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JPH11298242A - Oscillator and high-frequency module using it - Google Patents

Oscillator and high-frequency module using it

Info

Publication number
JPH11298242A
JPH11298242A JP9433098A JP9433098A JPH11298242A JP H11298242 A JPH11298242 A JP H11298242A JP 9433098 A JP9433098 A JP 9433098A JP 9433098 A JP9433098 A JP 9433098A JP H11298242 A JPH11298242 A JP H11298242A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
oscillator
circuit
control voltage
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9433098A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3648979B2 (en
Inventor
Toshiaki Tamura
俊昭 田村
Masamoto Kawakami
雅資 川上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP09433098A priority Critical patent/JP3648979B2/en
Publication of JPH11298242A publication Critical patent/JPH11298242A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3648979B2 publication Critical patent/JP3648979B2/en
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a miniaturized oscillator. SOLUTION: This oscillator is provided with an oscillation circuit 11 formed from a collector ground transistor 18 and a resonance circuit 20 and an oscillation circuit 12 formed from a collector ground transistor 40 and a resonance circuit 42, and the oscillation circuits 11 and 12 are selectively activated by a control voltage applied to a transistor 13. Thus, the miniaturized oscillator can be provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、2種類の発振周波
数を選択的に出力する発振器とこれを用いた高周波モジ
ュールに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an oscillator for selectively outputting two kinds of oscillation frequencies and a high-frequency module using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】以下、従来の発振器について説明する。
従来の発振器は図5に示すように、第1の周波数を出力
する発振回路1と、第2の周波数を出力する発振回路2
と、発振回路1のオン・オフを行うNPN型スイッチト
ランジスタ3と、発振回路2のオン・オフを行うPNP
型トランジスタ4とで構成されていた。そして、制御電
圧入力端子5からの入力にしたがって、発振回路1と発
振回路2とが選択的に選ばれて出力端子6から出力され
ていた。
2. Description of the Related Art A conventional oscillator will be described below.
As shown in FIG. 5, a conventional oscillator includes an oscillation circuit 1 that outputs a first frequency and an oscillation circuit 2 that outputs a second frequency.
An NPN switch transistor 3 for turning on / off the oscillation circuit 1 and a PNP for turning on / off the oscillation circuit 2
And the type transistor 4. Then, according to the input from the control voltage input terminal 5, the oscillation circuit 1 and the oscillation circuit 2 are selectively selected and output from the output terminal 6.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な従来の構成では、発振回路1と発振回路2のいずれか
を選択するのにNPN型のトランジスタ3とPNP型の
トランジスタ4の2つのトランジスタが必要となり、発
振器が大型化してしまうと言う問題があった。
However, in such a conventional configuration, two transistors, an NPN transistor 3 and a PNP transistor 4, are required to select either the oscillation circuit 1 or the oscillation circuit 2. Therefore, there is a problem that the oscillator becomes large.

【0004】そこで本発明は、この問題を解決するため
に小型化された発振器を提供することを目的としたもの
である。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a downsized oscillator for solving this problem.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の発振器は、第1のコレクタ接地トランジスタ
と第1の共振回路で形成される第1の発振回路と、第2
のコレクタ接地トランジスタと第2の共振回路で形成さ
れる第2の発振回路とを備え、第3のトランジスタに加
えられる制御電圧により前記第1の発振回路と前記第2
の発振回路とを選択的に活性化する構成としたものであ
る。
In order to achieve this object, an oscillator according to the present invention comprises a first oscillating circuit formed by a first common-collector transistor and a first resonant circuit,
And a second oscillation circuit formed by a second resonance circuit. The first oscillation circuit and the second oscillation circuit are controlled by a control voltage applied to a third transistor.
And the oscillation circuit of the above is selectively activated.

