JPH11316913A

JPH11316913A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH11316913A
Application number: JP12121698A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Omori; 広之大森
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1998-04-30
Filing date: 1998-04-30
Publication date: 1999-11-16

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気記録媒体との摺動によりＭＲ素子が摩耗
しても、長時間安定して動作させることができる磁気抵
抗効果型磁気ヘッドを提供する。【解決手段】媒体摺動面１ａに対して略直交する方向
に複数のＭＲ素子５を並列配置し、摩耗量に応じて抵抗
値が変化する可変抵抗１０及び固定抵抗１１の抵抗比と
供給電流とに応じて薄膜トランジスタ９のゲート電圧を
変化させ、この薄膜トランジスタ９のオン／オフを切り
換えることにより、摩耗量に応じて使用するＭＲ素子５
を選択するようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁界検出に磁気抵
抗効果素子を使用する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）やデー
タバックアップに用いられるデータレコーダ装置等の磁
気テープに対して信号の記録再生を行う記録再生装置に
おいては、従来より、磁気ヘッドとして、フェライトよ
りなる磁気コアの磁気ギャップ形成面に金属磁性膜を成
膜した、いわゆるメタル・イン・ギャップ型磁気ヘッド
や、一対の非磁性材料よりなる基板で金属磁性膜を挟み
込んだ形の、いわゆるラミネート型磁気ヘッド等のイン
ダクティブヘッドが使用されている。

【０００３】しかしながら、上記記録再生装置において
は、今後のディジタル化やマルチメディア化等に対応す
るために、磁気ヘッドとして、より狭トラックで十分な
再生出力を得られるものの適用が求められている。

【０００４】このような要求に応じるべく、ハードディ
スク装置等において再生用の磁気ヘッドとして使用され
ている磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果型ヘッド（以
下、ＭＲヘッドという。）を上記記録再生装置の再生用
磁気ヘッドとして用いる技術が提案されている。

【０００５】ハードディスク装置等において使用されて
いるＭＲヘッドは、例えば、軟磁性体よりなる一対の基
板がギャップを介して接合一体化され、ギャップ中に磁
気抵抗効果を発揮する磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素
子という。）が薄膜形成されてなる。

【０００６】このＭＲヘッドは、薄膜形成されるＭＲ素
子の幅によりトラック幅が決定されるので、狭トラック
化が容易であると共に、ＭＲ素子が磁気記録媒体と対向
する面から露出しているので再生感度が高く、将来の高
密度磁気記録を実現するために必須のデバイスとして注
目されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、磁気テープ
に対して信号の記録再生を行う記録再生装置は、磁気ヘ
ッドを磁気テープに摺接させた状態で記録再生を行って
いる。したがって、ハードディスク装置において浮上型
磁気ヘッドとして用いられていたシールド型ＭＲヘッド
をそのまま上記記録再生装置の再生用磁気ヘッドとして
適用した場合、磁気テープとの摺動によって生じる磁気
抵抗効果素子の摩耗が問題となる。

【０００８】特に、回転ドラムに搭載された磁気ヘッド
が磁気テープに対して高速で摺動するヘリカルスキャン
方式の場合、磁気抵抗効果素子の摩耗が激しく、短時間
で再生出力が得られなくなる問題が発生する。

【０００９】このような問題に対応するために、磁気抵
抗効果素子の高さ、すなわち磁気抵抗効果素子の磁気記
録媒体と摺接する側の端部から他方の端部までの距離を
大きくすることが考えられるが、磁気抵抗効果素子の高
さをあまり大きくすると、出力が急激に減少してしま
う。

【００１０】本発明は、上述したような従来の実情に鑑
みて提案されたものであり、磁気記録媒体との摺動によ
りＭＲ素子が摩耗しても、長時間安定して動作させるこ
とができる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを
目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成すべく鋭意研究を重ねた結果、シールド型ＭＲヘッ
ドにおいて、複数の磁気抵抗効果素子をシールド内に配
置し、摩耗量に従ってそれらの素子を切り替えて用いる
ことにより、摩耗により磁気抵抗効果型ヘッドの状態が
変わっても安定した再生出力が得られることを見出し
た。

