JPH11353032A - Mechanism and method for detecting leakage of cooling gas - Google Patents
Mechanism and method for detecting leakage of cooling gasInfo
- Publication number
- JPH11353032A JPH11353032A JP16234698A JP16234698A JPH11353032A JP H11353032 A JPH11353032 A JP H11353032A JP 16234698 A JP16234698 A JP 16234698A JP 16234698 A JP16234698 A JP 16234698A JP H11353032 A JPH11353032 A JP H11353032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- cooling gas
- control valve
- substrate
- back surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 20
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Flow Control (AREA)
- Control Of Fluid Pressure (AREA)
- Testing And Monitoring For Control Systems (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶パネル製造,
半導体製造装置など基板あるいはウエハを装置内のプロ
セスチャンバーに移載し、生産する形態を持つ装置に適
用され、プロセスチャンバー内の基板裏面冷却方式の冷
却ガスの漏洩検出機構および検出方法に関するものであ
る。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a liquid crystal panel manufacturing,
The present invention is applied to an apparatus having a form in which a substrate or a wafer is transferred to a process chamber in the apparatus, such as a semiconductor manufacturing apparatus, and relates to a leak detection mechanism and a detection method of a cooling gas of a substrate backside cooling method in the process chamber. .
【0002】[0002]
【従来の技術】図2に従来の冷却ガスの漏洩検出機構の
構成を示す説明図であり、15は基板を押さえるクラン
プ機構、16は基板を冷却するためのガスの流量コント
ローラ、17は圧力を制御するためのコントロールバル
ブ、18は冷却ガスの圧力を監視する圧力計、19は、
圧力計18からの信号を取り込み、設定圧力との差を演
算してコントロールバルブ17に対して開度指令を出す
圧力コントローラ、20は圧力計18を真空状態に保つ
ためのアイソレーションバルブ、21は冷却ガスの入り
切りを行うストップバルブ、22はコントロールバルブ
17の上流側に取り付けられたメインバルブ、23は冷
却終了時にガス排気を早く行うためのバイパスバルブ、
24は処理される基板である。2. Description of the Related Art FIG. 2 is an explanatory view showing the structure of a conventional cooling gas leak detecting mechanism. Reference numeral 15 denotes a clamp mechanism for holding a substrate, 16 denotes a gas flow controller for cooling a substrate, and 17 denotes a pressure. A control valve for controlling, 18 is a pressure gauge for monitoring the pressure of the cooling gas, 19 is
A pressure controller which takes in a signal from the pressure gauge 18 and calculates a difference from a set pressure to issue an opening command to the control valve 17; 20 is an isolation valve for keeping the pressure gauge 18 in a vacuum state; A stop valve for turning on and off the cooling gas, a main valve 22 mounted on the upstream side of the control valve 17, a bypass valve 23 for quickly exhausting gas at the end of cooling,
24 is a substrate to be processed.
【0003】以上のように構成された機構において、以
下各構成要素の関係と動作について説明する。In the mechanism configured as described above, the relationship and operation of each component will be described below.