【0006】これにより、小型化された発振器を提供す
ることができる。
Thus, a downsized oscillator can be provided.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、第1のコレクタ接地トランジスタと第1の共振回路
で形成される第1の発振回路と、第2のコレクタ接地ト
ランジスタと第2の共振回路で形成される第2の発振回
路とを備え、第3のトランジスタに加えられる制御電圧
により前記第1の発振回路と前記第2の発振回路とを選
択的に活性化する発振器であり、これにより第3のトラ
ンジスタ1つのみで第1の発振回路と第2の発振回路と
を切り替えることができるので、発振器の小型化を図る
ことができる。また、発振回路の切り替えは第3のトラ
ンジスタ1つで行えるので、低価格の発振器が得られ
る。更に、発振回路の切り替えは第3のトランジスタ1
つで行うので、第1の発振回路と第2の発振回路とが同
時にオンしたり、同時にオフしたりすることはなく必ず
どちらか一方の発振回路がオンしているので、負荷電流
の平均化が図れる。このことにより、外部に対するノイ
ズが少なくなる。また、過渡電流の変化がないので、供
給する電源の設計が楽である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The invention according to claim 1 of the present invention is directed to a first oscillation circuit formed by a first common-collector transistor and a first resonance circuit, a second common-collector transistor and a second common-collector transistor. A second oscillation circuit formed of two resonance circuits, wherein the oscillator selectively activates the first oscillation circuit and the second oscillation circuit by a control voltage applied to a third transistor. Since the first oscillation circuit and the second oscillation circuit can be switched by using only one third transistor, the size of the oscillator can be reduced. Further, since the switching of the oscillation circuit can be performed by one third transistor, a low-cost oscillator can be obtained. Further, the switching of the oscillation circuit is performed by the third transistor 1
Since the first oscillation circuit and the second oscillation circuit are not simultaneously turned on or off at the same time and one of the oscillation circuits is always turned on, load current averaging is performed. Can be achieved. This reduces noise to the outside. Also, since there is no change in the transient current, the design of the power supply to be supplied is easy.

【0008】請求項2に記載の発明の第3のトランジス
タは第1の抵抗を介して第1のトランジスタのエミッタ
に接続されるとともに第2の抵抗を介して第2のトラン
ジスタのベースに接続され、この第3のトランジスタの
ベースに制御電圧が加えられる請求項1に記載の発振器
であり、簡単な構成でスイッチ回路を実現することがで
きる。
The third transistor according to the second aspect of the present invention is connected to the emitter of the first transistor via the first resistor and to the base of the second transistor via the second resistor. The oscillator according to claim 1, wherein a control voltage is applied to the base of the third transistor, and a switch circuit can be realized with a simple configuration.

【0009】請求項3に記載の発明は、第1のトランジ
スタと第2のトランジスタとの間に第3のトランジスタ
を配置した請求項2に記載の発振器であり、このように
配置することにより配線距離を短くすることができ、小
型化に寄与できる。又、配線距離を短くすることにより
発振周波数が直接他の回路に悪影響をおよぼすことはな
い。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the oscillator according to the second aspect, wherein a third transistor is disposed between the first transistor and the second transistor. The distance can be shortened, which can contribute to miniaturization. Also, by shortening the wiring distance, the oscillation frequency does not directly affect other circuits.

【0010】請求項4に記載の発明は、第1のトランジ
スタと第2のトランジスタと第3のトランジスタは共に
NPN型のトランジスタで構成した請求項2に記載の発
振器であり、同一タイプのトランジスタで構成できるの
で、購入部品の種類が少なくて済むと共に部品管理も楽
である。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the oscillator according to the second aspect, wherein the first transistor, the second transistor, and the third transistor are all NPN transistors. Since it can be configured, the types of purchased parts can be reduced, and parts management is easy.

【0011】請求項5に記載の発明は、発振器が実装さ
れるプリント基板には4層基板を用い、第1層目に電子
部品を装着し、第2層目と第4層目は全面グランドパタ
ーンとするとともに第3層目に共振回路を形成するイン
ダクタンスの一部をパターンで形成し、このインダクタ
ンスの残余の部分はスルーホールで第1層目に導出する
とともにこの第1層目に残余のインダクタンスをパター
ンで形成した請求項2に記載の発振器であり、これらの
グランドパターンにより、外部と高周波的に分離され
る。また、多層基板を用いることにより発振器の小型化
を図ることができる。更に、インダクタンスをパターン
で形成しているので振動に対して強く、携帯電話等に使
用すると有利である。更に又、インダクタンスの残余部
を1層目に設けているので発振周波数の調整を容易に行
うことができる。
According to a fifth aspect of the present invention, a printed circuit board on which an oscillator is mounted uses a four-layer board, electronic components are mounted on the first layer, and the second and fourth layers are entirely grounded. A part of the inductance forming the resonance circuit on the third layer is formed by the pattern, and the remaining part of the inductance is led out to the first layer by a through hole and the remaining part of the inductance is formed on the first layer. 3. The oscillator according to claim 2, wherein the inductance is formed in a pattern, and the oscillator is separated from the outside at a high frequency by these ground patterns. Further, by using a multilayer substrate, the size of the oscillator can be reduced. Further, since the inductance is formed in a pattern, it is resistant to vibration and is advantageously used for a mobile phone or the like. Furthermore, since the remaining part of the inductance is provided in the first layer, the oscillation frequency can be easily adjusted.

