JPH11335820A - 蒸着方法及び蒸着装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、プラズマディスプレイパネル等に
使用する大型基板に対して薄膜層を形成するための蒸着
方法及び蒸着装置に係り、時間経過に伴ってカソードの
形状変化が発生する場合においても、蒸着原料に対する
電子ビームの照射強度や照射位置を常に一定にすること
により、均一な薄膜層を安定して得ることのできる蒸着
方法及び蒸着装置を提供することを目的としている。 【解決手段】 蒸着原料１１に電子ビーム９を照射する
ことで該蒸着原料１１を蒸発させ、その蒸気１２を被処
理体２表面に被着させて成膜を行なう蒸着方法におい
て、前記蒸着原料１１における前記電子ビーム９の照射
位置及び照射範囲を検出し、照射位置と照射範囲の検出
結果に基づいて電子ビーム９に与える磁力を制御するこ
とで、蒸着原料１１に対して常に一定の位置及び範囲に
電子ビーム９を照射することを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル等に使用する大型基板に対して薄膜層を形成
するための蒸着方法及び蒸着装置に係り、特に電子ビー
ムを照射することで蒸着原料を蒸発させ、この蒸気によ
り基板表面に薄膜を被着させる蒸着方法及び蒸着装置に
関する。

【０００２】プラズマディスプレイパネル等の精密機器
においては、被着される薄膜の状態が機器の特性に大き
な影響を及ぼすため、厚さの均一な薄膜を安定して得る
ことが求められている。

【０００３】

【従来の技術】図７は、従来の蒸着方法及び蒸着装置を
説明するための図であり、図７（ａ）は蒸着装置の概略
断面図、図７（ｂ）は電子銃の内部構造を簡単に示す断
面図である。蒸着は真空状態中において原料を気化さ
せ、これを被処理面に被着させることで行なわれるもの
であるが、以下に従来の蒸着装置の構造を説明する。
尚、ここではプラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰ
と称する）を構成するガラス基板に金属酸化膜を形成す
るものを例にしている。

【０００４】従来の蒸着装置６１は、図７（ａ）に示す
とおり、内部を真空状態とすることのできる密閉筐体に
より覆われてなるものであり、主要構成部として、蒸着
原料（例えば酸化マグネシウム）７１を収容するハース
７０、電子ビーム６９を照射する電子銃６６、電子ビー
ム６９を集束及び偏向するための磁力を与える集束コイ
ル６７及び偏向コイル６８を備えている。

【０００５】これら主要構成部の上方には、被処理体で
あるガラス基板６２が搬送される搬送路が備えられてお
り、矢印の方向に一定速度で通過するガラス基板６２の
下表面に金属酸化膜が被着される構造となっている。こ
のような構造の蒸着装置６１において、電子銃６６より
照射される電子ビーム６９は、集束コイル６７及び偏向
コイル６８により、その進行方向等を制御され、ハース
７０に収容される蒸着原料７１の表面に入射する。

【０００６】蒸着原料７１は、電子ビーム６９が入射さ
れることにより温度が上がり、所定温度に到達した部分
は蒸発する。これによって上昇する蒸着原料７１の蒸気
７２がガラス基板６２表面に被着して、所定の金属酸化
膜を形成する。尚、装置内には不要な部分への蒸気７２
の被着を防ぐために、防着板７３が設置されている。ま
た、図示していないが、ガラス基板６２に近接するよう
に蒸着領域を規定するためのマスク、更にガラス基板６
２を搭載して搬送するキャリアを備えている。

【０００７】ここで電子ビーム６９を照射する電子銃６
６の構造を簡単に説明する。電子銃６６は、図７（ｂ）
に示すように、熱を発生するフィラメント８１と一対の
電極、即ちカソード８２及びアノード８３とを有するも
のであり、フィラメント８１により加熱されたカソード
８２から放出される電子をアノードで加速させることに
より、電子ビーム６９を照射する。

【０００８】照射される電子ビームの強度は、カソード
８２−アノード８３間に流される電流値によって決めら
れるものであり、必要な膜厚やガラス基板６２の搬送速
度等を考慮してこの電流値を調整している。この時、電
圧値は一定としている。尚、図７（ｂ）では、電子銃６
６に密接して設けられる集束コイル６７も示している。