【0004】まず、プロセスチャンバーA内で、基板2
4をクランプ機構15で押さえる。そして、コントロー
ルバルブ17とメインバルブ22とストップバルブ21
とアイソレーションバルブ20を開ける。さらに、ガス
流量コントローラ16に対し、冷却ガスの流量指令を与
え、基板裏面に冷却ガスを導入する。このとき、導入さ
れたガス量を一定に保つため、ガス配管に取り付けられ
た圧力計18の入力値から排気量を演算し、ガスの排気
量を調節するために取り付けられているコントロールバ
ルブ17の開度指令を調節して、導入されたガス量を一
定範囲内に保つ。First, in a process chamber A, a substrate 2
4 is held down by the clamp mechanism 15. Then, the control valve 17, the main valve 22, and the stop valve 21
And the isolation valve 20 is opened. Further, a cooling gas flow command is given to the gas flow controller 16 to introduce the cooling gas to the back surface of the substrate. At this time, in order to keep the introduced gas amount constant, the exhaust amount is calculated from the input value of the pressure gauge 18 attached to the gas pipe, and the control valve 17 installed to adjust the gas exhaust amount is adjusted. The opening command is adjusted to keep the amount of introduced gas within a certain range.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た冷却ガスの漏洩検出機構にて冷却ガスの圧力制御を行
う場合、基板の裏面からプロセスチャンバー内への微少
な冷却ガスの漏れが生じた時に、その漏れている量を補
う量のガスを封じ込めなければ冷却ガスを一定範囲内の
圧力に調節することはできない。そのため、ガス圧力は
一定範囲内であるにもかかわらず、導入されているガス
量が一定にならない。また、プロセスチャンバーの圧力
を監視している圧力計でも、その漏れを十分には検出で
きず、冷却効果が一定にはならないだけでなく、漏れた
冷却ガスがプロセス状態に影響を及ぼし、それにより正
常処理されない基板が生じ、装置の生産性を低下させる
という問題点を有している。However, when the pressure of the cooling gas is controlled by the above-described cooling gas leak detection mechanism, when a small amount of cooling gas leaks into the process chamber from the back surface of the substrate, The cooling gas cannot be adjusted to a pressure within a certain range unless an amount of gas that compensates for the leaking amount is contained. Therefore, although the gas pressure is within a certain range, the amount of gas introduced is not constant. In addition, even with a pressure gauge monitoring the pressure in the process chamber, the leak cannot be sufficiently detected, and not only the cooling effect does not become constant, but also the leaked cooling gas affects the process state, thereby There is a problem that a substrate that is not normally processed occurs, which lowers the productivity of the apparatus.
【0006】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、封じ込めたガス量を一定範囲内に調節されている
かを定量的に監視し、異常の有無を検出する冷却ガスの
微少漏洩検出機構および検出方法を提供することを目的
とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and quantitatively monitors whether or not the amount of the contained gas is adjusted within a predetermined range, and detects a minute leakage of the cooling gas for detecting the presence or absence of an abnormality. It is an object to provide a mechanism and a detection method.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、プロセス処理用基板の裏面を、プロセスチ
ャンバー内で冷却する機構において、冷却ガスの流量コ
ントローラと、冷却ガスの圧力を調整するためのコント
ロールバルブと、このコントロールバルブに対して上流
側に取り付けられ、前記基板の裏面に導入された冷却ガ
スの圧力を監視する第1圧力計と、この第1圧力計から
の信号を取り込み、設定圧力との差を演算し、前記コン
トロールバルブに対して開度指令をフィードバックする
圧力コントローラと、前記プロセスチャンバーに対して
上流側に取り付けられ、前記基板の裏面に導入する前の
冷却ガスの圧力を監視する第2圧力計と、前記第1圧力
計と前記第2圧力計の信号を取り込み、その圧力差を演
算し、許容範囲を超えた場合に異常を通知する常時監視
機構を有することを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides a mechanism for cooling a back surface of a processing substrate in a process chamber by adjusting a flow rate controller of a cooling gas and a pressure of the cooling gas. A first pressure gauge mounted upstream of the control valve for monitoring the pressure of the cooling gas introduced to the back side of the substrate, and taking in a signal from the first pressure gauge. A pressure controller that calculates a difference from a set pressure and feeds back an opening command to the control valve, and a cooling gas that is attached upstream with respect to the process chamber and that is not introduced to the back surface of the substrate. A second pressure gauge for monitoring pressure, a signal from the first pressure gauge and a signal from the second pressure gauge are taken in, a pressure difference between the signals is calculated, and an allowable range is set. It characterized by having a constant monitoring mechanism for notifying an abnormality when was e.
【0008】また本発明は、プロセス処理用基板の裏面
を、プロセスチャンバー内で冷却する機構において、冷
却ガスの流量コントローラと、冷却ガスの圧力を調整す
るためのコントロールバルブと、このコントロールバル
ブに対して上流側に取り付けられ、前記基板の裏面に導
入された冷却ガスの圧力を監視する圧力計と、この圧力
計からの信号を取り込み、設定圧力との差を演算し、前
記コントロールバルブに対して開度指令をフィードバッ
クする圧力コントローラと、前記コントロールバルブの
開度指令を取り込み、設定開度との開度の差を演算し、
許容範囲を超えた場合に異常を通知する常時監視機構を
有することを特徴とする。The present invention also provides a cooling gas flow controller, a control valve for adjusting the pressure of the cooling gas, and a control valve for adjusting the pressure of the cooling gas. A pressure gauge attached to the upstream side and monitoring the pressure of the cooling gas introduced to the back surface of the substrate, and taking in a signal from the pressure gauge, calculating a difference from a set pressure, and calculating a difference with the control valve. A pressure controller that feeds back the opening command and the opening command of the control valve are taken in, and the difference between the opening and the set opening is calculated,
It is characterized by having a constant monitoring mechanism for notifying an abnormality when exceeding an allowable range.