【0012】請求項6に記載の発明は、請求項1に記載
の発振器の出力にトランジスタで形成されたエミッタ接
地増幅器を接続し、この増幅器のトランジスタのコレク
タに共振回路を設けるとともに、この共振回路は制御電
圧入力端子から入力される制御電圧によって共振周波数
を切り替える高周波モジュールであり、増幅器にも共振
回路が設けられているので、選択特性の良い発振器が得
られる。またこの制御電圧入力端子は発振器の制御電圧
入力端子に接続されているので、発振器の発振周波数を
切り替えに連動して増幅器の通過特性も変わるので、制
御が簡単である。
According to a sixth aspect of the present invention, a common emitter amplifier formed of a transistor is connected to the output of the oscillator according to the first aspect of the present invention, and a resonance circuit is provided at a collector of the transistor of the amplifier. Is a high-frequency module for switching a resonance frequency according to a control voltage input from a control voltage input terminal. Since an amplifier is also provided with a resonance circuit, an oscillator having good selection characteristics can be obtained. Further, since this control voltage input terminal is connected to the control voltage input terminal of the oscillator, the passing characteristic of the amplifier is changed in accordance with the switching of the oscillation frequency of the oscillator, so that the control is simple.

【0013】請求項7に記載の発明は、電子部品が実装
されるとともに略4角形をしたプリント基板と、このプ
リント基板の角近傍にそれぞれ制御電圧入力端子と、同
調電圧入力端子と、出力端子と、電源端子とを設けると
ともにこれらの端子間にグランド端子を設けた請求項6
に記載の高周波モジュールであり、制御電圧入力端子
と、同調電圧入力端子と、出力端子と、電源端子間の高
周波的絶縁度が向上する。したがって、お互いに妨害を
与えることはない。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a printed circuit board on which electronic components are mounted and which has a substantially rectangular shape, a control voltage input terminal, a tuning voltage input terminal, and an output terminal near corners of the printed circuit board, respectively. And a power supply terminal, and a ground terminal is provided between these terminals.
Wherein the degree of high-frequency insulation between the control voltage input terminal, the tuning voltage input terminal, the output terminal, and the power supply terminal is improved. Therefore, they do not interfere with each other.

【0014】以下、図面に従って本発明の一実施の形態
を説明する。図1は本発明の発振器の回路図である。図
1において、本発明の発振器は発振回路11と、発振回
路12と、この発振回路11と発振回路12とを選択的
に切り替える1つのNPN型スイッチトランジスタ13
とで構成されている。そして、このトランジスタ13の
ベースは抵抗14を介して制御電圧入力端子15に接続
されている。又コレクタは抵抗16を介して電源端子1
7に接続されている。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of the oscillator according to the present invention. In FIG. 1, an oscillator according to the present invention includes an oscillation circuit 11, an oscillation circuit 12, and an NPN switch transistor 13 for selectively switching between the oscillation circuit 11 and the oscillation circuit 12.
It is composed of The base of the transistor 13 is connected to the control voltage input terminal 15 via the resistor 14. The collector is connected to the power terminal 1 via the resistor 16.
7 is connected.

【0015】発振回路11は、NPN型の発振トランジ
スタ18と、このトランジスタ18に結合コンデンサ1
9を介して共振回路20に接続されている。トランジス
タ18のコレクタはコンデンサ21を介してグランドに
接地されるとともに電源端子17に接続されている。ベ
ースは抵抗22と23とでバイアス電圧が与えられると
ともにコンデンサ24を介してエミッタに接続されてい
る。このエミッタは抵抗25を介して前記スイッチトラ
ンジスタ13のコレクタに接続されるとともに結合コン
デンサ26を介して出力端子27に接続されている。ま
た、このトランジスタ18のエミッタとグランドとの間
にはコンデンサ28が設けられている。
The oscillation circuit 11 includes an NPN-type oscillation transistor 18 and a coupling capacitor 1 connected to the transistor 18.
9 is connected to the resonance circuit 20. The collector of the transistor 18 is grounded to the ground via the capacitor 21 and is connected to the power supply terminal 17. The base is supplied with a bias voltage by resistors 22 and 23 and is connected to the emitter via a capacitor 24. This emitter is connected to the collector of the switch transistor 13 via a resistor 25 and to the output terminal 27 via a coupling capacitor 26. A capacitor 28 is provided between the emitter of the transistor 18 and the ground.

【0016】共振回路20は、パターンで形成されたイ
ンダクタンス30と、このインダクタンス30と並列に
接続された固定コンデンサ31と可変コンデンサ32の
直列接続体とで構成されている。なお、可変コンデンサ
32のカソード側からは高抵抗33を介して制御電圧入
力端子35に接続されている。ここで、インダクタンス
30は、固定インダクタンス30aと周波数調整用イン
ダクタンス30bに分割されている。
The resonance circuit 20 includes an inductance 30 formed in a pattern, and a series connection of a fixed capacitor 31 and a variable capacitor 32 connected in parallel with the inductance 30. The cathode side of the variable capacitor 32 is connected to a control voltage input terminal 35 via a high resistance 33. Here, the inductance 30 is divided into a fixed inductance 30a and a frequency adjustment inductance 30b.

