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JPH11307661A - Electronic component package and method of manufacturing electronic component package - Google Patents

Electronic component package and method of manufacturing electronic component package

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Publication number
JPH11307661A
JPH11307661A JP10131402A JP13140298A JPH11307661A JP H11307661 A JPH11307661 A JP H11307661A JP 10131402 A JP10131402 A JP 10131402A JP 13140298 A JP13140298 A JP 13140298A JP H11307661 A JPH11307661 A JP H11307661A
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JP
Japan
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layer
lid
melting
solder
low
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Application number
JP10131402A
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Japanese (ja)
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JP3401781B2 (en
Inventor
Minoru Iizuka
実 飯塚
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Daishinku Corp
Original Assignee
Daishinku Corp
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Publication date
Application filed by Daishinku Corp filed Critical Daishinku Corp
Priority to JP13140298A priority Critical patent/JP3401781B2/en
Publication of JPH11307661A publication Critical patent/JPH11307661A/en
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Publication of JP3401781B2 publication Critical patent/JP3401781B2/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 超小型化された電子部品においても、セラミ
ックパッケージとフタとの接合を位置決め治具を用いる
ことなく、所定位置に位置決めし、気密封止が確実に行
うことのできる電子部品用パッケージおよびその製造方
法を提供する。 【解決手段】 上部が開口した凹形のセラミックパッケ
ージ1と、当該パッケージの中に収納される電子素子で
ある水晶振動板3と、パッケージの開口部に接合される
金属製のフタ2とからなる。フタ2はコバール等の金属
母材20の下面に前記周状の金属層11に対応した周状
の半田層21を形成している。気密封止を行う場合は、
フタ2と前記セラミックパッケージ1の金属層とを重ね
合わせ、周囲温度を半田溶融温度にして溶融させる。
(57) [PROBLEMS] To provide a method for positioning a ceramic package and a lid at a predetermined position without using a positioning jig, and to reliably perform hermetic sealing even in a microminiaturized electronic component. Provided are a package for an electronic component and a method for manufacturing the same. SOLUTION: A concave ceramic package 1 having an open upper part, a crystal vibrating plate 3 as an electronic element housed in the package, and a metal lid 2 joined to an opening of the package. . The lid 2 has a peripheral solder layer 21 corresponding to the peripheral metal layer 11 formed on the lower surface of a metal base material 20 such as Kovar. When performing hermetic sealing,
The lid 2 and the metal layer of the ceramic package 1 are overlapped, and the ambient temperature is set to the solder melting temperature and melted.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は電子部品用パッケー
ジに関するものであり、特に気密封止を必要とする電子
部品用パッケージに適用されるものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a package for electronic parts, and more particularly to a package for electronic parts requiring hermetic sealing.

【0002】[0002]

【従来の技術】気密封止を必要とする電子部品の例とし
て、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器等の水晶応
用製品があげられる。これらはいずれも水晶振動板の表
面に金属薄膜電極を形成し、この金属薄膜電極を外気か
ら保護するため、気密封止されている。
2. Description of the Related Art Examples of electronic components requiring hermetic sealing include quartz crystal products such as quartz oscillators, quartz filters and quartz oscillators. In each of these, a metal thin-film electrode is formed on the surface of a quartz vibrating plate and hermetically sealed to protect the metal thin-film electrode from the outside air.

【0003】気密封止方法は、はんだ接合、低融点ガラ
ス接合、抵抗溶接、電子ビーム溶接等がある。抵抗溶接
を用いる気密封止方法として、HC−49/U型ベース
を用いる水晶振動子が汎用されている。これは、金属シ
ェルにリード端子が絶縁ガラスを介して互いに絶縁した
状態で植設されたベースと、金属キャップを抵抗溶接に
より気密封止する構成であり、水晶振動子等のリード端
子を有する電子部品の気密封止方法として広く用いられ
ている。
[0003] Hermetic sealing methods include solder joining, low melting point glass joining, resistance welding, and electron beam welding. As a hermetic sealing method using resistance welding, a quartz oscillator using an HC-49 / U type base is widely used. This is a configuration in which a base in which lead terminals are implanted in a metal shell in a state in which they are insulated from each other via insulating glass, and a metal cap are hermetically sealed by resistance welding. It is widely used as a method for hermetically sealing components.

【0004】このような抵抗溶接による接合方法によれ
ば、金属間接合を行うので気密性の高い封止方法を得る
ことができる。しかしながら、気密封止時にベースとキ
ャップを圧接する必要があり、圧接時の歪みがパッケー
ジ内に収納される水晶振動板等の電子素子に悪影響を与
えることがあった。
According to such a joining method by resistance welding, a metal-to-metal joint is performed, so that a highly airtight sealing method can be obtained. However, the base and the cap need to be pressed against each other at the time of hermetic sealing, and the distortion at the time of pressing may adversely affect an electronic element such as a quartz plate housed in a package.

【0005】また、特開平7−326687号の従来例
に示すように、セラミックパッケージの開口部分に形成
されたシールリング(金属枠体)と金属製の蓋体とを、
抵抗溶接の1種であるシーム溶接により気密封止する表
面実装化に対応した接合方法も採用されている。
Further, as shown in a conventional example of Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-326687, a seal ring (metal frame) formed at an opening portion of a ceramic package and a metal lid are formed.
A joining method corresponding to surface mounting for hermetically sealing by seam welding, which is one type of resistance welding, is also employed.