【0009】また本発明は、冷却ガスの流量コントロー
ラと、冷却ガスの圧力を調整するためのコントロールバ
ルブと、前記基板の裏面に導入された冷却ガスの圧力を
監視する圧力計と、この圧力計からの信号を取り込み、
設定圧力との差を演算し、前記コントロールバルブに対
して開度指令をフィードバックする圧力コントローラと
を備え、プロセスチャンバー内でプロセス処理用基板の
裏面に冷却ガスを導入して冷却する機構における冷却ガ
スの漏洩検出方法であって、前記基板の裏面に導入する
前の冷却ガスの圧力と前記基板の裏面に導入した後の冷
却ガスの圧力との圧力差を演算し、許容範囲を超えた場
合に異常を通知することを特徴とする。The present invention also provides a cooling gas flow controller, a control valve for adjusting the pressure of the cooling gas, a pressure gauge for monitoring the pressure of the cooling gas introduced to the back surface of the substrate, and the pressure gauge. Signal from the
A pressure controller that calculates a difference from a set pressure and feeds back an opening command to the control valve, and a cooling gas in a mechanism for introducing a cooling gas to the back surface of the processing substrate in the process chamber to cool the substrate. The leak detection method of calculating the pressure difference between the pressure of the cooling gas before introducing it to the back surface of the substrate and the pressure of the cooling gas after introducing it to the back surface of the substrate, when exceeding the allowable range It is characterized by notification of abnormality.
【0010】また本発明は、冷却ガスの流量コントロー
ラと、冷却ガスの圧力を調整するためのコントロールバ
ルブと、このコントロールバルブに対して上流側に取り
付けられ、前記基板の裏面に導入された冷却ガスの圧力
を監視して設定圧力との差を演算し、前記コントロール
バルブに対して開度指令をフィードバックする圧力コン
トローラとを備え、プロセスチャンバー内でプロセス処
理用基板の裏面に冷却ガスを導入して冷却する機構にお
ける冷却ガスの漏洩検出方法であって、前記コントロー
ルバルブの開度指令と設定開度との開度の差を演算し、
許容範囲を超えた場合に異常を通知することを特徴とす
る。The present invention also provides a cooling gas flow controller, a control valve for adjusting the pressure of the cooling gas, and a cooling gas mounted on the upstream side of the control valve and introduced to the back surface of the substrate. A pressure controller that monitors the pressure and calculates the difference from the set pressure, and includes a pressure controller that feeds back the opening command to the control valve, and introduces a cooling gas to the back surface of the processing substrate in the process chamber. A method for detecting a leakage of cooling gas in a cooling mechanism, wherein a difference between an opening command and an opening of the control valve is calculated.
It is characterized in that an abnormality is notified when the value exceeds the allowable range.