【0017】発振回路12も同様に、NPN型の発振ト
ランジスタ40と、このトランジスタ40に結合コンデ
ンサ41を介して共振回路42に接続されている。トラ
ンジスタ40のコレクタはコンデンサ43を介してグラ
ンドに接地されるとともに電源端子17に接続されてい
る。ベースは抵抗44でトランジスタ13のコレクタに
接続されるとともに抵抗45でグランドに接続されてバ
イアス電圧が与えられている。また、このベースからは
コンデンサ46を介してエミッタに接続されている。こ
のエミッタは抵抗47を介してグランドに接続されると
ともに結合コンデンサ48を介して出力端子27に接続
されている。また、このトランジスタ40のエミッタと
グランドとの間にはコンデンサ49が設けられている。
Similarly, the oscillation circuit 12 is connected to an NPN oscillation transistor 40 and a resonance circuit 42 via a coupling capacitor 41 connected to the transistor 40. The collector of the transistor 40 is grounded to the ground via the capacitor 43 and is connected to the power supply terminal 17. The base is connected to the collector of the transistor 13 by a resistor 44 and is connected to the ground by a resistor 45 to apply a bias voltage. The base is connected to the emitter via a capacitor 46. This emitter is connected to ground via a resistor 47 and to the output terminal 27 via a coupling capacitor 48. A capacitor 49 is provided between the emitter of the transistor 40 and the ground.

【0018】共振回路42も同様に、パターンで形成さ
れたインダクタンス50と、このインダクタンス50と
並列に接続された固定コンデンサ51と可変コンデンサ
52の直列接続体とで構成されている。なお、可変コン
デンサ52のカソード側からは高抵抗53を介して制御
電圧入力端子35に接続されている。ここで、インダク
タンス50は、固定インダクタンス50aと周波数調整
用インダクタンス50bに分割されている。
Similarly, the resonance circuit 42 includes an inductance 50 formed in a pattern and a series connection of a fixed capacitor 51 and a variable capacitor 52 connected in parallel with the inductance 50. The cathode side of the variable capacitor 52 is connected to the control voltage input terminal 35 via the high resistance 53. Here, the inductance 50 is divided into a fixed inductance 50a and a frequency adjustment inductance 50b.

【0019】以上のように構成された発振器について、
以下にその動作を説明する。発振回路11は発振のため
のトランジスタ18及びその周辺回路と共振回路20と
で略1.7GHzの周波数を出力端子27に出力する。ま
た、この発振周波数は同調電圧入力端子35に入力され
る電圧の大きさでコンデンサ32の容量が変わり出力周
波数を制御することができる。また、発振周波数の上限
や下限等はインダクタンス30bをトリミングすること
により行う。
With respect to the oscillator configured as described above,
The operation will be described below. The oscillation circuit 11 outputs a frequency of about 1.7 GHz to the output terminal 27 by the transistor 18 for oscillation and its peripheral circuit and the resonance circuit 20. Also, the oscillation frequency changes the capacitance of the capacitor 32 depending on the magnitude of the voltage input to the tuning voltage input terminal 35, so that the output frequency can be controlled. The upper and lower limits of the oscillation frequency are determined by trimming the inductance 30b.

【0020】発振回路12に関しても同様である。すな
わち、発振回路12は発振のためのトランジスタ40及
びその周辺回路と共振回路42とで略1.0GHzの周波
数を出力端子27に出力する。また、この発振周波数は
同調電圧入力端子35に入力される信号で可変コンデン
サ52の容量が変わり、出力周波数を制御することがで
きる。また、発振周波数の上限や下限等はインダクタン
ス50bをトリミングすることにより行う。
The same applies to the oscillation circuit 12. That is, the oscillation circuit 12 outputs a frequency of about 1.0 GHz to the output terminal 27 by the transistor 40 for oscillation and its peripheral circuit and the resonance circuit 42. In addition, the oscillation frequency changes the capacitance of the variable capacitor 52 according to the signal input to the tuning voltage input terminal 35, so that the output frequency can be controlled. The upper limit and lower limit of the oscillation frequency are determined by trimming the inductance 50b.