【００１２】本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッド
は、このような知見に基づいて創案されたものであり、
複数の磁気抵抗効果素子が磁気記録媒体に摺接する面に
対して略直交する方向に並列配置されてなる磁気抵抗効
果素子群と、この磁気抵抗効果素子群を構成する各磁気
抵抗効果素子に各々接続される複数のスイッチング手段
と、磁気抵抗効果素子群を構成する各磁気抵抗効果素子
の摩耗量を検出する摩耗量検出手段とを備えている。

【００１３】そして、この磁気抵抗効果型磁気ヘッド
は、摩耗量検出手段により検出された上記磁気抵抗効果
素子の摩耗量に応じてスイッチング手段のオン／オフが
切り換えられることにより、磁気抵抗効果素子群の中か
ら使用する磁気抵抗効果素子が選択されることを特徴と
している。

【００１４】この磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記
録媒体に対して接触した状態で使用されると、磁気抵抗
効果素子群を構成する複数の磁気抵抗効果素子のうち、
磁気記録媒体に摺接する面に近い磁気抵抗効果素子から
摩耗していくことになる。

【００１５】この磁気抵抗効果素子の摩耗量は、摩耗量
検出手段により検出される。そして、この摩耗量が所定
の値以上になると、この磁気抵抗効果素子に接続される
スイッチング手段がオフ状態に設定され、この磁気抵抗
効果素子が非動作状態とされる。

【００１６】一方、摩耗が進行して、磁気記録媒体に摺
接する面から離れた磁気抵抗効果素子が磁気記録媒体に
摺接する面から露出すると、この磁気抵抗効果素子に接
続されるスイッチング手段がオン状態に設定され、この
磁気抵抗効果素子が動作状態とされる。

【００１７】更に摩耗が進行し、この磁気抵抗効果素子
の摩耗量が所定の値以上になると、この磁気抵抗効果素
子に接続されるスイッチング手段がオフ状態に設定さ
れ、この磁気抵抗効果素子が非動作状態とされる。

【００１８】また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドは、スイッチング手段が、摩耗量検出手段により検
出された上記磁気抵抗効果素子の摩耗量に応じてオン／
オフが切り換えられる薄膜トランジスタよりなることが
望ましい。

【００１９】この磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気抵
抗効果素子の動作状態を薄膜トランジスタにより切り換
えるようにすれば、磁気抵抗効果素子の切り換えに必要
な信号線も大幅に減らすことができ、かつ複雑な付加回
路が不要になる。

【００２０】また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドは、磁気抵抗効果素子群を複数備え、これら複数の
磁気抵抗効果素子群のうち一の磁気抵抗効果素子群を構
成する各磁気抵抗効果素子が、他の磁気抵抗効果素子群
を構成する各磁気抵抗効果素子の間に位置するように配
設されていることが望ましい。

【００２１】磁気抵抗効果素子群は、各磁気抵抗効果素
子の間の隙間が磁気信号を検出することができない不感
部分となる。しかしながら、磁気抵抗効果型磁気ヘッド
は、磁気抵抗効果素子群を複数設け、それぞれの磁気抵
抗効果素子群の磁気抵抗効果素子が互いに他の磁気抵抗
効果素子群の磁気抵抗効果素子間の隙間を埋めるように
して磁気信号を補完し合うようにすれば、欠落のない再
生信号を得ることができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの実施の形態を図面を参照して説明する。
なお、ここでは、一対の基板が磁気シールドの機能を兼
ねるいわゆる基板シールドタイプの磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを例に説明するが、本発明に係る磁気抵抗効果型
磁気ヘッドは、この例に限定されるものではなく、軟磁
性薄膜により磁気シールドを行ういわゆる薄膜シールド
タイプの磁気抵抗効果型磁気ヘッドとして構成すること
も可能である。

【００２３】この磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、Ｍ
Ｒヘッド１という。）は、図１に示すように、第１の基
板２と、この第１の基板２上に図示しない絶縁膜を介し
て設けられた磁気抵抗効果素子部３と、磁気抵抗効果素
子部３上に図示しない絶縁膜を介して設けられた第２の
基板４とを備える。このＭＲヘッド１は、第１の基板２
と第２の基板４との間に絶縁膜よりなるギャップが形成
され、このギャップ中に、磁気抵抗効果素子部３が配設
されている。このＭＲヘッド１において、ギャップ長を
決定する絶縁膜の厚さは、記録信号の波長に応じて調整
されている。

【００２４】第１の基板２は、図１中矢印Ａで示す磁気
記録媒体との摺動方向前端側のガード材とＭＲヘッド１
の下層シールドを兼ねるものである。また、第２の基板
４は、磁気記録媒体との摺動方向後端側のガード材と上
層シールドを兼ねるものである。これら第１の基板２及
び第２の基板４には、フェライト等の酸化物磁性材料が
使用される。

【００２５】磁気抵抗効果素子部３は、図２に示すよう
に、ＭＲヘッド１の磁気記録媒体に摺接する面（以下、
媒体摺導面１ａという。）に対して略直交する方向に並
列配置された複数の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子
５という。）と、これら複数のＭＲ素子５にセンス電流
を供給するための一対の導体部６，７と、これら一対の
導体部６，７のうち一方の導体部６と上記複数のＭＲ素
子５との間に各々設けられた配線パターン８とを備えて
いる。なお、図２においては、４つのＭＲ素子５ａ，５
ｂ，５ｃ，５ｄが並列配置され、それぞれのＭＲ素子５
ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄに配線パターン８ａ，８ｂ，８
ｃ，８ｄが接続されたＭＲヘッド１を図示しているが、
ＭＲ素子５の数はこの例に限定されるものではない。ま
た、実際には、ＭＲ素子５の両端部にＭＲ素子５の磁区
を安定させるための永久磁石膜が設けられ、導体部６，
７の端部上にこの導体部６，７を外部に導出させるため
の外部端子が設けられるが、ここでは図示及び詳細な説
明を省略する。

【００２６】ＭＲ素子５は、例えば、磁気抵抗効果を有
する軟磁性膜とこの軟磁性膜にＳＡＬバイアス方式によ
ってバイアス磁界を印加するためのＳＡＬ膜とが積層さ
れてなる。ＳＡＬ膜は、磁気抵抗効果を有する軟磁性膜
にバイアス磁界を印加することにより、検出信号の直線
性を高める働きをする。なお、本発明に係るＭＲヘッド
１のＭＲ素子５は、以上のようなＳＡＬバイアス方式の
ものに限定されるものではなく、例えば、スピンバルブ
効果を利用したＭＲ素子や強磁性トンネル効果を利用し
たＭＲ素子であってもよい。

【００２７】配線パターン８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄは、
例えば薄膜形成工程により形成され、導体部６とＭＲ素
子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄとの導通状態を切り換える薄
膜トランジスタ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄと、ＭＲヘッド
１の摩耗量に応じて抵抗値が変化する可変抵抗１０ａ，
１０ｂ，１０ｃ，１０ｄと、固定抵抗１１ａ，１１ｂ，
１１ｃ，１１ｄとをそれぞれ有している。そして、可変
抵抗１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ及び固定抵抗１１
ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄとにより、ＭＲ素子５ａ，
５ｂ，５ｃ，５ｄの摩耗量を検出する摩耗量検出部がそ
れぞれ構成されている。

【００２８】薄膜トランジスタ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ
としては、例えば電解効果型トランジスタが用いられ
る。また、この薄膜トランジスタ９ａ，９ｂ，９ｃ，９
ｄは、非晶質シリコンを用いたものであってもよいし、
多結晶シリコン、あるいは化合物半導体を用いたもので
もよい。

【００２９】この磁気抵抗効果素子部３の等価回路を図
３に示す。この図３に示すように、配線パターン８ａの
可変抵抗１０ａと固定抵抗１１ａは、薄膜トランジスタ
９ａのゲートに接続されている。また、薄膜トランジス
タ９ａのソースは導体部６に接続され、ドレインはＭＲ
素子５ａに接続されている。以下、配線パターン８ｂ，
８ｃ，８ｄも、この配線パターン８ａと同様の構成とさ
れる。