【0011】このような手段により、冷却ガスの導入量
を監視して、許容範囲を超えた場合に冷却ガスの漏洩が
存在するものと判断することができる。By such means, it is possible to monitor the introduction amount of the cooling gas and determine that the leakage of the cooling gas exists when the amount exceeds the allowable range.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図1を用いて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
【0013】図1は本発明の冷却ガスの漏洩検出機構の
構成を示す説明図であり、1は基板を押さえるクランプ
機構、2は基板を冷却するためのガスの流量コントロー
ラ、3は圧力を制御するためのコントロールバルブ、4
は冷却ガスの圧力を監視するコントロールバルブ側の圧
力計、5は、圧力計4からの信号を取り込み、設定圧力
との差を演算してコントロールバルブ3に対して開度指
令を出す圧力コントローラ、6は圧力計4を真空状態に
保つためのアイソレーションバルブ、7は冷却ガスの入
り切りを行うストップバルブ、8はコントロールバルブ
3の上流側に取り付けられたメインバルブ、9は冷却終
了時にガス排気を早く行うためのバイパスバルブ、10
はコントロールバルブ3の反対側に取り付けられた圧力
計、11は圧力計10を真空状態に保つためのアイソレ
ーションバルブ、12は、圧力計4と圧力計10の信号
を取り込み、その圧力差を演算し許容範囲を超えた場合
に異常を通知する常時監視機構、13は処理される基
板、14は、圧力コントローラ5からコントロールバル
ブ3に対しての開度指令を取り込み、開度監視値との差
を演算し許容範囲を超えた場合に異常を通知する常時監
視機構である。FIG. 1 is an explanatory view showing the structure of a cooling gas leak detecting mechanism according to the present invention, wherein 1 is a clamp mechanism for holding a substrate, 2 is a gas flow controller for cooling a substrate, and 3 is a pressure controller. Control valve, 4
Is a pressure gauge on the control valve side that monitors the pressure of the cooling gas, 5 is a pressure controller that takes in a signal from the pressure gauge 4, calculates a difference from a set pressure, and issues an opening command to the control valve 3. 6 is an isolation valve for keeping the pressure gauge 4 in a vacuum state, 7 is a stop valve for turning on and off the cooling gas, 8 is a main valve mounted on the upstream side of the control valve 3, and 9 is a gas exhaust at the end of cooling. Bypass valve for quick operation, 10
Is a pressure gauge mounted on the opposite side of the control valve 3, 11 is an isolation valve for keeping the pressure gauge 10 in a vacuum state, 12 is a signal from the pressure gauge 4 and the pressure gauge 10, and calculates a pressure difference therebetween. A constant monitoring mechanism for notifying an abnormality when the value exceeds an allowable range, 13 is a substrate to be processed, and 14 is an opening command from the pressure controller 5 to the control valve 3, and a difference from the opening monitoring value. Is a constant monitoring mechanism for notifying an abnormality when the value exceeds the allowable range.
【0014】次に、動作について説明する。Next, the operation will be described.
【0015】まず、プロセスチャンバーA内で、基板1
3をクランプ機構1で押さえる。そして、コントロール
バルブ3とメインバルブ8とストップバルブ7を開け、
ガス流量コントローラ2に対し、冷却ガスの設定指令を
与え、基板裏面に冷却ガスを導入する。このとき、導入
されたガス量を一定に保つため、ガス配管に取り付けら
れた圧力計の入力値から排気量を演算し、ガスの排気量
を調節するために取り付けられているコントロールバル
ブ3の開度指令を調節する。そして、コントロールバル
ブ3と反対側に取り付けた圧力計10の入力を常時監視
機構12に取り込み、圧力計4と圧力計10の入力信号
の差を演算し、許容範囲を超えた場合に異常を通知す
る。First, in the process chamber A, the substrate 1
3 is held down by the clamp mechanism 1. Then, the control valve 3, the main valve 8 and the stop valve 7 are opened,
A cooling gas setting command is given to the gas flow controller 2 to introduce the cooling gas to the back surface of the substrate. At this time, in order to keep the introduced gas amount constant, the exhaust amount is calculated from the input value of the pressure gauge attached to the gas pipe, and the control valve 3 attached to adjust the gas exhaust amount is opened. Adjust the degree command. Then, the input of the pressure gauge 10 attached to the opposite side of the control valve 3 is always taken into the monitoring mechanism 12, and the difference between the input signal of the pressure gauge 4 and the input signal of the pressure gauge 10 is calculated. I do.
【0016】このように構成したことにより、基板裏面
に対する導入前の冷却ガスの圧力と導入後の冷却ガスの
圧力の差が許容範囲を超えた場合に、冷却ガスの漏れが
生じていると判定することができる。With this configuration, when the difference between the pressure of the cooling gas before the introduction and the pressure of the cooling gas after the introduction with respect to the rear surface of the substrate exceeds an allowable range, it is determined that the leakage of the cooling gas has occurred. can do.
