JPH11320141A - Electro conductive film processing device - Google Patents
Electro conductive film processing deviceInfo
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- JPH11320141A JPH11320141A JP11035071A JP3507199A JPH11320141A JP H11320141 A JPH11320141 A JP H11320141A JP 11035071 A JP11035071 A JP 11035071A JP 3507199 A JP3507199 A JP 3507199A JP H11320141 A JPH11320141 A JP H11320141A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、タッチパネル、液
晶パネル等のように絶縁性基板の表面に電極パターンを
するために絶縁性基板上に形成した導電性膜の一部を除
去する導電性膜の加工装置に関するものである。The present invention relates to a conductive film for removing a part of a conductive film formed on an insulating substrate for forming an electrode pattern on the surface of the insulating substrate such as a touch panel or a liquid crystal panel. Related to a processing apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、種々の電子機器に利用者が情報を
入力する手段としてタッチパネルが用いられている。ま
た、電子機器の表示手段としては液晶パネルが用いられ
ている。このようなタッチパネル及び液晶パネルは、透
明の導電性膜からなる透明電極が表面に形成された1組
の絶縁性基板を、該透明電極が対向するように張り合わ
せた構造になっている。また、タッチパネルの場合は、
上記透明電極が通常状態で接触しないように上記1組の
基板を所定の高さ(例えば9乃至12μm)のスペーサ
を介して対向させている。2. Description of the Related Art Conventionally, a touch panel has been used as a means for a user to input information to various electronic devices. In addition, a liquid crystal panel is used as a display unit of the electronic device. Such a touch panel and a liquid crystal panel have a structure in which a pair of insulating substrates each having a transparent electrode made of a transparent conductive film formed on a surface thereof are bonded so that the transparent electrodes face each other. In the case of a touch panel,
The set of substrates is opposed to each other via a spacer having a predetermined height (for example, 9 to 12 μm) so that the transparent electrodes do not contact in a normal state.
【0003】上記絶縁性基板の表面に形成される各透明
電極は、互いに接触しないようにスリット状の間隙で分
離して形成されている。従来、この絶縁基板上の透明電
極は、エッチング処理を含むフォトリソグラフィ法によ
って主に形成されていた。このフォトリソグラフィ法
は、絶縁性基板の全面に導電性膜を真空蒸着等によって
形成し、該導電性膜上にレジストパターンを形成した
後、該導電性膜の露出した部分をエッチング液で溶かし
て除去するものである。The transparent electrodes formed on the surface of the insulating substrate are separated by slit-shaped gaps so as not to contact each other. Conventionally, the transparent electrode on the insulating substrate has been mainly formed by a photolithography method including an etching process. In this photolithography method, a conductive film is formed on the entire surface of an insulating substrate by vacuum evaporation or the like, a resist pattern is formed on the conductive film, and then the exposed portion of the conductive film is dissolved with an etchant. It is to be removed.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記フォト
リソグラフィ法を用いる場合、フォトレジストの現像液
やエッチング液等の廃液が発生するため、環境保全の観
点からあまり好ましくない。また、透明電極のパターン
形状を変える場合は、フォトリソグラフィ用のマスクを
新規に作成しなければならないため、加工効率が悪く、
他品種少量生産への対応及び低コスト化が難しかった。
特に、ハイブリッド方式のタッチパネルのように絶縁性
基板上の導電性膜に数本のスリットを形成するような場
合でも、数百本のスリットを形成するディジタル方式の
タッチパネルの場合と同じフォトリソグラフィ工程が必
要になってくるため、加工部分が少ないにもかかわらず
廃液の低減及び低コスト化を図ることが難しかった。However, when the above-described photolithography method is used, a waste liquid such as a developing solution or an etching solution for the photoresist is generated, which is not preferable from the viewpoint of environmental protection. Also, when changing the pattern shape of the transparent electrode, a new mask for photolithography must be created, resulting in poor processing efficiency.
It was difficult to cope with low-volume production of other products and to reduce costs.
In particular, even when a few slits are formed in a conductive film on an insulating substrate such as a hybrid touch panel, the same photolithography process as in a digital touch panel that forms several hundred slits is performed. Since it becomes necessary, it is difficult to reduce the waste liquid and reduce the cost even though the number of processed parts is small.
【0005】そこで、上記エッチング処理を含むフォト
リソグラフィ法を用いた場合のような廃液処理の必要が
なく、低コストで他品種少量生産に好適な導電性膜の加
工方法及び装置として、エネルギービームとしてのレー
ザ光を照射するものが考えられる。このレーザ照射によ
る導電性膜の加工について、本発明者が鋭意実験等を行
ったところ、レーザ光の断面におけるエネルギー分布に
起因して、加工後のスリットの幅が不規則になって波打
った形状になったり、導電性膜の一部が残留したり、レ
ーザ光の中央に対応する位置で絶縁性基板が深く掘れて
しまったりする等の不具合が発生する場合がわかった。Therefore, there is no need for waste liquid treatment as in the case of using the photolithography method including the above-mentioned etching treatment. Irradiation of the laser beam is considered. The inventor of the present invention has conducted intensive experiments and the like on the processing of the conductive film by the laser irradiation. As a result of the energy distribution in the cross section of the laser beam, the width of the slit after processing was irregular and wavy. It has been found that problems such as a shape, a part of the conductive film remaining, and a problem that the insulating substrate is dug deep at a position corresponding to the center of the laser beam.
【0006】なお、上記加工寸法のばらつき、導電性膜
の一部の残留、絶縁性基板の損傷等等の不具合は、上記
レーザ光を照射して加工する場合だけでなく、レーザビ
ーム以外の光ビーム、X線ビーム、荷電粒子ビーム等の
他のエネルギービームを照射して加工する場合にも発生
し得るものである。Problems such as the above-mentioned variations in processing dimensions, partial residue of the conductive film, damage to the insulating substrate, and the like are caused not only when processing is performed by irradiating the laser beam, but also when light other than the laser beam is used. This can also occur when processing is performed by irradiating another energy beam such as a beam, an X-ray beam, or a charged particle beam.
【0007】本発明は以上の問題点に鑑みなされたもの
であり、その目的は、エッチング処理を含むフォトリソ
グラフィ法を用いた場合のような廃液処理の必要がな
く、低コストで他品種少量生産に好適な導電性膜の加工
方法及び装置であって、加工寸法のばらつき、導電性膜
の一部の残留、絶縁性基板の損傷等が少ない導電性膜の
加工方法及び装置を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to eliminate the need for waste liquid treatment as in the case of using a photolithography method including an etching treatment, to produce low-cost, low-mix production of other products. A method and apparatus for processing a conductive film, which is suitable for processing a conductive film with less variation in processing dimensions, partial residue of the conductive film, damage to an insulating substrate, and the like. is there.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1の発明は、絶縁性基板の表面に形成した導
電性膜の一部を除去する導電性膜の加工装置であって、
エネルギービームを出射するエネルギービーム源と、該
エネルギービーム源からのエネルギービームの断面にお
けるエネルギー分布を均一にするとともに、該エネルギ
ービームを該絶縁性基板上の導電性膜に選択的に照射す
るビーム照射手段と、該絶縁性基板を保持する基板保持
手段と、該絶縁性基板と該基板に照射するエネルギービ
ームとを相対移動させるように、該基板保持手段及び上
記ビーム照射手段の少なくとも一方を駆動制御する制御
手段とを設けたことを特徴とするものである。According to one aspect of the present invention, there is provided a conductive film processing apparatus for removing a part of a conductive film formed on a surface of an insulating substrate. ,
An energy beam source that emits an energy beam, and a beam irradiation that uniformly irradiates an energy distribution in a cross section of the energy beam from the energy beam source and selectively irradiates the conductive film on the insulating substrate with the energy beam Means, substrate holding means for holding the insulating substrate, and drive control of at least one of the substrate holding means and the beam irradiating means so as to relatively move the insulating substrate and the energy beam irradiating the substrate. And control means for performing the control.