【0006】シーム溶接に必要な構成を図6とともに説
明する。図6はセラミックパッケージと金属フタの一部
拡大断面図である。セラミックパッケージ70の開口部
70a上面にはコバール等からなるシールリング71が
ろう接により接合されている。そしてコバール等からな
る金属フタ72が前記シールリング上に搭載されて、一
対の溶接ロール73(他方は図示していない)により金
属フタ72の外周の稜をトレースしながら通電し、金属
フタとシールリングを接合していた。金属フタの外周は
シールリングの外周より若干小さく形成され、段差部b
が形成されており、両者の接合を確実にしている。
The configuration required for seam welding will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a partially enlarged sectional view of the ceramic package and the metal lid. A seal ring 71 made of Kovar or the like is joined to the upper surface of the opening 70a of the ceramic package 70 by brazing. Then, a metal lid 72 made of Kovar or the like is mounted on the seal ring, and a pair of welding rolls 73 (the other is not shown) are energized while tracing the ridges on the outer periphery of the metal lid 72 to seal the metal lid. The rings were joined. The outer periphery of the metal lid is formed slightly smaller than the outer periphery of the seal ring, and the step portion b
Are formed to ensure the joining of the two.

【0007】しかしながら、図6から明らかなとおり、
シーム溶接を行う場合開口部上面70aには、ろう材の
メニスカス(meniscus)部分aが必要となり、また上述
した段差部bが必要となる。従って、金属フタとシール
リングの実質的な接合部分は接合領域cとなってしま
う。例えば縦6mm、横3mmのパッケージの場合、メニス
カス部分の幅a1が0.2mm、段差部の幅b1が0.1
mm、接合領域の幅c1が0.2mm程度となる。この接合
領域0.2mmは気密信頼性の面から実質的に最小寸法と
なっている。すなわちシーム溶接においては接合領域c
を得るためにメニスカス部分aおよび段差部bの形成も
必要となり、超小型化された電子部品の場合、電子素子
収納領域が確保できなくなり、電子部品の超小型化には
適していない。
[0007] However, as is apparent from FIG.
When seam welding is performed, a meniscus portion a of a brazing material is required on the upper surface 70a of the opening, and the above-described step portion b is required. Therefore, a substantial joining portion between the metal lid and the seal ring becomes the joining region c. For example, in the case of a package having a length of 6 mm and a width of 3 mm, the width a1 of the meniscus portion is 0.2 mm and the width b1 of the step portion is 0.1.
mm, and the width c1 of the bonding region is about 0.2 mm. This joint area 0.2 mm is substantially the minimum dimension in terms of airtight reliability. That is, in seam welding, the joining region c
Therefore, it is necessary to form a meniscus portion a and a step portion b in order to obtain the electronic component, and in the case of an ultra-miniaturized electronic component, it is not possible to secure an electronic element storage area, which is not suitable for miniaturization of the electronic component.

【0008】また、接合時に溶接チップを被接合部材に
接触させる必要があるが、各構成部品が微小になるにつ
れて当該溶接チップ等が相互に干渉し、小型化に対応さ
せることが困難であるという問題点も有していた。
In addition, it is necessary to bring the welding tip into contact with the member to be joined at the time of joining. However, as each component becomes minute, the welding tip and the like interfere with each other, making it difficult to cope with miniaturization. There were also problems.

【0009】被接合部材に非接触で接合する手段とし
て、特開平8−46075号に示すように、電子ビーム
溶接あるいはレーザービーム溶接により気密封止を行う
方法も考えられている。
As a means for joining to a member to be joined in a non-contact manner, a method of performing hermetic sealing by electron beam welding or laser beam welding as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-46075 has been considered.

【0010】ところが、このような各種ビーム溶接にお
いても、溶接時にはケース上に金属フタを位置決め固定
する治具が必要となる。このような治具も各構成部品の
微小化に対応させることが困難になっていた。
However, even in such various types of beam welding, a jig for positioning and fixing the metal lid on the case is required at the time of welding. It has been difficult for such a jig to cope with miniaturization of each component.

【0011】はんだ接合は古くから電子部品用パッケー
ジの気密封止方法として用いられてきた。例えば、特開
昭52−22493号には蓋の封止面にハンダ等の軟ろ
う材を形成し、封止した構成が開示されている。本公報
においては、熱圧着により形成した半田等を溶融させて
おり、加熱とともに蓋に機械的な接触により圧力を加え
ることにより、半田接合を行っていた。本公報では明示
されていないが、このような半田接合において蓋を位置
決めする治具が必須となり、治具で位置決めした状態で
熱圧着を行っていた。以上のとおり、半田接合において
も治具を必要とし、各構成部品の微小化に対応できない
という問題点を有していた。
[0011] Solder bonding has long been used as a method for hermetically sealing packages for electronic components. For example, Japanese Patent Laying-Open No. 52-22493 discloses a configuration in which a soft brazing material such as solder is formed on a sealing surface of a lid and the lid is sealed. In this publication, solder or the like formed by thermocompression bonding is melted, and solder joining is performed by applying pressure to the lid by mechanical contact with heating. Although not explicitly described in this publication, a jig for positioning the lid in such solder bonding is essential, and thermocompression bonding is performed with the jig positioned. As described above, a jig is required for soldering, and there is a problem that it is impossible to cope with miniaturization of each component.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】上述のとおり、近年に
おいてはより微小な電子部品が要求されており、従来小
型化が困難とされていた圧電振動子の分野においても、
例えば外形サイズが縦3mm、横2mm、高さ0.8mm程度
の表面実装型の水晶振動子が考案されている。このよう
な水晶振動子は、水晶振動板の超小型化への対応が必要
となるとともに、これを収納するパッケージにも工夫が
必要となり、従来用いられていた技術では対応できなく
なっていた。
As described above, in recent years, there has been a demand for smaller electronic components, and in the field of piezoelectric vibrators, which were conventionally difficult to miniaturize,
For example, a surface-mounted crystal resonator having an outer size of about 3 mm in length, 2 mm in width, and about 0.8 mm in height has been devised. In such a crystal resonator, it is necessary to cope with the miniaturization of the crystal vibrating plate, and it is necessary to devise a package for accommodating the crystal vibrating plate, and it is not possible to cope with the technology conventionally used.