【０００９】図８は、蒸着対象物の一例であるガラス基
板を備えるＰＤＰの構造を示すための断面図であり、以
下に簡単に説明する。ＰＤＰは、放電空間１００を介し
て一対の基板、つまり前面ガラス基板９１と背面ガラス
基板９５を貼り合わせて構成するものであり、各基板に
はそれぞれ所定の構造物が形成されている。

【００１０】前面ガラス基板９１には、最初に放電を発
生させるための表示電極９２が所定間隔で形成され、こ
れを覆うように電荷を蓄積するための誘電体層９３、更
に誘電体層９３及び表示電極９２を保護するための保護
膜９４が形成されている。一般的に保護膜９４には酸化
マグネシウム等の金属酸化膜が使用されている。一方、
背面ガラス基板９５には、表示画素を指定するためのア
ドレス電極９６、誘電体層９７、放電領域を画定するた
めの隔壁９８、隔壁９８間にカラー表示のための蛍光体
層９９が順次形成されている。

【００１１】図７における蒸着装置６１は、前面ガラス
基板９１の保護膜９４を形成するためのものであり、図
７のガラス基板６２は、表示電極９２や誘電体層９３が
形成された状態とされている。保護膜９４は表示電極９
２や誘電体層９３を保護するものであるが、表示特性に
影響を与える放電状態の維持や不要な放電電流の抑制等
の作用を有しており、ＰＤＰの寿命にも多大な影響を及
ぼすものであるため、均一で安定した膜の形成が必要と
される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の蒸着装置６
１による蒸着においては、電子銃６６におけるカソード
８２−アノード８３間に流す電流や、集束コイル６７及
び偏向コイル６８による磁力を設定することにより、蒸
着原料７１に照射される電子ビーム６９の強度及び入射
位置等を調整して、ガラス基板６２に必要な薄膜層を形
成する構成となっている。

【００１３】しかしながら、図７（ｂ）に示す電子銃６
６におけるカソード８２は、電子を放出する一方、イオ
ンによる衝撃を受けていることから、時間の経過に伴っ
てその表面が削り取られて形状の変化が生じる。これに
よって電子ビームの放出方向や強度にばらつきが生じる
こととなり、蒸着原料７１に対する照射位置や範囲が不
安定となる。

【００１４】その結果、蒸着原料７１の蒸発位置や蒸発
量が変化し、ガラス基板６２に被着される膜の状態も変
化することから、均一な薄膜層を安定して形成すること
が困難となっている。蒸着装置６１に透過窓を設置し
て、蒸着原料７１への電子ビーム６９の入射位置等を作
業者が確認した上、マニュアル操作により、電子ビーム
６９に加える磁力を制御することも行なわれている。し
かしながら、作業者が常時確認を実施することは、面倒
であると共に非効率的である。また、この方法は強く光
っている部分を目視することによって、電子ビーム６９
の入射位置及び入射範囲を判断するものであるため、微
妙な変化を見極めることは極めて困難である。

【００１５】本発明は上記従来の課題を解決して、時間
経過に伴ってカソードの形状変化が発生する場合におい
ても、蒸着原料に対する電子ビームの照射強度や照射位
置を常に一定にすることにより、均一な薄膜層を安定し
て得ることのできる蒸着方法及び蒸着装置を提供するこ
とを目的としている。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の蒸着方法は、蒸
着原料に電子ビームを照射することで該蒸着原料を蒸発
させ、その蒸気を被処理体表面に被着させて成膜を行な
う蒸着方法において、前記蒸着原料における前記電子ビ
ームの照射位置及び照射範囲を検出し、この照射位置と
照射範囲の検出結果に基づいて電子ビームに与える磁力
を制御することで、蒸着原料に対して常に一定の位置及
び範囲に電子ビームを照射するものである。

【００１７】また、本発明の蒸着装置は、蒸着原料に電
子ビームを照射することで該蒸着原料を蒸発させ、その
蒸気を被処理体表面に被着させて成膜を行なう蒸着装置
において、前記蒸着原料における温度分布を検出するた
めの温度センサと、該温度センサによる温度分布の検出
結果に基づいて、前記電子ビームに印加する磁力を制御
する制御装置とを備えるものである。

