JPH11317172A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光効率が高いプラズマディスプレイパネル
を得る。 【解決手段】 リブ４を介在して互いに対向して放電空
間を形成する第１基板Ｓ１及び第２基板と、第１基板Ｓ
１内部において、互いに平行に延設されたＸ電極７及び
Ｙ電極８とを備え、第１基板Ｓ１は、第２基板側の表面
において、Ｘ電極７及びＹ電極８との間において凹み１
００を呈する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、製造が容易であ
り、かつ高い輝度が高効率で得られるプラズマディスプ
レイパネル（以下、「ＰＤＰ」と称す）の構造に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図１４は、従来の交流駆動型ＰＤＰの構
造の一部を示す斜視図である。このＰＤＰの構造は、現
在最も広く採用されている反射型面放電ＡＣプラズマデ
ィスプレイパネルに関するものであり、例えば『プラズ
マディスプレイ最新技術』（御子柴茂生著、ＥＤリサー
チ社）の図２.２（２０ページ）に示されている。

【０００３】図１４において、１は前面基板（基板本
体）、２は背面基板、３は前面基板１及び背面基板２を
対向に配置して形成される放電空間、４は前面基板１及
び背面基板２を介在して放電空間３の高さを規定し、背
面基板２側の主面に所定の画素ピッチで離間して互いに
平行に設けられたリブ、５は２つのリブ４の間の背面基
板２表面に形成された書込電極、６はリブ４で区画され
た領域内に塗布された蛍光体、７及び８は書込電極５及
びリブ４の延設方向と垂直な方向に前面基板１表面に形
成され、互いに平行するＸ電極及びＹ電極、９及び１０
はＸ電極７及びＹ電極８の各々を構成する透明電極及び
金属電極、１１は前面基板１の背面基板２側主面と、Ｘ
電極７及びＹ電極８とを覆う誘電体層、１２は誘電体層
１１上に設けられたＭｇＯ膜である。また、Ｒ、Ｇ、Ｂ
は、蛍光体６がそれぞれ赤、緑、青に対応していること
を示し、Ｒ、Ｇ、Ｂに関わる３つの放電セルは１つの画
素を構成する。

【０００４】前面基板１、Ｘ電極７、Ｙ電極８、誘電体
層１１及びＭｇＯ膜１２は第１基板Ｓ１を構成し、背面
基板２、リブ４、書込電極５及び蛍光体６は第２基板Ｓ
２を構成する。ＰＤＰは、前面基板Ｓ１と背面基板Ｓ２
とが合わされた構造である。

【０００５】また、図１５について、（ａ）は図１４に
示すＰＤＰの１つの画素についての平面図であって、Ｐ
ＤＰの第１基板Ｓ１を示し、（ｂ）は（ａ）の切断線XV
ｂ−XVｂにおける第１基板Ｓ１の断面図を示す。図１５
の符号は図１４に対応している。

【０００６】次にＰＤＰの駆動について説明する。書込
電極５とＸ電極７との間に電圧を与えて放電を行うこと
によって、発光させたい放電セルに電荷を蓄積する。こ
の書込放電では、電圧はライン毎に電荷が蓄積されるよ
うに所定の順で与えられ、全てのＹ電極８は例えば同電
位にしておけばよい。次に、Ｘ電極７及びＹ電極８の間
に交流電圧を印加することによって、書込放電において
電荷が蓄積された放電セルについて放電が生じる。この
維持放電では、交流電圧は全てのＸ電極７及びＹ電極８
に同時に印加する。この維持放電は、沿面放電、すなわ
ち、誘電体層１１の表面で生じる。この維持放電によっ
て生じた紫外線は、蛍光体６に当たって、赤、緑、ある
いは青の可視光線に変換される。このようにして、発光
させたい放電セルのみを発光させることができる。

【０００７】ＰＤＰは、発光型のパネルであり、非発光
型の例えば液晶ディスプレイと比較して、視野角が広い
などの利点がある。

【０００８】しかも、放電セルには、発光効率等を改善
するために、様々な工夫がなされている。例えば、Ｘ電
極７及びＹ電極８は、それぞれ、透明電極９及び電極自
身の電気抵抗を下げるための金属電極１０からなるが、
透明電極９の幅を大きくして放電を広げることによっ
て、輝度を上げている。また、金属電極１０は、自身内
に光が通過しないため、放電空間３で生じた可視光線が
前面基板１を通過することを妨害するため、透明電極９
のうち、放電セルの中心からできるだけ離れた所に金属
電極１０を配することによって、発光効率を上げてい
る。さらに、ＭｇＯ膜１２を誘電体層１１の全面に設け
ることによって、放電を発生させるのに最低必要な電圧
を低下させている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＰＤＰは、発光効率等を改善するための様々な工夫がな
されてはいるものの、まだまだ、発光効率が低いという
問題点がある。例えば、発光効率について、現在では、
ＰＤＰが１〔ｌｍ／Ｗ〕以下、ＣＲＴが２〜３〔ｌｍ／
Ｗ〕程度、ＰＤＰと同じく放電を用いている低圧水銀ラ
ンプ、いわゆる蛍光灯が６０〔ｌｍ／Ｗ〕（参考：放電
ハンドブック、電気学会編）、同じく放電を用いている
Ｘｅランプが白色でも１０〔ｌｍ／Ｗ〕（参考：T.Urak
abe,etc.,"A Flat Fluorescent Lamp with Xe Dielectr
ic Barrier Discharge" Journal ofLight & Visual Env
iroment,Vol.20 No.2,p.20(1996)）等である。