【0021】ここで、発振回路11と発振回路12との
切り替えは、トランジスタ13で行う。すなわち、制御
電圧入力端子15をハイにすることによりトランジスタ
13はオンとなり、このトランジスタ13のエミッタは
グランドに接続されているのでコレクタはゼロ電位にな
る。すなわち、トランジスタ18に電流が流れてオンす
るとともにトランジスタ40はオフする。すなわち、出
力端子27には発振回路11から1.7GHzの周波数が
出力される。
Here, switching between the oscillation circuit 11 and the oscillation circuit 12 is performed by the transistor 13. That is, when the control voltage input terminal 15 is set to high, the transistor 13 is turned on. Since the emitter of the transistor 13 is connected to the ground, the collector becomes zero potential. That is, a current flows through the transistor 18 and the transistor 40 is turned on and the transistor 40 is turned off. That is, a frequency of 1.7 GHz is output from the oscillation circuit 11 to the output terminal 27.

【0022】同様に、制御電圧入力端子15をローにす
るとトランジスタ13はオフとなり、コレクタはハイに
なる。そうすると、トランジスタ18がオフするととも
にトランジスタ40はオンする。すなわち、出力端子2
7には発振回路12から1.0GHzの周波数が出力され
る。
Similarly, when the control voltage input terminal 15 is set low, the transistor 13 is turned off and the collector is set high. Then, the transistor 18 is turned off and the transistor 40 is turned on. That is, output terminal 2
A frequency of 1.0 GHz is output from the oscillation circuit 12 to 7.

【0023】図2は、発振器の出力端子27に接続され
るとともにNPN型のトランジスタで構成された増幅器
である。この増幅器は入力端子61に接続された増幅回
路62と、この増幅回路62の出力からコンデンサ63
を介して接続された増幅回路64と、この増幅回路64
の出力がコンデンサ65を介して接続された出力端子6
6と、増幅回路62を構成するトランジスタ67のコレ
クタと電源端子17との間に接続されるとともに周波数
切り替え可能な第1の共振回路68と、増幅回路64の
トランジスタ69と電源端子17との間に接続されると
ともに周波数切り替え可能な第2の共振回路70と、制
御電圧入力端子71(図1の制御電圧入力端子35に接
続されている。)に接続され、共振回路68と70の共
振周波数を切り替えるスイッチ回路72とで構成されて
いる。
FIG. 2 shows an amplifier connected to the output terminal 27 of the oscillator and composed of NPN transistors. This amplifier comprises an amplifying circuit 62 connected to an input terminal 61 and a capacitor 63 from the output of the amplifying circuit 62.
Amplifying circuit 64 connected via the
Output terminal 6 connected to the output of
6, a first resonance circuit 68 connected between the collector of the transistor 67 and the power supply terminal 17 of the amplification circuit 62 and capable of switching the frequency, and between the transistor 69 of the amplification circuit 64 and the power supply terminal 17. Connected to the control voltage input terminal 71 (connected to the control voltage input terminal 35 in FIG. 1) and the resonance frequency of the resonance circuits 68 and 70. And a switch circuit 72 for changing over.

【0024】ここで、第1の共振回路68は、インダク
タンス74aと74bの直列接続とコンデンサ(このコ
ンデンサはパターンの浮遊容量で形成されている)75
の並列接続で形成される。このコンデンサ75とインダ
クタンス74bとで高い方の周波数、1.7GHzに共振
し、コンデンサ75とインダクタンス74aとインダク
タンス74bとで低い方の周波数、1.0GHzに共振す
るように設計している。
Here, the first resonance circuit 68 includes a series connection of the inductances 74a and 74b and a capacitor (this capacitor is formed by a stray capacitance of a pattern) 75
Formed in parallel. The capacitor 75 and the inductance 74b are designed to resonate at a higher frequency of 1.7 GHz, and the capacitor 75, the inductance 74a and the inductance 74b are resonated at a lower frequency of 1.0 GHz.

【0025】また、第2の共振回路70も同様に、イン
ダクタンス75aと75bの直列接続とコンデンサ(こ
のコンデンサはパターンの浮遊容量で形成されている)
77の並列接続で形成される。このコンデンサ77とイ
ンダクタンス75bとで高い方の周波数、1.7GHzに
共振し、コンデンサ77とインダクタンス75aとイン
ダクタンス75bの和とで低い方の周波数、1.0GHz
に共振するように設計している。ここで、コンデンサ7
8とコンデンサ79は共に直流カット用のコンデンサで
ある。
Similarly, the second resonance circuit 70 includes a series connection of the inductances 75a and 75b and a capacitor (this capacitor is formed by a stray capacitance of a pattern).
77 are connected in parallel. The higher frequency of the capacitor 77 and the inductance 75b resonates at 1.7 GHz, and the lower frequency of the sum of the capacitor 77, the inductance 75a and the inductance 75b, 1.0 GHz.
It is designed to resonate. Here, the capacitor 7
8 and the capacitor 79 are both DC cut capacitors.