【００１８】このような本発明においては、電子ビーム
の発生源である電子銃の状態が変化したとしても、蒸着
原料に対する電子ビームの入射位置及び入射範囲を常に
一定にすることができる。従って、蒸着原料の蒸発状態
を安定させることができ、被処理体に対して均一な膜を
連続して形成することが可能となる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態を説明する。図１及び図２は、本発明の第１
の実施形態を説明するための図であり、図１は蒸着装置
の断面図、図２は本実施形態の特徴部である温度センサ
の構成を説明する図である。

【００２０】本実施形態に係る蒸着装置１は、内部を真
空状態とすることのできる密閉筐体により覆われてなる
ものであり、主要構成部として、電子ビーム９を照射す
る電子銃６、電子ビーム９を集束及び偏向するための磁
力を発生する集束コイル７及び偏向コイル８、蒸着原料
（酸化マグネシウム）１１を収容すると共に温度センサ
１４が埋設されるハース１０、更に温度センサ１４から
の信号によって集束コイル７及び偏向コイル８を制御す
る制御装置１５を備えている。

【００２１】これら主要構成部の上方には、ＰＤＰの表
示画面となるガラス基板２が搬送される搬送路が備えら
れており、矢印の方向に一定速度で搬送されるガラス基
板２の下表面に酸化マグネシウム膜が被着される構造と
なっている。本蒸着装置１により処理されるガラス基板
２は、図８にて説明したように、表示電極及び誘電体層
が形成されたものであり、マスク３によって蒸着領域を
画定された状態で、キャリア４によって搬送される。図
１ではわかりにくいが、マスク３とキャリア４とは枠状
とされており、ガラス基板２を保持した状態で搬送ロー
ラ５上を移動する。

【００２２】更に、装置内には不要な部分への膜の被着
を防止するための防着板１３が設けられ、防着板１３の
下方で膜が被着される位置には膜厚センサ１６を設置し
ている。この膜厚センサ１６は、電子銃６に接続され、
検出結果に基づく信号により電子銃６を制御している。
更に、搬送路内には、ガラス基板２を加熱するためのヒ
ータ１７が備えられている。

【００２３】このような構造の蒸着装置１において、電
子銃６より照射される電子ビーム９は、集束コイル７及
び偏向コイル８により、その太さや進行方向等を制御さ
れ、ハース１０に収容される蒸着原料１１の表面に入射
する。蒸着原料１１は、ペレット状の酸化マグネシウム
であり、電子ビーム９の入射によって２０００℃程度に
加熱されることで蒸発する。その結果、蒸気１２が上昇
して、搬送路中のガラス基板２の露出面に被着して、所
定の保護膜が形成される。

【００２４】尚、蒸着装置１内には図示していないが、
ハース１０にペレットを供給するための供給路が備えら
れており、蒸発することにより減少する蒸着原料１１の
補充を可能にしている。従って、蒸着原料１１の状態は
変化しない。本実施形態においては、ハース１０に温度
センサ１４が埋設されており、蒸着原料１１の温度分布
を検出することが可能となっている。以下に温度センサ
１４の具体的構成を説明する。

【００２５】図２は、図１における温度センサの詳細を
説明するための図であり、図２（ａ）はハース斜視図、
図２（ｂ）はハース上面図である。尚、いずれの図も内
部に埋設される温度センサを点線で示している。図２
（ａ）に示すように、ハース１０は方形の立方体であ
り、その上部に蒸着原料１１が収容され、蒸着原料１１
の下方にあたる内部に温度センサ１４が埋設されてい
る。温度センサ１４は、個々に温度検出能力を有する複
数の熱電対からなるものであり、蒸着原料１１全体の温
度分布を検出することが可能である。

【００２６】即ち、図２（ｂ）に示すように、温度セン
サ１４は、それぞれ熱電対を配置する複数の個別検出領
域１４ａを備えており、個別検出領域１４ａ毎の温度を
検出することにより、蒸着原料１１の温度分布を認識す
る。蒸着原料１１は、電子ビーム６が入射している領域
の温度が最も高くなるため、蒸着原料１１の温度分布を
認識することによって、電子ビーム９の入射位置及びそ
の範囲を検出することができる。