【００１０】本発明は、この問題点を解決するためにな
されたものであり、発光効率が高いプラズマディスプレ
イパネルを得ることを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
課題解決手段は、リブを介在して互いに対向して放電空
間を形成する第１及び第２基板と、前記第１基板内部に
おいて、互いに平行に延設された第１及び第２電極とを
備え、前記第１基板は、前記第２基板側の表面におい
て、前記第１及び第２電極の間において第１の凹みを呈
することを特徴とする。

【００１２】本発明の請求項２に係る課題解決手段にお
いて、前記第１の凹みの底が前記第１及び第２電極より
も前記第１基板内部に深く位置する。

【００１３】本発明の請求項３に係る課題解決手段にお
いて、前記第１及び第２電極の各々は、金属電極のみか
らなる。

【００１４】本発明の請求項４に係る課題解決手段にお
いて、前記第１の凹みの底が前記第１及び第２電極より
も前記第１基板内部に深く位置し、前記第１及び第２電
極の各々は、金属電極のみからなり、前記第１及び第２
電極の金属電極は、前記第１の凹みを介して互いに対面
する。

【００１５】本発明の請求項５に係る課題解決手段にお
いて、前記第１及び第２電極の各々は、互いに離間して
平行に延設された金属電極及び透明電極からなり、前記
第１基板は、前記金属電極及び透明電極の間においても
第２の凹みを呈する。

【００１６】本発明の請求項６に係る課題解決手段にお
いて、前記第１の凹みの底が前記第１及び第２電極より
も前記第１基板内部に深く位置し、前記第１及び第２電
極の透明電極は、前記第１の凹みを介して互いに対面す
る。

【００１７】本発明の請求項７に係る課題解決手段にお
いて、前記第１基板は、当該第１基板の基板本体と、前
記基板本体の前記第２基板側に形成され、前記第１及び
第２電極を覆う誘電体層とを含み、前記基板本体は平坦
である。

【００１８】本発明の請求項８に係る課題解決手段は、
前記第１の凹みの表面を覆うことによって前記第１基板
表面を放電によるスパッタから保護し、前記第１の凹み
の表面の２次電子放出係数を大きくするための保護膜を
さらに備える。

【００１９】本発明の請求項９に係る課題解決手段は、
前記第１の凹みの底に設けられた蛍光体をさらに備え
る。

【００２０】本発明の請求項１０に係る課題解決手段
は、前記第１の凹みの開口の縁に形成され、前記第１基
板の表面から突出する枠体をさらに備える。

【００２１】本発明の請求項１１に係る課題解決手段
は、リブを介在して互いに対向して放電空間を形成する
第１及び第２基板と、前記第１基板内部において、互い
に平行に延設された複数の放電電極対とを備え、前記放
電電極対は、互いに平行に延設された第１及び第２電極
からなり、前記第１基板は、前記第２基板側の表面にお
いて、隣り合う前記放電電極対の間において凹みを呈す
ることを特徴とする。

【００２２】本発明の請求項１２に係る課題解決手段
は、リブを介在して互いに対向して放電空間を形成する
第１及び第２基板と、前記第１基板内部において、互い
に平行に延設された複数の放電電極対とを備え、前記放
電電極対は、互いに平行に延設された第１及び第２電極
からなり、前記第１基板は、前記第２基板側の表面にお
いて、隣り合う前記放電電極対の間において凸部を呈す
ることを特徴とする。

【００２３】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、実施の形
態１のＰＤＰを示し、図１５に対応しており、（ａ）は
１つの画素についての平面図、（ｂ）は切断線Ｉｂ−Ｉ
ｂにおける第１基板Ｓ１の断面図を示す。

【００２４】図１において、１００はＸ電極７とＹ電極
８との間において誘電体層１１で前面基板１を覆わない
ことによって設けられた凹み（第１の凹み）、６０は凹
み１００の底面上に設けられた蛍光体であり、その他の
符号については、従来と同様なので、説明を省略する。