【0026】以上のように構成された増幅器について、
以下にその動作を説明する。入力端子61(発振器の出
力端子27に接続されている)に入力された信号は増幅
回路62と64で増幅されて出力端子66から出力され
る。ここで、制御電圧入力端子71がハイの場合はスイ
ッチトランジスタ回路72のトランジスタ80,81共
にオンとなる。これらのトランジスタ80,81のエミ
ッタはグランドに接続されているので、コレクタはグラ
ンドレベルとなる。コンデンサ78と79は直流カット
用のコンデンサなので、インダクタンス74aと74b
の接続点及びインダクタンス75aと75bの接続点が
交流的にグランドレベルとなる。すなわち、共振回路6
8はコンデンサ75とインダクタンス74bとの並列共
振回路となり、共振回路70はコンデンサ77とインダ
クタンス75bとの並列共振回路となり、共に高い周波
数(1.7GHz)で共振し、この周波数を能率良く通過
させる増幅器となる。
With respect to the amplifier configured as described above,
The operation will be described below. The signal input to the input terminal 61 (connected to the output terminal 27 of the oscillator) is amplified by the amplifier circuits 62 and 64 and output from the output terminal 66. Here, when the control voltage input terminal 71 is high, both the transistors 80 and 81 of the switch transistor circuit 72 are turned on. Since the emitters of these transistors 80 and 81 are connected to the ground, the collectors are at the ground level. Since the capacitors 78 and 79 are capacitors for cutting DC current, the inductances 74a and 74b
And the connection point of the inductances 75a and 75b are grounded in an alternating current. That is, the resonance circuit 6
Reference numeral 8 denotes a parallel resonance circuit of a capacitor 75 and an inductance 74b, and a resonance circuit 70 serves as a parallel resonance circuit of a capacitor 77 and an inductance 75b. Becomes

【0027】次に、制御電圧入力端子71がローの場合
はスイッチトランジスタ回路72のトランジスタ80,
81共にオフとなる。すなわちこれらのトランジスタ8
0,81のコレクタは高インピーダンスとなるので、イ
ンダクタンス74aと74bの接続点及びインダクタン
ス75aと75bの接続点が交流的にオープンとなる。
すなわち、共振回路68はコンデンサ75と並列にイン
ダクタンス74aと74bとが直列接続された並列共振
回路となり、共振回路70はコンデンサ77とインダク
タンス75aと75bとが直列接続された並列共振回路
となり、共に低い周波数(1.0GHz)で共振し、この
周波数を能率良く通過させる増幅器になる。
Next, when the control voltage input terminal 71 is low, the transistor 80 of the switch transistor circuit 72,
81 are both turned off. That is, these transistors 8
Since the collectors of 0 and 81 have high impedance, the connection point between the inductances 74a and 74b and the connection point between the inductances 75a and 75b are open in AC.
That is, the resonance circuit 68 is a parallel resonance circuit in which the inductances 74a and 74b are connected in series with the capacitor 75, and the resonance circuit 70 is a parallel resonance circuit in which the capacitor 77 and the inductances 75a and 75b are connected in series. An amplifier that resonates at a frequency (1.0 GHz) and efficiently passes this frequency.

【0028】図3は、図1に示した発振器と図2に示し
た増幅器が接続された高周波モジュールの平面図であ
る。図3において、90は略四角形をした4層のプリン
ト基板であり、このプリント基板90の4つの角にはそ
れぞれ制御電圧入力端子15、同調電圧入力端子35、
出力端子66及び電源端子17が設けられており、その
間には、グランド端子91がそれぞれの辺に合計4個設
けられている。また、この高周波モジュールの大きさは
縦寸法10mm、横寸法12mm、厚さ2mmとなっている。
FIG. 3 is a plan view of a high-frequency module to which the oscillator shown in FIG. 1 and the amplifier shown in FIG. 2 are connected. In FIG. 3, reference numeral 90 denotes a substantially square four-layer printed circuit board. The four corners of the printed circuit board 90 have a control voltage input terminal 15, a tuning voltage input terminal 35,
An output terminal 66 and a power supply terminal 17 are provided, and a total of four ground terminals 91 are provided on each side between them. The size of this high-frequency module is 10 mm in length, 12 mm in width, and 2 mm in thickness.

