JPH11317205A - 無電極ランプアセンブリ、高輝度放電ランプ用の同軸アプリケ―タおよび無電極電源 - Google Patents
無電極ランプアセンブリ、高輝度放電ランプ用の同軸アプリケ―タおよび無電極電源Info
- Publication number
- JPH11317205A JPH11317205A JP11054163A JP5416399A JPH11317205A JP H11317205 A JPH11317205 A JP H11317205A JP 11054163 A JP11054163 A JP 11054163A JP 5416399 A JP5416399 A JP 5416399A JP H11317205 A JPH11317205 A JP H11317205A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- assembly
- lamp
- electrodeless
- electric field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 204
- 239000002775 capsule Substances 0.000 claims abstract description 99
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 70
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 9
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- HUIHCQPFSRNMNM-UHFFFAOYSA-K scandium(3+);triiodide Chemical compound [Sc+3].[I-].[I-].[I-] HUIHCQPFSRNMNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 3
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- -1 rare earth iodide Chemical class 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000002068 genetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
- H01J65/042—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
- H01J65/044—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by a separate microwave unit
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/24—Circuit arrangements in which the lamp is fed by high frequency AC, or with separate oscillator frequency
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 標準的な反射器の小さな穴を通して適合でき
る、そして現存する光学装置内に集約されることが可能
な、ＥＨＩＤランプ用の電力アプリケータを提供する。 【構成】 無電極ランプアセンブリは、１つの無電極、
高輝度放電ランプカプセルと、１つの同軸電界アプリケ
ータとを含んでいる。同軸電界アプリケータは、１つの
外側導体アセンブリを含んでいる。外側導体アセンブリ
は、ランプカプセルの第１の端に、またはその付近に設
けられた１つの末端を持つ筒形外側導体と、ランプカプ
セルの第２の端に、またはその付近に設けられた外側リ
ングと、そして外側リングと筒形外側導体との間に接続
された複数のケージワイヤとを含んでいる。
る、そして現存する光学装置内に集約されることが可能
な、ＥＨＩＤランプ用の電力アプリケータを提供する。 【構成】 無電極ランプアセンブリは、１つの無電極、
高輝度放電ランプカプセルと、１つの同軸電界アプリケ
ータとを含んでいる。同軸電界アプリケータは、１つの
外側導体アセンブリを含んでいる。外側導体アセンブリ
は、ランプカプセルの第１の端に、またはその付近に設
けられた１つの末端を持つ筒形外側導体と、ランプカプ
セルの第２の端に、またはその付近に設けられた外側リ
ングと、そして外側リングと筒形外側導体との間に接続
された複数のケージワイヤとを含んでいる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無電極高輝度放電
ランプアセンブリ、および高周波電力を無電極高輝度放
電ランプに提供するための同軸電界アプリケータに関す
る。
ランプアセンブリ、および高周波電力を無電極高輝度放
電ランプに提供するための同軸電界アプリケータに関す
る。
【０００２】本出願は１９９８年３月３日に出願された
連続番号第６０／０７６，６３１号の暫定出願の権利を
請求する出願である。
連続番号第６０／０７６，６３１号の暫定出願の権利を
請求する出願である。
【０００３】
【従来の技術】無電極高輝度放電（ＥＨＩＤ）ランプは
従来の技術において広く説明されてきた。一般的には、
ＥＨＩＤランプは、揮発性の充満材料と、及びスタート
用ガスとを含む１つの無電極ランプカプセを含んでい
る。ランプカプセルは高周波電力をランプカプセルに結
合させるために設計された取付具内に取り付けられてい
る。この高い周波数はランプカプセル内に光発散型プラ
ズマ放電を発生させる。数１０ワットの範囲で動作する
ランプカプセルに高周波電力を印加する上での近年の進
歩は、ラパトビッチによって１９９１年１２月３日に出
願された米国特許第５，０７０，２７７号において、ラ
パトビッチ他によって１９９２年５月１２日に出願され
た米国特許第５，１１３，１２１号において、ラパトビ
ッチ他によって１９９２年７月１４日に出願された米国
特許第５，１３０，６１２号において、バトラー他によ
って１９９２年９月１日に出願された米国特許第５，１
４４，２０６号において、そしてラパトビッチ他によっ
て１９９３年８月３１日に出願された米国特許第５，２
４１，２４６号において、説明されている。結果とし
て、コンパクトなＥＨＩＤランプ及び関連するアプリケ
ータが実用化された。
従来の技術において広く説明されてきた。一般的には、
ＥＨＩＤランプは、揮発性の充満材料と、及びスタート
用ガスとを含む１つの無電極ランプカプセを含んでい
る。ランプカプセルは高周波電力をランプカプセルに結
合させるために設計された取付具内に取り付けられてい
る。この高い周波数はランプカプセル内に光発散型プラ
ズマ放電を発生させる。数１０ワットの範囲で動作する
ランプカプセルに高周波電力を印加する上での近年の進
歩は、ラパトビッチによって１９９１年１２月３日に出
願された米国特許第５，０７０，２７７号において、ラ
パトビッチ他によって１９９２年５月１２日に出願され
た米国特許第５，１１３，１２１号において、ラパトビ
ッチ他によって１９９２年７月１４日に出願された米国
特許第５，１３０，６１２号において、バトラー他によ
って１９９２年９月１日に出願された米国特許第５，１
４４，２０６号において、そしてラパトビッチ他によっ
て１９９３年８月３１日に出願された米国特許第５，２
４１，２４６号において、説明されている。結果とし
て、コンパクトなＥＨＩＤランプ及び関連するアプリケ
ータが実用化された。
【０００４】上の特許は小さな、円筒形ランプカプセル
を開示している。ここにおいて高周波エネルギーは１８
０°の位相シフトをもってランプカプセルの対向端に結
合されている。加えられる電界は一般にランプカプセル
の軸と共直線であり、そして実質的に直線的な放電をラ
ンプカプセル内に発生する。高周波エネルギーをランプ
カプセルに結合させるための取付具は標準的には、マイ
クロストリップ伝送線のような、１つの平坦な伝送線を
含んでいる。伝送線は、ランプカプセルの対向端に位置
決めされた螺旋形、カップ形又はループ形のような電界
アプリケータを有している。マイクロストリップ伝送線
は高周波電力を電界アプリケータに、１８０°の位相シ
フトをもって結合させる。標準的にランプカプセルはマ
イクロストリップ伝送線の基板内のギャップ内に位置決
めされ、そして数ミリメータだけ基板面の上に空間を隔
てて取り付けられる。そのためランプカプセルの軸は電
界アプリケータの軸と共直線となる。
を開示している。ここにおいて高周波エネルギーは１８
０°の位相シフトをもってランプカプセルの対向端に結
合されている。加えられる電界は一般にランプカプセル
の軸と共直線であり、そして実質的に直線的な放電をラ
ンプカプセル内に発生する。高周波エネルギーをランプ
カプセルに結合させるための取付具は標準的には、マイ
クロストリップ伝送線のような、１つの平坦な伝送線を
含んでいる。伝送線は、ランプカプセルの対向端に位置
決めされた螺旋形、カップ形又はループ形のような電界
アプリケータを有している。マイクロストリップ伝送線
は高周波電力を電界アプリケータに、１８０°の位相シ
フトをもって結合させる。標準的にランプカプセルはマ
イクロストリップ伝送線の基板内のギャップ内に位置決
めされ、そして数ミリメータだけ基板面の上に空間を隔
てて取り付けられる。そのためランプカプセルの軸は電
界アプリケータの軸と共直線となる。
【０００５】１つのよく最適化されたアプリケータは７
つの特性を発揮する。これは最高の可能な効率で電源か
らの電力をランプに伝達する。特に、アプリケータ内に
おける抵抗性発熱、電磁干渉を生じさせるマイクロ波放
射、及び電源への電力反射戻りは最小とされなければな
らない。アプリケータは小さく、そして軽量でなくては
ならない。これはランプからの光を遮ってはならない。
そしてこの動作は金属または誘電構造物の接近によって
実質的に混乱させられるものであってはならない。
つの特性を発揮する。これは最高の可能な効率で電源か
らの電力をランプに伝達する。特に、アプリケータ内に
おける抵抗性発熱、電磁干渉を生じさせるマイクロ波放
射、及び電源への電力反射戻りは最小とされなければな
らない。アプリケータは小さく、そして軽量でなくては
ならない。これはランプからの光を遮ってはならない。
そしてこの動作は金属または誘電構造物の接近によって
実質的に混乱させられるものであってはならない。
【０００６】ＥＨＩＤランプの予期される用途は、ラン
プを焦点合わせ用反射器または類似の光学装置内に取り
付けることを要求する。従来においては、このことは普
通、反射器内においてスロットを切り、そうして平坦な
アプリケータの回路ボードを収容できるようにする必要
があった。このスロットはしばしば、作るのが難しく、
そのため高価となっていた。このスロットは光線を浪費
させ、そして出力されるビームパターン内に暗いスポッ
トを作り出していた。多くの場合、光学的な設計は変更
することができないか、またはスロットのような変更は
光学的アセンブリを弱めてしまうか、または環境的露出
に敏感とさせてしまうかの結果を招くだけである。
プを焦点合わせ用反射器または類似の光学装置内に取り
付けることを要求する。従来においては、このことは普
通、反射器内においてスロットを切り、そうして平坦な
アプリケータの回路ボードを収容できるようにする必要
があった。このスロットはしばしば、作るのが難しく、
そのため高価となっていた。このスロットは光線を浪費
させ、そして出力されるビームパターン内に暗いスポッ
トを作り出していた。多くの場合、光学的な設計は変更
することができないか、またはスロットのような変更は
光学的アセンブリを弱めてしまうか、または環境的露出
に敏感とさせてしまうかの結果を招くだけである。
【０００７】従来技術においても、ＥＨＩＤランプにエ
ネルギーを与えるための電力アプリケータのいくつかの
型式が知られている。直径において数ミリメータから直
径において２５または３０ミリメータに至るようなサイ
ズ範囲の大形ＥＨＩＤランプに関して、円筒形キャビテ
ィを用いて電力を結合させることは、マクレンナン他に
よって１９９３年のＰ−７３，ＳＩＤ９３ダイジェスト
紙の７１６〜７１９ページに、そしてリンチ他によって
１９９０年９月４日に出願された米国特許第４，９５
４，７５５号に開示されている。球形ランプは、ランプ
を支持しているステムに関して回転する。小さな円筒形
ランプに関しては、印刷回路基板材料で作られた接近結
合平坦アプリケータが、ラパトビッチ他によって１９９
４年１月１８日に出願された米国特許第５，２８０，２
１７号において開示されている。直径で約２〜１０ミリ
メータの小さな球形ランプに関しては、回転する電界を
