JPH1130789A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
- Publication number
- JPH1130789A JPH1130789A JP18402997A JP18402997A JPH1130789A JP H1130789 A JPH1130789 A JP H1130789A JP 18402997 A JP18402997 A JP 18402997A JP 18402997 A JP18402997 A JP 18402997A JP H1130789 A JPH1130789 A JP H1130789A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- line
- scanning line
- tft element
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、強誘電性液晶・反
強誘電性液晶を用いた液晶表示素子に関する。The present invention relates to a liquid crystal display device using a ferroelectric liquid crystal and an antiferroelectric liquid crystal.
【0002】[0002]
【従来の技術】TN液晶を用いたTFT−LCDの応答
速度と視野角の改善のため、液晶材料として強誘電性液
晶や反強誘電性液晶を用いることがいくつか検討されて
いる。これらの自発分極を有する液晶材料、つまりカイ
ラルスメクティツクC相或いはその副次相の液晶材料を
アクティブマトリクス型液晶表示素子に適用すると、液
晶の応答時間が書込時間より大きい場合に、反電場によ
り保持電圧が低下する現象が起こることが知られている
(Hartmann:J.Appl.Phys.66,1132(1989))。この保持率
の低下はいわゆる書込不足であり、実効印加電圧の低下
をもたらし、コントラスト比を低下させ実用上大きな問
題となる。2. Description of the Related Art In order to improve the response speed and viewing angle of a TFT-LCD using a TN liquid crystal, several studies have been made on using a ferroelectric liquid crystal or an antiferroelectric liquid crystal as a liquid crystal material. When a liquid crystal material having these spontaneous polarizations, that is, a liquid crystal material of a chiral smectic C phase or its subphase is applied to an active matrix type liquid crystal display element, when the response time of the liquid crystal is longer than the writing time, It is known that a phenomenon in which the holding voltage is lowered due to this occurs (Hartmann: J. Appl. Phys. 66, 1132 (1989)). This decrease in the holding ratio is a so-called insufficient writing, which results in a decrease in the effective applied voltage, and lowers the contrast ratio, which is a serious problem in practical use.
【0003】また、印加電圧をフレームごとに極性反転
して正負対称のモードで駆動、すなわち交流駆動の場
合、あるフレームを境に信号電圧の絶対値が変化した際
に、数フレームにわたって明暗を繰り返しながら定常の
透過光量に落ち着く現象、いわゆるステップ応答が発生
する(Verhulst et al.:IDRC'94digest,377(1994) )と
いう問題も知られている。ステップ応答では、ゴースト
が尾を引いたような形の残像として認められ実用上問題
となる。In addition, in the case of driving in a positive / negative symmetric mode by inverting the polarity of the applied voltage for each frame, that is, in the case of AC driving, when the absolute value of the signal voltage changes at a certain frame, the brightness is repeated over several frames. However, there is also known a problem that a phenomenon in which the transmitted light amount settles down, that is, a so-called step response occurs (Verhulst et al .: IDRC'94digest, 377 (1994)). In the step response, a ghost is recognized as an afterimage having a trailing shape, which poses a practical problem.
【0004】対称モードではなく非対称モード、すなわ
ち直流駆動の場合、ステップ応答は発生せず、コントラ
スト比も向上する(Tanaka et al.:SID'94digest,430(1
994))。しかし、応答は累積応答的になることから、交
流駆動と比較すると画像の応答速度が低下する。この画
像の応答速度の低下も1回の書込では書込不足であるこ
と、すなわち保持電圧の低下が原因であり、書込時間が
短くなるほど応答速度は低下する。直流駆動に於いて
は、コントラスト比と画像の応答速度とはトレードオフ
の関係にあり、両者とも十分な値を得るには最適設計が
必要になるが、そのマージンは狭い。また、不純物によ
る焼き付きや、残存ヒステリシスによる残像の問題は駆
動上の工夫によっても解決しがたい。In the case of an asymmetric mode instead of a symmetric mode, that is, a DC drive, no step response occurs and the contrast ratio is improved (Tanaka et al .: SID'94digest, 430 (1)
994)). However, since the response is cumulative, the response speed of the image is lower than that of the AC drive. This decrease in the response speed of the image is also due to insufficient writing in one writing, that is, a decrease in the holding voltage. The shorter the writing time, the lower the response speed. In DC driving, there is a trade-off between the contrast ratio and the response speed of an image, and both require an optimal design to obtain a sufficient value, but the margin is narrow. Further, the problems of image sticking due to impurities and residual images due to residual hysteresis are difficult to be solved even by driving contrivance.
【0005】このように、対称モード(交流駆動)及び
非対称モード(直流駆動)のいずれのモードにおいて
も、保持率低下による書込不足が実用上大きな問題を引
き起こす原因となる。As described above, in any of the symmetric mode (AC drive) and the asymmetric mode (DC drive), insufficient writing due to a decrease in the holding ratio causes a serious problem in practical use.
【0006】液晶材料の特性面での保持率低下対策とし
ては、応答速度の高速化と自発分極の低減の2つが考え
られる。低電圧駆動時や常温よりもやや低い温度範囲に
おいても十分高速で、応答時間が書込時間より短い液晶
材料を用いれば上記の問題は解決するが、現状ではその
条件を満たす液晶材料は存在しない。また、今後も特に
低温域での応答速度の高速化の実現は疑問視されてい
る。There are two possible measures to reduce the retention of liquid crystal materials in terms of their characteristics: increasing the response speed and reducing the spontaneous polarization. The above problem can be solved by using a liquid crystal material which is sufficiently fast even at a low voltage drive or a temperature range slightly lower than normal temperature and has a response time shorter than the writing time. However, at present, there is no liquid crystal material satisfying the condition. . Further, it is questioned how to realize a higher response speed especially in a low temperature range.
【0007】液晶表示素子は、今後さらなる大画面化・
高精細化が求められてくるが、それには必然的に1ライ
ン当たりの書込時間の短縮が伴う。したがって、液晶材
料の高速化の限界から上記の問題を解決するのは困難で
ある。[0007] Liquid crystal display elements will be further enlarged in the future.
Higher definition is required, but this necessarily involves a reduction in the writing time per line. Therefore, it is difficult to solve the above-mentioned problem due to the limitation of increasing the speed of the liquid crystal material.
【0008】また、自発分極の低減化は原理的に応答速
度の低下を招き、結局のところ上記の問題は解決されな
い。以上のように、液晶材料による特性改善は、保持電
圧低下の問題の対策としては不十分である。In addition, the reduction of spontaneous polarization causes a reduction in response speed in principle, and the above problem cannot be solved after all. As described above, the improvement of the characteristics by the liquid crystal material is insufficient as a countermeasure against the problem of the decrease in the holding voltage.
【0009】次に、駆動方法や回路構造の改善による対
策を考える。先ず、補助容量を増大させるという方法が
考えられる。通常のTN液晶を用いたアクティブマトリ
クス型液晶表示素子の補助容量値は、液晶の充填された
画素電極−対向電極間の容量と同程度の値であるが、こ
れを10倍或いはそれ以上に増大させることにより、保
持電圧の低下を解決することができる。しかし、液晶材
料の応答速度が現状程度に遅い限りステップ応答は解決
しない。また、補助容量の増大に伴い電流量もそれに対
応して増加するため、消費電力の増加を招き、駆動回路
の負担も大きくなる。従って、実用化に適しているとは
いえず、用途も限定されたものとなってしまう。Next, a measure by improving the driving method and the circuit structure will be considered. First, a method of increasing the auxiliary capacitance can be considered. The auxiliary capacitance value of an active matrix type liquid crystal display device using a normal TN liquid crystal is approximately the same as the capacitance between a pixel electrode and a counter electrode filled with liquid crystal, but is increased by 10 times or more. By doing so, a decrease in the holding voltage can be solved. However, the step response cannot be solved as long as the response speed of the liquid crystal material is as low as the current level. In addition, the amount of current increases correspondingly with the increase in the auxiliary capacitance, so that the power consumption increases and the load on the drive circuit increases. Therefore, it cannot be said that it is suitable for practical use, and its use is limited.
【0010】また、別の解決策として、書込直前に0V
付近の電圧を書き込み、前に保持している電荷を消去或
いは相殺するリセット動作を行う方法が知られている。
TFTまたはTFDを用いたアクティブマトリクス駆動
方法では、特開平7−64056に提案がなされている
が、これらの方法は書込時間の一部をリセット動作に充
てている。このため、ステップ応答は解決するが、ライ
ン数を減らさない限り実質的な書込時間は短くなるた
め、コントラストの十分な向上は見られない。また、高
精細化で書込時間が短くなった場合、書込時間がリセッ
ト動作のためにさらに短くなることから、書込不足が深
刻になってくる。また、これらの方法では、リセット時
間が十分に確保できず、不完全なリセットしか行えない
ことから、ステップ応答も完全に解消することは不可能
である。特に暗状態から明状態に変化したときに、1フ
レーム目が輝度が高くなりすぎるという問題が残る。As another solution, 0 V immediately before writing is applied.
There is known a method of writing a nearby voltage and performing a reset operation for erasing or canceling a previously held charge.
An active matrix driving method using a TFT or a TFD is proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-64056. However, these methods allocate a part of a writing time to a reset operation. For this reason, the step response is solved, but the substantial writing time is shortened unless the number of lines is reduced, so that the contrast is not sufficiently improved. Further, when the writing time is shortened due to the high definition, the writing time is further shortened due to the reset operation, and the insufficient writing becomes serious. Further, in these methods, the reset time cannot be sufficiently secured, and only an incomplete reset can be performed. Therefore, it is impossible to completely eliminate the step response. In particular, when the state changes from the dark state to the bright state, the problem that the luminance of the first frame becomes too high remains.
【0011】また、よりリセット時間を十分とり、完全
なリセット動作をするためにTFDと信号線を各画素あ
たり2個有する回路構造も報告されている(Verhulst e
t al.:IDRC'94digest,377(1994) )。この報告例では、
他のラインの書込中にリセット動作を行うことも可能で
ある。しかし、各画素あたりの素子数や配線数が多く、
また駆動波形も複雑であり、製造上の歩留まりやコスト
の点で問題がある。また、TFDでは表示素子全体の素
子特性のばらつきが抑えにくいという問題もあり、実用
化には不適当である。Further, a circuit structure having two TFDs and two signal lines for each pixel has been reported in order to take a longer reset time and perform a complete reset operation (Verhulst e).
tal .: IDRC'94digest, 377 (1994)). In this report,
It is also possible to perform a reset operation during writing of another line. However, the number of elements and wires per pixel is large,
Further, the driving waveform is complicated, and there is a problem in terms of manufacturing yield and cost. In addition, the TFD has a problem in that it is difficult to suppress variations in element characteristics of the entire display element, and is not suitable for practical use.
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、強誘
電性液晶或いは反強誘電性液晶を用いたアクティブマト
リクス型液晶表示素子において、従来の液晶材料や駆動
方法では、保持電圧の低下により、コントラスト比の低
下、或いは画像応答速度低下による残像や表示ムラの発
生するという問題があった。As described above, in an active matrix type liquid crystal display device using a ferroelectric liquid crystal or an anti-ferroelectric liquid crystal, the conventional liquid crystal material and the driving method cause a reduction in holding voltage. There is a problem that afterimages and display unevenness occur due to a decrease in contrast ratio or a decrease in image response speed.
【0013】本発明の目的は、液晶材料として強誘電性
液晶・反強誘電性液晶を用いながらも、高コントラスト
比で、残像や表示ムラが発生することのない液晶表示素
子を提供することにある。An object of the present invention is to provide a liquid crystal display element having a high contrast ratio and free from afterimages and display unevenness, while using a ferroelectric liquid crystal or an antiferroelectric liquid crystal as a liquid crystal material. is there.
【0014】[0014]
[構成]本発明は、上記目的を達成するために以下のよ
うに構成されている。 (1) 本発明(請求項1)は、カイラルスメクティッ
クC相或いはその副次相の液晶材料と薄膜トランジスタ
を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示素子であっ
て、pチャネル又はnチャネル薄膜トランジスタからな
り、信号線と画素電極との間に接続された信号書込用T
FT素子と、この信号書込用TFT素子と異なるチャネ
ルの薄膜トランジスタからなり、前記画素電極と補助容
量線との間に接続されたリセット用TFT素子とを具備
してなることを特徴とする。[Configuration] The present invention is configured as described below to achieve the above object. (1) The present invention (Claim 1) is an active matrix type liquid crystal display element using a thin film transistor and a liquid crystal material of a chiral smectic C phase or a sub-phase thereof, comprising a p-channel or n-channel thin film transistor. Signal writing T connected between the line and the pixel electrode
It is characterized by comprising an FT element and a reset TFT element which is composed of a thin film transistor having a channel different from that of the signal writing TFT element and is connected between the pixel electrode and an auxiliary capacitance line.