【００２７】尚、個別検出領域１４ａを小さくするほど
検出精度は向上する。また、ハース１０はその下部或い
は周辺部に備えられる冷却手段（図示なし）によって冷
却されるが、温度センサ１４は蒸着原料１１の温度が直
接伝えられる近傍部分に設置されているため、確実な温
度検出が可能である。このようにして検出された蒸着原
料１１の温度分布、つまり電子ビーム９の入射位置と入
射範囲の検出結果を図１に示す制御装置１５に送り、こ
れにより集束コイル８及び偏向コイル９を制御する。

【００２８】蒸着処理を続けることで、電子銃６のカソ
ード（図７（ｂ）カソード８２参照）がイオン衝撃によ
り変形して、蒸着原料１１に対する電子ビーム９の照射
位置の移動、或いは照射範囲の変化が生ずることがある
が、上記温度センサ１４及び制御装置１５の動作によ
り、集束コイル８及び偏向コイル９の磁力を調整するこ
とができるため、速やかに所定の位置及び範囲へ電子ビ
ーム９を戻すことが可能である。

【００２９】尚、カソードは、長時間の使用によって、
穴が開く等電子ビームの照射自体が妨げられる状態にな
るため、定期的に交換する必要があるが、本発明は交換
に至るまでのカソードの経時変化に対応するものであ
る。以上のように、本実施例によれば蒸着原料１１に対
する電子ビーム９の入射位置や入射範囲を監視し、常に
所定の位置及び範囲となるように制御していることか
ら、蒸着原料１１の蒸発位置や蒸発量が変化することが
なく、ガラス基板２への金属酸化膜の形成が安定したも
のとなる。

【００３０】更に、本実施例においては、膜厚センサ１
６を設置して、ガラス基板２に形成される膜の蒸着レー
トを検出し、この結果に基づいて電子ビーム９の強度を
調整している。膜厚センサ１６は、振動係数が変わるこ
とで膜厚の変化を検出することができる水晶振動子から
なるものであり、単位時間当たりの膜厚変化により蒸着
レートを認識して、この結果に基づいて電子銃６に流す
電流値を調整する。これによって電子銃６のカソードの
変形や装置内の微妙な圧力変化によって生じる蒸着レー
トを安定化させることができる。

【００３１】蒸着レートは、電子ビーム６の蒸着原料１
１に対する入射位置や入射範囲を安定させたとしても、
装置内の圧力変化等により微妙に変化し、膜形成に影響
を与えることになるため、本実施形態の如く電子ビーム
９の強度を調整することにより、この影響をなくし、更
なる蒸着の安定化が望める。尚、搬送路内に設置するヒ
ータ１７は、ガラス基板２を加熱するものであり、被処
理体であるガラス基板２を数百℃程度に加熱しておくこ
とにより、蒸着される金属酸化膜を緻密にすることがで
きる。

【００３２】次に本発明の第２の実施形態を説明する。
図３〜図５は、本発明の第２実施形態を説明するための
図であり、図３は蒸着装置の断面図、図４は蒸着装置上
面図、図５は本実施形態に係るハース構造を示す斜視図
である。本実施形態は、前述した第１の実施形態に対し
て、ハース及び膜厚センサの構成に特徴を有するもので
あり、これらの構成を明確にするため、図３に示す断面
図は、図１とは直交する方向のものとしている。即ち、
図３は、その紙面垂直方向がガラス基板の搬送方向とな
る断面図であり、電子銃やコイル、電子ビームは示され
ていない。これに対して図４は紙面方向を搬送方向とす
るものである。

【００３３】本実施形態に係る蒸着装置２１は、主要構
成部として、電子ビーム２９を照射する電子銃２６、電
子ビーム２９を集束及び偏向するための磁力を発生する
集束コイル２７及び偏向コイル２８（以上図４参照）、
ペレット状の酸化マグネシウムからなる蒸着原料３１を
収容すると共に温度センサ３４が内部に設置されるリン
グ状のハース３０、更に温度センサ３４からの信号によ
って集束コイル２７及び偏向コイル２８を制御する制御
装置３５を備えている。