【００２５】第２基板Ｓ２は、周知のものを適用し、例
えば図１４に示すものである。

【００２６】凹み１００は、放電セル毎に設けられ、隣
接するリブ４の間に収まる寸法であって、それぞれの放
電セルにおいて凹み１００の周囲を誘電体層１１が囲っ
た穴状である。前面基板１は凹み１００を深めるように
例えばサンドブラストを用いて掘り下げられており、凹
み１００の底面は前面基板１の内部にある。凹み１００
の側面はＭｇＯ膜１２で覆われている。放電空間３は凹
み１００内部の空間に連結する。

【００２７】凹み１００を設けることによって、Ｘ電極
７及びＹ電極８は凹み１００を介して対向する、いわゆ
る対向型電極に近くなる。

【００２８】蛍光体６０は、可視光線が前面基板１の背
面基板２側から反対側へ透過しやすいようにする。例え
ば、可視光線が透過しやすいように蛍光体６０を薄くす
ればよい。但し、蛍光体６０は薄いほど紫外線の吸収率
が低くなるので、この吸収率を考慮して、蛍光体６０を
薄くする必要がある。

【００２９】次に、実施の形態１のＰＤＰを従来と同様
に駆動させる場合を考える。放電は、一般に電極同士が
最も接近しているところで生じるため、凹み１００にお
いて維持放電が開始する。しかも、Ｘ電極７及びＹ電極
８が対向型電極に近い構造であるため、放電は凹み１０
０内の内壁に沿ってではなく、主として凹み１００内の
対向側面間に生じる。すなわち、実施の形態１では、沿
面放電に因らないで放電が生る。沿面放電は、第１基板
Ｓ１やリブ４の干渉を受けるため、この電子はエネルギ
ーが奪われる。実施の形態１では、沿面放電に因らない
で放電が生じるため、従来と比較して、放電に係る電子
のエネルギーが奪われにくく、紫外線の発生効率が高く
なる。

【００３０】また、放電は、図１（ｂ）が示す領域２０
０のように、凹み１００内で発生して、そこから背面基
板２側へ広がるため、従来の沿面放電のみの図１５
（ｂ）が示す領域２００と比較して、リブ４まで広がり
にくい。よって、実施の形態１では、従来と比較して、
放電に係る電子がリブ４の干渉を受けにくいため、放電
に係る電子のエネルギーが奪われにくく、紫外線の発生
効率が高くなる。

【００３１】さらに、『プラズマディスプレイ最新技
術』（御子柴茂生著、ＥＤリサーチ社）の第２．５章の
説明によると、一般に陰極から陽極に向けて、陰極降下
部、負グロー、陽光柱という領域が形成され、Ｘ電極７
及びＹ電極８とリブ４との境界にはシースという領域が
形成される。負グロー及び陽光柱が紫外線を発生する。
陰極降下部及びシースの大きさは、放電ガスの組成や陰
極材料等によって決まり、放電空間３のうちの陰極降下
部及びシース以外の部分を陽光柱及び負グローが占め
る。したがって、放電空間３は狭いほど、陰極降下部及
びシースの占める割合が高くなり、陽光柱や負グローの
占める割合が低くなる。しかし、実施の形態１では、凹
み１００を設けた分、従来と比較して放電空間３のが広
くなるため、陽光柱や負グローの占める割合が高くな
り、紫外線の発生効率が高くなる。

【００３２】実施の形態１によれば、以上の凹み１００
による作用により、紫外線の発生効率が高くなるため、
従来と比較して発光効率が高くなる。

【００３３】また、従来では放電によって発生した紫外
線のうち、前面基板１へ向かう紫外線は蛍光体６に当た
らないので発光に寄与しない。しかし、実施の形態１で
は、前面基板１へ向かう紫外線は蛍光体６０に当たり、
従来と比較して発光効率が高い。

【００３４】また、凹み１００を深くすればするほど、
放電が凹み１００の底面の干渉を受けにくくすることが
できる。

【００３５】さらに、放電は、凹み１００の内部で生じ
るため、従来と比較して第１基板Ｓ１で生じ、蛍光体６
（図１４）に達しないので、蛍光体６の干渉を受けな
い。よって、リブ４の高さ寸法を短くしても、蛍光体６
の干渉が起因して発光効率が低くなることはない。ま
た、そうすることによって、書込放電を生じやすくでき
るという利点がある。

【００３６】実施の形態２．図２は、実施の形態２のＰ
ＤＰを示し、（ａ）は１つの画素についての平面図、
（ｂ）は切断線IIｂ−IIｂにおける第１基板Ｓ１の断面
図を示す。

【００３７】実施の形態２では、Ｘ電極７及びＹ電極８
に特徴がある。それ以外の部分については、実施の形態
１と同様なので、説明を省略する。

【００３８】放電は、凹み１００内で生じるため、透明
電極９は、放電を広げるという役目を果たす必要はな
い。よって、実施の形態２では、透明電極９を省略し、
Ｘ電極７及びＹ電極８を金属電極１０のみで構成する。
透明電極９を省略した分、ＰＤＰの製造が容易になる。