【0015】本発明の好ましい実施態様を以下に示す。 (1-1) 前記信号書込用TFT素子がnチャネル薄膜トラ
ンジスタであり、前記リセット用TFT素子がpチャネ
ル薄膜トランジスタである。Preferred embodiments of the present invention are shown below. (1-1) The signal writing TFT element is an n-channel thin film transistor, and the reset TFT element is a p-channel thin film transistor.
【0016】また、本発明の液晶表示素子の好ましい駆
動方法を以下に示す。 (1-2) ある画素行の前記信号書込TFT素子のみをオン
にするように走査線に電圧を印加して信号書込を行うと
同時に、前記画素行とは異なる複数の画素行の前記スイ
ッチング用TFT素子のみをオンにするように走査線に
電圧を印加して複数の画素行のリセット動作を行う。 (2) 本発明(請求項2)は、カイラルスメクティッ
クC相或いはその副次相の液晶材料を用いたアクティブ
マトリクス型の液晶表示素子であって、第1の走査線
と、信号線と画素電極との間に接続され、選択された第
1の走査線によって制御される信号書込用スイッチング
素子と、第2の走査線と、前記画素電極と該補助容量と
の間に接続され、選択された第2の走査線によって制御
されるリセット用スイッチング素子とを具備してなるこ
とを特徴とする。A preferred method of driving the liquid crystal display device of the present invention will be described below. (1-2) At the same time as performing signal writing by applying a voltage to a scanning line so as to turn on only the signal writing TFT element of a certain pixel row, the plurality of pixel rows different from the pixel row A reset operation of a plurality of pixel rows is performed by applying a voltage to the scanning line so that only the switching TFT element is turned on. (2) The present invention (claim 2) relates to an active matrix type liquid crystal display device using a liquid crystal material of a chiral smectic C phase or a sub phase thereof, wherein the first scanning line, the signal line, and the pixel electrode , A signal writing switching element controlled by the selected first scanning line, a second scanning line, and the pixel writing electrode connected to the storage capacitor. And a reset switching element controlled by the second scanning line.
【0017】本発明の好ましい実施態様を以下に示す。 (2-1) 一つ或いは複数の画素行の第2の走査線は、異な
る一つ或いは複数の画素行の第1の走査線に接続されて
いる。Preferred embodiments of the present invention are shown below. (2-1) The second scanning line of one or more pixel rows is connected to the first scanning line of one or more different pixel rows.
【0018】なお、画素行とは、第1の走査線が選択さ
れることによって、同時に信号線から画像信号が書き込
まれる画素の集まりのことである。 (2-1.1) 第2の走査線は、ダイオードを介して第1の走
査線に接続されている。 (2-1.2) 第2の走査線は、基板上で第1の走査線に接続
されている。つまり、駆動ICと接続する第1の走査線
の端子のみが基板上に設けられ、第2の走査線の端子は
形成されていない。 (2-2) 第1及び第2の走査線及び信号線駆動回路が、ア
レイ基板上に形成されていることを特徴とする。 (2-3) 第1の走査線と第2の走査線が、アレイ基板端あ
るいはアレイ基板周辺回路基板端の同じ側あるいは異な
る側に設けられた端子から、それぞれ異なる駆動ICに
接続されている。A pixel row is a group of pixels to which an image signal is simultaneously written from a signal line when the first scanning line is selected. (2-1.1) The second scanning line is connected to the first scanning line via a diode. (2-1.2) The second scanning line is connected to the first scanning line on the substrate. That is, only the terminal of the first scanning line connected to the driving IC is provided on the substrate, and the terminal of the second scanning line is not formed. (2-2) The first and second scanning lines and signal line driving circuits are formed on an array substrate. (2-3) The first scanning line and the second scanning line are connected to different driving ICs from terminals provided on the same side or different sides of the array substrate end or the array substrate peripheral circuit substrate end. .
【0019】また、本発明の液晶表示素子の好ましい駆
動方法を以下に示す。 (2-4) ある画素行の前記信号書込用スイッチング素子の
みをオンにするように前記第1の走査線に電圧を印加し
て信号書込を行うと同時に、前記画素行とは異なる一つ
或いは複数の画素行の前記リセット用スイッチング素子
のみをオンにするように第2の走査線に電圧を印加して
前記複数の画素行のリセット動作を行う。A preferred method for driving the liquid crystal display device of the present invention is described below. (2-4) At the same time as applying a voltage to the first scanning line to perform signal writing so as to turn on only the signal writing switching element of a certain pixel row, a signal different from that of the pixel row is applied. A voltage is applied to the second scanning line so that only the reset switching elements of one or more pixel rows are turned on, and the plurality of pixel rows are reset.
【0020】[作用]本発明は、上記構成によって以下
の作用・効果を有する。一つの画素電極には、信号書込
用スイッチング(TFT)素子とリセット動作用スイッ
チング(TFT)素子の一端が接続され、他端はそれぞ
れ信号線と補助容量線に接続されている。二つのスイッ
チング(TFT)素子は、独立に制御を行うことが可能
なので、信号書込動作とリセット動作とを独立に行うこ
とが可能となる。[Operation] The present invention has the following operation and effects by the above configuration. One end of a signal writing switching (TFT) element and one end of a reset operation switching (TFT) element are connected to one pixel electrode, and the other ends are connected to a signal line and an auxiliary capacitance line, respectively. Since the two switching (TFT) elements can be independently controlled, the signal writing operation and the reset operation can be performed independently.
【0021】従って、信号線と画素電極を接続する信号
書込用スイッチング(TFT)によって信号書込を行
い、補助容量線と画素電極を接続するリセット用スイッ
チング(TFT)によってリセット動作を行うことによ
って、各画素において信号書込前にリセット動作が行わ
れ、前述の解決すべき問題であったコントラスト低下と
ステップ応答を解消することが可能となる。Therefore, signal writing is performed by signal writing switching (TFT) connecting the signal line and the pixel electrode, and reset operation is performed by reset switching (TFT) connecting the auxiliary capacitance line and the pixel electrode. In each pixel, a reset operation is performed before writing a signal, so that it is possible to eliminate the above-described problems of contrast reduction and step response that need to be solved.
【0022】さらに、ある1行の信号書込と同時に、他
の数行のリセット動作を行うことにより、さらにリセッ
ト効果は高まり、よりコントラストが向上し、ステップ
応答を完全に解消することが可能となる。Further, by performing a reset operation on several other rows at the same time as writing a signal on one row, the reset effect is further enhanced, the contrast is further improved, and the step response can be completely eliminated. Become.
【0023】なお、画素電極にリセット用スイッチング
(TFT)素子を介して補助容量線(補助容量線)に接
続する際には、リセットする画素と同一の行あるいは隣
接する行のいずれかに属する補助容量線を接続する、あ
るいは走査線と交差する方向に配線された補助容量線に
接続するなどいくつかの方法が考えられる。When a pixel electrode is connected to an auxiliary capacitance line (auxiliary capacitance line) via a reset switching (TFT) element, an auxiliary electrode belonging to either the same row as the pixel to be reset or an adjacent row is used. Several methods are conceivable, such as connecting a capacitance line or connecting to an auxiliary capacitance line wired in a direction crossing the scanning line.
【0024】リセット時に補助容量電位をほとんど動か
さずに対向電極電位と同電位にして、画素印加電圧を0
V付近の電圧にリセットする場合には、リセット用TF
Tをリセットする画素と隣接する行に属する補助容量線
に接続する、或いは走査線と交差する方向に配線された
補助容量線に接続することにより開口率を高くすること
が可能である場合がある。At the time of resetting, the storage capacitor potential is hardly moved and is set to the same potential as the counter electrode potential, and the pixel applied voltage is set to 0.
When resetting to a voltage near V, reset TF
In some cases, it is possible to increase the aperture ratio by connecting to a storage capacitor line belonging to a row adjacent to the pixel for which T is to be reset, or to a storage capacitor line wired in a direction crossing the scanning line. .
【0025】また、リセット時に補助容量電位を動かし
て、画素への印加電圧を0V以外の電圧、例えば飽和電
圧あるいは飽和電圧の1/2付近の電圧にリセットする
場合、リセット用TFTを、リセットする画素と同一行
に付属する補助容量線に接続することが好ましい。When resetting the voltage applied to the pixel to a voltage other than 0 V, for example, a saturation voltage or a voltage near 1/2 of the saturation voltage by resetting the storage capacitor potential at the time of reset, the reset TFT is reset. It is preferable to connect to an auxiliary capacitance line attached to the same row as the pixels.
【0026】以下に、それぞれの発明に特有な作用・効
果を示す。 [構成(1)]本構成によれば、開口率の低下は、TF
T素子1つ分の面積のみであり、従来のように配線を増
やす方法に比較し有利である。The functions and effects unique to each invention will be described below. [Configuration (1)] According to this configuration, the decrease in the aperture ratio is caused by the TF
This is only an area for one T element, which is more advantageous than the conventional method of increasing the number of wirings.
【0027】また、移動度の高いnチャネルTFT素子
を信号書込用TFT素子として用い、nチャネルTFT
素子よりも移動度の低いpチャネルTFT素子をリセッ
ト動作用TFT素子に用いるほうが、逆の場合よりも好
ましい。すなわち、リセット時間は十分にとることが可
能であるのに対し、信号書込時間はライン数により制限
される。従って、信号書込用TFT素子は、より書込特
性の優れたものを使用した方が好ましい。Further, an n-channel TFT element having high mobility is used as a TFT element for signal writing, and
It is preferable to use a p-channel TFT element having lower mobility than the element as the reset operation TFT element, rather than the opposite case. That is, while the reset time can be sufficiently taken, the signal writing time is limited by the number of lines. Therefore, it is preferable to use a signal writing TFT element having better writing characteristics.
【0028】[構成(2)]本構成によれば、従来の走
査線駆動ICを使用することが可能となるので、コスト
上昇がない。[Configuration (2)] According to this configuration, it is possible to use a conventional scanning line driving IC, so that there is no increase in cost.
【0029】また、第1の走査線と異なる1行あるいは
複数行の第2の走査線を接続することにより、走査線駆
動ICに接続される端子数は、第2の走査線を有しない
従来の場合と同じとなり、各走査線端子に入力する駆動
波形も従来と同じとするだけで自動的にリセット動作を
行うことが可能となる。Also, by connecting one or more rows of second scanning lines different from the first scanning lines, the number of terminals connected to the scanning line driving IC can be reduced by the conventional method without the second scanning lines. In this case, the reset operation can be automatically performed only by making the driving waveforms input to the respective scanning line terminals the same as in the conventional case.
【0030】また、第2の走査線を連続的に選択される
複数行の第1の走査線に接続した場合、従来と同じ駆動
波形を印加すると、第1の走査線からの選択信号が連続
的に第2の走査線に印加され、自動的に複数ラインの同
時リセット動作すなわち十分なリセット時間の確保が可
能となる。Further, when the second scanning line is connected to the first scanning lines of a plurality of rows which are continuously selected, if the same driving waveform as in the related art is applied, the selection signal from the first scanning line is continuously output. This is applied to the second scanning line, and the simultaneous reset operation of a plurality of lines, that is, a sufficient reset time can be secured.
【0031】また、第1の走査線と複数の第2の走査線
をそれぞれダイオードを介して接続することによって、
各信号書込みと同時に複数ラインのリセットを完全に独
立に行い、表示画像の質を保つことが可能となるさら
に、アレイ基板端の1端子から、第1の走査線及び1本
あるいは複数本の第2の走査線に分岐されるように回路
を構成すれば、周辺回路基板及び走査線駆動ICの両者
とも、従来のものが流用可能となり、コスト上昇を全く
伴わない。Further, by connecting the first scanning line and the plurality of second scanning lines via diodes, respectively,
The reset of a plurality of lines can be performed completely independently at the same time as each signal writing, and the quality of the displayed image can be maintained. Further, the first scanning line and one or more If the circuit is configured so as to be branched into two scanning lines, both the peripheral circuit board and the scanning line driving IC can be diverted to the conventional one, and the cost does not increase at all.
【0032】さらに、ある1行の信号書込と同時に、他
の数行のリセット動作を行うことにより、さらにリセッ
ト効果は高まり、よりコントラストが向上し、ステップ
応答を完全に解消することが可能となる。Further, by performing a reset operation on several other rows simultaneously with writing a signal on a certain row, the reset effect is further enhanced, the contrast is further improved, and the step response can be completely eliminated. Become.
【0033】[0033]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に図面
を参照して説明する。なお、これらの実施形態は、本発
明の理解を容易にする目的で記載されるものであり、本
発明の主旨を変えない範囲で種々変更して用いることが
できる。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. These embodiments are described for the purpose of facilitating the understanding of the present invention, and can be variously modified and used without changing the gist of the present invention.
【0034】先ず、nチャネルTFT素子とpチャネル
TFT素子との二つのTFT素子が画素電極に接続され
ている液晶表示素子の実施形態について説明する。 [第1実施形態]液晶表示素子は、TFT素子及び画素
電極等が形成されたTFTアレイ基板上に、液晶材料を
介して、対向電極が形成されたCF基板が配置されてい
る。First, an embodiment of a liquid crystal display element in which two TFT elements, an n-channel TFT element and a p-channel TFT element, are connected to a pixel electrode will be described. [First Embodiment] In a liquid crystal display element, a CF substrate on which a counter electrode is formed is disposed via a liquid crystal material on a TFT array substrate on which a TFT element, a pixel electrode, and the like are formed.