【0013】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたもので、超小型化された電子部品においても、電子
素子を収納するセラミックパッケージとフタとの接合を
位置決め治具を用いることなく、所定位置に位置決め
し、気密封止が確実に行うことのできる電子部品用パッ
ケージおよびその製造方法を提供することを目的とする
ものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and even in an ultra-miniaturized electronic component, the joining between the ceramic package containing the electronic element and the lid can be performed without using a positioning jig. An object of the present invention is to provide an electronic component package which can be positioned at a predetermined position and reliably perform hermetic sealing, and a method of manufacturing the same.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は、溶融した低融
点金属(半田等)あるいはガラスのもつ表面張力に着目
してなされたものであり、低融点金属層あるいは低融点
ガラス層を所定位置に形成し、表面張力による自己矯正
(セルフアライメント)作用を機能させ、位置決めし気
密接合するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made by paying attention to the surface tension of molten low-melting metal (solder or the like) or glass. In order to perform self-correction (self-alignment) action by surface tension, positioning and airtight joining are performed.

【0015】請求項1による電子部品用パッケージは、
セラミック基体と、当該セラミック基体の主面周囲に周
状に形成された少なくとも1層からなる第1の接合部
と、前記第1の接合部と対応して接合される第2の接合
部が周状に形成されたフタとからなり、前記両接合部の
うち少なくとも一方の接合部を溶融させることにより気
密接合を行う電子部品用パッケージであって、前記各接
合部の幅はほぼ等しいか、あるいは溶融する接合部の幅
が広く形成されていることを特徴としている。
An electronic component package according to claim 1 is
A ceramic base, a first bonding portion composed of at least one layer formed in a peripheral shape around the main surface of the ceramic base, and a second bonding portion bonded corresponding to the first bonding portion are formed around the first bonding portion. An electronic component package comprising a lid formed in a shape, and performing hermetic bonding by melting at least one of the two bonding portions, wherein the width of each of the bonding portions is approximately equal, or It is characterized in that the width of the joint to be melted is formed wide.

【0016】上記各接合部の例としては、請求項2に示
すように、溶融する接合部の少なくとも表面層を低融点
金属とすればよく、より具体的には請求項3に示すよう
な半田等の軟ろうをあげることができる。これら半田層
等の形成は圧延工法により得られるクラッド材で行った
り、各種メッキにより形成することができる。圧延によ
る形成はバインダー等を用いないので溶融時のガス放出
が少なく、ガスによる悪影響を回避することができ好ま
しい。
As an example of each of the above-mentioned joints, at least the surface layer of the joint to be melted may be made of a low melting point metal, and more specifically, a solder as described in claim 3 And other soft waxes. The formation of these solder layers and the like can be performed with a clad material obtained by a rolling method or by various platings. Since the formation by rolling does not use a binder or the like, gas emission during melting is small, and adverse effects due to gas can be avoided, which is preferable.

【0017】より具体的な構成としては、請求項4に示
すように、セラミック基体と、当該セラミック基体の主
面周囲に周状に形成された少なくとも1層からなる金属
層と、前記金属層と対応して接合される半田層が圧延工
法により周状に形成されたフタとからなり、前記半田層
を溶融させることにより気密接合を行う電子部品用パケ
ージであって、前記半田層の幅は前記金属層の幅とほぼ
等しいかあるいは広く形成されていることを特徴する構
成をあげることができる。半田は圧延工法を用いたクラ
ッド材を使用しているので、前述のように溶融時の放出
ガスによる悪影響を回避することができる。
As a more specific configuration, as set forth in claim 4, a ceramic base, at least one metal layer formed circumferentially around a main surface of the ceramic base, and The corresponding solder layer is a lid formed in a circumferential shape by a rolling method, and is a package for electronic components that performs hermetic bonding by melting the solder layer, wherein the width of the solder layer is A configuration characterized by being formed substantially equal to or wider than the width of the metal layer can be given. Since the solder uses a clad material using a rolling method, as described above, it is possible to avoid the adverse effect of the gas released during melting.

【0018】溶融する接合部が半田の場合を例にとり、
本発明による作用等を説明する。半田溶融により、セラ
ミック基体に形成された金属層を基準として、フタの搭
載位置が自己矯正され、位置決め固定される。すなわち
金属層と半田層の幅をほぼ等しくするか、金属層の幅を
相対的に狭くすることにより、半田が溶融した際、セラ
ミック基体に形成された金属層を基準として、フタの搭
載位置が表面張力により自己矯正され、位置決め固定さ
れる。例えば図2に示すようにフタ2がずれて搭載され
た場合でも、半田溶融時の表面張力により矢印X方向に
微小移動しフタが所定の位置に接合される。
Taking the case where the joint to be melted is solder as an example,
The operation and the like according to the present invention will be described. Due to the melting of the solder, the mounting position of the lid is self-corrected with respect to the metal layer formed on the ceramic base, and the position is fixed. That is, by making the widths of the metal layer and the solder layer substantially equal or relatively narrowing the width of the metal layer, when the solder is melted, the mounting position of the lid with respect to the metal layer formed on the ceramic base is determined. Self-correction is performed by surface tension, and positioning and fixing are performed. For example, as shown in FIG. 2, even when the lid 2 is mounted with a displacement, the lid is slightly moved in the direction of the arrow X due to the surface tension at the time of melting the solder, and the lid is joined to a predetermined position.