用いて印刷回路ボード材料で製造された平坦アプリケー
タが、ラパトビッチ他により１９９６年３月１２日に出
願された米国特許第５，４９８，９２８号によって開示
されている。ハイブリッドアプリケータキャビティ／光
学素子が、シンプソン他により１９８９年１２月１２日
に出願された米国特許第４，８８７，１９２号に開示さ
れている。無電極ランプが反射機内に取り付けられてい
るような無電極光源は、リンチ他により１９８８年６月
７日に出願された米国特許第４，７４９，９１５号に、
ベローズ他により１９９４年３月２９日に出願された米
国特許第５，２９９，１００号に、そしてシンプソン他
により１９９５年９月５日に出願された米国特許第５，
４４８，１３５号に、開示されている。
ネルギーを与えるための電力アプリケータのいくつかの
型式が知られている。直径において数ミリメータから直
径において２５または３０ミリメータに至るようなサイ
ズ範囲の大形ＥＨＩＤランプに関して、円筒形キャビテ
ィを用いて電力を結合させることは、マクレンナン他に
よって１９９３年のＰ−７３，ＳＩＤ９３ダイジェスト
紙の７１６〜７１９ページに、そしてリンチ他によって
１９９０年９月４日に出願された米国特許第４，９５
４，７５５号に開示されている。球形ランプは、ランプ
を支持しているステムに関して回転する。小さな円筒形
ランプに関しては、印刷回路基板材料で作られた接近結
合平坦アプリケータが、ラパトビッチ他によって１９９
４年１月１８日に出願された米国特許第５，２８０，２
１７号において開示されている。直径で約２〜１０ミリ
メータの小さな球形ランプに関しては、回転する電界を
用いて印刷回路ボード材料で製造された平坦アプリケー
タが、ラパトビッチ他により１９９６年３月１２日に出
願された米国特許第５，４９８，９２８号によって開示
されている。ハイブリッドアプリケータキャビティ／光
学素子が、シンプソン他により１９８９年１２月１２日
に出願された米国特許第４，８８７，１９２号に開示さ
れている。無電極ランプが反射機内に取り付けられてい
るような無電極光源は、リンチ他により１９８８年６月
７日に出願された米国特許第４，７４９，９１５号に、
ベローズ他により１９９４年３月２９日に出願された米
国特許第５，２９９，１００号に、そしてシンプソン他
により１９９５年９月５日に出願された米国特許第５，
４４８，１３５号に、開示されている。
【０００８】キャビティ手法は大きな円筒形メッシュシ
ェルをもたらす結果となり、これは自動車用ヘッドラン
プのような小さな光学集光器とは相性が良くない。平坦
アプリケータは光学装置とは相性がよいが、それらの回
路ボードはかなりの光線を阻止することになり、そして
上に説明したように反射器にはスロットが設けられなく
てはならない。回転界アプリケータは、集光器が２つの
セクションからなり、そしてランプ及びアプリケータの
周りに整列されるという必要がある。
ェルをもたらす結果となり、これは自動車用ヘッドラン
プのような小さな光学集光器とは相性が良くない。平坦
アプリケータは光学装置とは相性がよいが、それらの回
路ボードはかなりの光線を阻止することになり、そして
上に説明したように反射器にはスロットが設けられなく
てはならない。回転界アプリケータは、集光器が２つの
セクションからなり、そしてランプ及びアプリケータの
周りに整列されるという必要がある。
【０００９】メッシュカバーを持つ大きな同軸終端取付
具の多様性は、映画産業用の高出力無電極ランプ用に開
発されたものである。これらは、ハウグスジャ他によっ
て、１９７６年３月２日に出願された米国特許第３，９
４２，０５８号に、１９７６年３月２日に出願された米
国特許第３，９４２，０６８号に、１９７６年３月９日
に出願された米国特許第３，９４３，４０３号に、１９
７６年１１月３０日に出願された米国特許第３，９９
５，１９５号に、そして１９７７年１月４日に出願され
た米国特許第４，００１，６３２号に、開示されてい
る。無電極ランプ用の同軸終端取付具はまた、レーガン
によって１９８０年１月２２日に出願された米国特許第
４，１８５，２２８号に、ハウグスジャ他によって１９
８０年２月１９日に出願された米国特許第４，１８９，
６６１号に、クラマー他によって１９８０年９月１６日
に出願された米国特許第４，２２３，２５０号に、プロ
ウド他によって１９８１年１月２７日に出願された米国
特許第４，２４７，８００号に、そしてマクネイル他に
よって１９８１年５月５日に出願された米国特許第４，
２６６，１６２号に、開示されている。それら取付具の
どれもが、小さなランプの製造性や効率的動作に関して
最適であるとは言い難い。メッシュはランプを通して電
界を導く形状ではなく、そしてそれらは多数の機械的及
び電気的に堅固な接続によってアプリケータのボディに
取り付けられる必要がある。メッシュインピーダンスに
使用される多様なインピーダンスの伝送ラインは著しく
長く、そして損失を発生させる。
具の多様性は、映画産業用の高出力無電極ランプ用に開
発されたものである。これらは、ハウグスジャ他によっ
て、１９７６年３月２日に出願された米国特許第３，９
４２，０５８号に、１９７６年３月２日に出願された米
国特許第３，９４２，０６８号に、１９７６年３月９日
に出願された米国特許第３，９４３，４０３号に、１９
７６年１１月３０日に出願された米国特許第３，９９
５，１９５号に、そして１９７７年１月４日に出願され
た米国特許第４，００１，６３２号に、開示されてい
る。無電極ランプ用の同軸終端取付具はまた、レーガン
によって１９８０年１月２２日に出願された米国特許第
４，１８５，２２８号に、ハウグスジャ他によって１９
８０年２月１９日に出願された米国特許第４，１８９，
６６１号に、クラマー他によって１９８０年９月１６日
に出願された米国特許第４，２２３，２５０号に、プロ
ウド他によって１９８１年１月２７日に出願された米国
特許第４，２４７，８００号に、そしてマクネイル他に
よって１９８１年５月５日に出願された米国特許第４，
２６６，１６２号に、開示されている。それら取付具の
どれもが、小さなランプの製造性や効率的動作に関して
最適であるとは言い難い。メッシュはランプを通して電
界を導く形状ではなく、そしてそれらは多数の機械的及
び電気的に堅固な接続によってアプリケータのボディに
取り付けられる必要がある。メッシュインピーダンスに
使用される多様なインピーダンスの伝送ラインは著しく
長く、そして損失を発生させる。
【００１０】前述特許第３，９４２，０５８号は、電界
整形の概念を説明しているが、不都合なことに球形又は
極めて短いランプを除いて良好に動作する装置を示して
いる。外側導体は電界整形のための形状ではない。
整形の概念を説明しているが、不都合なことに球形又は
極めて短いランプを除いて良好に動作する装置を示して
いる。外側導体は電界整形のための形状ではない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】こうして、標準的な反
射器の小さな穴を通して適合できる、そして現存する光
学装置内に集約されることが可能な、ＥＨＩＤランプ用
の電力アプリケータに関する必要が存在している。
射器の小さな穴を通して適合できる、そして現存する光
学装置内に集約されることが可能な、ＥＨＩＤランプ用
の電力アプリケータに関する必要が存在している。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、１つの無
電極、高輝度放電ランプカプセルと、１つの同軸電界ア
プリケータとを含み、無電極、高輝度放電ランプカプセ
ルは１つの放電体積を取り囲む１つの光透過形放電外被
を含み、放電体積は、スターティングガスと、そして高
周波電力によって発光発散の状態にまで励起可能な化学
添加材料との混合物を収容し、同軸電界アプリケータは
１つの外側導体アセンブリと１つの中央導体アセンブリ
とを含み、外側導体アセンブリは、前記ランプカプセル
の第１の端に、又はその付近に設けられた１つの末端を
有する１つの筒形外側導体と、前記ランプカプセルの第
２の端に、又はその付近に設けられた１つの外側リング
と、そして前記外側リングと前記筒形外側導体との間に
接続された複数のケージワイヤとを含み、中央導体アセ
ンブリは１つの中央導体を含み、中央導体は、前記筒形
外側導体に関して同軸的に位置決めされており、そして
前記ランプカプセルの第１の端に、またはその付近に設
けられた１つの末端を有し、前記筒形外側導体と前記中
央導体とに供給される高周波電力が前記電界アプリケー
タによって前記ランプカプセルに結合されるように無電
極ランプアセンブリを構成して解決される。
電極、高輝度放電ランプカプセルと、１つの同軸電界ア
プリケータとを含み、無電極、高輝度放電ランプカプセ
ルは１つの放電体積を取り囲む１つの光透過形放電外被
を含み、放電体積は、スターティングガスと、そして高
周波電力によって発光発散の状態にまで励起可能な化学
添加材料との混合物を収容し、同軸電界アプリケータは
１つの外側導体アセンブリと１つの中央導体アセンブリ
とを含み、外側導体アセンブリは、前記ランプカプセル
の第１の端に、又はその付近に設けられた１つの末端を
有する１つの筒形外側導体と、前記ランプカプセルの第
２の端に、又はその付近に設けられた１つの外側リング
と、そして前記外側リングと前記筒形外側導体との間に
接続された複数のケージワイヤとを含み、中央導体アセ
ンブリは１つの中央導体を含み、中央導体は、前記筒形
外側導体に関して同軸的に位置決めされており、そして
前記ランプカプセルの第１の端に、またはその付近に設
けられた１つの末端を有し、前記筒形外側導体と前記中
央導体とに供給される高周波電力が前記電界アプリケー
タによって前記ランプカプセルに結合されるように無電
極ランプアセンブリを構成して解決される。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の第１の特色によれば、１
つの無電極ランプアセンブリが提供される。この無電極
ランプアセンブリは、１つの無電極高輝度放電ランプカ
プセルと、１つの同軸電界アプリケータとを含んでい
る。ランプカプセルは放電体積を囲む１つの光透過形放
電外被を含んでいる。放電体積はスターティングガスと
化学添加材料との混合物を収容する。化学添加材料は高
周波電力によって発光発散状態にまで励起される。同軸
電界アプリケータは、１つの外側導体アセンブリと、１
つの外側リングと、そして複数のケージワイヤとを含ん
でいる。外側導体アセンブリは、１つの円筒形外側導体
を含んでいる。円筒形外側導体はランプカプセルの第１
端に、またはその近くに設けられた１つの末端を有して
いる。外側リングはランプカプセルの第２端に、または
その近くに設けられる。そして複数のケージワイヤは外
側リングと円筒形外側導体との間に接続される。同軸電
界アプリケータはさらに、筒形外側導体に対して同軸的
に位置決めされた１つの中央導体を含む、１つの中央導
体アセンブリを含んでいる。中央導体アセンブリはま
た、ランプカプセルの第１端に、又はその近くに設けら
れた１つの末端を有している。筒形外側導体と中央導体
とに供給される高周波電力は、電解アプリケータによっ
てランプカプセルに結合される。
つの無電極ランプアセンブリが提供される。この無電極
ランプアセンブリは、１つの無電極高輝度放電ランプカ
プセルと、１つの同軸電界アプリケータとを含んでい
る。ランプカプセルは放電体積を囲む１つの光透過形放
電外被を含んでいる。放電体積はスターティングガスと
化学添加材料との混合物を収容する。化学添加材料は高
周波電力によって発光発散状態にまで励起される。同軸
電界アプリケータは、１つの外側導体アセンブリと、１
つの外側リングと、そして複数のケージワイヤとを含ん
でいる。外側導体アセンブリは、１つの円筒形外側導体
を含んでいる。円筒形外側導体はランプカプセルの第１
端に、またはその近くに設けられた１つの末端を有して
いる。外側リングはランプカプセルの第２端に、または
その近くに設けられる。そして複数のケージワイヤは外
側リングと円筒形外側導体との間に接続される。同軸電
界アプリケータはさらに、筒形外側導体に対して同軸的
に位置決めされた１つの中央導体を含む、１つの中央導
体アセンブリを含んでいる。中央導体アセンブリはま
た、ランプカプセルの第１端に、又はその近くに設けら
れた１つの末端を有している。筒形外側導体と中央導体
とに供給される高周波電力は、電解アプリケータによっ
てランプカプセルに結合される。
【００１４】中央導体は中空の筒形構造を有しているこ
とが望ましい。ランプカプセルの放電外被は、中空筒形
中央導体の内部に位置決めされるランプステムを含むこ
とができる。
とが望ましい。ランプカプセルの放電外被は、中空筒形
中央導体の内部に位置決めされるランプステムを含むこ
とができる。
【００１５】ケージワイヤは、外側リングと筒形外側導
体との間に内曲するケージ構造を形成することができ