【0035】TFTアレイ基板には、640×480
(VGA)の画素がマトリクス状に配列されている。画
素は、それぞれ三原色に対応した3つのサブピクセルか
ら構成されている。The TFT array substrate has 640 × 480.
(VGA) pixels are arranged in a matrix. Each pixel is composed of three sub-pixels corresponding to three primary colors.
【0036】図1はTFTアレイ基板上のサブピクセル
の構成を示す平面図である。図2(a)はサブピクセル
群のうち4行2列部分の等価回路を示す回路図である。
走査線11が行方向に形成され、信号線12が列方向に
形成されている。また、補助容量線13が行方向に形成
されている。FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a sub-pixel on a TFT array substrate. FIG. 2A is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a 4-row, 2-column portion in the sub-pixel group.
The scanning lines 11 are formed in the row direction, and the signal lines 12 are formed in the column direction. Further, the auxiliary capacitance line 13 is formed in the row direction.
【0037】走査線11にはnチャネルTFT素子14
のゲート電極が接続されている。また、信号線12がn
チャネルTFT素子14を介して画素電極15に接続さ
れている。The scanning line 11 has an n-channel TFT element 14
Are connected. Also, if the signal line 12 is n
It is connected to the pixel electrode 15 via the channel TFT element 14.
【0038】画素電極15が補助容量16を介して補助
容量線13に接続されている。また、画素電極15は、
pチャネルTFT素子17を介して同一行の補助容量線
13に接続されている。同じ画素電極15に接続される
nチャネルTFT素子14と、pチャネルTFT素子1
7のゲート電極は、異なる行の走査線11に接続されて
いる。The pixel electrode 15 is connected to the auxiliary capacitance line 13 via the auxiliary capacitance 16. Further, the pixel electrode 15
It is connected to the auxiliary capacitance line 13 in the same row via the p-channel TFT element 17. An n-channel TFT element 14 connected to the same pixel electrode 15 and a p-channel TFT element 1
The gate electrodes 7 are connected to the scanning lines 11 in different rows.
【0039】なお、各TFT素子の半導体層にはa−S
iを使用した。nチャネル及びpチャネルTFT素子1
4,17は、a−Siの初期キャリア濃度と膜厚、或い
はゲート絶縁膜の膜厚を適宜調整することにより、両T
FT素子14,17のしきい電圧の差が駆動時の信号振
幅の2倍より大きくなるように形成した。後述するよう
に本実施形態の駆動系では、信号振幅が±3Vであるた
め、両TFT素子のしきい電圧の差を6V以上にした。
また、pチャネルTFT素子17のW/Lをnチャネル
TFT素子14より大きくした。The semiconductor layer of each TFT element has a-S
i was used. n-channel and p-channel TFT elements 1
4, 17 adjust the initial carrier concentration and the film thickness of a-Si or the film thickness of the gate insulating film as appropriate to obtain both T and T.
The FT elements 14 and 17 were formed so that the difference between the threshold voltages was larger than twice the signal amplitude during driving. As will be described later, in the drive system of the present embodiment, since the signal amplitude is ± 3 V, the difference between the threshold voltages of the two TFT elements is set to 6 V or more.
Further, the W / L of the p-channel TFT element 17 was made larger than that of the n-channel TFT element 14.
【0040】なお、液晶セルは以下の方法により製造し
た。CF基板はオーバーコート層を有し、対向配置され
るTFTアレイ基板の信号線及びTFT素子に対向する
部分のITO電極(対向電極)をエッチングによって除
去した。さらにITO電極の上に膜厚30nmのSiO
2 膜をスパッタリング法によって成膜した。TFTアレ
イ基板のITO電極(画素電極)及びCF基板のSiO
2 層上に、それぞれ液晶配向膜として低プレチルト性の
ポリイミド膜を成膜した。各基板の配向膜は、セル長手
方向に注入方向と逆向きにラビングした。ただし両基板
のラビング軸を約10゜ずらした。また、セルギャップ
は、樹脂コートを施したシリカスペーサをTFTアレイ
基板とCF基板との間に散布することにより2.0μm
とした。The liquid crystal cell was manufactured by the following method. The CF substrate had an overcoat layer, and a portion of the ITO electrode (opposite electrode) facing the signal line and the TFT element of the TFT array substrate opposed to each other was removed by etching. Further, a 30 nm-thick SiO 2 is formed on the ITO electrode.
Two films were formed by a sputtering method. ITO electrode (pixel electrode) on TFT array substrate and SiO on CF substrate
On each of the two layers, a low pretilt polyimide film was formed as a liquid crystal alignment film. The alignment film of each substrate was rubbed in the cell longitudinal direction in the direction opposite to the injection direction. However, the rubbing axes of both substrates were shifted by about 10 °. The cell gap was 2.0 μm by spraying a resin-coated silica spacer between the TFT array substrate and the CF substrate.
And
【0041】液晶材料として、自発分極200nC/c
m2 ,応答時間100μs,飽和電圧4Vの無しきい反
強誘電性液晶A(三井石油化学社製)を使用した。駆動
系は、最大印加電圧±3V,1ラインの選択時間64μ
sのVGA対応(上下二分割駆動)のものを用いた。各
走査線11に、図2(b)に示した走査線駆動波形を入
力した。この波形において、リセット用のpチャネルT
FT素子17をオンするためのリセットパルス21の
後、信号書込用のnチャネルTFT素子14をオンする
ための信号書込パルス22が出力されている。リセット
パルス21は、複数のラインで一部ずつオーバーラップ
させ、パルス幅を約300μsとして十分リセット時間
を確保した。As the liquid crystal material, spontaneous polarization 200 nC / c
A threshold antiferroelectric liquid crystal A (manufactured by Mitsui Petrochemical Co.) having m 2 , a response time of 100 μs, and a saturation voltage of 4 V was used. The driving system has a maximum applied voltage of ± 3 V and a selection time of 64 μm per line.
s compatible with VGA (up and down two-part drive) was used. The scanning line driving waveform shown in FIG. 2B was input to each scanning line 11. In this waveform, a reset p-channel T
After a reset pulse 21 for turning on the FT element 17, a signal writing pulse 22 for turning on the n-channel TFT element 14 for signal writing is output. The reset pulse 21 was partially overlapped by a plurality of lines, and the pulse width was set to about 300 μs to secure a sufficient reset time.
【0042】走査線11にリセットパルス21が入力さ
れると、nチャネルTFT素子14はオフのままで、1
行下の画素に接続されたpチャネルTFT素子17がオ
ンとなる。そして、pチャネルTFT素子17のオンに
より画素電極15が補助容量線13に接続される。そし
て、補助容量線電位をほとんど動かさずに対向電極電位
と同電位にして、画素印加電圧を0V付近の電圧にする
ことによってリセット動作が行われる。When a reset pulse 21 is input to the scanning line 11, the n-channel TFT element 14 remains off and 1
The p-channel TFT element 17 connected to the pixel below the row is turned on. Then, when the p-channel TFT element 17 is turned on, the pixel electrode 15 is connected to the auxiliary capacitance line 13. Then, the reset operation is performed by keeping the storage capacitor line potential at the same potential as the counter electrode potential with almost no movement and setting the pixel applied voltage to a voltage near 0V.
【0043】次いで、信号書込パルス22によって、n
チャネルTFT素子14がオン、pチャネルTFT素子
がオフとなり、信号線12から画素電極15に画像の階
調に応じた画像信号を入力することによって画像表示が
行われる。Next, the signal write pulse 22 causes n
The channel TFT element 14 is turned on, the p-channel TFT element is turned off, and an image is displayed by inputting an image signal corresponding to the gradation of the image from the signal line 12 to the pixel electrode 15.
【0044】信号線12から入力される画像信号は対向
電極電位を中心に交流とし、各フレームにおいて、各列
ごとに信号極性を反転させる信号線反転を行って駆動
し、画像表示を行った。The image signal input from the signal line 12 was set to an alternating current centered on the potential of the counter electrode, and in each frame, the signal line was inverted for each column to invert the signal polarity, and driving was performed to display an image.
【0045】画像表示の結果、コントラスト比は70:
1、応答速度は1ms以下が得られ、ステップ応答によ
る残像は認められなかった。 [第2実施形態]本実施形態の液晶表示素子は、アレイ
基板上に640×480(VGA)の画素が形成された
ディスプレイである。As a result of the image display, the contrast ratio was 70:
1. A response speed of 1 ms or less was obtained, and no afterimage due to a step response was observed. [Second Embodiment] The liquid crystal display device of the present embodiment is a display in which 640 × 480 (VGA) pixels are formed on an array substrate.
【0046】図3はTFTアレイ上のサブピクセルの構
成を示す平面図である。図4(a)はサブピクセル群の
うち4行2列部分の等価回路を示す回路図である。図
3,4において、図1,2と同一な部分には同一符号を
付し、その詳細な説明を省略する。FIG. 3 is a plan view showing a configuration of a sub-pixel on the TFT array. FIG. 4A is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a 4-row, 2-column portion in the sub-pixel group. 3 and 4, the same parts as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【0047】本実施形態の特徴は、同じ画素電極15に
接続されるnチャネルTFT素子14と、pチャネルT
FT素子17のゲート電極が同一画素行の走査線11に
接続され、画素電極15がpチャネルTFT素子17を
介して同一画素行の補助容量線13に接続されているこ
とである。The feature of this embodiment is that an n-channel TFT element 14 connected to the same pixel electrode 15 and a p-channel TFT
The gate electrode of the FT element 17 is connected to the scanning line 11 of the same pixel row, and the pixel electrode 15 is connected to the auxiliary capacitance line 13 of the same pixel row via the p-channel TFT element 17.
【0048】各行の補助容量線13は、通常のように最
端部で接続され同一の端子から取り出すのではなく、各
行で独立に走査線端子と反対側の基板端に設けた端子か
ら取り出される構造とし、各補助容量線13の電位を独
立に駆動可能とした。なお、補助容量線13の端子及び
走査線11の端子を同じ側から、補助容量線13の群と
走査線11の群をそれぞれまとめて取り出し、それぞれ
別の駆動回路IC群によって駆動することも可能であ
る。The auxiliary capacitance lines 13 in each row are not connected at the extreme end and taken out from the same terminal as usual, but are taken out independently from the terminals provided at the substrate end opposite to the scanning line terminals in each row. In this structure, the potential of each auxiliary capacitance line 13 can be driven independently. Note that the terminal of the auxiliary capacitance line 13 and the terminal of the scanning line 11 may be collectively taken out from the same side and the group of the auxiliary capacitance line 13 and the group of the scanning line 11 may be collectively taken out and driven by different driving circuit IC groups. It is.
【0049】なお、各TFT素子,液晶材料及び液晶セ
ルの製造方法は第1実施形態と同じであるので、その説
明を省略する。駆動系は、最大印加電圧3V,1ライン
の選択時間64μsのVGA対応(上下二分割駆動)の
ものを用いた。各走査線11に、図4(b)に例示した
走査線駆動波形を入力した。リセットパルス21は、複
数画素行で一部ずつオーバーラップさせ、そのパルス幅
を約300μsとして十分リセット時間を確保した。The manufacturing method of each TFT element, liquid crystal material and liquid crystal cell is the same as that of the first embodiment, and the description is omitted. The drive system used was a VGA-compatible (vertical two-part drive) with a maximum applied voltage of 3 V and a selection time of 64 μs per line. The scanning line driving waveform illustrated in FIG. 4B was input to each scanning line 11. The reset pulse 21 partially overlaps a plurality of pixel rows, and its pulse width is set to about 300 μs to secure a sufficient reset time.
【0050】走査線11にリセットパルス21が入力さ
れると、nチャネルTFT素子14はオフとなり、pチ
ャネルTFT素子17がオンとなる。pチャネルTFT
素子17のオンにより画素電極15が補助容量線13に
接続される。そして、画素印加電圧を前のフレームの信
号極性と逆の極性の飽和電圧の1/2付近の電圧にする
ことによって、リセット動作が行われる。この動作は、
補助容量線電位を液晶の飽和電圧の1/2の電圧にシフ
トさせることによって行われる。When a reset pulse 21 is input to the scanning line 11, the n-channel TFT element 14 turns off and the p-channel TFT element 17 turns on. p-channel TFT
When the element 17 is turned on, the pixel electrode 15 is connected to the auxiliary capacitance line 13. Then, the reset operation is performed by setting the pixel applied voltage to a voltage near 1/2 of the saturation voltage having the polarity opposite to the signal polarity of the previous frame. This behavior is
This is performed by shifting the potential of the auxiliary capacitance line to half the saturation voltage of the liquid crystal.