【００３４】尚、本実施形態では、より均一な成膜を行
なうために、ガラス基板２２の搬送方向に直交する方
向、即ちガラス基板２２の長手方向に併設されるよう一
対のハース３０を設置している。これら主要構成部の上
方には、ＰＤＰの表示画面となるガラス基板２２が、表
示電極及び誘電体層を形成された状態で搬送される搬送
路が備えられており、矢印の方向（図３では手前方向）
に一定速度で搬送されるガラス基板２２の下表面に酸化
マグネシウム膜が被着される構造となっている。

【００３５】ガラス基板２２は、マスク２３によって蒸
着領域を画定された状態で、キャリア２４によって搬送
される。マスク２３とキャリア２４とは枠状とされてお
り、ガラス基板２２を保持した状態で搬送ローラ２５上
を移動する。また、装置内には不要な部分に膜が被着す
ることを防ぐために防着板３３が設置されている。そし
てハース３０に対向するガラス基板２２の僅かに上方に
は、複数の膜厚センサ３６が設置され、ガラス基板２２
の非通過時に蒸着がなされることで蒸着レートの検出を
可能としている。

【００３６】この検出結果は、平均値を算出するための
演算装置３８に送られて、演算結果に基づいて、電子銃
２６の制御が行なわれることになる。更に、搬送路内に
は、ガラス基板２２を加熱するためのヒータ３７が備え
られている。このような蒸着装置２１において、電子銃
２６より照射される電子ビーム２９は、集束コイル２７
及び偏向コイル２８により、その太さや進行方向等を制
御され、ハース３０に収容される蒸着原料３１の表面に
入射する。

【００３７】本実施例においては、上述したように一対
のハース３０が併設される構成になっており、１ヶ所の
電子銃２６から両方のハース３０の蒸着原料３１に電子
ビーム２９を照射する必要があるため、２段の偏向コイ
ル２８を備えている。即ち、水平方向に偏向させるため
のコイルと垂直方向に偏向させるためのコイルをそれぞ
れ有している。

【００３８】ここで、本実施形態に係るハース３０を図
５を参照して詳細に説明する。ハース３０は、図５に示
すように、リング形状をしており、同様にリング形状の
収容部に蒸着原料３１が収容されると共に、電子ビーム
２９が入射される部分には、温度センサ３４が設置され
ている。また、図示していないが、ハース３０には第１
の実施形態と同様、酸化マグネシウムペレットを補充す
るための供給路及び冷却手段が設けられている。

【００３９】電子銃２６から照射される電子ビーム２９
は、図５からわかるように、リング状の蒸着原料３１の
２ヶ所に入射されるため、温度センサ３４はこれに対応
して設けられている。以上の如き構造のハース３０は、
図５に矢印で示すように、回転可能となっており、回転
状態において電子ビーム２９を入射することにより、蒸
着原料３１の一点が集中的に蒸発することを防止してい
る。つまり、ハース３０が回転することにより、蒸着原
料３１に対して円周状に電子ビーム２９が入射されるこ
とになる。

【００４０】本実施形態では、一個のハース３０に対し
て２ヶ所に電子ビーム２９を入射しているが、各電子ビ
ーム２９を蒸着原料３１のそれぞれ異なる円周状に位置
させることによっても、蒸発領域を分散させている。
尚、電子ビーム２９は、図４に示す偏向コイル２８によ
る磁力を調整することによって、蒸着材料３１の２ヶ所
へ高速で振られている。また、ハース３０の回転速度
は、蒸着原料３１の電子ビーム２９による温度上昇効率
を考慮して、低速にしている。

【００４１】ハース３０内の温度センサ３４の設置部
は、円周状に空洞とされており、ハース３０が回転する
も、温度センサ３４は固定されており、電子ビーム２９
の入射部付近に位置する。また、ハース３０に設置され
る一対の温度センサ３４は、第１の実施形態と同様、複
数の個別検出領域に熱電対を備える構成で、所定領域内
の温度分布を検出することにより、それぞれの電子ビー
ム２９の入射位置及び入射範囲を検出している。この検
出結果に基づいて電子ビーム２９の入射位置及び範囲を
認識している。