る。このケージ構造は約６から１２のケージワイヤを含
むことができ、その各々は外側リングと筒形外側導体の
末端との間でループ構造となるよう結合されている。
体との間に内曲するケージ構造を形成することができ
る。このケージ構造は約６から１２のケージワイヤを含
むことができ、その各々は外側リングと筒形外側導体の
末端との間でループ構造となるよう結合されている。
【００１６】外側導体アセンブリはさらに、同軸電界ア
プリケータの周波数特性を調節するための１つ又はそれ
以上の素子を含むことができる。調節素子は、筒形外側
導体の末端から突き出ている導電性タブを含むことがで
きる。
プリケータの周波数特性を調節するための１つ又はそれ
以上の素子を含むことができる。調節素子は、筒形外側
導体の末端から突き出ている導電性タブを含むことがで
きる。
【００１７】無電極ランプアセンブリはさらに、１つの
高周波コネクタを含むことができる。この高周波コネク
タは電界アプリケータの中央導体に電気的に結合された
１つの中央導体と、そして電界アプリケータの筒形外側
導体に電気的に結合された外側導体とを有している。中
央導体アセンブリはさらに、高周波コネクタの中央導体
と電界アプリケータの中央導体との間に接続された１つ
のフィードワイヤを含むことができる。
高周波コネクタを含むことができる。この高周波コネク
タは電界アプリケータの中央導体に電気的に結合された
１つの中央導体と、そして電界アプリケータの筒形外側
導体に電気的に結合された外側導体とを有している。中
央導体アセンブリはさらに、高周波コネクタの中央導体
と電界アプリケータの中央導体との間に接続された１つ
のフィードワイヤを含むことができる。
【００１８】電界アプリケータはさらに、中央導体上の
選定されたポイントと電界アプリケータの筒形外側導体
との間に結合された１つのインピーダンス整合用素子を
含むことができる。このインピーダンス整合用素子は１
つのワイヤまたは他の導電性素子を含むことができ寝
る。
選定されたポイントと電界アプリケータの筒形外側導体
との間に結合された１つのインピーダンス整合用素子を
含むことができる。このインピーダンス整合用素子は１
つのワイヤまたは他の導電性素子を含むことができ寝
る。
【００１９】中央導体アセンブリはさらに、中央導体に
結合された、そしてランプカプセルの第１端の近くに位
置決めされた１つのガードリングを含むことができる。
このガードリングはランプカプセル内の電界アプリケー
タによって発生された電界を集中させる。ガードリング
は中央導体よりも大きな直径を有することができ、そし
て導電性構造によって中央導体から機械的に支持される
こともできる。１つ又はそれ以上のガードリングが用い
られることがある。
結合された、そしてランプカプセルの第１端の近くに位
置決めされた１つのガードリングを含むことができる。
このガードリングはランプカプセル内の電界アプリケー
タによって発生された電界を集中させる。ガードリング
は中央導体よりも大きな直径を有することができ、そし
て導電性構造によって中央導体から機械的に支持される
こともできる。１つ又はそれ以上のガードリングが用い
られることがある。
【００２０】無電極ランプアセンブリはさらに、１つの
反射器を含むことができる。同軸電界アプリケータは、
高周波源への接続のために、反射器の背面における開口
を通って延長されることができる。１つの実施例におい
ては、ケージワイヤは外側リングと反射器内の筒形外側
導体との間に延長される。別の実施例においては、ケー
ジワイヤは外側リングと反射器の外側の筒形外側導体と
の間に延長される。
反射器を含むことができる。同軸電界アプリケータは、
高周波源への接続のために、反射器の背面における開口
を通って延長されることができる。１つの実施例におい
ては、ケージワイヤは外側リングと反射器内の筒形外側
導体との間に延長される。別の実施例においては、ケー
ジワイヤは外側リングと反射器の外側の筒形外側導体と
の間に延長される。
【００２１】１つの実施例においては、ランプカプセル
の放電外被は実質的に円筒形の水晶外被を含み、そして
化学添加材料はハロゲン金属塩及び水銀を含んでいる。
ナトリウム及びヨウ化スカンジウム又はヨウ化希土塩は
放電の間に可視光線を発生させるのに用いられる。別の
実施例においては、放電の間に紫外線放射を発生させる
ために、化学添加材料はりん又は水銀を含んでいる。さ
らに別の実施例においては、放電の間に赤外線放射を発
生させるために、化学添加材料はヨウ化セシウムを含ん
でいる。
の放電外被は実質的に円筒形の水晶外被を含み、そして
化学添加材料はハロゲン金属塩及び水銀を含んでいる。
ナトリウム及びヨウ化スカンジウム又はヨウ化希土塩は
放電の間に可視光線を発生させるのに用いられる。別の
実施例においては、放電の間に紫外線放射を発生させる
ために、化学添加材料はりん又は水銀を含んでいる。さ
らに別の実施例においては、放電の間に赤外線放射を発
生させるために、化学添加材料はヨウ化セシウムを含ん
でいる。
【００２２】
【実施例】本発明をよりよく理解するために、添付図面
が参照される。それらは参照のために組み込まれてい
る。
が参照される。それらは参照のために組み込まれてい
る。
【００２３】本発明の第１の実施例による無電極ランプ
アセンブリ１０の概略断面図が図１に示されている。無
電極高輝度ランプカプセル１２が同軸電界アプリケータ
１６内に取り付けられている。ランプカプセル１２は１
つの無電極光透過形放電外被２０ＷＰ含んでいる。放電
外被は、スターティングガスと化学添加材料の混合物を
収容する放電体積２２を含んでいる。化学添加材料は、
高周波電力によって発光発散状態にまで励起される。放
電外被２０はランプステム２４を含んでいる。
アセンブリ１０の概略断面図が図１に示されている。無
電極高輝度ランプカプセル１２が同軸電界アプリケータ
１６内に取り付けられている。ランプカプセル１２は１
つの無電極光透過形放電外被２０ＷＰ含んでいる。放電
外被は、スターティングガスと化学添加材料の混合物を
収容する放電体積２２を含んでいる。化学添加材料は、
高周波電力によって発光発散状態にまで励起される。放
電外被２０はランプステム２４を含んでいる。
【００２４】電界アプリケータ１６は、１つの外側導体
アセンブリ３０と、そして外側導体アセンブリ３０に対
して同軸的に位置決めされている１つの中央導体アセン
ブリ２８とを含んでいる。外側導体アセンブリ３０は、
１つの筒形外側導体３４と、１つの外側リング３６と、
そして複数のケージワイヤ４０とを含んでいる。筒形外
側導体３４は、ランプカプセル１２の放電体積２２の第
１の端に、またはその近くに設けられた末端３４ａを有
している。外側リング３６は、ランプカプセル１２の放
電体積２２の第２の端に、またはその近くに設けられて
いる。ケージワイヤ４０は、かご形構造を形成する。
アセンブリ３０と、そして外側導体アセンブリ３０に対
して同軸的に位置決めされている１つの中央導体アセン
ブリ２８とを含んでいる。外側導体アセンブリ３０は、
１つの筒形外側導体３４と、１つの外側リング３６と、
そして複数のケージワイヤ４０とを含んでいる。筒形外
側導体３４は、ランプカプセル１２の放電体積２２の第
１の端に、またはその近くに設けられた末端３４ａを有
している。外側リング３６は、ランプカプセル１２の放
電体積２２の第２の端に、またはその近くに設けられて
いる。ケージワイヤ４０は、かご形構造を形成する。
【００２５】ケージワイヤ４０は、外側リング３６と、
筒形外側導体３４の末端３４ａとの間に接続されてい
る。ケージワイヤ４０は、外側リング３６と筒形外側導
体３４との間の電気的なリターンパスを提供する。ケー
ジワイヤ４０の数、直径および間隔は、高周波エネルギ
ーの放射の限度と光阻止の限度とのトレードオフとして
選択される。適切な構造は、約６から１２のケージワイ
ヤを使用することであるが、しかしこの範囲に限られる
ものではない。特定の例が以下に説明される。
筒形外側導体３４の末端３４ａとの間に接続されてい
る。ケージワイヤ４０は、外側リング３６と筒形外側導
体３４との間の電気的なリターンパスを提供する。ケー
ジワイヤ４０の数、直径および間隔は、高周波エネルギ
ーの放射の限度と光阻止の限度とのトレードオフとして
選択される。適切な構造は、約６から１２のケージワイ
ヤを使用することであるが、しかしこの範囲に限られる
ものではない。特定の例が以下に説明される。
【００２６】ケージワイヤ４０によって形成されるかご
形構造は、ランプカプセル１２の直径よりも実質的に大
きな直径を有することが望ましい。かご形構造は、放電
外被２０の直径の約２から１２倍の範囲における最大直
径を有することが望ましい。１つの例としては、ケージ
ワイヤ４０は０．０２０インチ直径のワイヤである。ケ
ージワイヤ４０は、外側導体３４から外向きに離れる曲
線であり、そして外側リング３６を越えて軸的に伸びる
ループを形成する。ケージワイヤ４０はアプリケータ軸
３８にほとんど平行とされる。ここにおいてケージワイ
ヤは外側リング３６に接続され、それによって内曲する
かご形構造を形成する。異なるかご形構造もまた本発明
の範囲内において用いることができるのは理解されるで
あろう。このかご形構造は、高周波エネルギーの放射の
限度と光阻止の限度とを考慮しながら、外側リング３６
と筒形外側導体３４との間の導電性リターンパスを提供
するように設計される。
形構造は、ランプカプセル１２の直径よりも実質的に大
きな直径を有することが望ましい。かご形構造は、放電
外被２０の直径の約２から１２倍の範囲における最大直
径を有することが望ましい。１つの例としては、ケージ
ワイヤ４０は０．０２０インチ直径のワイヤである。ケ
ージワイヤ４０は、外側導体３４から外向きに離れる曲
線であり、そして外側リング３６を越えて軸的に伸びる
ループを形成する。ケージワイヤ４０はアプリケータ軸
３８にほとんど平行とされる。ここにおいてケージワイ
ヤは外側リング３６に接続され、それによって内曲する
かご形構造を形成する。異なるかご形構造もまた本発明
の範囲内において用いることができるのは理解されるで
あろう。このかご形構造は、高周波エネルギーの放射の
限度と光阻止の限度とを考慮しながら、外側リング３６
と筒形外側導体３４との間の導電性リターンパスを提供
するように設計される。
【００２７】外側導体アセンブリ３０はさらに、タブ４
４のような、１つまたはそれ以上の打遺伝性タブを含む
ことができる。このタブは、筒形外側導体３４の末端３
４ａから突き出している。タブ４４はランプカプセル１
２に対してその長さおよび位置を調節され、ランプカプ
セル１２への高周波電力の伝達を最大にし、そして反射
される高周波電力を最小にする。
４のような、１つまたはそれ以上の打遺伝性タブを含む
ことができる。このタブは、筒形外側導体３４の末端３
４ａから突き出している。タブ４４はランプカプセル１
２に対してその長さおよび位置を調節され、ランプカプ
セル１２への高周波電力の伝達を最大にし、そして反射
される高周波電力を最小にする。
【００２８】中央導体アセンブリ２８は、１つの中空筒
形中央導体３２を含むことができ、この中央導体はアプ
リケータ軸３８上の筒形外側導体３４に対して同軸的に
位置決めされる。中央導体３２の末端３２ａは、ランプ
カプセル１２の放電体積の第１の端に、またはその近く
に位置決めされ、そして放電体積２２における電界の整
形のために外側にフレアとされることができる。放電外
被２０のランプステム２４は、中空中央導体３２内に位
置決めされ、そして例えばコトロニクス第８０９のよう
な高温セメントによってその位置に固定されている。標
準的には、中央導体３２の末端３２ａは、筒形外側導体
３４の末端３４ａを越えて伸びており、その結果筒形外
側導体３４の末端３４ａは図１に示されるように、ラン
プカプセル１２から空間的に隔てられている。
形中央導体３２を含むことができ、この中央導体はアプ
リケータ軸３８上の筒形外側導体３４に対して同軸的に
位置決めされる。中央導体３２の末端３２ａは、ランプ
カプセル１２の放電体積の第１の端に、またはその近く
に位置決めされ、そして放電体積２２における電界の整
形のために外側にフレアとされることができる。放電外
被２０のランプステム２４は、中空中央導体３２内に位
置決めされ、そして例えばコトロニクス第８０９のよう
な高温セメントによってその位置に固定されている。標
準的には、中央導体３２の末端３２ａは、筒形外側導体
３４の末端３４ａを越えて伸びており、その結果筒形外
側導体３４の末端３４ａは図１に示されるように、ラン
プカプセル１２から空間的に隔てられている。
【００２９】中央導体３２と、そして外側導体３４と
は、高周波コネクタ５０および同軸ケーブル５２を通し
て高周波源５４に接続される。特に、外側導体３４の基
部端３４ｂは、コネクタ５０の外側導体５６に接続され
ている。中央導体アセンブリ２８は、さらに、中央導体