【0029】このように信号端子を離して設けると共
に、その間にグランド端子91を設けることにより、端
子相互間の影響が少なくなる。すなわち、ノイズに対し
て対策される。また、四隅に端子を設けているので、実
装の際の取り付けバランスがよい。また、発振回路11
と12との間にスイッチトランジスタ13を配置してい
るので、配線を短くすることができ小型化に寄与する。
更にこのトランジスタ13側に制御電圧入力端子15を
設けると共に、発振回路11と12側に同調電圧入力端
子35を設けている。そして、この発振器に続いて増幅
回路62と64をこの順に配置し、増幅回路64の出力
の近傍に出力端子66を設けている。このような配置を
することにより小型化が図れる。
By thus providing the signal terminals apart and providing the ground terminal 91 between them, the influence between the terminals is reduced. That is, measures are taken against noise. Further, since terminals are provided at four corners, the mounting balance at the time of mounting is good. Also, the oscillation circuit 11
Since the switch transistor 13 is disposed between the first and second transistors, the wiring can be shortened, which contributes to downsizing.
Further, a control voltage input terminal 15 is provided on the transistor 13 side, and a tuning voltage input terminal 35 is provided on the oscillation circuits 11 and 12 side. After the oscillator, amplifier circuits 62 and 64 are arranged in this order, and an output terminal 66 is provided near the output of the amplifier circuit 64. With such an arrangement, downsizing can be achieved.

【0030】図4は、高周波モジュールの断面図であ
る。図4において、90は4層のプリント基板であり、
このプリント基板90の1層目90aには発振器や増幅
器を構成する電子部品92が実装されている。93は金
属製のシールドケースであり電子部品92を覆うように
プリント基板90に設けられている。また、このプリン
ト基板90の2層目90bと4層目90dは全面グラン
ドパターンとしている。3層目90cには、共振回路2
0の一部を構成するインダクタンス30aと共振回路4
2の一部を構成するインダクタンス50aとがパターン
で構成されて実装されている。そして、これらのインダ
クタンスからはそれぞれスルーホールで1層目90aに
導出されてインダクタンス30b,50bが形成され、
これらのインダクタンス30b,50bをトリミングす
ることにより周波数を調整している。
FIG. 4 is a sectional view of the high-frequency module. In FIG. 4, 90 is a four-layer printed circuit board,
On a first layer 90a of the printed circuit board 90, an electronic component 92 constituting an oscillator or an amplifier is mounted. Reference numeral 93 denotes a metal shield case, which is provided on the printed circuit board 90 so as to cover the electronic component 92. The second layer 90b and the fourth layer 90d of the printed circuit board 90 are all ground patterns. The third layer 90c includes a resonance circuit 2
0 and the resonance circuit 4
2 and an inductance 50a constituting a part thereof are formed in a pattern and mounted. Then, the inductances 30b and 50b are formed from these inductances through the through holes to the first layer 90a, respectively.
The frequency is adjusted by trimming these inductances 30b and 50b.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、第1のコ
レクタ接地トランジスタと第1の共振回路で形成される
第1の発振回路と、第2のコレクタ接地トランジスタと
第2の共振回路で形成される第2の発振回路とを備え、
第3のトランジスタに加えられる制御電圧により前記第
1の発振回路と前記第2の発振回路とを選択的に活性化
するものであり、これにより第3のトランジスタ1つの
みで第1の発振回路と第2の発振回路とを切り替えるこ
とができるので、発振器の小型化を図ることができる。
As described above, according to the present invention, a first oscillation circuit formed by a first common-collector transistor and a first resonance circuit, a second common-collector transistor, and a second resonance circuit A second oscillation circuit formed by
The first oscillation circuit and the second oscillation circuit are selectively activated by a control voltage applied to a third transistor, whereby the first oscillation circuit is constituted by only one third transistor. And the second oscillation circuit, the size of the oscillator can be reduced.

【0032】また、発振回路の切り替えは第3のトラン
ジスタ1つで行えるので、低価格の発振器が得られる。
Since the switching of the oscillation circuit can be performed by one third transistor, a low-cost oscillator can be obtained.

【0033】更に、発振回路の切り替えは第3のトラン
ジスタ1つで行うので、第1の発振回路と第2の発振回
路とが同時にオンしたり、同時にオフしたりすることは
なく必ずどちらか一方の発振回路のみがオンしているの
で、負荷電流の平均化が図れる。このことにより、外部
に対するノイズが少なくなる。また、過渡電流の変化が
ないので、供給する電源の設計が楽である。
Further, since the switching of the oscillation circuit is performed by one third transistor, the first oscillation circuit and the second oscillation circuit are not simultaneously turned on or off at the same time, and are not necessarily turned off at the same time. Since only the oscillating circuit is turned on, load current can be averaged. This reduces noise to the outside. Also, since there is no change in the transient current, the design of the power supply to be supplied is easy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態による発振器の回路図FIG. 1 is a circuit diagram of an oscillator according to an embodiment of the present invention.