【００４２】電子ビーム２９が所定の位置或いは範囲に
入射されていない場合には、第１の実施形態と同様、制
御装置３５（図３参照）により、集束コイル２７や偏向
コイル２８を制御して、所定の入射位置及び範囲を維持
する構成としている。以上のように、リング状のハース
３０を用いるものにおいて、蒸着原料３１に対する電子
ビーム２９の入射位置や入射範囲を監視し、常に所定の
位置及び範囲となるように制御していることから、蒸着
原料３１の蒸発位置や蒸発量が変化することがなく、ガ
ラス基板２への薄膜の形成が安定したものとなる。

【００４３】更に、本実施例においては、図３及び図４
に示すように、膜厚センサ１６をガラス基板２２の僅か
上方に複数個設置して、これら複数の膜厚センサ１６に
より単位時間当たりの蒸着レートを検出している。つま
り、ガラス基板２２における蒸着条件とほぼ同様な条件
となる位置に設置される複数の膜厚センサ１６により、
まず個別領域の蒸着レートを検出して、演算装置３８に
よりこれらの平均値を算出することで、所定領域におけ
る蒸着レートを精度良く認識することを可能としてい
る。

【００４４】以上の如く検出する蒸着レートに基づい
て、電子銃２６に流す電流を制御し、電子ビーム２９の
強度を設定する。このように正確な情報を基に電子銃２
６を制御していることから、所望の蒸着レートを確実に
得ることができる。尚、膜厚センサ３６は、ガラス基板
２２の上方に設置されていることから、膜厚センサ３６
に蒸着されるのはガラス基板２２がハース３０上に存在
しない時であるが、膜厚センサ３６は第１の実施形態同
様、僅かな振動係数の変化を認識できる水晶振動子を使
用しているため、上記タイミングでの蒸着により十分な
検出が可能である。

【００４５】次に本発明の第３の実施形態を説明する。
図６は、本発明の第３実施形態を説明するための蒸着装
置断面図である。本実施形態は、前述した第１、第２の
実施形態に対して、温度センサの構成を変更したもので
ある。本実施形態の蒸着装置４１は、第１、第２実施形
態と同様、内部を真空状態とすることのできる密閉筐体
により覆われてなるものであり、主要構成部として、電
子ビーム４９を照射する電子銃４６、電子ビーム４９を
集束及び偏向するための磁力を発生する集束コイル４７
及び偏向コイル４８、蒸着原料（酸化マグネシウム）５
１を収容するハース５０を備えている。

【００４６】これら主要構成部の上方には、ＰＤＰの表
示画面となるガラス基板４２が表示電極及び誘電体層を
形成された状態で搬送される搬送路が備えられており、
矢印の方向に一定速度で搬送されるガラス基板４２の下
表面に酸化マグネシウム膜が被着される構造となってい
る。ガラス基板４２は、枠状のマスク４３によって蒸着
領域を画定され、やはり枠状のキャリア４４によって保
持された状態で搬送ローラ４５上を搬送されるものであ
る。

【００４７】更に、装置内には不要な部分への膜の被着
を防止するための防着板５３が設けられ、防着板５３の
下方で膜が被着される位置には膜厚センサ５６を設置し
ている。この膜厚センサ５６は、電子銃６に接続され、
検出結果に基づく信号により電子銃５６を制御してい
る。本実施形態における温度センサ５４は、ハース５０
内の蒸着原料５１から放出される赤外線を感知すること
で、蒸着原料５１の温度分布を検出する赤外線温度セン
サであり、ハース５０に対向するガラス基板４２上に設
置されている。

【００４８】蒸着原料５１は、その表面から温度に応じ
た波長の赤外線を放出しており、この赤外線を感知する
ことで、蒸着原料５１の温度分布は検出できる。このよ
うに蒸着原料５１の温度分布の検出を行なうことによ
り、電子ビーム４９の入射位置及び入射範囲を認識する
ことが可能である。赤外線はガラス基板４２を透過する
ため、本実施形態ではハース５０の対向部であるガラス
基板４２の上方に赤外線温度センサ５４を設置すること
で、確実な赤外線検出を行なっている。

【００４９】温度センサ５４の検出結果は、集束コイル
４７及び偏向コイル４８を制御するための制御装置５５
に伝えられて、電子ビーム４９に所望の磁力を与えてい
る。即ち、温度センサ５４の検出結果により、電子ビー
ム４９が設定位置及び範囲を外れている場合には、磁力
を変更することにより、所望の位置及び範囲となるよう
に電子ビーム４９の調整を行なって、安定した蒸着を実
施する。