３２の基部端３２ｂとコネクタ５０の中央導体５８との
間に接続されているフィードワイヤ６０を含んでいる。
は、高周波コネクタ５０および同軸ケーブル５２を通し
て高周波源５４に接続される。特に、外側導体３４の基
部端３４ｂは、コネクタ５０の外側導体５６に接続され
ている。中央導体アセンブリ２８は、さらに、中央導体
３２の基部端３２ｂとコネクタ５０の中央導体５８との
間に接続されているフィードワイヤ６０を含んでいる。
【００３０】ワイヤ６４を含むことができる１つのイン
ピーダンス整合用素子が筒形中央導体３２の基部端３２
ｂと外側導体３４との間に接続されている。フィードワ
イヤ６０は、中央導体３２またはワイヤ６４上のポイン
ト６２に接続されている。このポイントは、ランプカプ
セル１２への高周波電力の最適伝達を可能とするように
選択されている。２．４５ＧＨｚにおいて動作する１つ
の実施例においては、フィードワイヤ６０はグランドか
ら約１ないし２センチメータのワイヤ６０上のポイント
に接続される。本発明の範囲内において、異なるインピ
ーダンス整合用素子を用いることができるのは理解され
るであろう。適切に設計された同軸アプリケータにおい
ては、インピーダンス整合用素子は必要とされない。一
般的には高周波電力は、源５４から中央導体３２および
外側導体３４へと結合され、その結果、低い反射および
放射電力をもってランプカプセル１２に高周波電力が伝
達される。
ピーダンス整合用素子が筒形中央導体３２の基部端３２
ｂと外側導体３４との間に接続されている。フィードワ
イヤ６０は、中央導体３２またはワイヤ６４上のポイン
ト６２に接続されている。このポイントは、ランプカプ
セル１２への高周波電力の最適伝達を可能とするように
選択されている。２．４５ＧＨｚにおいて動作する１つ
の実施例においては、フィードワイヤ６０はグランドか
ら約１ないし２センチメータのワイヤ６０上のポイント
に接続される。本発明の範囲内において、異なるインピ
ーダンス整合用素子を用いることができるのは理解され
るであろう。適切に設計された同軸アプリケータにおい
ては、インピーダンス整合用素子は必要とされない。一
般的には高周波電力は、源５４から中央導体３２および
外側導体３４へと結合され、その結果、低い反射および
放射電力をもってランプカプセル１２に高周波電力が伝
達される。
【００３１】本アセンブリのＥＨＩＤランプアセンブリ
は、１３ＭＨｚから２０ＧＨｚの範囲の、どのような周
波数においてでも動作することができる。この周波数範
囲においては、実質的に電力が提供される。標準的に
は、動作周波数はＩＳＭ帯域の１つから選択される。９
１５ＭＨｚおよび２．４５ＧＨｚの付近を中心とする周
波数が特に適用される。
は、１３ＭＨｚから２０ＧＨｚの範囲の、どのような周
波数においてでも動作することができる。この周波数範
囲においては、実質的に電力が提供される。標準的に
は、動作周波数はＩＳＭ帯域の１つから選択される。９
１５ＭＨｚおよび２．４５ＧＨｚの付近を中心とする周
波数が特に適用される。
【００３２】図１に示され、そして上に説明された型式
の同軸電界アプリケータは、小さなＥＨＩＤランプカプ
セルと共に試験された。１つの例においては、放電外被
２０は内径２ミリメータ、外径３ミリメータ、内部長さ
４ミリメータであり、これは２×３×４ランプとして知
られている。放電外被は０．０４ミリグラムが適量であ
るような０．０２ミリグラムから０．０５ミリグラムの
範囲のヨウ化Ｎａ−Ｓｃのような揮発性塩と０．５ミリ
グラムが適量であるような０から１ミリグラムの範囲で
満たされた水銀と、そして５トルの冷却時圧力であるこ
とが望ましいような０．１トルから１００トルの範囲の
スタートを補助する不活性ガスで満たされている。不活
性ガスはネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、又
はそれらのガスと、アルゴンであることが望ましいよう
なガスとの混合物であっても良い。ランプカプセルは約
１から３０気圧の範囲の放電時動作用圧力を有してい
る。
の同軸電界アプリケータは、小さなＥＨＩＤランプカプ
セルと共に試験された。１つの例においては、放電外被
２０は内径２ミリメータ、外径３ミリメータ、内部長さ
４ミリメータであり、これは２×３×４ランプとして知
られている。放電外被は０．０４ミリグラムが適量であ
るような０．０２ミリグラムから０．０５ミリグラムの
範囲のヨウ化Ｎａ−Ｓｃのような揮発性塩と０．５ミリ
グラムが適量であるような０から１ミリグラムの範囲で
満たされた水銀と、そして５トルの冷却時圧力であるこ
とが望ましいような０．１トルから１００トルの範囲の
スタートを補助する不活性ガスで満たされている。不活
性ガスはネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、又
はそれらのガスと、アルゴンであることが望ましいよう
なガスとの混合物であっても良い。ランプカプセルは約
１から３０気圧の範囲の放電時動作用圧力を有してい
る。
【００３３】本発明の同軸電界アプリケータに用いられ
るランプカプセルは標準的に大まかな円筒形状を有して
いる。しかし、球形、半球形扁長および扁円楕円形、お
よび収縮された、または狭い中央部で詰められた工業用
ランプのような他の放電外被形状もまた本発明の範囲内
において用いることができる。ランプカプセルが可視光
線を発生するように設計されているときには、水晶の放
電外被が用いられることがある。高周波電力による励起
に応答して、可視光線、赤外線放射または紫外線放射を
発生させるため、化学添加材料が選択される。ナトリウ
ムおよびヨウ化スカンジウムのようなハロゲン化金属塩
またはヨウ化希土塩および水銀が放電の間に可視光線を
発生するために用いることができる。りんまたは水銀
は、放電の間に紫外放射を発生させるために用いること
ができる。ヨウ化セシウムは、放電の間に赤外放射を発
生するために用いることができる。望まれるスペクトル
を持つ放射を発生させるため、他の化学添加材料が当業
技術者によって知られている。
るランプカプセルは標準的に大まかな円筒形状を有して
いる。しかし、球形、半球形扁長および扁円楕円形、お
よび収縮された、または狭い中央部で詰められた工業用
ランプのような他の放電外被形状もまた本発明の範囲内
において用いることができる。ランプカプセルが可視光
線を発生するように設計されているときには、水晶の放
電外被が用いられることがある。高周波電力による励起
に応答して、可視光線、赤外線放射または紫外線放射を
発生させるため、化学添加材料が選択される。ナトリウ
ムおよびヨウ化スカンジウムのようなハロゲン化金属塩
またはヨウ化希土塩および水銀が放電の間に可視光線を
発生するために用いることができる。りんまたは水銀
は、放電の間に紫外放射を発生させるために用いること
ができる。ヨウ化セシウムは、放電の間に赤外放射を発
生するために用いることができる。望まれるスペクトル
を持つ放射を発生させるため、他の化学添加材料が当業
技術者によって知られている。
【００３４】２０ワットＥＨＩＤランプカプセルととも
に動作するための図１に示されるような同軸電界アプリ
ケータの１つの例においては、筒形外側導体３４は０．
３１インチの外径と０．２６インチの内径と、そして
０．８０インチの長さとを有している。外側リング３６
は０．１２５インチの内径を有し、そして０．０３０イ
ンチの直径のワイヤによって製造された。６つのケージ
ワイヤはランプカプセル１２の周りに６０度だけ隔てら
れている。ケージワイヤ４０は、各々１．３０インチの
長さを有しており、そして０．０２０インチの直径のワ
イヤで作られている。中央導体３２は０．１２５インチ
の外径と、そして０．０１０インチの壁厚とを有してい
る。中央導体３２の筒形部分は、約０．４７インチの長
さを有している。コネクタ５０は、標準的なＳＭＡ導体
であり、そしてフィードワイヤ６０は約０．４２インチ
の長さおよび０．０２５インチの直径を有している。こ
のランプは、２．４５ＧＨｚの周波数で動作する。
に動作するための図１に示されるような同軸電界アプリ
ケータの１つの例においては、筒形外側導体３４は０．
３１インチの外径と０．２６インチの内径と、そして
０．８０インチの長さとを有している。外側リング３６
は０．１２５インチの内径を有し、そして０．０３０イ
ンチの直径のワイヤによって製造された。６つのケージ
ワイヤはランプカプセル１２の周りに６０度だけ隔てら
れている。ケージワイヤ４０は、各々１．３０インチの
長さを有しており、そして０．０２０インチの直径のワ
イヤで作られている。中央導体３２は０．１２５インチ
の外径と、そして０．０１０インチの壁厚とを有してい
る。中央導体３２の筒形部分は、約０．４７インチの長
さを有している。コネクタ５０は、標準的なＳＭＡ導体
であり、そしてフィードワイヤ６０は約０．４２インチ
の長さおよび０．０２５インチの直径を有している。こ
のランプは、２．４５ＧＨｚの周波数で動作する。
【００３５】上に説明された通りに構成された代表的な
２０ワットＥＨＩＤランプの特性が図２に描かれてい
る。軌線１１０は、ナノメータ毎にミリワットで表した
スペクトル配分を描いている。４０２２．７Ｋの関連す
る色温度を持つランプは、構成された集積球体において
測定して、７９の全体的な色表現指標（ＣＲＩ）を有
し、そして１３５３ルーメン出力を発生した。このラン
プは、黒体位置１１４上に位置決めされた、白色光線を
発生すると思われるランプを表しているｘ及びｙ色彩座
標１１２を発生する。スポット分光測光計によって行わ
れた輝度測定は、５０ワットハロゲン管が約１５Ｃｄ／
ｍｍ2であるのに比し、５５Ｃｄ／ｍｍ2であった。光束
出力、色及びＣＲＩは小さなランプとしては印象的なも
のであった。
２０ワットＥＨＩＤランプの特性が図２に描かれてい
る。軌線１１０は、ナノメータ毎にミリワットで表した
スペクトル配分を描いている。４０２２．７Ｋの関連す
る色温度を持つランプは、構成された集積球体において
測定して、７９の全体的な色表現指標（ＣＲＩ）を有
し、そして１３５３ルーメン出力を発生した。このラン
プは、黒体位置１１４上に位置決めされた、白色光線を
発生すると思われるランプを表しているｘ及びｙ色彩座
標１１２を発生する。スポット分光測光計によって行わ
れた輝度測定は、５０ワットハロゲン管が約１５Ｃｄ／
ｍｍ2であるのに比し、５５Ｃｄ／ｍｍ2であった。光束
出力、色及びＣＲＩは小さなランプとしては印象的なも
のであった。
【００３６】電圧反射係数の測定は、同軸電界アプリケ
ータの品質係数又は”Ｑ”を確立する。アプリケータが
エネルギーをランプカプセルに結合させる効率を表すこ
の係数は、ランプカプセルが発光しているときと発光し
ていないときに測定された２つの品質係数を比較するこ
とによって求められる。本発明のランプアセンブリの結
合効率は８０〜９０％の範囲にあることが測定されてい
るのに比し、従来技術による平坦アプリケータにおいて
はその値は４０〜７０％である。放射される高周波電力
は入力の１％未満であることが測定され、そしてアプリ
ケータ及びランプカプセルは可視的な特性変化なしで金
属表面の近くにどのような向きにでもおくことができ
る。
ータの品質係数又は”Ｑ”を確立する。アプリケータが
エネルギーをランプカプセルに結合させる効率を表すこ
の係数は、ランプカプセルが発光しているときと発光し
ていないときに測定された２つの品質係数を比較するこ
とによって求められる。本発明のランプアセンブリの結
合効率は８０〜９０％の範囲にあることが測定されてい
るのに比し、従来技術による平坦アプリケータにおいて
はその値は４０〜７０％である。放射される高周波電力
は入力の１％未満であることが測定され、そしてアプリ
ケータ及びランプカプセルは可視的な特性変化なしで金
属表面の近くにどのような向きにでもおくことができ
る。
【００３７】無電極ランプアセンブリ１０が反射器１５
０内に取り付けられている光源の一例が、図３に示され
ている。この実施例においては、反射器１５０は電界ア
プリケータ１６の全体を収容できるほど十分に大きい。
アプリケータ１６は、反射器１５０の背面における開口
を通して突き出している。ケージワイヤ４０による影の
投射は、ワイヤの直径を減ずることにより、および／ま
たは遠視野光ビームを均一にするよう、反射器１５０上
にまだらの、または艶消しのレンズを用いることにより
最小とすることができる。たとえば、そのような光源
は、自動車用ヘッドランプアセンブリに用いることがで
きる。
０内に取り付けられている光源の一例が、図３に示され
ている。この実施例においては、反射器１５０は電界ア
プリケータ１６の全体を収容できるほど十分に大きい。
アプリケータ１６は、反射器１５０の背面における開口
を通して突き出している。ケージワイヤ４０による影の
投射は、ワイヤの直径を減ずることにより、および／ま
たは遠視野光ビームを均一にするよう、反射器１５０上