【００３０】以上のように構成されたＭＲヘッド１は、
媒体摺導面１ａが摩耗すると、媒体摺導面１ａに最も近
い第１のＭＲ素子５ａに接続された配線パターン８ａの
可変抵抗１０ａの抵抗値が増加し、固定抵抗１１ａと可
変抵抗１０ａの比及び供給電圧に従って、薄膜トランジ
スタ９ａのゲート電圧が上昇する。そして、例えば可変
抵抗１０ａが断線する等により、可変抵抗１０ａの抵抗
値が一定の値以上になったとき、薄膜トランジスタ９ａ
のゲート電圧がしきい値を越えて薄膜トランジスタ９ａ
がオンとなり、薄膜トランジスタ９ａのドレインとソー
ス間に電流が流れる。これにより、第１のＭＲ素子５ａ
にセンス電流が供給され、第１のＭＲ素子５ａが動作す
る。

【００３１】そして、このＭＲヘッド１は、更に摩耗が
進行すると、配線パターン８ａが断線して、第１のＭＲ
素子５ａへのセンス電流の供給が遮断される。これによ
り、第１のＭＲ素子５ａは非動作状態とされる。

【００３２】そして、このＭＲヘッド１は、更に摩耗が
進行すると、第２のＭＲ素子５ｂに接続された配線パタ
ーン８ｂの可変抵抗１０ｂの抵抗値が増加し、固定抵抗
１１ｂと可変抵抗１０ｂの比及び供給電圧に従って、薄
膜トランジスタ９ｂのゲート電圧が上昇する。そして、
例えば可変抵抗１０ｂが断線する等により、可変抵抗１
０ｂの抵抗値が一定の値以上になったとき、薄膜トラン
ジスタ９ｂのゲート電圧がしきい値を越えて薄膜トラン
ジスタ９ｂがオンとなり、薄膜トランジスタ９ｂのドレ
インとソース間に電流が流れる。これにより、第２のＭ
Ｒ素子５ｂにセンス電流が供給され、第２のＭＲ素子５
ｂが動作する。

【００３３】このＭＲヘッド１は、摩耗に応じて以上の
動作を繰り返すことにより、第１乃至第４のＭＲ素子５
ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄが順次切り換えられて用いられ
る。したがって、このＭＲヘッド１は、例えばヘリカル
スキャン方式の記録再生装置に適用した場合のように摩
耗の激しい環境で用いられても、長時間動作することが
可能である。

【００３４】ところで、ＭＲ素子５を一定電流で駆動す
る場合、ＭＲ素子５が摩耗して抵抗値が増加すると、Ｍ
Ｒ素子５に供給される電力が増加し、ＭＲ素子５や配線
パターン８が断線等を起こす場合がある。したがって、
ＭＲヘッド１は、動作中のＭＲ素子５の素子高さが小さ
くなりすぎないうちに、このＭＲ素子５への導通を遮断
することが好ましい。

【００３５】これを実現したＭＲヘッド２０の要部を図
４及び図５に示す。図４はこのＭＲヘッド２０の磁気抵
抗効果素子部２１の平面図であり、図５はこの磁気抵抗
効果素子部２１の等価回路を示す図である。このＭＲヘ
ッド２０は、磁気抵抗効果素子部２１の配線パターン８
が第１の摩耗量検出部２２と第２の摩耗量検出部２３と
を備えている点を特徴としている。なお、ここでは、図
４及び図５中、媒体摺導面２０ａに最も近い第１のＭＲ
素子５ａをＭＲ素子５として総称し、このＭＲ素子５に
接続された配線パターン８ａを配線パターン８と総称し
て説明する。

【００３６】第１の摩耗量検出部２２は、ＭＲヘッド２
０の摩耗量に応じて抵抗値が変化する第１の可変抵抗２
４と、基準となる第１の固定抵抗２５とを有している。
同様に、第２の摩耗量検出部２３は、ＭＲヘッド２０の
摩耗量に応じて抵抗値が変化する第２の可変抵抗２６
と、基準となる第２の固定抵抗２７とを有している。第
１の摩耗量検出部２２は、第２の摩耗量検出部２３より
も媒体摺導面２０ａ側に配設されている。そして、第１
の可変抵抗２４と第１の固定抵抗２５、第２の可変抵抗
２６と第２の固定抵抗２７は共に薄膜トランジスタ９の
ゲートに接続されている。

【００３７】以上のように構成されたＭＲヘッド２０
は、媒体摺導面２０ａが摩耗すると、媒体摺導面２０ａ
に最も近いＭＲ素子５の第１の摩耗量検出部２２の第１
の可変抵抗２４の抵抗値が増加し、第１の固定抵抗２５
と第１の可変抵抗２４の比及び供給電圧に従って、薄膜
トランジスタ９のゲート電圧が上昇する。そして、例え
ば第１の可変抵抗２４が断線する等により、第１の可変
抵抗２４の抵抗値が一定の値以上になったとき、薄膜ト
ランジスタ９のゲート電圧がしきい値を越えて薄膜トラ
ンジスタ９がオンとなり、薄膜トランジスタ９のドレイ
ンとソース間に電流が流れる。これにより、ＭＲ素子５
にセンス電流が供給され、ＭＲ素子５が動作する。

【００３８】そして、このＭＲヘッド２０は、更に摩耗
が進行すると、第２の摩耗量検出部２３の第２の可変抵
抗２６の抵抗値が増加し、第２の固定抵抗２７と第２の
可変抵抗２６の比及び供給電圧に従って、薄膜トランジ
スタ９のゲート電圧が下降する。そして、例えば第２の
可変抵抗２６が断線する等により、第２の可変抵抗２６
の抵抗値が一定の値以上になったとき、薄膜トランジス
タ９のゲート電圧がしきい値以下となって薄膜トランジ
スタ９がオフになる。これにより、ＭＲ素子５への導通
が遮断され、ＭＲ素子５が非動作状態とされる。

【００３９】このＭＲヘッド２０は、以上のように、摩
耗が進行してＭＲ素子５の素子高さがある程度小さくな
った時点で、薄膜トランジスタ９をオフにしてＭＲ素子
５への導通を遮断するようにしているので、ＭＲ素子５
が一定電流で駆動される場合であっても、ＭＲ素子５の
抵抗値増加による断線等を防止することができる。

【００４０】ところで、以上のように構成されたＭＲヘ
ッド２０は、図６に示すように、摩耗したＭＲ素子への
導通を遮断してから次のＭＲ素子を導通状態にするまで
に所定時間を要する。したがって、ＭＲヘッド２０は、
この切り換えの期間中は、いずれのＭＲ素子も動作しな
いこととなり、再生出力が図６中破線で示す基準値を下
回る。

【００４１】このような不都合を解消し、常に基準値以
上の再生出力が得られるようにして連続的な使用を可能
にしたＭＲヘッド３１を図７に示す。このＭＲヘッド３
１は、上述したＭＲヘッド２０の備える磁気抵抗効果素
子部２１を軟磁性膜３２を挟んで二層に積層した点を特
徴としている。

【００４２】そして、このＭＲヘッド３１においては、
上層の磁気抵抗効果素子部２１ａの備える複数のＭＲ素
子５が、下層の磁気抵抗効果素子部２１ｂの備える複数
のＭＲ素子５間の隙間にそれぞれ位置するように、上層
の磁気抵抗効果素子部２１ａと下層の磁気抵抗効果素子
部２１ｂとの位置関係が決定されている。すなわち、こ
のＭＲヘッド３１は、上層の磁気抵抗効果素子部２１ａ
の備えるＭＲ素子５と下層の磁気抵抗効果素子部２１ｂ
の備えるＭＲ素子５とが、ＭＲ素子５間の隙間を相互に
補完するようになされている。

【００４３】このＭＲヘッド３１は、上層の磁気抵抗効
果素子部２１ａの備えるＭＲ素子５の出力と下層の磁気
抵抗効果素子部２１ｂの備えるＭＲ素子５の出力とを比
較して、出力の大きい方のＭＲ素子５の出力を再生出力
として検出するようにすれば、図８に示すように、再生
出力を常に図８中波線で示す基準値以上に保つことがで
きる。