【0019】金属層の幅が半田層の幅よりも狭い場合
は、すなわち図3と図4に示す金属層の幅A<半田層の
幅Bの場合は、仮に上述の自己矯正作用が完全に機能し
なかった場合でも、接合面積(シールパス幅)が確保で
きるので、接合における信頼性が高くなる。また、セラ
ミック基体は製造誤差をある程度見込む必要があるが、
このような製造誤差が発生した場合であるとか、また半
田層の形成を圧延法により行った場合の製造誤差、低融
点ガラス形成における製造誤差等が発生した場合におい
ても、上述と同様に接合面積(シールパス幅)が確保で
きるので、接合における信頼性が高くなる。なお、半田
層の幅が金属層の幅より大きすぎる場合、半田の溶融時
の放出ガスがパッケージ内部に蓄積されやすくなるの
で、設計時に考慮すべき点である。
If the width of the metal layer is smaller than the width of the solder layer, that is, if the width A of the metal layer is smaller than the width B of the solder layer shown in FIGS. Even if it does not function, the bonding area (seal path width) can be ensured, so that the reliability in bonding increases. In addition, it is necessary to allow for some manufacturing errors for ceramic substrates,
Even when such a manufacturing error occurs, or when a manufacturing error occurs when the solder layer is formed by the rolling method, a manufacturing error occurs in the formation of the low-melting glass, etc., the bonding area is the same as described above. (Seal path width) can be ensured, so that the reliability in joining increases. If the width of the solder layer is too large than the width of the metal layer, the released gas during melting of the solder is likely to accumulate inside the package.

【0020】以上のような電子部品用パッケージを製造
する方法として、請求項5に示すような製造方法をあげ
ることができる。すなわち、セラミック基体と、当該セ
ラミック基体の主面周囲に周状に形成された少なくとも
1層からなり半田より融点の高い金属層と、前記金属層
と対応して接合される半田層が周状に形成され、当該半
田層を溶融させることにより気密接合を行うフタとから
なる電子部品用パッケージの製造方法であって、前記半
田層の幅を前記金属層の幅とほぼ等しいか、あるいは広
く形成する工程と、前記金属層の上面に前記半田層を対
応させて前記フタを搭載する工程と、前記フタが搭載さ
れたセラミック基体の周囲温度を前記半田層の溶融温度
とし、当該半田層を溶融させ、このとき作用する溶融半
田の表面張力により前記セラミック基体に対する前記フ
タの相対位置を自己矯正させる工程と、その後、前記周
囲温度を下げ、前記半田層を硬化させ気密接合を行う工
程と、からなることを特徴とする製造方法である。
As a method of manufacturing the electronic component package as described above, a manufacturing method as described in claim 5 can be mentioned. That is, a ceramic base, a metal layer composed of at least one layer formed in a circumferential shape around the main surface of the ceramic base and having a melting point higher than that of solder, and a solder layer to be joined corresponding to the metal layer are formed in a circumferential shape. A method for manufacturing an electronic component package comprising: a lid formed and performing a hermetic bonding by melting the solder layer, wherein the width of the solder layer is substantially equal to or larger than the width of the metal layer. A step of mounting the lid with the solder layer corresponding to the upper surface of the metal layer; and setting the ambient temperature of the ceramic base on which the lid is mounted to the melting temperature of the solder layer, and melting the solder layer. Self-correcting the relative position of the lid with respect to the ceramic substrate by the surface tension of the molten solder acting at this time; and thereafter, lowering the ambient temperature and curing the solder layer. And performing an airtight joint, a manufacturing method characterized by comprising.

【0021】また、請求項6に示すように、前記接合部
のいずれか一方あるいは両接合部がが低融点ガラスから
なる構成としてもよい。
Further, as set forth in claim 6, one or both of the joints may be made of low-melting glass.

【0022】この構成により、上述のように請求項1の
半田接合を用いた場合と同様の変形例および作用等を得
ることができるとともに、半田等に比べて放出ガスの発
生が少ないのでパッケージ内部に収納される電子素子に
悪影響を与えない。
According to this structure, the same modification and operation as those in the case of using the solder joint of the first aspect can be obtained, and the generation of outgassing is smaller than that of solder or the like. It does not adversely affect the electronic elements housed in the device.

【0023】低融点ガラスを用いた製造方法としては、
請求項7に示すように、セラミック基体と、当該セラミ
ック基体の主面周囲に周状に形成された第1の低融点ガ
ラス層と、前記第1の低融点ガラス層と対応して接合さ
れる第2の低融点ガラス層が周状に形成され、これら低
融点ガラス層を溶融させることにより気密接合を行うフ
タとからなる電子部品用パッケージの製造方法であっ
て、前記第2の低融点ガラス層の幅を前記第1の低融点
ガラス層の幅とほぼ等しいか、あるいは広く形成する工
程と、前記第1の低融点ガラス層の上面に前記第2の低
融点ガラス層を対応させて前記フタを搭載する工程と、
前記フタが搭載されたセラミック基体の周囲温度を前記
低融点ガラス層の溶融温度とし、これら低融点ガラス層
を溶融させ、このとき作用する溶融ガラスの表面張力に
より前記セラミック基体に対する前記フタの相対位置を
自己矯正させる工程と、その後、前記周囲温度を下げ、
前記低融点ガラス層を硬化させ気密接合を行う工程と、
からなることを特徴とする電子部品用パッケージの製造
方法をあげることができる。
As a production method using a low melting point glass,
As described in claim 7, the ceramic base, the first low melting point glass layer formed circumferentially around the main surface of the ceramic base, and the first low melting point glass layer are joined correspondingly. A method for manufacturing an electronic component package, comprising: a second low melting point glass layer formed in a circumferential shape; and a lid for performing hermetic bonding by melting the low melting point glass layer. Forming the width of the layer substantially equal to or wider than the width of the first low-melting glass layer, and setting the second low-melting glass layer to correspond to the upper surface of the first low-melting glass layer. Mounting the lid,
The ambient temperature of the ceramic substrate on which the lid is mounted is defined as the melting temperature of the low-melting glass layer, these low-melting glass layers are melted, and the relative position of the lid with respect to the ceramic substrate is determined by the surface tension of the molten glass that acts at this time. Self-correcting, and then lower the ambient temperature,
A step of curing the low-melting glass layer and performing airtight bonding;
And a method for manufacturing an electronic component package, comprising:

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を表面実装型
の水晶振動子を例にとり図1,図2,図3、図4ととも
に説明する。図1は本実施の形態を示す内部断面図であ
り、図2は自己矯正作用によりフタが微少移動する例を
示す図、図3はセラミックパッケージの平面図、図4は
フタの裏面平面図である。基本構成は図1で示すような
構成であり、上部が開口した凹形のセラミックパッケー
ジ1と、当該パッケージの中に収納される電子素子であ
る水晶振動板3と、パッケージの開口部に接合される金
属製のフタ2とからなる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2, 3 and 4 taking a surface mount type crystal unit as an example. FIG. 1 is an internal cross-sectional view showing the present embodiment, FIG. 2 is a view showing an example in which a lid slightly moves by a self-correcting action, FIG. 3 is a plan view of a ceramic package, and FIG. is there. The basic configuration is as shown in FIG. 1, wherein a concave ceramic package 1 having an open top, a quartz vibrating plate 3 as an electronic element housed in the package, and an opening of the package are joined. Metal lid 2.

【0025】断面でみて凹形のセラミックパッケージ1
は、セラミック基体10と、凹形周囲の開口部に形成さ
れる周状の金属層11とからなる。金属層11は、タン
グステン等からなるメタライズ層11aと、メタライズ
層の上部に形成されるニッケル等からなる下部メッキ層
11bと、下部メッキ層の上部に形成される金等からな
る上部メッキ層11cとからなる。各層の厚さは、この
実施例では、メタライズ層11が18〜20μm、下部
メッキ12が6μm、上部メッキ層13が1μmであ
る。
A ceramic package 1 having a concave shape in cross section
Consists of a ceramic base 10 and a peripheral metal layer 11 formed in an opening around the concave shape. The metal layer 11 includes a metallized layer 11a made of tungsten or the like, a lower plated layer 11b made of nickel or the like formed on the metallized layer, and an upper plated layer 11c made of gold or the like formed on the lower plated layer. Consists of In this embodiment, the thickness of each layer is 18 to 20 μm for the metallized layer 11, 6 μm for the lower plating 12 and 1 μm for the upper plating layer 13.

【0026】また、セラミックパッケージ1の内部底面
には電極パッド12、13が形成されており、これら電
極パッドは連結電極14,15を介して、パッケージ外
部の底面に引出電極16,17として電気的に引き出さ
れている。前記電極パッド12,13間には電子素子で
ある矩形の水晶振動板3が搭載されている。水晶振動板
3の表裏面には図示していないが一対の励振電極が形成
されており、各々電極パッド12,13に引き出されて
おり、導電性接合材S1,S2により導電接合されてい
る。
Further, electrode pads 12 and 13 are formed on the inner bottom surface of the ceramic package 1, and these electrode pads are electrically connected to the bottom surface outside the package as connecting electrodes 16 and 17 via connecting electrodes 14 and 15. Has been drawn to. A rectangular crystal vibrating plate 3 as an electronic element is mounted between the electrode pads 12 and 13. Although not shown, a pair of excitation electrodes are formed on the front and back surfaces of the quartz vibrating plate 3, are respectively drawn to the electrode pads 12 and 13, and are conductively bonded by conductive bonding materials S1 and S2.

【0027】図3,図4に示すように、気密封止するフ
タ2はコバール等の金属母材20の下面に前記周状の金
属層11に対応した周状の半田層21を形成している。
このフタ2は金属材料でなくセラミック板を用いてもよ
い。この半田層21の形成は例えば、圧延の手法を用い
て形成されているが、メッキ等の手法を用いてもよい。
この実施例においては金属層11の幅に対して半田層1
2の幅が広く設定されている。より具体的にはセラミッ
クパッケージの外形寸法が縦3.2mm、横2.5mm、高
さ0.7mm、フタの外形寸法が縦3.1mm、横2.4m
m、高さ(厚さ)0.1mm、金属層の幅0.5mm、半田
層の幅0.7mmであり、半田層が0.2mmパッケージ内
部に延出している。
As shown in FIGS. 3 and 4, the lid 2 for hermetically sealing is formed by forming a peripheral solder layer 21 corresponding to the peripheral metal layer 11 on the lower surface of a metal base material 20 such as Kovar. I have.
The lid 2 may use a ceramic plate instead of a metal material. The solder layer 21 is formed by, for example, a rolling technique, but may be formed by a plating technique or the like.
In this embodiment, the width of the solder layer 1
2 is set wide. More specifically, the outer dimensions of the ceramic package are 3.2 mm in length, 2.5 mm in width, 0.7 mm in height, and the outer dimensions of the lid are 3.1 mm in length and 2.4 m in width.
m, the height (thickness) is 0.1 mm, the width of the metal layer is 0.5 mm, and the width of the solder layer is 0.7 mm. The solder layer extends 0.2 mm inside the package.