【0009】この請求項1の導電性膜の加工装置では、
上記絶縁性基板が保持された基板保持手段及び上記ビー
ム照射手段の少なくとも一方を制御手段で駆動制御し、
該絶縁性基板と該基板に照射するエネルギービームとを
相対移動させる。これにより、上記エネルギービーム源
からのエネルギービームが該絶縁性基板の導電性膜上を
相対的に移動しながら、該導電性膜に選択的に照射さ
れ、該導電性膜の一部が除去される。ここで、上記ビー
ム照射手段によるエネルギービームの照射位置を変える
ことにより、絶縁性基板上の導電性膜の除去部分を変更
することができる。そして、上記ビーム照射手段で導電
性膜に照射するエネルギービームの断面におけるエネル
ギー分布を均一にしているので、加工寸法のばらつき、
導電性膜の一部の残留、絶縁性基板の損傷等を少なくす
ることができる。In the apparatus for processing a conductive film according to the first aspect,
At least one of the substrate holding unit and the beam irradiation unit holding the insulating substrate is drive-controlled by the control unit,
The insulating substrate and the energy beam applied to the substrate are relatively moved. Thereby, the energy beam from the energy beam source is selectively irradiated to the conductive film while relatively moving on the conductive film of the insulating substrate, and a part of the conductive film is removed. You. Here, by changing the irradiation position of the energy beam by the beam irradiation means, the removed portion of the conductive film on the insulating substrate can be changed. And since the energy distribution in the cross section of the energy beam irradiating the conductive film by the beam irradiating means is made uniform, variations in processing dimensions,
Partial residue of the conductive film, damage to the insulating substrate, and the like can be reduced.
【0010】請求項2の発明は、請求項1の導電性膜の
加工装置において、上記エネルギービームの照射経路を
固定するとともに、上記絶縁性基板を上記エネルギービ
ームの照射方向と交差する方向に移動させるように上記
基板保持手段を駆動制御することを特徴とするものであ
る。According to a second aspect of the present invention, in the conductive film processing apparatus of the first aspect, the irradiation path of the energy beam is fixed, and the insulating substrate is moved in a direction intersecting the irradiation direction of the energy beam. The driving of the substrate holding means is controlled so as to perform the driving.
【0011】この請求項2の導電性膜の加工装置では、
上記エネルギービームの照射経路を固定した状態で、上
記基板保持手段を駆動制御することにより、該基板保持
手段で保持された絶縁性基板を該エネルギービームの照
射方向と交差する方向に移動させる。これにより、該エ
ネルギービームが該絶縁性基板の導電性膜上を相対的に
移動し、該導電性膜の該エネルギービームが照射された
部分が選択的に除去される。In the apparatus for processing a conductive film according to the second aspect,
While the irradiation path of the energy beam is fixed, by controlling the driving of the substrate holding means, the insulating substrate held by the substrate holding means is moved in a direction intersecting the irradiation direction of the energy beam. Accordingly, the energy beam relatively moves on the conductive film of the insulating substrate, and a portion of the conductive film irradiated with the energy beam is selectively removed.
【0012】請求項3の発明は、請求項1の導電性膜の
加工装置において、上記絶縁性基板の位置を固定すると
ともに、上記エネルギービームの照射位置を該エネルギ
ービームの照射方向と交差する方向に移動させるように
上記ビーム照射手段を駆動制御することを特徴とするも
のである。According to a third aspect of the present invention, in the apparatus for processing a conductive film according to the first aspect, the position of the insulating substrate is fixed, and the irradiation position of the energy beam intersects the irradiation direction of the energy beam. The beam irradiation means is driven and controlled so as to move the beam irradiation means.
【0013】この請求項3の導電性膜の加工装置では、
上記絶縁性基板の位置を固定した状態で、上記ビーム照
射手段を駆動制御することにより、上記エネルギービー
ムの照射位置を該エネルギービームの照射方向と交差す
る方向に移動させる。これにより、該エネルギービーム
が該絶縁性基板の導電性膜上を相対的に移動し、該導電
性膜の該エネルギービームが照射された部分が選択的に
除去される。In the apparatus for processing a conductive film according to the third aspect,
By driving and controlling the beam irradiating means while the position of the insulating substrate is fixed, the irradiation position of the energy beam is moved in a direction crossing the irradiation direction of the energy beam. Accordingly, the energy beam relatively moves on the conductive film of the insulating substrate, and a portion of the conductive film irradiated with the energy beam is selectively removed.
【0014】請求項4の発明は、請求項1、2又は3の
導電性膜の加工装置において、上記エネルギービーム源
として、上記エネルギービームであるレーザ光を出射す
る光源を用い、上記ビーム照射手段として、該光源から
のレーザ光の断面におけるエネルギー分布を均一にする
とともに、該レーザ光を該絶縁性基板上の導電性膜に選
択的に照射する光学系を用いたことを特徴とするもので
ある。According to a fourth aspect of the present invention, in the apparatus for processing a conductive film according to the first, second or third aspect, a light source for emitting a laser beam as the energy beam is used as the energy beam source, and the beam irradiation means is used. An optical system for making the energy distribution in the cross section of the laser light from the light source uniform and selectively irradiating the conductive film on the insulating substrate with the laser light is used. is there.
【0015】この請求項4の導電性膜の加工装置では、
光源からのレーザ光を、上記光学系で絶縁性基板上の導
電性膜に選択的に照射することにより、該導電性膜の一
部が除去される。ここで、上記光学系によるレーザ光の
照射位置を変えることにより、該絶縁性基板上の導電性
膜の除去部分を変更することができる。そして、上記光
学系で導電性膜に照射するレーザ光の断面におけるエネ
ルギー分布を均一にしているので、加工寸法のばらつ
き、導電性膜の一部の残留、絶縁性基板の損傷等を少な
くすることができる。In the apparatus for processing a conductive film according to a fourth aspect,
A portion of the conductive film is removed by selectively irradiating the conductive film on the insulating substrate with the laser light from the light source using the optical system. Here, by changing the irradiation position of the laser beam by the optical system, the removed portion of the conductive film on the insulating substrate can be changed. In addition, since the energy distribution in the cross section of the laser light applied to the conductive film is made uniform by the above-described optical system, variations in processing dimensions, partial residue of the conductive film, damage to the insulating substrate, and the like can be reduced. Can be.
【0016】請求項5の発明は、請求項4の導電性膜の
加工装置において、上記レーザ光の断面におけるエネル
ギー分布を均一にする光学系として、上記光源から出射
したレーザ光を内部の光伝送路での屈折や反射によって
エネルギー分布を均一化しながら上記絶縁性基板上の導
電性膜の近傍までガイドする光ファイバを用いたことを
特徴とするものである。According to a fifth aspect of the present invention, in the conductive film processing apparatus of the fourth aspect, the laser light emitted from the light source is internally transmitted as an optical system for making the energy distribution in the cross section of the laser light uniform. An optical fiber is used which guides to the vicinity of the conductive film on the insulating substrate while making the energy distribution uniform by refraction or reflection at the path.