にまだらの、または艶消しのレンズを用いることにより
最小とすることができる。たとえば、そのような光源
は、自動車用ヘッドランプアセンブリに用いることがで
きる。
【００３８】同軸電界アプリケータ１６のコネクタ５０
は、高周波源１５２に接続される。１２ボルトＤＣ電源
１５４は、ＤＣ電圧を高周波源１５２に供給する。紫外
線源１５６のような、ＥＨＩＤランプカプセル１２のた
めのスタータは、ランプカプセル１２への視界のライン
内において反射器１５０内に取り付けられる。紫外線源
１５６は低電力スタート用電源１５８からの電気エネル
ギーを受け取る。無電極ランプカプセル内に放電を開始
させるための種々の装置は、当業技術者によって知られ
ている。
は、高周波源１５２に接続される。１２ボルトＤＣ電源
１５４は、ＤＣ電圧を高周波源１５２に供給する。紫外
線源１５６のような、ＥＨＩＤランプカプセル１２のた
めのスタータは、ランプカプセル１２への視界のライン
内において反射器１５０内に取り付けられる。紫外線源
１５６は低電力スタート用電源１５８からの電気エネル
ギーを受け取る。無電極ランプカプセル内に放電を開始
させるための種々の装置は、当業技術者によって知られ
ている。
【００３９】図４は、ハロゲン下向き照明装置に用いら
れるような、そして共通的にＭＲ１６ランプとして知ら
れているような、小さな反射器１６０を用いる光源の一
例を示している。この場合には、反射器１６０はケージ
ワイヤ４０がガラスまたはプラスチック反射器の外側に
設けられるほど十分に小さい。ケージワイヤは反射器の
ガラスまたはプラスチック基板上に印刷することもで
き、そしてランプカプセル１２の近傍において蜘蛛の巣
状構造によって外側リング３６に接続されることもでき
る。この構造の利点は、ケージワイヤ４０が反射器の作
用範囲上に影を投射しないことである。
れるような、そして共通的にＭＲ１６ランプとして知ら
れているような、小さな反射器１６０を用いる光源の一
例を示している。この場合には、反射器１６０はケージ
ワイヤ４０がガラスまたはプラスチック反射器の外側に
設けられるほど十分に小さい。ケージワイヤは反射器の
ガラスまたはプラスチック基板上に印刷することもで
き、そしてランプカプセル１２の近傍において蜘蛛の巣
状構造によって外側リング３６に接続されることもでき
る。この構造の利点は、ケージワイヤ４０が反射器の作
用範囲上に影を投射しないことである。
【００４０】本発明による無電極ランプアセンブリの第
２の実施例が図５に示されている。図１と図５における
同様な素子は同じ参照番号を有している。図５の実施例
においては、中央導体アセンブリ２８はさらに、中央導
体３２の末端３２ａの付近に位置決めされたガードリン
グ２１０を含んでいる。ガードリング２１０は、１つま
たはそれ以上の支持ワイヤ２１２、２１４によって中央
導体３２に接続される。支持ワイヤの望ましい数は、２
または３ワイヤである。ガードリング２１０は、中央導
体３２からの電界をランプアセンブリの軸３８に沿って
集中させ、またはガイドし、これによって単に１つの端
を活性させるのではなく、比較的一様にランプカプセル
２０を活性させることができる。結果として、ＥＨＩＤ
ランプは、等しい電力で稼動し、ガードリング２１０が
用いられているときには、その最も熱いポイントにおい
ても、より冷えた温度を有することになり、結果的によ
り長い寿命を持つ。ランプの明るさと、そして多分、照
明効率もまた改善される。
２の実施例が図５に示されている。図１と図５における
同様な素子は同じ参照番号を有している。図５の実施例
においては、中央導体アセンブリ２８はさらに、中央導
体３２の末端３２ａの付近に位置決めされたガードリン
グ２１０を含んでいる。ガードリング２１０は、１つま
たはそれ以上の支持ワイヤ２１２、２１４によって中央
導体３２に接続される。支持ワイヤの望ましい数は、２
または３ワイヤである。ガードリング２１０は、中央導
体３２からの電界をランプアセンブリの軸３８に沿って
集中させ、またはガイドし、これによって単に１つの端
を活性させるのではなく、比較的一様にランプカプセル
２０を活性させることができる。結果として、ＥＨＩＤ
ランプは、等しい電力で稼動し、ガードリング２１０が
用いられているときには、その最も熱いポイントにおい
ても、より冷えた温度を有することになり、結果的によ
り長い寿命を持つ。ランプの明るさと、そして多分、照
明効率もまた改善される。
【００４１】１つの例においては０．０２０インチの外
径のワイヤで製造されたガードリング２１０は０．３０
インチの外径を有し、そして中央導体３２の末端３２ａ
と同一面にあることができる。このガードリング構造
は、３ミリメータの外径と６ミリメータの長さを有する
２０ワットランプ用に適しており、良好な照射野形状を
提供し、そしてランプからの極めて小さな光を阻止す
る。より長いランプカプセルは、より大きなガードリン
グを、および／または中央導体３２の前に置かれたガー
ドリングを利用する。ガードリングが同軸アプリケータ
内で内曲するかご形構造とともに用いられるとき、ガー
ドリングが特に良好に働くのは、このかご形構造もまた
電界をガイドすることを助けるからである。１つまたは
それ以上のガードリングがランプカプセル２０の近傍に
おける電界を整形するのに用いることができる。ガード
リングは、軸３８に沿った同じ、または異なる位置を持
つことができる。ガードリングはまた、他の同軸電界ア
プリケータ（ときどき終端取付具と呼ばれる）におい
て、および平坦なアプリケータにおいても用いることが
できる。ガードリングの付加的利益は、電界アプリケー
タの共振周波数を低めることであり、この結果全体の構
造が数ミリメータ短くされる。ガードリングのためのサ
ポートは、中央導体３２に沿ったいずれかの都合良いポ
イントに取り付けることができる。
径のワイヤで製造されたガードリング２１０は０．３０
インチの外径を有し、そして中央導体３２の末端３２ａ
と同一面にあることができる。このガードリング構造
は、３ミリメータの外径と６ミリメータの長さを有する
２０ワットランプ用に適しており、良好な照射野形状を
提供し、そしてランプからの極めて小さな光を阻止す
る。より長いランプカプセルは、より大きなガードリン
グを、および／または中央導体３２の前に置かれたガー
ドリングを利用する。ガードリングが同軸アプリケータ
内で内曲するかご形構造とともに用いられるとき、ガー
ドリングが特に良好に働くのは、このかご形構造もまた
電界をガイドすることを助けるからである。１つまたは
それ以上のガードリングがランプカプセル２０の近傍に
おける電界を整形するのに用いることができる。ガード
リングは、軸３８に沿った同じ、または異なる位置を持
つことができる。ガードリングはまた、他の同軸電界ア
プリケータ（ときどき終端取付具と呼ばれる）におい
て、および平坦なアプリケータにおいても用いることが
できる。ガードリングの付加的利益は、電界アプリケー
タの共振周波数を低めることであり、この結果全体の構
造が数ミリメータ短くされる。ガードリングのためのサ
ポートは、中央導体３２に沿ったいずれかの都合良いポ
イントに取り付けることができる。
【００４２】定格２０ワットの（内径２ミリメータ、外
径３ミリメータ、長さ６ミリメータの、Ｎａ−Ｓｃ化学
物質と０．４ミリグラムの水銀とを持つ）ＥＨＩＤラン
プカプセルは、ガードリングを持つアプリケータと、そ
してガードリングを持たないアプリケータの両方におい
て試験された。ガードリングを持たないアプリケータ内
で動作するランプカプセルは、ランプカプセルの一方の
端と他の端との間で３００℃の温度差異を示した。ガー
ドリングは、この温度差異を除去し、そしてランプ上の
最も熱い温度を１５０℃だけ低減させた。加えて、ガー
ドリングを持つランプの輝度は、６７Ｃｄ／ｍｍ2であ
り、これに比してガードリングを持たないランプに関し
ては、６０Ｃｄ／ｍｍ2であった。
径３ミリメータ、長さ６ミリメータの、Ｎａ−Ｓｃ化学
物質と０．４ミリグラムの水銀とを持つ）ＥＨＩＤラン
プカプセルは、ガードリングを持つアプリケータと、そ
してガードリングを持たないアプリケータの両方におい
て試験された。ガードリングを持たないアプリケータ内
で動作するランプカプセルは、ランプカプセルの一方の
端と他の端との間で３００℃の温度差異を示した。ガー
ドリングは、この温度差異を除去し、そしてランプ上の
最も熱い温度を１５０℃だけ低減させた。加えて、ガー
ドリングを持つランプの輝度は、６７Ｃｄ／ｍｍ2であ
り、これに比してガードリングを持たないランプに関し
ては、６０Ｃｄ／ｍｍ2であった。
【００４３】打ち出し、またはエッチングによって製造
されるガードリング２３０の実例が図６に示されてい
る。ガードリング２３０は、外側リング２３２と、内側
リング２３４と、そして放射タブ２３６とを含んでい
る。タブ２３６は、下向きに折れ曲がっており、そして
中央導体３２の外側表面に固定される。
されるガードリング２３０の実例が図６に示されてい
る。ガードリング２３０は、外側リング２３２と、内側
リング２３４と、そして放射タブ２３６とを含んでい
る。タブ２３６は、下向きに折れ曲がっており、そして
中央導体３２の外側表面に固定される。
【００４４】本発明の同軸電界アプリケータの第３の実
施例が図７〜図９に示されている。ＥＨＩＤランプカプ
セルは図７〜図９から除外されている。図７に示されて
いる中央導体アセンブリ３０８は、筒形中央導体３１０
と、フィードワイヤ３１２と、そしてベース３１４とを
含んでいる。フィードワイヤ３１２は、中央導体３１０
の中間ポイント３２０に接続されており、そしてベース
３１４は、中央導体３１０の基部端３２２に接続されて
いる。ベース３１４は、電界アプリケータの（図７には
示されていない）外側導体への接続を提供し、そしてイ
ンピーダンス整合装置として機能する。ベース３１４
は、中央の穴３１８とつながっている開口３１６を含ん
でいる。フィードワイヤ３１２は、開口３１６と中央の
穴３１８を通して高周波コネクタの中央導体に接続す
る。図８に示されるように、中央導体アセンブリはま
た、中央導体３１０の末端に固定されたガードリング３
２０を含んでいる。
施例が図７〜図９に示されている。ＥＨＩＤランプカプ
セルは図７〜図９から除外されている。図７に示されて
いる中央導体アセンブリ３０８は、筒形中央導体３１０
と、フィードワイヤ３１２と、そしてベース３１４とを
含んでいる。フィードワイヤ３１２は、中央導体３１０
の中間ポイント３２０に接続されており、そしてベース
３１４は、中央導体３１０の基部端３２２に接続されて
いる。ベース３１４は、電界アプリケータの（図７には
示されていない）外側導体への接続を提供し、そしてイ
ンピーダンス整合装置として機能する。ベース３１４
は、中央の穴３１８とつながっている開口３１６を含ん
でいる。フィードワイヤ３１２は、開口３１６と中央の
穴３１８を通して高周波コネクタの中央導体に接続す
る。図８に示されるように、中央導体アセンブリはま
た、中央導体３１０の末端に固定されたガードリング３
２０を含んでいる。
【００４５】外側導体アセンブリは、筒形外側導体３３
０と、外側リング３３２と、そして外側リング３３２と
筒形外側導体３３０とを相互接続するケージワイヤ３３
４とを含んでいる。ケージワイヤ３３４は、４５°だけ
離れた８つのケージワイヤを持つ、かご形構造を形成す
る。中央導体アセンブリはまた、同軸電界アプリケータ
のの共振周波数を調節するために外側導体３３０に取り
付けられたタブ３３６を含んでいる。
０と、外側リング３３２と、そして外側リング３３２と
筒形外側導体３３０とを相互接続するケージワイヤ３３
４とを含んでいる。ケージワイヤ３３４は、４５°だけ
離れた８つのケージワイヤを持つ、かご形構造を形成す
る。中央導体アセンブリはまた、同軸電界アプリケータ
のの共振周波数を調節するために外側導体３３０に取り
付けられたタブ３３６を含んでいる。
【００４６】本発明による無電極ランプアセンブリの第
４の実施例が図１０および図１１に示されている。図１
０および図１１の実施例は、より高い電力のランプカプ
セルに適切であるが、しかし高電力ランプカプセルとの
使用に限定されているわけではない。ランプカプセル４
０８と、同軸電界アプリケータ４１０とを含む図１０お
よび図１１のランプアセンブリは、１５０ワットの入力
電力を有している。ランプカプセル４０８は、８ミリメ
ータの外径と、４ミリメータの内径と、そして１５ミリ
メータの内側長を有している。同軸電界アプリケータ４
１０の中央導体アセンブリは、筒形中央導体４１２と、
フィードワイヤ４１４と、そしてベース４１６とを含ん
でいる。ランプカプセル４０８のステム４２０は、筒形
中央導体４１２の中に伸びている。フィードワイヤ４１
４は、中央導体４１２の中間ポイントと、同軸コネクタ
４２６の中心ピン４２４との間に接続されている。
４の実施例が図１０および図１１に示されている。図１
０および図１１の実施例は、より高い電力のランプカプ