【0017】また、上述した冷却ガスの漏れ検出方法以
外にも、圧力コントローラ5からコントロールバルブ3
に対しての開度指令を常時監視機構14に取り込み、あ
らかじめ設定された開度監視値との差を演算し、許容範
囲を超えた場合に冷却ガスの漏れが生じていると判定し
て、異常通知するという方法がある。なお、前述した2
つの冷却ガスの漏れ検出方法を併用しても良いことはい
うまでもない。In addition to the cooling gas leak detection method described above, the pressure
Is always taken into the monitoring mechanism 14, a difference from a preset monitoring value of the opening is calculated, and when it exceeds the allowable range, it is determined that the leakage of the cooling gas has occurred, There is a method of notifying abnormalities. It should be noted that 2
It goes without saying that two cooling gas leak detection methods may be used in combination.
【0018】[0018]
【発明の効果】以上、説明したように構成された本発明
によれば、冷却ガスの導入量が一定範囲内であるか否か
を、導入側の圧力計と排出側の圧力計の信号を取り込み
その圧力差を演算し、許容範囲を超えた場合に常時監視
機構が異常を通知することにより、基板冷却効率を一定
範囲内に留め、また冷却ガスの漏洩を検知することで、
正常処理されない基板の発生を削減し、装置の生産性を
向上させることが可能となる。According to the present invention constructed as described above, it is determined whether or not the amount of cooling gas introduced is within a certain range by the signals of the pressure gauge on the introduction side and the pressure gauge on the discharge side. By calculating the pressure difference, the monitoring mechanism always notifies the abnormality when the pressure difference exceeds the allowable range, the substrate cooling efficiency is kept within a certain range, and by detecting the leakage of the cooling gas,
It is possible to reduce the occurrence of substrates that are not properly processed and improve the productivity of the apparatus.
【図1】本発明の実施形態におけるの冷却ガスの漏洩検
出機構の構成を示す説明図FIG. 1 is an explanatory diagram showing a configuration of a cooling gas leak detection mechanism according to an embodiment of the present invention.
【図2】従来の冷却ガスの漏洩検出機構の構成を示す説
明図FIG. 2 is an explanatory diagram showing a configuration of a conventional cooling gas leak detection mechanism.
1 クランプ機構 2 ガス流量コントローラ 3 コントロールバルブ 4,10 圧力計 5 圧力コントローラ 6,11 アイソレーションバルブ 7 ストップバルブ 8 メインバルブ 9 バイパスバルブ 12,14 常時監視機構 13 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Clamp mechanism 2 Gas flow controller 3 Control valve 4, 10 Pressure gauge 5 Pressure controller 6, 11 Isolation valve 7 Stop valve 8 Main valve 9 Bypass valve 12, 14 Constant monitoring mechanism 13 Substrate
Claims (4)
チャンバー内で冷却する機構において、冷却ガスの流量
コントローラと、冷却ガスの圧力を調整するためのコン
トロールバルブと、このコントロールバルブに対して上
流側に取り付けられ、前記基板の裏面に導入された冷却
ガスの圧力を監視する第1圧力計と、この第1圧力計か
らの信号を取り込み、設定圧力との差を演算し、前記コ
ントロールバルブに対して開度指令をフィードバックす
る圧力コントローラと、前記プロセスチャンバーに対し
て上流側に取り付けられ、前記基板の裏面に導入する前
の冷却ガスの圧力を監視する第2圧力計と、前記第1圧
力計と前記第2圧力計の信号を取り込み、その圧力差を
演算し、許容範囲を超えた場合に異常を通知する常時監
視機構を有することを特徴とする冷却ガスの漏洩検出機
構。In a mechanism for cooling a back surface of a substrate for processing in a process chamber, a flow rate controller of a cooling gas, a control valve for adjusting a pressure of the cooling gas, and an upstream side of the control valve. A first pressure gauge for monitoring the pressure of the cooling gas introduced to the back surface of the substrate, and taking in a signal from the first pressure gauge to calculate a difference from a set pressure, A pressure controller that feeds back an opening degree command, a second pressure gauge attached upstream of the process chamber, and monitors a pressure of a cooling gas before being introduced to the back surface of the substrate; and a first pressure gauge. Having a constant monitoring mechanism that captures the signal of the second pressure gauge and calculates the pressure difference and notifies an abnormality when the pressure difference exceeds an allowable range. A leakage detection mechanism for cooling gas.
