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP10160771A JPH11354410A (en) | 1998-06-09 | 1998-06-09 | Aligner and exposure method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11354410A true JPH11354410A (en) | 1999-12-24 |
Family
ID=15722109
Family Applications (1)
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JP10160771A Pending JPH11354410A (en) | 1998-06-09 | 1998-06-09 | Aligner and exposure method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11354410A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014239240A (en) * | 2009-02-12 | 2014-12-18 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Projection exposure method, projection exposure system, and projection objective |
-
1998
- 1998-06-09 JP JP10160771A patent/JPH11354410A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014239240A (en) * | 2009-02-12 | 2014-12-18 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Projection exposure method, projection exposure system, and projection objective |
US9678440B2 (en) | 2009-02-12 | 2017-06-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure method, system and objective |
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