【0028】気密封止を行う場合は、フタ2と前記セラ
ミックパッケージ1の金属層とを重ね合わせ、周囲温度
を半田溶融温度にして溶融させる。より具体的には形成
した半田の溶融温度に設定したリフロー炉を通すことに
より、半田が溶融する。この溶融により、セラミック基
体上に形成された金属層を基準として、フタの搭載位置
が自己矯正することにより位置決めされる。前述した
が、例えば図2に示すようにフタ2がずれて搭載された
場合でも、半田溶融時に矢印X方向に微小移動しフタが
所定の位置に位置決めされ、その後の温度降下による半
田の固化により固定される。
When the hermetic sealing is performed, the lid 2 and the metal layer of the ceramic package 1 are overlapped, and the ambient temperature is set to the solder melting temperature to be melted. More specifically, the solder is melted by passing through a reflow furnace set at the melting temperature of the formed solder. By this melting, the mounting position of the lid is determined by self-correction with respect to the metal layer formed on the ceramic base. As described above, for example, even when the lid 2 is shifted and mounted as shown in FIG. 2, the lid moves slightly in the direction of arrow X when the solder is melted, and the lid is positioned at a predetermined position. Fixed.

【0029】本発明による実施の形態の他の例を表面実
装型の水晶振動子を例にとり図5とともに説明する。こ
の例では気密接合を低融点ガラスを用いて行っている。
基本構成は上述の実施の形態で示した構成に類似したも
のであり、上部が開口した凹形のセラミックパッケージ
4と、当該パッケージの中に収納される電子素子である
水晶振動板6と、パッケージの開口部に接合されるフタ
5とからなる。
Another example of the embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. 5, taking a surface mount type crystal unit as an example. In this example, the hermetic bonding is performed using low-melting glass.
The basic configuration is similar to the configuration shown in the above-described embodiment, and includes a concave ceramic package 4 having an open top, a crystal vibrating plate 6 which is an electronic element housed in the package, and a package. And a lid 5 joined to the opening of the main body.

【0030】断面でみて凹形のセラミックパッケージ4
は、セラミック基体40と、凹形周囲の開口部に形成さ
れる周状の低融点ガラス層41とからなる。また、セラ
ミックパッケージ4の内部底面には電極パッド42,4
3(43は図示せず)が形成されており、これら電極パ
ッドは連結電極44等を介して、パッケージ外部の底面
に引出電極45,46として電気的に引き出されてい
る。前記電極パッド42,43間には電子素子である矩
形の水晶振動板6が搭載され、長手方向の一端を片持ち
支持されている。水晶振動板6の表裏面には図示してい
ないが一対の励振電極が形成されており、各々電極パッ
ド42,43側に引き出されており、導電性接合材S1
により導電接合されている。
A ceramic package 4 having a concave shape in cross section
Consists of a ceramic base 40 and a circumferential low melting point glass layer 41 formed in an opening around the concave shape. The electrode pads 42 and 4 are provided on the inner bottom surface of the ceramic package 4.
3 (43 not shown) are formed, and these electrode pads are electrically drawn as lead electrodes 45 and 46 to the bottom surface outside the package via the connection electrodes 44 and the like. A rectangular crystal vibrating plate 6 as an electronic element is mounted between the electrode pads 42 and 43, and one end in the longitudinal direction is cantilevered. Although not shown, a pair of excitation electrodes are formed on the front and back surfaces of the quartz vibrating plate 6, and are respectively drawn to the electrode pads 42 and 43.
Is electrically conductively bonded.

【0031】また、気密封止するフタ5はアルミナ等の
セラミックス板の下面に前記周状の低融点ガラス層41
に対応した周状の低融点ガラス層51を形成している。
この実施例においては低融点ガラス層51の幅が低融点
ガラス層41の幅よりも大きく設定されている。
The lid 5 to be hermetically sealed is provided on the lower surface of a ceramic plate made of alumina or the like.
A low-melting glass layer 51 having a circumferential shape corresponding to.
In this embodiment, the width of the low melting point glass layer 51 is set to be larger than the width of the low melting point glass layer 41.

【0032】気密封止を行う場合は、各低融点ガラス層
を重ね合わせ、周囲温度を低融点ガラス溶融温度にして
溶融させる。より具体的には形成した低融点ガラス層の
溶融温度に設定したリフロー炉を通すことにより、低融
点ガラスが溶融する。この溶融により、フタの搭載位置
が自己矯正することにより位置決めされる。
When the hermetic sealing is performed, the low-melting glass layers are overlapped with each other, and are melted at an ambient temperature of the low-melting glass melting temperature. More specifically, the low-melting glass is melted by passing through a reflow furnace set at the melting temperature of the formed low-melting glass layer. By this melting, the mounting position of the lid is determined by self-correction.

【0033】なお、パッケージ側に形成された低融点金
属層41に代えて、低融点ガラス層51より幅の狭いア
ルミナコート層を用いてもよい。
Note that, instead of the low melting point metal layer 41 formed on the package side, an alumina coat layer narrower than the low melting point glass layer 51 may be used.

【0034】なお、本発明は表面実装型の水晶振動子を
例示したが、圧電フィルタや圧電発振器用のパッケージ
に適用してもよく、また、他の気密封止を必要とされる
電子部品に適用してもよい。
Although the present invention has been described with reference to a surface-mount type crystal resonator, the present invention may be applied to a package for a piezoelectric filter or a piezoelectric oscillator, or to other electronic parts requiring hermetic sealing. May be applied.