チャンバー内で冷却する機構において、冷却ガスの流量
コントローラと、冷却ガスの圧力を調整するためのコン
トロールバルブと、このコントロールバルブに対して上
流側に取り付けられ、前記基板の裏面に導入された冷却
ガスの圧力を監視する圧力計と、この圧力計からの信号
を取り込み、設定圧力との差を演算し、前記コントロー
ルバルブに対して開度指令をフィードバックする圧力コ
ントローラと、前記コントロールバルブの開度指令を取
り込み、設定開度との開度の差を演算し、許容範囲を超
えた場合に異常を通知する常時監視機構を有することを
特徴とする冷却ガスの漏洩検出機構。2. A mechanism for cooling a back surface of a substrate for processing in a process chamber, a flow controller for a cooling gas, a control valve for adjusting a pressure of the cooling gas, and an upstream side with respect to the control valve. And a pressure gauge for monitoring the pressure of the cooling gas introduced to the back surface of the substrate, and a signal from the pressure gauge is taken in, a difference from a set pressure is calculated, and an opening degree command is issued to the control valve. A pressure controller that feeds back the control valve, takes in the opening command of the control valve, calculates the difference between the opening and the set opening, and has a constant monitoring mechanism that notifies an abnormality when the difference exceeds an allowable range. Of leaking cooling gas.
スの圧力を調整するためのコントロールバルブと、前記
基板の裏面に導入された冷却ガスの圧力を監視する圧力
計と、この圧力計からの信号を取り込み、設定圧力との
差を演算し、前記コントロールバルブに対して開度指令
をフィードバックする圧力コントローラとを備え、プロ
セスチャンバー内でプロセス処理用基板の裏面に冷却ガ
スを導入して冷却する機構における冷却ガスの漏洩検出
方法であって、前記基板の裏面に導入する前の冷却ガス
の圧力と前記基板の裏面に導入した後の冷却ガスの圧力
との圧力差を演算し、許容範囲を超えた場合に異常を通
知することを特徴とする冷却ガスの漏洩検出方法。3. A cooling gas flow controller, a control valve for adjusting a pressure of the cooling gas, a pressure gauge for monitoring a pressure of the cooling gas introduced to the back surface of the substrate, and a signal from the pressure gauge. A pressure controller that calculates a difference from a set pressure, feeds back an opening command to the control valve, and cools by introducing a cooling gas to the back surface of the processing substrate in the process chamber. The method for detecting the leakage of the cooling gas in the above, wherein the pressure difference between the pressure of the cooling gas before introduction to the back surface of the substrate and the pressure of the cooling gas after introduction to the back surface of the substrate is calculated, exceeding the allowable range A leakage detection method for a cooling gas, wherein an abnormality is notified when the cooling gas leaks.
スの圧力を調整するためのコントロールバルブと、この
コントロールバルブに対して上流側に取り付けられ、前
記基板の裏面に導入された冷却ガスの圧力を監視して設
定圧力との差を演算し、前記コントロールバルブに対し
て開度指令をフィードバックする圧力コントローラとを
備え、プロセスチャンバー内でプロセス処理用基板の裏
面に冷却ガスを導入して冷却する機構における冷却ガス
の漏洩検出方法であって、前記コントロールバルブの開
度指令と設定開度との開度の差を演算し、許容範囲を超
えた場合に異常を通知することを特徴とする冷却ガスの
漏洩検出方法。4. A controller for controlling the flow rate of the cooling gas, a control valve for adjusting the pressure of the cooling gas, and a control valve mounted on the upstream side of the control valve for controlling the pressure of the cooling gas introduced to the back surface of the substrate. A pressure controller that monitors and calculates a difference from a set pressure and feeds back an opening command to the control valve, and a mechanism that introduces a cooling gas to the back surface of the process substrate in the process chamber and cools the substrate. A cooling gas leakage detection method, wherein a difference between an opening command of the control valve opening command and a setting opening is calculated, and an abnormality is notified when the opening exceeds an allowable range. Leak detection method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16234698A JPH11353032A (en) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | Mechanism and method for detecting leakage of cooling gas |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16234698A JPH11353032A (en) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | Mechanism and method for detecting leakage of cooling gas |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11353032A true JPH11353032A (en) | 1999-12-24 |