セルに適切であるが、しかし高電力ランプカプセルとの
使用に限定されているわけではない。ランプカプセル４
０８と、同軸電界アプリケータ４１０とを含む図１０お
よび図１１のランプアセンブリは、１５０ワットの入力
電力を有している。ランプカプセル４０８は、８ミリメ
ータの外径と、４ミリメータの内径と、そして１５ミリ
メータの内側長を有している。同軸電界アプリケータ４
１０の中央導体アセンブリは、筒形中央導体４１２と、
フィードワイヤ４１４と、そしてベース４１６とを含ん
でいる。ランプカプセル４０８のステム４２０は、筒形
中央導体４１２の中に伸びている。フィードワイヤ４１
４は、中央導体４１２の中間ポイントと、同軸コネクタ
４２６の中心ピン４２４との間に接続されている。
【００４７】中央導体アセンブリはさらに、ガードリン
グ構造４３０を含んでいる。ガードリング構造は、第１
ガードリング４３２と第２ガードリング４３４とを含ん
でいる。ガードリング４３２は、ガードリング４３４よ
りも大きな直径を有しており、そしてガードリング４３
４からランプカプセル４０８に向かって軸的に隔てられ
ている。
グ構造４３０を含んでいる。ガードリング構造は、第１
ガードリング４３２と第２ガードリング４３４とを含ん
でいる。ガードリング４３２は、ガードリング４３４よ
りも大きな直径を有しており、そしてガードリング４３
４からランプカプセル４０８に向かって軸的に隔てられ
ている。
【００４８】外側導体アセンブリは、筒形外側導体４４
０と、外側リング４４２と、そして外側リング４４２と
筒形外側導体４４０との間に結合されたケージワイヤ４
４６とを含んでいる。図１０および図１１の実施例にお
いては、３０°間隔で隔てられた１２のケージワイヤ４
４６が、かご形構造を形成する。外側リング４４２は、
中央導体４１２からランプカプセル４０８の反対側の端
に設けられる。
０と、外側リング４４２と、そして外側リング４４２と
筒形外側導体４４０との間に結合されたケージワイヤ４
４６とを含んでいる。図１０および図１１の実施例にお
いては、３０°間隔で隔てられた１２のケージワイヤ４
４６が、かご形構造を形成する。外側リング４４２は、
中央導体４１２からランプカプセル４０８の反対側の端
に設けられる。
【００４９】最適の特性のために、同軸アプリケータの
金属部分は、摂氏数１００度の温度に耐えることができ
る良好な電気的導体によって作られる必要がある。特
に、ランプに接近した部品としては、ニッケルが都合良
く働く。外側の筒は、ニッケル、真鍮または他の材料で
作ることができ、そして電気的コネクタは、標準的なＳ
ＭＡ、ＴＮＣまたは他のパネル取付コネクタであること
ができる。金属部品は、（ＡＷＳ）ＢＡｇ−７のような
銀、合銀またはＢＮｉ−３のようなニッケル合金によっ
て半田付け、またはろう付けによって接合されることが
できる。望ましい実施例は、銀ろう付けを用いている。
試作ケージは６から１２のワイヤをジグ内に保持し、外
側リングを適切な場所にろう付けし、そしてワイヤを適
切な形状に折り曲げることによって作られた。より製造
性の高い設計が図８に示されている。ここでは、ケージ
ワイヤ３３４，外側リング３３２、および外側導体３３
０の全てがニッケルの単独シートからエッチされ、次に
適切な形状に回転され、そしてシーム３３７に沿ってろ
う付けされる。
金属部分は、摂氏数１００度の温度に耐えることができ
る良好な電気的導体によって作られる必要がある。特
に、ランプに接近した部品としては、ニッケルが都合良
く働く。外側の筒は、ニッケル、真鍮または他の材料で
作ることができ、そして電気的コネクタは、標準的なＳ
ＭＡ、ＴＮＣまたは他のパネル取付コネクタであること
ができる。金属部品は、（ＡＷＳ）ＢＡｇ−７のような
銀、合銀またはＢＮｉ−３のようなニッケル合金によっ
て半田付け、またはろう付けによって接合されることが
できる。望ましい実施例は、銀ろう付けを用いている。
試作ケージは６から１２のワイヤをジグ内に保持し、外
側リングを適切な場所にろう付けし、そしてワイヤを適
切な形状に折り曲げることによって作られた。より製造
性の高い設計が図８に示されている。ここでは、ケージ
ワイヤ３３４，外側リング３３２、および外側導体３３
０の全てがニッケルの単独シートからエッチされ、次に
適切な形状に回転され、そしてシーム３３７に沿ってろ
う付けされる。
【００５０】現時点において、本発明の望ましい実施例
と考えられるものが示され、そして説明されたとはい
え、添付されている特許請求の範囲によって規定される
本発明の範囲から離れることなく、種々の変形、および
変更が可能であることは、当業技術者にとって明らかで
あろう。
と考えられるものが示され、そして説明されたとはい
え、添付されている特許請求の範囲によって規定される
本発明の範囲から離れることなく、種々の変形、および
変更が可能であることは、当業技術者にとって明らかで
あろう。
【図１】本発明による無電極ランプアセンブリの第１実
施例の概略断面図である。
施例の概略断面図である。
【図２】本発明による無電極ランプアセンブリの、波長
の関数としてのランプカプセル出力電力のグラフ及びそ
のランプアセンブリの特性を説明する色彩図である。
の関数としてのランプカプセル出力電力のグラフ及びそ
のランプアセンブリの特性を説明する色彩図である。
【図３】無電極ランプアセンブリが反射器内に取り付け
られているような光源の第１の例の概略図である。
られているような光源の第１の例の概略図である。
【図４】無電極ランプアセンブリが反射器内に取り付け
られているような光源の第２の例の概略図である。
られているような光源の第２の例の概略図である。
【図５】本発明による無電極ランプアセンブリの第２の
実施例の概略断面図である。
実施例の概略断面図である。
【図６】図５に示されたガードリングの実現の一例の説
明図である。
明図である。
【図７】本発明の第３の実施例による無電極ランプアセ
ンブリの中央導体の断面図である。
ンブリの中央導体の断面図である。
【図８】第３実施例による同軸電界アプリケータの側面
図である。
図である。
【図９】図８に示された同軸電界アプリケータの上面図
である。
である。
【図１０】本発明による無電極ランプアセンブリの第４
実施例の概略断面図である。
実施例の概略断面図である。
【図１１】図１０に示された無電極ランプアセンブリの
上面図である。
上面図である。
１０ 無電極ランプアセンブリ １２ ランプカプセル １６ 同軸電界アプリケータ ２０ 放電外被 ２２ 放電体積 ２４ ランプステム ２８ 中央導体アセンブリ ３０ 外側導体アセンブリ ３２ 中空筒形中央導体 ３４ 筒形外側導体 ３６ 外側リング ３８ アプリケータ軸 ４０ ケージワイヤ ４４ タブ ５０ 高周波コネクタ ５２ 同軸ケーブル ５４ 高周波源 ５６ 外側導体 ５８ 中央導体 ６０ フィードワイヤ ６２ ポイント ６４ ワイヤ １１２ ｘ及びｙ色彩座標 １１４ 黒体位置 １５０ 反射器 １５２ 高周波源 １５６ 紫外線源 １５８ 低電力スタート用電源 １６０ 反射器 ２１０ ガードリング ２１２，２１４ 支持ワイヤ ２３０ ガードリング ２３２ 外側リング ２３４ 内側リング ２３６ 放射タブ ３０８ 中央導体アセンブリ ３１０ 筒形中央導体 ３１２ フィードワイヤ ３１４ ベース ３１６ 開口 ３１８ 穴 ３２０ 中間ポイント ３２２ 基部端 ３３０ 筒形外側導体 ３３２ 外側リング ３３４ ケージワイヤ ３３６ タブ ３３７ シーム ４０８ ランプカプセル ４１０ 同軸電界アプリケータ ４１２ 筒形中央導体 ４１４ フィードワイヤ ４１６ ベース ４２０ ステム ４２４ 中心ピン ４２６ 同軸コネクタ ４３０ ガードリング構造 ４３２，４３４ ガードリング ４４０ 筒形外側導体 ４４２ 外側リング ４４６ ケージワイヤ
Claims (29)
- 【請求項１】 無電極ランプアセンブリにおいて、 １つの無電極、高輝度放電ランプカプセルと、 １つの同軸電界アプリケータとを含み、 無電極、高輝度放電ランプカプセルは１つの放電体積を
取り囲む１つの光透過形放電外被を含み、 放電体積は、スターティングガスと、そして高周波電力
によって発光発散の状態にまで励起可能な化学添加材料
との混合物を収容し、 同軸電界アプリケータは１つの外側導体アセンブリと１
つの中央導体アセンブリとを含み、 外側導体アセンブリは、前記ランプカプセルの第１の端
に、又はその付近に設けられた１つの末端を有する１つ
の筒形外側導体と、前記ランプカプセルの第２の端に、
又はその付近に設けられた１つの外側リングと、そして
前記外側リングと前記筒形外側導体との間に接続された
複数のケージワイヤとを含み、 中央導体アセンブリは１つの中央導体を含み、 中央導体は、前記筒形外側導体に関して同軸的に位置決
めされており、そして前記ランプカプセルの第１の端
に、またはその付近に設けられた１つの末端を有し、 前記筒形外側導体と前記中央導体とに供給される高周波
電力が前記電界アプリケータによって前記ランプカプセ
ルに結合される、ことを特徴とする無電極ランプアセン
ブリ。 - 【請求項２】 前記中央導体が１つの中空の筒形構造を
有する、請求項１記載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項３】 前記ランプカプセルの放電外被が、前記
中空の筒形中央導体の内部に位置決めされている１つの
ランプステムを含む、請求項２記載の無電極ランプアセ
ンブリ。 - 【請求項４】 前記ケージワイヤが、前記外側リングと
前記筒形外側導体との間に内曲するかご形構造を形成す
る、請求項１記載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項５】 前記かご形構造が、約６から１２のケー
ジワイヤを含み、その各々は前記外側リングと、前記筒
形外側導体の末端との間にループ構造として結合され
る、請求項４記載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項６】 前記筒形度と側導体の末端が前記ランプ
カプセルの第１の端から隔てられている、請求項１記載
の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項７】 前記外側導体アセンブリが、前記筒形外
側導体の末端から突き出している１つまたはそれ以上の
導電性タブをさらに含む、請求項１記載の無電極ランプ
アセンブリ。 - 【請求項８】 前記外側導体アセンブリがさらに、前記
同軸電界アプリケータの周波数特性を調節するために、
前記筒形外側導体に取り付けられた１つの調節用素子を
含む、請求項１記載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項９】 前記中央導体が、前記高周波電力の波長
の約４分の１の長さを有する、請求項１記載の無電極ラ
ンプアセンブリ。 - 【請求項１０】 前記高周波電力が約２．４５ＧＨｚの
周波数を有する、請求項１記載の無電極ランプアセンブ
リ。 - 【請求項１１】 前記高周波電力が、約１３ＭＨｚから
２０ＧＨｚの範囲における周波数を有する、請求項１記
載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項１２】 前記電界アプリケータの中央導体に電
気的に結合された１つの中央導体と、そして前記電界ア
プリケータの筒形外側導体に電気的に結合された１つの
外側導体とを有する１つの高周波コネクタをさらに含
む、請求項１記載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項１３】 前記中央導体アセンブリがさらに、前
記高周波コネクタの中央導体と、前記電界アプリケータ
の中央導体との間に接続された１つのフィードワイヤを
含む、請求項１２記載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項１４】 前記同軸電界アプリケータがさらに、
前記中央導体と前記筒形外側導体との間に結合された１
つのインピーダンス整合素子を含む、請求項１記載の無
電極ランプアセンブリ。 - 【請求項１５】 前記インピーダンス整合素子が１つの
ワイヤを含む、請求項１４記載の無電極ランプアセンブ
リ。 - 【請求項１６】 前記中央導体アセンブリがさらに、前
記電界アプリケータによって発生された電界を、前記ラ
ンプカプセル内に集中するために、前記中央導体に結合
され、そして前記ランプカプセルの第１の端付近に設け
られる１つのガードリングを含む、請求項１記載の無電
極ランプアセンブリ。 - 【請求項１７】 前記ガードリングが、前記中央導体よ
りも大きな直径を有し、 そして導電性構造によって前記中央導体から機械的にサ
ポートされている、請求項１６記載の無電極ランプアセ
ンブリ。 - 【請求項１８】 さらに、１つの反射器を含み、 前記同軸電界アプリケータが前記反射器を通して突き出