【0035】[0035]

【発明の効果】本発明によれば、溶融した接合部によ
り、フタの搭載位置が自己矯正され、位置決め固定され
る。従って、従来の気密接合方法で必要とされていた接
合時の位置決め治具を必要とせずに気密接合が行える。
よって、きわめて微小な電子部品用パッケージにおいて
も気密接合を良好にすることができる。また、個々のパ
ッケージに機械的な接触を行うことなく気密接合可能で
あるので、多数個の電子部品の気密封止を一括して行う
ことができ、生産性にも優れた気密接合を得ることがで
きる。
According to the present invention, the mounting position of the lid is self-corrected and fixed by the melted joint. Therefore, airtight joining can be performed without the need for a positioning jig at the time of joining, which was required in the conventional airtight joining method.
Therefore, even in a very small electronic component package, good airtight joining can be achieved. In addition, since airtight bonding can be performed without making mechanical contact with individual packages, airtight sealing of a large number of electronic components can be performed at once, and airtight bonding excellent in productivity can be obtained. Can be.

【0036】請求項4によれば、半田を圧延工法により
形成しているので、半田溶融時のガス放出が少なく、パ
ッケージ内部の電子素子に与える悪影響を最小限にとど
めることができる。従って、電子部品としての経時変化
が安定する等電子部品の信頼性が向上する。
According to the fourth aspect, since the solder is formed by the rolling method, gas emission during melting of the solder is small, and the adverse effect on the electronic elements inside the package can be minimized. Therefore, the reliability of the electronic component is improved, for example, the change over time as the electronic component is stabilized.

【0037】請求項6によれば、接合部に低融点ガラス
を用いているので、接合時の放出ガスが少なく、電子部
品としての経時変化が安定する等電子部品の信頼性が向
上する利点を有している。
According to the sixth aspect, since the low melting point glass is used for the bonding portion, there is an advantage that the reliability of the electronic component is improved, such as a small amount of outgassing at the time of bonding and a stable change over time as the electronic component. Have.

【0038】請求項5および7によれば、周囲温度を半
田あるいは低融点ガラスの溶融温度とし、フタに形成さ
れた半田層あるいは低融点ガラス層の溶融を促すことに
より、表面張力によりフタの相対位置を自己矯正させる
ので、効率のよい製造を行うことができる。
According to the fifth and seventh aspects, the ambient temperature is set to the melting temperature of the solder or the low-melting glass, and the melting of the solder layer or the low-melting glass layer formed on the lid is promoted. Since the position is self-corrected, efficient manufacturing can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施の形態による内部断面図。FIG. 1 is an internal cross-sectional view according to a first embodiment.

【図2】第1の実施の形態によるフタの移動状況を示す
図。
FIG. 2 is a diagram showing a movement state of a lid according to the first embodiment.

【図3】セラミックパッケージの平面図。FIG. 3 is a plan view of a ceramic package.

【図4】フタの裏面から見た平面図。FIG. 4 is a plan view seen from the back surface of the lid.

【図5】他の実施の形態を示す内部断面図。FIG. 5 is an internal cross-sectional view showing another embodiment.

【図6】従来例を示す図。FIG. 6 is a diagram showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、4 セラミックパッケージ 10、40 セラミック基体 11、41 金属層 11a メタライズ層 11b 下部メッキ層 11c 上部メッキ層 2、5 フタ 20 金属母材 21 半田層 3、6 水晶振動板(電子部品素子) 1, 4 Ceramic package 10, 40 Ceramic substrate 11, 41 Metal layer 11a Metallization layer 11b Lower plating layer 11c Upper plating layer 2, 5 Lid 20 Metal base material 21 Solder layer 3, 6 Quartz crystal plate (electronic component element)