【0051】次いで、信号書込パルス22によって、n
チャネルTFT素子14がオンとなり、信号線12から
画素電極15に画像の階調に応じた画像信号を入力され
て画像表示が行われる。Next, the signal writing pulse 22 causes n
The channel TFT element 14 is turned on, an image signal corresponding to the gradation of the image is input from the signal line 12 to the pixel electrode 15, and an image is displayed.
【0052】画像信号は対向電極電位を中心に交流と
し、各フレームにおいて各行ごとに信号極性を反転させ
る行反転(H反転)を行って駆動し、画像表示を行っ
た。画像表示の結果、70:1のコントラスト比,1m
s以下の応答速度が得られ、ステップ応答による残像は
認められなかった。The image signal was AC with the potential of the counter electrode as the center, and in each frame, row inversion (H inversion) for inverting the signal polarity was performed for each row and driving was performed to display an image. As a result of the image display, a contrast ratio of 70: 1, 1 m
A response speed of s or less was obtained, and no afterimage due to the step response was observed.
【0053】[第3実施形態]本実施形態の液晶表示素
子は、アレイ基板上に640×480(VGA)の画素
が形成されたディスプレイである。[Third Embodiment] The liquid crystal display element of the present embodiment is a display in which 640 × 480 (VGA) pixels are formed on an array substrate.
【0054】図5はTFTアレイ上のサブピクセルの構
成を示す平面図である。図6(a)はサブピクセル群の
うち4行2列部分の等価回路を示す回路図である。な
お、図5及び6において、図1及び2と同一な部分には
同一符号を付し、その説明を省略する。FIG. 5 is a plan view showing the configuration of the sub-pixel on the TFT array. FIG. 6A is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a 4-row, 2-column portion in the sub-pixel group. 5 and 6, the same parts as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【0055】本実施形態の特徴は、同じ画素電極15に
接続されるnチャネルTFT素子14と、pチャネルT
FT17のゲート電極は同一画素行の走査線に接続さ
れ、画素電極がpチャネルTFT素子17を介して異な
る画素行の補助容量線13に接続されていることであ
る。This embodiment is characterized in that an n-channel TFT element 14 connected to the same pixel electrode 15 and a p-channel TFT
The gate electrode of the FT 17 is connected to the scanning line of the same pixel row, and the pixel electrode is connected to the auxiliary capacitance line 13 of a different pixel row via the p-channel TFT element 17.
【0056】なお、各TFT素子の製造方法は第1実施
形態と同じであるので、その説明を省略する。なお、本
実施形態の液晶表示素子では、自発分極100nC/c
m2 ,応答時間90μs及び飽和電圧3Vの歪らせん型
強誘電性液晶(DHF液晶)Bを用いた。液晶セルは、
TFTアレイ基板とCF基板から構成される通常の製法
によるものを用いた。CF基板は、ITO電極(対向電
極)が全面に形成されたものを使用し、ITO電極の上
に80nmの厚さにSiO2 膜をスパッタ法を用いて成
膜した。TFTアレイ基板のITO電極層上及びCF基
板のSiO2 層上に、それぞれ液晶配向膜として低プレ
チルト性のポリイミド膜を成膜した。ラビング処理,セ
ルギャップ条件等は第1実施形態と同じものとした。Since the method of manufacturing each TFT element is the same as that of the first embodiment, the description is omitted. In the liquid crystal display device of the present embodiment, the spontaneous polarization is 100 nC / c.
A distorted helical ferroelectric liquid crystal (DHF liquid crystal) B having m 2 , a response time of 90 μs, and a saturation voltage of 3 V was used. The liquid crystal cell is
An ordinary manufacturing method comprising a TFT array substrate and a CF substrate was used. A CF substrate having an ITO electrode (opposite electrode) formed on the entire surface was used, and an 80 nm thick SiO 2 film was formed on the ITO electrode by a sputtering method. A low pretilt polyimide film was formed as a liquid crystal alignment film on each of the ITO electrode layer of the TFT array substrate and the SiO 2 layer of the CF substrate. The rubbing process, the cell gap conditions, and the like were the same as in the first embodiment.
【0057】駆動系は、最大印加電圧±3V,1ライン
の選択時間64μsのVGA対応(上下二分割駆動)の
ものを用いた。各走査線11に、図6(b)に例示した
走査線駆動波形を入力した。リセットパルス21は、複
数のラインで一部ずつオーバーラップさせパルス幅を約
200μsとして十分リセット時間を確保した。The drive system used was a VGA compatible (upper and lower two-part drive) with a maximum applied voltage of ± 3 V and a selection time of 64 μs for one line. The scanning line driving waveform illustrated in FIG. 6B was input to each scanning line 11. The reset pulse 21 was partially overlapped by a plurality of lines, and the pulse width was set to about 200 μs to secure a sufficient reset time.
【0058】走査線11にリセットパルス21が入力さ
れると、nチャネルTFT素子14はオフとなり、pチ
ャネルTFT素子17がオンとなる。pチャネルTFT
素子17のオンにより画素電極15が補助容量線13に
接続される。そして、画素印加電圧を0V付近の電圧に
することによりリセット動作が行われる。この動作は、
対向電極電位と同電位に固定することにより行われる。When the reset pulse 21 is input to the scanning line 11, the n-channel TFT element 14 turns off and the p-channel TFT element 17 turns on. p-channel TFT
When the element 17 is turned on, the pixel electrode 15 is connected to the auxiliary capacitance line 13. Then, the reset operation is performed by setting the pixel applied voltage to a voltage near 0V. This behavior is
This is performed by fixing the potential to the same potential as the counter electrode potential.
【0059】次いで、信号書込パルス22によって、n
チャネルTFT素子14がオンとなり、信号線12から
画素電極15に画像の階調に応じた画像信号を入力され
て画像表示が行われる。Next, the signal write pulse 22 causes n
The channel TFT element 14 is turned on, an image signal corresponding to the gradation of the image is input from the signal line 12 to the pixel electrode 15, and an image is displayed.
【0060】画像信号は対向電極電位を中心に交流と
し、各フレームにおいて各信号線ごとに信号極性を反転
させる信号線反転を行って駆動し、画像表示を行った。
70:1のコントラスト比及び1ms以下の応答速度が
得られ、ステップ応答による残像は認められなかった。The image signal was set to an alternating current centering on the potential of the counter electrode, and in each frame, a signal line inversion for inverting the signal polarity was performed for each signal line, and driving was performed to display an image.
A contrast ratio of 70: 1 and a response speed of 1 ms or less were obtained, and no afterimage due to the step response was observed.
【0061】[第4実施形態]図7はTFTアレイ上の
サブピクセルの構成を示す平面図である。図8(a)は
サブピクセル群のうち4行2列部分の等価回路を示す回
路図である。Fourth Embodiment FIG. 7 is a plan view showing a configuration of a sub-pixel on a TFT array. FIG. 8A is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a 4-row, 2-column portion in the sub-pixel group.
【0062】本実施形態の特徴は、同じ画素電極15に
接続されるnチャネルTFT素子14と、pチャネルT
FT素子17のゲート電極は異なる画素行の走査線11
に接続されており、画素電極15がpチャネルTFT素
子17を介して異なる画素行の補助容量線13に接続さ
れていることである。This embodiment is characterized in that an n-channel TFT element 14 connected to the same pixel electrode 15 and a p-channel TFT
The gate electrode of the FT element 17 is the scanning line 11 of a different pixel row.
And the pixel electrode 15 is connected to the auxiliary capacitance line 13 of a different pixel row via the p-channel TFT element 17.
【0063】各TFT素子の半導体層には、上記実施形
態で用いていたa−Siではなく、poly−Siを使
用した。nチャネルTFT素子14及びpチャネルTF
T素子17は、poly−Si層の初期キャリア濃度と
膜厚及びゲート絶縁膜の厚さの調整により、両TFTの
しきい電圧の差が、駆動時の信号振幅の2倍より大きく
なるように作成した。後述するように本実施形態の駆動
系では信号振幅が±3Vであるため、しきい電圧の差は
6V以上にした。液晶材料及びセルの製造方法は第1実
施形態と同じとした。For the semiconductor layer of each TFT element, poly-Si was used instead of a-Si used in the above embodiment. n-channel TFT element 14 and p-channel TF
By adjusting the initial carrier concentration and thickness of the poly-Si layer and the thickness of the gate insulating film, the T element 17 is adjusted so that the threshold voltage difference between the two TFTs becomes larger than twice the signal amplitude at the time of driving. Created. As will be described later, since the signal amplitude is ± 3 V in the drive system of the present embodiment, the difference between the threshold voltages is set to 6 V or more. The method for manufacturing the liquid crystal material and the cell was the same as in the first embodiment.
【0064】駆動系は、最大印加電圧±3V、1ライン
の選択時間42μsのXGA対応(上下二分割駆動)の
ものを用いた。各走査線11に、図8(b)に例示した
走査線駆動波形を入力した。リセットパルス21は、複
数のラインで一部ずつオーバーラップさせパルス幅を約
250μsとして十分リセット時間を確保した。The drive system used was XGA-compatible (upper and lower two-part drive) with a maximum applied voltage of ± 3 V and a line selection time of 42 μs. The scanning line driving waveform illustrated in FIG. 8B was input to each scanning line 11. The reset pulse 21 was partially overlapped by a plurality of lines, and the pulse width was set to about 250 μs to secure a sufficient reset time.
【0065】走査線11にリセットパルス21が入力さ
れると、nチャネルTFT素子14はオフのままで、1
行上の画素に接続されたpチャネルTFT素子17がオ
ンとなる。そして、pチャネルTFT素子17のオンに
より画素電極15が補助容量線13に接続される。When a reset pulse 21 is input to the scanning line 11, the n-channel TFT element 14 remains off and 1
The p-channel TFT element 17 connected to the pixel on the row is turned on. Then, when the p-channel TFT element 17 is turned on, the pixel electrode 15 is connected to the auxiliary capacitance line 13.
【0066】そして、pチャネルTFT素子17がオン
の時、補助容量線13の電位をほとんど動かさずに対向
電極電位と同電位にし、画素印加電圧を0V付近の電圧
にすることによって、リセット動作が行われる。When the p-channel TFT element 17 is on, the potential of the auxiliary capacitance line 13 is kept almost the same as the potential of the counter electrode without moving, and the voltage applied to the pixel is set to a voltage near 0 V. Done.
【0067】次いで、信号書込パルス22によって、n
チャネルTFT素子14がオン、pチャネルTFT素子
がオフとなり、信号線12から画素電極15に画像の階
調に応じた画像信号を入力することによって行われる。Next, the signal writing pulse 22 causes n
This is performed by turning on the channel TFT element 14 and turning off the p-channel TFT element, and inputting an image signal according to the gradation of the image from the signal line 12 to the pixel electrode 15.
【0068】画像信号は対向電極電位を中心に交流と
し、各フレームにおいて各画素ごとに信号極性を反転さ
せる画素反転(ドット反転)を行って駆動し、画像表示
を行った。The image signal was set to an alternating current with the potential of the counter electrode as the center, and the pixels were driven by performing pixel inversion (dot inversion) for inverting the signal polarity for each pixel in each frame to display an image.
【0069】画像表示の結果、70:1のコントラスト
比及び1ms以下の応答速度が得られ、ステップ応答に
よる残像は認められなかった。 [比較例1−1]1画素につき1つのTFT素子及び1
本ずつの走査線と信号線を備えた従来型のアレイ構造を
用いる他は、第1実施形態と同じ条件のセルを作成し
た。リセット動作を行わない通常の駆動を行ったとこ
ろ、コントラスト比は20:1と低下し、ステップ応答
による残像が認められた。次に、1ラインの選択時間の
前半をリセット動作にあてる駆動を行った。ステップ応
答による残像は解消されたが、コントラスト比は25:
1程度しか得られなかった。As a result of the image display, a contrast ratio of 70: 1 and a response speed of 1 ms or less were obtained, and no afterimage due to the step response was observed. [Comparative Example 1-1] One TFT element and one pixel per pixel
A cell was prepared under the same conditions as in the first embodiment, except that a conventional array structure having a scanning line and a signal line each was used. When normal driving was performed without performing a reset operation, the contrast ratio was reduced to 20: 1, and an afterimage due to a step response was observed. Next, driving was performed in which the first half of the selection time of one line was used for the reset operation. The afterimage due to the step response has been eliminated, but the contrast ratio is 25:
Only about 1 was obtained.
【0070】[比較例1−2]信号書込用TFT素子と
してpチャネルTFT素子を使用し、リセット用TFT
素子としてnチャネルTFT素子を使用し、pチャネル
TFT素子のW/LをnチャネルTFT素子より大きく
するほかは、第1実施形態と同じアレイ構造・セル構成
・回路構成を用いたセルを同じ条件で作成した。第1実
施形態と同様の駆動を行ったが、ステップ応答による残
像は解消されたものの、コントラスト比は50:1程度
しか得られなかった。[Comparative Example 1-2] A reset TFT using a p-channel TFT element as a signal writing TFT element
A cell using the same array structure, cell configuration, and circuit configuration as in the first embodiment is used under the same conditions, except that an n-channel TFT element is used as the element and the W / L of the p-channel TFT element is larger than that of the n-channel TFT element. Created in. The same driving as in the first embodiment was performed, but the afterimage due to the step response was eliminated, but the contrast ratio was only about 50: 1.