【0017】この請求項5の導電性膜の加工装置は、上
記光源から出射したレーザ光が絶縁性基板上の導電性膜
の近傍まで光ファイバでガイドされる。このレーザ光の
ガイドの際に、該光ファイバに互いに異なる角度で入射
した光が該光ファイバ内部の光伝送路で多重に屈折され
たり反射されたりすることにより、該光ファイバから出
射する光ビームの断面におけるエネルギー密度が均一に
なる。このエネルギー分布が均一になって光ファイバか
ら出射したレーザ光は、絶縁性基板の導電性膜上に照射
され、該導電性膜が加工される。In the conductive film processing apparatus according to the fifth aspect, the laser light emitted from the light source is guided by the optical fiber to the vicinity of the conductive film on the insulating substrate. When the laser light is guided, light incident on the optical fiber at different angles is refracted or reflected in multiple by an optical transmission line inside the optical fiber, so that a light beam emitted from the optical fiber is emitted. Has a uniform energy density in the cross section. The laser light emitted from the optical fiber after the energy distribution becomes uniform is irradiated onto the conductive film on the insulating substrate, and the conductive film is processed.
【0018】請求項6の発明は、請求項5の導電性膜の
加工装置において、上記光ファイバとして、軸芯部にコ
アを有するステップインデックス型の光ファイバを用い
たことを特徴とするものである。According to a sixth aspect of the present invention, in the apparatus for processing a conductive film according to the fifth aspect, a step index type optical fiber having a core in a shaft core is used as the optical fiber. is there.
【0019】この請求項6の導電性膜の加工装置では、
光源から出射したレーザ光が光ファイバでガイドされる
とき、該レーザ光の互いに異なる角度で入射した光が該
光ファイバ内部のコアで多重に反射されることにより、
該光ファイバから出射するレーザ光の断面におけるエネ
ルギー密度が均一になる。In the apparatus for processing a conductive film according to claim 6,
When the laser light emitted from the light source is guided by the optical fiber, the light incident at different angles of the laser light is reflected multiplely by the core inside the optical fiber,
The energy density in the cross section of the laser light emitted from the optical fiber becomes uniform.
【0020】請求項7の発明は、請求項5又は6の導電
性膜の加工装置において、上記光ファイバから出射した
レーザ光を上記導電性膜上に集光する光学素子を設けた
ことを特徴とするものである。According to a seventh aspect of the present invention, in the conductive film processing apparatus of the fifth or sixth aspect, an optical element for condensing the laser light emitted from the optical fiber on the conductive film is provided. It is assumed that.
【0021】この請求項7の導電性膜の加工装置では、
上記光ファイバから出射したレーザ光を上記光学素子で
上記導電性膜上に集光することにより、該導電性膜上に
照射されるレーザ光の照射面積を小さくすることができ
るので、該レーザ光のエネルギー密度が高まるととも
に、寸法の小さな加工パターンまで加工できる。In the apparatus for processing a conductive film according to claim 7,
By condensing the laser light emitted from the optical fiber on the conductive film by the optical element, the irradiation area of the laser light irradiated on the conductive film can be reduced. As the energy density increases, it is possible to process even small-sized processing patterns.
【0022】請求項8の発明は、請求項1、2、3、
4、5、6又は7の導電性膜の加工装置において、上記
エネルギービームの照射により、透明の絶縁性基板上の
透明の導電性膜にスリットを形成することを特徴とする
ものである。The invention according to claim 8 is based on claims 1, 2, 3,
In the apparatus for processing a conductive film according to any one of 4, 5, 6, and 7, a slit is formed in the transparent conductive film on the transparent insulating substrate by the irradiation of the energy beam.
【0023】この請求項8の導電性膜の加工装置では、
上記エネルギービームの照射により、透明の絶縁性基板
上の透明の導電性膜にスリットを形成するので、エッチ
ング処理を含むフォトリソグラフィ法を用いた場合のよ
うな廃液処理を伴うことなく、透明電極を有するタッチ
パネルや液晶パネル等を低コストで他品種少量生産する
ことができる。そして、上記導電性膜に照射するエネル
ギービームの断面におけるエネルギー分布を均一にして
いるので、該導電性膜に形成するスリットの幅のばらつ
き、該スリットにおける導電性膜の一部の残留、該スリ
ットにおける絶縁性基板の損傷等を少なくすることがで
きる。In the apparatus for processing a conductive film according to the eighth aspect,
By the irradiation of the energy beam, since a slit is formed in the transparent conductive film on the transparent insulating substrate, the transparent electrode can be formed without a waste liquid treatment such as when using a photolithography method including an etching treatment. Touch panels, liquid crystal panels, etc. can be produced at low cost in small quantities of other types. Since the energy distribution in the cross section of the energy beam applied to the conductive film is made uniform, the width of the slit formed in the conductive film varies, the remaining part of the conductive film in the slit, the slit In this case, damage to the insulating substrate can be reduced.
【0024】請求項9の発明は、導電性ペーストからな
る配線パターンを表面に形成する導電性膜を加工する請
求項1、2、3、4、5、6又は7の導電性膜の加工装
置であって、上記エネルギービームの照射により、該導
電性膜上の配線パターンの周囲に配線間絶縁用のスリッ
トを形成することを特徴とするものである。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided the apparatus for processing a conductive film for forming a wiring pattern made of a conductive paste on a surface thereof. And irradiating the energy beam to form a slit for wiring insulation around the wiring pattern on the conductive film.
【0025】この請求項9の導電性膜の加工装置では、
上記エネルギービームの照射により、導電性膜上の配線
パターンの周囲に配線間絶縁用のスリットを形成するの
で、エッチング処理を含むフォトリソグラフィ法を用い
た場合のような廃液処理を伴うことなく、外周部に配線
パターンを有するタッチパネルや液晶パネル等を低コス
トで他品種少量生産することができる。そして、上記エ
ネルギービームの断面におけるエネルギー分布を均一に
しているので、上記導電性膜に形成する配線間絶縁用の
スリットの幅のばらつき、該スリットにおける導電性膜
の一部の残留、該スリットにおける絶縁性基板の損傷等
を少なくすることができる。In the apparatus for processing a conductive film according to the ninth aspect,
By the above energy beam irradiation, a slit for inter-wiring insulation is formed around the wiring pattern on the conductive film, so that the outer periphery can be formed without waste liquid treatment as in the case of using a photolithography method including an etching treatment. A touch panel or a liquid crystal panel having a wiring pattern in a part can be produced at a low cost in a small quantity of other types. Further, since the energy distribution in the cross section of the energy beam is made uniform, the width of the slit for insulation between wirings formed in the conductive film varies, and a part of the conductive film remains in the slit. Damage to the insulating substrate can be reduced.
【0026】[0026]
【発明の実施の形態】以下、本発明を、ハイブリッド型
のタッチパネルにおける透明の絶縁基板上に導電性膜の
一部をスリット状に除去して透明電極を形成する導電性
膜の加工装置に適用した実施形態について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention is applied below to a conductive film processing apparatus for forming a transparent electrode by removing a part of a conductive film in a slit shape on a transparent insulating substrate in a hybrid type touch panel. An embodiment will be described.
【0027】図1(a)は、本発明の第2の実施形態に
係る加工装置の概略構成図である。図1(a)におい
て、Qスイッチ1aで制御されるエネルギービーム源
(光源)としてのYAGレーザ1から出射した近赤外レ
ーザ光(波長λ=1064nm)は、ビーム照射手段と
しての光学系を構成するステップインデックス型の光フ
ァイバ2によって、透明のプラスチック材(例えばPE
T、ポリカーボネート)からなる絶縁性基板3上の透明
材料(ITO)からなる導電性膜4の表面近傍までガイ
ドされる。この光ファイバ2の出口(光出射端)には、
図1(b)に示すように、光ファイバ2から出射したレ
ーザ光Lを導電性膜4上に集光する光学素子としての微
小レンズ20が一体的に取付けられている。この微小レ
ンズ20で集光されたレーザ光Lを導電性膜4に選択的
に照射して該導電性膜4を加熱し蒸発させることによ
り、該導電性膜4を部分的に剥離除去することができ
る。そして、上記レーザ光を集光して絶縁性基板3上の
導電性膜4に照射することにより、該導電性膜4上に照
射されるレーザ光の照射面積を小さくできるので、該レ
ーザ光のエネルギー密度を高めて加工効率を向上させる
ことができる。しかも、寸法の小さな加工パターンまで
加工できるため、加工パターンの微細化も可能となる。FIG. 1A is a schematic configuration diagram of a processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 1A, a near-infrared laser beam (wavelength λ = 1064 nm) emitted from a YAG laser 1 as an energy beam source (light source) controlled by a Q switch 1a constitutes an optical system as beam irradiation means. A transparent plastic material (for example, PE
(T, polycarbonate) is guided to the vicinity of the surface of the conductive film 4 made of a transparent material (ITO) on the insulating substrate 3 made of the same. At the exit (light emitting end) of the optical fiber 2,
As shown in FIG. 1B, a microlens 20 as an optical element for condensing the laser light L emitted from the optical fiber 2 on the conductive film 4 is integrally attached. By selectively irradiating the conductive film 4 with the laser light L condensed by the microlenses 20 and heating and evaporating the conductive film 4, the conductive film 4 is partially peeled and removed. Can be. Then, by condensing the laser light and irradiating the conductive film 4 on the insulating substrate 3, the irradiation area of the laser light irradiated on the conductive film 4 can be reduced. The processing efficiency can be improved by increasing the energy density. Moreover, since a processing pattern having a small size can be processed, the processing pattern can be miniaturized.
【0028】なお、上記微小レンズ20を取り付ける代
わりに、光ファイバ2のコア部の光出射端を凸レンズ状
に突出させて形成してもよい。この凸レンズ状に突出さ
せたコア部により、光ファイバ2から出射しようとする
レーザ光を集光して導電性膜4上に照射することができ
る。また、光ファイバ2の入り口側にも、YAGレーザ
1から出射した近赤外レーザ光を集光して光ファイバ2
のコア内に導入するための微小レンズを設けてもよい。Instead of attaching the microlens 20, the light emitting end of the core of the optical fiber 2 may be formed to project in a convex lens shape. The laser beam to be emitted from the optical fiber 2 can be condensed and radiated onto the conductive film 4 by the core portion protruding into a convex lens shape. Also, near-infrared laser light emitted from the YAG laser 1 is focused on the entrance side of the optical fiber
May be provided with a microlens for introduction into the core.
【0029】加工対象物である絶縁性基板3は、基板保
持手段としてのX−Yステージ5のリニアモータ5aで
駆動される載置台5b上に固定され、図中水平方向に2
次元的に移動可能となっている。YAGレーザ1及びX
−Yステージ5は、パーソナルコンピュータ6a、シー
ケンサ6b及び同期連動型運転用の制御回路基板6c等
からなる制御手段としての制御部6で制御される。例え
ば、制御部6はYAGレーザ1の駆動部を制御し、これ
によりレーザ光の繰り返し周期、パルス幅等が変更され
る。An insulating substrate 3 to be processed is fixed on a mounting table 5b driven by a linear motor 5a of an XY stage 5 as substrate holding means.
It can be moved dimensionally. YAG laser 1 and X
The -Y stage 5 is controlled by a control unit 6 as control means including a personal computer 6a, a sequencer 6b, and a control circuit board 6c for synchronously linked operation. For example, the control unit 6 controls the driving unit of the YAG laser 1, and thereby changes the repetition period, pulse width, and the like of the laser light.
【0030】また、上記制御部6により、YAGレーザ
1からのレーザ光の出力に応じてX−Yステージ5内の
リニアモータを駆動制御して絶縁性基板3を移動させた
り、載置台5bの移動状態に応じてYAGレーザ1から
のレーザ光の出力を変化させたりすることもできる。例
えば、載置台5bの移動開始および移動終了の際の加減
速時に、導電性膜4上のレーザ光のエネルギー密度を一
定にして均一な加工形状(テーパ形状)を形成できるよ
うにする等の目的のために、載置台6bの移動速度に応
じて繰り返し周期、パルス幅等をリアルタイムに変化さ
せるように制御する。この制御を行うことにより、従来
載置台6bの加速及び減速にそれぞれ100mm程度の
助走を必要として載置台5bの全体移動量が700mm
×700mmであるところ、上記制御を行うことにより
上記助走が不要となり全体移動量を500mm×500
mm程度まで短縮することができる。このように載置台
5bの移動量を短縮できることにより、従来のエッチン
グ加工と同等もしくはそれ以上の加工速度(例えば1基
板あたり35秒〜15秒程度)でスリット加工が可能と
なるとともに、寸法精度の向上を図り、焦げ付きや未加
工部分の発生を防止することができる。Further, the control unit 6 drives and controls the linear motor in the XY stage 5 in accordance with the output of the laser beam from the YAG laser 1 to move the insulating substrate 3 or to control the position of the mounting table 5b. The output of the laser light from the YAG laser 1 can be changed according to the moving state. For example, at the time of acceleration / deceleration at the start and end of the movement of the mounting table 5b, the energy density of the laser beam on the conductive film 4 is kept constant so that a uniform processing shape (taper shape) can be formed. For this purpose, control is performed such that the repetition period, pulse width, and the like are changed in real time according to the moving speed of the mounting table 6b. By performing this control, the acceleration of the mounting table 6b and the deceleration of the conventional mounting table 6b each require an approach of about 100 mm, and the total movement amount of the mounting table 5b is 700 mm
However, by performing the above control, the above-mentioned approach is not required, and the total movement amount is 500 mm × 500.
mm. Since the amount of movement of the mounting table 5b can be shortened in this manner, slit processing can be performed at a processing speed equal to or higher than the conventional etching processing (for example, about 35 seconds to 15 seconds per substrate), and dimensional accuracy can be reduced. It is possible to improve the performance and prevent the occurrence of scorching and unprocessed portions.
【0031】なお、上記X−Yステージ5に、載置台5
bの移動距離を検知するセンサを設け、このセンサの出
力に基づいて載置台5bをフィードバック制御するよう
に構成してもよい。The XY stage 5 has a mounting table 5
It is also possible to provide a sensor for detecting the moving distance of b, and to perform feedback control of the mounting table 5b based on the output of this sensor.
【0032】また、加工速度、載置台5bの加速度、加
工精度をより向上させるために、載置台5bは、発泡チ
タン、マグネジウム、酸化アルミナ系、アルミ合金系の
超軽量素材で形成することが好ましい。また、載置台5
bの内部に貫通孔を形成して軽量化を図ってもよい。こ
の貫通孔は、加工対象物がシート状のものである場合の
真空チャック用の気流経路を兼ねることもできる。In order to further improve the processing speed, the acceleration of the mounting table 5b, and the processing accuracy, the mounting table 5b is preferably formed of an ultralight material such as titanium foam, magnesium oxide, alumina oxide, or aluminum alloy. . The mounting table 5
A through hole may be formed inside b to reduce the weight. This through hole can also serve as an airflow path for a vacuum chuck when the object to be processed is a sheet-like object.
【0033】また、図2に示すように、絶縁性基板3の
少なくともレーザ光が照射される部分の下側に、載置台
5bの凹部5cを形成し、絶縁性基板3の下面と載置台
5bの上面との間の距離を長くするように構成すること
が好ましい。この構成により、絶縁性基板3を通過して
載置台5bの表面で反射された反射レーザ光が導電性膜
4にあたることによって該導電性膜4の加工に悪影響を
及ぼすことを抑制することができる。As shown in FIG. 2, a concave portion 5c of the mounting table 5b is formed at least below a portion of the insulating substrate 3 where the laser beam is irradiated, and the lower surface of the insulating substrate 3 and the mounting table 5b are formed. It is preferable that the distance between the upper surface and the upper surface is increased. With this configuration, it is possible to prevent the reflected laser light that has passed through the insulating substrate 3 and has been reflected on the surface of the mounting table 5b from hitting the conductive film 4, thereby adversely affecting the processing of the conductive film 4. .
【0034】図3は、本加工装置で加工するタッチパネ
ルの断面図である。また、図4(a)及び(b)はそれ
ぞれ、同タッチパネルの分解斜視図及び平面図である。
図3に示すようにタッチパネルは、各導電性膜4からな
る透明電極が通常状態で接触しないように1組の上下タ
ッチパネル基板7,8を所定の高さ(例えば9乃至12
μm)のスペーサ9を介して対向させた構造になってい
る。そして、このタッチパネルを図3中の上方から押圧
すると、上タッチパネル基板7が2点鎖線で示すように
変形し、上下パネル7,8の透明電極同士が接触する。
この接触による上下透明電極間の抵抗の変化から押圧さ
れたか否か及び押圧された位置を知ることができる。ま
た、このタッチパネルはアナログ方式とデジタル方式と
を組み合わせたハイブリッド型であり、図4に示すよう
に上下タッチパネル基板7,8のそれぞれに、互いに直
交するスリット7a,8aが各導電性膜に形成されてい
る。FIG. 3 is a sectional view of a touch panel processed by the present processing apparatus. FIGS. 4A and 4B are an exploded perspective view and a plan view of the same touch panel, respectively.
As shown in FIG. 3, in the touch panel, a pair of upper and lower touch panel substrates 7 and 8 are placed at a predetermined height (for example, 9 to 12) so that the transparent electrodes made of the conductive films 4 do not come into contact with each other in a normal state.
.mu.m). Then, when this touch panel is pressed from above in FIG. 3, the upper touch panel substrate 7 is deformed as shown by a two-dot chain line, and the transparent electrodes of the upper and lower panels 7 and 8 come into contact with each other.
From the change in resistance between the upper and lower transparent electrodes due to this contact, it is possible to know whether or not the pressing has been performed and the pressed position. The touch panel is a hybrid type combining an analog type and a digital type. As shown in FIG. 4, slits 7a, 8a orthogonal to each other are formed in the upper and lower touch panel substrates 7, 8, respectively, in each conductive film. ing.
【0035】本実施形態に係る加工装置は、上記図4に
示す導電性膜4のスリットを形成するものである。真空
蒸着、イオンプレーティング、スパッタリング等によっ
て表面に導電性膜4(厚さ=約500オングストロー
ム)が形成された絶縁性基板3は、導電性膜4側の上方
に向けてX−Yステージ5上にセットされる。そして、
レーザ光Lを所定のスポット径に絞って絶縁性基板3上
の導電性膜4に照射しながら、X−Yステージ5で一方
向に移動させることにより、幅500乃至1000μm
程度で導電性膜4をレーザ光の加熱で蒸発させて除去
し、各電極領域を絶縁するスリットを形成している。The processing apparatus according to this embodiment forms the slits of the conductive film 4 shown in FIG. The insulating substrate 3 having the conductive film 4 (thickness = about 500 Å) formed on the surface thereof by vacuum deposition, ion plating, sputtering, or the like, is placed on the XY stage 5 toward the upper side of the conductive film 4. Is set to And
The laser beam L is moved to one direction by the XY stage 5 while irradiating the conductive film 4 on the insulating substrate 3 with the laser beam L being focused to a predetermined spot diameter, so that the width is 500 to 1000 μm.
To this extent, the conductive film 4 is removed by being evaporated by heating with a laser beam, and a slit for insulating each electrode region is formed.
【0036】ここで、上記YAGレーザ1から出射され
るレーザ光Lの断面におけるエネルギー分布は、図5
(a)に示すように中央が1番強い山型のプロファイル
をしている。図5(a)中の符号Eoで示すレベルは、
レーザ光による導電性膜4の除去加工のしきい値を示し
ている。このようなプロファイルのエネルギー分布を有
するレーザ光をそのまま照射して上記絶縁性基板3上の
導電性膜4の除去加工を行ったところ、図5(b)及び
(c)に示すようにスリット10の幅が一定ではなく、
波打った形状になった。そのため、湿気によるリークや
導電性異物102の付着によるリークが発生しやすく、
スリット10の波打ったエッジが目立ちやすく透明電極
の視認性の点で好ましくなかった。また、スリット10
の幅の制御が難しく、導電性膜の一部が残留した加工残
り101も発生しやすかった。この加工残り101によ
っても視認性が高くなってしまう。更に、図5(b)に
示すようにレーザ光Lの中央に対応する位置で絶縁性基
板3が深く掘れてしまったり、加工部が焦げて着色され
ることによりスリットの視認性が上がってしまったりす
るという不具合もあった。Here, the energy distribution in the cross section of the laser beam L emitted from the YAG laser 1 is shown in FIG.
As shown in (a), the center has the strongest mountain-shaped profile. The level indicated by reference sign Eo in FIG.
It shows the threshold value for the removal processing of the conductive film 4 by laser light. When the conductive film 4 on the insulating substrate 3 was removed by irradiating a laser beam having the energy distribution of such a profile as it was, a slit 10 was formed as shown in FIGS. 5B and 5C. Is not constant,
It became wavy. Therefore, leakage due to moisture or leakage due to adhesion of the conductive foreign matter 102 is likely to occur,
The wavy edge of the slit 10 is notable in that the transparent electrode is easily visible. In addition, slit 10
It is difficult to control the width of the conductive film, and the processing residue 101 in which a part of the conductive film remains is easily generated. The visibility is also increased by the unprocessed portion 101. Further, as shown in FIG. 5B, the insulating substrate 3 is dug deep at a position corresponding to the center of the laser beam L, or the processed portion is scorched and colored, thereby increasing the visibility of the slit. There was also a problem of rolling.
【0037】そこで、上記レーザ光のエネルギー分布に
起因する各種問題を解決すべく、本実施形態では、光源
1からのレーザ光を導電性膜4まで導く光学系として、
レーザ光Lの断面におけるエネルギー分布を均一にする
ことができるステップインデックス型の光ファイバ2を
用いている。In order to solve various problems caused by the energy distribution of the laser light, in the present embodiment, an optical system for guiding the laser light from the light source 1 to the conductive film 4 is provided.
The step index type optical fiber 2 that can make the energy distribution in the cross section of the laser beam L uniform is used.
【0038】上記ステップインデックス型の光ファイバ
2を用いて、図6(a)に示すように上記絶縁性基板3
上の導電性膜4に照射するレーザ光Lの断面におけるエ
ネルギー分布を、上記しきい値Eoを若干越えたレベル
で均一にすることにより、図6(b)及び(c)に示す
ようにスリット10の幅を所定の幅に一定することがで
きる。したがって、湿気によるリークや導電性異物10
2の付着によるリークが発生しにくく、スリット10の
エッジも目立ちにくくなる。また、スリット10の幅の
制御も容易になり、導電性膜4の一部が残留した加工残
りも発生しにくくなる。更に、図6(b)に示すように
レーザ光Lの中央に対応する位置で絶縁性基板3が深く
掘れてしまうこともなくなる。また、加工部が焦げて着
色されることがないので、スリットの視認性が上がるこ
ともない。As shown in FIG. 6A, the insulating substrate 3 is used by using the step index type optical fiber 2.
By making the energy distribution in the cross section of the laser beam L applied to the upper conductive film 4 uniform at a level slightly exceeding the threshold value Eo, the slit is formed as shown in FIGS. 6B and 6C. The width of 10 can be fixed to a predetermined width. Therefore, leakage due to moisture or conductive foreign matter 10
Leakage due to adhesion of 2 is less likely to occur, and the edge of the slit 10 is less noticeable. In addition, the width of the slit 10 can be easily controlled, and processing residue with a part of the conductive film 4 remaining hardly occurs. Further, as shown in FIG. 6B, the insulating substrate 3 is not dug deep at a position corresponding to the center of the laser beam L. Further, since the processed portion is not scorched and colored, the visibility of the slit does not increase.
【0039】以上、本実施形態によれば、絶縁性基板3
上の透明の導電性膜4の一部をレーザ光の照射で除去す
る加工を行っているので、エッチング処理を含むフォト
リソグラフィ法を用いた場合のような廃液処理を伴うこ
となく、透明電極を有するタッチパネルを低コストで他
品種少量生産することができる。しかも、導電性膜4に
照射するレーザ光をステップインデックス型の光ファイ
バ2でガイドすることにより、該レーザ光の断面におけ
るエネルギー分布を均一にしているので、加工寸法のば
らつき、導電性膜の一部の残留、絶縁性基板の損傷等を
少なくすることができる。As described above, according to the present embodiment, the insulating substrate 3
Since the processing of removing a part of the upper transparent conductive film 4 by irradiation of laser light is performed, the transparent electrode can be formed without waste liquid treatment as in the case of using photolithography including etching. It is possible to produce other types of touch panels in small quantities at low cost. In addition, since the laser light applied to the conductive film 4 is guided by the step index type optical fiber 2, the energy distribution in the cross section of the laser light is made uniform. It is possible to reduce residual portions, damage to the insulating substrate, and the like.
【0040】また、上記レーザ光として、熱レーザとし
てのYAGレーザ1からの出射された赤外光又は可視光
のレーザ光を用い、導電性膜4の一部を主に加熱して蒸
発させることによって除去しているので、導電性膜4の
下地である絶縁性基板3(PET、ポリカーボネート
等)の着色・損傷等が少ない。Further, a laser beam of infrared light or visible light emitted from the YAG laser 1 as a heat laser is used as the laser light, and a part of the conductive film 4 is mainly heated and evaporated. Therefore, the insulating substrate 3 (PET, polycarbonate, etc.) that is the base of the conductive film 4 is less colored and damaged.
【0041】また、Qスイッチ制御のYAGレーザ1を
用いることにより、レーザ光の繰り返し周期や照射時間
幅(パルス幅)を変えることで導電性膜4に与える熱エ
ネルギーの設定を変更できるので、導電性膜4の除去加
工処理の制御が容易になる。Also, by using the Q-switch controlled YAG laser 1, the setting of the thermal energy applied to the conductive film 4 can be changed by changing the repetition period and irradiation time width (pulse width) of the laser light. The removal processing of the conductive film 4 is easily controlled.
【0042】なお、本実施形態では、ステップインデッ
クス型の光ファイバ2を用いているが、レーザ光を内部
の光伝送路での屈折や反射によってエネルギー分布を均
一化しながらガイドできるものであれば、他の種類の光
ファイバを用いてもよい。例えば、通常の光ファイバと
は異なり軸中心のコア部(光伝送路)を屈折率の低い空
気、不活性ガス等の気体で構成し、該コア部の外周を光
反射率を示す金属層や誘電体層でクラッディングした中
空の光ファイバを用いてもよい。In this embodiment, the step index type optical fiber 2 is used. However, as long as the laser beam can be guided while making the energy distribution uniform by refraction or reflection in the internal optical transmission line, the present invention is not limited thereto. Other types of optical fibers may be used. For example, unlike a normal optical fiber, a core portion (optical transmission path) at the center of the axis is formed of a gas such as air or an inert gas having a low refractive index, and the outer periphery of the core portion is formed of a metal layer having a light reflectance or A hollow optical fiber clad with a dielectric layer may be used.
【0043】また、本実施形態では上記X−Yステージ
5を用いて絶縁性基板3を移動させることにより、レー
ザ光Lを導電性膜4上で走査しているが、絶縁性基板3
を固定したままレーザ光Lの方をガルバノミラー等のス
キャン機構を用いて走査するように構成してもよい。In this embodiment, the laser beam L is scanned on the conductive film 4 by moving the insulating substrate 3 using the XY stage 5.
The laser beam L may be scanned using a scanning mechanism such as a galvanomirror while keeping the fixed.
【0044】また、図7に示すように、載置台5bに載
置した絶縁性基板3を固定するとともに、ビーム照射手
段を構成する光ファイバの2の出射端側を、該レーザ光
の照射方向と交差する方向である該導電性膜4の表面に
沿って移動させる光ファイバ駆動機構を設けてもよい。
この光ファイバ駆動機構は、図示しないY方向駆動装置
で図中Y方向に駆動される1組のY方向可動部材100
と、該Y方向可動部材100上において図示しないX方
向駆動装置で該Y方向と直交する図中X方向に駆動され
るX方向可動部材101とを用いて構成されている。ま
た、該X方向可動部材101のほぼ中央部に、光ファイ
バ2の光出射端側が固定部材103で固定されている。
光ファイバ2の光出射端には、結像光学素子が設けられ
ており、所定スポット径でレーザ光を絶縁性基板3表面
の導電性膜4上に照射できるようになっている。一方、
該絶縁性基板3は、載置台であるテーブル105上に固
定配置されている。そして、上記X方向駆動装置及び上
記Y方向駆動装置を、図示しない制御部により加工パタ
ーンのデータに基づいて制御することにより、導電性膜
4に対して所望の加工を行うことができる。As shown in FIG. 7, the insulating substrate 3 mounted on the mounting table 5b is fixed, and the emitting end side of the optical fiber 2 constituting the beam irradiating means is moved in the direction of irradiation of the laser beam. An optical fiber driving mechanism that moves along the surface of the conductive film 4 in a direction intersecting with the surface of the conductive film 4 may be provided.
This optical fiber driving mechanism is composed of a set of Y-direction movable members 100 driven in the Y-direction by a Y-direction driving device (not shown).
And an X-direction movable member 101 which is driven on the Y-direction movable member 100 in an X-direction in the drawing, which is orthogonal to the Y-direction, by an X-direction driving device (not shown). Further, the light emitting end side of the optical fiber 2 is fixed to a substantially central portion of the X-direction movable member 101 by a fixing member 103.
An imaging optical element is provided at the light emitting end of the optical fiber 2 so that a laser beam can be irradiated onto the conductive film 4 on the surface of the insulating substrate 3 with a predetermined spot diameter. on the other hand,
The insulating substrate 3 is fixedly arranged on a table 105 serving as a mounting table. Then, the X-direction driving device and the Y-direction driving device are controlled by a control unit (not shown) based on processing pattern data, whereby desired processing can be performed on the conductive film 4.
【0045】また、上記レーザ光Lの導電性膜4上での
走査方式としては、図8(a)及び(b)に示す走査方
式を例示することができる。図8(a)では、円形スポ
ットのレーザ光Lsを直線的に走査している。図8
(b)では、円形スポットのレーザ光Lsをヘリカル状
に走査している。As a scanning method of the laser beam L on the conductive film 4, the scanning method shown in FIGS. 8A and 8B can be exemplified. In FIG. 8A, laser light Ls of a circular spot is linearly scanned. FIG.
In (b), the laser light Ls of a circular spot is scanned in a helical shape.
【0046】また、本実施形態では、タッチパネルの透
明電極を形成するために導電性膜4の一部を除去して各
透明電極を区画するスリット10を形成する加工につい
て説明したが、上記各実施形態の加工装置は、図9に示
すように絶縁性基板3上の導電性膜4の表面に形成され
た導電性ペースト(例えば銀ペースト)からなる配線パ
ターン13の周囲に配線間絶縁用のスリット14を形成
する場合にも用いることができ、同様な効果が得られる
ものである。なお、上記配線パターン13に上記ペース
トをつける順番は、上記スリット14の前後どちらでも
よい。In the present embodiment, the process of forming a slit 10 for partitioning each transparent electrode by removing a part of the conductive film 4 in order to form a transparent electrode of the touch panel has been described. As shown in FIG. 9, the processing apparatus according to the embodiment includes a slit for wiring insulation around a wiring pattern 13 made of a conductive paste (for example, silver paste) formed on the surface of the conductive film 4 on the insulating substrate 3. 14 can be used, and a similar effect can be obtained. The paste may be applied to the wiring pattern 13 either before or after the slit 14.
【0047】また、上記各実施形態では、タッチパネル
の透明電極形成用の導電性膜の加工に適用した場合につ
いて説明したが、本発明は、タッチパネルに限定される
ことなく、例えば液晶パネルの透明電極形成用の導電性
膜を加工する場合にも適用することができ、同様な効果
が得られるものである。In each of the above embodiments, the case where the present invention is applied to processing of a conductive film for forming a transparent electrode of a touch panel has been described. However, the present invention is not limited to a touch panel, but may be applied to, for example, a transparent electrode of a liquid crystal panel. The present invention can be applied to a case where a conductive film for forming is processed, and a similar effect can be obtained.
【0048】また、本実施形態では、上記導電性膜の加
工に熱レーザ光源としてのYAGレーザを用いている
が、本発明は、CO2レーザ等の他の赤外光レーザ、可
視光レーザ、上記導電性膜を主にアブレーションで除去
するKrFエキシマレーザ等の紫外光レーザを用いた場
合にも適用できるものである。In this embodiment, a YAG laser is used as a heat laser light source for processing the conductive film. However, the present invention is applicable to other infrared lasers such as a CO 2 laser, a visible laser, and the like. The present invention is also applicable to a case where an ultraviolet light laser such as a KrF excimer laser which mainly removes the conductive film by ablation is used.
【0049】また、本発明は、レーザ光以外の光ビーム
や、X線ビーム、荷電粒子ビーム等の他のエネルギービ
ームを用いた場合にも適用できるものである。The present invention can be applied to the case where a light beam other than laser light, or another energy beam such as an X-ray beam or a charged particle beam is used.
【0050】[0050]
【発明の効果】請求項1乃至9の発明によれば、上記エ
ネルギービーム源からのエネルギービームが該絶縁性基
板の導電性膜上を相対的に移動しながら、該導電性膜に
選択的に照射されることにより、該導電性膜の一部を除
去して加工できるので、エッチング処理を含むフォトリ
ソグラフィ法を用いた場合のような廃液処理の必要がな
く、低コストで他品種少量生産に好適な導電性膜の加工
を行うことができる。しかも、上記導電性膜に照射する
エネルギービームの断面におけるエネルギー分布を均一
にしているので、加工寸法のばらつき、導電性膜の一部
の残留、絶縁性基板の損傷等を少ないという効果があ
る。According to the first to ninth aspects of the present invention, while the energy beam from the energy beam source relatively moves on the conductive film of the insulating substrate, the energy beam is selectively applied to the conductive film. By irradiating, a part of the conductive film can be removed and processed, so that there is no need for waste liquid treatment as in the case of using a photolithography method including an etching treatment, and low-cost low-volume production of other types can be performed. A suitable conductive film can be processed. In addition, since the energy distribution in the cross section of the energy beam applied to the conductive film is made uniform, there is an effect that variations in processing dimensions, partial remaining of the conductive film, damage to the insulating substrate, and the like are reduced.
【0051】特に、請求項5及び6の発明によれば、レ
イアウト上の制約が少ない光ファイバを用いているの
で、装置の小型化を図ることができるという効果があ
る。In particular, according to the fifth and sixth aspects of the present invention, since an optical fiber with less restrictions on layout is used, there is an effect that the size of the apparatus can be reduced.
【0052】また特に、請求項7の発明によれば、絶縁
性基板の導電性膜上に照射されるレーザ光の照射面積を
小さくすることができるので、該レーザ光のエネルギー
密度を高めて加工効率を向上させることができる。しか
も、寸法の小さな加工パターンまで加工できるため、微
細な加工パターンの微細化も可能となるという効果があ
る。In particular, according to the invention of claim 7, since the irradiation area of the laser light irradiated on the conductive film of the insulating substrate can be reduced, the energy density of the laser light can be increased to perform the processing. Efficiency can be improved. In addition, since a processing pattern having a small dimension can be processed, there is an effect that a fine processing pattern can be miniaturized.
【0053】また特に、請求項8の発明によれば、エッ
チング処理を含むフォトリソグラフィ法を用いた場合の
ような廃液処理を伴うことなく、透明電極を有するタッ
チパネルや液晶パネル等を低コストで他品種少量生産す
ることができる。しかも、導電性膜に形成するスリット
の幅のばらつき、該スリットにおける導電性膜の一部の
残留、該スリットにおける絶縁性基板の損傷等を少なく
することができるという効果がある。In particular, according to the invention of claim 8, a touch panel or a liquid crystal panel having a transparent electrode can be manufactured at low cost without a waste liquid treatment as in the case of using a photolithography method including an etching treatment. Varieties can be produced in small quantities. In addition, there is an effect that variations in the width of the slit formed in the conductive film, a part of the conductive film remaining in the slit, damage to the insulating substrate in the slit, and the like can be reduced.
【0054】また特に、請求項9の発明によれば、エッ
チング処理を含むフォトリソグラフィ法を用いた場合の
ような廃液処理を伴うことなく、外周部に配線パターン
を有するタッチパネルや液晶パネル等を低コストで他品
種少量生産することができる。しかも導電性膜に形成す
る配線間絶縁用のスリットの幅のばらつき、該スリット
における導電性膜の一部の残留、該スリットにおける絶
縁性基板の損傷等を少なくすることができるという効果
がある。In particular, according to the ninth aspect of the present invention, a touch panel or a liquid crystal panel having a wiring pattern on an outer peripheral portion can be reduced without a waste liquid treatment as in the case of using a photolithography method including an etching treatment. Other types can be produced in small quantities at low cost. In addition, there is an effect that variations in the width of slits for wiring insulation formed in the conductive film, a part of the conductive film remaining in the slit, damage to the insulating substrate in the slit, and the like can be reduced.
【図1】(a)は本発明の実施形態に係る加工装置の概
略構成図。(b)は同加工装置に用いた光ファイバーの
出口側の拡大断面図。FIG. 1A is a schematic configuration diagram of a processing apparatus according to an embodiment of the present invention. (B) is an enlarged sectional view on the exit side of the optical fiber used in the processing apparatus.
【図2】絶縁性基板が載置された変形例に係る載置台の
断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of a mounting table according to a modification example on which an insulating substrate is mounted.
【図3】タッチパネルの拡大断面図。FIG. 3 is an enlarged sectional view of a touch panel.
【図4】(a)はタッチパネルの分解斜視図。(b)は
同タッチパネルの平面図。FIG. 4A is an exploded perspective view of a touch panel. (B) is a plan view of the touch panel.
【図5】(a)は光ファイバに入射する前のレーザ光の
断面におけるエネルギー分布を示す説明図。(b)は同
レーザ光で加工した場合の絶縁性基板上の導電性膜の斜
視図。(c)は同絶縁性基板上の導電性膜の平面図。FIG. 5A is an explanatory diagram showing an energy distribution in a cross section of a laser beam before being incident on an optical fiber. (B) is a perspective view of a conductive film on an insulating substrate when processed by the same laser beam. (C) is a plan view of a conductive film on the insulating substrate.
【図6】(a)は光ファイバから出射したレーザ光の断
面におけるエネルギー分布を示す説明図。(b)は同レ
ーザ光で加工した場合の絶縁性基板上の導電性膜の斜視
図。(c)は同絶縁性基板上の導電性膜の平面図。FIG. 6A is an explanatory diagram showing an energy distribution in a cross section of a laser beam emitted from an optical fiber. (B) is a perspective view of a conductive film on an insulating substrate when processed by the same laser beam. (C) is a plan view of a conductive film on the insulating substrate.
【図7】変形例に係る加工装置におけるレーザビーム移
動機構の概略構成図。FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a laser beam moving mechanism in a processing apparatus according to a modification.
【図8】(a)及び(b)はそれぞれレーザ光の走査方
式を例示する説明図。FIGS. 8A and 8B are explanatory views illustrating a scanning method of a laser beam, respectively.
【図9】タッチパネルの周端部の配線パターン及びその
周囲のスリットの説明図。FIG. 9 is an explanatory diagram of a wiring pattern at a peripheral end of a touch panel and slits around the wiring pattern.
1 YAGレーザ 1a Qスイッチ 2 光ファイバ 3 絶縁性基板(透明基板) 4 導電性膜 5 X−Yステージ 5a リニアモータ 5b 載置台 6 コントローラ(制御部) 7 上タッチパネル基板 8 下タッチパネル基板 9 スペーサ 10 スリット 13 配線パターン 14 配線間絶縁用のスリット 20 微小レンズ Reference Signs List 1 YAG laser 1a Q switch 2 optical fiber 3 insulating substrate (transparent substrate) 4 conductive film 5 XY stage 5a linear motor 5b mounting table 6 controller (control unit) 7 upper touch panel substrate 8 lower touch panel substrate 9 spacer 10 slit 13 Wiring pattern 14 Slit for insulation between wirings 20 Micro lens
Claims (9)
部を除去する導電性膜の加工装置であって、 エネルギービームを出射するエネルギービーム源と、 該エネルギービーム源からのエネルギービームの断面に
おけるエネルギー分布を均一にするとともに、該エネル
ギービームを該絶縁性基板上の導電性膜に選択的に照射
するビーム照射手段と、 該絶縁性基板を保持する基板保持手段と、 該絶縁性基板と該基板に照射するエネルギービームとを
相対移動させるように、該基板保持手段及び上記ビーム
照射手段の少なくとも一方を駆動制御する制御手段とを
設けたことを特徴とする導電性膜の加工装置。1. An apparatus for processing a conductive film for removing a part of a conductive film formed on a surface of an insulating substrate, comprising: an energy beam source for emitting an energy beam; and an energy beam from the energy beam source. Beam irradiating means for making the energy distribution uniform in the cross section of the substrate and selectively irradiating the energy beam to the conductive film on the insulating substrate; substrate holding means for holding the insulating substrate; An apparatus for processing a conductive film, comprising: a control means for driving and controlling at least one of the substrate holding means and the beam irradiation means so as to relatively move a substrate and an energy beam applied to the substrate. .
差する方向に移動させるように上記基板保持手段を駆動
制御することを特徴とする導電性膜の加工装置。2. The apparatus for processing a conductive film according to claim 1, wherein the irradiation path of the energy beam is fixed, and the insulating substrate is moved in a direction crossing the irradiation direction of the energy beam. An apparatus for processing a conductive film, characterized in that the holding means is drive-controlled.
の照射方向と交差する方向に移動させるように上記ビー
ム照射手段を駆動制御することを特徴とする導電性膜の
加工装置。3. The conductive film processing apparatus according to claim 1, wherein the position of the insulating substrate is fixed, and the irradiation position of the energy beam is moved in a direction intersecting the irradiation direction of the energy beam. An apparatus for processing a conductive film, wherein the beam irradiation means is drive-controlled.
において、 上記エネルギービーム源として、上記エネルギービーム
であるレーザ光を出射する光源を用い、 上記ビーム照射手段として、該光源からのレーザ光の断
面におけるエネルギー分布を均一にするとともに、該レ
ーザ光を該絶縁性基板上の導電性膜に選択的に照射する
光学系を用いたことを特徴とする導電性膜の加工装置。4. The apparatus for processing a conductive film according to claim 1, 2 or 3, wherein a light source for emitting a laser beam as said energy beam is used as said energy beam source, and said light beam is emitted from said light source as said beam irradiation means. And an optical system for selectively irradiating the conductive film on the insulating substrate with the laser light while making the energy distribution uniform in the cross section of the laser light.
る光学系として、上記光源から出射したレーザ光を内部
の光伝送路での屈折や反射によってエネルギー分布を均
一化しながら上記絶縁性基板上の導電性膜の近傍までガ
イドする光ファイバを用いたことを特徴とする導電性膜
の加工装置。5. An apparatus for processing a conductive film according to claim 4, wherein the optical system for making the energy distribution in the cross section of the laser light uniform is such that the laser light emitted from the light source is refracted by an internal optical transmission line. An apparatus for processing a conductive film, wherein an optical fiber is used to guide the energy distribution to the vicinity of the conductive film on the insulating substrate while making the energy distribution uniform by reflection.
インデックス型の光ファイバを用いたことを特徴とする
光加工装置。6. An apparatus according to claim 5, wherein a step index type optical fiber having a core at a shaft core is used as said optical fiber.
いて、 上記光ファイバから出射したレーザ光を上記導電性膜上
に集光する光学素子を設けたことを特徴とする導電性膜
の加工装置。7. The conductive film processing apparatus according to claim 5, further comprising an optical element for converging laser light emitted from the optical fiber on the conductive film. Processing equipment.
電性膜の加工装置において、 上記エネルギービームの照射により、透明の絶縁性基板
上の透明の導電性膜にスリットを形成することを特徴と
する導電性膜の加工装置。8. The conductive film processing apparatus according to claim 1, wherein the energy beam irradiation irradiates the transparent conductive film on a transparent insulating substrate with a slit. An apparatus for processing a conductive film, comprising: forming a conductive film.
面に形成する導電性膜を加工する請求項1、2、3、
4、5、6又は7の導電性膜の加工装置であって、 上記エネルギービームの照射により、該導電性膜上の配
線パターンの周囲に配線間絶縁用のスリットを形成する
ことを特徴とする導電性膜の加工装置。9. A conductive film for forming a wiring pattern made of a conductive paste on a surface thereof is processed.
4. An apparatus for processing a conductive film according to 4, 5, 6 or 7, wherein the energy beam irradiation forms a slit for wiring insulation around a wiring pattern on the conductive film. Processing equipment for conductive films.
Priority Applications (4)
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JP9238798 | 1998-03-20 | ||
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1999
- 1999-02-12 JP JP11035071A patent/JPH11320141A/en active Pending
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