【図2】同、発振器に接続される増幅器の回路図FIG. 2 is a circuit diagram of an amplifier connected to the oscillator.

【図3】本発明の一実施の形態による高周波モジュール
の平面図
FIG. 3 is a plan view of the high-frequency module according to one embodiment of the present invention.

【図4】同、断面図FIG. 4 is a sectional view of the same.

【図5】従来の発振器の回路図FIG. 5 is a circuit diagram of a conventional oscillator.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 発振回路 12 発振回路 13 トランジスタ 15 制御電圧入力端子 18 トランジスタ 20 共振回路 27 出力端子 40 トランジスタ 42 共振回路 Reference Signs List 11 oscillation circuit 12 oscillation circuit 13 transistor 15 control voltage input terminal 18 transistor 20 resonance circuit 27 output terminal 40 transistor 42 resonance circuit

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1のコレクタ接地トランジスタと第1
の共振回路で形成される第1の発振回路と、第2のコレ
クタ接地トランジスタと第2の共振回路で形成される第
2の発振回路とを備え、第3のトランジスタに加えられ
る制御電圧により前記第1の発振回路と前記第2の発振
回路とを選択的に活性化する発振器。
A first common-collector transistor and a first common-collector transistor;
A first oscillating circuit formed by a resonant circuit of the above, and a second oscillating circuit formed by a second grounded-collector transistor and a second resonant circuit, wherein a control voltage applied to a third transistor causes An oscillator for selectively activating a first oscillation circuit and the second oscillation circuit.
【請求項2】 第3のトランジスタは第1の抵抗を介し
て第1のトランジスタのエミッタに接続されるとともに
第2の抵抗を介して第2のトランジスタのベースに接続
され、この第3のトランジスタのベースに制御電圧が加
えられる請求項1に記載の発振器。
A third transistor connected to the emitter of the first transistor via a first resistor and connected to a base of the second transistor via a second resistor; The oscillator according to claim 1, wherein a control voltage is applied to a base of the oscillator.
【請求項3】 第1のトランジスタと第2のトランジス
タとの間に第3のトランジスタを配置した請求項2に記
載の発振器。
3. The oscillator according to claim 2, wherein a third transistor is arranged between the first transistor and the second transistor.
【請求項4】 第1のトランジスタと第2のトランジス
タと第3のトランジスタはともにNPN型のトランジス
タで構成した請求項2に記載の発振器。
4. The oscillator according to claim 2, wherein each of the first transistor, the second transistor, and the third transistor is an NPN transistor.
【請求項5】 発振器が実装されるプリント基板には4
層基板を用い、第1層目に電子部品を装着し、第2層目
と第4層目は全面グランドパターンとするとともに第3
層目に共振回路を形成するインダクタンスの一部をパタ
ーンで形成し、このインダクタンスの残余の部分はスル
ーホールで第1層目に導出するとともにこの第1層目に
残余のインダクタンスをパターンで形成した請求項2に
記載の発振器。
5. The printed circuit board on which the oscillator is mounted has four
The electronic component is mounted on the first layer using a layer substrate, and the second and fourth layers are formed as ground patterns on the entire surface and the third layer is mounted on the third layer.
A part of the inductance forming the resonance circuit in the layer is formed in a pattern, and the remaining part of the inductance is led out to the first layer by a through hole, and the remaining inductance is formed in the first layer in a pattern. The oscillator according to claim 2.
【請求項6】 請求項1に記載の発振器の出力にトラン
ジスタで形成されたエミッタ接地増幅器を接続し、この
増幅器のトランジスタのコレクタに共振回路を設けると
ともに、この共振回路は制御電圧入力端子から入力され
る制御電圧によって共振周波数を切り替える高周波モジ
ュール。
6. An oscillator according to claim 1, wherein a common emitter amplifier formed of a transistor is connected to the output of the oscillator, a resonance circuit is provided at a collector of the transistor of the amplifier, and the resonance circuit is inputted from a control voltage input terminal. A high frequency module that switches the resonance frequency according to the control voltage to be applied.
【請求項7】 電子部品が実装されるとともに略4角形
をしたプリント基板と、このプリント基板の角近傍にそ
れぞれ制御電圧入力端子と、同調電圧入力端子と、出力
端子と、電源端子とを設けるとともにこれらの端子間に
グランド端子を設けた請求項6に記載の高周波モジュー
ル。
7. A substantially rectangular printed circuit board on which electronic components are mounted, and a control voltage input terminal, a tuning voltage input terminal, an output terminal, and a power supply terminal are provided near corners of the printed circuit board, respectively. 7. The high-frequency module according to claim 6, wherein a ground terminal is provided between these terminals.
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