Family
ID=15752820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16234698A Pending JPH11353032A (en) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | Mechanism and method for detecting leakage of cooling gas |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11353032A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6695946B2 (en) * | 2001-04-18 | 2004-02-24 | Applied Materials Inc. | Cooling system |
KR100440750B1 (en) * | 2002-02-05 | 2004-07-21 | (주)영인테크 | Valve opening and shutting monitering system |
KR100453025B1 (en) * | 2001-10-15 | 2004-10-14 | 유니셈 주식회사 | Cooling Apparatus of Semiconductor Manufacturing Equipment |
JP2007500896A (en) * | 2003-07-31 | 2007-01-18 | フィッシャー コントロールズ インターナショナル リミテッド ライアビリティー カンパニー | Triggered field device data collection in process control systems. |
CN103926945A (en) * | 2014-04-08 | 2014-07-16 | 上海华力微电子有限公司 | Cavity intelligent pressure control system and pressure control method of the same |
KR20220066934A (en) * | 2019-12-25 | 2022-05-24 | 가부시키가이샤 후지킨 | pressure control device |
-
1998
- 1998-06-10 JP JP16234698A patent/JPH11353032A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6695946B2 (en) * | 2001-04-18 | 2004-02-24 | Applied Materials Inc. | Cooling system |
KR100453025B1 (en) * | 2001-10-15 | 2004-10-14 | 유니셈 주식회사 | Cooling Apparatus of Semiconductor Manufacturing Equipment |
KR100440750B1 (en) * | 2002-02-05 | 2004-07-21 | (주)영인테크 | Valve opening and shutting monitering system |
JP2007500896A (en) * | 2003-07-31 | 2007-01-18 | フィッシャー コントロールズ インターナショナル リミテッド ライアビリティー カンパニー | Triggered field device data collection in process control systems. |
CN103926945A (en) * | 2014-04-08 | 2014-07-16 | 上海华力微电子有限公司 | Cavity intelligent pressure control system and pressure control method of the same |
KR20220066934A (en) * | 2019-12-25 | 2022-05-24 | 가부시키가이샤 후지킨 | pressure control device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI500876B (en) | Gas supplying apparatus, cylinder cabinet provided with the same, valve box, and substrate process apparatus | |
KR20070011162A (en) | Exhaust Magnetron Chamber | |
JP4298025B2 (en) | Vacuum pressure control system | |
US8029874B2 (en) | Plasma processing apparatus and method for venting the same to atmosphere | |
WO2000001002A1 (en) | Method and apparatus for vacuum processing | |
JPH11353032A (en) | Mechanism and method for detecting leakage of cooling gas | |
JP6553353B2 (en) | Substrate processing method and apparatus | |
TW200523991A (en) | A semiconductor manufacturing device | |
JP4030030B2 (en) | Method and apparatus for detecting suction force of electrostatic chuck holder | |
JP2004206662A (en) | Apparatus and method for processing | |
KR100440750B1 (en) | Valve opening and shutting monitering system | |
JP2826409B2 (en) | Dry etching equipment | |
JPH02276243A (en) | Plasma etching device | |
KR20190048963A (en) | Electrostatic chuck control device and control method for semiconductor manufacturing equipment | |
KR100414303B1 (en) | Apparatus for preventing failure of detecting gas contamination in semiconductor wafer manufacturing equipment | |
KR200274312Y1 (en) | Valve opening and shutting monitering system | |
JP2715134B2 (en) | Processing method | |
JP3966735B2 (en) | Gas introduction mechanism, gas introduction method, and plasma processing apparatus | |
JPH05121361A (en) | Semiconductor wafer cooler | |
JP6468213B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium | |
CN104913200A (en) | Deionized water leakage detection control device | |
WO2010090434A2 (en) | Backflow prevention system | |
JP3074192B2 (en) | Wafer processing equipment | |
JP2627039B2 (en) | Vacuum exhaust device | |
CN220821484U (en) | Vacuum system and machine |