【００３９】さらに、透明電極９を省略した分、凹み１
００の開口を広くでき、放電空間３が広くなる。

【００４０】実施の形態３．図３は、実施の形態３のＰ
ＤＰを示し、（ａ）は１つの画素についての平面図、
（ｂ）は切断線IIIｂ−IIIｂにおける第１基板Ｓ１の断
面図を示す。

【００４１】実施の形態３では、金属電極１０に特徴が
ある。それ以外の部分については、実施の形態２と同様
なので、説明を省略する。

【００４２】実施の形態３のＸ電極７及びＹ電極８それ
ぞれの金属電極１０は、凹み１００を介して対面した状
態で前面基板１に埋め込まれる。金属電極１０は、断面
の長辺が前面基板１の法線方向Ｄ２に沿い、短辺が前面
基板１の表面方向Ｄ１に沿うように埋設配置されてい
る。これによって、実施の形態２と比較して、放電は凹
み１００外に広がりにくく、リブ４の干渉が低減され
る。しかも、実施の形態２と比較して、法線方向Ｄ２か
ら眺めてＸ電極７及びＹ電極８の寸法が短くなるため、
可視光線は、Ｘ電極７及びＹ電極に妨害されずに前面基
板１を通過する。よって、発光効率が高い。

【００４３】さらに、凹み１００を深く掘り下げれば、
凹み１００の開口から深い位置で放電を生じさせること
ができる。この放電は凹み１００を抜けて放電空間３に
広まるが、放電空間３において前面基板１の表面方向に
広がりにくい。よって、沿面放電が少ない分、発光効率
が高い。

【００４４】また、Ｘ電極７及びＹ電極８の短辺７ａ，
８ａと面１ｂとの間に凹み１００の底面（蛍光体６０表
面）が位置すると、蛍光体６０表面で沿面放電によって
放電が生じる。そこで、凹み１００の底がＸ電極７及び
Ｙ電極８よりも第１基板１内部に深く位置させる。すな
わち、Ｘ電極７及びＹ電極８の短辺７ａ，８ａと面１ａ
との間に凹み１００の底面（蛍光体６０表面）を位置さ
せることが望ましい。これによって、蛍光体６０表面で
沿面放電によって放電が生じないため、放電に係る電子
のエネルギーが奪われないようにできる。

【００４５】なお、図３に示す構造は、例えばサンドブ
ラストで前面基板１表面に凹み１００を形成するととも
に、Ｘ電極７及びＹ電極８を埋め込むための溝を掘り、
その溝にＸ電極７及びＹ電極８を埋め込み、その後、誘
電体層１１、ＭｇＯ膜１２及び蛍光体６０を形成すれ
ば、実現可能である。

【００４６】実施の形態４．従来の透明電極１０は、放
電を広げる役割を果たす。放電が金属電極１０まで広が
ると、金属電極１０付近の放電に基づいて生じる可視光
線は、金属電極１０に妨害されて、前面基板１を通過し
ない。よって、発光効率が低下する。

【００４７】図４は、この点を改良した実施の形態４の
ＰＤＰを示し、（ａ）は１つの画素についての平面図、
（ｂ）は切断線IVｂ−IVｂにおける第１基板Ｓ１の断面
図を示す。

【００４８】実施の形態４では、Ｘ電極７、Ｙ電極８及
び凹み１００ａ（第２の凹み）に特徴がある。それ以外
の部分については、実施の形態１と同様なので、説明を
省略する。

【００４９】実施の形態４のＸ電極７及びＹ電極８は、
例えば特許出願番号０９１２５９１４の内容を応用した
もので、透明電極９、金属電極１０及び短絡電極９１か
らなる。透明電極９と金属電極１０は、一定間隔で互い
に離間して平行に延設され、リブ４が重なる位置に配置
された短絡電極９１によって互いに接続されている。凹
み１００ａは、透明電極９、金属電極１０及び短絡電極
９１に囲まれた領域において、誘電体層１１で前面基板
１を覆わないことによって設けられている。また、凹み
１００ａを深めるように前面基板１が掘り下げられてい
る。

【００５０】このＸ電極７及びＹ電極８の形状において
は、透明電極９と金属電極１０とを離間しており、さら
に透明電極９と金属電極１０との間に凹み１００ａを設
けている。このことは、透明電極９と金属電極１０との
間の、沿面放電に起因する表面を取り除くことと同等で
ある。よって、凹み１００ａが設けられた部分において
は、沿面放電が起こらないため、凹み１００ａを設けな
い場合と比較して、放電の広がりを抑えることができ
る。しかも、凹み１００ａを設けた分、放電空間３が広
がる。

【００５１】実施の形態５．図５は、実施の形態５のＰ
ＤＰを示し、（ａ）は１つの画素についての平面図、
（ｂ）は切断線Vｂ−Vｂにおける第１基板Ｓ１の断面図
を示す。

【００５２】実施の形態５では、透明電極９に特徴があ
る。それ以外の部分については、実施の形態４と同様な
ので、説明を省略する。

【００５３】実施の形態５のＸ電極７及びＹ電極８それ
ぞれの透明電極９は、実施の形態３の概念を応用したも
のであり、凹み１００を介して対面した状態で前面基板
１に埋め込まれる。透明電極９は、断面の長辺が前面基
板１の法線方向Ｄ２に沿い、短辺が前面基板１の表面方
向Ｄ１に沿うように埋設配置されている。さらに、凹み
１００を深く掘り下げれば、凹み１００の開口から深い
位置で放電を生じさせることができる。この放電は凹み
１００を抜けて放電空間３に広まるが、放電空間３にお
いて前面基板１の表面方向に広がりにくい。よって、沿
面放電が少ない分、発光効率が高い。

【００５４】さらに望ましくは、透明電極９の短辺９ａ
と面１ａとの間に凹み１００の底面（蛍光体６０表面）
を位置させる。これによって、蛍光体６０表面で沿面放
電が生じないため、沿面放電によって放電に係る電子の
エネルギーが奪われないようにできる。

【００５５】切断線VI−VIにおける第１基板Ｓ１の断面
を図６に示す。図５及び図６に示すように、透明電極９
は、誘電体層１１を形成する前の凹み１００の側面上に
載置され、また、凹み１００が形成されないリブ４の部
分では法線方向Ｄ２の幅を薄くすることにより前面基板
１上に載置され、図３に示す金属電極１０のようにして
前面基板１内部に掘った溝に埋め込まれていない。透明
電極９が非常に薄い場合は、実施の形態３のように前面
基板１に溝を掘って非常に薄い透明電極９をその溝に埋
め込むのは非常に困難であるため、図５及び図６に示す
構造の方が形成が容易である。勿論、形成が容易であれ
ば、図３に示す金属電極１０と同様に、前面基板１内部
に透明電極９を埋め込んでもよい。また、実施の形態３
の金属電極１０も、図５及び図６に示す透明電極９のよ
うに構成してもよい。

【００５６】実施の形態６．実施の形態１〜５におい
て、凹み１００又は１００ａを設けるために、前面基板
１は凹まさなくてもよい。例えば、実施の形態２では、
図７に示すように、前面基板１の表面は平坦なままでよ
い。この場合、前面基板１は表面が平坦なままでよいの
で、凹みを設けるための加工を施さなくてもよい。

【００５７】例えば、表面が平坦なままの前面基板１の
所定表面にスクリーン印刷法を用いて誘電体層１００を
印刷して形成すると同時に、凹み１００を設けることが
できる。これは、従来のＰＤＰの製造工程と変わらな
い。

【００５８】但し、誘電体層１１は、蛍光体６０が維持
放電によってスパッタされない程度の厚さが必要であ
る。

【００５９】以上のように、前面基板１の表面が平坦で
あるため、従来のＰＤＰの製造工程をそのまま用いて本
発明のＰＤＰを製造できる。

【００６０】実施の形態７．ＭｇＯ膜１２は、２次電子
放出係数γが誘電体層１１と比較して高いため、放電を
発生させるのに最低必要な放電電力を低下させるという
働きがある。よって、実施の形態１〜６において、放電
を発生させたいところにＭｇＯ膜１２を形成すれば、Ｍ
ｇＯ膜１２が形成されたところでは、２次電子放出係数
が大きくなり、放電が発生しやすい。

【００６１】例えば、図１に対応する図８に示すよう
に、凹み１００の側面のみにＭｇＯ膜１２を蒸着する。
あるいは、例えば、図４に対応する図９に示すように、
凹み１００を含む２つの凹み１００ａとの間のみに、Ｍ
ｇＯ膜１２を蒸着する。図８において、（ｂ）は（ａ）
における切断線VIIIｂ−VIIIｂにおける第１基板Ｓ１の
断面図を示し、図９において、（ｂ）は（ａ）における
切断線IXｂ−IXｂにおける第１基板Ｓ１の断面図を示
し、あるいは、図８や図９に描かれている構造におい
て、誘電体層１１が露出している部分をＭｇＯ膜１２と
比較して薄いＭｇＯ膜で覆ってもよい。この場合、厚い
ＭｇＯ膜１２が形成されたところでは、薄いＭｇＯ膜と
比較して２次電子が放出しやすく、放電が発生しやす
い。

【００６２】また、ＭｇＯ膜１２は、誘電体層１１と比
較してスパッタに強く、誘電体層１１を放電によるスパ
ッタから保護する保護膜としての働きもある。

【００６３】以上のように、凹み１００の表面を覆うこ
とによって誘電体層１１を放電によるスパッタから保護
し、凹み１００の表面についての２次電子を放出しやす
くするための保護膜を備える。これによって、放電を凹
み１００で発生しやすくすることで放電が凹み１００外
に広がることを抑えつつ、誘電体層１１、特に凹み１０
０を放電によるスパッタから保護できる。

【００６４】なお、ＭｇＯ膜１２は、誘電体層１１と比
較して２次電子放出係数γが高くてスパッタに強い別の
材質に代えてもよい。

【００６５】実施の形態８．実施の形態８では、実施の
形態１〜７において、第１基板Ｓ１表面上に突出し、凹
み１００の開口の縁に形成された枠体をさらに備える。
一例として、実施の形態２に枠体１０１を設けた例を図
１０に示す。図１０において、（ｂ）は（ａ）における
切断線Xｂ−Xｂにおける第１基板Ｓ１の断面図を示す。
枠体１０１を備えたことによって、凹み１００内から金
属電極１０上のＭｇＯ膜１２上に広がろうとする沿面放
電が枠体１０１によって抑制され、凹み１００内部に集
中して放電が生じる。このため、電力が凹み１００内部
の放電に集中して費やされるので、発光効率を向上させ
ることができる。

【００６６】この枠体１０１の形成は、例えば、誘電体
層１１及びＭｇＯ膜１２を形成する前において、凹み１
００の形状を規定するための部材を凹み１００の位置に
配置し、その後、誘電体層１１及びＭｇＯ膜１２を形成
する。この際、表面張力によって、前記部材の表面に沿
って誘電体層１１及びＭｇＯ膜１２が延び、枠体１０１
が形成される。その後、凹み１００の位置に配置した部
材を引き抜けばよい。

【００６７】実施の形態９．ＰＤＰは、Ｘ電極７及びＹ
電極８から構成される放電電極対が複数互いに平行に延
設されている。隣り合う放電電極対の間が裏ギャップと
呼ばれる。裏ギャップに対し、Ｘ電極７及びＹ電極８の
間は表ギャップと呼ばれる。

【００６８】表ギャップで放電が生じ、裏ギャップで放
電が生じないように、裏ギャップの寸法は十分に長くす
る必要がある。しかし、透明電極９の面積を大きくして
輝度を向上させたいなどの理由によって、寸法Ｌ２を十
分長くすることができない場合は、裏ギャップで放電が
生じてしまうことがある。

【００６９】そこで、実施の形態９では、実施の形態１
〜８において、裏ギャップにも凹みを設ける。一例とし
て、実施の形態２において裏ギャップにも凹み１００ｂ
を設けた例を図１１に示す。図１１において、（ｂ）は
（ａ）における切断線XIｂ−XIｂにおける第１基板Ｓ１
の断面図を示し、７８が放電電極対である。凹み１００
ｂがある場合は、凹み１００ｂがない場合と比較して、
裏ギャップでの放電は生じにくくなる。裏ギャップでの
放電が生じにくい分、寸法Ｌ２を短くできる。寸法Ｌ２
を短くする分、寸法Ｌ１を長くでき、表ギャップの凹み
１００を大きくできるので、発光効率を高くすることが
可能になる。

【００７０】さらに、凹み１００ｂの底に蛍光体６０を
塗布すれば、表ギャップで生じた放電から発生した紫外
線のうち、裏ギャップ方向に漏れた紫外線は凹み１００
ｂの蛍光体６０に吸収され発光に寄与するので、発光効
率を高くすることができる。

【００７１】なお、図１２に示すように、凹み１００ｂ
を誘電体層１１が第１基板Ｓ１表面から盛り上がった例
えば直方体状の凸部１００ｃに代えてもよい。図１２に
おいて、（ｂ）は（ａ）における切断線XIIｂ−XIIｂに
おける第１基板Ｓ１の断面図を示す。この場合でも、凸
部１００ｃがない場合と比較して、裏ギャップでの放電
は生じにくくなる。裏ギャップでの放電が生じにくい
分、寸法Ｌ２を短くできる。寸法Ｌ２を短くする分、寸
法Ｌ１を長くでき、表ギャップの凹み１００を大きくで
きるので、発光効率を高くすることが可能になる。

【００７２】なお、裏ギャップに凹みや凸部を設ける場
合において、表ギャップに設けた凹み１００は省略して
もよい。この場合でも、寸法Ｌ１を長くでき、例えば透
明電極９の面積を大きくできるので、発光効率を高くす
ることが可能になる。

【００７３】変形例．凹みの深さを深くするのに、前面
基板１を掘り下げる場合を説明したが、例えば図１３に
示すように、逆に誘電体層１１を厚くして、凹みを深く
してもよい。図１３において、（ｂ）は（ａ）における
切断線XIIIｂ−XIIIｂにおける第１基板Ｓ１の断面図を
示す。図１３では、まず、前面基板１上に凹み１００を
設ける部分を除いて１層目の誘電体層１１を形成し、次
に１層目の誘電体層１１上に金属電極１０を形成し、次
に１層目の誘電体層１１及び金属電極１０上に２層目の
誘電体層１１を形成してもよい。この構造では、動作は
図２に示したものと全く変わらないようにでき、しか
も、前面基板１を掘り下げなくて済むため、ＰＤＰの製
作が容易になる。