【0071】従って、信号書込用TFT素子としてnチ
ャネルTFT素子を使用し、リセット用TFT素子とし
てpチャネルTFT素子を使用することが好ましいこと
が分かる。Therefore, it is understood that it is preferable to use an n-channel TFT element as the signal writing TFT element and use a p-channel TFT element as the reset TFT element.
【0072】次いで、信号書込用スイッチング素子とリ
セット用スイッチング素子との二つのスイッチング素子
を有し、それぞれのスイッチング素子が異なる走査線に
接続されている液晶表示素子の実施形態について説明す
る。Next, an embodiment of a liquid crystal display element having two switching elements, a signal writing switching element and a reset switching element, and each switching element is connected to a different scanning line will be described.
【0073】[第5実施形態]本実施形態の液晶表示素
子は、1024×768の画素がマトリクス状に配列さ
れたものである(XGA)。[Fifth Embodiment] The liquid crystal display element of the present embodiment has 1024 × 768 pixels arranged in a matrix (XGA).
【0074】図9は、本発明の第5実施形態に係わる液
晶表示素子のTFTアレイ基板の構成を示す平面図であ
る。また、図10はサブピクセル群のうち3列の部分の
等価回路を示している。FIG. 9 is a plan view showing a structure of a TFT array substrate of a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention. FIG. 10 shows an equivalent circuit of a portion of three columns in the sub-pixel group.
【0075】第1の走査線31及び第2の走査線32が
行方向に形成され、信号線12が列方向に形成されてい
る。また、補助容量線13が行方向に形成され、端部で
共通の補助容量線13に接続されている。The first scanning lines 31 and the second scanning lines 32 are formed in the row direction, and the signal lines 12 are formed in the column direction. The auxiliary capacitance line 13 is formed in the row direction, and is connected to the common auxiliary capacitance line 13 at an end.
【0076】第1の走査線31が信号書込用TFT素子
33のゲート電極に接続されている。また、信号線12
が、信号書込用TFT素子33を介して画素電極15に
接続されている。The first scanning line 31 is connected to the gate electrode of the signal writing TFT element 33. Also, the signal line 12
Are connected to the pixel electrode 15 via the signal writing TFT element 33.
【0077】第2の走査線32がリセット用TFT素子
34のゲート電極に接続されている。また、補助容量線
13が、リセット用TFT素子34を介して画素電極1
5に接続されている。また、画素電極15が補助容量1
6を介して補助容量線13に接続されている。The second scanning line 32 is connected to the gate electrode of the reset TFT element 34. The auxiliary capacitance line 13 is connected to the pixel electrode 1 via the reset TFT element 34.
5 is connected. The pixel electrode 15 is connected to the storage capacitor 1.
6 is connected to the auxiliary capacitance line 13.
【0078】第1の走査線31はTFTアレイ基板端か
ら3つの束にまとめて第1の走査線駆動IC41に接続
され、第2の走査線32も同様にアレイ基板端から3つ
の束にまとめて第2の走査線駆動IC42に接続されて
いる。The first scanning lines 31 are combined into three bundles from the end of the TFT array substrate and connected to the first scanning line driving IC 41, and the second scanning lines 32 are similarly combined into three bundles from the end of the array substrate. Connected to the second scanning line driving IC 42.
【0079】信号書込用及びリセット用TFT素子3
3,34は、チャネルにa−Si層を用いて作成されて
いる。また、液晶セルは、TFT素子及び画素電極が形
成されたTFTアレイ基板と、対向電極が形成されたC
F基板とを対向配置し、両者の間に液晶材料を注入して
構成される。CF基板はオーバーコート層を有し、アレ
イ基板の信号線及びTFT素子に対向する部分のITO
電極をエッチングによって除去した。さらにITO電極
層の上に30nmの厚さにSiO2 膜がスパッタ成膜さ
れている。Signal writing and resetting TFT element 3
Reference numerals 3 and 34 are formed using an a-Si layer as a channel. The liquid crystal cell includes a TFT array substrate on which a TFT element and a pixel electrode are formed, and a C array on which a counter electrode is formed.
An F substrate is disposed to face and a liquid crystal material is injected between the two. The CF substrate has an overcoat layer, and a portion of the ITO facing the signal lines and the TFT elements of the array substrate
The electrode was removed by etching. Further, a 30 nm thick SiO 2 film is formed on the ITO electrode layer by sputtering.
【0080】TFT基板のITO電極上及びCF基板の
SiO2 層上に、液晶配向膜として低プレチルト性のポ
リイミド膜をそれぞれ成膜した。各基板の配向膜は、セ
ル長手方向に、注入方向と逆向きにラビングした。ただ
し両基板のラビング軸は、約10゜ずらした。そして、
樹脂コートを施したシリカスペーサを散布することによ
りセルギャップは2.0μmとした。On the ITO electrode of the TFT substrate and on the SiO 2 layer of the CF substrate, a low pretilt polyimide film was formed as a liquid crystal alignment film. The alignment film of each substrate was rubbed in the cell longitudinal direction in the direction opposite to the injection direction. However, the rubbing axes of both substrates were shifted by about 10 °. And
The cell gap was set to 2.0 μm by scattering resin-coated silica spacers.
【0081】液晶材料として、自発分極200nC/c
m2 ,応答時間100μs及び飽和電圧4Vの無しきい
反強誘電性液晶A(三井石油化学社製)を使用した。駆
動系は、最大印加電圧±5V,1ラインの選択時間42
μsのXGA対応(上下二分割駆動)のものを用いた。
図10に示す等価回路の各第1の走査線31に図11に
示した駆動波形を入力し、各第2の走査線32に図11
に例示した駆動波形を入力した。なお、図11の駆動波
形に付記された符号は、図10において符号が付された
第1及び第2の走査線31,32に対応している。As the liquid crystal material, spontaneous polarization 200 nC / c
A threshold antiferroelectric liquid crystal A (manufactured by Mitsui Petrochemical) having m 2 , a response time of 100 μs, and a saturation voltage of 4 V was used. The driving system has a maximum applied voltage of ± 5 V and a selection time of one line of 42.
An XGA-compatible one (upper and lower two-part drive) of μs was used.
The driving waveform shown in FIG. 11 is input to each first scanning line 31 of the equivalent circuit shown in FIG.
The driving waveform illustrated in FIG. Note that the reference numerals added to the drive waveforms in FIG. 11 correspond to the first and second scanning lines 31 and 32 denoted in FIG.
【0082】この駆動波形は、リセット用TFT素子3
4をオンするためのリセットパルス21と、信号書込用
TFT素子33をオンするための信号書込パルス22と
である。リセットパルス21は、複数のラインで一部ず
つオーバーラップさせパルス幅を約300μsとして十
分リセット時間が確保されている。This drive waveform is applied to the reset TFT element 3
4 and a signal write pulse 22 for turning on the signal writing TFT element 33. The reset pulse 21 is partially overlapped by a plurality of lines, and the pulse width is set to about 300 μs to sufficiently secure the reset time.
【0083】第2の走査線32にリセットパルス21が
入力されると、信号書込用TFT素子33はオフのまま
で、リセット用TFT素子34がオンとなる。そして、
リセット用TFT素子34のオンにより画素電極15が
補助容量線13に接続される。そして、補助容量線13
の電位をほとんど動かさずに対向電極電位と同電位に
し、画素印加電圧を0V付近の電圧にすることによっ
て、リセット動作が行われる。When the reset pulse 21 is input to the second scanning line 32, the signal writing TFT element 33 remains off and the reset TFT element 34 turns on. And
When the reset TFT element 34 is turned on, the pixel electrode 15 is connected to the auxiliary capacitance line 13. And the auxiliary capacitance line 13
The reset operation is performed by setting the potential of the pixel to the same potential as the counter electrode potential with almost no change, and setting the pixel applied voltage to a voltage near 0 V.
【0084】次いで、第1の走査線31に入力された信
号書込パルス22によって、信号書込用TFT素子33
がオン、信号線12から画素電極15に画像の階調に応
じた画像信号を入力することによって、画像表示が行わ
れる。Next, the signal writing pulse 22 input to the first scanning line 31 generates a signal writing TFT element 33.
Is turned on, and an image signal corresponding to the gradation of the image is input from the signal line 12 to the pixel electrode 15 to perform image display.
【0085】画像信号は、対向電極電位を中心に交流と
し、各フレームにおいて各列ごとに信号極性を反転させ
る信号線反転を行って駆動し画像表示を行った。補助容
量線の電位は、対向電極電位と同じとし一定にした。The image signal was set to an alternating current centered on the potential of the counter electrode, and the image was displayed by driving by performing signal line inversion for inverting the signal polarity for each column in each frame. The potential of the auxiliary capacitance line was the same as the potential of the counter electrode, and was kept constant.
【0086】画像表示の結果、70:1のコントラスト
比及び1ms以下の応答速度が得られ、ステップ応答に
よる残像は認められなかった。本実施形態の液晶表示素
子によれば、第1の走査線と第2の走査線が異なるIC
によって駆動されるように、第1の走査線と第2の走査
線との端子をアレイ基板の同じ側に分離して2系統設け
ることによって、従来の走査線駆動ICによる駆動が可
能になり、コストの上昇を抑えることが可能になる。つ
まり、表示領域内に第1及び第2の走査線が交互に配置
されているので、基板端の同じ側に駆動ICを接続する
端子を設けると、端子数の増加による駆動IC数の増加
及び従来と異なる仕様の走査線駆動ICが必要となり、
コストの上昇を招く。As a result of the image display, a contrast ratio of 70: 1 and a response speed of 1 ms or less were obtained, and no afterimage due to the step response was observed. According to the liquid crystal display device of the present embodiment, the first scanning line and the second scanning line have different ICs.
By driving the first scanning line and the second scanning line on the same side of the array substrate and providing two systems, the driving by the conventional scanning line driving IC becomes possible. It is possible to suppress an increase in cost. That is, since the first and second scanning lines are alternately arranged in the display area, if terminals for connecting the driving ICs are provided on the same side of the substrate end, the number of driving ICs increases due to an increase in the number of terminals. A scanning line drive IC with a different specification from the past is required,
This leads to higher costs.
【0087】なお、二つの端子は、アレイ基板上の異な
る側に設置,或いは周辺回路によって各端子を2系統に
分離しても同様な効果がある。 [第6実施形態]本実施形態の液晶表示素子は、640
×480の画素がマトリクス状に配列されたものである
(VGA)。The same effect can be obtained by installing the two terminals on different sides of the array substrate, or separating each terminal into two systems by a peripheral circuit. [Sixth Embodiment] The liquid crystal display device of the present embodiment is 640
× 480 pixels are arranged in a matrix (VGA).
【0088】図12は、本発明の第6実施形態に係わる
液晶表示素子の等価回路を示す回路図である。図12に
おいて、図11と同一な部分には同一符号を付しその説
明を省略する。なお、サブピクセルの構成は第5実施形
態と同様なので、その図示を省略する。FIG. 12 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a liquid crystal display according to the sixth embodiment of the present invention. 12, the same parts as those of FIG. 11 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. Since the configuration of the sub-pixel is the same as that of the fifth embodiment, the illustration is omitted.
【0089】本実施形態の特徴は、第2の走査線32
が、バイパス線51を介して3画素行隔てた第1の走査
線31に画素領域外において接続されていることであ
る。TFTアレイ基板端には、第1及び第2の走査線3
1,32に共通の端子が設けられている。すなわち画素
行と同数の走査線端子が設けられており、従来の走査線
が1系統の液晶表示素子と変わるところがない。This embodiment is characterized in that the second scanning line 32
Is connected outside the pixel region to the first scanning line 31 separated by three pixel rows via the bypass line 51. The first and second scanning lines 3 are provided at the end of the TFT array substrate.
Terminals 1 and 32 are provided with a common terminal. That is, the same number of scanning line terminals as the number of pixel rows are provided, and there is no difference between a conventional scanning line and a single liquid crystal display element.
【0090】また、最上部と最下部の画素のない領域に
は、書込み特性を中央部と同一にする目的で、第1及び
第2のダミー走査線35,36が設けられている。最下
部の第1の走査線31と最上部の第2の走査線32は、
バイパス線51aによって接続されている。また、図1
3に示す様に、最下部の第1の走査線31と最上部の第
2の走査線32を接続せず、最上層の第2の走査線32
及び最下層の第1の走査線31をそれぞれ第1及び第2
のダミー走査線35,36に接続してもよい。Further, the first and second dummy scanning lines 35 and 36 are provided in the region where there is no pixel at the uppermost portion and the lowermost portion in order to make the writing characteristics the same as those at the central portion. The lowermost first scanning line 31 and the uppermost second scanning line 32 are
They are connected by a bypass line 51a. FIG.
As shown in FIG. 3, the lowermost first scanning line 31 and the uppermost second scanning line 32 are not connected, and the uppermost second scanning line 32 is not connected.