【００４４】このＭＲヘッド３１を作製する際は、ま
ず、図９に示すように、下層ギャップとなる絶縁層が形
成されたフェライト等よりなる第１の基板２上に、下層
の磁気抵抗効果素子部２１ｂを薄膜形成し、更に上層ギ
ャップとなる絶縁層を形成する。同様に、下層ギャップ
となる絶縁層が形成されたフェライト等よりなる第２の
基板４上に、上層の磁気抵抗効果素子部２１ａを薄膜形
成し、更に上層ギャップとなる絶縁層を形成する。

【００４５】そして、図１０に示すように、下層の磁気
抵抗効果素子部２１ｂが形成された第１の基板２と上層
の磁気抵抗効果素子部２１ａが形成された第２の基板４
とを、軟磁性膜を挟んで貼り合わせる。このとき、上層
の磁気抵抗効果素子部２１ａの備える複数のＭＲ素子５
が、下層の磁気抵抗効果素子部２１ｂの備える複数のＭ
Ｒ素子５間の隙間にそれぞれ位置するように、第１の基
板２と第２の基板４とを貼り合わせる。

【００４６】このＭＲヘッド３１は、以上のように磁気
抵抗効果素子部２１ａ，２１ｂが形成された一対の基板
２，４を貼り合わせることで作製されるので、作製が容
易である。また、このＭＲヘッド３１は、基板材料とし
てフェライトを使用することにより、偏摩耗を抑制し
て、特に短波長の再生特性を良好にすることができる。

【００４７】なお、以上は、磁気抵抗効果素子部２１を
軟磁性膜３２を挟んで二層に積層した例について説明し
たが、ＭＲヘッド３１は、図１１及び図１２に示すよう
に、一対の導体部６，７を共通にして、ＭＲ素子５及び
配線パターン８のみが絶縁層３３を挟んで積層されるよ
うにしても同様の効果が得られる。

【００４８】ＭＲヘッド３１は、このように、ＭＲ素子
５及び配線パターン８のみが絶縁層３３を挟んで積層さ
れる構成とすれば、上層の磁気抵抗効果素子部２１ａと
下層の磁気抵抗効果素子部２１ｂとの位置合わせを正確
に行うことができると共に、製造工程数が削減されて製
造がより容易となる。

【００４９】なお、以上のように構成されるＭＲヘッド
３１は、ＭＲ素子５を切り換える過程で２つのＭＲ素子
５に同時に電流が流れる状況が生じ、動作が不安定にな
る場合がある。そこで、ＭＲヘッド３１においては、図
１３に示すように、配線パターン８に整流素子３４を設
け、上層のＭＲ素子５に電流を供給する場合と、下層の
ＭＲ素子５に電流を供給する場合とで電流を流す方向を
反転させることで、上層のＭＲ素子５または下層のＭＲ
素子５のいずれか一方にのみ電流が供給されるようにす
ることが望ましい。

【００５０】ＭＲ素子５は、以上のような回路構成とす
ることにより、上層のＭＲ素子５と下層のＭＲ素子５の
双方に同時に電流が供給されるという不都合が解消さ
れ、動作状態を安定化させることができる。

【００５１】

【発明の効果】本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッド
は、複数の磁気抵抗効果素子が磁気記録媒体に摺接する
面に対して略直交する方向に並列配置されてなる磁気抵
抗効果素子群を備え、摩耗量検出手段により検出された
摩耗量に応じて磁気抵抗効果素子群を構成する複数の磁
気抵抗効果素子に接続されたスイッチング手段のオン／
オフを切り換えて、磁気抵抗効果素子群の中から使用す
る磁気抵抗効果素子を選択するようにしているので、摩
耗の激しい環境で用いられても、長時間動作することが
可能である。

【００５２】また、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、
スイッチング手段を、摩耗量検出手段により検出された
上記磁気抵抗効果素子の摩耗量に応じてオン／オフが切
り換えられる薄膜トランジスタより構成することによ
り、磁気抵抗効果素子の切り換えに必要な信号線も大幅
に減らすことができ、かつ複雑な付加回路が不要にな
る。