【００７４】また、第１基板Ｓ１が前面基板１と誘電体
層１１とに分かれている場合を示したが、誘電体層１１
は前面基板１の材質と同じでもよいので、第１基板Ｓ１
が前面基板１と誘電体層１１とに分かれていなくてもよ
い。すなわち、例えば、前面基板１と誘電体層１１とは
同じガラス基板で構成されていてもよい。なお、前面基
板１や誘電体層１１の材質はガラス以外でもよい。

【００７５】さらに、実施の形態１〜９を通して、蛍光
体６０を省略してもよい。さらに、第２基板Ｓ２は図１
４に示すもの以外でもよい。

【００７６】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、第１の凹
みを設けたので、沿面放電の割合が少なくなり、放電が
リブの干渉を受けにくくなり、また放電空間が広くなる
ため、従来と比較して発光効率が高くなる。

【００７７】請求項２記載の発明によれば、第１の凹み
が深いため、放電空間がより広くなる。

【００７８】請求項３記載の発明によれば、第１及び第
２電極が金属電極のみからなるため、ＰＤＰの製造が容
易になる。しかも、金属電極のみからなるため、第１の
凹みの開口を広くして、放電空間を広くできる。

【００７９】請求項４記載の発明によれば、金属電極が
第１の凹みを介して互いに対面するため、第１基板の法
線方向から眺めて金属電極の寸法が小さくなるため、可
視光線は、従来と比較して金属電極に妨害されずに第１
基板を通過するため、発光効率が高い。さらに、第１の
凹みが深いため、第１の凹みの開口から深い位置で放電
を生じさせることができる。この放電は凹みを抜けて放
電空間に広まるが、放電空間における第１基板の表面方
向に広がりにくい。よって、放電がリブの干渉を受けに
くくなる。しかも、第１の凹みが深いため、放電空間が
広い。

【００８０】請求項５記載の発明によれば、金属電極及
び透明電極の間において第２の凹みを設けたので、透明
電極と金属電極との間の、沿面放電に起因する表面を取
り除くことができる。よって、第２の凹みにおいて沿面
放電が生じない。しかも、第２の凹みを設けた分、放電
空間が広い。

【００８１】請求項６記載の発明によれば、透明電極が
第１の凹みを介して互いに対面し、第１の凹みが深いた
め、第１の凹みの開口から深い位置で放電を生じさせる
ことができる。この放電は凹みを抜けて放電空間に広ま
るが、放電空間における第１基板の表面方向に広がりに
くい。よって、放電がリブの干渉を受けにくくなる。し
かも、第１の凹みが深いため、放電空間が広い。

【００８２】請求項７記載の発明によれば、従来のＰＤ
Ｐの製造工程をそのまま用いて本発明のＰＤＰを製造で
きる。

【００８３】請求項８記載の発明によれば、放電を第１
の凹みで発生しやすくすることで放電が広がることを抑
えつつ、誘電体層を放電によるスパッタから保護でき
る。

【００８４】請求項９記載の発明によれば、第１の凹み
を利用して、第１基板に蛍光体を設けたので、放電によ
って発生した紫外線のうち第１基板へ向かうものは蛍光
体に当たるため、発光効率が高い。

【００８５】請求項１０記載の発明によれば、凹み内か
ら第１及び第２電極上に広がろうとする沿面放電が枠体
によって抑制され、凹み内部に集中して放電が生じる。
このため、電力が凹み内部の放電に集中して費やされる
ので、発光効率を向上させることができる。

【００８６】請求項１１記載の発明によれば、隣り合う
放電電極対の間において凹みを設けたので、隣り合う放
電電極対の間（裏ギャップ）で放電が生じにくくなり、
裏ギャップでの放電が生じにくい分、裏ギャップの寸法
を短くして第１及び第２電極の間（表ギャップ）の寸法
を長くして、例えば、第１及び第２電極の面積を大きく
できるので、発光効率を高くすることが可能になる。

【００８７】請求項１２記載の発明によれば、隣り合う
放電電極対の間において凸部を設けたので、隣り合う放
電電極対の間（裏ギャップ）で放電が生じにくくなり、
裏ギャップでの放電が生じにくい分、裏ギャップの寸法
を短くして第１及び第２電極の間（表ギャップ）の寸法
を長くして、例えば、第１及び第２電極の面積を大きく
できるので、発光効率を高くすることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１におけるＰＤＰを示す
部分平面図及び部分断面図である。

【図２】 本発明の実施の形態２におけるＰＤＰを示す
部分平面図及び部分断面図である。

【図３】 本発明の実施の形態３におけるＰＤＰを示す
部分平面図及び部分断面図である。

【図４】 本発明の実施の形態４におけるＰＤＰを示す
部分平面図及び部分断面図である。

【図５】 本発明の実施の形態５におけるＰＤＰを示す
部分平面図及び部分断面図である。

【図６】 本発明の実施の形態５におけるＰＤＰを示す
部分断面図である。

【図７】 本発明の実施の形態６におけるＰＤＰを示す
部分断面図である。

【図８】 本発明の実施の形態７におけるＰＤＰを示す
部分平面図及び部分断面図である。

【図９】 本発明の実施の形態７におけるＰＤＰを示す
部分平面図及び部分断面図である。

【図１０】 本発明の実施の形態８におけるＰＤＰを示
す部分平面図及び部分断面図である。

【図１１】 本発明の実施の形態９におけるＰＤＰを示
す部分平面図及び部分断面図である。

【図１２】 本発明の実施の形態９におけるＰＤＰを示
す部分平面図及び部分断面図である。

【図１３】 本発明の実施の形態におけるＰＤＰの変形
例を示す部分平面図及び部分断面図である。

【図１４】 従来のＰＤＰの一部を示す斜視図である。

【図１５】 従来のＰＤＰを示す部分平面図及び部分断
面図である。

【符号の説明】

１ 前面基板、２ 背面基板、３ 放電空間、４ リ
ブ、５ 書込電極、６蛍光体、７ Ｘ電極、８ Ｙ電
極、９ 透明電極、１０ 金属電極、１１ 誘電体層、
１２ ＭｇＯ膜、６０ 蛍光体、７８ 放電電極対。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 リブを介在して互いに対向して放電空間
   を形成する第１及び第２基板と、 前記第１基板内部において、互いに平行に延設された第
   １及び第２電極と、を備え、 前記第１基板は、前記第２基板側の表面において、前記
   第１及び第２電極の間において第１の凹みを呈すること
   を特徴とするプラズマディスプレイパネル。
2. 【請求項２】 前記第１の凹みの底が前記第１及び第２
   電極よりも前記第１基板内部に深く位置する請求項１記
   載のプラズマディスプレイパネル。
3. 【請求項３】 前記第１及び第２電極の各々は、金属電
   極のみからなる請求項１又は２に記載のプラズマディス
   プレイパネル。
4. 【請求項４】 前記第１の凹みの底が前記第１及び第２
   電極よりも前記第１基板内部に深く位置し、 前記第１及び第２電極の各々は、金属電極のみからな
   り、 前記第１及び第２電極の金属電極は、前記第１の凹みを
   介して互いに対面する請求項１記載のプラズマディスプ
   レイパネル。
5. 【請求項５】 前記第１及び第２電極の各々は、互いに
   離間して平行に延設された金属電極及び透明電極からな
   り、 前記第１基板は、前記金属電極及び透明電極の間におい
   ても第２の凹みを呈する請求項１記載のプラズマディス
   プレイパネル。
6. 【請求項６】 前記第１の凹みの底が前記第１及び第２
   電極よりも前記第１基板内部に深く位置し、 前記第１及び第２電極の透明電極は、前記第１の凹みを
   介して互いに対面する請求項５記載のプラズマディスプ
   レイパネル。
7. 【請求項７】 前記第１基板は、 当該第１基板の基板本体と、 前記基板本体の前記第２基板側に形成され、前記第１及
   び第２電極を覆う誘電体層と、を含み、 前記基板本体は平坦である請求項１又は５記載のプラズ
   マディスプレイパネル。
8. 【請求項８】 前記第１の凹みの表面を覆うことによっ
   て前記第１基板表面を放電によるスパッタから保護し、
   前記第１の凹みの表面の２次電子放出係数を大きくする
   ための保護膜をさらに備えた請求項１〜７のいずれかに
   記載のプラズマディスプレイパネル。
9. 【請求項９】 前記第１の凹みの底に設けられた蛍光体
   をさらに備えた請求項１〜８のいずれかに記載のプラズ
   マディスプレイパネル。
10. 【請求項１０】 前記第１の凹みの開口の縁に形成さ
    れ、前記第１基板の表面から突出する枠体をさらに備え
    た請求項１〜９のいずれかに記載のプラズマディスプレ
    イパネル。
11. 【請求項１１】 リブを介在して互いに対向して放電空
    間を形成する第１及び第２基板と、 前記第１基板内部において、互いに平行に延設された複
    数の放電電極対と、を備え、 前記放電電極対は、互いに平行に延設された第１及び第
    ２電極からなり、 前記第１基板は、前記第２基板側の表面において、隣り
    合う前記放電電極対の間において凹みを呈することを特
    徴とするプラズマディスプレイパネル。
12. 【請求項１２】 リブを介在して互いに対向して放電空
    間を形成する第１及び第２基板と、 前記第１基板内部において、互いに平行に延設された複
    数の放電電極対と、を備え、 前記放電電極対は、互いに平行に延設された第１及び第
    ２電極からなり、 前記第１基板は、前記第２基板側の表面において、隣り
    合う前記放電電極対の間において凸部を呈することを特
    徴とするプラズマディスプレイパネル。