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミック基体と、当該セラミック基体
の主面周囲に周状に形成された少なくとも1層からなる
第1の接合部と、前記第1の接合部と対応して接合され
る第2の接合部が周状に形成されたフタとからなり、前
記両接合部のうち少なくとも一方の接合部を溶融させる
ことにより気密接合を行う電子部品用パッケージであっ
て、 前記各接合部の幅はほぼ等しいか、あるいは溶融する接
合部の幅が広く形成されていることを特徴とする電子部
品用パッケージ。
1. A ceramic substrate, a first joining portion composed of at least one layer formed circumferentially around a main surface of the ceramic substrate, and a second joining portion corresponding to the first joining portion. Is a cover formed in a peripheral shape, and a package for electronic components that performs hermetic bonding by melting at least one of the two bonding portions, wherein the width of each of the bonding portions is An electronic component package, wherein the width of a joining portion that is substantially equal to or melts is formed to be wide.
【請求項2】 前記溶融する接合部の少なくとも表面層
が低融点金属からなることを特徴とする請求項1記載の
電子部品用パッケージ。
2. The electronic component package according to claim 1, wherein at least a surface layer of the joining portion to be melted is made of a low melting point metal.
【請求項3】 前記低融点金属が半田であることを特徴
とする請求項2記載の電子部品用パッケージ。
3. The electronic component package according to claim 2, wherein said low melting point metal is solder.
【請求項4】 セラミック基体と、当該セラミック基体
の主面周囲に周状に形成された少なくとも1層からなり
半田より融点の高い金属層と、前記金属層と対応して接
合される半田層が圧延工法により周状に形成されたフタ
とからなり、前記半田層を溶融させることにより気密接
合を行う電子部品用パケージであって、 前記半田層の幅は前記金属層の幅とほぼ等しいかあるい
は広く形成されていることを特徴する電子部品用パッケ
ージ。
4. A ceramic substrate, a metal layer having a melting point higher than that of solder and comprising at least one layer formed circumferentially around a main surface of the ceramic substrate, and a solder layer corresponding to the metal layer. An electronic component package comprising a lid formed in a circumferential shape by a rolling method and performing hermetic bonding by melting the solder layer, wherein the width of the solder layer is substantially equal to the width of the metal layer or An electronic component package characterized by being widely formed.
【請求項5】 セラミック基体と、当該セラミック基体
の主面周囲に周状に形成された少なくとも1層からなり
半田より融点の高い金属層と、前記金属層と対応して接
合される半田層が周状に形成され、当該半田層を溶融さ
せることにより気密接合を行うフタとからなる電子部品
用パッケージの製造方法であって、 前記半田層の幅を前記金属層の幅とほぼ等しいか、ある
いは広く形成する工程と、 前記金属層の上面に前記半田層を対応させて前記フタを
搭載する工程と、 前記フタが搭載されたセラミック基体の周囲温度を前記
半田層の溶融温度とし、当該半田層を溶融させ、このと
き作用する溶融半田の表面張力により前記セラミック基
体に対する前記フタの相対位置を自己矯正させる工程
と、 その後、前記周囲温度を下げ、前記半田層を硬化させ気
密接合を行う工程と、からなることを特徴とする電子部
品用パッケージの製造方法。
5. A ceramic substrate, a metal layer having a melting point higher than that of solder and comprising at least one layer formed circumferentially around a main surface of the ceramic substrate, and a solder layer corresponding to the metal layer. A method for manufacturing an electronic component package, comprising: a lid formed in a circumferential shape and performing hermetic bonding by melting the solder layer, wherein the width of the solder layer is substantially equal to the width of the metal layer, or Forming the solder layer on the upper surface of the metal layer, and mounting the lid on the upper surface of the metal layer; setting the ambient temperature of the ceramic base on which the lid is mounted to the melting temperature of the solder layer; And a step of self-correcting the relative position of the lid with respect to the ceramic substrate by the surface tension of the molten solder acting at this time.After that, lowering the ambient temperature and removing the solder layer Process and method of manufacturing an electronic component package, characterized in that it consists of performing an airtight joint is of.
【請求項6】 前記接合部のいずれか一方あるいは両接
合部が低融点ガラスからなることを特徴とする請求項1
記載の電子部品用パッケージ。
6. The method according to claim 1, wherein one or both of the joints are made of low-melting glass.
Electronic component package as described.
【請求項7】 セラミック基体と、当該セラミック基体
の主面周囲に周状に形成された第1の低融点ガラス層
と、前記第1の低融点ガラス層と対応して接合される第
2の低融点ガラス層が周状に形成され、これら低融点ガ
ラス層を溶融させることにより気密接合を行うフタとか
らなる電子部品用パッケージの製造方法であって、 前記第2の低融点ガラス層の幅を前記第1の低融点ガラ
ス層の幅とほぼ等しいか、あるいは広く形成する工程
と、 前記第1の低融点ガラス層の上面に前記第2の低融点ガ
ラス層を対応させて前記フタを搭載する工程と、 前記フタが搭載されたセラミック基体の周囲温度を前記
低融点ガラス層の溶融温度とし、これら低融点ガラス層
を溶融させ、このとき作用する溶融ガラスの表面張力に
より前記セラミック基体に対する前記フタの相対位置を
自己矯正させる工程と、 その後、前記周囲温度を下げ、前記低融点ガラス層を硬
化させ気密接合を行う工程と、 からなることを特徴とする電子部品用パッケージの製造
方法。
7. A ceramic base, a first low melting point glass layer formed circumferentially around a main surface of the ceramic base, and a second joint corresponding to the first low melting point glass layer. A method for manufacturing a package for an electronic component, comprising: a lid having a low melting point glass layer formed circumferentially; and a hermetic bonding by melting the low melting point glass layer, wherein the width of the second low melting point glass layer is Forming the first low-melting glass layer substantially equal to or wider than the first low-melting glass layer, and mounting the lid so that the second low-melting glass layer corresponds to the upper surface of the first low-melting glass layer And setting the ambient temperature of the ceramic substrate on which the lid is mounted as the melting temperature of the low-melting glass layer, melting these low-melting glass layers, and causing the surface tension of the molten glass to act on the ceramic substrate. A process of self-correcting the relative position of the lid, and thereafter, a process of lowering the ambient temperature, hardening the low-melting glass layer, and performing hermetic bonding. .
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100486996B1 (en) * 2001-11-20 2005-05-03 주식회사 코스텍시스 a quartz vibrator
JP2006190856A (en) * 2005-01-07 2006-07-20 Senju Metal Ind Co Ltd Package lid and manufacturing method thereof
JP2007234834A (en) * 2006-02-28 2007-09-13 Kyocera Kinseki Corp Piezoelectric device
JP2009033613A (en) * 2007-07-30 2009-02-12 Daishinku Corp Lid body assembly, piezoelectric vibration device using the lid body assembly, and method of manufacturing piezoelectric vibration device
US8069549B2 (en) 2007-03-22 2011-12-06 Seiko Epson Corporation Method for sealing a quartz crystal device
KR20160098644A (en) * 2015-02-10 2016-08-19 (주)파트론 Crystal oscillator and method of manufacturing thereof

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100486996B1 (en) * 2001-11-20 2005-05-03 주식회사 코스텍시스 a quartz vibrator
JP2006190856A (en) * 2005-01-07 2006-07-20 Senju Metal Ind Co Ltd Package lid and manufacturing method thereof
JP2007234834A (en) * 2006-02-28 2007-09-13 Kyocera Kinseki Corp Piezoelectric device
US8069549B2 (en) 2007-03-22 2011-12-06 Seiko Epson Corporation Method for sealing a quartz crystal device
US8344599B2 (en) 2007-03-22 2013-01-01 Seiko Epson Corporation Quartz crystal device and method for sealing the same
JP2009033613A (en) * 2007-07-30 2009-02-12 Daishinku Corp Lid body assembly, piezoelectric vibration device using the lid body assembly, and method of manufacturing piezoelectric vibration device
KR20160098644A (en) * 2015-02-10 2016-08-19 (주)파트론 Crystal oscillator and method of manufacturing thereof

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