【００５３】また、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、
磁気抵抗効果素子群を複数備え、これら複数の磁気抵抗
効果素子群のうち一の磁気抵抗効果素子群を構成する各
磁気抵抗効果素子が、他の磁気抵抗効果素子群を構成す
る各磁気抵抗効果素子の間に位置するように配設すれ
ば、それぞれの磁気抵抗効果素子群の磁気抵抗効果素子
が互いに他の磁気抵抗効果素子群の磁気抵抗効果素子間
の隙間を埋めるようにして磁気信号を補完し合い、欠落
のない再生信号を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＭＲヘッドを一部切り欠いて示す
斜視図である。

【図２】上記ＭＲヘッドの磁気抵抗効果素子部を示す平
面図である。

【図３】上記磁気抵抗効果素子部の等価回路を示す図で
ある。

【図４】磁気抵抗効果素子部の他の例を示す平面図であ
る。

【図５】上記磁気抵抗効果素子部の等価回路を示す図で
ある。

【図６】上記ＭＲヘッドの摩耗量と再生出力との関係を
説明する図である。

【図７】ＭＲヘッドの他の例を一部切り欠いて示す斜視
図である。

【図８】上記ＭＲヘッドの摩耗量と再生出力との関係を
説明する図である。

【図９】上記ＭＲヘッドを作製する工程を説明する図で
あり、第１の基板上に下層の磁気抵抗効果素子部を薄膜
形成した状態を示す斜視図である。

【図１０】上記ＭＲヘッドを作製する工程を説明する図
であり、下層の磁気抵抗効果素子部が薄膜形成された第
１の基板と、上層の磁気抵抗効果素子部が薄膜形成され
た第２の基板とを貼り合わせた状態を示す斜視図であ
る。

【図１１】ＭＲヘッドの他の例を一部切り欠いて示す斜
視図である。

【図１２】上記ＭＲヘッドの断面図である。

【図１３】上記ＭＲヘッドの磁気抵抗効果素子部の等価
回路を示す図である。

【符号の説明】

１，２０，３１ＭＲヘッド、２第１の基板、３磁
気抵抗効果素子部、４第２の基板、５ＭＲ素子、６，
７導体部、８摩耗量検出パターン、９薄膜トランジ
スタ、１０可変抵抗、１１固定抵抗

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の磁気抵抗効果素子が磁気記録媒体
に摺接する面に対して略直交する方向に並列配置されて
なる磁気抵抗効果素子群と、上記磁気抵抗効果素子群を構成する各磁気抵抗効果素子
に各々接続される複数のスイッチング手段と、上記磁気抵抗効果素子群を構成する各磁気抵抗効果素子
の摩耗量を検出する摩耗量検出手段とを備え、上記摩耗量検出手段により検出された上記磁気抵抗効果
素子の摩耗量に応じて上記スイッチング手段のオン／オ
フが切り換えられることにより、上記磁気抵抗効果素子
群の中から使用する磁気抵抗効果素子が選択されること
を特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２】上記スイッチング手段は、上記摩耗量検
出手段により検出された上記磁気抵抗効果素子の摩耗量
に応じてオン／オフが切り換えられる薄膜トランジスタ
よりなることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果
型磁気ヘッド。
【請求項３】上記摩耗量検手段は、上記磁気抵抗効果
素子の摩耗量に応じて抵抗値が変化する複数の抵抗素子
を備え、上記薄膜トランジスタは、上記複数の抵抗素子の抵抗値
に応じてオン／オフが切り換えられることを特徴とする
請求項２記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項４】上記磁気抵抗効果素子群を複数備えるこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。
【請求項５】上記複数の磁気抵抗効果素子群のうち一
の磁気抵抗効果素子群を構成する各磁気抵抗効果素子
が、他の磁気抵抗効果素子群を構成する各磁気抵抗効果
素子の間に位置するように配設されていることを特徴と
する請求項４記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項６】一対の基板のうち少なくとも一方の基板
上に上記磁気抵抗効果素子群と上記スイッチング手段と
上記摩耗量検出手段とがそれぞれ薄膜形成されてなる一
対の磁気ヘッド半体が接合一体化されてなることを特徴
とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。