And the first scanning line 31 of the lowermost layer are respectively connected to the first and second scanning lines.
May be connected to the dummy scanning lines 35 and 36.
【0091】なお、アレイ基板端の端子を第1の走査線
31と第2の走査線32とで別個に設け、バイパス線5
1を周辺回路基板上に設けて、駆動ICに接続するとい
う方法をとることも可能であり、表示特性上は上記の例
の場合と同じ効果がある。The terminals at the ends of the array substrate are separately provided for the first scanning line 31 and the second scanning line 32, and the bypass line 5
1 may be provided on a peripheral circuit board and connected to a drive IC, and the same effect as in the above example can be obtained in terms of display characteristics.
【0092】さらに、信号線12を中央部において分離
した上下2分割駆動の場合には、上下の同じ位置に対応
する走査線の端子同士をアレイ基板上あるいは周辺回路
上において接続することにより、走査線駆動IC数を半
減させることが可能である。Further, in the case of the upper and lower two-part drive in which the signal line 12 is separated at the center, the terminals of the scanning lines corresponding to the same upper and lower positions are connected to each other on the array substrate or on the peripheral circuit, so that the scanning is performed. It is possible to halve the number of line drive ICs.
【0093】また、各TFT素子及び液晶セルの製造方
法は第5実施形態と同じとした。液晶材料として、自発
分極140nC/cm2 ,応答時間120μs及び飽和
電圧6Vの無しきい反強誘電性液晶Cを用いた。セル形
成後、周辺回路基板を介して走査線群をアレイ基板端か
ら走査線駆動ICに接続した。The method of manufacturing each TFT element and liquid crystal cell was the same as in the fifth embodiment. An antiferroelectric liquid crystal C having a spontaneous polarization of 140 nC / cm 2 , a response time of 120 μs, and a saturation voltage of 6 V was used as a liquid crystal material. After the cell formation, the scanning line group was connected to the scanning line driving IC from the end of the array substrate via the peripheral circuit substrate.
【0094】走査線駆動ICは、最大印加電圧±5V,
1ラインの選択時間64μsのVGA対応(上下二分割
駆動)のものを用いた。各走査線端子に、図14に示す
駆動波形を入力して、リセット動作及び書込動作を行っ
た。この波形中のパルス38は、第1の走査線31に接
続された信号書込用TFT素子33をオンするためのパ
ルスであると同時に、3画素行隔てた行の第2の走査線
32に接続されたリセット用TFT素子34をオンする
ためのパルスである。The scanning line driving IC has a maximum applied voltage of ± 5 V,
A VGA-compatible (upper and lower divided drive) with a selection time of 64 μs per line was used. The drive waveform shown in FIG. 14 was input to each scanning line terminal, and a reset operation and a write operation were performed. The pulse 38 in this waveform is a pulse for turning on the signal writing TFT element 33 connected to the first scanning line 31, and is also applied to the second scanning line 32 separated by three pixel rows. This is a pulse for turning on the connected reset TFT element 34.
【0095】第2の走査線32に入力されるパルス38
は、3画素行隔てた画素の第1の走査線31の書込みパ
ルスと同一であり、そのリセット時間は約64μsであ
る。補助容量線13の電位をほとんど動かさずに対向電
極電位と同電位にし、画素印加電圧を0V付近の電圧に
することによって、リセット動作を行った。リセット動
作と書込動作との間のの約192μs間にも液晶は応答
を続け、これによってほぼリセットされる。The pulse 38 input to the second scanning line 32
Is the same as the writing pulse of the first scanning line 31 of the pixels separated by three pixel rows, and the reset time is about 64 μs. The reset operation was performed by setting the potential of the auxiliary capacitance line 13 to the same potential as the counter electrode potential without substantially moving the same, and setting the pixel applied voltage to a voltage near 0 V. The liquid crystal continues to respond for about 192 μs between the reset operation and the write operation, whereby the liquid crystal is almost reset.
【0096】また、信号線から入力される画像信号は対
向電極電位を中心に交流とし、各フレームにおいて各列
ごとに信号極性を反転させる信号線反転を行って駆動し
画像表示を行った。The image signal input from the signal line was set to an alternating current centering on the potential of the counter electrode, and the image was displayed by driving the signal line by inverting the signal polarity for each column in each frame.
【0097】画像表示の結果、80:1のコントラスト
比及び1ms以下の応答速度が得られ、ステップ応答に
よる残像は認められなかった。また、各行の補助容量線
を基板上ですべて接続せずに独立とし、別の端子から取
り出して各補助容量線13を独立に駆動できるようにし
たアレイ構造を作成した。これ以外の作成条件は上記と
同じとし、同様の駆動を行った。ただし、リセット動作
は、画素印加電圧を前のフレームの信号極性と逆の極性
の液晶の飽和電圧の1/2の電圧にすることによって行
った。このリセット動作は、補助容量線の電位を液晶の
飽和電圧の1/2の電圧にシフトさせることにより行っ
た。As a result of the image display, a contrast ratio of 80: 1 and a response speed of 1 ms or less were obtained, and no afterimage due to the step response was observed. Further, an array structure was prepared in which the auxiliary capacitance lines of each row were independent without connecting them all on the substrate, and were taken out from another terminal so that each auxiliary capacitance line 13 could be driven independently. Other preparation conditions were the same as above, and the same driving was performed. However, the reset operation was performed by setting the pixel applied voltage to 電 圧 of the saturation voltage of the liquid crystal having the polarity opposite to the signal polarity of the previous frame. This reset operation was performed by shifting the potential of the auxiliary capacitance line to half the saturation voltage of the liquid crystal.
【0098】画像信号は対向電極電位を中心に交流と
し、各フレームにおいて各行ごとに信号極性を反転させ
る行反転(H反転)を行って駆動し画像表示を行った。
画像表示の結果、80:1のコントラスト比及び1ms
以下の応答速度が得られ、ステップ応答による残像は認
められなかった。The image signal was set to an alternating current with the counter electrode potential at the center, and the image was displayed by performing row inversion (H inversion) for inverting the signal polarity for each row in each frame.
As a result of the image display, a contrast ratio of 80: 1 and 1 ms
The following response speed was obtained, and no afterimage due to the step response was observed.
【0099】本実施形態によれば、第2の走査線が異な
る画素行の第1の走査線に接続することによって、従来
の駆動ICを用いてリセット動作を行うことができ、コ
ストの上昇を抑えることができる。According to the present embodiment, by connecting the second scanning line to the first scanning line of a different pixel row, the reset operation can be performed using the conventional driving IC, and the cost is increased. Can be suppressed.
【0100】[第7実施形態]本実施形態の液晶表示素
子は、640×480の画素がマトリクス状に配列され
たものである(VGA)。[Seventh Embodiment] The liquid crystal display element of the present embodiment has 640 × 480 pixels arranged in a matrix (VGA).
【0101】図15は、本発明の第7実施形態に係わる
液晶表示素子の等価回路を示す回路図である。図15に
おいて、図12と同一な部分には同一符号を付し、その
説明を省略する。なお、サブピクセルの構造は第5実施
形態と同様なので、その図示を省略する。FIG. 15 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a liquid crystal display device according to the seventh embodiment of the present invention. 15, the same parts as those of FIG. 12 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. Since the structure of the sub-pixel is the same as that of the fifth embodiment, the illustration thereof is omitted.
【0102】本実施形態の特徴は、4本の第2の走査線
32が画素領域外でバイパス線52に続されており、さ
らにバイパス線52がそれぞれにダイオード39が介挿
された4本のバイパス線53に接続されていることであ
る。そして、同一のバイパス線52に接続する4本のバ
イパス線53は、連続して信号書込パルスが印加される
第1の走査線31に接続されている。The feature of this embodiment is that four second scanning lines 32 are connected to bypass lines 52 outside the pixel area, and four bypass lines 52 each having a diode 39 interposed therebetween. That is, it is connected to the bypass line 53. The four bypass lines 53 connected to the same bypass line 52 are connected to the first scanning line 31 to which a signal write pulse is continuously applied.
【0103】そして、TFTアレイ基板端には、第1及
び第2の走査線31,32の共通の端子が設けられてい
る。すなわち画素行と同数の走査線端子が設けられてい
る点で、従来の走査線が1系統の液晶表示素子と変わる
ところがない。At the end of the TFT array substrate, a common terminal for the first and second scanning lines 31 and 32 is provided. That is, a conventional scanning line is the same as a single-system liquid crystal display element in that the same number of scanning line terminals as pixel rows are provided.
【0104】なお、アレイ基板端の端子を第1の走査線
31と第2の走査線32で別個に設け、ダイオード39
が介挿されたバイパス線52は周辺回路基板上に設け
て、駆動ICに接続するという方法をとることも可能で
あり、表示特性上は上記の例の場合と同じ効果がある。The terminals at the end of the array substrate are separately provided for the first scanning line 31 and the second scanning line 32, and the diode 39 is provided.
May be provided on the peripheral circuit board and connected to the driving IC, and the display characteristics are the same as those in the above example.
【0105】また、最上部の第2の走査線32は、バイ
パス線52aを介して最下部の第1の走査線31に接続
されている。また、図16に示すように、最下部の第1
の走査線31と、最上部の第2の走査線32を接続せ
ず、最上部の第2の走査線32及び最下部の第1の走査
線31をそれぞれ第1及び第2のダミー走査線35,3
6に接続してもよい。The uppermost second scanning line 32 is connected to the lowermost first scanning line 31 via a bypass line 52a. In addition, as shown in FIG.
Is not connected to the uppermost second scanning line 32, and the uppermost second scanning line 32 and the lowermost first scanning line 31 are respectively connected to the first and second dummy scanning lines. 35,3
6 may be connected.
【0106】各TFT素子の製造方法は第1実施形態と
同じとした。液晶材料として、自発分極100nC/c
m2 ,応答時間90μs及び飽和電圧3Vの歪らせん型
強誘電性液晶(DHF液晶)Bを用いた。液晶セルは、
TFTアレイ基板とCF基板から構成される通常の製法
によるものを用いた。CF基板はITOベタ電極を有す
るものを使用し、ITO電極層の上に80nmの厚さに
SiO2 膜をスパッタ成膜した。TFT基板のITO電
極層の上及びCF基板のSiO2 層の上に、それぞれ液
晶配向膜として低プレチルト性のポリイミド膜を成膜し
た。ラビング・セルギャップ条件等は第5実施形態と同
じとした。The method of manufacturing each TFT element was the same as in the first embodiment. Spontaneous polarization 100 nC / c as liquid crystal material
A distorted helical ferroelectric liquid crystal (DHF liquid crystal) B having m 2 , a response time of 90 μs, and a saturation voltage of 3 V was used. The liquid crystal cell is
An ordinary manufacturing method comprising a TFT array substrate and a CF substrate was used. A CF substrate having a solid ITO electrode was used, and an SiO 2 film was sputtered to a thickness of 80 nm on the ITO electrode layer. A low pretilt polyimide film was formed as a liquid crystal alignment film on each of the ITO electrode layer of the TFT substrate and the SiO 2 layer of the CF substrate. The rubbing / cell gap conditions were the same as in the fifth embodiment.
【0107】駆動系は、最大印加電圧±5V,1ライン
の選択時間64μsのVGA対応(上下二分割駆動)の
ものを用いた。各走査線端子に、図17に示す駆動波形
を入力して、リセット動作及び書込動作を行った。The drive system used was a VGA-compatible (vertical two-part drive) with a maximum applied voltage of ± 5 V and a selection time of 64 μs per line. The drive waveform shown in FIG. 17 was input to each scanning line terminal, and a reset operation and a write operation were performed.
【0108】同一のバイパス線52に接続する4本の第
2の走査線32は、バイパス線53を介して、連続して
パルス38が入力される4本の第1の走査線31に接続
されている。従って、同一のバイパス線52に接続する
第2の走査線32には、4つのパルス38が連続して入
力される。つまり、4本の第2の走査線32には約25
6μsのリセットパルスが入力され、4画素行同時にリ
セット動作が行われる。The four second scanning lines 32 connected to the same bypass line 52 are connected via the bypass line 53 to the four first scanning lines 31 to which the pulse 38 is continuously input. ing. Therefore, four pulses 38 are continuously input to the second scanning lines 32 connected to the same bypass line 52. That is, about 25 lines are provided for the four second scanning lines 32.
A reset pulse of 6 μs is input, and a reset operation is performed simultaneously on four pixel rows.
【0109】リセット動作は、補助容量線13の電位を
ほとんど動かさずに対向電極電位と同電位にし、画素印
加電圧を0V付近にすることによって行った。リセット
動作と書込み動作の間にも液晶は応答を続け、これによ
ってほほリセットされる。The reset operation was performed by setting the potential of the auxiliary capacitance line 13 to the same potential as the counter electrode potential without substantially moving the potential, and setting the pixel applied voltage to around 0V. The liquid crystal continues to respond between the reset operation and the write operation, whereby the liquid crystal is almost reset.