【００５０】尚、搬送路内には、第１、第２の実施形態
同様、蒸着される金属酸化膜を緻密にするためにガラス
基板４２を加熱するヒータ５７が設けられている。以上
説明した本発明の実施形態は、何れもＰＤＰのガラス基
板に対する酸化マグネシウム膜の形成を例にしたが、本
発明は、大面積の被処理体に対して安定した蒸着処理を
連続的に行なうことを目的とするものであり、蒸着材料
や被処理体は実施形態に限定されるものではない。

【００５１】

【発明の効果】以上説明した本発明の蒸着方法及び蒸着
装置によれば、電子ビームを照射する電子銃の状態が変
化する場合においても、蒸着原料に対する電子ビームの
照射強度や照射位置を一定にすることにより、被処理体
に対して均一な薄膜層を安定して形成することが可能で
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態を説明するための蒸着
装置断面図である。

【図２】本発明の第１の実施形態に係る温度センサを説
明するための図である。

【図３】本発明の第２の実施形態を説明するための蒸着
装置断面図である。

【図４】本発明の第２の実施形態を説明するための蒸着
装置上面図である。

【図５】本発明の第２の実施形態に係るハース構造を示
す斜視図である。

【図６】本発明の第３の実施形態を説明するための蒸着
装置断面図である。

【図７】従来技術を説明するための断面図である。

【図８】プラズマディスプレイパネルの構造を示す断面
図である。

【符号の説明】

１，２１，４１ 蒸着装置 ２，２２，４２ ガラス基板 ６，２６，４６ 電子銃 ７，２７，４７ 集束コイル ８，２８，４８ 偏向コイル ９，２９，４９ 電子ビーム １０，３０，５０ ハース １１，２１，４１ 蒸着原料 １４，３４，５４ 温度センサ １６，３６，５６ 膜厚センサ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 蒸着原料に電子ビームを照射することで
   該蒸着原料を蒸発させ、その蒸気を被処理体表面に被着
   させて成膜を行なう蒸着方法において、 前記蒸着原料における前記電子ビームの照射位置及び照
   射範囲を検出し、 照射位置と照射範囲の検出結果に基づいて電子ビームに
   与える磁力を制御することで、蒸着原料に対して常に一
   定の位置及び範囲に電子ビームを照射することを特徴と
   する蒸着方法。
2. 【請求項２】 前記蒸着原料における電子ビームの照射
   位置及び照射範囲の検出は、前記蒸着原料の温度分布を
   検出することで行なうことを特徴とする請求項１記載の
   蒸着方法。
3. 【請求項３】 前記蒸着原料の温度分布は、蒸着原料を
   収容するハースの温度により間接的に検出することを特
   徴とする請求項２記載の蒸着方法。
4. 【請求項４】 前記蒸着原料の温度分布は、蒸着原料か
   ら発生する赤外線により検出することを特徴とする請求
   項２記載の蒸着方法。
5. 【請求項５】 前記被処理体へ成膜レートを検出し、そ
   の検出結果に基づいて電子ビームの強度を制御すること
   を特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の蒸着方
   法。
6. 【請求項６】 蒸着原料に電子ビームを照射することで
   該蒸着原料を蒸発させ、その蒸気を被処理体表面に被着
   させて成膜を行なう蒸着装置において、 前記蒸着原料における温度分布を検出するための温度セ
   ンサと、 該温度センサによる温度分布の検出結果に基づいて、前
   記電子ビームに印加する磁力を制御する制御装置と、 を備えることを特徴とする蒸着装置。
7. 【請求項７】 前記温度センサは、前記蒸着原料を収容
   するハース内に設置され、個別領域毎の温度検出を行な
   う複数の熱電対温度センサであることを特徴とする請求
   項６記載の蒸着装置。
8. 【請求項８】 前記温度センサは、前記蒸着原料の対向
   部に設置され、該蒸着材料から放出される赤外線を感知
   する赤外線温度センサであることを特徴とする請求項６
   記載の蒸着装置。