している、請求項１記載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項１９】 前記ケージワイヤが、前記外側リング
を前記筒形外側導体との間で前記反射器内部に突き出し
ている、請求項１８記載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項２０】 前記ケージワイヤが、前記外側リング
と前記筒形外側導体との間で前記反射器の外部に突き出
している、請求項１８記載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項２１】 前記放電外被が実質的に円筒形の水晶
外被を含み、 前記化学添加材料がハロゲン化金属塩と水銀とを含む、
請求項１記載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項２２】 前記複数のケージワイヤが、前記ラン
プカプセルの周りに約６０度間隔に離れて設けられた６
つのワイヤを含む、請求項１記載の無電極ランプアセン
ブリ。 - 【請求項２３】 前記複数のケージワイヤが、前記ラン
プカプセルの周りに約４５度間隔で離れて設けられた８
つのケージワイヤを含む、請求項１記載の無電極ランプ
アセンブリ。 - 【請求項２４】 前記化学添加材料がナトリウムとヨウ
化スカンジウム塩および水銀を含み、 前記スターティングガスがアルゴンを含み、 前記ランプカプセルが放電の間に可視光線を発生する、
請求項１記載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項２５】 放電の間に紫外線放射を発生するため
に、前記化学添加材料が燐または水銀を含む、請求項１
記載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項２６】 放電の間に赤外線放射を発生するため
に、前記化学添加材料がヨウ化セシウムを含む、請求項
１記載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項２７】 高周波電力を無電極高輝度放電ランプ
カプセルに結合させるための同軸電界アプリケータにお
いて、 １つの外側導体アセンブリと、 １つの中央導体アセンブリとを含み、 外側導体アセンブリは、ランプカプセルの第１の端に、
又はその付近に位置決めされる１つの末端を有する１つ
の筒形外側導体と、ランプカプセルの第２の端に、又は
その付近に位置決めされる１つの外側リングと、そして
前記外側リングと前記筒形外側導体との間に接続される
複数のケージワイヤとを含み、 中央導体アセンブリは、１つの中央導体を含み、 中央導体は、筒形外側導体に関して同軸的に位置決めさ
れており、そしてランプカプセルの第１の端に、又はそ
の付近に位置決めされる１つの末端を有しており、 筒形外側導体と中央導体とに供給される高周波電力は電
界アプリケータによってランプカプセルに結合される、
ことを特徴とする同軸電界アプリケータ。 - 【請求項２８】 無電極光源において、 １つの反射器と、 １つの高周波電力源と、 １つの無電極高輝度放電ランプカプセルとを含み、 ランプカプセルは１つの透過性放電外被を含み、 透過性放電外被は、スターティングガスと、そして高周
波電力によって発光発散の状態にまで励起されることの
できる化学添加材料との混合物を収容する放電体積を取
り囲み、 同軸電界アプリケータは、１つの外側導体アセンブリ
と、１つの中央導体アセンブリとを含み、 外側導体アセンブリは、前記ランプカプセルの第１の端
に、又はその付近に設けられた１つの末端を有する１つ
の筒形外側導体と、前記ランプカプセルの第２の端に、
又はその付近に設けられた１つの外側リングと、そして
前記外側リングと前記筒形外側導体との間に接続された
複数のケージワイヤとを含み、 中央導体アセンブリは、１つの中央導体を含み、 中央導体は、前記筒形外側導体に関して同軸的に位置決
めされ、そして前記ランプカプセルの第１の端に、又は
その付近に設けられた１つの末端を有し、 前記同軸電界アプリケータは、前記反射器内に取り付け
られ、そして前記高周波電力源に接続され、 高周波電力は前記同軸電界アプリケータによって前記高
周波電力源から前記ランプカプセルに結合される、こと
を特徴とする無電極光源。 - 【請求項２９】 無電極ランプアセンブリにおいて、 １つの無電極、高輝度放電ランプカプセルと、 １つの同軸電界アプリケータとを含み、 同軸電界アプリケータは１つの外側導体と、１つの中央
導体アセンブリとを含み、 外側導体は、前記ランプカプセルに、又はその付近に設
けられた１つの末端を有し、 中央導体アセンブリは、１つの中央導体と、１つのガー
ドリング構造とを含み、 中央導体は、前記外側導体に関して同軸的に位置決めさ
れ、そして前記ランプカプセルに、又はその付近に設け
られた１つの末端を有し、 ガードリング構造は前記中央導体に結合され、そして前
記ランプカプセル付近に設けられて、前記電界アプリケ
ータによって発生された電界を前記ランプカプセル内に
集中させ、 前記外側導体及び前記中央導体に供給される高周波電力
が前記電界アプリケータによって前記ランプカプセルに
結合される、ことを特徴とする無電極ランプアセンブ
リ。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US7663198P | 1998-03-03 | 1998-03-03 | |
| US09/233,867 US6107752A (en) | 1998-03-03 | 1999-01-19 | Coaxial applicators for electrodeless high intensity discharge lamps |
| US09/233867 | 1999-01-19 | ||
| US60/076631 | 1999-01-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11317205A true JPH11317205A (ja) | 1999-11-16 |
Family
ID=26758307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11054163A Pending JPH11317205A (ja) | 1998-03-03 | 1999-03-02 | 無電極ランプアセンブリ、高輝度放電ランプ用の同軸アプリケ―タおよび無電極電源 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6107752A (ja) |
| EP (1) | EP0940842A3 (ja) |
| JP (1) | JPH11317205A (ja) |
| CA (1) | CA2260466A1 (ja) |
| HU (1) | HUP9900437A3 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100339574B1 (ko) * | 1999-11-30 | 2002-06-03 | 구자홍 | 무전극 램프의 집광구조 |
| JP2007305518A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Totsuken:Kk | 放電管および放電管装置 |
| JP2013120669A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Acorn Logic Technology Co Ltd | 電磁誘導型放電ランプシステム |
| JP2022111087A (ja) * | 2021-01-19 | 2022-07-29 | アトラス マテリアル テスティング テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 人工曝露のための装置における放射線源としてのプラズマランプ |
| WO2025113733A1 (de) * | 2023-11-27 | 2025-06-05 | neonsee GmbH | Hochfrequenzplasmalichtquelle |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1326494B1 (en) * | 2000-08-18 | 2005-05-18 | The Research And Development Institute, Inc | Pseudomycins useful against plant diseases |
| US6696802B1 (en) | 2002-08-22 | 2004-02-24 | Fusion Uv Systems Inc. | Radio frequency driven ultra-violet lamp |
| US20060290285A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Osram Sylvania Inc. | Rapid Warm-up Ceramic Metal Halide Lamp |
| GB2468580A (en) * | 2009-03-10 | 2010-09-15 | Osram Ges Mit Beschrankter | Electrodeless high pressure discharge lamp with cage wire support structure |
| US8476831B2 (en) | 2009-03-10 | 2013-07-02 | Osram Sylvania Inc. | Dielectric-loaded field applicator for EHID lamps and EHID lamp assembly containing same |
| GB2472486A (en) * | 2009-07-30 | 2011-02-09 | Osram Gmbh | Electrodeless high pressure discharge lamp with cage wire support structure |
| CN103457011B (zh) * | 2013-09-11 | 2015-06-03 | 北京美电环宇科技有限公司 | 同轴微波谐振腔和照明设备 |
| JP6494339B2 (ja) | 2015-03-10 | 2019-04-03 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、露光装置、及び物品の製造方法 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4001632A (en) * | 1975-04-21 | 1977-01-04 | Gte Laboratories Incorporated | High frequency excited electrodeless light source |
| US3943403A (en) * | 1975-04-21 | 1976-03-09 | Gte Laboratories Incorporated | Electrodeless light source utilizing a lamp termination fixture having parallel capacitive impedance matching capability |
| US3942058A (en) * | 1975-04-21 | 1976-03-02 | Gte Laboratories Incorporated | Electrodeless light source having improved arc shaping capability |
| US3942068A (en) * | 1975-04-21 | 1976-03-02 | Gte Laboratories Incorporated | Electrodeless light source with a termination fixture having an improved center conductor for arc shaping capability |
| US3995195A (en) * | 1975-11-17 | 1976-11-30 | Gte Laboratories Incorporated | Eccentric termination fixture for an electrodeless light |
| US4185228A (en) * | 1978-10-19 | 1980-01-22 | Gte Laboratories Incorporated | Electrodeless light source with self-contained excitation source |
| US4189661A (en) * | 1978-11-13 | 1980-02-19 | Gte Laboratories Incorporated | Electrodeless fluorescent light source |
| US4223250A (en) * | 1978-12-22 | 1980-09-16 | Gte Laboratories Incorporated | Protective coatings for light sources |
| US4247800A (en) * | 1979-02-02 | 1981-01-27 | Gte Laboratories Incorporated | Radioactive starting aids for electrodeless light sources |
| US4266162A (en) * | 1979-03-16 | 1981-05-05 | Gte Laboratories Incorporated | Electromagnetic discharge apparatus with double-ended power coupling |
| US4954755A (en) * | 1982-05-24 | 1990-09-04 | Fusion Systems Corporation | Electrodeless lamp having hybrid cavity |
| US4749915A (en) * | 1982-05-24 | 1988-06-07 | Fusion Systems Corporation | Microwave powered electrodeless light source utilizing de-coupled modes |
| US4887192A (en) * | 1988-11-04 | 1989-12-12 | Fusion Systems Corporation | Electrodeless lamp having compound resonant structure |
| US5113121A (en) * | 1990-05-15 | 1992-05-12 | Gte Laboratories Incorporated | Electrodeless HID lamp with lamp capsule |
| US5070277A (en) * | 1990-05-15 | 1991-12-03 | Gte Laboratories Incorporated | Electrodless hid lamp with microwave power coupler |
| DE69112488T2 (de) * | 1990-05-15 | 1996-02-08 | Osram Sylvania Inc | Elektrodenlose Entladungslampe höherer Intensität mit Koppler für ihren Anschluss an einen Mikrowellengenerator. |
| US5144206A (en) * | 1991-09-10 | 1992-09-01 | Gte Products Corporation | Electrodeless HID lamp coupling structure with integral matching network |
| US5241246A (en) * | 1991-09-10 | 1993-08-31 | Gte Laboratories Incorporated | End cup applicators for high frequency electrodeless lamps |
| US5130612A (en) * | 1991-09-11 | 1992-07-14 | Gte Products Corporation | Loop applicator for high frequency electrodeless lamps |
| US5280217A (en) * | 1992-08-14 | 1994-01-18 | Gte Products Corporation | Apparatus for coupling energy to electrodeless lamp applicators |
| US5299100A (en) * | 1992-12-29 | 1994-03-29 | Gte Products Corporation | Microwave powered vehicle lamp |
| US5448135A (en) * | 1993-10-28 | 1995-09-05 | Fusion Lighting, Inc. | Apparatus for coupling electromagnetic radiation from a waveguide to an electrodeless lamp |
| US5525865A (en) * | 1994-02-25 | 1996-06-11 | Fusion Lighting, Inc. | Compact microwave source for exciting electrodeless lamps |
| US5498928A (en) * | 1994-05-24 | 1996-03-12 | Osram Sylvania Inc. | Electrodeless high intensity discharge lamp energized by a rotating electric field |
| US5545953A (en) * | 1995-06-16 | 1996-08-13 | Osram Sylvania Inc. | Electrodeless high intensity discharge lamp having field symmetrizing aid |
| US5818167A (en) * | 1996-02-01 | 1998-10-06 | Osram Sylvania Inc. | Electrodeless high intensity discharge lamp having a phosphorus fill |
| US5990627A (en) * | 1996-10-10 | 1999-11-23 | Osram Sylvania, Inc. | Hot relight system for electrodeless high intensity discharge lamps |
-
1999
- 1999-01-19 US US09/233,867 patent/US6107752A/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-01-27 CA CA002260466A patent/CA2260466A1/en not_active Abandoned
- 1999-02-16 EP EP99103026A patent/EP0940842A3/en not_active Withdrawn
- 1999-02-22 HU HU9900437A patent/HUP9900437A3/hu unknown
- 1999-03-02 JP JP11054163A patent/JPH11317205A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100339574B1 (ko) * | 1999-11-30 | 2002-06-03 | 구자홍 | 무전극 램프의 집광구조 |
| JP2007305518A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Totsuken:Kk | 放電管および放電管装置 |
| JP2013120669A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Acorn Logic Technology Co Ltd | 電磁誘導型放電ランプシステム |
| JP2022111087A (ja) * | 2021-01-19 | 2022-07-29 | アトラス マテリアル テスティング テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 人工曝露のための装置における放射線源としてのプラズマランプ |
| WO2025113733A1 (de) * | 2023-11-27 | 2025-06-05 | neonsee GmbH | Hochfrequenzplasmalichtquelle |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6107752A (en) | 2000-08-22 |
| EP0940842A3 (en) | 2000-02-02 |
| HU9900437D0 (en) | 1999-04-28 |
| HUP9900437A2 (hu) | 1999-10-28 |
| CA2260466A1 (en) | 1999-09-03 |
| EP0940842A2 (en) | 1999-09-08 |
| HUP9900437A3 (en) | 2001-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5113121A (en) | Electrodeless HID lamp with lamp capsule | |
| US5070277A (en) | Electrodless hid lamp with microwave power coupler | |
| US8169152B2 (en) | Plasma lamp with field-concentrating antenna | |
| US5498928A (en) | Electrodeless high intensity discharge lamp energized by a rotating electric field | |
| JPH11317205A (ja) | 無電極ランプアセンブリ、高輝度放電ランプ用の同軸アプリケ―タおよび無電極電源 | |
| EP1458011B1 (en) | Electrodeless lamp system | |
| EP0457242B1 (en) | Electrodeless HID lamp with microwave power coupler | |
| JPH07118209B2 (ja) | 電磁干渉シ―ルドをそなえた無電極高輝度放電ランプ用照明器具 | |
| JPH11345598A (ja) | 無電極ランプ | |
| US8525430B2 (en) | Helical structure and method for plasma lamp | |
| JP3400796B2 (ja) | 無電極放電ランプ装置 | |
| US9177779B1 (en) | Low profile electrodeless lamps with an externally-grounded probe | |
| JPWO2009019978A1 (ja) | 放電ランプ | |
| US8421325B2 (en) | More efficient electrodeless plasma lamp with increased overall capacitance through the use of multiple dielectric and insulating materials | |
| JP2011060506A (ja) | マイクロ波ランプ用の筐体、マイクロ波ランプ、光源装置、プロジェクター | |
| JP4793238B2 (ja) | マイクロ波無電極ランプ、照明装置、プロジェクタ | |
| US20110204782A1 (en) | Plasma Lamp with Dielectric Waveguide Body Having a Width Greater Than a Length | |
| JP2011060505A (ja) | マイクロ波ランプ用の筐体、マイクロ波ランプ、光源装置、プロジェクター | |
| JP3982350B2 (ja) | マイクロ波無電極放電ランプ装置 | |
| JPH0697605B2 (ja) | 無電極放電灯装置 | |
| CN115398596A (zh) | 管状无电极灯 | |
| JP2009181762A (ja) | マイクロ波放電ランプ |