【0110】画像信号は対向電極電位を中心に交流と
し、各フレームにおいて各列ごとに信号極性を反転させ
る信号線反転を行って駆動し、画像表示を行った。表示
の結果、70:1のコントラスト比及び1ms以下の応
答速度が得られ、ステップ応答による残像は認められな
かった。The image signal was set to an alternating current with the counter electrode potential at the center, and in each frame, the image signal was driven by performing signal line inversion for inverting the signal polarity for each column in each column. As a result of the display, a contrast ratio of 70: 1 and a response speed of 1 ms or less were obtained, and no afterimage due to the step response was observed.
【0111】本実施形態によれば、第2の走査線が連続
して選択され、リセット時間を十分長くとることがで
き、さらに複数の第2の走査線が異なる画素行の複数の
第1の走査線に接続することによって、従来の駆動IC
を用いることができる。According to the present embodiment, the second scanning lines are continuously selected, the reset time can be sufficiently long, and the plurality of second scanning lines are different from the plurality of first scanning lines of different pixel rows. By connecting to a scanning line, a conventional driving IC
Can be used.
【0112】[第8実施形態]本実施形態の液晶表示素
子は、640×480の画素がマトリクス状に配列され
たものである(VGA)。[Eighth Embodiment] The liquid crystal display element of the present embodiment has 640 × 480 pixels arranged in a matrix (VGA).
【0113】図18は、本発明の第8実施形態に係わる
液晶表示素子の等価回路を示す回路図である。図18に
おいて、図12と同一な部分には同一符号を付し、その
説明を省略する。なお、サブピクセルの構成は第5実施
形態と同様なので、その図示を省略する。FIG. 18 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a liquid crystal display device according to the eighth embodiment of the present invention. In FIG. 18, the same parts as those in FIG. Since the configuration of the sub-pixel is the same as that of the fifth embodiment, the illustration is omitted.
【0114】本実施形態の特徴は、第1の走査線31
が、ダイオード39が介挿されたバイパス線54を介し
て、異なる画素行の4本の第2の走査線32に画素領域
外で接続されていることである。従って、第2の走査線
32には、異なる画素行に属する第1の走査線31が4
本接続されている。なお、第2の走査線32に接続され
ている4本の第1の走査線31は、画像表示の際、連続
して選択される。This embodiment is characterized in that the first scanning line 31
However, it is connected to four second scanning lines 32 of different pixel rows outside the pixel region via the bypass line 54 in which the diode 39 is inserted. Therefore, the second scanning lines 32 include four first scanning lines 31 belonging to different pixel rows.
The book is connected. Note that the four first scanning lines 31 connected to the second scanning lines 32 are continuously selected when displaying an image.
【0115】アレイ基板端には、第1及び第2の走査線
31,32の共通の端子が設けられている。すなわち、
TFTアレイ基板上には画素行×2行の走査線が形成さ
れているが、画素行と同数の走査線素子が設けられてい
る点で、従来の走査線が1系統の液晶表示素子と変わる
ところがない。A common terminal for the first and second scanning lines 31 and 32 is provided at the end of the array substrate. That is,
Although the scanning lines of pixel rows × 2 rows are formed on the TFT array substrate, the conventional scanning lines are different from the liquid crystal display elements of one system in that the same number of scanning line elements as the pixel rows are provided. There is no place.
【0116】なお、アレイ基板端の端子を第1の走査線
31と第2の走査線32で別個に設け、ダイオードが介
挿されたバイパス線は周辺回路基板上に設けて駆動IC
に接続するという方法をとることも可能であり、表示特
性上は上記の例の場合と同じ効果がある。The terminals at the ends of the array substrate are provided separately for the first scanning line 31 and the second scanning line 32, and the bypass line with the diode interposed is provided on the peripheral circuit substrate to form a drive IC.
It is also possible to adopt a method of connecting to the display device, and the same effect as in the above example can be obtained in terms of display characteristics.
【0117】また、最下部の第1の走査線31と、最上
部の第2の走査線32は、それぞれ第1のダミー走査線
35と第2のダミー走査線36に接続されている。名T
FT素子、液晶材料及びセルの製造方法は第5実施形態
と同じとした。The lowermost first scanning line 31 and the uppermost second scanning line 32 are connected to a first dummy scanning line 35 and a second dummy scanning line 36, respectively. Name T
The method for manufacturing the FT element, the liquid crystal material, and the cell was the same as in the fifth embodiment.
【0118】駆動系は、最大印加電圧±5V,1ライン
の選択時間64μsのVGA対応〈上下二分割駆動)の
ものを用いた。各第1の走査線31に図19に示した走
査線駆動波形を入力した。The drive system used was VGA compatible (upper and lower two-part drive) with a maximum applied voltage of ± 5 V and a line selection time of 64 μs. The scanning line driving waveform shown in FIG. 19 was input to each first scanning line 31.
【0119】第1の走査線31にパルス(パルス幅64
μs)38が入力されると、バイパス線54を介して接
続された4本の第2の走査線32にもパルス38が入力
される。従って、第2の走査線32には、バイパス線5
4を介して接続された4本の第1の走査線31から連続
してパルス38が入力されるので、パルス幅256(=
64μs×4)μsのパルスが入力され、リセット動作
が行われる。また、リセットパルスと書込みパルスが入
力される間にも液晶は応答を続けることよってほほリセ
ットされる。A pulse (pulse width 64) is applied to the first scanning line 31.
μs) 38, the pulse 38 is also input to the four second scanning lines 32 connected via the bypass line 54. Accordingly, the second scanning line 32 includes the bypass line 5
Since the pulse 38 is continuously input from the four first scanning lines 31 connected through the line 4, the pulse width 256 (=
A pulse of 64 μs × 4) μs is input, and a reset operation is performed. Also, the liquid crystal is almost reset by continuing to respond while the reset pulse and the write pulse are input.
【0120】リセット動作は、補助容量線13の電位を
ほとんど動かさずに対向電極電位と同電位にし、画素印
加電位を0V付近にすることによって行った。書込動作
の際、画像信号は対向電極電位を中心に交流とし、各フ
レームにおいて名画素ごとに信号特性を反転させる画素
反転(ドット反転)を行って駆動し、画像表示を行っ
た。補助容量線13の電位は、対向電極電位と同じとし
一定にした。The reset operation was performed by keeping the potential of the auxiliary capacitance line 13 at the same potential as the potential of the counter electrode without substantially moving the potential, and setting the potential applied to the pixel to around 0V. At the time of the writing operation, the image signal was set to an alternating current with the counter electrode potential as the center, and the pixels were driven by performing pixel inversion (dot inversion) for inverting the signal characteristics for each name pixel in each frame to perform image display. The potential of the auxiliary capacitance line 13 was the same as the potential of the counter electrode, and was kept constant.
【0121】画像表示の結果、80:1のコントラスト
比及び1ms以下の応答速度が得られ、ステップ応答に
よる残像は認められなかった。次に、画素数を1024
×768(XGA)に変更し、スイッチング用及び信号
書込用TFT素子をpoly−Si層を使用したものに
変更した。回路構成は上記の実施例と同じとしたが、上
記の実施例における周辺回路及び駆動ICはすべてアレ
イ基板上に設置した。液晶材料及びセル作成方法等、そ
の他の点は上記実施形態と同じとした。As a result of the image display, a contrast ratio of 80: 1 and a response speed of 1 ms or less were obtained, and no afterimage due to the step response was observed. Next, the number of pixels is set to 1024.
× 768 (XGA), and the switching and signal writing TFT elements were changed to those using a poly-Si layer. The circuit configuration was the same as in the above embodiment, but all the peripheral circuits and drive ICs in the above embodiment were installed on an array substrate. Other points such as a liquid crystal material and a cell forming method are the same as those of the above embodiment.
【0122】駆動系は、最大印加電圧±5V、1ライン
の選択時間42μsのXGA対応(上下二分割駆動)の
ものを用いた。等価回路の各走査線31に、図19に例
示した走査線駆動波形を入カし、書込及びリセット動作
を行った。The drive system used was an XGA-compatible (upper and lower two-part drive) with a maximum applied voltage of ± 5 V and a line selection time of 42 μs. The scanning line drive waveform illustrated in FIG. 19 was input to each scanning line 31 of the equivalent circuit, and the writing and resetting operations were performed.
【0123】XGAの場合、リセットパルス幅約168
μsとなりVGAの場合に比べてリセット時間が短くな
るが、リセットと書込みの間にも液晶は応答を続けるこ
とよってほほリセットされた。In the case of XGA, the reset pulse width is about 168
The reset time was shorter than that in the case of the VGA, but the liquid crystal was almost reset because the liquid crystal continued to respond between the reset and the writing.
【0124】画像表示の結果、コントラスト比は70:
1、応答速度は1ms以下が得られステップ応答による
残像は認められなかった。本実施形態によれば、リセッ
ト動作と信号書込動作との間隔が同一であり、画素によ
らずリセット動作後の液晶の応答が均一になる。また、
周辺回路基板を使用せず、アレイ基板上に回路を設けた
ことによって駆動回路部分を簡略化することが可能とな
る。As a result of the image display, the contrast ratio was 70:
1. The response speed was 1 ms or less, and no afterimage due to the step response was observed. According to the present embodiment, the interval between the reset operation and the signal writing operation is the same, and the response of the liquid crystal after the reset operation becomes uniform regardless of the pixel. Also,
By providing the circuits on the array substrate without using the peripheral circuit substrate, the drive circuit portion can be simplified.
【0125】[比較例2−1]1画素につき1つのTF
T素子及び1本ずつの走査線と信号線を備えた従来型の
アレイ構造を用いる他は、第5実施形態と同じ条件でセ
ルを作成した。リセット動作を行わない通常の駆動を行
ったところ、コントラスト比が20:1に低下し、ステ
ップ応答による残像が認められた。[Comparative Example 2-1] One TF per pixel
A cell was prepared under the same conditions as in the fifth embodiment except that a conventional array structure having a T element and one scanning line and one signal line was used. When normal driving was performed without performing the reset operation, the contrast ratio was reduced to 20: 1, and an afterimage due to a step response was observed.
【0126】次いで、1ラインの選択時間の前半をリセ
ット動作にあてる駆動を行った。ステップ応答による残
像は解消されたが、コントラスト比は25:1程度しか
得られなかった。Next, a drive was performed in which the first half of the selection time of one line was used for the reset operation. Although the afterimage due to the step response was eliminated, a contrast ratio of only about 25: 1 was obtained.
【0127】[比較例2―2]第1の走査線と第2の走
査線のアレイ基板端の端子を同一とせず別個に設け、周
辺回路基板上でも両走査線を接続することなく、そのま
ま駆動ICに接続するほかは、第6実施形態と同じアレ
イ構造・セル構成・回路構成を用い、同じ条件でセルを
作成した。第6実施形態と同様の駆動を行ったところ、
ステップ応答による残像は解消され、70:1のコント
ラスト比が得られた。同様に第7及び第8実施形態につ
いても上記と同じ変更をおこなう以外は同じ条件で画像
表示を行ったところ、同様の結果が得られた。[Comparative Example 2-2] The terminals of the first scanning line and the second scanning line at the ends of the array substrate are provided separately from each other without being the same, and the two scanning lines are not connected on the peripheral circuit substrate without being connected. Except for connecting to the driving IC, the same array structure, cell configuration, and circuit configuration as in the sixth embodiment were used, and cells were created under the same conditions. When the same driving as in the sixth embodiment was performed,
The afterimage due to the step response was eliminated, and a contrast ratio of 70: 1 was obtained. Similarly, in the seventh and eighth embodiments, image display was performed under the same conditions except that the same change as described above was performed, and similar results were obtained.
【0128】しかし、騒動ICの仕様が従来と異なり従
来ICを利用できず、駆動波形も異なるなど、専用の駆
動回路系・ICを開発する必要が生じ、さらに必要IC
数も増加することにより、コストが増加することが判明
した。However, it is necessary to develop a dedicated driving circuit system / IC, for example, because the specification of the noise IC is different from the conventional one, the conventional IC cannot be used, and the driving waveform is different.
It has been found that increasing the number increases the cost.
【0129】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。例えば、補助容量線の電位を対向電極
電位と同電位、且つ一定にしてリセット動作を行う場合
には、従来と同じように走査線と並列に配線すること
も、走査線と交差するよう配線することも可能である。Note that the present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the case where the reset operation is performed with the potential of the auxiliary capacitance line set to the same potential as the counter electrode potential and kept constant, the wiring may be wired in parallel with the scanning line as in the related art, or may be wired so as to intersect with the scanning line. It is also possible.
【0130】また、第5〜第8実施形態では、TFT素
子以外にも、TFD,MIM等のスイッチング素子を用
いることも可能である。その他、本発明は、その要旨を
逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが可能で
ある。In the fifth to eighth embodiments, a switching element such as TFD and MIM can be used in addition to the TFT element. In addition, the present invention can be variously modified and implemented without departing from the gist thereof.
【0131】[0131]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、リ
セット用と信号書込用の二つのスイッチング(TFT)
素子を具備し、リセット動作と信号書込動作を同時に行
うことによって、実効印加電圧の低下を防止し、「ステ
ップ応答」による残像が解消され、より低電圧で高コン
トラストが得られる。As described above, according to the present invention, two switchings (TFTs) for resetting and signal writing are provided.
By providing the element and performing the reset operation and the signal write operation at the same time, the reduction of the effective applied voltage is prevented, the afterimage due to the "step response" is eliminated, and the high contrast can be obtained at a lower voltage.
【図1】第1実施形態に係わる液晶表示素子のアレイ基
板を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing an array substrate of a liquid crystal display device according to a first embodiment.
【図2】第1実施形態に係わる液晶表示素子の等価回路
及び入力波形を示す図。FIG. 2 is a diagram showing an equivalent circuit and an input waveform of the liquid crystal display element according to the first embodiment.
【図3】第2実施形態に係わる液晶表示素子のアレイ基
板を示す平面図。FIG. 3 is a plan view showing an array substrate of a liquid crystal display device according to a second embodiment.
【図4】第2実施形態に係わる液晶表示素子の等価回路
及び入力波形を示す図。FIG. 4 is a view showing an equivalent circuit and an input waveform of a liquid crystal display element according to a second embodiment.
【図5】第3実施形態に係わる液晶表示素子のアレイ基
板を示す平面図。FIG. 5 is a plan view showing an array substrate of a liquid crystal display device according to a third embodiment.
【図6】第3実施形態に係わる液晶表示素子の等価回路
及び入力波形を示す図。FIG. 6 is a view showing an equivalent circuit and an input waveform of a liquid crystal display element according to a third embodiment.
【図7】第4実施形態に係わる液晶表示素子のアレイ基
板を示す平面図。FIG. 7 is a plan view showing an array substrate of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment.
【図8】第4実施形態に係わる液晶表示素子の等価回路
及び入力波形を示す図。FIG. 8 is a diagram showing an equivalent circuit and an input waveform of a liquid crystal display element according to a fourth embodiment.
【図9】第5実施形態に係わる液晶表示素子のアレイ基
板を示す平面図。FIG. 9 is a plan view showing an array substrate of a liquid crystal display device according to a fifth embodiment.
【図10】第5実施形態に係わる液晶表示素子の等価回
路を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an equivalent circuit of a liquid crystal display element according to a fifth embodiment.
【図11】第5実施形態に係わる液晶表示素子への入力
波形を示す図。FIG. 11 is a view showing an input waveform to a liquid crystal display element according to a fifth embodiment.
【図12】第6実施形態に係わる液晶表示素子の等価回
路を示す図。FIG. 12 is a diagram showing an equivalent circuit of a liquid crystal display device according to a sixth embodiment.
【図13】第6実施形態に係わる液晶表示素子の等価回
路を示す図。FIG. 13 is a view showing an equivalent circuit of a liquid crystal display element according to a sixth embodiment.
【図14】第6実施形態に係わる液晶表示素子への入力
波形を示す図。FIG. 14 is a view showing an input waveform to a liquid crystal display element according to a sixth embodiment.
【図15】第7実施形態に係わる液晶表示素子の等価回
路を示す図。FIG. 15 is a view showing an equivalent circuit of a liquid crystal display element according to a seventh embodiment.
【図16】第7実施形態に係わる液晶表示素子の等価回
路を示す図。FIG. 16 is a diagram showing an equivalent circuit of a liquid crystal display element according to a seventh embodiment.
【図17】第7実施形態に係わる液晶表示素子への入力
波形を示す図。FIG. 17 is a view showing an input waveform to a liquid crystal display element according to a seventh embodiment.
【図18】第8実施形態に係わる液晶表示素子の等価回
路を示す図。FIG. 18 is a diagram showing an equivalent circuit of a liquid crystal display element according to the eighth embodiment.
【図19】第8実施形態に係わる液晶表示素子への入力
波形を示す図。FIG. 19 is a view showing an input waveform to a liquid crystal display element according to an eighth embodiment.
11…走査線 12…信号線 13…補助容量線 14…信号書込用nチャネルTFT素子 15…ITO画素電極 16…補助容量 17…リセット用pチャネルTFT素子 21…リセットパルス 22…信号書込パルス 31…第1の走査線 32…第2の走査線 33…信号書込用TFT素子 34…リセット用TFT素子 35…第1のダミー走査線 36…第2のダミー走査線 37…バイパス線 38…選択パルス 39…ダイオード 40…バイパス線 41…第1の走査線駆動IC 42…第2の走査線駆動IC REFERENCE SIGNS LIST 11 scanning line 12 signal line 13 auxiliary capacitance line 14 n-channel TFT element for signal writing 15 ITO pixel electrode 16 auxiliary capacitance 17 reset p-channel TFT element 21 reset pulse 22 signal writing pulse DESCRIPTION OF SYMBOLS 31 ... 1st scanning line 32 ... 2nd scanning line 33 ... TFT element for signal writing 34 ... TFT element for reset 35 ... 1st dummy scanning line 36 ... 2nd dummy scanning line 37 ... bypass line 38 ... Selection pulse 39 Diode 40 Bypass line 41 First scan line drive IC 42 Second scan line drive IC
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯田 理恵子 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Rieko Iida 33, Shinisogo-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Inside Toshiba Production Technology Laboratory Co., Ltd.
Claims (3)
次相の液晶材料と薄膜トランジスタを用いたアクティブ
マトリクス型の液晶表示素子であって、 pチャネル又はnチャネル薄膜トランジスタからなり、
信号線と画素電極との間に接続された信号書込用TFT
素子と、 この信号書込用TFT素子と異なるチャネルの薄膜トラ
ンジスタからなり、前記画素電極と補助容量線との間に
接続されたリセット用TFT素子とを具備してなること
を特徴とする液晶表示素子。1. An active matrix type liquid crystal display device using a thin film transistor and a liquid crystal material of a chiral smectic C phase or a sub phase thereof, comprising a p-channel or n-channel thin film transistor.
Signal writing TFT connected between signal line and pixel electrode
A liquid crystal display element comprising: an element; and a reset TFT element formed of a thin film transistor having a channel different from that of the signal writing TFT element and connected between the pixel electrode and an auxiliary capacitance line. .
次相の液晶材料を用いたアクティブマトリクス型の液晶
表示素子であって、 第1の走査線と、信号線と画素電極との間に接続され、
選択された第1の走査線によって制御される信号書込用
スイッチング素子と、 第2の走査線と、前記画素電極と該補助容量との間に接
続され、選択された第2の走査線によって制御されるリ
セット用スイッチング素子とを具備してなることを特徴
とする液晶表示素子。2. An active matrix liquid crystal display device using a chiral smectic C phase or a liquid crystal material of a sub phase thereof, wherein the liquid crystal display device is connected between a first scanning line, a signal line, and a pixel electrode,
A switching element for signal writing controlled by the selected first scanning line, a second scanning line, and a switching element connected between the pixel electrode and the storage capacitor, and connected by the selected second scanning line. A liquid crystal display device comprising: a reset switching device to be controlled.
は、異なる一つ或いは複数の画素行の第1の走査線に直
接或いはダイオードを介して接続されていることを特徴
とする請求項2に記載の液晶表示素子。3. A second scanning line of one or more pixel rows is connected to a first scanning line of one or more different pixel rows directly or via a diode. The liquid crystal display device according to claim 2.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18402997A JP3361040B2 (en) | 1997-07-09 | 1997-07-09 | Liquid crystal display device |
US09/112,350 US6069600A (en) | 1996-03-28 | 1998-07-09 | Active matrix type liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18402997A JP3361040B2 (en) | 1997-07-09 | 1997-07-09 | Liquid crystal display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1130789A true JPH1130789A (en) | 1999-02-02 |
JP3361040B2 JP3361040B2 (en) | 2003-01-07 |
Family
ID=16146115
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18402997A Expired - Fee Related JP3361040B2 (en) | 1996-03-28 | 1997-07-09 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3361040B2 (en) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020091692A (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-06 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | Thin film transistor liquid crystal desplay |
US6703993B2 (en) | 2000-03-31 | 2004-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving method for liquid crystal device |
EP1473693A2 (en) * | 2003-04-30 | 2004-11-03 | Hannstar Display Corporation | Liquid crystal display panel and liquid crystal display thereof |
US6819311B2 (en) | 1999-12-10 | 2004-11-16 | Nec Corporation | Driving process for liquid crystal display |
US7218305B2 (en) | 2000-10-13 | 2007-05-15 | Nec Corporation | Liquid crystal display and computer |
KR100764051B1 (en) * | 2001-02-01 | 2007-10-08 | 삼성전자주식회사 | Thin film liquid crystal display device with two thin film transistors per pixel |
US7391401B2 (en) | 2002-12-04 | 2008-06-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display, and apparatus and method of driving liquid crystal display |
WO2011061964A1 (en) * | 2009-11-18 | 2011-05-26 | シャープ株式会社 | Substrate for liquid crystal display device, liquid crystal display device, and method for driving liquid crystal display device |
WO2011065058A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-03 | シャープ株式会社 | Substrate for liquid crystal display device, liquid crystal display device, and method for driving liquid crystal display device |
KR101167929B1 (en) | 2006-03-31 | 2012-07-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | In plane switching mode liquid crystal display device |
US8797244B2 (en) | 2008-02-20 | 2014-08-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of driving the same |
-
1997
- 1997-07-09 JP JP18402997A patent/JP3361040B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6819311B2 (en) | 1999-12-10 | 2004-11-16 | Nec Corporation | Driving process for liquid crystal display |
US6703993B2 (en) | 2000-03-31 | 2004-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving method for liquid crystal device |
KR100560285B1 (en) * | 2000-03-31 | 2006-03-10 | 캐논 가부시끼가이샤 | Driving Method of Liquid Crystal Element |
US7218305B2 (en) | 2000-10-13 | 2007-05-15 | Nec Corporation | Liquid crystal display and computer |
KR100764051B1 (en) * | 2001-02-01 | 2007-10-08 | 삼성전자주식회사 | Thin film liquid crystal display device with two thin film transistors per pixel |
KR20020091692A (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-06 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | Thin film transistor liquid crystal desplay |
US7391401B2 (en) | 2002-12-04 | 2008-06-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display, and apparatus and method of driving liquid crystal display |
US7129922B2 (en) | 2003-04-30 | 2006-10-31 | Hannstar Display Corporation | Liquid crystal display panel and liquid crystal display thereof |
EP1473693A3 (en) * | 2003-04-30 | 2006-04-19 | Hannstar Display Corporation | Liquid crystal display panel and liquid crystal display thereof |
EP1473693A2 (en) * | 2003-04-30 | 2004-11-03 | Hannstar Display Corporation | Liquid crystal display panel and liquid crystal display thereof |
KR101167929B1 (en) | 2006-03-31 | 2012-07-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | In plane switching mode liquid crystal display device |
US8797244B2 (en) | 2008-02-20 | 2014-08-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of driving the same |
WO2011061964A1 (en) * | 2009-11-18 | 2011-05-26 | シャープ株式会社 | Substrate for liquid crystal display device, liquid crystal display device, and method for driving liquid crystal display device |
WO2011065058A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-03 | シャープ株式会社 | Substrate for liquid crystal display device, liquid crystal display device, and method for driving liquid crystal display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3361040B2 (en) | 2003-01-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5923310A (en) | Liquid crystal display devices with increased viewing angle capability and methods of operating same | |
US5949391A (en) | Liquid crystal display device and driving method therefor | |
US8248336B2 (en) | Liquid crystal display device and operating method thereof | |
JP3564704B2 (en) | Active matrix type liquid crystal display device and driving method thereof | |
US7812896B2 (en) | Liquid crystal display and driving method thereof | |
US8941572B2 (en) | Liquid crystal panel and liquid crystal display device having the same | |
KR100269849B1 (en) | Active matrix type lcd | |
US6069600A (en) | Active matrix type liquid crystal display | |
KR20020057806A (en) | Display unit and drive method therefor | |
US6005543A (en) | Liquid crystal display device and method of driving the same | |
US20010011981A1 (en) | Active matrix addressed liquid crystal display device | |
JP3305931B2 (en) | Liquid crystal display | |
JP3361040B2 (en) | Liquid crystal display device | |
JPH07318901A (en) | Active matrix liquid crystal display device and its driving method | |
JP2001133808A (en) | Liquid crystal display device and driving method thereof | |
US7728804B2 (en) | Liquid crystal display device and driving method thereof | |
JP2003280036A (en) | Liquid crystal display device | |
JPH0954299A (en) | Liquid crystal display device | |
JPH06265939A (en) | Liquid crystal display | |
JPH09189897A (en) | Active matrix type liquid crystal display device and driving method therefor | |
US6222517B1 (en) | Liquid crystal apparatus | |
JP3515410B2 (en) | Active matrix type liquid crystal display device and driving method thereof (reset driving) | |
JPH02242228A (en) | Liquid crystal display device | |
JP3057587B2 (en) | Active matrix display device | |
KR101361057B1 (en) | Display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |